JPH01235836A - カソードルミネッセンス測定装置 - Google Patents
カソードルミネッセンス測定装置Info
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- JPH01235836A JPH01235836A JP63060204A JP6020488A JPH01235836A JP H01235836 A JPH01235836 A JP H01235836A JP 63060204 A JP63060204 A JP 63060204A JP 6020488 A JP6020488 A JP 6020488A JP H01235836 A JPH01235836 A JP H01235836A
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Links
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Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分計〉
本発明は半導体結晶等に電子線およびレーザ光線を照射
し、その照射によって生ずる光(ルミネッセンス)のス
ペクトルおよびその強度を測定し、そのスペクトルの成
因である不純物、格子欠陥およびその複合体を同定する
ことによって半導体結晶等の品質を評価する装置に関す
るものである。
し、その照射によって生ずる光(ルミネッセンス)のス
ペクトルおよびその強度を測定し、そのスペクトルの成
因である不純物、格子欠陥およびその複合体を同定する
ことによって半導体結晶等の品質を評価する装置に関す
るものである。
〈従来の技術〉
ルミネッセンススペクトルおよびその強度を測定する方
法の主なものとして、カソードルミネッセンス法とフォ
トルミネッセンス法があるが、それぞれの測定法から得
られる半導体結晶品質の情報はかならずしも一致せず、
むしろカソードルミネッセンス測定のデータとフォトル
ミネッセンス測定のデータは半導体結晶評価において相
補的な関係にある場合もある。このために試料の同じ位
置におけるカソードルミネッセンス測定とフォトルミネ
ッセンス測定が要求されることが多々ある。
法の主なものとして、カソードルミネッセンス法とフォ
トルミネッセンス法があるが、それぞれの測定法から得
られる半導体結晶品質の情報はかならずしも一致せず、
むしろカソードルミネッセンス測定のデータとフォトル
ミネッセンス測定のデータは半導体結晶評価において相
補的な関係にある場合もある。このために試料の同じ位
置におけるカソードルミネッセンス測定とフォトルミネ
ッセンス測定が要求されることが多々ある。
しかしながら、従来の装置では、カソードルミネッセン
ス装置とフォトルミネッセンス装置とは別個の装置とな
っていることが主であり、各測定毎に試料をそれぞれの
装置に設置しなおさなければならず、試料の同じ位置の
判別が煩雑であるという欠点があった。また、カソード
ルミネッセンス装置にレーザ光線を導入して、カソード
ルミネッセンス測定とフォトルミネッセンス測定とを同
時に行う方法も若干試みられているが、ルミネッセンス
光学系とレーザ光線導入光学系とが別々になっているこ
とと、これらの光学系の調整を真空中で行う構成となっ
ていることの理由から、電子線とレーザ光線とを一致さ
せることが困難であるという問題があった。さらには、
真空装置内での空間が少ないという制限のためにレーザ
光線を試料上で100μmφ程度にしか集光することが
できないという欠点があった。すなわち、カソードルミ
ネッセンス測定では、ビームサイズが〜1μmφであり
、レーザ光線の照射領域が電子線の照射領域を含むこと
はあっても、同一場所の測定情報とはいいがたく、同一
場所の情報を得ることが困難であるという問題があった
。
ス装置とフォトルミネッセンス装置とは別個の装置とな
っていることが主であり、各測定毎に試料をそれぞれの
装置に設置しなおさなければならず、試料の同じ位置の
判別が煩雑であるという欠点があった。また、カソード
ルミネッセンス装置にレーザ光線を導入して、カソード
ルミネッセンス測定とフォトルミネッセンス測定とを同
時に行う方法も若干試みられているが、ルミネッセンス
光学系とレーザ光線導入光学系とが別々になっているこ
とと、これらの光学系の調整を真空中で行う構成となっ
ていることの理由から、電子線とレーザ光線とを一致さ
せることが困難であるという問題があった。さらには、
真空装置内での空間が少ないという制限のためにレーザ
光線を試料上で100μmφ程度にしか集光することが
できないという欠点があった。すなわち、カソードルミ
ネッセンス測定では、ビームサイズが〜1μmφであり
、レーザ光線の照射領域が電子線の照射領域を含むこと
はあっても、同一場所の測定情報とはいいがたく、同一
場所の情報を得ることが困難であるという問題があった
。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明はカソードルミネッセンス測定とフォトルミネッ
センス測定とを同一の装置で実現することを特徴とし、
その目的は同一試料の同一場所においてそれぞれのルミ
ネッセンスを独立に、あるいは、同時に測定することに
ある。
センス測定とを同一の装置で実現することを特徴とし、
その目的は同一試料の同一場所においてそれぞれのルミ
ネッセンスを独立に、あるいは、同時に測定することに
ある。
く課題を解決するための手段〉
斯かる目的を達成する本発明の構成は試料に電子線を照
射し、この照射によって生ずるルミネッセンスを測定す
る装置において、前記電子線の照射位置を変位させる電
子線偏向器と、前記ルミネッセンスを焦光する回転楕円
ミラーと、該回転楕円ミラーの第1の焦点において前記
試料3次元的に移動させる保持装置と、前記回転楕円ミ
ラーの第2の焦点位置に着脱自在に設置されるピンホー
ルと、レーザ光の光源及び該レーザ光を前記ピンホール
へ導くミラーと、前記ピンホール内の前記ルミネッセン
スの像を撮影するモニタカメラと、該モニタカメラから
の信号により前記ルミネッセンスの像を表示するディス
プレイと、前記モニタカメラへ前記ルミネッセンスの光
路を切り替える光学素子とからなることを特徴とする。
射し、この照射によって生ずるルミネッセンスを測定す
る装置において、前記電子線の照射位置を変位させる電
子線偏向器と、前記ルミネッセンスを焦光する回転楕円
ミラーと、該回転楕円ミラーの第1の焦点において前記
試料3次元的に移動させる保持装置と、前記回転楕円ミ
ラーの第2の焦点位置に着脱自在に設置されるピンホー
ルと、レーザ光の光源及び該レーザ光を前記ピンホール
へ導くミラーと、前記ピンホール内の前記ルミネッセン
スの像を撮影するモニタカメラと、該モニタカメラから
の信号により前記ルミネッセンスの像を表示するディス
プレイと、前記モニタカメラへ前記ルミネッセンスの光
路を切り替える光学素子とからなることを特徴とする。
く作 用〉
ピンホールを通過したレーザ光は回転楕円ミラーに反射
されて、第1焦点にある試料に照射される。これによっ
て生じるフォトルミネッセンスは、回転楕円ミラーによ
って集光されることになる。
されて、第1焦点にある試料に照射される。これによっ
て生じるフォトルミネッセンスは、回転楕円ミラーによ
って集光されることになる。
〈実 施 例〉
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第1図に本発明の一実施例を示す。同図に示されるよう
に、真空容器1にはターボポンプ、イオンポンプなどの
排気系が付属して高真空となっている。真空容器1内で
は電子銃3より発射された電子gEが電子線光学系4及
び電子レンズ5によって集束され、xYZステージ6に
置かれた試料7にスポット状で照射する。照射位置は電
子線偏向器8によって変位させることができる。また、
xYZステージ6は試料7を3次元的に移動させること
ができる。試料7としては半導体結晶などが使用され、
電子線Eが照射された位置からカソードルミネッセンス
が発生する。乙のカソードルミネッセンスは回転楕円ミ
ラー9により集光され、光学窓10を介して大気中へ導
出される。ここで、回転楕円ミラー9はx−y−zの3
次元座標系において、例文ば下式で与えられろ。
に、真空容器1にはターボポンプ、イオンポンプなどの
排気系が付属して高真空となっている。真空容器1内で
は電子銃3より発射された電子gEが電子線光学系4及
び電子レンズ5によって集束され、xYZステージ6に
置かれた試料7にスポット状で照射する。照射位置は電
子線偏向器8によって変位させることができる。また、
xYZステージ6は試料7を3次元的に移動させること
ができる。試料7としては半導体結晶などが使用され、
電子線Eが照射された位置からカソードルミネッセンス
が発生する。乙のカソードルミネッセンスは回転楕円ミ
ラー9により集光され、光学窓10を介して大気中へ導
出される。ここで、回転楕円ミラー9はx−y−zの3
次元座標系において、例文ば下式で与えられろ。
このようにして与えられる回転楕円ミラー9の1つの焦
点座標は(a−b、o、o)、もう1つの焦点座標は(
a+b、o、o)で、 ある。前者を第1焦点A1後者
を第2焦点Bとする。そして、第1図に示すように、試
料7の表面をX−Y平面とし、その高さ方向をZ方向と
し、更に第1焦点Aに試料7が大まかに一致するように
調整されている。
点座標は(a−b、o、o)、もう1つの焦点座標は(
a+b、o、o)で、 ある。前者を第1焦点A1後者
を第2焦点Bとする。そして、第1図に示すように、試
料7の表面をX−Y平面とし、その高さ方向をZ方向と
し、更に第1焦点Aに試料7が大まかに一致するように
調整されている。
一方、大気中に導出されたカソードルミネッセンスは第
2焦点Bを通過し、レンズ19により収束されて分光器
15に導かれ、検出器16でその強度が測定されること
になる。
2焦点Bを通過し、レンズ19により収束されて分光器
15に導かれ、検出器16でその強度が測定されること
になる。
更に、第2焦点已にピンホール11が着脱自在に設けら
れ、この第2焦点Bとレンズ19との間には切替fi1
2.17が配置される。
れ、この第2焦点Bとレンズ19との間には切替fi1
2.17が配置される。
切替[17はレーザ光発生装置18からのレーザ光りを
第2焦点已に導(一方、切替#112はルミネッセンス
の光路を切り替えて、レンズ20、モニタカメラ13へ
導く。モニタカメラ13はピンホール11内のルミネッ
センスの像を撮影し、ディスプレイ14はその像を表示
する。
第2焦点已に導(一方、切替#112はルミネッセンス
の光路を切り替えて、レンズ20、モニタカメラ13へ
導く。モニタカメラ13はピンホール11内のルミネッ
センスの像を撮影し、ディスプレイ14はその像を表示
する。
上記構成を有する本実施例のカソードルミネッセンス測
定装置は次の様に使用する。
定装置は次の様に使用する。
まず、真空容@1内において、電子線Eを試料7に照射
し、カソードルミネッセンスを発生させ、回転楕円ミラ
ー9により焦光して大気中へ導出する。この時、ピンホ
ール11を取り外して、切替f!12にて光路をモニタ
カメラ13へと切り替えて、モニタカメラ13にてカソ
ードルミネッセンスの像を観察し、その像をディスプレ
イ14に表示する。ここで、電子線偏光器8により照射
位置をXY平面で調整しておらず、試料7をx−y−z
方向に調整していないために、回転楕円ミラー9の第1
焦点Aの位置に試料7の発光点が正確に一致せず、この
ため、ディスプレイ14上に表示されるルミネッセンス
像は点とならず、広がった像となる。そこで、ディスプ
レイ14上のルミネッセンス像が点となるように、電子
線偏光器8を用いて電子線EをXY平面上で調整すると
共にXYZステージ6によゆ試g7をx−y−z方向で
y4整する。このようにして、試料7上のカソードルミ
ネッセンスの発光点を回転楕円ミラー9の第1焦点Aに
正確に一致させる。
し、カソードルミネッセンスを発生させ、回転楕円ミラ
ー9により焦光して大気中へ導出する。この時、ピンホ
ール11を取り外して、切替f!12にて光路をモニタ
カメラ13へと切り替えて、モニタカメラ13にてカソ
ードルミネッセンスの像を観察し、その像をディスプレ
イ14に表示する。ここで、電子線偏光器8により照射
位置をXY平面で調整しておらず、試料7をx−y−z
方向に調整していないために、回転楕円ミラー9の第1
焦点Aの位置に試料7の発光点が正確に一致せず、この
ため、ディスプレイ14上に表示されるルミネッセンス
像は点とならず、広がった像となる。そこで、ディスプ
レイ14上のルミネッセンス像が点となるように、電子
線偏光器8を用いて電子線EをXY平面上で調整すると
共にXYZステージ6によゆ試g7をx−y−z方向で
y4整する。このようにして、試料7上のカソードルミ
ネッセンスの発光点を回転楕円ミラー9の第1焦点Aに
正確に一致させる。
次に、第2焦点已にピンホール11を設置すると共にレ
ーザ光発生装置18から発生したレーザ光りを切替鋺1
7を介してピンホール11に照射する。ピンホール11
を通過したレーザ光りはカソードルミネッセンスと逆の
コースすなわち回転楕円ミラー9を経由して試料7に照
射される。回転楕円ミラー9の光学的特性によれば、一
方の焦点を通過した光線は他方の焦点を通過する。上述
したように電子IIps向M8、xyzステージ6の調
整により回転楕円ミラー9の第1焦点Aにカソードルミ
ネッセンスの発光点を正確に一致させているので、第2
焦点Bに設置されたピンホール11を通過するレーザ光
りは、回転楕円ミラー9の第1焦点Aに位置する試料7
上のカソードルミネッセンスの発光点に正確に照射され
ることになる。
ーザ光発生装置18から発生したレーザ光りを切替鋺1
7を介してピンホール11に照射する。ピンホール11
を通過したレーザ光りはカソードルミネッセンスと逆の
コースすなわち回転楕円ミラー9を経由して試料7に照
射される。回転楕円ミラー9の光学的特性によれば、一
方の焦点を通過した光線は他方の焦点を通過する。上述
したように電子IIps向M8、xyzステージ6の調
整により回転楕円ミラー9の第1焦点Aにカソードルミ
ネッセンスの発光点を正確に一致させているので、第2
焦点Bに設置されたピンホール11を通過するレーザ光
りは、回転楕円ミラー9の第1焦点Aに位置する試料7
上のカソードルミネッセンスの発光点に正確に照射され
ることになる。
しかも、レーザ光りが回転楕円ミラー9により焦光され
て照射されるので、レーザ光のビームサイズが絞られる
。即ち、第1図に示すように、レーザ光綿が第2焦点B
を通過して、回転楕円ミラー9上の0点で反射して、第
1焦点Aの試料に照射される場合、レーザの光路長はA
C+BCで与えられる。ここで、回転楕円ミラー9には
、回転楕円ミラー上のいづれの点において反射してもこ
の光路長は一定2aであるという性質がある。また、像
の倍率は、光路長BCと光路長ACの比であられされる
。すなわち、レーザ光線が反射する0点が第2焦点のB
点より第1焦点のA点の方に近ければ、像はAC/BC
に縮小される。なぜなら、ACくBCであるからである
。
て照射されるので、レーザ光のビームサイズが絞られる
。即ち、第1図に示すように、レーザ光綿が第2焦点B
を通過して、回転楕円ミラー9上の0点で反射して、第
1焦点Aの試料に照射される場合、レーザの光路長はA
C+BCで与えられる。ここで、回転楕円ミラー9には
、回転楕円ミラー上のいづれの点において反射してもこ
の光路長は一定2aであるという性質がある。また、像
の倍率は、光路長BCと光路長ACの比であられされる
。すなわち、レーザ光線が反射する0点が第2焦点のB
点より第1焦点のA点の方に近ければ、像はAC/BC
に縮小される。なぜなら、ACくBCであるからである
。
回転楕円ミラー90反射点Cを第1焦点の直上近傍とす
ると、光路長ACは〜(a”−b”)/a、光路長BC
は〜(a2+b2)/aとなり、第2焦点Bでのレーザ
光りのビームサイズがDのとき、光路長ACは試料上で
のビームサイズは、DX (a”−b2) / (a2
+b2)程度に縮小される。
ると、光路長ACは〜(a”−b”)/a、光路長BC
は〜(a2+b2)/aとなり、第2焦点Bでのレーザ
光りのビームサイズがDのとき、光路長ACは試料上で
のビームサイズは、DX (a”−b2) / (a2
+b2)程度に縮小される。
具体例としてa =115nva、 b=110mなる
数値を有する回転楕円ミラーを用いると、ビームサイズ
の縮小率は〜1/22となり、第2焦点Bでのレーザ光
線のサイズが100μmφの場合、試料上では約4.5
μmφに絞ることができる。第2図は試料上でのレーザ
光のサイズを測定した実施例である。回転楕円ミラーの
設計値は、a=115nm、 b=110mであり、第
2焦点でのレーザ光の直径は約300μmである。試料
の端付近で試料を移動させながらフォトルミネッセンス
強度を測定したものであり、試料からレーザ光がずれる
と7オトルミネツセンスの強度が大きく低下するからレ
ーザ光のサイズは約12μmφと見積ることができろ。
数値を有する回転楕円ミラーを用いると、ビームサイズ
の縮小率は〜1/22となり、第2焦点Bでのレーザ光
線のサイズが100μmφの場合、試料上では約4.5
μmφに絞ることができる。第2図は試料上でのレーザ
光のサイズを測定した実施例である。回転楕円ミラーの
設計値は、a=115nm、 b=110mであり、第
2焦点でのレーザ光の直径は約300μmである。試料
の端付近で試料を移動させながらフォトルミネッセンス
強度を測定したものであり、試料からレーザ光がずれる
と7オトルミネツセンスの強度が大きく低下するからレ
ーザ光のサイズは約12μmφと見積ることができろ。
この値は設計値にほぼ一致する。これより、従来は、真
空装置1内での空間的な制限のためにレーザ光りを試料
上で100μmφ程度にしか絞れなかったのに対して、
本発明によれば、回転楕円ミラー9の設計によってレー
ザ光りを10μmφ程度に容易に絞れるという利点があ
る。
空装置1内での空間的な制限のためにレーザ光りを試料
上で100μmφ程度にしか絞れなかったのに対して、
本発明によれば、回転楕円ミラー9の設計によってレー
ザ光りを10μmφ程度に容易に絞れるという利点があ
る。
また、カソードルミネッセンスの測定に際してレーザ光
りを同時に照射することによって、試料7である半導体
結晶中に過剰の電子・正孔を発生させ、特に、半絶縁性
結晶試料のカソードルミネッセンス強度を増すという利
点があり、レーザ光りの光量を変えてカソードルミネッ
センスを測定することができるという利点がある。さら
に、フォトルミネッセンスの測定に際して電子!!i+
Eを同時に照射し、電子の加速エネルギーを変えてフォ
トルミネッセンスを測定することによって、電子線照射
下の試料の劣化プロセスをリアルタイムで解析できる利
点がある。
りを同時に照射することによって、試料7である半導体
結晶中に過剰の電子・正孔を発生させ、特に、半絶縁性
結晶試料のカソードルミネッセンス強度を増すという利
点があり、レーザ光りの光量を変えてカソードルミネッ
センスを測定することができるという利点がある。さら
に、フォトルミネッセンスの測定に際して電子!!i+
Eを同時に照射し、電子の加速エネルギーを変えてフォ
トルミネッセンスを測定することによって、電子線照射
下の試料の劣化プロセスをリアルタイムで解析できる利
点がある。
尚、フォトルミネッセンスの測定はカソードルミネッセ
ンスの測定と同様に行う。即ちレーザ光りの照射により
生じたフォトルミネッセンスを回転楕円ミラー9により
集光し光学窓10を介して大気中へ導出し、第2焦点B
に焦束させる。次に、切替鏡12を介してモニタカメラ
13を用いて直接撮影し、その像をディスプレイ14に
表示する。ここで、切替鏡15を調整して電子線Eによ
る発光の位置とレーザ光Rによる発光の位置とを一致さ
せる。その後、試料上での電子線Eの照射位置とレーザ
光りの照射位置とを一致させた後、切替鏡12を取り外
して、それぞれのルミネッセンスを分光器15に導入し
、検出器16でその強度を測定する。
ンスの測定と同様に行う。即ちレーザ光りの照射により
生じたフォトルミネッセンスを回転楕円ミラー9により
集光し光学窓10を介して大気中へ導出し、第2焦点B
に焦束させる。次に、切替鏡12を介してモニタカメラ
13を用いて直接撮影し、その像をディスプレイ14に
表示する。ここで、切替鏡15を調整して電子線Eによ
る発光の位置とレーザ光Rによる発光の位置とを一致さ
せる。その後、試料上での電子線Eの照射位置とレーザ
光りの照射位置とを一致させた後、切替鏡12を取り外
して、それぞれのルミネッセンスを分光器15に導入し
、検出器16でその強度を測定する。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明のカソードルミネッセンス
測定装置においてはルミネッセンス集光用の回転楕円ミ
ラーをレーザ光線の集光系としても共用し、電子線およ
びレーザ光綿それぞれの発光点をモニタカメラでIII
潤する構造となっているために、電子線の照射位置とレ
ーザ光線の照射位置を切替え鏡の調整だけで容易に一致
させろことができる。よって、電子線照射で生ずるカソ
ードルミネッセンスとレーザ光線照射で生ずるフォトル
ミネッセンスとを同一試料の同一点において測定するこ
とができるという利点がある。尚、切替$3112に代
、えてハーフミラ−を使用するようにしても良い。
測定装置においてはルミネッセンス集光用の回転楕円ミ
ラーをレーザ光線の集光系としても共用し、電子線およ
びレーザ光綿それぞれの発光点をモニタカメラでIII
潤する構造となっているために、電子線の照射位置とレ
ーザ光線の照射位置を切替え鏡の調整だけで容易に一致
させろことができる。よって、電子線照射で生ずるカソ
ードルミネッセンスとレーザ光線照射で生ずるフォトル
ミネッセンスとを同一試料の同一点において測定するこ
とができるという利点がある。尚、切替$3112に代
、えてハーフミラ−を使用するようにしても良い。
第1図は本発明の一実施例を示す説明図、第2図は移動
距離とフォトルミネッセンス強度の関係を示すグラフで
ある。 図面中、1は真空容器、2は排気系、3は電子銃、4は
電子線光学系、5は電子レンズ、6はxyzステージ、
7は試料、8は電子線偏向器、9は回転楕円ミラー、1
0は光学用窓、12は切替鏡またはハーフミラ−113
はモニタカメラ、14はディスプレイ、18はレーザ光
線発生装置、17は切替鏡、11はピンホール、15は
分光器、16は検出器、Aは第1焦点、Bは第2焦点、
Eは電子線、Lはレーザ光である。 待 許 出 願 人 日本電信電話株式会社 代 理 人
距離とフォトルミネッセンス強度の関係を示すグラフで
ある。 図面中、1は真空容器、2は排気系、3は電子銃、4は
電子線光学系、5は電子レンズ、6はxyzステージ、
7は試料、8は電子線偏向器、9は回転楕円ミラー、1
0は光学用窓、12は切替鏡またはハーフミラ−113
はモニタカメラ、14はディスプレイ、18はレーザ光
線発生装置、17は切替鏡、11はピンホール、15は
分光器、16は検出器、Aは第1焦点、Bは第2焦点、
Eは電子線、Lはレーザ光である。 待 許 出 願 人 日本電信電話株式会社 代 理 人
Claims (1)
- 試料に電子線を照射し、この照射によって生ずるルミネ
ッセンスを測定する装置において、前記電子線の照射位
置を変位させる電子線偏向器と、前記ルミネッセンスを
焦光する回転楕円ミラーと、該回転楕円ミラーの第1の
焦点において前記試料3次元的に移動させる保持装置と
、前記回転楕円ミラーの第2の焦点位置に着脱自在に設
置されるピンホールと、レーザ光の光源及び該レーザ光
を前記ピンホールへ導くミラーと、前記ピンホール内の
前記ルミネッセンスの像を撮影するモニタカメラと、該
モニタカメラからの信号により前記ルミネッセンスの像
を表示するディスプレイと、前記モニタカメラへ前記ル
ミネッセンスの光路を切り替える光学素子とからなるこ
とを特徴とするカソードルミネッセンス測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63060204A JP2602523B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | カソードルミネッセンス測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63060204A JP2602523B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | カソードルミネッセンス測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01235836A true JPH01235836A (ja) | 1989-09-20 |
JP2602523B2 JP2602523B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=13135386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63060204A Expired - Fee Related JP2602523B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | カソードルミネッセンス測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2602523B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03115957A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Hitachi Ltd | ルミネッセンス測定装置 |
JPH0621189A (ja) * | 1991-10-04 | 1994-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 材料の損傷の評価方法 |
JP2011069719A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Horiba Ltd | 光検出装置及び光伝送装置 |
CN112697831A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 加坦公司 | 对准阴极发光光学器件的***和方法 |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP63060204A patent/JP2602523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH03115957A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Hitachi Ltd | ルミネッセンス測定装置 |
JPH0621189A (ja) * | 1991-10-04 | 1994-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 材料の損傷の評価方法 |
JP2011069719A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Horiba Ltd | 光検出装置及び光伝送装置 |
CN112697831A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 加坦公司 | 对准阴极发光光学器件的***和方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2602523B2 (ja) | 1997-04-23 |
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