JPH01249607A - 酸化物超電導体膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH01249607A JPH01249607A JP63077080A JP7708088A JPH01249607A JP H01249607 A JPH01249607 A JP H01249607A JP 63077080 A JP63077080 A JP 63077080A JP 7708088 A JP7708088 A JP 7708088A JP H01249607 A JPH01249607 A JP H01249607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide superconducting
- superconductor
- oriented
- characteristic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 11
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012733 comparative method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化物超電導体膜の製造方法に関する。
近年１−ａ−３ｒ−Ｃｕ−０系、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−〇系
、Ｂ ｉ −３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔｐ、−３ｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系等の酸化物超電導体が見出されている
。これらの酸化物超電導体は高い臨界温度（以下Ｔｃと
略記）を有し、液体Ｎ２温度で超電導となるため、従来
の液体Ｈｅ温度で超電導を示す金属超電導体に較べて格
段に経済的であり電カケープル、マグネット導体等の線
材として、又はトランジスタ、ジョセフソン素子、５Ｑ
ＵＩＤ、赤外センサ等の電子デバイスよして各分野での
応用が横側されている。
、Ｂ ｉ −３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔｐ、−３ｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系等の酸化物超電導体が見出されている
。これらの酸化物超電導体は高い臨界温度（以下Ｔｃと
略記）を有し、液体Ｎ２温度で超電導となるため、従来
の液体Ｈｅ温度で超電導を示す金属超電導体に較べて格
段に経済的であり電カケープル、マグネット導体等の線
材として、又はトランジスタ、ジョセフソン素子、５Ｑ
ＵＩＤ、赤外センサ等の電子デバイスよして各分野での
応用が横側されている。
ところで上記のような酸化物超電導体の結晶構造は、第
１図にＹ Ｂ ａ ｔ Ｃｕ ｘ ０７−δの超電導体
について例示したように立方体の中心にＣｕ等の遷移元
素イオン、角隅にＢａ、Ｙ等の半径の大きな活性金属イ
オン、そして面心に酸素イオンが配置されたものである
。このような結晶構造からなる酸化物超電導体は、中心
の遷移元素イオンの電子雲が球対称でない為、電気的に
結晶異方性が強く、臨界電流値がＣ軸方向に小さく、Ｃ
軸に垂直な面即ちａ、ｂ軸を含む面に平行な方向に大き
い値を示すものである。
１図にＹ Ｂ ａ ｔ Ｃｕ ｘ ０７−δの超電導体
について例示したように立方体の中心にＣｕ等の遷移元
素イオン、角隅にＢａ、Ｙ等の半径の大きな活性金属イ
オン、そして面心に酸素イオンが配置されたものである
。このような結晶構造からなる酸化物超電導体は、中心
の遷移元素イオンの電子雲が球対称でない為、電気的に
結晶異方性が強く、臨界電流値がＣ軸方向に小さく、Ｃ
軸に垂直な面即ちａ、ｂ軸を含む面に平行な方向に大き
い値を示すものである。
このようなことから酸化物超電導体の製造にあたっては
結晶を配向さセ易いＰＶＤやＣＶＤ等の気相析出法が多
用されている。
結晶を配向さセ易いＰＶＤやＣＶＤ等の気相析出法が多
用されている。
しかしながら上記の気相析出法により結晶配向を行うに
は基体を６００ ’Ｃ程度以上の高温に保持しながら気
相析出させる必要があり、このため製造中に基体と超電
導体との間に拡散反応が生じて超電導体の特性が劣化し
、又基体が高温に加熱されている為逆スパック現象が起
きてこの時の気化蒸発量が超電導体の成分ごとに異なる
ため組成制御が困難となり、更に成膜速度が基体を常温
にしたときの１／１０程度即ら０．１〜０，５岬／１１
にまで極端に低下する等種々の問題があった。
は基体を６００ ’Ｃ程度以上の高温に保持しながら気
相析出させる必要があり、このため製造中に基体と超電
導体との間に拡散反応が生じて超電導体の特性が劣化し
、又基体が高温に加熱されている為逆スパック現象が起
きてこの時の気化蒸発量が超電導体の成分ごとに異なる
ため組成制御が困難となり、更に成膜速度が基体を常温
にしたときの１／１０程度即ら０．１〜０，５岬／１１
にまで極端に低下する等種々の問題があった。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明はかかる
状況に鑑みなされたものでその目的とするところは、結
晶配向性が高く超電導特性に優れた酸化物超電導体膜を
迅速に製造する方法を提供することにある。
状況に鑑みなされたものでその目的とするところは、結
晶配向性が高く超電導特性に優れた酸化物超電導体膜を
迅速に製造する方法を提供することにある。
即ち本発明は、基体上に酸化物超電導体物質を所定の結
晶配向性をもたせて膜状に形成したのち、上記配向性膜
体上に上記と同じ酸化物超電導体物質を非配向性状に３
ｔｒｍ以下の厚さに形成し、次いで上記２層の膜体に酸
素含有雰囲気中で融点未満の温度で加熱処理を施す工程
を所望回繰り返し施ずことを特徴とするものである。
晶配向性をもたせて膜状に形成したのち、上記配向性膜
体上に上記と同じ酸化物超電導体物質を非配向性状に３
ｔｒｍ以下の厚さに形成し、次いで上記２層の膜体に酸
素含有雰囲気中で融点未満の温度で加熱処理を施す工程
を所望回繰り返し施ずことを特徴とするものである。
本発明は基体上に酸化物超電導体物質を第１図に示した
結晶構造の導電性の高いａｂ軸を含む結晶面が基体面に
平行になる所定の結晶配向性（以下ａｂ配向と称す）を
もたせて成膜し、次いでごの膜」二に酸化物超電導体物
質を非配向性状に高速成膜し、しかるのち−に記の成膜
体に０２含有雰囲気中で融点未満の温度で加熱処理を施
して、上層の非配向性膜体の結晶を、下層の配向性膜体
を種結晶としてａｂ配向に再配列させるとともに０□量
等の調整を行って超電導体となすものである。
結晶構造の導電性の高いａｂ軸を含む結晶面が基体面に
平行になる所定の結晶配向性（以下ａｂ配向と称す）を
もたせて成膜し、次いでごの膜」二に酸化物超電導体物
質を非配向性状に高速成膜し、しかるのち−に記の成膜
体に０２含有雰囲気中で融点未満の温度で加熱処理を施
して、上層の非配向性膜体の結晶を、下層の配向性膜体
を種結晶としてａｂ配向に再配列させるとともに０□量
等の調整を行って超電導体となすものである。
上記において非配向性膜を形成し、次いでこの膜体を加
熱処理する工程を所望回繰り返すことにより所望厚さの
超電導体膜を製造し得る。
熱処理する工程を所望回繰り返すことにより所望厚さの
超電導体膜を製造し得る。
本発明において非配向性膜体の０．！含有雰囲気中での
加熱処理温度は超電導体物質の融点未満にする必要があ
り融点を超えると異相析出等の有害な反応が起る場合が
あり好ましくない。又上記加熱処理において０２は結晶
化に不可欠の成分であり、通常平衡０２分圧以−にの０
２含有雰囲気中で加熱処理がなされる。
加熱処理温度は超電導体物質の融点未満にする必要があ
り融点を超えると異相析出等の有害な反応が起る場合が
あり好ましくない。又上記加熱処理において０２は結晶
化に不可欠の成分であり、通常平衡０２分圧以−にの０
２含有雰囲気中で加熱処理がなされる。
本発明方法において結晶配向性膜ば、成膜速度が遅いの
で厚さを０．１〜１−程度に薄く形成しておくのが好ま
しく、又上記配向性膜上に形成する非配向性膜体ば厚ず
ぎると、後の加熱処理工程においてａ ｂ配向が十分に
なされなくなるので３−以下の厚さにする必要があり、
特に１〜２ｐ程度の厚さが好ましい。
で厚さを０．１〜１−程度に薄く形成しておくのが好ま
しく、又上記配向性膜上に形成する非配向性膜体ば厚ず
ぎると、後の加熱処理工程においてａ ｂ配向が十分に
なされなくなるので３−以下の厚さにする必要があり、
特に１〜２ｐ程度の厚さが好ましい。
本発明において酸化物超電導体物質とは、酸素含有雰囲
気中で所定の加熱処理を施すこよにより超電導体となし
得る物質であり、上記加熱処理により超電導体に反応す
るか又は気化し散逸する超電導体構成元素以外の元素や
化合物を含有する酸化物超電導体前駆物質も含まれる。
気中で所定の加熱処理を施すこよにより超電導体となし
得る物質であり、上記加熱処理により超電導体に反応す
るか又は気化し散逸する超電導体構成元素以外の元素や
化合物を含有する酸化物超電導体前駆物質も含まれる。
本発明において配向性膜上に形成される非配向性膜とは
、低配向性膜又は無定形状膜又は両者の混在する膜のこ
とで、上記のうち低配向性膜とは上記の配向性膜より配
向性がやや劣る程度の結晶構造のものから、結晶粒の各
々がランダムに配向したものまでを広く含むものであり
、又無定形状膜とは組成的に酸素以外は超電導体と同一
成分からなり、Ｘ線回折において明瞭な結晶解析パター
ンを示さない結晶構造のもので、直径が数１００Å以下
の微細結晶粒や完全なガラス状態のものにより構成され
たものである。
、低配向性膜又は無定形状膜又は両者の混在する膜のこ
とで、上記のうち低配向性膜とは上記の配向性膜より配
向性がやや劣る程度の結晶構造のものから、結晶粒の各
々がランダムに配向したものまでを広く含むものであり
、又無定形状膜とは組成的に酸素以外は超電導体と同一
成分からなり、Ｘ線回折において明瞭な結晶解析パター
ンを示さない結晶構造のもので、直径が数１００Å以下
の微細結晶粒や完全なガラス状態のものにより構成され
たものである。
本発明において酸化物超電導体を膜状に形成する方法と
しては、マグネトロンスパッタリング法、蒸着法、ＭＢ
Ｅ法等のＰＶＤ法やスピンコ−１・法、スプレーコート
法、更にはスクリーン印刷法等の厚膜法も適用すること
ができる。
しては、マグネトロンスパッタリング法、蒸着法、ＭＢ
Ｅ法等のＰＶＤ法やスピンコ−１・法、スプレーコート
法、更にはスクリーン印刷法等の厚膜法も適用すること
ができる。
本発明において基体には目的、用途に応じて任意の材質
のものが用いられるが、超電導体に所定の結晶配向性を
もたせ得る結晶格子条件を具備していることが不可欠で
あり、又超電導体物質との反応性や熱膨張のマツチング
性等を考慮して選定する必要がある。
のものが用いられるが、超電導体に所定の結晶配向性を
もたせ得る結晶格子条件を具備していることが不可欠で
あり、又超電導体物質との反応性や熱膨張のマツチング
性等を考慮して選定する必要がある。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
ｓｕｓａｉｏｓのテープ上にＲＦマグネトロンスパッタ
装置により耐酸化バッファ層としてＳｒＯの（１００）
配向膜を０．５Ｉｒｍ厚さにコートしたテープを基体と
して用い、この基体上に上記装置を用いて基体を７００
°Ｃに加熱しながらＤｙＢａ２Ｃｕｉ、ｓＯ７の酸化物
をターゲットとして５０ｍＴｏｒｒ （Ａ ｒ ＋０２
）の低真空下で出力１５０Ｗで１時間スパッタリングを
行いＤｙＢａ２ｃｔｌ＊ｏ７の膜を０．５戸厚さに形成
した。上記のＤｙＢａ２Ｃｕ３０７膜はＸ線解析により
完全なａｂ配向であること、又ＩＣＰ分析によりＤｙ：
Ｂａ：Ｃｕが原子比で１：２．０１！、０５であること
を確認した。
装置により耐酸化バッファ層としてＳｒＯの（１００）
配向膜を０．５Ｉｒｍ厚さにコートしたテープを基体と
して用い、この基体上に上記装置を用いて基体を７００
°Ｃに加熱しながらＤｙＢａ２Ｃｕｉ、ｓＯ７の酸化物
をターゲットとして５０ｍＴｏｒｒ （Ａ ｒ ＋０２
）の低真空下で出力１５０Ｗで１時間スパッタリングを
行いＤｙＢａ２ｃｔｌ＊ｏ７の膜を０．５戸厚さに形成
した。上記のＤｙＢａ２Ｃｕ３０７膜はＸ線解析により
完全なａｂ配向であること、又ＩＣＰ分析によりＤｙ：
Ｂａ：Ｃｕが原子比で１：２．０１！、０５であること
を確認した。
次いで上記のＤ ｙ Ｂ ａ ２Ｃｕ３０ｔの配向性膜
上に基体を加゛熱せずに［）ｙＢａ２ｃｕ＋ｏｔの酸化
物をターゲットとして出力３００Ｗで１時間スパッタリ
ングを行いＤ ｙ Ｂ ａ ２Ｃｕ ３０．の膜を２．
５−厚さに形成した。上記の膜はＸ線解析とＩＣＰ分析
により、無定形状体であり又Ｄｙ：Ｂａ：Ｃｕが原子比
で１ ： １．９８ ：３．ｏ １であることを確認し
た。
上に基体を加゛熱せずに［）ｙＢａ２ｃｕ＋ｏｔの酸化
物をターゲットとして出力３００Ｗで１時間スパッタリ
ングを行いＤ ｙ Ｂ ａ ２Ｃｕ ３０．の膜を２．
５−厚さに形成した。上記の膜はＸ線解析とＩＣＰ分析
により、無定形状体であり又Ｄｙ：Ｂａ：Ｃｕが原子比
で１ ： １．９８ ：３．ｏ １であることを確認し
た。
しかるのち上記のＤ Ｖ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７の
膜を０□気流中で９００°Ｃ１時間加熱後２°（：／ｍ
ｉｎの速度で徐冷する加熱処理を施して超電導体膜を製
造した。
膜を０□気流中で９００°Ｃ１時間加熱後２°（：／ｍ
ｉｎの速度で徐冷する加熱処理を施して超電導体膜を製
造した。
実施例２
実施例１において無定形状膜の形成工程と加熱処理工程
を２回繰り返した他は実施例１と同じ方法により超電導
体膜を製造した。
を２回繰り返した他は実施例１と同じ方法により超電導
体膜を製造した。
実施例３
実施例１において無定形状膜の形成厚さを１．５μｍと
した他は実施例１と同じ方法により超電導体膜を製造し
た。
した他は実施例１と同じ方法により超電導体膜を製造し
た。
比較例１
実施例１において無定形状膜の形成工程以降の工程を省
略した。
略した。
比較例２
実施例１において加熱処理の工程を省略した。
比較例３
実施例１において配向性膜の形成を出力１５０Ｗで３時
間スパッタリングして行い、また無定形状膜の形成を省
略した他は実施例１と同じ方法により超電導体膜を製造
した。
間スパッタリングして行い、また無定形状膜の形成を省
略した他は実施例１と同じ方法により超電導体膜を製造
した。
比較例４
比較例３において配向性膜の形成を出力３００Ｗで３時
間スパッタリングして行った他は比較例３と同じ方法に
より超電導体膜を製造した。
間スパッタリングして行った他は比較例３と同じ方法に
より超電導体膜を製造した。
比較例５
実施例１において無定形状膜の形成を３００Ｗで１．４
Ｈスパツタリングして膜厚を３．５−とした他は実施例
１と同じ方法により超電導体膜を製造した。
Ｈスパツタリングして膜厚を３．５−とした他は実施例
１と同じ方法により超電導体膜を製造した。
比較例６
実施例１において無定形状膜の形成を３００Ｗで２．２
Ｈスパツタリングして膜厚を５．５−とした他は実施例
１と同じ方法により超電導体膜を製造した。
Ｈスパツタリングして膜厚を５．５−とした他は実施例
１と同じ方法により超電導体膜を製造した。
斯くの如くして得た各々の超電導体膜についてＴｃ及び
Ｊ、を測定した。結果は主な製造条件及び成膜速度を併
記して第１表に示した。
Ｊ、を測定した。結果は主な製造条件及び成膜速度を併
記して第１表に示した。
第１表より明らかなように本発明方法品（実施例１〜３
）はいずれも成膜が迅速になされ且つＴＣ％ＪＣ等の超
電導特性も高い値のものが得られている。これに対し加
熱処理を省略したもの（比較例１．２）はＴＣが極めて
低い値となり、又スパッタ法により配向性膜を直接形成
したもの（比較例３，４）は成膜速度が遅く本発明方法
品（実施例２）に較べそれぞれ１／４又は２／５程度の
速度であり、又スパック中高温の基体と反応し、Ｊ。も
低い値となった。又配向性膜を一度に厚く形成したもの
（比較例５，６）は後の加熱処理工程において結晶配向
が十分になされずに、Ｊｃが低い値となった。
）はいずれも成膜が迅速になされ且つＴＣ％ＪＣ等の超
電導特性も高い値のものが得られている。これに対し加
熱処理を省略したもの（比較例１．２）はＴＣが極めて
低い値となり、又スパッタ法により配向性膜を直接形成
したもの（比較例３，４）は成膜速度が遅く本発明方法
品（実施例２）に較べそれぞれ１／４又は２／５程度の
速度であり、又スパック中高温の基体と反応し、Ｊ。も
低い値となった。又配向性膜を一度に厚く形成したもの
（比較例５，６）は後の加熱処理工程において結晶配向
が十分になされずに、Ｊｃが低い値となった。
牛
実施例中
実施例１で用いたと同し基体」二に、基体を５００′Ｃ
に加熱しながらＹ、Ｂａ、Ｃｕの各々の硝酸塩をＹ＋Ｂ
ａ：Ｃｕが原子比で１１：３になるように水に溶解した
５％水溶液を０２気流にのせて１．５分間噴霧し厚さ約
２戸のＹＢａｚＣｕ３０．の膜を形成したのち、この膜
を大気中で８５０°Ｃ１１］加熱後３°Ｃ／ｍｉｎの速
度で徐冷する加熱処理を施して超電導体膜を製造した。
に加熱しながらＹ、Ｂａ、Ｃｕの各々の硝酸塩をＹ＋Ｂ
ａ：Ｃｕが原子比で１１：３になるように水に溶解した
５％水溶液を０２気流にのせて１．５分間噴霧し厚さ約
２戸のＹＢａｚＣｕ３０．の膜を形成したのち、この膜
を大気中で８５０°Ｃ１１］加熱後３°Ｃ／ｍｉｎの速
度で徐冷する加熱処理を施して超電導体膜を製造した。
ケ
実施例中
水溶液噴霧工程と加熱処理工程を３回繰り返しヰ
た他は実施例→と回し方法により厚さ６μｍの超電導体
膜を製造した。
膜を製造した。
比較例７
水溶液を４．５分間噴霧して膜厚を６戸とした他は実施
例３と同じ方法により超電導体膜を製造した。
例３と同じ方法により超電導体膜を製造した。
斯くの如くして得た各々の超電導体膜についてＴゎ及び
Ｊｃを測定した。結果は主な製造条件を併記して第２表
に示した。
Ｊｃを測定した。結果は主な製造条件を併記して第２表
に示した。
第２表より明らかなように本発明方法（実施例４．５）
はいずれも成膜速度が速く且つ１゛６、Ｊｃが高い値の
ものが得られている。
はいずれも成膜速度が速く且つ１゛６、Ｊｃが高い値の
ものが得られている。
これに対し比較方法（比較例７）は無定形状膜を一度に
厚く形成したため後の加熱処理工程において結晶配向が
十分になされずＪｃが低い値のものとなった。
厚く形成したため後の加熱処理工程において結晶配向が
十分になされずＪｃが低い値のものとなった。
以上述べたように本発明方法によれば、結晶配向性が高
＜１゛。、Ｊｃ等の特性に優れた酸化物超電導体膜を迅
速に製造し得るので、工業上顕著な効果を奏する。
＜１゛。、Ｊｃ等の特性に優れた酸化物超電導体膜を迅
速に製造し得るので、工業上顕著な効果を奏する。
第１図は酸化物超電導体の結晶構造の一例を示すＹＢａ
ｚＣｕ３０７−δの結晶構造である。
ｚＣｕ３０７−δの結晶構造である。
Claims (1)
- 基体上に、酸化物超電導体物質を所定の結晶配向性を
もたせて膜状に形成したのち、上記配向性膜体上に上記
と同じ酸化物超電導体物質を非配向性状に３μｍ以下の
厚さに形成し、次いで上記２層の膜体に酸素含有雰囲気
中で融点未満の温度で加熱処理を施す工程を所望回繰り
返し施すことを特徴とする酸化物超電導体膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077080A JPH01249607A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 酸化物超電導体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077080A JPH01249607A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 酸化物超電導体膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01249607A true JPH01249607A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13623800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63077080A Pending JPH01249607A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 酸化物超電導体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01249607A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011155249A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63077080A patent/JPH01249607A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011155249A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US9054134B2 (en) | 2009-12-28 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9859401B2 (en) | 2009-12-28 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US10141425B2 (en) | 2009-12-28 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6226858B1 (en) | Method of manufacturing an oxide superconductor wire | |
| JP2000150974A (ja) | 高温超伝導ジョセフソン接合およびその製造方法 | |
| US5885939A (en) | Process for forming a-axis-on-c-axis double-layer oxide superconductor films | |
| JPH01249607A (ja) | 酸化物超電導体膜の製造方法 | |
| JPS63301424A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH02175613A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の作製方法 | |
| KR970009739B1 (ko) | 고온초전도박막의 제조방법 | |
| JPH0244786A (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| JPH06216417A (ja) | ＣｕＯ超電導体製造方法 | |
| JP2781331B2 (ja) | 薄膜超伝導体の製造方法 | |
| JP3038758B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JP2564598B2 (ja) | 酸化物超伝導体及びその製造方法 | |
| JPH01184266A (ja) | 酸化物超電導成形体の製造方法 | |
| JPH03275504A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜およびその製造方法 | |
| JPH08306977A (ja) | 薄膜超伝導体およびその製造方法 | |
| JPH0238310A (ja) | 酸化物高温超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH01252526A (ja) | 銅を含有する酸化物超電導体膜の製造方法 | |
| JP3188912B2 (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH0517147A (ja) | 鉛を含む複合酸化物薄膜の製造方法 | |
| JPH0388725A (ja) | 酸化物超電導体薄膜 | |
| JPH01282122A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPH01115009A (ja) | 酸化物超電導成形体及びその製造方法 | |
| JPH0244782A (ja) | 超伝導素子およびその製造方法 | |
| JPH02270966A (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 | |
| JPH02124705A (ja) | 酸化物超電導成形体の製造方法 |