JPH01220350A - 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置 - Google Patents
帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置Info
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- JPH01220350A JPH01220350A JP63041930A JP4193088A JPH01220350A JP H01220350 A JPH01220350 A JP H01220350A JP 63041930 A JP63041930 A JP 63041930A JP 4193088 A JP4193088 A JP 4193088A JP H01220350 A JPH01220350 A JP H01220350A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射
装置に係り、特に低真空及び高真空中で荷電粒子を用い
るすべての装置において、真空中の絶縁物及び電気的に
浮いている被加工物や試料の帯電個所を電気的に中和す
るのに好適な帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線
照射装置に関するものである。
装置に係り、特に低真空及び高真空中で荷電粒子を用い
るすべての装置において、真空中の絶縁物及び電気的に
浮いている被加工物や試料の帯電個所を電気的に中和す
るのに好適な帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線
照射装置に関するものである。
従来の装置では、特公昭４５−２８５７号公報、特公昭
５１−２７９８１号公報に記載されているように、加速
した電子を試料等に照射供給し、試料等の帯電を抑制し
ていた。また、試料が電子源のフィラメント物質の蒸散
による汚呆や加熱による悪影響を防ぐ目的から、特公昭
５８−４３８６１号公報等のように、フィラメントを試
料から隠すようなことも提案されている。さらに、特開
昭６２−１５７４５号公報に記載のように、放出する電
子量を適切に制御する方法も提案されている。
５１−２７９８１号公報に記載されているように、加速
した電子を試料等に照射供給し、試料等の帯電を抑制し
ていた。また、試料が電子源のフィラメント物質の蒸散
による汚呆や加熱による悪影響を防ぐ目的から、特公昭
５８−４３８６１号公報等のように、フィラメントを試
料から隠すようなことも提案されている。さらに、特開
昭６２−１５７４５号公報に記載のように、放出する電
子量を適切に制御する方法も提案されている。
イオンや電子を用いて絶縁物試料または被加工物及び電
気的に十分接地されていない試料または被加工物の測定
または加工等の処理を施す場合、はとんどの試料は正に
帯電することが問題になっている。これは、例えば、セ
カンダリイオン、マウスペクトロトリ−（ＳＩＭＳ）、
イオンマイクロアナライザ（ＩＭＡ）イオン打込装置等
の場合、正イオンビームが試料に照射され、さらに、そ
のとき２次電子が試料表面から放出されるため、試料は
正に帯電する。
気的に十分接地されていない試料または被加工物の測定
または加工等の処理を施す場合、はとんどの試料は正に
帯電することが問題になっている。これは、例えば、セ
カンダリイオン、マウスペクトロトリ−（ＳＩＭＳ）、
イオンマイクロアナライザ（ＩＭＡ）イオン打込装置等
の場合、正イオンビームが試料に照射され、さらに、そ
のとき２次電子が試料表面から放出されるため、試料は
正に帯電する。
また、電子顕微鏡、電子線描画装置等の場合、電子が試
料に照射されるとき照射電子量よりも多い電子量が２次
電子として放出され、試料はやはり正に帯電する。帯電
が各装置にどのような悪影響を及ぼすかは周知の通りで
ある。電子顕微鏡の場合には、表面をアルミニウム等の
蒸着により金属コーティングして問題を回避し得ること
がある。
料に照射されるとき照射電子量よりも多い電子量が２次
電子として放出され、試料はやはり正に帯電する。帯電
が各装置にどのような悪影響を及ぼすかは周知の通りで
ある。電子顕微鏡の場合には、表面をアルミニウム等の
蒸着により金属コーティングして問題を回避し得ること
がある。
しかし、この方法は他の装置すべてに適用できる訳では
ない。例えば、半導体ウェハの加工等の場合は、一般に
金属膜のコーティングは許されていない、したがって上
記のような電子による帯電抑制及び中和法が考案されて
いた。
ない。例えば、半導体ウェハの加工等の場合は、一般に
金属膜のコーティングは許されていない、したがって上
記のような電子による帯電抑制及び中和法が考案されて
いた。
しかし、上記従来波・術では適切に電子量を設定するこ
とが困難で、電子量が少な過ぎると十分に帯電を抑制し
きれず、電子量が過剰であると逆に電子によって帯電し
てしまうという問題があった。
とが困難で、電子量が少な過ぎると十分に帯電を抑制し
きれず、電子量が過剰であると逆に電子によって帯電し
てしまうという問題があった。
過剰電子によって帯電してしまう場合は、照射される電
子のエネルギーＥｏが十分高い場合（Ｅｏ＞２００Ｖ）
正に帯電し、低い場合（ＯＶ＜Ｅｏ＜２００Ｖ）負に帯
電することが多い、また、個々の現象は複雑で解析し難
い場合が多い、このため、特開昭６２−１５７４５号公
報のように、試料の帯電量を感知して放出する電子量を
制御する方法も提案されている。しかし、この方法を実
用化するには十分なデータ取得、経験的積み上げが必要
である。
子のエネルギーＥｏが十分高い場合（Ｅｏ＞２００Ｖ）
正に帯電し、低い場合（ＯＶ＜Ｅｏ＜２００Ｖ）負に帯
電することが多い、また、個々の現象は複雑で解析し難
い場合が多い、このため、特開昭６２−１５７４５号公
報のように、試料の帯電量を感知して放出する電子量を
制御する方法も提案されている。しかし、この方法を実
用化するには十分なデータ取得、経験的積み上げが必要
である。
本発明の第１の目的は、過剰電子供給による２次帯電を
抑え、かつ、電子量の設定を容易にすることができる帯
電抑制方法を提供することにある。
抑え、かつ、電子量の設定を容易にすることができる帯
電抑制方法を提供することにある。
第２の目的は、過剰電子供給による２次帯電を抑えるこ
とができる帯電抑制装置付粒子線照射装置を提供するこ
とにある。
とができる帯電抑制装置付粒子線照射装置を提供するこ
とにある。
上記目的は、第１に真空中における被加工物または試料
の帯電を抑制するために、上記被加工物または試料にこ
れとほぼ同電位の電子源から電子を供給することによっ
て達成するようにした。第２に被加工物または試料にこ
れとほぼ同電位の電子源から電子を供給する手段を備え
、上記被加工物または試料の帯電を抑制する構成の帯電
抑制装置付粒子線照射装置として達成するようにした。
の帯電を抑制するために、上記被加工物または試料にこ
れとほぼ同電位の電子源から電子を供給することによっ
て達成するようにした。第２に被加工物または試料にこ
れとほぼ同電位の電子源から電子を供給する手段を備え
、上記被加工物または試料の帯電を抑制する構成の帯電
抑制装置付粒子線照射装置として達成するようにした。
これには電子源のポテンシャルエネルギーを試料のポテ
ンシャルエネルギーと等しくなるように構成する。すな
わち、電子源と試料とをほぼ同電位とし、電子は電子源
から引き出された後、試料直前で減速させられて、電子
源から放出された電子は試料の直前で速度を失い、試料
には極くわずかな電子のみ達し、他は試料の表面付近を
漂う。
ンシャルエネルギーと等しくなるように構成する。すな
わち、電子源と試料とをほぼ同電位とし、電子は電子源
から引き出された後、試料直前で減速させられて、電子
源から放出された電子は試料の直前で速度を失い、試料
には極くわずかな電子のみ達し、他は試料の表面付近を
漂う。
試料に達する電子量が少しでも増えると、試料は負に帯
電し、電子をはね返してそれ以上電子が試料に達するこ
とを妨げる。このとき、負の帯電量はわずかで、本体装
置の運転上問題にはならない。
電し、電子をはね返してそれ以上電子が試料に達するこ
とを妨げる。このとき、負の帯電量はわずかで、本体装
置の運転上問題にはならない。
イオンまたは電子が試料に照射されると、絶縁物試料の
場合はすぐに正に帯電し始める。そのたｉ帯電個所はそ
の帯電量だけ帯電抑制用の電子源より電位が高くなり、
放出された電子を引きつけて電気的に中和される。完全
に中和された瞬間、試料は電子源と同電位になり、それ
以上電子を受は入れないので、過剰電子放出によって試
料が帯電する恐れはない、帯電抑制用電子源から放出す
る電子量は、測定や加工等本体装置本来の目的に用いら
れるイオン線量及び電子線量の高々数倍でよい。
場合はすぐに正に帯電し始める。そのたｉ帯電個所はそ
の帯電量だけ帯電抑制用の電子源より電位が高くなり、
放出された電子を引きつけて電気的に中和される。完全
に中和された瞬間、試料は電子源と同電位になり、それ
以上電子を受は入れないので、過剰電子放出によって試
料が帯電する恐れはない、帯電抑制用電子源から放出す
る電子量は、測定や加工等本体装置本来の目的に用いら
れるイオン線量及び電子線量の高々数倍でよい。
イオンや電子を照射したときに放出される２次電子量は
、照射される１次荷電粒子線量に対して一部の酸化複合
面（Ｃｓ−ＣｓＯ−Ａｇ）等で１０倍に達するものもあ
るが、はとんどの物質では２倍以下である（例えば、コ
ロナ社発行、浜田、和田共著「電子管工学」第１２頁表
１．３及び１．４参照）。
、照射される１次荷電粒子線量に対して一部の酸化複合
面（Ｃｓ−ＣｓＯ−Ａｇ）等で１０倍に達するものもあ
るが、はとんどの物質では２倍以下である（例えば、コ
ロナ社発行、浜田、和田共著「電子管工学」第１２頁表
１．３及び１．４参照）。
したがって、特殊な場合を除いて、帯電抑制用電子源か
らは本体装置の荷電粒子線量の５〜６倍の電子を放出す
れば十分で、このとき、過剰放出電子によって逆に帯電
する恐れが全くない。
らは本体装置の荷電粒子線量の５〜６倍の電子を放出す
れば十分で、このとき、過剰放出電子によって逆に帯電
する恐れが全くない。
以下本発明の方法の一実施例を第１図〜第３図を用いて
、本発明の粒子線照射装置を第４図に示す実施例を用い
て詳細に説明する。
、本発明の粒子線照射装置を第４図に示す実施例を用い
て詳細に説明する。
第１図は本発明の帯電抑制方法の一実施を説明するため
の帯電抑制機構を備えた試料室の一例を示す構成図で、
電子顕微鏡、電子線描画装置、ＩＭＡ、ＳＩＭＳ、イオ
ン打込装置等のものを示しである。第１図において、１
は荷電粒子線、２は帯電抑制用電子源フィラメント、３
は引出し電極、４はバイアス電圧源、５は引出し電圧源
、６は電子、７は試料で、試料７に荷電粒子線（イオン
線または電子線）１を照射すると同時に電子源フィラメ
ント２から電子６を引き出し、試料７に供給する。この
とき、試料７と電子源フィラメント２がほぼ同電位にな
るように構成する。
の帯電抑制機構を備えた試料室の一例を示す構成図で、
電子顕微鏡、電子線描画装置、ＩＭＡ、ＳＩＭＳ、イオ
ン打込装置等のものを示しである。第１図において、１
は荷電粒子線、２は帯電抑制用電子源フィラメント、３
は引出し電極、４はバイアス電圧源、５は引出し電圧源
、６は電子、７は試料で、試料７に荷電粒子線（イオン
線または電子線）１を照射すると同時に電子源フィラメ
ント２から電子６を引き出し、試料７に供給する。この
とき、試料７と電子源フィラメント２がほぼ同電位にな
るように構成する。
試料表面８が絶縁物、高抵抗物質または電気的に浮いて
いる場合、荷電粒子線１が照射されると、照射された電
荷及び照射時の２次電子９の発生によって試料表面８は
少なからず電位が上がる。すなわち、帯電する。
いる場合、荷電粒子線１が照射されると、照射された電
荷及び照射時の２次電子９の発生によって試料表面８は
少なからず電位が上がる。すなわち、帯電する。
電子源フィラメント２から出る電子６は、試料７と同電
位なので、試料表面８が帯電していない場合は、はとん
ど試料７には達しない、しかし、荷電粒子線１が照射さ
れて電位が上がった試料表面８には、その電界に引かれ
て電子６が吸い寄せられる。電子６は照射部である試料
表面８の電位が零になるまで吸い寄せられ、零になると
電子６の供給が止まる。したがって、帯電抑制用に供給
された電子６によって試料７が逆に帯電してしまうこと
はない。
位なので、試料表面８が帯電していない場合は、はとん
ど試料７には達しない、しかし、荷電粒子線１が照射さ
れて電位が上がった試料表面８には、その電界に引かれ
て電子６が吸い寄せられる。電子６は照射部である試料
表面８の電位が零になるまで吸い寄せられ、零になると
電子６の供給が止まる。したがって、帯電抑制用に供給
された電子６によって試料７が逆に帯電してしまうこと
はない。
実際には、帯電抑制用電子源フィラメント２と試料７が
全く同電位であると、電子６が試料７付近まで輸送され
てくる割合は非常に低くなる。したがって、バイアス電
圧源４によって電子源フィラメント２と試料７の間にわ
ずかな電位差を付けると、十分な電子量が試料７付近に
輸送される。
全く同電位であると、電子６が試料７付近まで輸送され
てくる割合は非常に低くなる。したがって、バイアス電
圧源４によって電子源フィラメント２と試料７の間にわ
ずかな電位差を付けると、十分な電子量が試料７付近に
輸送される。
この電位差は高々ＩＯＶ程度である。この電位差は本体
装置使用上問題のないレベル以下に抑えるべきであり、
この電圧が大き過ぎると本実施例の効果がなくなる。
装置使用上問題のないレベル以下に抑えるべきであり、
この電圧が大き過ぎると本実施例の効果がなくなる。
装置及び試料によっては、電子源フィラメント２による
加熱及びフィラメント物質による汚染等を好まない場合
がある０例えば、イオン打込装置において、半導体ウェ
ハを加工する場合、フィラメントのタングステン等がウ
ェハに飛来すると？ウェハを汚染し、問題となり得る。
加熱及びフィラメント物質による汚染等を好まない場合
がある０例えば、イオン打込装置において、半導体ウェ
ハを加工する場合、フィラメントのタングステン等がウ
ェハに飛来すると？ウェハを汚染し、問題となり得る。
このような場合は第２図に示したように、偏向用電極１
０を設けるか、第３図に示したように、偏向用磁場１１
を設けて電子６を偏向させ、電子源フィラメント２が試
料７から見えないように工夫することによって解決でき
る。
０を設けるか、第３図に示したように、偏向用磁場１１
を設けて電子６を偏向させ、電子源フィラメント２が試
料７から見えないように工夫することによって解決でき
る。
本実施例によれば、走査型電子顕微鏡などでは、有機物
等の非電導性物質を試料とする場合、金属コーティング
等の処理が不用となり、他の装置では、試料７の帯電に
より荷電粒子線１が試料付近で偏向させられることを防
ぎ、イオン打込装置では、試料７の絶縁破壊を防ぐこと
ができる。
等の非電導性物質を試料とする場合、金属コーティング
等の処理が不用となり、他の装置では、試料７の帯電に
より荷電粒子線１が試料付近で偏向させられることを防
ぎ、イオン打込装置では、試料７の絶縁破壊を防ぐこと
ができる。
次に、帯電抑制装置付粒子線照射装置について説明する
。第４図は帯電抑制装置付粒子線照射装置の一実施例を
示す構成図で、帯電抑制装置として第３図に示した帯電
抑制機構をイオン打込装置に適用したものを示しである
。第４図において、マグネトロン電源２０を備えたマグ
ネトロン２１から発生したマイクロ波は導波管２２を経
てイオン源２３に導き、励磁電源２４よりイオン源２３
のコイルに電流を流して磁場を発生させ、この磁場とマ
イクロ波の相互作用によってプラズマを発生させる。２
５はイオン源２３を高電圧にする加速電源である。この
プラズマより引出し電極２６によってイオンビームを引
き出し、減速電源２７に接続された減速電極２８を経て
質量分離磁石２９によって質量分離し、所望のイオン（
荷電粒子線）１のみを試料７に打ち込む、３０はサプレ
ッサ電源、３１はサプレッサ電極、３２はファラデーゲ
ージ、３３は回転円板である。一方、このイオン打込装
置に第３図に示した帯電抑制機構が設けてあり、イオン
１による試料７の帯電を打ち消すようにしてあり、前述
の帯電抑制方法と同一の効果が得られる。１２．１３は
電流計である。
。第４図は帯電抑制装置付粒子線照射装置の一実施例を
示す構成図で、帯電抑制装置として第３図に示した帯電
抑制機構をイオン打込装置に適用したものを示しである
。第４図において、マグネトロン電源２０を備えたマグ
ネトロン２１から発生したマイクロ波は導波管２２を経
てイオン源２３に導き、励磁電源２４よりイオン源２３
のコイルに電流を流して磁場を発生させ、この磁場とマ
イクロ波の相互作用によってプラズマを発生させる。２
５はイオン源２３を高電圧にする加速電源である。この
プラズマより引出し電極２６によってイオンビームを引
き出し、減速電源２７に接続された減速電極２８を経て
質量分離磁石２９によって質量分離し、所望のイオン（
荷電粒子線）１のみを試料７に打ち込む、３０はサプレ
ッサ電源、３１はサプレッサ電極、３２はファラデーゲ
ージ、３３は回転円板である。一方、このイオン打込装
置に第３図に示した帯電抑制機構が設けてあり、イオン
１による試料７の帯電を打ち消すようにしてあり、前述
の帯電抑制方法と同一の効果が得られる。１２．１３は
電流計である。
なお、第４図においては、第３図に示す帯電抑制機構を
用いたが、第２図に示す帯電抑制機構を用いるようにし
てもよいことはいうまでもない。
用いたが、第２図に示す帯電抑制機構を用いるようにし
てもよいことはいうまでもない。
以上説明した本発明によれば、過剰に電子を供給しても
供給電子によって逆に試料が帯電することがないので、
電子を必要十分量以上放出すればよく電子源での電子量
の設定を容易にできるという効果があり、帯電抑制用電
子源から放出される電子量は、この電子源が取り付けで
ある本体袋１置の荷電粒子線の高々数倍でよく、また、
放出電子量の制御は不要で、電子源フィラメント、電子
引出し電圧電源の安定度も１０−２／分程度でよく、電
子が試料に達するときのエネルギーは、はぼ零となるよ
うに設定されるので、電子源での電子引出し電圧とは無
関係にでき、したがって、引出し電圧は十分高くするこ
とができ、フィラメント温度を低く抑えながら十分の電
子を引き出すことができ、これによってフィラメントの
長寿命化をはかることができるという効果がある。粒子
線照射装置についても同様である。なお、放出電子量Ｉ
と引出し電圧Ｖとの間にはＩ＝Ｐｌ／ｚ （ｐは定数
）の関係があるので、この式からＶが２倍になると工は
約３倍になり、したがって、単純にはフィラメントの寿
命を３倍に延ばすことができ、フィラメントの寿命を気
にすることなく十分な電子量を放出できる。
供給電子によって逆に試料が帯電することがないので、
電子を必要十分量以上放出すればよく電子源での電子量
の設定を容易にできるという効果があり、帯電抑制用電
子源から放出される電子量は、この電子源が取り付けで
ある本体袋１置の荷電粒子線の高々数倍でよく、また、
放出電子量の制御は不要で、電子源フィラメント、電子
引出し電圧電源の安定度も１０−２／分程度でよく、電
子が試料に達するときのエネルギーは、はぼ零となるよ
うに設定されるので、電子源での電子引出し電圧とは無
関係にでき、したがって、引出し電圧は十分高くするこ
とができ、フィラメント温度を低く抑えながら十分の電
子を引き出すことができ、これによってフィラメントの
長寿命化をはかることができるという効果がある。粒子
線照射装置についても同様である。なお、放出電子量Ｉ
と引出し電圧Ｖとの間にはＩ＝Ｐｌ／ｚ （ｐは定数
）の関係があるので、この式からＶが２倍になると工は
約３倍になり、したがって、単純にはフィラメントの寿
命を３倍に延ばすことができ、フィラメントの寿命を気
にすることなく十分な電子量を放出できる。
第１図は本発明の帯電抑制方法の一実施例を説明するた
めの帯電抑制機構を備えた試料室の一例を示す構成図、
第２図は第１図で電場によって電子を偏向してフィラメ
ントを試料から隠すようにした一例を示す図、第３図は
同じく磁場によって電子を偏向し、フィラメントを試料
から隠すようにした一例を示す図、第４図は本発明の帯
電抑制装置付粒子線照射装置の一実施例を示す構成図で
ある。 １・・・荷電粒子線、２・・・電子源フィラメント、３
・・・引出し電極、４・・・バイアス電圧源、５・・・
引出し電圧源、６・・・電子、７・・・試料、８・・・
試料表面、９・・・二次電子、１０・・・偏向用電極、
１１・・・偏向用磁場、２０・・・マグネトロン、２２
・・・導波管、２３・・・イオン源、２９・・・質量分
離磁石。 第１図
めの帯電抑制機構を備えた試料室の一例を示す構成図、
第２図は第１図で電場によって電子を偏向してフィラメ
ントを試料から隠すようにした一例を示す図、第３図は
同じく磁場によって電子を偏向し、フィラメントを試料
から隠すようにした一例を示す図、第４図は本発明の帯
電抑制装置付粒子線照射装置の一実施例を示す構成図で
ある。 １・・・荷電粒子線、２・・・電子源フィラメント、３
・・・引出し電極、４・・・バイアス電圧源、５・・・
引出し電圧源、６・・・電子、７・・・試料、８・・・
試料表面、９・・・二次電子、１０・・・偏向用電極、
１１・・・偏向用磁場、２０・・・マグネトロン、２２
・・・導波管、２３・・・イオン源、２９・・・質量分
離磁石。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空中における被加工物または試料の帯電を抑制す
るために、前記被加工物または試料にこれとほぼ同電位
の電子源から電子を供給することを特徴とする帯電抑制
方法。 ２、荷電粒子線を被加工物または試料に照射する粒子線
照射装置において、前記被加工物または試料にこれとほ
ぼ同電位の電子源から電子を供給する手段を備え、前記
被加工物または試料の帯電を抑制する構成としたことを
特徴とする帯電抑制装置付粒子線照射装置。 ３、前記電子は、前記電子源が前記被加工物または試料
より直接見えないように電場をかけて進行方向を曲げて
ある特許請求の範囲第２項記載の帯電抑制装置付粒子線
照射装置。 ４、前記電子は、前記電子源が前記被加工物または試料
より直接見えないように磁場をかけて進行方向を曲げて
ある特許請求の範囲第２項記載の帯電抑制装置付粒子線
照射装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041930A JPH01220350A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置 |
| US07/310,917 US4939360A (en) | 1988-02-26 | 1989-02-16 | Particle beam irradiating apparatus having charge suppressing device which applies a bias voltage between a change suppressing particle beam source and the specimen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041930A JPH01220350A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220350A true JPH01220350A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12621954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041930A Pending JPH01220350A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置 |
Country Status (2)
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