JPH01215561A - サーマル記録ヘッドの製造方法 - Google Patents
サーマル記録ヘッドの製造方法Info
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- JPH01215561A JPH01215561A JP4088188A JP4088188A JPH01215561A JP H01215561 A JPH01215561 A JP H01215561A JP 4088188 A JP4088188 A JP 4088188A JP 4088188 A JP4088188 A JP 4088188A JP H01215561 A JPH01215561 A JP H01215561A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、感熱記録装置やインクジェット記録装置等
において用いられる熱エネルギ駆動タイプのサーマル記
録ヘッド及びその製造方法の改良に関する。
において用いられる熱エネルギ駆動タイプのサーマル記
録ヘッド及びその製造方法の改良に関する。
[従来の技術1
感熱記録装置等において用いられる従来のサーマル記録
ヘッドとしては、第6図に示すように、ヘッド本体を構
成する絶縁性基板1表面に発熱抵抗体層2をスパッタリ
ング法により成膜した後、ホトリソエツチングにより所
望の形状にパターン化し、しかる後、NiCr層やCr
層等の接@層3a及び全導電層3bをスパッタリング法
等により順次積層した後、ホトリソエツチングにより所
望の形状にパターン化される給電層3を形成し、この上
に、保護層4、耐摩耗層5を設けてなるものがある(特
開昭62−119058号参照)。
ヘッドとしては、第6図に示すように、ヘッド本体を構
成する絶縁性基板1表面に発熱抵抗体層2をスパッタリ
ング法により成膜した後、ホトリソエツチングにより所
望の形状にパターン化し、しかる後、NiCr層やCr
層等の接@層3a及び全導電層3bをスパッタリング法
等により順次積層した後、ホトリソエツチングにより所
望の形状にパターン化される給電層3を形成し、この上
に、保護層4、耐摩耗層5を設けてなるものがある(特
開昭62−119058号参照)。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、このようなサーマル記録ヘッドにおいて、上
記給電層3を形成する際には、先ず、金環電113bを
所定幅にホトリソエツチングした後、接着層3aをホト
リソエツチングする工程があるが、給電層3の抵抗を極
力小さくするという観点から接着層3aをあまり厚く形
成することができず、また、NiCr等の接着層3aの
エツチング速度は金環電層3b存在下では局部電池の作
用により始めは遅いが加速度的に速くなる特徴があるた
め、第7図に示すように、接着層3bの幅方向両側縁が
全導電層3bの幅方向両側縁より内側に向かって浸蝕さ
れる現象(所謂オーバエツチング)が起り、接着層3a
の両側縁に凹所6が形成されることになる。それゆえ、
全導電層3bを接着固定するための接着層3aの接着面
積自体が上記凹所6のスペース分だけ狭くなり、給電W
J3が剥がれ易くなるほか、給電層3を覆う保護層4が
凹所6部分には充分に回り込まず、凹所6に対応した保
護層4部分が亀裂し易く、製造上サーマル記録ヘッドの
歩留りが悪くなるという問題が生ずる。
記給電層3を形成する際には、先ず、金環電113bを
所定幅にホトリソエツチングした後、接着層3aをホト
リソエツチングする工程があるが、給電層3の抵抗を極
力小さくするという観点から接着層3aをあまり厚く形
成することができず、また、NiCr等の接着層3aの
エツチング速度は金環電層3b存在下では局部電池の作
用により始めは遅いが加速度的に速くなる特徴があるた
め、第7図に示すように、接着層3bの幅方向両側縁が
全導電層3bの幅方向両側縁より内側に向かって浸蝕さ
れる現象(所謂オーバエツチング)が起り、接着層3a
の両側縁に凹所6が形成されることになる。それゆえ、
全導電層3bを接着固定するための接着層3aの接着面
積自体が上記凹所6のスペース分だけ狭くなり、給電W
J3が剥がれ易くなるほか、給電層3を覆う保護層4が
凹所6部分には充分に回り込まず、凹所6に対応した保
護層4部分が亀裂し易く、製造上サーマル記録ヘッドの
歩留りが悪くなるという問題が生ずる。
このような問題を解決するために、接着層3aを用いず
に全導電層3aを二層構造とし、真空中で第一層目を形
成して実質的に接着層として機能させるようにしたもの
が提供されているが、上述した接着層3aに比べて接着
強度が弱く、全導電層3bの剥離を完全に回避する手段
としては未だ不充分なものであった。
に全導電層3aを二層構造とし、真空中で第一層目を形
成して実質的に接着層として機能させるようにしたもの
が提供されているが、上述した接着層3aに比べて接着
強度が弱く、全導電層3bの剥離を完全に回避する手段
としては未だ不充分なものであった。
この発明は、以上の問題点に着目して為されたものであ
って、発熱抵抗体への給電層の接着性を良好に保つこと
ができるようにしたサーマル記録ヘッド及びその製造方
法を提供するものである。
って、発熱抵抗体への給電層の接着性を良好に保つこと
ができるようにしたサーマル記録ヘッド及びその製造方
法を提供するものである。
[課題を解決するための手段1
すなわち、第一の発明は、第1図(a)に示すように、
ヘッド本体の構成部材である絶縁性基板1面に発熱抵抗
体2層とこの発熱抵抗体層2に給電するための給電層3
とを設けたサーマル記録ヘッドを前提とし、上記給電層
3を接着層3aとこの接着層3a上に積層される全導電
層3bとで構成し、接着層3aの線幅m1を全導電層3
bのそれm2よりも広く設定したものである。
ヘッド本体の構成部材である絶縁性基板1面に発熱抵抗
体2層とこの発熱抵抗体層2に給電するための給電層3
とを設けたサーマル記録ヘッドを前提とし、上記給電層
3を接着層3aとこの接着層3a上に積層される全導電
層3bとで構成し、接着層3aの線幅m1を全導電層3
bのそれm2よりも広く設定したものである。
そして、第二の発明は、第一の発明に係るサーマル記録
ヘッドの製造方法に関するもので、第1図(b)に示す
ように、ヘッド本体の構成部材である絶縁性基板1面に
発熱抵抗体層2を形成する発熱抵抗体層形成工程Aと、
上記発熱抵抗体層2に給電するための給電層3とすべき
接着層3aと全導電層3bとを絶縁性基板1上に連続的
に積層する積層工程Bと、上記金環電層3b上に所定幅
のホトレジストパターンを形成した後金導電層3bに対
してエツチング処理する第一のエツチング工程Cと、第
一のエツチング工程Cにて形成された金環電層3b上に
この全導電層3bより幅広のホトレジストパターンを形
成した後接着層3aに対してエツチング処理する第二の
エツチング工程りと、第二のエツチング工程り終了後に
おいて残留ホトレジストパターンを剥離する剥離工程E
とを含むものである。
ヘッドの製造方法に関するもので、第1図(b)に示す
ように、ヘッド本体の構成部材である絶縁性基板1面に
発熱抵抗体層2を形成する発熱抵抗体層形成工程Aと、
上記発熱抵抗体層2に給電するための給電層3とすべき
接着層3aと全導電層3bとを絶縁性基板1上に連続的
に積層する積層工程Bと、上記金環電層3b上に所定幅
のホトレジストパターンを形成した後金導電層3bに対
してエツチング処理する第一のエツチング工程Cと、第
一のエツチング工程Cにて形成された金環電層3b上に
この全導電層3bより幅広のホトレジストパターンを形
成した後接着層3aに対してエツチング処理する第二の
エツチング工程りと、第二のエツチング工程り終了後に
おいて残留ホトレジストパターンを剥離する剥離工程E
とを含むものである。
このような技術的手段において、サーマル記録ヘッドの
適用対象としては、直接若しくは間接型の感熱記録装置
や熱エネルギを単独若しくは他のエネルギ等と協同で作
用させてインクを飛翔させるインクジェット記録装置等
が挙げられる。
適用対象としては、直接若しくは間接型の感熱記録装置
や熱エネルギを単独若しくは他のエネルギ等と協同で作
用させてインクを飛翔させるインクジェット記録装置等
が挙げられる。
また、発熱抵抗体層2の素材としては所定の発熱特性を
有するものであれば適宜選択して差支えなく、給電層3
の接着層3aについてもNiCr、Cr等を始めとして
適宜選択して差支えない。
有するものであれば適宜選択して差支えなく、給電層3
の接着層3aについてもNiCr、Cr等を始めとして
適宜選択して差支えない。
更に、接着層3aの線幅を全導電層3bのそれよりも広
く設定する箇所については、接着性を良好に保つという
観点からすれば給電層3の総てを対象とすることが好ま
しいが、必ずしも給電層3の総てを対象とする必要はな
く、少なくとも全導電層3bの線幅が狭い箇所について
適用すればよい。また、接着層3aの線幅を全導電層3
bのそれよりも広く設定するには第二の発明に係る方法
が挙げられるが、これ以外の公知の方法で設定するよう
にしても差支えない。
く設定する箇所については、接着性を良好に保つという
観点からすれば給電層3の総てを対象とすることが好ま
しいが、必ずしも給電層3の総てを対象とする必要はな
く、少なくとも全導電層3bの線幅が狭い箇所について
適用すればよい。また、接着層3aの線幅を全導電層3
bのそれよりも広く設定するには第二の発明に係る方法
が挙げられるが、これ以外の公知の方法で設定するよう
にしても差支えない。
また、第二の発明において、第一のエツチング工程Cに
て形成された金環電層3b上にこの全導電層3bより幅
広のホトレジストパターンを形成した後接着層3aに対
してエツチング処理する第二のエツチング工程りがある
が、この際、第一のエツチング工程Cにおいて形成され
た残留ホトレジストパターンを残したまま新たにホトレ
ジストパターンを重ねあるいは付加してもよいが、ホト
レジストパターンを均一に形成するという観点からすれ
ば、第二のエツチング工程りのホトレジストパターンの
形成工程D1として、第一のエツチング工程Cにおける
残留ホトレジストパターンを一旦除去した後新たに第二
のエツチング工程りにおけるホトレジストパターンを設
けるようにすることが好ましい。
て形成された金環電層3b上にこの全導電層3bより幅
広のホトレジストパターンを形成した後接着層3aに対
してエツチング処理する第二のエツチング工程りがある
が、この際、第一のエツチング工程Cにおいて形成され
た残留ホトレジストパターンを残したまま新たにホトレ
ジストパターンを重ねあるいは付加してもよいが、ホト
レジストパターンを均一に形成するという観点からすれ
ば、第二のエツチング工程りのホトレジストパターンの
形成工程D1として、第一のエツチング工程Cにおける
残留ホトレジストパターンを一旦除去した後新たに第二
のエツチング工程りにおけるホトレジストパターンを設
けるようにすることが好ましい。
[作用]
上述したような技術的手段によれば、給電層3を構成す
る接着層3aの線幅が全導電層3bのそれよりも広く形
成されるので、接着層3aの幅方向両側縁に凹所が形成
されることはなくなり、全導電層3bの実質的な接着面
積を広く確保することができる。
る接着層3aの線幅が全導電層3bのそれよりも広く形
成されるので、接着層3aの幅方向両側縁に凹所が形成
されることはなくなり、全導電層3bの実質的な接着面
積を広く確保することができる。
[実施例]
以下、添附図面に示す実施例に基づいてこの発明に係る
サーマル記録ヘッド及びその製造方法を詳細に説明する
。
サーマル記録ヘッド及びその製造方法を詳細に説明する
。
第2図は所謂熱静電型インクジェット記録装置で用いら
れるサーマル記録ヘッドにこの発明を適用したものであ
る。
れるサーマル記録ヘッドにこの発明を適用したものであ
る。
同図において、サーマル記録ヘッドHは、一対の絶縁性
基板1,11間にスリット状のインク室12が形成され
るヘッド本体10と、このヘッド本体10のインク室1
2の出口側に位置するインク吐出部12a内のインク1
3に対して画素密度に応じた熱信号を印加する熱信号印
加手段20と、インク吐出部12aに対向して配置され
る対向電極(図示せず)との間でインク吐出部12a内
のインク13に上記熱信号に同期した静電界を作用させ
る静電誘導用電極30とで構成されている。
基板1,11間にスリット状のインク室12が形成され
るヘッド本体10と、このヘッド本体10のインク室1
2の出口側に位置するインク吐出部12a内のインク1
3に対して画素密度に応じた熱信号を印加する熱信号印
加手段20と、インク吐出部12aに対向して配置され
る対向電極(図示せず)との間でインク吐出部12a内
のインク13に上記熱信号に同期した静電界を作用させ
る静電誘導用電極30とで構成されている。
この実施例において、上記絶縁性基板1.11は例えば
アルミナセラミックスで構成されており、一方の絶縁性
基板1の内面には平面性及び蓄熱性を確保する上で例え
ばS i O2からなるグレーズ14が積層されている
。そして、上記インク室12は、例えばギャップ50μ
mのインク吐出部12aと、このインク吐出部12aよ
り幅広のギャップ1,000μm程度のインク溜め部1
2bとで構成されている。
アルミナセラミックスで構成されており、一方の絶縁性
基板1の内面には平面性及び蓄熱性を確保する上で例え
ばS i O2からなるグレーズ14が積層されている
。そして、上記インク室12は、例えばギャップ50μ
mのインク吐出部12aと、このインク吐出部12aよ
り幅広のギャップ1,000μm程度のインク溜め部1
2bとで構成されている。
また、上記熱信号印加手段20は、第2図ないし第4図
に示すように、インク吐出部12aに対応した絶縁性基
板1の内面部に画素密度毎に例えばM字型に形成される
発熱抵抗体J!!2と、この発熱抵抗体層2に画信号に
応じた制御信号を供給すべく絶縁性基板1の内面部に形
成される給電層3とを備えている。
に示すように、インク吐出部12aに対応した絶縁性基
板1の内面部に画素密度毎に例えばM字型に形成される
発熱抵抗体J!!2と、この発熱抵抗体層2に画信号に
応じた制御信号を供給すべく絶縁性基板1の内面部に形
成される給電層3とを備えている。
この実施例において、上記発熱抵抗体層2は、例えば窒
化タンタルTaN2を反応性スパッタリング法により成
膜し、ホトリソプロセスにて成膜された窒化タンタル層
をM字型の抵抗体パターンにパターン化した後、反応性
イオンエツチング法によりエツチング処理したものであ
り、この実施例では、発熱抵抗体層2のスリット方向の
幅寸法は70μm、その発熱有効面積は14,000μ
m2、その抵抗値は1にΩである。
化タンタルTaN2を反応性スパッタリング法により成
膜し、ホトリソプロセスにて成膜された窒化タンタル層
をM字型の抵抗体パターンにパターン化した後、反応性
イオンエツチング法によりエツチング処理したものであ
り、この実施例では、発熱抵抗体層2のスリット方向の
幅寸法は70μm、その発熱有効面積は14,000μ
m2、その抵抗値は1にΩである。
また、上記給電層3は、相隣接する発熱抵抗体層2を一
単位として、略コ字状に形成されて各発熱抵抗体層2の
相隣接する基端側に接続される共通電極21と、各発熱
抵抗体層2の隣接しない基端側に接続される独立電極2
2とからなり、各電極21.22の最小線幅は20μm
程度になっている。この実施例において、上記給電層3
は、約0.05um厚のNiCr等の接着層3aと、こ
の接着層3a上に積層される約1μm厚の金環電層3b
とからなるもので、接着層3aの線幅は金環電層3bの
それより約片側5μmずつ太く設定されている。
単位として、略コ字状に形成されて各発熱抵抗体層2の
相隣接する基端側に接続される共通電極21と、各発熱
抵抗体層2の隣接しない基端側に接続される独立電極2
2とからなり、各電極21.22の最小線幅は20μm
程度になっている。この実施例において、上記給電層3
は、約0.05um厚のNiCr等の接着層3aと、こ
の接着層3a上に積層される約1μm厚の金環電層3b
とからなるもので、接着層3aの線幅は金環電層3bの
それより約片側5μmずつ太く設定されている。
そして、この給電層3の製造方法としては第5図に示す
ものが採用されている。具体的には、先ず第5図(a)
に示すように、絶縁性基板1の内面上に、NiCr合金
等の接着層用の下層3bを0.05μm、Auからなる
金環N層用の上層32を約1μmの厚みで順次真空蒸着
した後、第5図(b)に示すように、給電層3パターン
に対応したホトレジストパターン33を上層32上に塗
布して金環電層用のエツチングを行い、第5図(C)に
示すように、ホトレジストパターン33に対応した箇所
以外の上層32部分を除去し、残留上層32部分を給電
層3の金環電層3bとする。次いで、第5図(d)に示
すように、上記残留ホトレジストパターン33を所定の
溶剤により剥離した後、第5図(e)に示すように、上
記金環電層3bの線幅より片側5μmずつ太いホトレジ
ストパターン34を上記下層3b及び金環電層3b上に
塗布して接着層用のエツチングを行い、第5図(f)に
示すように、ホトレジストパターン34に対応した箇所
以外の下層3b部分を除去し、残留下層3b部分を給電
層3の接着層3aとする。しかる後、第5図(a)に示
すように、残留ホトレジストパターン34を所定の溶剤
で剥離する。
ものが採用されている。具体的には、先ず第5図(a)
に示すように、絶縁性基板1の内面上に、NiCr合金
等の接着層用の下層3bを0.05μm、Auからなる
金環N層用の上層32を約1μmの厚みで順次真空蒸着
した後、第5図(b)に示すように、給電層3パターン
に対応したホトレジストパターン33を上層32上に塗
布して金環電層用のエツチングを行い、第5図(C)に
示すように、ホトレジストパターン33に対応した箇所
以外の上層32部分を除去し、残留上層32部分を給電
層3の金環電層3bとする。次いで、第5図(d)に示
すように、上記残留ホトレジストパターン33を所定の
溶剤により剥離した後、第5図(e)に示すように、上
記金環電層3bの線幅より片側5μmずつ太いホトレジ
ストパターン34を上記下層3b及び金環電層3b上に
塗布して接着層用のエツチングを行い、第5図(f)に
示すように、ホトレジストパターン34に対応した箇所
以外の下層3b部分を除去し、残留下層3b部分を給電
層3の接着層3aとする。しかる後、第5図(a)に示
すように、残留ホトレジストパターン34を所定の溶剤
で剥離する。
また、上記各電極21.22の基端側は例えば有機材料
からなる絶縁層23で被覆されている。
からなる絶縁層23で被覆されている。
この実施例において、上記絶縁層23は、例えば感光性
ポリイミド樹脂(東し株式会社製商品名フォトニースU
R3b00)をスピンコード法により塗布し、80℃、
60分の熱処理(プリベーク)を行った後パターン露光
処理を施し、未露光部分を溶剤処理により除去して上記
共通電極21の基端連結部218′に対応した箇所に、
200X500μmの矩形状スルーホール24を形成し
、次いで、窒素雰囲気下180℃で30分、300℃で
30分及び400℃で30分の熱処理を施し、上記ポリ
イミド樹脂をイミド化させたものである。
ポリイミド樹脂(東し株式会社製商品名フォトニースU
R3b00)をスピンコード法により塗布し、80℃、
60分の熱処理(プリベーク)を行った後パターン露光
処理を施し、未露光部分を溶剤処理により除去して上記
共通電極21の基端連結部218′に対応した箇所に、
200X500μmの矩形状スルーホール24を形成し
、次いで、窒素雰囲気下180℃で30分、300℃で
30分及び400℃で30分の熱処理を施し、上記ポリ
イミド樹脂をイミド化させたものである。
また、この絶縁層23の上には、NiCr合金を約0.
05μm、Auを約2μmの厚みで順次真空蒸着して形
成してなる通電電極層25が形成されており、この通電
電極層と上記共通電極21の基端連結部21aとが上記
スルーホール24を介して相互に着接されている。
05μm、Auを約2μmの厚みで順次真空蒸着して形
成してなる通電電極層25が形成されており、この通電
電極層と上記共通電極21の基端連結部21aとが上記
スルーホール24を介して相互に着接されている。
更に、上記発熱抵抗体層2及び給電層3の発熱抵抗体層
2側の上には、RFスパッタリング法により形成された
約2μm厚のSiO2製保護層26が配設されており、
この保護層26上に上記静電誘導用電極30が形成され
ている。この実施例において、上記静電誘導用電極30
は、Crを0.1ttm、Cuを0.8μm及びCrを
約0.1μmで保護層26上に順次蒸着し、ホトリソエ
ツチング処理法により上記発熱抵抗体層2に対応した櫛
形状に形成してなるものである。尚、上記保護層26を
形成する際においては、上記給電層3の基端側にマスク
をかけ給電層3の基端側に保護層26が形成されないよ
うにしている。
2側の上には、RFスパッタリング法により形成された
約2μm厚のSiO2製保護層26が配設されており、
この保護層26上に上記静電誘導用電極30が形成され
ている。この実施例において、上記静電誘導用電極30
は、Crを0.1ttm、Cuを0.8μm及びCrを
約0.1μmで保護層26上に順次蒸着し、ホトリソエ
ツチング処理法により上記発熱抵抗体層2に対応した櫛
形状に形成してなるものである。尚、上記保護層26を
形成する際においては、上記給電層3の基端側にマスク
をかけ給電層3の基端側に保護層26が形成されないよ
うにしている。
従って、この実施例に係るサーマル記録ヘッドによれば
、特に給電層3の製造過程において、接着層3aのバタ
ーニング用のホトレジストパターン34が金環電層3b
の線幅を越えた範囲で下層3b上に塗布されているため
、エツチング処理の際に金環電層3bの両側縁に対応し
た下層3b箇所がオーバエツチングされたとしても、接
着層3aの線幅が金環電層3bのそれより狭くなること
はなく、金環N層3bの実質的接着面積は充分に確保さ
れることになる。
、特に給電層3の製造過程において、接着層3aのバタ
ーニング用のホトレジストパターン34が金環電層3b
の線幅を越えた範囲で下層3b上に塗布されているため
、エツチング処理の際に金環電層3bの両側縁に対応し
た下層3b箇所がオーバエツチングされたとしても、接
着層3aの線幅が金環電層3bのそれより狭くなること
はなく、金環N層3bの実質的接着面積は充分に確保さ
れることになる。
[発明の効果]
以上説明してきたように、この発明に係るサーマル記録
ヘッド及びその製造方法によれば、発熱抵抗体への給電
層構造として、接着層の幅方向両側縁に凹所を形成する
ことなく、金環電層の実質的接着面積を広く確保するよ
うにしたので、給電層の剥離及び給電層を覆う保護層等
の亀裂を有効に防止することができ、その分、製造上の
サーマル記録ヘッドの歩留りを向上させることができる
。
ヘッド及びその製造方法によれば、発熱抵抗体への給電
層構造として、接着層の幅方向両側縁に凹所を形成する
ことなく、金環電層の実質的接着面積を広く確保するよ
うにしたので、給電層の剥離及び給電層を覆う保護層等
の亀裂を有効に防止することができ、その分、製造上の
サーマル記録ヘッドの歩留りを向上させることができる
。
第1図(a)は第一の発明に係るサーマル記録ヘッドの
構成を示す概略説明図、第1図(b)は第二の発明に係
るサーマル記録ヘッドの製造方法の各工程を示す説明図
、第2図は熱静電型インクジェット記録装置で用いられ
るサーマル記録ヘッドに第一の発明を適用した一実施例
を示す一部破断斜視図、第3図及び第4図は第2図中■
−■線及びIV−rV線断面図、第5図(a)ないしく
g)は実施例における給電層の製造工程を示す説明図、
第6図は従来のサーマル記録ヘッドの一例を示す断面説
明図、第7図は第6図中Vl−Vl線断面図である。 [符号の説明] 1・・・絶縁性基板 2・・・発熱抵抗体層3・・・
給電層 3a・・・接着層3b・・・金環電層 特許出願人 富士ゼロックス株式会社代 理 人
弁理士 中村 智廣 第1 図(a) 第1図(b) 第5図 第6図 ■ 第7図
構成を示す概略説明図、第1図(b)は第二の発明に係
るサーマル記録ヘッドの製造方法の各工程を示す説明図
、第2図は熱静電型インクジェット記録装置で用いられ
るサーマル記録ヘッドに第一の発明を適用した一実施例
を示す一部破断斜視図、第3図及び第4図は第2図中■
−■線及びIV−rV線断面図、第5図(a)ないしく
g)は実施例における給電層の製造工程を示す説明図、
第6図は従来のサーマル記録ヘッドの一例を示す断面説
明図、第7図は第6図中Vl−Vl線断面図である。 [符号の説明] 1・・・絶縁性基板 2・・・発熱抵抗体層3・・・
給電層 3a・・・接着層3b・・・金環電層 特許出願人 富士ゼロックス株式会社代 理 人
弁理士 中村 智廣 第1 図(a) 第1図(b) 第5図 第6図 ■ 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)ヘッド本体の構成部材である絶縁性基板(1)面に
発熱抵抗体層(2)とこの発熱抵抗体層(2)に給電す
るための給電層(3)とを設けたサーマル記録ヘッドに
おいて、 上記給電層(3)は接着層(3a)とこの接着層(3a
)上に積層される金導電層(3b)とで構成されており
、上記接着層(3a)の線幅(m1)が金導電層(3b
)のそれ(m2)よりも広く設定されていることを特徴
とするサーマル記録ヘッド。 2)ヘッド本体の構成部材である絶縁性基板(1)面に
発熱抵抗体層(2)を形成する発熱抵抗体層形成工程(
A)と、 上記発熱抵抗体層(2)に給電するための給電層(3)
とすべき接着層(3a)と金導電層(3b)とを絶縁性
基板(1)上に連続的に積層する積層工程(B)と、上
記金導電層(3b)上に所定幅のホトレジストパターン
を形成した後金導電層(3b)に対してエッチング処理
する第一のエッチング工程(C)と、第一のエッチング
工程(C)にて形成された金導電層(3b)上にこの金
導電層(3b)より幅広のホトレジストパターンを形成
した後接着層(3a)に対してエッチング処理する第二
のエッチング工程(D)と、第二のエッチング工程(D
)終了後において残留ホトレジストパターンを剥離する
剥離工程(E)とを含むサーマル記録ヘッドの製造方法
。 3)第二のエッチング工程(D)のホトレジストパター
ンの形成工程(D1)は、第一のエッチング工程(C)
にて形成された金導電層(3b)上の残留ホトレジスト
パターンを剥離した後に行われることを特徴とする請求
項2記載のサーマル記録ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63040881A JP2705080B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | サーマル記録ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63040881A JP2705080B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | サーマル記録ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01215561A true JPH01215561A (ja) | 1989-08-29 |
JP2705080B2 JP2705080B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=12592853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63040881A Expired - Lifetime JP2705080B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | サーマル記録ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2705080B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009041672A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Kyocera Corporation | 記録ヘッドおよびこれを備える記録装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5419756A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal printing head and production thereof |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP63040881A patent/JP2705080B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5419756A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal printing head and production thereof |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009041672A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Kyocera Corporation | 記録ヘッドおよびこれを備える記録装置 |
JPWO2009041672A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-01-27 | 京セラ株式会社 | 記録ヘッドおよびこれを備える記録装置 |
JP4746134B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-08-10 | 京セラ株式会社 | 記録ヘッドおよびこれを備える記録装置 |
US8279248B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-02 | Kyocera Corporation | Recording head and recording apparatus provided therewith |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2705080B2 (ja) | 1998-01-26 |
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