JPH01224726A - 液晶表示用アクティブマトリクス素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示用アクティブマトリクス素子の製造方法Info
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- JPH01224726A JPH01224726A JP63051879A JP5187988A JPH01224726A JP H01224726 A JPH01224726 A JP H01224726A JP 63051879 A JP63051879 A JP 63051879A JP 5187988 A JP5187988 A JP 5187988A JP H01224726 A JPH01224726 A JP H01224726A
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Landscapes
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、走査線とデータ線の間に逆並列接続したアモ
ルファスシリコン (以下a −3tと記ス)ダイオー
ドが液晶駆動用tBiと直列に接続された液晶テレビな
どのための液晶表示用アクティブマトリクス素子の製造
方法に関する。
ルファスシリコン (以下a −3tと記ス)ダイオー
ドが液晶駆動用tBiと直列に接続された液晶テレビな
どのための液晶表示用アクティブマトリクス素子の製造
方法に関する。
液晶テレビの画質を向上させるために、a −3tトラ
ンジスタまたはダイオードを用いたアクティブマトリク
ス駆動の液晶テレビの開発が行われ、製品が市場に出回
りつつある。この種の装置のうちで、ダイオードを用い
るタイプのものは、工程数が少なく低コスト比が容品で
あり、またダイオードを逆並列接続してリングダイオー
ド構成とすt・ るため、安定性にすぐれているという特徴がある。
ンジスタまたはダイオードを用いたアクティブマトリク
ス駆動の液晶テレビの開発が行われ、製品が市場に出回
りつつある。この種の装置のうちで、ダイオードを用い
るタイプのものは、工程数が少なく低コスト比が容品で
あり、またダイオードを逆並列接続してリングダイオー
ド構成とすt・ るため、安定性にすぐれているという特徴がある。
第2図にダイオードを用いたアクティブマトリクス型液
晶表示装置の等価回路図を示す、それぞれ別のガラス基
板に形成された走査411とデータ線2はマトリクス状
をなし、マトリクス走査駆動をすることにより交点に存
在する液晶4を電気的に順次111Mしていくものであ
る。アクティブマトリクス素子は、交点となる液晶駆動
用電極と走査線!の間にそれぞれ数個直列に接続したダ
イオードを並列に接続し、リングダイオード3を形成し
たものを介在させたものである。
晶表示装置の等価回路図を示す、それぞれ別のガラス基
板に形成された走査411とデータ線2はマトリクス状
をなし、マトリクス走査駆動をすることにより交点に存
在する液晶4を電気的に順次111Mしていくものであ
る。アクティブマトリクス素子は、交点となる液晶駆動
用電極と走査線!の間にそれぞれ数個直列に接続したダ
イオードを並列に接続し、リングダイオード3を形成し
たものを介在させたものである。
第3図(Ml〜(8)は従来の図8に示す構造のように
2直列のa−51ダイオードをもつアクティブマトリク
ス素子の製造工程を示し、図aにおいてはNaフリーの
硼珪酸系ガラスまたはソーダガラスの上に5108を浸
漬またはスパッタ法等で被覆したガラス基板10の上に
蒸着法またはスパッタ法で形成したITO(インジウム
すず酸化物)+5nO1等の透明導電膜20.スパッタ
法を用いての約1000人の厚さのCr1130.プラ
ズマCVD法を用いて形成したpin接合を有する約4
000人の厚さのa−5l膜40、それぞれスパッタ法
を用いての厚さ約1000人のCr成膜0および厚さ約
3000人のAjl180を形成した。 pin接合は
、約500 人の厚さの9層、約3000人の厚さの1
11 (ノンドープN)および約500 人の厚さの0
層からなる8次に、フォトリソグラフィ法を用いてCr
11250. a −3t膜40. Cr成膜0をパ
ターニングし、二つのダイオード11.12をCr成膜
1.a −5l膜41゜Cr成膜1とCr成膜2.a
−31膜4L Cr成膜2で形成する(図b)、このフ
ォトリソグラフィ法は、所望のダイオードパターンのレ
ジスト膜を形成し、これをマスクとして先ず(HzPO
* + HNOs + CHi(:0OH)溶液により
M膜80をパターニングする。このレジスト膜をA71
2で補強したマスクを用いてプラズマエツチングにより
Cr成膜0.a −5l膜40. Cr成膜oツパター
ニングをする。先ず、Cr11950をCC1a と0
.の混合ガスを真空状態で導入し、真空度0.1〜0.
5 Torr、電力200〜1000 Wの条件でプラ
ズマエツチングし、次いでcp、と0.の混合ガスを導
入し、0.05Torr。
2直列のa−51ダイオードをもつアクティブマトリク
ス素子の製造工程を示し、図aにおいてはNaフリーの
硼珪酸系ガラスまたはソーダガラスの上に5108を浸
漬またはスパッタ法等で被覆したガラス基板10の上に
蒸着法またはスパッタ法で形成したITO(インジウム
すず酸化物)+5nO1等の透明導電膜20.スパッタ
法を用いての約1000人の厚さのCr1130.プラ
ズマCVD法を用いて形成したpin接合を有する約4
000人の厚さのa−5l膜40、それぞれスパッタ法
を用いての厚さ約1000人のCr成膜0および厚さ約
3000人のAjl180を形成した。 pin接合は
、約500 人の厚さの9層、約3000人の厚さの1
11 (ノンドープN)および約500 人の厚さの0
層からなる8次に、フォトリソグラフィ法を用いてCr
11250. a −3t膜40. Cr成膜0をパ
ターニングし、二つのダイオード11.12をCr成膜
1.a −5l膜41゜Cr成膜1とCr成膜2.a
−31膜4L Cr成膜2で形成する(図b)、このフ
ォトリソグラフィ法は、所望のダイオードパターンのレ
ジスト膜を形成し、これをマスクとして先ず(HzPO
* + HNOs + CHi(:0OH)溶液により
M膜80をパターニングする。このレジスト膜をA71
2で補強したマスクを用いてプラズマエツチングにより
Cr成膜0.a −5l膜40. Cr成膜oツパター
ニングをする。先ず、Cr11950をCC1a と0
.の混合ガスを真空状態で導入し、真空度0.1〜0.
5 Torr、電力200〜1000 Wの条件でプラ
ズマエツチングし、次いでcp、と0.の混合ガスを導
入し、0.05Torr。
lk−の条件でa−5iJIQ40をプラズマエンチン
グし、i後に再びCC7,とO,の混合ガスを用いて0
.1〜0、5 Torr、300〜700 Wの条件で
Cr成膜0のエツチングを行う。
グし、i後に再びCC7,とO,の混合ガスを用いて0
.1〜0、5 Torr、300〜700 Wの条件で
Cr成膜0のエツチングを行う。
次に、フォトリングラフィ法により、レジストマスクを
用いて塩化第二鉄と塩酸の混液によって透明導電120
のエツチングをし、透明i膜パターン21.22.25
を形成する (図cLこのあと、N11.と5l)II
の混合ガスをプラズマ分解するプラズマCVD法により
ダイオード保護用のSiN膜を形成し、SF、とCs
(J F sの混合ガスを用いてのプラズマエツチング
によるフォトリソグラフィ法でSIN 膜パターン61
.62.63を形成する (図d)、さらにスパッタ法
を用いて1000人の厚さのCr膜と500o人〜ln
の厚さのり膜の2Nからなる金属膜を積層し、フォトリ
ソグラフィ法により金属膜パターン71,72.73を
形成する。この結果、ダイオード11とダイオード12
とが直列接続され、画素電極25と走査&I73の間に
挿入される (図e)、金属膜としてCr膜とA7膜の
積層膜を用いるのは、Mのエツチングのときの雰囲気が
ITO膜に損傷を与えるのを防ぐためである。
用いて塩化第二鉄と塩酸の混液によって透明導電120
のエツチングをし、透明i膜パターン21.22.25
を形成する (図cLこのあと、N11.と5l)II
の混合ガスをプラズマ分解するプラズマCVD法により
ダイオード保護用のSiN膜を形成し、SF、とCs
(J F sの混合ガスを用いてのプラズマエツチング
によるフォトリソグラフィ法でSIN 膜パターン61
.62.63を形成する (図d)、さらにスパッタ法
を用いて1000人の厚さのCr膜と500o人〜ln
の厚さのり膜の2Nからなる金属膜を積層し、フォトリ
ソグラフィ法により金属膜パターン71,72.73を
形成する。この結果、ダイオード11とダイオード12
とが直列接続され、画素電極25と走査&I73の間に
挿入される (図e)、金属膜としてCr膜とA7膜の
積層膜を用いるのは、Mのエツチングのときの雰囲気が
ITO膜に損傷を与えるのを防ぐためである。
〔発明が解決しようとする!!1!題〕第3図で説明し
た従来の液晶表示用アクティブマトリクス素子の%i造
工程には次の問題点がある。
た従来の液晶表示用アクティブマトリクス素子の%i造
工程には次の問題点がある。
+11成膜眉がI T 0FI20. Cr1li30
. a−5te4o、 Cr成膜0. A7膜80
. SiN膜 (パターン61,62.63を形成)
および二層膜(パターン?1,72.73を形成)のた
めのCr膜、kI膜の8W!iの多数になる。
. a−5te4o、 Cr成膜0. A7膜80
. SiN膜 (パターン61,62.63を形成)
および二層膜(パターン?1,72.73を形成)のた
めのCr膜、kI膜の8W!iの多数になる。
(2)ダイオード11.12の形成のためにCr成膜0
.a−31膜40. Cr1i30の3711のパター
ニングをプラズマエツチングで行う際、サイドエツチン
グのためにひさしができないように、異方性の強い反応
性イオンエツチングモードの条件とする必要があり、そ
のため電力も大きく、電位的にも基板を接地側と反対の
電極に搭載する必要もあってエツチング装置上問題が多
い。
.a−31膜40. Cr1i30の3711のパター
ニングをプラズマエツチングで行う際、サイドエツチン
グのためにひさしができないように、異方性の強い反応
性イオンエツチングモードの条件とする必要があり、そ
のため電力も大きく、電位的にも基板を接地側と反対の
電極に搭載する必要もあってエツチング装置上問題が多
い。
(31Crのエツチングに用いるCC7,のために、a
ラジカルが生じてCrを腐食するので、ステンレス鋼を
装置に用いることができないという制限があり、また乙
により真空ポンプの油が劣化するためその対策が必要と
なる。
ラジカルが生じてCrを腐食するので、ステンレス鋼を
装置に用いることができないという制限があり、また乙
により真空ポンプの油が劣化するためその対策が必要と
なる。
本発明の課題は、上述の問題点をとり除き、成膜層数、
マスク数が少なく、CCl2系のドライエツチング装置
を用いない、低コストの液晶表示用アクティブマトリク
ス素子の製造方法を提供することにある。
マスク数が少なく、CCl2系のドライエツチング装置
を用いない、低コストの液晶表示用アクティブマトリク
ス素子の製造方法を提供することにある。
(!ill!Jを解決するための手段〕上記の!l!J
の解決のために、本発明は、走査線とデータ線の間に逆
並列接続のa−3lダイオードが液晶駆動用電極と直列
に接続されるアクティブマトリクス素子のダイオードの
形成の際に、透明絶縁基板上に直接または透明導電膜を
介して形成したCr膜を湿式エツチング法でパターニン
グ後、その上にa−3l膜およびCr膜を積層成膜し、
レジスト膜をマスクとして上部Cr膜を湿式エツチング
法でパターニングして各ダイオードの上部電極を形成後
、レジスト膜および上部Cr1IIIをマスクにしての
エツチングにより各ダイオードのa −5l膜パターン
を形成し、酸素雰囲気中でのプラズマエツチングにより
レジスト膜を灰化すると共に、a−3illl側面を酸
化して絶縁膜を形成するものとする。
の解決のために、本発明は、走査線とデータ線の間に逆
並列接続のa−3lダイオードが液晶駆動用電極と直列
に接続されるアクティブマトリクス素子のダイオードの
形成の際に、透明絶縁基板上に直接または透明導電膜を
介して形成したCr膜を湿式エツチング法でパターニン
グ後、その上にa−3l膜およびCr膜を積層成膜し、
レジスト膜をマスクとして上部Cr膜を湿式エツチング
法でパターニングして各ダイオードの上部電極を形成後
、レジスト膜および上部Cr1IIIをマスクにしての
エツチングにより各ダイオードのa −5l膜パターン
を形成し、酸素雰囲気中でのプラズマエツチングにより
レジスト膜を灰化すると共に、a−3illl側面を酸
化して絶縁膜を形成するものとする。
Cr1lQのエツチングを湿式エツチングで行うためC
c14系ガスや弗素系ガスを用いたドライエツチング、
反応性イオンエツチングが不要となり、下部Cr119
のパターニングも別に行うため、このCr膜を接続配線
あるいはITO電極あるいは配線の保−謹にも利用でき
る。またレジスト膜の沃化と同時にa−31膜側面に絶
縁膜が形成されるため、絶縁膜の成膜、パターニングが
不要になる。
c14系ガスや弗素系ガスを用いたドライエツチング、
反応性イオンエツチングが不要となり、下部Cr119
のパターニングも別に行うため、このCr膜を接続配線
あるいはITO電極あるいは配線の保−謹にも利用でき
る。またレジスト膜の沃化と同時にa−31膜側面に絶
縁膜が形成されるため、絶縁膜の成膜、パターニングが
不要になる。
第1図+al〜(flは本発明の第一の実施例の工程を
示し、第3図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る0図aにおいては、ガラス基板1oの上に電子ビーム
またはスパッタ蒸着法によりITO膜20を1000〜
2000人の厚さに成膜し、その上にスパッタ法でCr
成膜0を1000〜2000人の厚さに成膜した。
示し、第3図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る0図aにおいては、ガラス基板1oの上に電子ビーム
またはスパッタ蒸着法によりITO膜20を1000〜
2000人の厚さに成膜し、その上にスパッタ法でCr
成膜0を1000〜2000人の厚さに成膜した。
次にフォトリングラフィ法により図示しないレジストパ
ターンを形成し、これをマスクとしてCr11130を
硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合液でエツチ
ングしてC「膜のパターン31,32.35を形成し、
ひきつ゛づき塩化第二鉄と塩酸の混液でITO膜20を
エツチングしてCr1lQと同一のパターン21゜22
、25を形成した (図b)0次いで、反応層に真空度
0−1〜I Torr、電力500W 〜lk−の条件
で生成した11.プラズマ内に5分放置後、プラズマC
VD法を用いてpin接合を有するa−311a40を
、約4000 人の厚さに全面成膜、ひきつづいてスパ
ッタ法を用いてCr成膜0を1000〜2000人の厚
さでその上に蒸着した く図c)、この積層膜の上にフ
ォトリングラフィ法を用いて図示しないレジストパター
ンを被着させ、Cr成膜0を硝酸第二セリウムアンモン
と過塩素酸の混合液を用いてダイオードの上部電臘とな
るCr膜パターン51 、52を形成し、レジストパタ
ーン+ Cr1llパターンをマスクにしてa −5t
lliをドライエツチングして各ダイオードのa −5
tl1141.42のパターンを形成した。ドライエツ
チングはSF4と(:、(JP、の混合ガスを用いて真
空度0.1〜0、5 Torr、電力200 W〜I
KWの条件で行った。その後反応槽に酸素ガスを導入し
て真空度0.1〜0、5 Torr、電力300〜I
K−の条件で放電し、レジスト膜の灰化を行った(図d
)、この結果5.Cr1PJ31゜a −3IIf14
1. Cr成膜1よりなるダイオード11と、Cr成膜
2. a −51膜42+ Cr成膜2よりなるダイ
オード12が構成される1次にスパッタ蒸着によりアル
ミニウム膜80を全面に5000人〜1−の厚さに被着
しく図e)、その上にフォトリソグラフィ法により図示
しないレジストパターンを形成、HsPOsとHHOs
の混液でエツチングしてM配線パターン81.82およ
び走査線パターン83を形成した。さらに硝酸第二セリ
ウムアンモンと過塩素酸の混合液でエツチングすること
により、ITO!i上のulパターン81.82,83
. a−st′Bバター741.42で覆われティな
いCr1Lが除去され、Cr成膜1からM配線82の下
の部分34. Cr成膜2から走査線83の下の部分3
3が分離され、ITOからなる画素電極25の上にはM
配線81の下の部分にのみCrH35が残る (図r>
。
ターンを形成し、これをマスクとしてCr11130を
硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合液でエツチ
ングしてC「膜のパターン31,32.35を形成し、
ひきつ゛づき塩化第二鉄と塩酸の混液でITO膜20を
エツチングしてCr1lQと同一のパターン21゜22
、25を形成した (図b)0次いで、反応層に真空度
0−1〜I Torr、電力500W 〜lk−の条件
で生成した11.プラズマ内に5分放置後、プラズマC
VD法を用いてpin接合を有するa−311a40を
、約4000 人の厚さに全面成膜、ひきつづいてスパ
ッタ法を用いてCr成膜0を1000〜2000人の厚
さでその上に蒸着した く図c)、この積層膜の上にフ
ォトリングラフィ法を用いて図示しないレジストパター
ンを被着させ、Cr成膜0を硝酸第二セリウムアンモン
と過塩素酸の混合液を用いてダイオードの上部電臘とな
るCr膜パターン51 、52を形成し、レジストパタ
ーン+ Cr1llパターンをマスクにしてa −5t
lliをドライエツチングして各ダイオードのa −5
tl1141.42のパターンを形成した。ドライエツ
チングはSF4と(:、(JP、の混合ガスを用いて真
空度0.1〜0、5 Torr、電力200 W〜I
KWの条件で行った。その後反応槽に酸素ガスを導入し
て真空度0.1〜0、5 Torr、電力300〜I
K−の条件で放電し、レジスト膜の灰化を行った(図d
)、この結果5.Cr1PJ31゜a −3IIf14
1. Cr成膜1よりなるダイオード11と、Cr成膜
2. a −51膜42+ Cr成膜2よりなるダイ
オード12が構成される1次にスパッタ蒸着によりアル
ミニウム膜80を全面に5000人〜1−の厚さに被着
しく図e)、その上にフォトリソグラフィ法により図示
しないレジストパターンを形成、HsPOsとHHOs
の混液でエツチングしてM配線パターン81.82およ
び走査線パターン83を形成した。さらに硝酸第二セリ
ウムアンモンと過塩素酸の混合液でエツチングすること
により、ITO!i上のulパターン81.82,83
. a−st′Bバター741.42で覆われティな
いCr1Lが除去され、Cr成膜1からM配線82の下
の部分34. Cr成膜2から走査線83の下の部分3
3が分離され、ITOからなる画素電極25の上にはM
配線81の下の部分にのみCrH35が残る (図r>
。
この第一の実施例においては次の利点がある。
(11成膜層はI T O11A20. Cr成膜0.
a −5tll!140. Cr111150、
Af膜8017)5Nテ、層数が第3図の場合に比し3
N減少する。
a −5tll!140. Cr111150、
Af膜8017)5Nテ、層数が第3図の場合に比し3
N減少する。
(21Crのドライエツチングが不要となり、Uラジカ
ルにより装置1真空排気系等に生ずる支障が解消する。
ルにより装置1真空排気系等に生ずる支障が解消する。
(3)基板を接地側の電極上に搭載してのSF4とc、
cIF。
cIF。
ノ混合ガス系を用いてa−sagのプラズマエ。
チングが可能となり、反応性イオンエツチング法に比し
装置が簡単になる。
装置が簡単になる。
(4)ダイオードパターン形成後のレジスト膜除去をプ
ラズマアッシングで行うことにより、各ダイオードのa
−3i膜の側面が絶縁化され、SIN絶縁膜の成膜およ
びパターニングが不要となった。
ラズマアッシングで行うことにより、各ダイオードのa
−3i膜の側面が絶縁化され、SIN絶縁膜の成膜およ
びパターニングが不要となった。
絶縁化はa−3t膜側面の酸化によると考えられるが、
これでパターニング用のマスクは従来の4枚から3枚に
減少する。
これでパターニング用のマスクは従来の4枚から3枚に
減少する。
第4図(at〜fdlは本発明の第二の実施例の工程を
示し、第1図1第3図と共通の部分には同一の符号が付
されている。先ず、ガラス基板1oの上にスパッタ法に
より厚さ1000〜2000人のCr成膜0を成膜した
(図8)0次にフォトリソグラフィ法によりレジスト
パターンを形成し、それをマスクにしてC「膜30を硝
酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合液でエツチン
グしCr膜パターン31.32を形成する (図b>、
次いで、第1図1第3におけると同様な方法でpin接
合を有するa−5l膜40を約4000人の厚さに、さ
らにCr成膜0を1000〜2000人の厚さに積層し
たのち、フォトリソグラフィ法を用いてレジストパター
ンを形成し、硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混
合液を用いてダイオードの上部電極51.52を形成し
、ひきつづきレジストパターン、Cr膜パターンをマス
クにして第1図1第3と同じ条件のドライエツチングで
各ダイオードのa −3illlパターン41.42を
形成、さらに反応槽にO8を導入し、同じく第1図(d
iと同じ条件でレジストのプラズマアッシングを行った
(図c)、最後にスパッタ蒸着により1000〜20
00人のITO膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によ
りレジストパターンを形成し、塩化第二鉄と塩酸の混液
を用いてエツチングし、ITOの画素電極25とそれに
つながりダイオード11の上部Cr電8i51に接触す
るITO配線21. ダイオード11の下部C4tM3
1とダイオード12の上部Cr電極52に接触し、両ダ
イオードを直列接続する夏To配線22およびC「電極
32の延長部に接触するITO走査腺23のパターニン
グを行った。
示し、第1図1第3図と共通の部分には同一の符号が付
されている。先ず、ガラス基板1oの上にスパッタ法に
より厚さ1000〜2000人のCr成膜0を成膜した
(図8)0次にフォトリソグラフィ法によりレジスト
パターンを形成し、それをマスクにしてC「膜30を硝
酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合液でエツチン
グしCr膜パターン31.32を形成する (図b>、
次いで、第1図1第3におけると同様な方法でpin接
合を有するa−5l膜40を約4000人の厚さに、さ
らにCr成膜0を1000〜2000人の厚さに積層し
たのち、フォトリソグラフィ法を用いてレジストパター
ンを形成し、硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混
合液を用いてダイオードの上部電極51.52を形成し
、ひきつづきレジストパターン、Cr膜パターンをマス
クにして第1図1第3と同じ条件のドライエツチングで
各ダイオードのa −3illlパターン41.42を
形成、さらに反応槽にO8を導入し、同じく第1図(d
iと同じ条件でレジストのプラズマアッシングを行った
(図c)、最後にスパッタ蒸着により1000〜20
00人のITO膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によ
りレジストパターンを形成し、塩化第二鉄と塩酸の混液
を用いてエツチングし、ITOの画素電極25とそれに
つながりダイオード11の上部Cr電8i51に接触す
るITO配線21. ダイオード11の下部C4tM3
1とダイオード12の上部Cr電極52に接触し、両ダ
イオードを直列接続する夏To配線22およびC「電極
32の延長部に接触するITO走査腺23のパターニン
グを行った。
この第二の実施例の利点は第一の実施例につぃて挙げた
利点のほかに次のものがある。
利点のほかに次のものがある。
(1)成膜層がCr成膜 a St膜+Cr成膜ヨ
びITO膜の4層のみでさらに層数が1111少する。
びITO膜の4層のみでさらに層数が1111少する。
(2)第一の実施例に比較して上部Cr膜極の後退がな
く、光の素子に与える影響が少なくなった。
く、光の素子に与える影響が少なくなった。
本発明によれば、ダイオードを形成する下部Cr電極の
パターニングを湿式エツチングで行ったのち、a−5l
膜、上部Cr膜を積層し、上部Cr膜のパターニングも
湿式で行い、そのあとa −3i膜のパターニングを行
い、パターニングに使用したレジスト膜の灰化のための
01中でのプラズマエツチングによりダイオードのa
−3l成膜面の絶縁化を行うことにより、成膜層数の減
少、パターニングマスクも3枚に減少するほか、Cr1
llのパターニングにU系あるいはF系ガスを用いたド
ライエツチング、反応性イオンエツチングなど高価な装
置を必要とする方法をとらないので設備費も減少し、ア
クティブマトリクス素子を低コストで製造する上に極め
て有効である。
パターニングを湿式エツチングで行ったのち、a−5l
膜、上部Cr膜を積層し、上部Cr膜のパターニングも
湿式で行い、そのあとa −3i膜のパターニングを行
い、パターニングに使用したレジスト膜の灰化のための
01中でのプラズマエツチングによりダイオードのa
−3l成膜面の絶縁化を行うことにより、成膜層数の減
少、パターニングマスクも3枚に減少するほか、Cr1
llのパターニングにU系あるいはF系ガスを用いたド
ライエツチング、反応性イオンエツチングなど高価な装
置を必要とする方法をとらないので設備費も減少し、ア
クティブマトリクス素子を低コストで製造する上に極め
て有効である。
第1図は本発明の第一の実施例の工程を順に示す断面図
、第2図はダイオードを備えたアクティブマトリクス基
板を用いた液晶表示装置の等価回路図、第3図は従来の
アクティブマトリクス素子製造方法の工程を順に示す断
面図、第4図は本発明の第二の実施例の工程を順に示す
断面図である。 10ニガラス基ヰ反、20:rTOIQ、21.22+
I TO配線、23+ITO走査線、25+ITO画
素電極、30、31.32.50.51.52: Cr
膜、40.41.42: a−51膜、81,82:A
7配線、83:A7走査線。 第1図 第2図 第3図 第4図
、第2図はダイオードを備えたアクティブマトリクス基
板を用いた液晶表示装置の等価回路図、第3図は従来の
アクティブマトリクス素子製造方法の工程を順に示す断
面図、第4図は本発明の第二の実施例の工程を順に示す
断面図である。 10ニガラス基ヰ反、20:rTOIQ、21.22+
I TO配線、23+ITO走査線、25+ITO画
素電極、30、31.32.50.51.52: Cr
膜、40.41.42: a−51膜、81,82:A
7配線、83:A7走査線。 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 1)走査線とデータ線の間に逆並列接続のアモルファス
シリコンダイオードが液晶駆動用電極と直列接続される
アクティブマトリクス素子のダイオード形成の際に、透
明絶縁基板上に直接または透明導電膜を介して形成した
クロム膜を湿式エッチング法でパターニング後、その上
にアモルファスシリコン膜およびクロム膜を積層成膜し
、レジスト膜をマスクとして上部クロム膜を湿式エッチ
ング法でパターニングして各ダイオードの上部電極を形
成後、前記レジスト膜および上部クロム膜をマスクにし
てエッチングして各ダイオードのアモルファスシリコン
膜パターンを形成し、酸素雰囲気中でのプラズマエッチ
ングによりレジスト膜を灰化すると共にアモルファスシ
リコン膜側面を酸化して絶縁膜を形成することを特徴と
する液晶表示用アクティブマトリクス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63051879A JPH01224726A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 液晶表示用アクティブマトリクス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63051879A JPH01224726A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 液晶表示用アクティブマトリクス素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01224726A true JPH01224726A (ja) | 1989-09-07 |
Family
ID=12899168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63051879A Pending JPH01224726A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 液晶表示用アクティブマトリクス素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01224726A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6924862B2 (en) * | 2001-09-08 | 2005-08-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP63051879A patent/JPH01224726A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6924862B2 (en) * | 2001-09-08 | 2005-08-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
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