JPH01239912A - 化合物半導体ウエハのマーキング方法 - Google Patents
化合物半導体ウエハのマーキング方法Info
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Landscapes
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、化合物半導体ウェハのマーキング方法に関す
るものである。
るものである。
[従来の技術]
化合物半導体ウェハは発、受光素子など光電変換素子や
11電変換素子、各種高周波素子等に広く使用されてい
るが、これらの素子を製作する場合はウェハを保管場所
より取り出した後、エツチング、水洗清浄化、フォトリ
ソグラフィー、酸化膜形成、イオン打込、及びエピタキ
シャル成長等、複雑な製造プロセスを経過する。このと
き各ウェハには製造会社、製造ロット香り、製造年月日
等、夫々異なるものが使用されるので、どのウェハがど
の工程にあるかを常に明確にすることが製品の品質管理
上重要である。このため各ウェハには文字や数字或いは
記号をつ(プて製造間層を明らかにする、いわゆるマー
キングが行なわれる。
11電変換素子、各種高周波素子等に広く使用されてい
るが、これらの素子を製作する場合はウェハを保管場所
より取り出した後、エツチング、水洗清浄化、フォトリ
ソグラフィー、酸化膜形成、イオン打込、及びエピタキ
シャル成長等、複雑な製造プロセスを経過する。このと
き各ウェハには製造会社、製造ロット香り、製造年月日
等、夫々異なるものが使用されるので、どのウェハがど
の工程にあるかを常に明確にすることが製品の品質管理
上重要である。このため各ウェハには文字や数字或いは
記号をつ(プて製造間層を明らかにする、いわゆるマー
キングが行なわれる。
ウェハに必要事項をマーキングする場合に最も簡単な方
法はダイヤモンドペン等ウェハより硬い用具を用いてウ
ェハに傷をつけて判別する方法であるが、その他レーザ
光線により凹形の溝を設けて記録する方法や或いはフォ
トレジストのようにエツチング液に反応しない塗料を塗
布して必要事項を記載し、その後エツチングにより記載
事項を浮き上らせて判別する方法等が用いられている。
法はダイヤモンドペン等ウェハより硬い用具を用いてウ
ェハに傷をつけて判別する方法であるが、その他レーザ
光線により凹形の溝を設けて記録する方法や或いはフォ
トレジストのようにエツチング液に反応しない塗料を塗
布して必要事項を記載し、その後エツチングにより記載
事項を浮き上らせて判別する方法等が用いられている。
[発明が解決しようとする課題]
上述したように半導体素子を作製する場合は製造プロセ
スが複雑多岐にわたるため各ウェハを識別し管理するこ
とが重要でマーキングの良否が重要となる。
スが複雑多岐にわたるため各ウェハを識別し管理するこ
とが重要でマーキングの良否が重要となる。
従来のマーキング方法にはダイヤモンドペン等で傷をつ
ける方法やレーザ光線による彫刻法、エツチングによる
蝕刻法等が用いられているが、ウェハ表面に傷をつける
方法はウェハに歪を与えたり極端な場合には破損させる
こともあり好ましくない。
ける方法やレーザ光線による彫刻法、エツチングによる
蝕刻法等が用いられているが、ウェハ表面に傷をつける
方法はウェハに歪を与えたり極端な場合には破損させる
こともあり好ましくない。
レーザ光線による彫刻法は彫刻された猫が平滑とならず
プロセス中に彫刻切粉が浸入してウェハ表面を汚染しフ
ォトリソグラフィーの焦点調整を困難にする場合がある
。又、エツチングによる方法はフォトリソグラフィーと
同様煩雑な工程が必要で簡便さに欠ける。
プロセス中に彫刻切粉が浸入してウェハ表面を汚染しフ
ォトリソグラフィーの焦点調整を困難にする場合がある
。又、エツチングによる方法はフォトリソグラフィーと
同様煩雑な工程が必要で簡便さに欠ける。
このような点からインクを用いてウェハ表面に印刷でき
る方法があれば最も好ましいが、通常のインクを用いた
のでは有機溶剤に溶解するため洗浄工程時に溶出して消
滅してしまい、使用することができない。
る方法があれば最も好ましいが、通常のインクを用いた
のでは有機溶剤に溶解するため洗浄工程時に溶出して消
滅してしまい、使用することができない。
本発明の目的は、操作簡便で鮮明かつ消滅し難い化合物
半導体ウェハのマーキング方法を提供することにある。
半導体ウェハのマーキング方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、半導体ウェハに識別用の文字、数字、記号等
を記入するマーキング方法において、前記マーキング用
インクに、次亜塩素酸ナトリウムを溶質とする溶液を用
いることを特徴としており、操作簡便で鮮明、長寿命の
マーキングが得られるようにして目的の達成を計ったも
のである。
を記入するマーキング方法において、前記マーキング用
インクに、次亜塩素酸ナトリウムを溶質とする溶液を用
いることを特徴としており、操作簡便で鮮明、長寿命の
マーキングが得られるようにして目的の達成を計ったも
のである。
[作 用]
本発明の半導体ウェハのマーキング方法では、ウェハに
各種マーキングを行う場合、通常の印刷のようにインク
を用いてウェハ表面に記入する方法を用いているが、こ
の場合インクには次亜塩素酸ナトリウムを溶質とする溶
液を用いているので、例えばガリウム・ヒ素(GaAs
)半導体のウェハにこのインクを用いて文字を記入する
と、QaASと溶液が反応して文字部が黒変して)フき
出るようになり、明瞭に判別できることになる。印刷さ
れた文字部は有機溶剤に侵されないので従来のインクの
ように溶出せず長期にわたって印字を鮮明に保持するこ
とができる。
各種マーキングを行う場合、通常の印刷のようにインク
を用いてウェハ表面に記入する方法を用いているが、こ
の場合インクには次亜塩素酸ナトリウムを溶質とする溶
液を用いているので、例えばガリウム・ヒ素(GaAs
)半導体のウェハにこのインクを用いて文字を記入する
と、QaASと溶液が反応して文字部が黒変して)フき
出るようになり、明瞭に判別できることになる。印刷さ
れた文字部は有機溶剤に侵されないので従来のインクの
ように溶出せず長期にわたって印字を鮮明に保持するこ
とができる。
[実 施 例]
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例1
使用したウェハは径3吋の半絶縁性GaASウェハで結
晶インボッ1〜から截り出し、両面をアルミナ研磨剤で
ラッピングしたのち研磨しない方の面(裏面)に、文字
部分が凸状で例えばrABJと刻まれている発泡ウレタ
ンゴムを用いたスタンプで印刷した。インクには3%の
次亜塩素酸す1ヘリウムを含む市販の水溶液を用い、こ
の液にスタンプを約2秒間浸漬した後肢をふり落し、ス
タンプをウェハ面に軽く押当てて印刷した。印刷後数秒
経て文字部分が明瞭に黒変して浮き出し、マーキング性
能が極めて良好であることが認められた。
晶インボッ1〜から截り出し、両面をアルミナ研磨剤で
ラッピングしたのち研磨しない方の面(裏面)に、文字
部分が凸状で例えばrABJと刻まれている発泡ウレタ
ンゴムを用いたスタンプで印刷した。インクには3%の
次亜塩素酸す1ヘリウムを含む市販の水溶液を用い、こ
の液にスタンプを約2秒間浸漬した後肢をふり落し、ス
タンプをウェハ面に軽く押当てて印刷した。印刷後数秒
経て文字部分が明瞭に黒変して浮き出し、マーキング性
能が極めて良好であることが認められた。
印1ii11 後、印刷された文字の安定性を確認する
!ζめウェハを硫酸:過酸化水素:水−3:1:1の水
溶液に浸し、50℃に胃温して1分間エツチングを行い
、ついで表面をポリッシングして1ヘリクレン、アセト
ン、エチルアルコールによる有機洗浄を注いで、マーキ
ングされた文字の状態を観察したが、殆ど変化を生じて
いないことが認められた。この場合同時にウェハの厚み
やそりも測定したが変化は認められず、この方法の優れ
ていることが確認された。
!ζめウェハを硫酸:過酸化水素:水−3:1:1の水
溶液に浸し、50℃に胃温して1分間エツチングを行い
、ついで表面をポリッシングして1ヘリクレン、アセト
ン、エチルアルコールによる有機洗浄を注いで、マーキ
ングされた文字の状態を観察したが、殆ど変化を生じて
いないことが認められた。この場合同時にウェハの厚み
やそりも測定したが変化は認められず、この方法の優れ
ていることが確認された。
実施例2
上記と同様径3■・1のGaASウェハを用い、両面を
ラッピングして硫酸系のエツチング液で60℃3分間の
エツチングを行った後裏面にマーキングを行った。この
場合はマーキング液には次亜塩素酸ナトリウム3%水溶
液:炭酸ソーダ(Na2CO3) 59(o水溶液:水
= 1 : 1 : 2i7)混合液ヲ用い、毛筆を使
用して例えば「Llo−8714と記入したが、上記例
の場合と同様に黒色の文字が明瞭に記録され、又文字の
安定性も良好であることが認められた。
ラッピングして硫酸系のエツチング液で60℃3分間の
エツチングを行った後裏面にマーキングを行った。この
場合はマーキング液には次亜塩素酸ナトリウム3%水溶
液:炭酸ソーダ(Na2CO3) 59(o水溶液:水
= 1 : 1 : 2i7)混合液ヲ用い、毛筆を使
用して例えば「Llo−8714と記入したが、上記例
の場合と同様に黒色の文字が明瞭に記録され、又文字の
安定性も良好であることが認められた。
実施例3
(InP)ウェハの両面をラッピングし、王水で簡単に
エツチングしてウェハの実部にロール式のスタンプを用
いてマーキングを行った。スタンプは研磨用の布を巻い
て円柱状とし、文字はこれに彫刻して凹部となるように
した。液は次亜塩素酸ナトリウム3%水溶液とメチルア
ルコールを1:1に混合したものを用いた。ウェハには
文学部以外の部分は黒変し文字部はウェハの地肌が残る
ように印刷されたが明瞭に識別することかできた。
エツチングしてウェハの実部にロール式のスタンプを用
いてマーキングを行った。スタンプは研磨用の布を巻い
て円柱状とし、文字はこれに彫刻して凹部となるように
した。液は次亜塩素酸ナトリウム3%水溶液とメチルア
ルコールを1:1に混合したものを用いた。ウェハには
文学部以外の部分は黒変し文字部はウェハの地肌が残る
ように印刷されたが明瞭に識別することかできた。
以上の各実施例において次亜塩素酸ナトリウムを用いた
がこの次亜塩素酸ナトリウムは通常水溶液として入手で
きるので溶媒で薄めて任意の濃度にして用いられる。溶
媒としては水に極めて溶は易いので第一に水が用いられ
るが、その次には酸性液体が用いられ、この酸性液体に
よる蝕刻作用と併用することにより溝部と反応膜とを同
時に形成することができる。酸性液体にはふつ化水素(
HF)、臭化水素(HBr)、塩化水素(HC!J)、
硫酸(H504)、炭酸(H2CO3)等、エツチング
性のあるものが用いられる。これら酸性液体の一種と次
亜塩素酸ナトリウムとの混合液、或いは酸性液体の二種
以上の混合液と次亜塩素酸ナトリウムの混合液が用いら
れる。溶媒の第三番目としてはアルカリ性液体が用いら
れる。
がこの次亜塩素酸ナトリウムは通常水溶液として入手で
きるので溶媒で薄めて任意の濃度にして用いられる。溶
媒としては水に極めて溶は易いので第一に水が用いられ
るが、その次には酸性液体が用いられ、この酸性液体に
よる蝕刻作用と併用することにより溝部と反応膜とを同
時に形成することができる。酸性液体にはふつ化水素(
HF)、臭化水素(HBr)、塩化水素(HC!J)、
硫酸(H504)、炭酸(H2CO3)等、エツチング
性のあるものが用いられる。これら酸性液体の一種と次
亜塩素酸ナトリウムとの混合液、或いは酸性液体の二種
以上の混合液と次亜塩素酸ナトリウムの混合液が用いら
れる。溶媒の第三番目としてはアルカリ性液体が用いら
れる。
水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリウム(KO
H) 、アンモニア水、炭FW’/−ダ(Na2C○3
)の水溶液には次亜塩素酸ナトリウムとGaASの反応
を制御する効果があるのでこれらアルカリ性液体の一種
と次亜塩素酸ナトリウムとの混合液が用いられる。第四
の溶媒としては有機溶剤が用いられる。次亜塩素酸ナト
リウムはアルコール、アセトン、トリクロルエチレン等
の有機溶剤に溶は易く、又これらの有機溶剤はGaAS
等のウェハを洗浄する性能を有するのでこれら有機溶剤
の一種と次亜塩素酸ナトリウムとの渥合液或いは有機溶
剤の二種以上の混合液と次亜塩素酸ナトリウムとの混合
液が用いられる。その他の溶媒としては水、酸性液体、
アルカリ性液体と有機溶剤の一種以上の混合液、或いは
酸化コバルト水素ナトリウム(NaHCO3)のような
酸とアルカリ塩の水溶液、或いは塩化ナトリウム(Na
CfJ)、塩化カリウム(KCtJ>のような中性液体
も用いることができる。
H) 、アンモニア水、炭FW’/−ダ(Na2C○3
)の水溶液には次亜塩素酸ナトリウムとGaASの反応
を制御する効果があるのでこれらアルカリ性液体の一種
と次亜塩素酸ナトリウムとの混合液が用いられる。第四
の溶媒としては有機溶剤が用いられる。次亜塩素酸ナト
リウムはアルコール、アセトン、トリクロルエチレン等
の有機溶剤に溶は易く、又これらの有機溶剤はGaAS
等のウェハを洗浄する性能を有するのでこれら有機溶剤
の一種と次亜塩素酸ナトリウムとの渥合液或いは有機溶
剤の二種以上の混合液と次亜塩素酸ナトリウムとの混合
液が用いられる。その他の溶媒としては水、酸性液体、
アルカリ性液体と有機溶剤の一種以上の混合液、或いは
酸化コバルト水素ナトリウム(NaHCO3)のような
酸とアルカリ塩の水溶液、或いは塩化ナトリウム(Na
CfJ)、塩化カリウム(KCtJ>のような中性液体
も用いることができる。
尚、本実施例では印字方式としてスタンプ方式と毛筆に
よる千古方式を示したが、その他インクジェット方式を
用いることができる。
よる千古方式を示したが、その他インクジェット方式を
用いることができる。
又ウェハに表示する情報としては絵で表示しても差支え
ない。
ない。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば次のような効果が得ら
れる。
れる。
(1)簡便な方法を用いウェハに鮮明で安定なマーキン
グを行なうことができる。
グを行なうことができる。
(2)製造ブOセスにおけるウェハの管理が確実となり
素子の品質、歩留りを向上することができる。
素子の品質、歩留りを向上することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、化合物半導体ウェハに識別用の文字、数字、記号等
を記入するマーキング方法において、前記マーキング用
インクとして、次亜塩素酸ナトリウムを溶媒に溶かした
溶液を用いることを特徴とする化合物半導体ウェハのマ
ーキング方法。 2、前記溶媒には、水、酸性液体、アルカリ性液体、有
機溶剤のいづれか一種又は二種以上の混合液が用いられ
る特許請求の範囲第1項記載の化合物半導体ウェハのマ
ーキング方法。 3、前記酸性液体は、ふつ化水素、臭化水素、塩化水素
、硫酸、炭酸のいずれか一種又は二種以上の混合液が用
いられる特許請求の範囲第2項記載の化合物半導体ウェ
ハのマーキング方法。 4、前記酸性液体は、ふつ化水素、臭化水素、塩化水素
、硫酸、炭酸のいずれか一種又は二種以上の混合水溶液
に過酸化水素を混合したものである特許請求の範囲第2
項記載の化合物半導体ウェハのマーキング方法。 5、前記アルカリ性液体は、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、アンモニア水、炭酸ソーダの水溶液の一種又
は二種以上の混合水溶液である特許請求の範囲第二項記
載の化合物半導体ウェハのマーキング方法。 6、前記有機溶剤は、アルコール、アセトン、トリクロ
ールエチレンのいずれか一種又は二種以上の混合液であ
る特許請求の範囲第2項記載の化合物半導体ウェハのマ
ーキング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6761088A JPH079871B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 化合物半導体ウエハのマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP6761088A JPH079871B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 化合物半導体ウエハのマーキング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01239912A true JPH01239912A (ja) | 1989-09-25 |
JPH079871B2 JPH079871B2 (ja) | 1995-02-01 |
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ID=13349884
Family Applications (1)
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JP6761088A Expired - Fee Related JPH079871B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 化合物半導体ウエハのマーキング方法 |
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JP (1) | JPH079871B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016161548A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 国立大学法人京都大学 | 探針の製造方法及び探針 |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP6761088A patent/JPH079871B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016161548A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 国立大学法人京都大学 | 探針の製造方法及び探針 |
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Publication number | Publication date |
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JPH079871B2 (ja) | 1995-02-01 |
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