JPH01227460A - Package for electronic component - Google Patents
Package for electronic componentInfo
- Publication number
- JPH01227460A JPH01227460A JP63053324A JP5332488A JPH01227460A JP H01227460 A JPH01227460 A JP H01227460A JP 63053324 A JP63053324 A JP 63053324A JP 5332488 A JP5332488 A JP 5332488A JP H01227460 A JPH01227460 A JP H01227460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- package
- boron nitride
- outside
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、発熱する半導体素子等の電子部品を収納する
電子部品用パッケージに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a package for electronic components that houses electronic components such as semiconductor elements that generate heat.
［従来の技術］
近時、半導体素子等の電子部品は、高集積化、高密度化
に伴って、発熱量も多くなり、該発熱する電子部品を収
納する熱放散性の良い電子部品用パブケージの需要が益
々高まりつつある。[Prior Art] Recently, as electronic components such as semiconductor devices have become highly integrated and dense, they generate more heat. The demand for is increasing.
この熱放散性の良い電子部品用パッケージとしそ、従来
、半導体素子等の電子部品を搭載する金属製のステージ
の一部がパッケージ外部に露出した構造の、即ちステー
ジの一部が電子部品が発する熱をパッケージ外部に放散
させるヒートシンクを兼ねた構造のパッケージがある。Conventionally, this package for electronic components with good heat dissipation properties has a structure in which a part of the metal stage on which electronic components such as semiconductor elements are mounted is exposed to the outside of the package. Some packages have a structure that also functions as a heat sink to dissipate heat to the outside of the package.
この従来のパッケージのヒートシンクは、一般に、モリ
ブデン、銅、銅−タングステン合金、またはそれらを組
み合わせた熱放散性の良い金属を用いて構成しである。The heat sink of this conventional package is generally constructed using a metal with good heat dissipation properties such as molybdenum, copper, copper-tungsten alloy, or a combination thereof.
そして、上記ヒートシンク表面には、該表面の耐食性を
向上させるために、通常金めつきが施しである。The surface of the heat sink is usually plated with gold in order to improve the corrosion resistance of the surface.
これは、半導体素子等の電子部品をパッケージ内部の上
記ヒートシンクを兼ねたステージ上にボンディングする
際等に、ヒートシンクを４００℃以上に加熱する必要が
あり、そうした場合に、パッケージ外部に露出したヒー
トシンク表面が酸化して腐食するからである。This is because when bonding electronic components such as semiconductor elements to the above-mentioned stage that also serves as a heat sink inside a package, it is necessary to heat the heat sink to a temperature of 400°C or higher. This is because it oxidizes and corrodes.
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、上記モリブデン等からなる金属製のヒートシ
ンクは導電体であるとともに、該ヒートシンク表面に施
した金めつきも導電体である。[Problems to be Solved by the Invention] Incidentally, the metal heat sink made of molybdenum or the like is a conductor, and the gold plating applied to the surface of the heat sink is also a conductor.
従って、上記従来のパッケージにおいては、パッケージ
内部の電子部品を搭載する上記ヒートシンクを兼ねたス
テージが、パッケージ外部に露出したヒートシンクと該
ヒートシンク表面に施した金めつきとを介して、パッケ
ージ外部と直接に電気的に導通した状態にある。Therefore, in the above-mentioned conventional package, the stage that also serves as a heat sink on which electronic components are mounted inside the package is directly connected to the outside of the package via the heat sink exposed outside the package and the gold plating applied to the surface of the heat sink. is in a state of electrical continuity.
そのため、上記ヒートシンクを備えたパッケージ内部の
ステージ上に電子部品を搭載した装置においては、その
ハンドリングや取り扱い時に、上記パッケージ内部のス
テージ上に搭載した電子部品が、パッケージ外部から静
電気や電気的雑音の悪影響を直接に受けて極端な場合は
破壊したり等した。Therefore, in a device that has electronic components mounted on a stage inside a package equipped with the heat sink, during handling, the electronic components mounted on the stage inside the package are exposed to static electricity and electrical noise from outside the package. In extreme cases, they were directly affected and even destroyed.
なお、上記金属製のヒートシンクの難点を除去したもの
として、従来より、ヒートシンクに絶縁性等のある非金
属製の熱伝導率の大きなシリコンカーバイト（Ｓ ｉ
Ｃ） 、窒化アルミニウム（ＡｔＮ）、ベリリア（Ｂｅ
ｄ）等のセラミックを用いたパッケージがある。In addition, as a heat sink that eliminates the drawbacks of the metal heat sinks mentioned above, silicon carbide (S i
C), aluminum nitride (AtN), beryllia (Be
There are packages using ceramics such as d).
しかしながら、上記シリコンカーバイト、窒化アルミニ
ウム、ベリリア等のセラミックからなるヒートシンクは
、アルミナセラミックのようにグリーンシートを用いて
積層して焼成するセラミック等のパッケージ本体と同時
に焼成することは難しく、手数のかかる粉末成形法等を
用いてパッケージ本体と別個に成形して焼成し、パッケ
ージ本体に接合する必要がある。However, heat sinks made of ceramics such as silicon carbide, aluminum nitride, and beryllia are difficult to fire at the same time as the package body, which is made of ceramics such as alumina ceramics, which are laminated using green sheets and fired. It is necessary to mold and bake it separately from the package body using a powder molding method or the like, and then bond it to the package body.
また、シリコンカーバイトは絶縁体でないため、該シリ
コンカーバイトからなるヒートシンクを備えたパッケー
ジは、上述従来の金属製のヒートシンクを備えたパッケ
ージと同様に、パブケージ外部から静電気や電気的雑音
がヒートシンクを介してパッケージ内部に侵入するのを
的確に防止できない。Furthermore, since silicon carbide is not an insulator, a package equipped with a heat sink made of silicon carbide is susceptible to static electricity and electrical noise from outside the package, similar to the package equipped with a conventional metal heat sink. It is not possible to accurately prevent intrusion into the package via the
さらに、ベリリアは毒性が強くその取り扱いに注意が必
要であるとともに、入手困難であり、工業的使用には適
さない。Furthermore, beryllia is highly toxic, requires careful handling, and is difficult to obtain, making it unsuitable for industrial use.
そのため、上記シリコンカーバイト等のセラミックから
なるヒートシンクを用いたパッケージは、既述の金属製
のヒートシンクを用いたパッケージに比べて、製作に手
数のかかる高価なものとなってしまう。Therefore, a package using a heat sink made of ceramic such as silicon carbide is more expensive and requires more effort to manufacture than a package using a metal heat sink as described above.
本発明は、かかる問題点を解消するためになされたもの
で、その目的は、ヒートシンクを介してパッケージ外部
からその内部に静電気や電気的雑音が侵入することのな
い、耐食性に優れるとともに、熱放散性に優れた、安価
な金属製のヒートシンクを備えた電子部品用パッケージ
を提供することにある。The present invention has been made to solve these problems, and its purpose is to prevent static electricity and electrical noise from entering the package from the outside through the heat sink, to provide excellent corrosion resistance, and to dissipate heat. An object of the present invention is to provide a package for electronic components equipped with an inexpensive metal heat sink having excellent properties.
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明の電子部品用パッケ
ージは、第１図にその構成例を示したように、電子部品
１が発する熱を外部に放散させる金属製のヒートシンク
２を倫えたパッケージ３において、上記パブケージ３外
部に露出したヒートシンク２表面を、窒化ホウ素または
窒化アルミニウムの被膜４で覆ったことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the electronic component package of the present invention, as shown in FIG. In the package 3 equipped with a metal heat sink 2, the surface of the heat sink 2 exposed to the outside of the pub cage 3 is covered with a coating 4 of boron nitride or aluminum nitride.
［作用］
本発明の電子部品用パッケージにおいては、パッケージ
３外部に露出した導電体である金属製のヒートシンク２
表面を覆う絶縁体である窒化ホウ素（ＢＮ）または窒化
アルミニウム（Ａ Ｉ Ｎ）の被膜４が、パッケージ３
内部の電子部品ｌを搭載したステージ５とパッケージ３
外部とのヒートシンク２を介しての電気的導通を遮断す
る。[Function] In the electronic component package of the present invention, the metal heat sink 2 is a conductor exposed outside the package 3.
A coating 4 of boron nitride (BN) or aluminum nitride (AIN), which is an insulator covering the surface of the package 3,
Stage 5 and package 3 with internal electronic components
Electrical continuity with the outside via the heat sink 2 is cut off.
また、ヒートシンク２表面を覆う耐酸化性に優れた窒化
ホウ素または窒化アルミニウムの被膜４が、ステージ５
上に電子部品ｌをボンディングする際の熱等で、パッケ
ージ３外部に露出したヒートシンク２表面が酸化して腐
食するのを防ぐ。In addition, a coating 4 of boron nitride or aluminum nitride with excellent oxidation resistance that covers the surface of the heat sink 2 is provided on the stage 5.
This prevents the surface of the heat sink 2 exposed to the outside of the package 3 from being oxidized and corroded due to heat generated when electronic components 1 are bonded thereon.
さらに、ヒートシンク２表面を覆う窒化ホウ素または窒
化アルミニウムの被膜４は、熱伝導性が優れており、該
被膜４でヒートシンク２表面を覆っても、ヒートシンク
２の熱放散性が損なわれることはほとんどない。Furthermore, the coating 4 of boron nitride or aluminum nitride that covers the surface of the heat sink 2 has excellent thermal conductivity, and even if the surface of the heat sink 2 is covered with the coating 4, the heat dissipation performance of the heat sink 2 is hardly impaired. .
［実施例コ 次に、本発明の実施例を図面に従い説明する。[Example code] Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の電子部品用パッケージの好適な実施例
を示し、詳しくは該パッケージの使用状態を示す断面図
である。以下、上記図中の実施例を説明する。FIG. 1 shows a preferred embodiment of the electronic component package of the present invention, and in detail is a sectional view showing how the package is used. The embodiment shown in the above figure will be described below.
図において、６は、アルミナセラミックのグリーンシー
トを積層して焼成した、キャビティダウン型のセラミッ
クのパッケージ本体である。In the figure, numeral 6 indicates a cavity-down type ceramic package body made by laminating and firing alumina ceramic green sheets.
このパッケージ本体６は、その内部に下方に開口した半
導体素子を収容するキャビティ７を備え、該キャビティ
７周囲のパッケージ本体６下面に上記キャビテイ７上面
を覆うキャブ１８周囲を係止させる段差部９を備えてい
る。The package body 6 has a cavity 7 opening downward to accommodate the semiconductor element therein, and a stepped portion 9 on the lower surface of the package body 6 around the cavity 7 for locking the periphery of a cab 18 covering the upper surface of the cavity 7. We are prepared.
また、キャビテイ７底面中央に、パッケージ本体６外部
に通ずる透孔！０が穿設してあり、該透孔１０表面をパ
ッケージ本体６外部からステージ５を兼ねたモリブデン
等からなる板状をした金属製のヒートシンク２で覆っで
ある。In addition, there is a through hole in the center of the bottom of the cavity 7 that leads to the outside of the package body 6! The surface of the through hole 10 is covered with a plate-shaped metal heat sink 2 made of molybdenum or the like which also serves as a stage 5 from the outside of the package body 6.
さらに、上記パッケージ本体６の内外に亙って、その内
側端部が上記透孔１０周囲のキャビテイ７底□面に露出
し、その外側端部がパッケージ本体６下面に露出した、
内部リードＩＩが備えである二そして、上記パッケージ
本体６下面に露出した内部リード１１端部に、外部リー
ド１２が接続しである。Furthermore, the inner and outer ends of the package main body 6 are exposed to the bottom surface of the cavity 7 around the through hole 10, and the outer ends thereof are exposed to the lower surface of the package main body 6.
The inner leads II are provided, and the outer leads 12 are connected to the ends of the inner leads 11 exposed on the lower surface of the package body 6.
以上は、従来のビートシンクを備えたキャビティダウン
型のパブケージと同様であるが、本発明のパッケージで
は、パッケージ３′外部に露出した金属製のヒートシン
ク２表面を、５０μｍ以下の薄い窒化ホウ素（ＢＮ）ま
たは窒化アルミニウム（Ａ Ｉ Ｎ）の被膜４で覆っで
ある。The above is similar to the conventional cavity-down type pub cage equipped with a beat sink, but in the package of the present invention, the surface of the metal heat sink 2 exposed outside the package 3' is made of thin boron nitride (BN) with a thickness of 50 μm or less. ) or covered with a coating 4 of aluminum nitride (AIN).
ここで、上記ヒートシンク２表面を窒化ホウ素の被膜４
で覆うには、窒化ホウ素のコーティング剤の例えば電気
化学工業型のデンカボロンナイトライドロコート（商標
）等をスプレー状に塗布した後、ヒートシンク２を窒素
雰囲気下にある００℃の高温炉内にｌＯ分間装いて上記
塗布したコーティング剤をヒートシンク２表面に焼き付
けるようにする。Here, the surface of the heat sink 2 is coated with a boron nitride coating 4.
To coat the heat sink 2 with a nitrogen atmosphere, the heat sink 2 is placed in a high-temperature furnace at 00°C under a nitrogen atmosphere after spraying a boron nitride coating such as Denka Boron Nitride Drocoat (trademark) manufactured by Denki Kagaku Kogyo. The applied coating agent is baked onto the surface of the heat sink 2 by heating for 10 minutes.
なおここで、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）等により、ヒ
ートシンク２表面を熱伝導率の優れた立方晶窒化ホウ素
の被膜４で覆えば、ヒートシンク２表面の熱放散性が上
記窒化ホウ素の被膜４で覆うより良好となって良い。Here, if the surface of the heat sink 2 is covered with a coating 4 of cubic boron nitride having excellent thermal conductivity by CVD (chemical vapor deposition) or the like, the heat dissipation property of the surface of the heat sink 2 will be equal to that of the boron nitride coating. This may be better than covering with 4.
また、上記ヒートシンク２表面を窒化アルミニウムの被
膜４で覆うには、上記ＣＶＤ法またはＭＢＥ法（分子線
成長法）等により、ヒートシンク２表面を窒化アルミニ
ウムの薄い被膜４で覆うようにする。Further, in order to cover the surface of the heat sink 2 with the aluminum nitride film 4, the heat sink 2 surface is covered with the thin aluminum nitride film 4 by the above-mentioned CVD method, MBE method (molecular beam growth method), or the like.
第１図に示した電子部品用パッケージは、以上のように
構成したものである。The electronic component package shown in FIG. 1 is constructed as described above.
次に、その使用例を説明する。Next, an example of its use will be explained.
同じ第１図に示したように、パッケージ本体６下面から
パッケージ本体のキャビティ７内に半導体素子等の電子
部品ｌを収容するとともに、上記キャビテイ７内底面の
透孔１０内に露出したヒートシンクを兼ねたステージ５
上に上記電子部品ｌをボンディングする。As shown in the same FIG. 1, an electronic component l such as a semiconductor element is housed in a cavity 7 of the package body from the bottom surface of the package body 6, and also serves as a heat sink exposed in a through hole 10 in the inner bottom surface of the cavity 7. stage 5
The above electronic component 1 is bonded on top.
そして、キャビティ７内のステージ５上に搭載した電子
部品の電極１ａとキャビテイ７内底面に露出した内部リ
ード１１端部とを、ワイヤ１３で接続する。Then, the electrode 1a of the electronic component mounted on the stage 5 inside the cavity 7 and the end portion of the internal lead 11 exposed on the inner bottom surface of the cavity 7 are connected by a wire 13.
その後、キャビテイ７上面を板状をしたキャップ８で覆
うとともに、キャブ１８周囲をキャビティ７周囲のパッ
ケージ本体の段差部９に係止させた状態に取着する。Thereafter, the upper surface of the cavity 7 is covered with a plate-shaped cap 8, and the periphery of the cab 18 is attached to the stepped portion 9 of the package body around the cavity 7.
すると、外部リード１２に電気信号を流すと、該信号が
パッケージ本体の内部リードｌ１１該内部リードＩ！と
ワイヤ１３で接続したキャビティ７内のステージ５上の
電子部品の電極１’ａに伝わり、上記電気信号でキャビ
ティ７内に収納した電子部品ｌを動作させることができ
る。Then, when an electric signal is applied to the external lead 12, the signal is transmitted to the internal lead l11 of the package body. The electric signal is transmitted to the electrode 1'a of the electronic component on the stage 5 in the cavity 7, which is connected with the wire 13, and the electronic component l housed in the cavity 7 can be operated by the electric signal.
上記キャビティダウン型のパッケージ３内部に電子部品
！を収納した装置においては、パッケージ３外部に露出
したヒートシンク２表面を絶縁体である窒化ホウ素また
は窒化アルミニウムの被膜４で覆っであるため、該装置
のハンドリングや取り扱い時に、パッケージ３外部から
上記ヒートシンク２を介して静電気や電気的雑音がパッ
ケージ３内部に侵入して、ヒートシンク２を兼ねたステ
ージ５上に搭載した電子部品ｌに悪影響を与えることが
ない。Electronic components inside the cavity-down type package 3 above! In a device containing a heat sink 2, the surface of the heat sink 2 exposed to the outside of the package 3 is covered with a coating 4 of boron nitride or aluminum nitride, which is an insulator. Static electricity and electrical noise will not enter the inside of the package 3 through the heat sink 2 and will not have an adverse effect on the electronic components 1 mounted on the stage 5 which also serves as the heat sink 2.
また、上述実施例の表面を窒化ホウ素の被膜°４で覆っ
たヒートシンク２を、電子部品１をボンディングする際
に該ヒートシンク２に加える温度とほぼ同じ５００℃前
後の高温炉内に１００分間晒たところ、上記窒化ホウ素
の被膜４で覆ったヒートシンク２表面に全く変化が見ら
れず、上記窒化ホウ素の被膜４で覆ったヒートシンク２
表面が十分な耐食性のあることが確認された。In addition, the heat sink 2 of the above-mentioned example whose surface was covered with a boron nitride film 4°C was exposed for 100 minutes in a high-temperature furnace at approximately 500°C, which is approximately the same temperature applied to the heat sink 2 when bonding the electronic component 1. However, no change was observed on the surface of the heat sink 2 covered with the boron nitride film 4;
It was confirmed that the surface had sufficient corrosion resistance.
ちなみに、表面にモリブデン等の金属素材が直接に露出
したヒートシンク２は、４００℃前後の高温炉内に１分
間晒しただけで、その表面が酸化してその表面に多数腐
食した箇所が見られた。By the way, heat sink 2, which has metal materials such as molybdenum directly exposed on its surface, was exposed to a high-temperature furnace at around 400 degrees Celsius for just one minute, and the surface oxidized and many corroded spots were seen on the surface. .
なお、上記窒化ホウ素または窒化アルミニウムの被膜４
はその体積固有抵抗値がｔｏ”Ω・ｃｍ以上あり、上述
実施例の窒化ホウ素または窒化アルミニウムの被膜４で
覆ったヒートシンク２表面は十分な絶縁性がある。Note that the boron nitride or aluminum nitride coating 4
has a volume resistivity value of to'' Ω·cm or more, and the surface of the heat sink 2 covered with the boron nitride or aluminum nitride coating 4 of the above embodiment has sufficient insulation.
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の電子部品用パッケージに
おいては、パッケージ外部に露出した金属製のヒートシ
ンク表面を覆う窒化ホウ素または窒化アルミニウムの被
膜が、パッケージ外部からヒートシンクを介してパッケ
ージ内部のステージ上に搭載した電子部品に静電気や電
気的雑音が侵入して悪影響を５えるのを的確に遮断する
。[Effects of the Invention] As explained above, in the electronic component package of the present invention, the boron nitride or aluminum nitride film that covers the surface of the metal heat sink exposed to the outside of the package is applied to the package from outside the package through the heat sink. To accurately block static electricity and electrical noise from entering electronic components mounted on an internal stage and causing negative effects.
また、上記金属製のヒートシンク表面を覆う窒化ホウ素
または窒化アルミニウムの被膜が、パッケージ内部のス
テージ上に電子部品をボンディングする際に加える熱等
で、上記ヒートシンク表面が酸化して腐食するのを的確
に防ぐ。In addition, the boron nitride or aluminum nitride coating that covers the surface of the metal heat sink accurately prevents the heat sink surface from oxidizing and corroding due to the heat applied when bonding electronic components to the stage inside the package. prevent.
さらに、上記ヒートシンク表面を熱伝導性の良い窒化ホ
ウ素または窒化アルミニウムの被膜で覆うようにしたた
め、ヒートシンクの熱放散性が上記窒化ホウ素または窒
化アルミニウムの被膜によりほとんど損なわれることが
ない。Further, since the surface of the heat sink is covered with a film of boron nitride or aluminum nitride having good thermal conductivity, the heat dissipation performance of the heat sink is hardly impaired by the film of boron nitride or aluminum nitride.
そのため、本発明によれば、パッケージ外部から静電気
や電気的雑音がヒートシンクを介してパッケージ内部に
侵入して、パッケージ内部に収納した電子部品に悪影響
を与えることがない、耐食性に優れるとともに熱放散性
に優れた電子部品用パッケージを提供できる。Therefore, according to the present invention, static electricity and electrical noise from outside the package do not enter the inside of the package through the heat sink and have an adverse effect on the electronic components housed inside the package, and it has excellent corrosion resistance and heat dissipation. We can provide excellent packages for electronic components.
第１図は、本発明の電子部品用パッケージの使用状態を
示す断面図である。
■・・電子部品、 ２・・ヒートシンク、３・・パッ
ケージ、
４・・窒化ホウ素または窒化アルミニウムの被膜、５・
・ステージ、 ６・・パッケージ本体、７・・キャビテ
ィ、 ８・・キャップ、１１・・内部リード、 Ｉ
２・・外部リード。
特許出願人 新光電気工業株式会社FIG. 1 is a sectional view showing how the electronic component package of the present invention is used. ■...Electronic component, 2...Heat sink, 3...Package, 4...Boron nitride or aluminum nitride coating, 5...
・Stage, 6..Package body, 7..Cavity, 8..Cap, 11..Internal lead, I
2. External lead. Patent applicant Shinko Electric Industry Co., Ltd.
Claims (1)
ートシンクを備えたパッケージにおいて、上記パッケー
ジ外部に露出したヒートシンク表面を、窒化ホウ素また
は窒化アルミニウムの被膜で覆ったことを特徴とする電
子部品用パッケージ。1. For electronic components, in a package equipped with a metal heat sink that dissipates heat generated by the electronic component to the outside, the surface of the heat sink exposed to the outside of the package is covered with a film of boron nitride or aluminum nitride. package.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63053324A JPH01227460A (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Package for electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63053324A JPH01227460A (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Package for electronic component |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227460A true JPH01227460A (en) | 1989-09-11 |
Family
ID=12939539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63053324A Pending JPH01227460A (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Package for electronic component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01227460A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05211254A (en) * | 1991-04-09 | 1993-08-20 | Digital Equip Corp <Dec> | Semiconductor package integrated with heat sink |
| US6255719B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-07-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including thermal neutron absorption material |
| JP2012222000A (en) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Toyota Motor Corp | Semiconductor module and manufacturing method of the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53117386A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Sindered body for heat and sink production of the same |
| JPS6214445A (en) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Composite material for electronic part |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63053324A patent/JPH01227460A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53117386A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Sindered body for heat and sink production of the same |
| JPS6214445A (en) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Composite material for electronic part |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05211254A (en) * | 1991-04-09 | 1993-08-20 | Digital Equip Corp <Dec> | Semiconductor package integrated with heat sink |
| US6255719B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-07-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including thermal neutron absorption material |
| KR100326221B1 (en) * | 1998-06-05 | 2002-02-27 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | Semiconductor device |
| JP2012222000A (en) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Toyota Motor Corp | Semiconductor module and manufacturing method of the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5939214A (en) | Thermal performance package for integrated circuit chip | |
| KR910007016B1 (en) | Components for semiconductor | |
| EP0435603B1 (en) | RF transistor package and mounting pad | |
| JPH01227460A (en) | Package for electronic component | |
| JPH10284643A (en) | Substrate for semiconductor device | |
| JP2757570B2 (en) | Mounting structure of metal substrate | |
| JP2650044B2 (en) | Connection structure between components for semiconductor devices | |
| JPH1140223A (en) | Airtight terminal and its forming method | |
| JPS6346755A (en) | Insulating mold type semiconductor device | |
| JPH0265158A (en) | Metallic cap for ic package | |
| JPS62291158A (en) | Ic package | |
| JP3165559B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPS6142429B2 (en) | ||
| JP3792561B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JPS6057635A (en) | Semiconductor device | |
| JP3971592B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JPH0538897U (en) | Electronic parts storage package | |
| JP3752447B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JPS6340333A (en) | Semiconductor device | |
| JP3752440B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JPS60107845A (en) | Circuit substrate for semiconductor | |
| JPS63301549A (en) | Package for containing semiconductor element | |
| JPS59115544A (en) | Semiconductor element mounting substrate | |
| JPH04116960A (en) | Semiconductor circuit device | |
| JPH04325482A (en) | Method for metallizing aluminum nitride substrate |