JPH01239912A - 化合物半導体ウエハのマーキング方法 - Google Patents
化合物半導体ウエハのマーキング方法Info
- Publication number
- JPH01239912A JPH01239912A JP6761088A JP6761088A JPH01239912A JP H01239912 A JPH01239912 A JP H01239912A JP 6761088 A JP6761088 A JP 6761088A JP 6761088 A JP6761088 A JP 6761088A JP H01239912 A JPH01239912 A JP H01239912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- marking
- semiconductor wafer
- wafer
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 11
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 claims abstract description 15
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical group [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 8
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- -1 monohelium hypochlorite Chemical compound 0.000 description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 101100443291 Mus musculus Dnajc27 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 210000003141 lower extremity Anatomy 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、化合物半導体ウェハのマーキング方法に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
化合物半導体ウェハは発、受光素子など光電変換素子や
１１電変換素子、各種高周波素子等に広く使用されてい
るが、これらの素子を製作する場合はウェハを保管場所
より取り出した後、エツチング、水洗清浄化、フォトリ
ソグラフィー、酸化膜形成、イオン打込、及びエピタキ
シャル成長等、複雑な製造プロセスを経過する。このと
き各ウェハには製造会社、製造ロット香り、製造年月日
等、夫々異なるものが使用されるので、どのウェハがど
の工程にあるかを常に明確にすることが製品の品質管理
上重要である。このため各ウェハには文字や数字或いは
記号をつ（プて製造間層を明らかにする、いわゆるマー
キングが行なわれる。
１１電変換素子、各種高周波素子等に広く使用されてい
るが、これらの素子を製作する場合はウェハを保管場所
より取り出した後、エツチング、水洗清浄化、フォトリ
ソグラフィー、酸化膜形成、イオン打込、及びエピタキ
シャル成長等、複雑な製造プロセスを経過する。このと
き各ウェハには製造会社、製造ロット香り、製造年月日
等、夫々異なるものが使用されるので、どのウェハがど
の工程にあるかを常に明確にすることが製品の品質管理
上重要である。このため各ウェハには文字や数字或いは
記号をつ（プて製造間層を明らかにする、いわゆるマー
キングが行なわれる。
ウェハに必要事項をマーキングする場合に最も簡単な方
法はダイヤモンドペン等ウェハより硬い用具を用いてウ
ェハに傷をつけて判別する方法であるが、その他レーザ
光線により凹形の溝を設けて記録する方法や或いはフォ
トレジストのようにエツチング液に反応しない塗料を塗
布して必要事項を記載し、その後エツチングにより記載
事項を浮き上らせて判別する方法等が用いられている。
法はダイヤモンドペン等ウェハより硬い用具を用いてウ
ェハに傷をつけて判別する方法であるが、その他レーザ
光線により凹形の溝を設けて記録する方法や或いはフォ
トレジストのようにエツチング液に反応しない塗料を塗
布して必要事項を記載し、その後エツチングにより記載
事項を浮き上らせて判別する方法等が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
上述したように半導体素子を作製する場合は製造プロセ
スが複雑多岐にわたるため各ウェハを識別し管理するこ
とが重要でマーキングの良否が重要となる。
スが複雑多岐にわたるため各ウェハを識別し管理するこ
とが重要でマーキングの良否が重要となる。
従来のマーキング方法にはダイヤモンドペン等で傷をつ
ける方法やレーザ光線による彫刻法、エツチングによる
蝕刻法等が用いられているが、ウェハ表面に傷をつける
方法はウェハに歪を与えたり極端な場合には破損させる
こともあり好ましくない。
ける方法やレーザ光線による彫刻法、エツチングによる
蝕刻法等が用いられているが、ウェハ表面に傷をつける
方法はウェハに歪を与えたり極端な場合には破損させる
こともあり好ましくない。
レーザ光線による彫刻法は彫刻された猫が平滑とならず
プロセス中に彫刻切粉が浸入してウェハ表面を汚染しフ
ォトリソグラフィーの焦点調整を困難にする場合がある
。又、エツチングによる方法はフォトリソグラフィーと
同様煩雑な工程が必要で簡便さに欠ける。
プロセス中に彫刻切粉が浸入してウェハ表面を汚染しフ
ォトリソグラフィーの焦点調整を困難にする場合がある
。又、エツチングによる方法はフォトリソグラフィーと
同様煩雑な工程が必要で簡便さに欠ける。
このような点からインクを用いてウェハ表面に印刷でき
る方法があれば最も好ましいが、通常のインクを用いた
のでは有機溶剤に溶解するため洗浄工程時に溶出して消
滅してしまい、使用することができない。
る方法があれば最も好ましいが、通常のインクを用いた
のでは有機溶剤に溶解するため洗浄工程時に溶出して消
滅してしまい、使用することができない。
本発明の目的は、操作簡便で鮮明かつ消滅し難い化合物
半導体ウェハのマーキング方法を提供することにある。
半導体ウェハのマーキング方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、半導体ウェハに識別用の文字、数字、記号等
を記入するマーキング方法において、前記マーキング用
インクに、次亜塩素酸ナトリウムを溶質とする溶液を用
いることを特徴としており、操作簡便で鮮明、長寿命の
マーキングが得られるようにして目的の達成を計ったも
のである。
を記入するマーキング方法において、前記マーキング用
インクに、次亜塩素酸ナトリウムを溶質とする溶液を用
いることを特徴としており、操作簡便で鮮明、長寿命の
マーキングが得られるようにして目的の達成を計ったも
のである。
［作 用］
本発明の半導体ウェハのマーキング方法では、ウェハに
各種マーキングを行う場合、通常の印刷のようにインク
を用いてウェハ表面に記入する方法を用いているが、こ
の場合インクには次亜塩素酸ナトリウムを溶質とする溶
液を用いているので、例えばガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ
）半導体のウェハにこのインクを用いて文字を記入する
と、ＱａＡＳと溶液が反応して文字部が黒変して）フき
出るようになり、明瞭に判別できることになる。印刷さ
れた文字部は有機溶剤に侵されないので従来のインクの
ように溶出せず長期にわたって印字を鮮明に保持するこ
とができる。
各種マーキングを行う場合、通常の印刷のようにインク
を用いてウェハ表面に記入する方法を用いているが、こ
の場合インクには次亜塩素酸ナトリウムを溶質とする溶
液を用いているので、例えばガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ
）半導体のウェハにこのインクを用いて文字を記入する
と、ＱａＡＳと溶液が反応して文字部が黒変して）フき
出るようになり、明瞭に判別できることになる。印刷さ
れた文字部は有機溶剤に侵されないので従来のインクの
ように溶出せず長期にわたって印字を鮮明に保持するこ
とができる。
［実 施 例］
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
使用したウェハは径３吋の半絶縁性ＧａＡＳウェハで結
晶インボッ１〜から截り出し、両面をアルミナ研磨剤で
ラッピングしたのち研磨しない方の面（裏面）に、文字
部分が凸状で例えばｒＡＢＪと刻まれている発泡ウレタ
ンゴムを用いたスタンプで印刷した。インクには３％の
次亜塩素酸す１ヘリウムを含む市販の水溶液を用い、こ
の液にスタンプを約２秒間浸漬した後肢をふり落し、ス
タンプをウェハ面に軽く押当てて印刷した。印刷後数秒
経て文字部分が明瞭に黒変して浮き出し、マーキング性
能が極めて良好であることが認められた。
晶インボッ１〜から截り出し、両面をアルミナ研磨剤で
ラッピングしたのち研磨しない方の面（裏面）に、文字
部分が凸状で例えばｒＡＢＪと刻まれている発泡ウレタ
ンゴムを用いたスタンプで印刷した。インクには３％の
次亜塩素酸す１ヘリウムを含む市販の水溶液を用い、こ
の液にスタンプを約２秒間浸漬した後肢をふり落し、ス
タンプをウェハ面に軽く押当てて印刷した。印刷後数秒
経て文字部分が明瞭に黒変して浮き出し、マーキング性
能が極めて良好であることが認められた。
印１ｉｉ１１ 後、印刷された文字の安定性を確認する
！ζめウェハを硫酸：過酸化水素：水−３：１：１の水
溶液に浸し、５０℃に胃温して１分間エツチングを行い
、ついで表面をポリッシングして１ヘリクレン、アセト
ン、エチルアルコールによる有機洗浄を注いで、マーキ
ングされた文字の状態を観察したが、殆ど変化を生じて
いないことが認められた。この場合同時にウェハの厚み
やそりも測定したが変化は認められず、この方法の優れ
ていることが確認された。
！ζめウェハを硫酸：過酸化水素：水−３：１：１の水
溶液に浸し、５０℃に胃温して１分間エツチングを行い
、ついで表面をポリッシングして１ヘリクレン、アセト
ン、エチルアルコールによる有機洗浄を注いで、マーキ
ングされた文字の状態を観察したが、殆ど変化を生じて
いないことが認められた。この場合同時にウェハの厚み
やそりも測定したが変化は認められず、この方法の優れ
ていることが確認された。
実施例２
上記と同様径３■・１のＧａＡＳウェハを用い、両面を
ラッピングして硫酸系のエツチング液で６０℃３分間の
エツチングを行った後裏面にマーキングを行った。この
場合はマーキング液には次亜塩素酸ナトリウム３％水溶
液：炭酸ソーダ（Ｎａ２ＣＯ３） ５９（ｏ水溶液：水
＝ １ ： １ ： ２ｉ７）混合液ヲ用い、毛筆を使
用して例えば「Ｌｌｏ−８７１４と記入したが、上記例
の場合と同様に黒色の文字が明瞭に記録され、又文字の
安定性も良好であることが認められた。
ラッピングして硫酸系のエツチング液で６０℃３分間の
エツチングを行った後裏面にマーキングを行った。この
場合はマーキング液には次亜塩素酸ナトリウム３％水溶
液：炭酸ソーダ（Ｎａ２ＣＯ３） ５９（ｏ水溶液：水
＝ １ ： １ ： ２ｉ７）混合液ヲ用い、毛筆を使
用して例えば「Ｌｌｏ−８７１４と記入したが、上記例
の場合と同様に黒色の文字が明瞭に記録され、又文字の
安定性も良好であることが認められた。
実施例３
（ＩｎＰ）ウェハの両面をラッピングし、王水で簡単に
エツチングしてウェハの実部にロール式のスタンプを用
いてマーキングを行った。スタンプは研磨用の布を巻い
て円柱状とし、文字はこれに彫刻して凹部となるように
した。液は次亜塩素酸ナトリウム３％水溶液とメチルア
ルコールを１：１に混合したものを用いた。ウェハには
文学部以外の部分は黒変し文字部はウェハの地肌が残る
ように印刷されたが明瞭に識別することかできた。
エツチングしてウェハの実部にロール式のスタンプを用
いてマーキングを行った。スタンプは研磨用の布を巻い
て円柱状とし、文字はこれに彫刻して凹部となるように
した。液は次亜塩素酸ナトリウム３％水溶液とメチルア
ルコールを１：１に混合したものを用いた。ウェハには
文学部以外の部分は黒変し文字部はウェハの地肌が残る
ように印刷されたが明瞭に識別することかできた。
以上の各実施例において次亜塩素酸ナトリウムを用いた
がこの次亜塩素酸ナトリウムは通常水溶液として入手で
きるので溶媒で薄めて任意の濃度にして用いられる。溶
媒としては水に極めて溶は易いので第一に水が用いられ
るが、その次には酸性液体が用いられ、この酸性液体に
よる蝕刻作用と併用することにより溝部と反応膜とを同
時に形成することができる。酸性液体にはふつ化水素（
ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化水素（ＨＣ！Ｊ）、
硫酸（Ｈ５０４）、炭酸（Ｈ２ＣＯ３）等、エツチング
性のあるものが用いられる。これら酸性液体の一種と次
亜塩素酸ナトリウムとの混合液、或いは酸性液体の二種
以上の混合液と次亜塩素酸ナトリウムの混合液が用いら
れる。溶媒の第三番目としてはアルカリ性液体が用いら
れる。
がこの次亜塩素酸ナトリウムは通常水溶液として入手で
きるので溶媒で薄めて任意の濃度にして用いられる。溶
媒としては水に極めて溶は易いので第一に水が用いられ
るが、その次には酸性液体が用いられ、この酸性液体に
よる蝕刻作用と併用することにより溝部と反応膜とを同
時に形成することができる。酸性液体にはふつ化水素（
ＨＦ）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化水素（ＨＣ！Ｊ）、
硫酸（Ｈ５０４）、炭酸（Ｈ２ＣＯ３）等、エツチング
性のあるものが用いられる。これら酸性液体の一種と次
亜塩素酸ナトリウムとの混合液、或いは酸性液体の二種
以上の混合液と次亜塩素酸ナトリウムの混合液が用いら
れる。溶媒の第三番目としてはアルカリ性液体が用いら
れる。
水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ） 、アンモニア水、炭ＦＷ’／−ダ（Ｎａ２Ｃ○３
）の水溶液には次亜塩素酸ナトリウムとＧａＡＳの反応
を制御する効果があるのでこれらアルカリ性液体の一種
と次亜塩素酸ナトリウムとの混合液が用いられる。第四
の溶媒としては有機溶剤が用いられる。次亜塩素酸ナト
リウムはアルコール、アセトン、トリクロルエチレン等
の有機溶剤に溶は易く、又これらの有機溶剤はＧａＡＳ
等のウェハを洗浄する性能を有するのでこれら有機溶剤
の一種と次亜塩素酸ナトリウムとの渥合液或いは有機溶
剤の二種以上の混合液と次亜塩素酸ナトリウムとの混合
液が用いられる。その他の溶媒としては水、酸性液体、
アルカリ性液体と有機溶剤の一種以上の混合液、或いは
酸化コバルト水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ３）のような
酸とアルカリ塩の水溶液、或いは塩化ナトリウム（Ｎａ
ＣｆＪ）、塩化カリウム（ＫＣｔＪ＞のような中性液体
も用いることができる。
Ｈ） 、アンモニア水、炭ＦＷ’／−ダ（Ｎａ２Ｃ○３
）の水溶液には次亜塩素酸ナトリウムとＧａＡＳの反応
を制御する効果があるのでこれらアルカリ性液体の一種
と次亜塩素酸ナトリウムとの混合液が用いられる。第四
の溶媒としては有機溶剤が用いられる。次亜塩素酸ナト
リウムはアルコール、アセトン、トリクロルエチレン等
の有機溶剤に溶は易く、又これらの有機溶剤はＧａＡＳ
等のウェハを洗浄する性能を有するのでこれら有機溶剤
の一種と次亜塩素酸ナトリウムとの渥合液或いは有機溶
剤の二種以上の混合液と次亜塩素酸ナトリウムとの混合
液が用いられる。その他の溶媒としては水、酸性液体、
アルカリ性液体と有機溶剤の一種以上の混合液、或いは
酸化コバルト水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ３）のような
酸とアルカリ塩の水溶液、或いは塩化ナトリウム（Ｎａ
ＣｆＪ）、塩化カリウム（ＫＣｔＪ＞のような中性液体
も用いることができる。
尚、本実施例では印字方式としてスタンプ方式と毛筆に
よる千古方式を示したが、その他インクジェット方式を
用いることができる。
よる千古方式を示したが、その他インクジェット方式を
用いることができる。
又ウェハに表示する情報としては絵で表示しても差支え
ない。
ない。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば次のような効果が得ら
れる。
れる。
（１）簡便な方法を用いウェハに鮮明で安定なマーキン
グを行なうことができる。
グを行なうことができる。
（２）製造ブＯセスにおけるウェハの管理が確実となり
素子の品質、歩留りを向上することができる。
素子の品質、歩留りを向上することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化合物半導体ウェハに識別用の文字、数字、記号等
を記入するマーキング方法において、前記マーキング用
インクとして、次亜塩素酸ナトリウムを溶媒に溶かした
溶液を用いることを特徴とする化合物半導体ウェハのマ
ーキング方法。 ２、前記溶媒には、水、酸性液体、アルカリ性液体、有
機溶剤のいづれか一種又は二種以上の混合液が用いられ
る特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体ウェハのマ
ーキング方法。 ３、前記酸性液体は、ふつ化水素、臭化水素、塩化水素
、硫酸、炭酸のいずれか一種又は二種以上の混合液が用
いられる特許請求の範囲第２項記載の化合物半導体ウェ
ハのマーキング方法。 ４、前記酸性液体は、ふつ化水素、臭化水素、塩化水素
、硫酸、炭酸のいずれか一種又は二種以上の混合水溶液
に過酸化水素を混合したものである特許請求の範囲第２
項記載の化合物半導体ウェハのマーキング方法。 ５、前記アルカリ性液体は、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、アンモニア水、炭酸ソーダの水溶液の一種又
は二種以上の混合水溶液である特許請求の範囲第二項記
載の化合物半導体ウェハのマーキング方法。 ６、前記有機溶剤は、アルコール、アセトン、トリクロ
ールエチレンのいずれか一種又は二種以上の混合液であ
る特許請求の範囲第２項記載の化合物半導体ウェハのマ
ーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6761088A JPH079871B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 化合物半導体ウエハのマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6761088A JPH079871B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 化合物半導体ウエハのマーキング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239912A true JPH01239912A (ja) | 1989-09-25 |
| JPH079871B2 JPH079871B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13349884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6761088A Expired - Fee Related JPH079871B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 化合物半導体ウエハのマーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079871B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016161548A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 国立大学法人京都大学 | 探針の製造方法及び探針 |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP6761088A patent/JPH079871B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016161548A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 国立大学法人京都大学 | 探針の製造方法及び探針 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079871B2 (ja) | 1995-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Köhler | Etching in microsystem technology | |
| CN106463382B (zh) | 研磨用组合物 | |
| EP0281115A2 (en) | Etching solution for evaluating crystal faults | |
| KR910010241A (ko) | 노출된 네가티브-작용성 재생층용 현상 농축액, 이로부터 제조된 현상액 및 인쇄형의 제조방법 | |
| CN103666478A (zh) | 一种非离子型低表面张力的酸性氟化铵蚀刻液 | |
| JPH01239912A (ja) | 化合物半導体ウエハのマーキング方法 | |
| TW442559B (en) | Rinsing composition | |
| JP3123563B2 (ja) | 感光性樹脂現像液 | |
| JP3694768B2 (ja) | レーザマーキング方法 | |
| US2463711A (en) | Electrolytic method of etching metals with stencils | |
| TW593765B (en) | Etching method and etching liquid | |
| JP4967681B2 (ja) | 窒化ガリウム基板のマーキング方法 | |
| US9115022B2 (en) | Process to attach thermal stencils to a glass substrate and permanently etch a mark therein | |
| US4308091A (en) | Etching medium and process for the correction of chromed gravure cylinders | |
| US1742710A (en) | Process of transferring subjects to metal surfaces | |
| US2989384A (en) | Method of regenerating a glass etching bath | |
| WO2016108053A1 (en) | Stone engraving process by etching enhanced by computer preparation | |
| US1704523A (en) | Process for the production of printing plates | |
| KR102592072B1 (ko) | 대리석 표면에 구조물을 형성하여 문양을 형성하는 방법 | |
| CN108892101A (zh) | 基于摩擦诱导tmah选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法 | |
| EP0265089A2 (en) | Image deletion fluid for printing plate | |
| WO2024111178A1 (ja) | レーザーマーク付きシリコンウェーハ及びその製造方法 | |
| JPS62104037A (ja) | アルミナ層中に貫通孔を形成する方法 | |
| DE102024200205A1 (de) | Spanneinrichtung zur Aufnahme eines Ingots | |
| US2032816A (en) | Method of making safety paper |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |