JPH01247573A - 光化学的気相堆積装置 - Google Patents
光化学的気相堆積装置Info
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- JPH01247573A JPH01247573A JP7790888A JP7790888A JPH01247573A JP H01247573 A JPH01247573 A JP H01247573A JP 7790888 A JP7790888 A JP 7790888A JP 7790888 A JP7790888 A JP 7790888A JP H01247573 A JPH01247573 A JP H01247573A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光化学的気相堆積装置に係り、特に異なる種類
の反応ガスを用いる場合にも光入射窓の曇りを防止又は
遅延しながら光化学的気相反応によって均一°な薄膜を
効率的に作製するのに好適な光化学的気相堆積装置に関
する。
の反応ガスを用いる場合にも光入射窓の曇りを防止又は
遅延しながら光化学的気相反応によって均一°な薄膜を
効率的に作製するのに好適な光化学的気相堆積装置に関
する。
光化学反応は、反応性ガスにそのガスの吸収波長に応じ
た波長を有する光を照射することにより化学反応を促進
するものである。照射する光と反応ガスとの組合わせに
より反応を選択的に進行させることが可能である。さら
に光化学反応は熱化学反応のような高温が要求されない
のでプロセスの低温化に有効であり、プラズマ反応のよ
うな荷電粒子の影響がないため、堆積した膜やエツチン
グした下地の膜の損傷がないことから、アモルファスシ
リコン膜の形成に有効であると考えられている。
た波長を有する光を照射することにより化学反応を促進
するものである。照射する光と反応ガスとの組合わせに
より反応を選択的に進行させることが可能である。さら
に光化学反応は熱化学反応のような高温が要求されない
のでプロセスの低温化に有効であり、プラズマ反応のよ
うな荷電粒子の影響がないため、堆積した膜やエツチン
グした下地の膜の損傷がないことから、アモルファスシ
リコン膜の形成に有効であると考えられている。
しかしながら、光化学反応を用いた薄膜製造装置では、
反応容器内に反応ガスを供給し、基板上に薄膜を堆積さ
せるものであるため、光を透過させる光入射窓に反応生
成物が付着して反応容器内の光の強度が低下する問題が
ある。
反応容器内に反応ガスを供給し、基板上に薄膜を堆積さ
せるものであるため、光を透過させる光入射窓に反応生
成物が付着して反応容器内の光の強度が低下する問題が
ある。
光入射窓の表面に反応生成物が付着することを防止する
光化学的気相堆積装置として特開昭60−744271
号公報に記載のものが知られている。
光化学的気相堆積装置として特開昭60−744271
号公報に記載のものが知られている。
この光化学的気相堆積装置を示す第10図において、7
1は光化学反応を起こさないガス、72はキャリアガス
、73は原料ガス(反応ガス)、74.75はガスを層
流化する室、76は仕切り板、77はガスの流れを滑ら
かにする薄い板、78は低圧水銀灯、79は光入射窓、
80は反射板、8Iは基板、82はサセプタ、83は赤
外線ランプ、84はガスの排気口、85は基板を取り出
す蓋、86はガス拡散用の遮蔽板である。
1は光化学反応を起こさないガス、72はキャリアガス
、73は原料ガス(反応ガス)、74.75はガスを層
流化する室、76は仕切り板、77はガスの流れを滑ら
かにする薄い板、78は低圧水銀灯、79は光入射窓、
80は反射板、8Iは基板、82はサセプタ、83は赤
外線ランプ、84はガスの排気口、85は基板を取り出
す蓋、86はガス拡散用の遮蔽板である。
即ち、上記した光化学的気相堆積装置では、光入射窓7
9付近に光化学反応を起こさないガス(例えば不活性ガ
ス)71を層流にしてパージするようになっている。そ
して、反応ガス73を供給後、基板81にガスが到達す
るまでにガスの流れを滑らかにするための薄い板77を
配設し、反応ガス73と平行して光化学反応をおこさな
いガス71にも同様な仮77を配設している。
9付近に光化学反応を起こさないガス(例えば不活性ガ
ス)71を層流にしてパージするようになっている。そ
して、反応ガス73を供給後、基板81にガスが到達す
るまでにガスの流れを滑らかにするための薄い板77を
配設し、反応ガス73と平行して光化学反応をおこさな
いガス71にも同様な仮77を配設している。
上記し趙従来の光化学的気相堆積装置では、反応ガス7
3は不活性ガス71を反応容器内に層流で流すことによ
り反応ガス73を光入射窓79に到達させないこと狙っ
ている。しかし、本発明者らの種々の実験の結果、反応
ガス73が反応容器外に排気されるまでに反応ガス73
が光入射窓79に到達して光入射窓79に曇が生じると
いう問題がある。また、流れを滑らかにする薄い板77
によりガス流の整流を行う場合、板77の長さを少なく
とも1m以上にする必要があり、装置が大型化するとい
う問題がある。
3は不活性ガス71を反応容器内に層流で流すことによ
り反応ガス73を光入射窓79に到達させないこと狙っ
ている。しかし、本発明者らの種々の実験の結果、反応
ガス73が反応容器外に排気されるまでに反応ガス73
が光入射窓79に到達して光入射窓79に曇が生じると
いう問題がある。また、流れを滑らかにする薄い板77
によりガス流の整流を行う場合、板77の長さを少なく
とも1m以上にする必要があり、装置が大型化するとい
う問題がある。
そこで本発明者らは、反応ガスが光入射窓に付着するこ
とを防止し、光源からの光の強度を常時高く保つと共に
装置をコンパクトにできる光化学的気相堆積装置として
、未公知であるが、反応に関係しない、例えば不活性ガ
スを光入射窓側に導入し、反応ガスを基板側に導入させ
るためのガス吹き出し口を多孔質物質で形成した整流ガ
ス供給用ノズルを有する装置を出願した。
とを防止し、光源からの光の強度を常時高く保つと共に
装置をコンパクトにできる光化学的気相堆積装置として
、未公知であるが、反応に関係しない、例えば不活性ガ
スを光入射窓側に導入し、反応ガスを基板側に導入させ
るためのガス吹き出し口を多孔質物質で形成した整流ガ
ス供給用ノズルを有する装置を出願した。
この光化学的気相堆積装置では、反応ガスとして2種類
以上のガスを用い、かつ室温にて互いに反応し合うよう
な場合(例えば、S i Haと0゜)、反応ガスを混
合して整流ガス供給ノズルに供給すると、ガス供給配管
内および整流ガス供給用ノズルで反応ガスの一部が反応
し合い、その生成物がガス吹き出し口を構成する多孔質
物質中に付着し、目詰りを起こす事態が発生し、最悪の
場合、反応ガス(原料ガス)を基板上に供給することが
不可能となる。
以上のガスを用い、かつ室温にて互いに反応し合うよう
な場合(例えば、S i Haと0゜)、反応ガスを混
合して整流ガス供給ノズルに供給すると、ガス供給配管
内および整流ガス供給用ノズルで反応ガスの一部が反応
し合い、その生成物がガス吹き出し口を構成する多孔質
物質中に付着し、目詰りを起こす事態が発生し、最悪の
場合、反応ガス(原料ガス)を基板上に供給することが
不可能となる。
本発明の目的は、上記した従来技術の課題を解決し、反
応室に導入させる反応ガスを多孔質物質で形成されたガ
ス吹き出し口から吹き出させる場合に、互いに反応し合
うような2種以上の反応ガスの反応生成物による目詰ま
り等の事態を回避して安定な光化学反応による薄膜を基
板上に堆積させることができる光化学的気相堆積装置を
提供することにある。
応室に導入させる反応ガスを多孔質物質で形成されたガ
ス吹き出し口から吹き出させる場合に、互いに反応し合
うような2種以上の反応ガスの反応生成物による目詰ま
り等の事態を回避して安定な光化学反応による薄膜を基
板上に堆積させることができる光化学的気相堆積装置を
提供することにある。
上記した目的は、反応ガスを反応室の基板側に導入し、
反応に関係しないガスを反応室の光入射窓側側に導入さ
せるためのガス吹き出し口を多孔質物質で構成した整流
ガス供給用ノズルを設けい整流ガス供給用ノズル内の反
応ガス流路をそれぞれ2個以上の複数個に区画すること
によって達成される。
反応に関係しないガスを反応室の光入射窓側側に導入さ
せるためのガス吹き出し口を多孔質物質で構成した整流
ガス供給用ノズルを設けい整流ガス供給用ノズル内の反
応ガス流路をそれぞれ2個以上の複数個に区画すること
によって達成される。
互いに反応し合う2種以上の反応ガスは整流ガス供給用
ノズル内の反応ガス流路およびそのガス吹き出し口をそ
れぞれ別個に分割さた状態に供給される。
ノズル内の反応ガス流路およびそのガス吹き出し口をそ
れぞれ別個に分割さた状態に供給される。
したがって、互いの反応ガスによる反応生成物が生じな
いので、反応生成物による多孔質物質からなるガス吹き
出し口の目詰り等が回避され、装置の運転を停止するよ
うな事態は発生しない。
いので、反応生成物による多孔質物質からなるガス吹き
出し口の目詰り等が回避され、装置の運転を停止するよ
うな事態は発生しない。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の光化学的気相堆積装置の−実施例を示
す概略的断面梼成図、第2(A)は第1図における整流
ガス供給用ノズルの正面図、第2図(B)は第2図(A
)の側面図である。第1図において、断面矩形状の内部
空間を有する反応容器内を構成する反応室lの上部に光
入射窓2が設置されている。この光入射窓2は反応室1
の壁面の一部を構成し、また、光入射窓2の上方には光
源3(例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、重水
素ランプ等)が配設されている。さらに薄膜を形成させ
るための基板4が設置可能なサセプタ5が配設され、サ
セプタ5の底面側の反応容器外にヒータ6が取り付けら
れている。反応容器の側壁には光化学反応に関係しない
ガス(例えば、N2ガス、Arガス、Heガス等)Aを
整流ガス供給用ノズル7aに導入する配管12が配設さ
れている。
す概略的断面梼成図、第2(A)は第1図における整流
ガス供給用ノズルの正面図、第2図(B)は第2図(A
)の側面図である。第1図において、断面矩形状の内部
空間を有する反応容器内を構成する反応室lの上部に光
入射窓2が設置されている。この光入射窓2は反応室1
の壁面の一部を構成し、また、光入射窓2の上方には光
源3(例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、重水
素ランプ等)が配設されている。さらに薄膜を形成させ
るための基板4が設置可能なサセプタ5が配設され、サ
セプタ5の底面側の反応容器外にヒータ6が取り付けら
れている。反応容器の側壁には光化学反応に関係しない
ガス(例えば、N2ガス、Arガス、Heガス等)Aを
整流ガス供給用ノズル7aに導入する配管12が配設さ
れている。
また、光化学反応に関係する反応ガス(原料ガス)B、
C(例えば、S i Oを膜を堆積させる場合、SiH
4と0りを整流ガス供給用ノズル7bに導入する配管1
3.14.15.16が配設されている。
C(例えば、S i Oを膜を堆積させる場合、SiH
4と0りを整流ガス供給用ノズル7bに導入する配管1
3.14.15.16が配設されている。
整流ガス供給用ノズル7aは、ノズル本体の側壁にガス
供給管が配設され、このガス供給管の配設面と対向する
側面が多孔質物質21で形成されている。整流ガス供給
用ノズル7bは、仕切り仮22aによって4つのガス流
路に区画され、整流ガス供給用ノズル7bの上段から下
段のガス流路にはそれぞれSiH,、O□、SiH4,
0□の反応ガスが交互に供給されるようになっている。
供給管が配設され、このガス供給管の配設面と対向する
側面が多孔質物質21で形成されている。整流ガス供給
用ノズル7bは、仕切り仮22aによって4つのガス流
路に区画され、整流ガス供給用ノズル7bの上段から下
段のガス流路にはそれぞれSiH,、O□、SiH4,
0□の反応ガスが交互に供給されるようになっている。
多孔質物質は、多数の微細連通孔を有し、例えば、平均
粒径が0.1μm〜1mmのステンレス等の金属または
セラミックスの焼結体あるいはテフロン等で形成された
多孔体からなるものが望ましい。平均粒径が0.1μm
よりも小さいと、孔に目詰まりが生じやすく、平均粒径
が1mmよりも大きいと、所定のガスを整流化するとい
う本発明の効果を達成することが困難となる。なお、よ
り望ましくは平均粒径は0.2μmm〜500μm程度
が有効である。
粒径が0.1μm〜1mmのステンレス等の金属または
セラミックスの焼結体あるいはテフロン等で形成された
多孔体からなるものが望ましい。平均粒径が0.1μm
よりも小さいと、孔に目詰まりが生じやすく、平均粒径
が1mmよりも大きいと、所定のガスを整流化するとい
う本発明の効果を達成することが困難となる。なお、よ
り望ましくは平均粒径は0.2μmm〜500μm程度
が有効である。
整流ガス供給用ノズル7aと7bとを区画する区画板か
ら反応室内に延設された整流板8が設けられると共に未
反応ガスを排気する排気口9が設けられ、この排気口9
は図示していない排気装置に接続されている。
ら反応室内に延設された整流板8が設けられると共に未
反応ガスを排気する排気口9が設けられ、この排気口9
は図示していない排気装置に接続されている。
次に上記のように構成される光化学的気相堆積装置の作
用について説明する。
用について説明する。
基板4をサセプタ5上にセットし、図示していない排気
装置を作動させ、排気口9を介して反応室1内を排気す
る。
装置を作動させ、排気口9を介して反応室1内を排気す
る。
次にヒータ6に通電して基板4を所定の温度まで加熱し
、光源3を点灯する。その後、光化学反応に関係しない
ガスA(例えばN2ガス)を配管12、整流ガス供給用
ノズル7aを経て反応室1内に導入する。また光化学反
応に関係するガスB(例えば、5iH4)を配管13.
15および整流ガス供給用ノズル7b内の最上段(4段
目)のガス流路と2段目のガス流路を経て反応室1内に
導入する。さらに光化学反応に関係するC(例えば0□
)を配管14、配管16および整流ガス供給用ノズル7
b内の3段目のガス流路と1段目のガス流路を経て反応
室1内に導入する。
、光源3を点灯する。その後、光化学反応に関係しない
ガスA(例えばN2ガス)を配管12、整流ガス供給用
ノズル7aを経て反応室1内に導入する。また光化学反
応に関係するガスB(例えば、5iH4)を配管13.
15および整流ガス供給用ノズル7b内の最上段(4段
目)のガス流路と2段目のガス流路を経て反応室1内に
導入する。さらに光化学反応に関係するC(例えば0□
)を配管14、配管16および整流ガス供給用ノズル7
b内の3段目のガス流路と1段目のガス流路を経て反応
室1内に導入する。
このような操作により、互いに反応し合うガスBとガス
Cは多孔質物質24で形成されたガス吹出し口から吹き
出されるまでは混合されることなく、反応室1内に導入
される。したがって、ガスBとガスCとの反応による生
成物が配管中および多孔質物質21で目詰まりを起こす
ことがない。
Cは多孔質物質24で形成されたガス吹出し口から吹き
出されるまでは混合されることなく、反応室1内に導入
される。したがって、ガスBとガスCとの反応による生
成物が配管中および多孔質物質21で目詰まりを起こす
ことがない。
上記したそれぞれのガスは、整流ガス供給用ノズルを構
成する多孔質物質21の多数の連通孔を介して反応室1
内に吹き出される。この場合、−般にノズルからのガス
や流体の流量は、ノズル前後での圧力差の2分の1乗に
比例する。したがって、多孔質物質21の前後の圧損が
大きい。
成する多孔質物質21の多数の連通孔を介して反応室1
内に吹き出される。この場合、−般にノズルからのガス
や流体の流量は、ノズル前後での圧力差の2分の1乗に
比例する。したがって、多孔質物質21の前後の圧損が
大きい。
このため、整流ガス供給用ノズル本体内のガス圧力はほ
ぼ一定値となり、多孔質物質21で形成された吹き出し
口から吹き出すガスの流速は、多孔質物質21面で一様
となり、整流ガス供給用ノズル本体の長手方向での偏流
は起こらない。さらt1″:多孔質物質21表面には多
数の孔を存するのでそれらの孔から吹き出すガスの流速
は、掻めて小さい、しかも答礼が極めて近接しているの
で各孔間に存在するデッドスペースが相対的に小さくな
り、ノズルより吹き出すガスの乱れや偏りがなく、整流
されたものとなる。
ぼ一定値となり、多孔質物質21で形成された吹き出し
口から吹き出すガスの流速は、多孔質物質21面で一様
となり、整流ガス供給用ノズル本体の長手方向での偏流
は起こらない。さらt1″:多孔質物質21表面には多
数の孔を存するのでそれらの孔から吹き出すガスの流速
は、掻めて小さい、しかも答礼が極めて近接しているの
で各孔間に存在するデッドスペースが相対的に小さくな
り、ノズルより吹き出すガスの乱れや偏りがなく、整流
されたものとなる。
さらに整流板8によって光化学反応に関係しないガスA
は1反応室l内の上層流側(光入射窓2側)、光化学反
応に関係するガスB、Cは反応室l内の下層流側(基板
4側)にそれぞれ層状となって流動する。光化学反応に
より生成した反応生成物は、基板4上に薄膜となって堆
積する。このとき、反応生成物は反応室1内の上部側を
層状となって流動するガスへの流れにより光入射窓2に
到達しない。この結果、反応生成物の付着による光入射
窓2の曇りを防止又は遅延させることができ、光の強度
を常時、一定に保つことができる。
は1反応室l内の上層流側(光入射窓2側)、光化学反
応に関係するガスB、Cは反応室l内の下層流側(基板
4側)にそれぞれ層状となって流動する。光化学反応に
より生成した反応生成物は、基板4上に薄膜となって堆
積する。このとき、反応生成物は反応室1内の上部側を
層状となって流動するガスへの流れにより光入射窓2に
到達しない。この結果、反応生成物の付着による光入射
窓2の曇りを防止又は遅延させることができ、光の強度
を常時、一定に保つことができる。
ガスBおよびCは、交互に区画されて反応室l内に供給
されるため、0.1〜数torrの反応圧力では、局部
的に混合されて堆積反応が生じ、基板4上に薄膜が堆積
される。堆積が完了すると、サセプタ5上の基板4は反
応室1外に取り出される。
されるため、0.1〜数torrの反応圧力では、局部
的に混合されて堆積反応が生じ、基板4上に薄膜が堆積
される。堆積が完了すると、サセプタ5上の基板4は反
応室1外に取り出される。
以降、上記した操作が繰り換えされることになる。
第3図〜第5図は本発明の光化学的気相堆積装置におけ
る整流ガス供給用ノズルの他の実施例をそれぞれ示し、
反応室1の断面形状が正方形状のときに設置される。
る整流ガス供給用ノズルの他の実施例をそれぞれ示し、
反応室1の断面形状が正方形状のときに設置される。
第3図(A)は整流ガス供給用ノズルの正面1第3図(
B)は第3図(A)の底面図であり、この整流ガス供給
用ノズルは光化学反応に関係しないガスの流路と反応ガ
ス流路が等分に区画され、反応ガス流路は垂直な仕切り
板22bによって水平方向に流路断面長方形状の4つの
反応ガス流路が形成されている。
B)は第3図(A)の底面図であり、この整流ガス供給
用ノズルは光化学反応に関係しないガスの流路と反応ガ
ス流路が等分に区画され、反応ガス流路は垂直な仕切り
板22bによって水平方向に流路断面長方形状の4つの
反応ガス流路が形成されている。
第4図(A)は整流ガス供給用ノズルの正面は第4図(
B)は第4図(A)の底面図であり、この整流ガス供給
用ノズルの反応ガス流路は斜め方向の仕切り板22cに
よって流路断面が平行四辺形状を主として6つのガス流
路が形成されている。
B)は第4図(A)の底面図であり、この整流ガス供給
用ノズルの反応ガス流路は斜め方向の仕切り板22cに
よって流路断面が平行四辺形状を主として6つのガス流
路が形成されている。
第5図(A)は整流ガス供給用ノズルの正面A第5図(
B)は第5図(A)の側面図、第5図(C)は第5図(
A)の底面図であり、この整流ガス供給用ノズルは反応
ガス流路が水平方向の仕切り板22dと垂直方向の仕切
り板22eによって流路断面が長方形状のガス流路が4
つ形成されている。
B)は第5図(A)の側面図、第5図(C)は第5図(
A)の底面図であり、この整流ガス供給用ノズルは反応
ガス流路が水平方向の仕切り板22dと垂直方向の仕切
り板22eによって流路断面が長方形状のガス流路が4
つ形成されている。
第6図〜第9図は本発明の光化学的気相堆積装置におけ
る整流ガス供給用ノズルの更に他の実施例を示し、反応
室1の断面形状が円形状のときに設置される。
る整流ガス供給用ノズルの更に他の実施例を示し、反応
室1の断面形状が円形状のときに設置される。
第6図(A)は整流ガス供給用ノズルの正面図、第5図
(B)は第6図(A)の側面図であり、この整流ガス供
給用ノズルは反応ガス流路が水平方向の仕切り仮22f
によって4つのガス流路が形成されている。
(B)は第6図(A)の側面図であり、この整流ガス供
給用ノズルは反応ガス流路が水平方向の仕切り仮22f
によって4つのガス流路が形成されている。
第7図(a)は整流ガス供給用ノズルの正面は第7図(
B)は第7図(A)の底面図、第8図(A)は整流ガス
供給用ノズルの正面図、第8図(B)は第8図(A)の
側面図、第8図(C)は第8図(A)の底面図、第9図
(A)は整流ガス供給用ノズルの正面図、第9図(B)
は第9図(A)の底面図をそれぞれ示し、各反応ガス流
路は仕切り板22g、22h、、22+によって複数個
のガス流路に区画されている。
B)は第7図(A)の底面図、第8図(A)は整流ガス
供給用ノズルの正面図、第8図(B)は第8図(A)の
側面図、第8図(C)は第8図(A)の底面図、第9図
(A)は整流ガス供給用ノズルの正面図、第9図(B)
は第9図(A)の底面図をそれぞれ示し、各反応ガス流
路は仕切り板22g、22h、、22+によって複数個
のガス流路に区画されている。
第3図〜第9図に示す整流ガス供給用ノズルの場合にも
、第1図および第2図に示す場合と同様に各ガス流路は
外部の配管とそれぞれ別個に接続されている。
、第1図および第2図に示す場合と同様に各ガス流路は
外部の配管とそれぞれ別個に接続されている。
したがって、第3図〜第9図に示す整流ガス供給用ノズ
ルの場合にも第1図および第2図に示す場合と同様の効
果を発揮することができる。
ルの場合にも第1図および第2図に示す場合と同様の効
果を発揮することができる。
要は本発明において、光化学反応に関係しないガスは光
入射窓側に導入でき、反応ガスは基板側に導入できるよ
うに光化学反応に関係しないガス流路と反応ガス流路と
を区画するとともに反応ガス流路は反応に必要なガスの
種類以上に複数個に区画されていればよい。
入射窓側に導入でき、反応ガスは基板側に導入できるよ
うに光化学反応に関係しないガス流路と反応ガス流路と
を区画するとともに反応ガス流路は反応に必要なガスの
種類以上に複数個に区画されていればよい。
また、上記した実施例では、各仕切り板はガス吹き出し
口を構成する多孔質物質自体をも区画するように配置さ
れているが、多孔質物質自体は1枚の板状に形成し、ノ
ズル内部に所定の仕切り板を配置するようにしてもよい
。
口を構成する多孔質物質自体をも区画するように配置さ
れているが、多孔質物質自体は1枚の板状に形成し、ノ
ズル内部に所定の仕切り板を配置するようにしてもよい
。
さらに上記した実施例では、光源として紫外線を発生す
るランプを図示したが、エキシマレーザ、SOR(シリ
クロトロン軌道放射光)を光源としても同じ効果を得る
ことができる。
るランプを図示したが、エキシマレーザ、SOR(シリ
クロトロン軌道放射光)を光源としても同じ効果を得る
ことができる。
また、反応ガス(原料ガス)をS i Haと0□とし
、5iOzを薄膜として堆積させる例を示したが、S
i HaとN H3によるSi窒化物の堆積、SiH4
とGeHaによるアモルファスシリコン、ゲルマニウム
等の2種類以上の反応ガスを用いて堆積反応を生じさせ
る場合にも本発明を適用することができる。さらに熱C
VD装置、プラズマCVD装置の各種光学窓への反応生
成物の付着又は堆積を防止するのに有効である。
、5iOzを薄膜として堆積させる例を示したが、S
i HaとN H3によるSi窒化物の堆積、SiH4
とGeHaによるアモルファスシリコン、ゲルマニウム
等の2種類以上の反応ガスを用いて堆積反応を生じさせ
る場合にも本発明を適用することができる。さらに熱C
VD装置、プラズマCVD装置の各種光学窓への反応生
成物の付着又は堆積を防止するのに有効である。
(発明の効果)
以上のように本発明によれば、光化学反応に関係しない
ガスを光入射窓側の反応室内に層状に導入でき、反応ガ
スを基板側の反応室内に層状に導入できるため、光入射
窓への反応生成物の付着等が防止でき、かつ反応し合う
おそれのある反応ガスはそれぞれ別個に区画されたガス
流路を流動するのでガス吹き出し口を構成する多孔質物
質の目詰まりを防止できる。このため、信頼性のある高
スルーブツトな光化学的気相堆積装置を提供することが
できる。
ガスを光入射窓側の反応室内に層状に導入でき、反応ガ
スを基板側の反応室内に層状に導入できるため、光入射
窓への反応生成物の付着等が防止でき、かつ反応し合う
おそれのある反応ガスはそれぞれ別個に区画されたガス
流路を流動するのでガス吹き出し口を構成する多孔質物
質の目詰まりを防止できる。このため、信頼性のある高
スルーブツトな光化学的気相堆積装置を提供することが
できる。
第1図は本発明の光化学的気相堆積装置の一実施例を示
す概略的新構成図、第2図は第1図の装置における整流
ガス供給用ノズルの正面図および側面図、第3図〜第9
図はそれぞれ整流ガス供給用ノズルの他の実施例を示し
、第3図および第4図は整流ガス供給用ノズルの正面図
および底面1第5図は整流ガス供給用ノズルの正面図、
側面図および底面図、第6図は整流ガス供給用ノズルの
正面図および側面図、第7図は整流ガス供給用ノズルの
正面図および底面図、第8図は整流ガス供給用ノズルの
正面図、側面図および底面図、第9図は整流ガス供給用
ノズルの正面図および底面図、第10図は従来の光化学
的気相堆積装置の例を示す概略的構成図である。 ■・・・・・・反応室、2・・・・・・光入射窓、3・
・・・・・光源、4・・・・・・基板、5・・・・・・
サセプタ、6・・・・・・ヒータ、7a、7b・・・・
・・整流ガス供給用ノズル、8・・・・・・整流板、9
・・・・・・排気口、12.13.14.15.16・
・・・・・配管、21・・・・・・多孔質物質、22a
、22b、22c、22d、22e、22f、22g、
22h、22i・・・・・・仕切り板、A・・・・・・
反応に関係しないガス、B、C・・・・・・反応に関係
するガス。 代理人 弁理士 西 元 勝 − 第4図 第5図 第6図 第7図 (B) 21 〆 0コ()Ql:l()
す概略的新構成図、第2図は第1図の装置における整流
ガス供給用ノズルの正面図および側面図、第3図〜第9
図はそれぞれ整流ガス供給用ノズルの他の実施例を示し
、第3図および第4図は整流ガス供給用ノズルの正面図
および底面1第5図は整流ガス供給用ノズルの正面図、
側面図および底面図、第6図は整流ガス供給用ノズルの
正面図および側面図、第7図は整流ガス供給用ノズルの
正面図および底面図、第8図は整流ガス供給用ノズルの
正面図、側面図および底面図、第9図は整流ガス供給用
ノズルの正面図および底面図、第10図は従来の光化学
的気相堆積装置の例を示す概略的構成図である。 ■・・・・・・反応室、2・・・・・・光入射窓、3・
・・・・・光源、4・・・・・・基板、5・・・・・・
サセプタ、6・・・・・・ヒータ、7a、7b・・・・
・・整流ガス供給用ノズル、8・・・・・・整流板、9
・・・・・・排気口、12.13.14.15.16・
・・・・・配管、21・・・・・・多孔質物質、22a
、22b、22c、22d、22e、22f、22g、
22h、22i・・・・・・仕切り板、A・・・・・・
反応に関係しないガス、B、C・・・・・・反応に関係
するガス。 代理人 弁理士 西 元 勝 − 第4図 第5図 第6図 第7図 (B) 21 〆 0コ()Ql:l()
Claims (1)
- 1)反応ガスを反応容器内に導入し、光源から照射した
光により反応容器内で光化学反応を起こすことによって
基板上に薄膜を作製するものにおいて、反応ガスを前記
反応容器内の基板側に導入するガス供給管と、反応に関
係しないガスを前記光源からの光を透過する光入射窓側
に導入するガス供給管とのそれぞれのガス吹き出し口を
多数の微細な連通孔を有する多孔質物質によって形成さ
れた整流ガス供給用ノズルで構成すると共に整流ガス供
給用ノズル内の反応ガス流路をそれぞれ2個以上の複数
個に区画したことを特徴とする光化学的気相堆積装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7790888A JPH01247573A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 光化学的気相堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7790888A JPH01247573A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 光化学的気相堆積装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01247573A true JPH01247573A (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=13647172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7790888A Pending JPH01247573A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 光化学的気相堆積装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01247573A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0357933U (ja) * | 1989-10-11 | 1991-06-05 | ||
US5101764A (en) * | 1991-02-20 | 1992-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for integrating optical sensor into processor |
US5391252A (en) * | 1992-12-08 | 1995-02-21 | Hughes Aircraft Company | Plasma pressure control assembly |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP7790888A patent/JPH01247573A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0357933U (ja) * | 1989-10-11 | 1991-06-05 | ||
US5101764A (en) * | 1991-02-20 | 1992-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for integrating optical sensor into processor |
US5391252A (en) * | 1992-12-08 | 1995-02-21 | Hughes Aircraft Company | Plasma pressure control assembly |
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