JPH01242955A - 排ガスセンサの製造方法 - Google Patents
排ガスセンサの製造方法Info
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- JPH01242955A JPH01242955A JP7121188A JP7121188A JPH01242955A JP H01242955 A JPH01242955 A JP H01242955A JP 7121188 A JP7121188 A JP 7121188A JP 7121188 A JP7121188 A JP 7121188A JP H01242955 A JPH01242955 A JP H01242955A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 22
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 6
- 229910002929 BaSnO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000006693 Cassia laevigata Nutrition 0.000 description 1
- 229910002254 LaCoO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 MgAl2O4 Chemical class 0.000 description 1
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000735631 Senna pendula Species 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229940124513 senna glycoside Drugs 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
この発明は、溶射膜によりセンサ本体を耐熱絶縁性基板
に固定するようにした、排ガスセンサの製造方法に関す
る。この発明の排ガスセンサは、例えば自動車エンジン
の空燃比の制御に用いる。
に固定するようにした、排ガスセンサの製造方法に関す
る。この発明の排ガスセンサは、例えば自動車エンジン
の空燃比の制御に用いる。
［従来技術］
発明者らは、耐熱絶縁性基板にＢａ５ｎＯａやＴｉＯ２
等を用いたセンサ本体を配置し、センサ本体の一部と周
囲の基板とに溶射を施して、センサ本体を固定するよう
にした、排ガスセンサの製造方法を提案した（特願昭６
１−２３０，２９２号）。
等を用いたセンサ本体を配置し、センサ本体の一部と周
囲の基板とに溶射を施して、センサ本体を固定するよう
にした、排ガスセンサの製造方法を提案した（特願昭６
１−２３０，２９２号）。
センサ本体に部分的に溶射を施すには、適当なマスクを
用いる。発明者らはここで、金属製のマスクを用いた。
用いる。発明者らはここで、金属製のマスクを用いた。
しかし金属マスクを用いると、次の問題が生じた。
（１） 溶射時の熱により、マスクが変形する。
（２）マスクに溶射粒子が付着し、２〜３回使用する毎
に、溶射膜をマスクからはがさねばならなくなる。
に、溶射膜をマスクからはがさねばならなくなる。
（３）マスクに付着した溶射膜と、センサ本体や基板に
設けた溶射膜とが、つながってしまうことが有る。溶射
膜がつながってしまうと、マスクを外す際に、溶射膜が
破損する。
設けた溶射膜とが、つながってしまうことが有る。溶射
膜がつながってしまうと、マスクを外す際に、溶射膜が
破損する。
［発明の課題］
この発明の課題は、（１）マスクの熱変形の防止、（２
）マスクへの溶射粒子の付着の抑制、に有る。
）マスクへの溶射粒子の付着の抑制、に有る。
［発明の構成と作用］
この発明は、空燃比により抵抗値が変化する金属酸化物
半導体を用いたセンサ本体を耐熱絶縁性基板に配置し、
センサ本体に、マスクを用いてセンサ本体の表面の一部
を被覆しながら、溶射を施すようにした、排ガスセンサ
の製造方法において、前記マスクをセラミック製とした
ことを特徴とする。
半導体を用いたセンサ本体を耐熱絶縁性基板に配置し、
センサ本体に、マスクを用いてセンサ本体の表面の一部
を被覆しながら、溶射を施すようにした、排ガスセンサ
の製造方法において、前記マスクをセラミック製とした
ことを特徴とする。
ここで、空燃比により抵抗値が変化する金属酸化物半導
体としては、例えばＢａＳｎＯ３、Ｔ ｉ Ｏｔ、Ｓｒ
ＴｉＯ３、ＬａＣｏＯ３等が有る。またこれらを用いた
センサ本体としては、例えば金属酸化物半導体をプレス
成型し焼結したもの、あるいは金属酸化物半導体を印刷
等により膜状に成型した乙の等が有る。
体としては、例えばＢａＳｎＯ３、Ｔ ｉ Ｏｔ、Ｓｒ
ＴｉＯ３、ＬａＣｏＯ３等が有る。またこれらを用いた
センサ本体としては、例えば金属酸化物半導体をプレス
成型し焼結したもの、あるいは金属酸化物半導体を印刷
等により膜状に成型した乙の等が有る。
耐熱絶縁性基板としては、例えばアルミナ等の基板を用
いる。センサ本体を基板に配置するには、例えばプレス
成型後に焼結したセンサ本体を、基板のくぼみ部に収容
すれば良い。あるいは基板上に金属酸化物半導体の膜を
印刷する、等でも良い。
いる。センサ本体を基板に配置するには、例えばプレス
成型後に焼結したセンサ本体を、基板のくぼみ部に収容
すれば良い。あるいは基板上に金属酸化物半導体の膜を
印刷する、等でも良い。
そしてセラミックマスクにより、センサ本体の一部を被
覆した状態で溶射を施す。マスクの材質はセラミックで
あれば良い。セラミックは熱変形を起こさず、また金属
に比べ溶射粒子が付着し難い。従って、セラミックのマ
スクを用いると、マスクの熱変形を防止し、かつマスク
への溶射粒子の付着を抑制することができる。マスクの
熱変形や溶射粒子の付着を抑制すると、マスクと、セン
サ本体や基板とで溶射膜がつながるのを防止できる。
覆した状態で溶射を施す。マスクの材質はセラミックで
あれば良い。セラミックは熱変形を起こさず、また金属
に比べ溶射粒子が付着し難い。従って、セラミックのマ
スクを用いると、マスクの熱変形を防止し、かつマスク
への溶射粒子の付着を抑制することができる。マスクの
熱変形や溶射粒子の付着を抑制すると、マスクと、セン
サ本体や基板とで溶射膜がつながるのを防止できる。
マスクの材質には、好ましくはＡｌＮ５Ｓ １３Ｎ＋、
ＢＮ％ＴｉＮ等の窒化物、あるいは５ｉＣＳＷＣ。
ＢＮ％ＴｉＮ等の窒化物、あるいは５ｉＣＳＷＣ。
ＴＩＣ等の炭化物を用いる。溶射材料として好ましいも
のはＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｔ ｉ Ｏｔ、Ａｔ、Ｏ，等の金
属酸化物であるため、マスクには金属酸化物とのなじみ
が悪く、熱膨張率が異なるものが好ましいからである。
のはＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｔ ｉ Ｏｔ、Ａｔ、Ｏ，等の金
属酸化物であるため、マスクには金属酸化物とのなじみ
が悪く、熱膨張率が異なるものが好ましいからである。
溶射材料とのなじみが悪く、熱膨張率が異なれば、マス
クへの溶射粒子の付着を抑制することができる。例えば
、 マスクの表面、特にセンサ本体側から見たマスクの背面
には、平滑処理を施すのが好ましい。なおマスクの全面
に平滑処理を施すのは困難な場合が有り、平滑処理はセ
ンサ本体側から見たマスクの背面に施せば足りる。平滑
処理を施すのは、溶射粒子の付着を抑制するためである
。実験によると、マスクの表面粗さを４μｍ以下とすれ
ば、溶射粒子の付着を充分に防止できることが判った。
クへの溶射粒子の付着を抑制することができる。例えば
、 マスクの表面、特にセンサ本体側から見たマスクの背面
には、平滑処理を施すのが好ましい。なおマスクの全面
に平滑処理を施すのは困難な場合が有り、平滑処理はセ
ンサ本体側から見たマスクの背面に施せば足りる。平滑
処理を施すのは、溶射粒子の付着を抑制するためである
。実験によると、マスクの表面粗さを４μｍ以下とすれ
ば、溶射粒子の付着を充分に防止できることが判った。
以下、特定の条件に付いて、実施例を説明する。
［実施例］
スズ酸の水溶液にＢａＣＬを滴下し、３ ａ Ｓ ｎ
ＯＪ・３Ｈ，Ｏの結晶を沈でんさせた。この沈でんを熱
分解し、Ｂａ５ｎＯ：＋とじた。ＢａＳｎＯ３の粉末を
プレス成型し、一対の電極線を埋設したセンサ本体とし
た。センサ本体を空気中で焼結した。
ＯＪ・３Ｈ，Ｏの結晶を沈でんさせた。この沈でんを熱
分解し、Ｂａ５ｎＯ：＋とじた。ＢａＳｎＯ３の粉末を
プレス成型し、一対の電極線を埋設したセンサ本体とし
た。センサ本体を空気中で焼結した。
このセンサ本体を用いて、第１図の排ガスセンサを製造
した。図において、２はセンサ本体、４はその電極線の
一方で、他にもう１本の電極線が埋設しである。６はア
ルミナを用いた耐熱絶縁性基板、８は基板６に設けたく
ぼみ部で、この部分にセンサ本体２を収容する。ｌＯは
電極線４等を引き出すための溝で、一対の電極線に応じ
、一対設ける。１２は、電極線４に接続したＰｔの印刷
電極である。基板６には、これ以外に図示しないヒータ
等を設ける。
した。図において、２はセンサ本体、４はその電極線の
一方で、他にもう１本の電極線が埋設しである。６はア
ルミナを用いた耐熱絶縁性基板、８は基板６に設けたく
ぼみ部で、この部分にセンサ本体２を収容する。ｌＯは
電極線４等を引き出すための溝で、一対の電極線に応じ
、一対設ける。１２は、電極線４に接続したＰｔの印刷
電極である。基板６には、これ以外に図示しないヒータ
等を設ける。
センサ本体２をくぼみ部８に収容し、電極線４を印刷電
極１２に溶接した後、セラミックの溶射マスク１４を用
いて、溶射膜１６を形成した。溶射の方向は基板６に垂
直な方向（図の矢印）としたが、斜めから溶射しても良
い。
極１２に溶接した後、セラミックの溶射マスク１４を用
いて、溶射膜１６を形成した。溶射の方向は基板６に垂
直な方向（図の矢印）としたが、斜めから溶射しても良
い。
溶射材料には平均粒径３０μｍのＭｇＡ Ｉｔｏ ４を
用い、Ａｒ雰囲気で６５ＯＡの溶射電流により、膜厚２
００μｍ程度の溶射膜１６とした。溶射材料には、これ
以外にＴ ｉ ＯｔやＡｌｔ０３等の金属酸化物が好ま
しい。また溶射膜１６は実施例では緻密質としたが、多
孔質でも良い。溶射膜１６により、センサ本体２を基板
６に保持することかできる。また電極線４等や、印刷電
極１２等を雰囲気から遮断し、保護することができる。
用い、Ａｒ雰囲気で６５ＯＡの溶射電流により、膜厚２
００μｍ程度の溶射膜１６とした。溶射材料には、これ
以外にＴ ｉ ＯｔやＡｌｔ０３等の金属酸化物が好ま
しい。また溶射膜１６は実施例では緻密質としたが、多
孔質でも良い。溶射膜１６により、センサ本体２を基板
６に保持することかできる。また電極線４等や、印刷電
極１２等を雰囲気から遮断し、保護することができる。
実施例に用いた溶射マスクＩ４を、第２図に示す。マス
ク１４の材質には、ＭｇＡｌｔＯａ等の金属酸化物と熱
膨張率が異なり、また化学的ななじみが悪いものとして
、ＡＩＮを用いた。熱膨張率が異なりなじみか悪いと、
マスク１４には溶射粒子が付着しない、あるいは付着し
ても容易に剥離する。なおマスク１４の材質には、これ
以外に５１３Ｎ４やＢＮ、’Ｉ’ｉＮ、あるいはＳｉＣ
やＷＣ，ＴｉＣも好ましい。各種セラミックの線膨張率
は、ＡＩ。
ク１４の材質には、ＭｇＡｌｔＯａ等の金属酸化物と熱
膨張率が異なり、また化学的ななじみが悪いものとして
、ＡＩＮを用いた。熱膨張率が異なりなじみか悪いと、
マスク１４には溶射粒子が付着しない、あるいは付着し
ても容易に剥離する。なおマスク１４の材質には、これ
以外に５１３Ｎ４やＢＮ、’Ｉ’ｉＮ、あるいはＳｉＣ
やＷＣ，ＴｉＣも好ましい。各種セラミックの線膨張率
は、ＡＩ。
０３やＭｇＡｌｔＯ４でｌ０ＸＩＯ−’℃−１程度、Ｔ
ｉ Ｏｔで９ｘｌＯ−’℃−Ｉ捏度である。一方ＡＩ
Ｎでは６ ｘ ｌ Ｏ−”Ｃ−’、Ｓ ｉＣヤＴ ｉＣ
テ４ Ｘ Ｉ Ｏ−１′℃−１程度である。
ｉ Ｏｔで９ｘｌＯ−’℃−Ｉ捏度である。一方ＡＩ
Ｎでは６ ｘ ｌ Ｏ−”Ｃ−’、Ｓ ｉＣヤＴ ｉＣ
テ４ Ｘ Ｉ Ｏ−１′℃−１程度である。
マスク！４の形状が不適切であると、あるいはマスク１
４に金属マスクを用いると、第４図のようにマスク１４
の側面で溶射膜１６が連続的につながることがある。こ
れを防止する手段の１つとして、センサ本体２と接触す
る部分の面積を、マスク１４の背面（溶射の流れに接し
た而）の面積よりら小さくすることが有る。このために
は、例えば第２図のようにマスク１４の側面に切り落と
し部２２を設ける、あるいは第３図のマスク３４のよう
に側面にテーパ一部３２を設けることが好ましい。この
ようにすれば、切り落とし部２２やテーパ一部３２で生
じた陰のため、マスク１４等の側面とセンサ側とで、溶
射膜１６が連続してつながることを防止できる。実施例
では、Ｗ面２×２ｍｍ、厚さ０ 、６ ＋＋ｕ＋＋のセ
ンサ本体２に対して、背面の幅がＩ 、 ８ ｍｍ、セ
ンサ本体２と接触した部分の幅り月、 ６ ｍｍ、厚さ
が０ 、６ ｍｍの長手の板状のマスク１４を用いた。
４に金属マスクを用いると、第４図のようにマスク１４
の側面で溶射膜１６が連続的につながることがある。こ
れを防止する手段の１つとして、センサ本体２と接触す
る部分の面積を、マスク１４の背面（溶射の流れに接し
た而）の面積よりら小さくすることが有る。このために
は、例えば第２図のようにマスク１４の側面に切り落と
し部２２を設ける、あるいは第３図のマスク３４のよう
に側面にテーパ一部３２を設けることが好ましい。この
ようにすれば、切り落とし部２２やテーパ一部３２で生
じた陰のため、マスク１４等の側面とセンサ側とで、溶
射膜１６が連続してつながることを防止できる。実施例
では、Ｗ面２×２ｍｍ、厚さ０ 、６ ＋＋ｕ＋＋のセ
ンサ本体２に対して、背面の幅がＩ 、 ８ ｍｍ、セ
ンサ本体２と接触した部分の幅り月、 ６ ｍｍ、厚さ
が０ 、６ ｍｍの長手の板状のマスク１４を用いた。
また切り落とし部２２は厚さ方向の中心に設け、切り落
としの幅はＯ、ｌ ｍｍとした。
としの幅はＯ、ｌ ｍｍとした。
次に、用いたＡＩＮマスクの背面と側面（図の太実線の
部分）を、＃ｌ０００番のダイアモンド研摩剤で平滑化
し、表面粗さ（表面粗さ計で測定）を元の６〜ＩＯμｍ
から２〜３μｍまで平滑化した。
部分）を、＃ｌ０００番のダイアモンド研摩剤で平滑化
し、表面粗さ（表面粗さ計で測定）を元の６〜ＩＯμｍ
から２〜３μｍまで平滑化した。
好ましい平滑化の条件は表面粗さで４μｎ以下で、平滑
化を進めると溶射粒子がマスク１４に付着し難くなる。
化を進めると溶射粒子がマスク１４に付着し難くなる。
試験例
第２図のマスク１４を用い、各種の条件で溶射を行った
。マスク１４には、背面１ 、８ ｍｍ幅、センサ本体
２との接触面１．６＋ｎｏ＋幅のものを用いた。
。マスク１４には、背面１ 、８ ｍｍ幅、センサ本体
２との接触面１．６＋ｎｏ＋幅のものを用いた。
金属製（ＳＵＳ３０４）のマスクを比較例としく比較例
り、表面粗さ２〜３μｍまで研摩したＡＩＮのマスクを
実施例１とし、未研摩のＡＩＮを用いたマスクを実施例
２（表面粗さ６〜１０μｍ）とした。溶射の条件は、前
記の通りである。
り、表面粗さ２〜３μｍまで研摩したＡＩＮのマスクを
実施例１とし、未研摩のＡＩＮを用いたマスクを実施例
２（表面粗さ６〜１０μｍ）とした。溶射の条件は、前
記の通りである。
比較例ＩのマスクではＩＯ回程度使用ずろとマスク１４
は熱変形し、熱変形の毎にマスクをたたき直して形状を
整えねばならなかった。また２〜３回使用する毎に、マ
スク１４に溶射膜が厚く付着した。溶射膜を除くには、
マスクＩ４をたわまさねばならなかった。熱変形したマ
スクや溶射粒子が厚く付着したマスクを用いると、溶射
膜１６が基板６やセンサ本体２からマスク１４の側面に
つながったものが生じた。このようなセンサでは、マス
クの取り外し時に溶射膜１６の破損が生じた。
は熱変形し、熱変形の毎にマスクをたたき直して形状を
整えねばならなかった。また２〜３回使用する毎に、マ
スク１４に溶射膜が厚く付着した。溶射膜を除くには、
マスクＩ４をたわまさねばならなかった。熱変形したマ
スクや溶射粒子が厚く付着したマスクを用いると、溶射
膜１６が基板６やセンサ本体２からマスク１４の側面に
つながったものが生じた。このようなセンサでは、マス
クの取り外し時に溶射膜１６の破損が生じた。
実施例１のマスクでは熱変形は生じず、マスク１４には
溶射膜１６は部分的にしか付着しなかった。付着した溶
射膜らピンセットではさむと、容易に剥離した。また基
板６やセンサ本体２と、マスク１４の側面との、溶射膜
１６の連続付着の現象は生じなかった。
溶射膜１６は部分的にしか付着しなかった。付着した溶
射膜らピンセットではさむと、容易に剥離した。また基
板６やセンサ本体２と、マスク１４の側面との、溶射膜
１６の連続付着の現象は生じなかった。
実施例２のマスクでも熱変形は生じなかった。
しかし溶射膜１６は、マスク１４の全面に付着した。付
着した溶射膜は、ピンセットで容易に除去できた。付着
した溶射膜を除去しないままマスクを繰り返し使用する
と、基板６やセンサ本体２と、マスク１４の側面との、
溶射１１ｉ１６の連続付着の現象が生じた。
着した溶射膜は、ピンセットで容易に除去できた。付着
した溶射膜を除去しないままマスクを繰り返し使用する
と、基板６やセンサ本体２と、マスク１４の側面との、
溶射１１ｉ１６の連続付着の現象が生じた。
実施例１のマスク１４に付いて、センサ本体２に対する
マスク部の割合の効果を測定した。溶射膜１６によりセ
ンサ本体２を覆う部分の面積を、１０％、３０％、５０
％の３種とした。これらのセンサを各１０ｐｌ、３０Ｇ
−２３０Ｈｚの条件で５時間の振動テストにかけた。い
ずれの被覆面積でら、センサ本体２の脱落等の現象は生
じなかった。次に、センナを８００℃でλ（当■比）が
０９８と１．０２の雰囲気に交互にさらし、この間の応
答速度を測定した。応答速度は、Ｉ Ｏ−９０％応答の
時間により求めた。応答速度への被覆面積の影響を、表
１に示す。これらの結果から明らかなように、溶射膜１
６による被覆面積は、センサ本体２の５〜４０％が好ま
しい。
マスク部の割合の効果を測定した。溶射膜１６によりセ
ンサ本体２を覆う部分の面積を、１０％、３０％、５０
％の３種とした。これらのセンサを各１０ｐｌ、３０Ｇ
−２３０Ｈｚの条件で５時間の振動テストにかけた。い
ずれの被覆面積でら、センサ本体２の脱落等の現象は生
じなかった。次に、センナを８００℃でλ（当■比）が
０９８と１．０２の雰囲気に交互にさらし、この間の応
答速度を測定した。応答速度は、Ｉ Ｏ−９０％応答の
時間により求めた。応答速度への被覆面積の影響を、表
１に示す。これらの結果から明らかなように、溶射膜１
６による被覆面積は、センサ本体２の５〜４０％が好ま
しい。
表１
＋０ ０．＋ ０．１５
３０ ０．２ ０．２５
５０ ０．４ ０．６
［発明の効果］
この発明では、セラミックマスクを用いることにより、
マスクの熱変形を防止し、かつマスクへの溶射粒子の付
着を抑制ずろ。そしてこれに伴って、マスクと、センサ
本体や基板との間で、溶射膜が連続してつながることを
防止する。
マスクの熱変形を防止し、かつマスクへの溶射粒子の付
着を抑制ずろ。そしてこれに伴って、マスクと、センサ
本体や基板との間で、溶射膜が連続してつながることを
防止する。
セラミックマスクの材質に窒化物や炭化物を用いると、
溶射粒子とのなじみが悪く、熱膨張率が異なるため、溶
射粒子のマスクへの付着を更に抑制することができる。
溶射粒子とのなじみが悪く、熱膨張率が異なるため、溶
射粒子のマスクへの付着を更に抑制することができる。
マスクの表面を平滑化すると、溶射粒子の付着を更に抑
制できる。
制できる。
第１図は実施例の排ガスセンサの製造過程を現す断面図
、第２図は実施例で用いたマスクの断面図である。第３
図は変形例で用いたマスクの断面図である。第４図は、
従来例での溶射粒子の付着状況を示す断面図である。 図において、 ２ センサ本体、 ４ 電極線、 ６ 耐熱絶縁性基板、 ８ くぼみ部、１４．３４
マスク、 ＋６ 溶射膜、２２ 切り落とし部、
３２ テーパ一部。
、第２図は実施例で用いたマスクの断面図である。第３
図は変形例で用いたマスクの断面図である。第４図は、
従来例での溶射粒子の付着状況を示す断面図である。 図において、 ２ センサ本体、 ４ 電極線、 ６ 耐熱絶縁性基板、 ８ くぼみ部、１４．３４
マスク、 ＋６ 溶射膜、２２ 切り落とし部、
３２ テーパ一部。
Claims (3)
- （１）空燃比により抵抗値が変化する金属酸化物半導体
を用いたセンサ本体を耐熱絶縁性基板に配置し、 センサ本体に、マスクを用いてセンサ本体の表面の一部
を被覆しながら、溶射を施すようにした、排ガスセンサ
の製造方法において、 前記マスクをセラミック製としたことを特徴とする、排
ガスセンサの製造方法。 - （２）前記マスクを、窒化物らしくは炭化物のセラミッ
クのマスクとしたことを特徴とする、請求項１に記載の
排ガスセンサの製造方法。 - （３）センサ本体側から見た前記マスクの背面の表面粗
さを４μｍ以下としたことを特徴とする、請求項１また
は２に記載の排ガスセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121188A JPH01242955A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 排ガスセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121188A JPH01242955A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 排ガスセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242955A true JPH01242955A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13454120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121188A Pending JPH01242955A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 排ガスセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008056652A1 (de) * | 2008-11-10 | 2010-05-12 | Mtu Aero Engines Gmbh | Maske für das kinetische Kaltgaskompaktieren |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49752A (ja) * | 1972-04-18 | 1974-01-07 | ||
| JPS5518922A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-09 | Fuji Electric Co Ltd | Oxygen sensor |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP7121188A patent/JPH01242955A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49752A (ja) * | 1972-04-18 | 1974-01-07 | ||
| JPS5518922A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-09 | Fuji Electric Co Ltd | Oxygen sensor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE102008056652A1 (de) * | 2008-11-10 | 2010-05-12 | Mtu Aero Engines Gmbh | Maske für das kinetische Kaltgaskompaktieren |
| US8852681B2 (en) | 2008-11-10 | 2014-10-07 | Mtu Aero Engines Gmbh | Mask for kinetic cold gas compacting |
| EP2344281B1 (de) * | 2008-11-10 | 2015-03-11 | MTU Aero Engines GmbH | Maske für das kinetische kaltgaskompaktieren |
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