JPH01214825A - 液晶装置及びその駆動法 - Google Patents
液晶装置及びその駆動法Info
- Publication number
- JPH01214825A JPH01214825A JP4159288A JP4159288A JPH01214825A JP H01214825 A JPH01214825 A JP H01214825A JP 4159288 A JP4159288 A JP 4159288A JP 4159288 A JP4159288 A JP 4159288A JP H01214825 A JPH01214825 A JP H01214825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- liquid crystal
- polarity
- crystal device
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 64
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 19
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 claims description 10
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 235000021251 pulses Nutrition 0.000 description 65
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000000819 phase cycle Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100257134 Caenorhabditis elegans sma-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、液晶装置に関し、詳しくは強誘電性液晶を用
いた液晶装置に関するものである。
いた液晶装置に関するものである。
クラークとラガーウオルは、Applied Phy
sicsLetters第36巻、第11号(1980
年6月1日発行)、P、899−901、又は米国特許
第4,367.924号、米国特許第4,563,05
9号で、表面安定化強誘電性液晶(Surface−s
tabilized ferroelectricl
iquid crystal)による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチック相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
sicsLetters第36巻、第11号(1980
年6月1日発行)、P、899−901、又は米国特許
第4,367.924号、米国特許第4,563,05
9号で、表面安定化強誘電性液晶(Surface−s
tabilized ferroelectricl
iquid crystal)による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチック相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
上述の強誘電性液晶素子は、基板の投影成分において安
定な分子長軸の平均方向(n)は、2方向に限定され・
垂直分子層に平行な分子のダイポール・モーメント(九
)を有し、平均的に自分分極(Ps)を形成している。
定な分子長軸の平均方向(n)は、2方向に限定され・
垂直分子層に平行な分子のダイポール・モーメント(九
)を有し、平均的に自分分極(Ps)を形成している。
この自発分極(Ps)と印加電界とが強い結合を生じる
。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂直
分子層内のダイポール・モーメント(宝)は、その電界
方向に揃う。
。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂直
分子層内のダイポール・モーメント(宝)は、その電界
方向に揃う。
この時のチルト角はらせん配列構造における頂角のA倍
の角度に相当し、最大チルト角を生じる(この時の分子
配列状態をユニフォーム配向状態U1と言う)。上述し
た電界を解除すると、しばら(の緩和期間(強誘電性液
晶の種類によって相違するが、−船釣には1μs〜2μ
s程度である)を経た後、ユニフォーム配向状態U1と
比べ、分子の秩序度が低く、光学的−軸性が低く、且つ
チルト角が小さい別の分子配列状態(この状態をスプレ
ィ配向状態S1と言う)に安定化する。スプレィ配向状
態S1における分子のダイポール・モーメントは同一方
向とはなっていないが、自発分極(Ps)の方向は、ユ
ニフォーム配向状態U1の場合と同一である。又、逆方
向の電界印加により、同様にユニフォーム配向状態(U
2)とスプレィ配向状態(S2)を生じることになる。
の角度に相当し、最大チルト角を生じる(この時の分子
配列状態をユニフォーム配向状態U1と言う)。上述し
た電界を解除すると、しばら(の緩和期間(強誘電性液
晶の種類によって相違するが、−船釣には1μs〜2μ
s程度である)を経た後、ユニフォーム配向状態U1と
比べ、分子の秩序度が低く、光学的−軸性が低く、且つ
チルト角が小さい別の分子配列状態(この状態をスプレ
ィ配向状態S1と言う)に安定化する。スプレィ配向状
態S1における分子のダイポール・モーメントは同一方
向とはなっていないが、自発分極(Ps)の方向は、ユ
ニフォーム配向状態U1の場合と同一である。又、逆方
向の電界印加により、同様にユニフォーム配向状態(U
2)とスプレィ配向状態(S2)を生じることになる。
従って、前述した強誘電性液晶素子をデイスプレィパネ
ルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレィ
配向状態S1及びs2における透過率によって一義的に
定められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一
軸性として仮定すると、クロスニコル下で入射光■。の
強度に対して、 (ここで、θaはチルト角、△nは屈折率異方性、dは
セル厚、λは入射光の波長である。)で定められる。本
発明者らの実験によれば、スプレィ配向状態S1及びS
2でのチルト角θaは一般に5°〜8°であることが判
明していた。
ルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレィ
配向状態S1及びs2における透過率によって一義的に
定められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一
軸性として仮定すると、クロスニコル下で入射光■。の
強度に対して、 (ここで、θaはチルト角、△nは屈折率異方性、dは
セル厚、λは入射光の波長である。)で定められる。本
発明者らの実験によれば、スプレィ配向状態S1及びS
2でのチルト角θaは一般に5°〜8°であることが判
明していた。
前記問題点を解決するために高周波の交流印加手段を用
いた液晶装置が、例えば特開昭61−246722号公
報、同61−246723号公報、同61−24672
4号公報、同61−249024号公報、同61−24
9025号公報などに明らかにされている。かかる装置
では駆動用スイッチングパルスとは別に高周波の交流を
印加する手段が用いられているため、消費電力が大きく
なる問題点があった。
いた液晶装置が、例えば特開昭61−246722号公
報、同61−246723号公報、同61−24672
4号公報、同61−249024号公報、同61−24
9025号公報などに明らかにされている。かかる装置
では駆動用スイッチングパルスとは別に高周波の交流を
印加する手段が用いられているため、消費電力が大きく
なる問題点があった。
本発明の目的は、チルト角を増大させるための高周波交
流電圧を重畳することなく、しかも駆動電圧マージンを
低下させることなく強誘電性液晶画素に交流電圧を印加
させることができる液晶装置を提供することにある。
流電圧を重畳することなく、しかも駆動電圧マージンを
低下させることなく強誘電性液晶画素に交流電圧を印加
させることができる液晶装置を提供することにある。
すなわち本発明は、走査電極群(共通電極)と信号電極
群(セグメント電極)との交差部で画素を形成したマト
リクス電極及び該走査電極群と信号電極群との間に配置
した強誘電性液晶を有する液晶素子、少なくとも1つの
走査電極に、選択されていない時の走査電極への印加電
圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性パルスを
印加し、該一方極性パルス及び他方極性パルスの前のパ
ルス印加期間内に、他の少なくとも1つの走査電極にパ
ルス波形、パルス幅及びパルス波高値で定まる閾値電圧
以下の前パルスを印加する手段、並びに前記一方極性パ
ルス及び他方極性パルスのうち少なくとも一方のパルス
と同期して情報パルスを印加する手段を有する液晶装置
を特徴としたものである。
群(セグメント電極)との交差部で画素を形成したマト
リクス電極及び該走査電極群と信号電極群との間に配置
した強誘電性液晶を有する液晶素子、少なくとも1つの
走査電極に、選択されていない時の走査電極への印加電
圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性パルスを
印加し、該一方極性パルス及び他方極性パルスの前のパ
ルス印加期間内に、他の少なくとも1つの走査電極にパ
ルス波形、パルス幅及びパルス波高値で定まる閾値電圧
以下の前パルスを印加する手段、並びに前記一方極性パ
ルス及び他方極性パルスのうち少なくとも一方のパルス
と同期して情報パルスを印加する手段を有する液晶装置
を特徴としたものである。
尚、走査電極群又は信号電極群に印加する本明細書に記
載の「一方極性パルス」及び「他方極性パルス」とは、
選択されていない時の走査電極への印加電圧を基準にし
た極性で現されるパルスを指称する。
載の「一方極性パルス」及び「他方極性パルス」とは、
選択されていない時の走査電極への印加電圧を基準にし
た極性で現されるパルスを指称する。
印加電界(E)とダイポール・モーメントとの結合で生
じる液晶分子のトルクrP、及び印加電界(E)と誘電
率異方性(△ε)との結合で生じる液晶分子のトルクr
lXeは、それぞれ下式で示される。
じる液晶分子のトルクrP、及び印加電界(E)と誘電
率異方性(△ε)との結合で生じる液晶分子のトルクr
lXeは、それぞれ下式で示される。
r’ps ” Ps−E ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・(1)FΔecIニー・△ε・εo−E
2 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(
2)(ここでε。は真空誘電率である) 上述の式(2)から、液晶分子の誘電率異方性△εが大
きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやすい
ことが判る。しかも、△さく0の場合では、印加電界下
で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、そ
の結果らせん配列構造が抑制されることになる。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・(1)FΔecIニー・△ε・εo−E
2 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(
2)(ここでε。は真空誘電率である) 上述の式(2)から、液晶分子の誘電率異方性△εが大
きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやすい
ことが判る。しかも、△さく0の場合では、印加電界下
で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、そ
の結果らせん配列構造が抑制されることになる。
第1図は、△ε=−5,5の液晶(1)、△ε=−3,
0の液晶(rl)、△ε=0の液晶(III)及び△ε
=1.0の液晶(IV )の電圧実効値V rmsに対
するチルト角θaの依存性を表している。第1図に示す
測定では、自発分極Psからの影響を除去するために、
60KHzの矩形交流を使用した。図中のO1×、△及
び口は実測値である。
0の液晶(rl)、△ε=0の液晶(III)及び△ε
=1.0の液晶(IV )の電圧実効値V rmsに対
するチルト角θaの依存性を表している。第1図に示す
測定では、自発分極Psからの影響を除去するために、
60KHzの矩形交流を使用した。図中のO1×、△及
び口は実測値である。
第1図から明らかな如く、誘電率異方性△εが大きいも
の程、チルト角θaが大きいことが判る。
の程、チルト角θaが大きいことが判る。
液晶(1)と(III)を用いたセルにおけるクロスニ
コル下での最大透過率は、それぞれ15%[液晶(■)
]と6%[液晶(■)]であった。
コル下での最大透過率は、それぞれ15%[液晶(■)
]と6%[液晶(■)]であった。
本発明によれば、一方極性パルスと他方極性パルスをも
つ走査選択信号を少なくとも1つの走査電極に印加した
時、該−刃径性パルス及び他方極性パルスのうちの前の
パルス印加期間内T。に、他の少なくとも1つの走査電
極に、パルス波形(例えば矩形波)、パルス幅及びパル
ス波高値で定まる閾値電圧以下の前パルスPTOを印加
することによって、情報信号1.、I2・・・の最大パ
ルス幅△Tを小さ(、例えば60μsec以下に設定す
ることが可能となり、この結果誘電率異方性△εによる
大きな結合を生じ、表示コントラストを増大させること
ができる。又、前パルスpyoが閾値電圧以上に設定さ
れていると、結果的に期間T、で走査電極に印加される
電圧が強誘電性液晶の閾値電圧を越えることになるため
、表示画面は書込み期間T、の印加電圧のみによって制
御され、情報信号に応じた表示画面を形成することがで
きなくなる(全面白(又は黒)画面となる)。
つ走査選択信号を少なくとも1つの走査電極に印加した
時、該−刃径性パルス及び他方極性パルスのうちの前の
パルス印加期間内T。に、他の少なくとも1つの走査電
極に、パルス波形(例えば矩形波)、パルス幅及びパル
ス波高値で定まる閾値電圧以下の前パルスPTOを印加
することによって、情報信号1.、I2・・・の最大パ
ルス幅△Tを小さ(、例えば60μsec以下に設定す
ることが可能となり、この結果誘電率異方性△εによる
大きな結合を生じ、表示コントラストを増大させること
ができる。又、前パルスpyoが閾値電圧以上に設定さ
れていると、結果的に期間T、で走査電極に印加される
電圧が強誘電性液晶の閾値電圧を越えることになるため
、表示画面は書込み期間T、の印加電圧のみによって制
御され、情報信号に応じた表示画面を形成することがで
きなくなる(全面白(又は黒)画面となる)。
本発明で用いる前パルスPTOのパルス幅は、情報信号
の最大パルス幅△Tに対して1〜10倍、好ましくは2
〜3倍に設定することができ、又パルス波高値は、走査
選択信号のうちの前のパルス波高値に対して0.1〜2
倍、好ましくは0.5〜1倍に設定することができる。
の最大パルス幅△Tに対して1〜10倍、好ましくは2
〜3倍に設定することができ、又パルス波高値は、走査
選択信号のうちの前のパルス波高値に対して0.1〜2
倍、好ましくは0.5〜1倍に設定することができる。
第2図は、米国特許第4,705,345号公報で明ら
かにされている駆動波形である。第2図に示す駆動波形
では、前述した前パルスPTOが使用されていない。
かにされている駆動波形である。第2図に示す駆動波形
では、前述した前パルスPTOが使用されていない。
第3図及び第4図は、ハツチング部で示される前パルス
P□。が走査選択信号の印加に先立って印加されている
。図中のSl、S2.S3.・・・は走査電極に印加す
る走査信号、■I+ I2+ ・・・は信号電極に印
加する情報信号のパルス列を表している。又、第3図及
び第4図の走査信号S、、S2゜S3のうち前述した前
パルスP、。以外の一方極性パルスと他方極性パルスと
のパルス列が走査選択信号に相当している。
P□。が走査選択信号の印加に先立って印加されている
。図中のSl、S2.S3.・・・は走査電極に印加す
る走査信号、■I+ I2+ ・・・は信号電極に印
加する情報信号のパルス列を表している。又、第3図及
び第4図の走査信号S、、S2゜S3のうち前述した前
パルスP、。以外の一方極性パルスと他方極性パルスと
のパルス列が走査選択信号に相当している。
第3図及び第4図で示す駆動例では、期間T、で、選択
された走査電極上の全又は所定数の画素には、−済に強
誘電性液晶の一方の配向状態(光学的には「明」又は「
暗」状態)を生じさせる電圧が印加され、期間T2で、
全又は所定数の画素のうち選択された画素には、強誘電
性液晶の他方の配向状態(光学的には「暗」又は「明」
状態)を生じさせる電圧が印加され、他の画素には期間
T。
された走査電極上の全又は所定数の画素には、−済に強
誘電性液晶の一方の配向状態(光学的には「明」又は「
暗」状態)を生じさせる電圧が印加され、期間T2で、
全又は所定数の画素のうち選択された画素には、強誘電
性液晶の他方の配向状態(光学的には「暗」又は「明」
状態)を生じさせる電圧が印加され、他の画素には期間
T。
で生じた光学状態をそのまま保持する電圧が印加される
。
。
又、本発明では、期間T1とI2で印加されるパルス列
の位相を1垂直走査期間(例えばlフレーム又はlフィ
ールド)毎に互いに逆位相とすることによって走査電極
に印加することができる。その具体例を第5図に示す。
の位相を1垂直走査期間(例えばlフレーム又はlフィ
ールド)毎に互いに逆位相とすることによって走査電極
に印加することができる。その具体例を第5図に示す。
又、本発明では期間T1+T2に相当する1水平走査期
間毎にパルス列の位相を逆位相とすることができる。そ
の具体例を第6図に示す。
間毎にパルス列の位相を逆位相とすることができる。そ
の具体例を第6図に示す。
本発明の別の好ましい具体例では、情報信号のパルス列
のうち最大パルス幅△Tを前述した極小値τ□、。以下
に設定することができる。第1O図。
のうち最大パルス幅△Tを前述した極小値τ□、。以下
に設定することができる。第1O図。
第11図及び第12図に示す駆動波形では、情報信号の
最大パルス幅△Tを極小値τminに設定されている。
最大パルス幅△Tを極小値τminに設定されている。
第1O図の駆動波形によれば、F、フレームとF2フレ
ームで走査電極に印加するパルスの極性が、互いに逆極
性となっていて、F1フレームの走査選択期間A、で走
査電極上の画素が選択的に白の書込みが行われ、F2フ
レームでの走査選択期間A2で黒の選択的な書込みが行
われる。この際の走査選択信号のパルス列のうちの最大
パルス幅もやはり極小値τm1rlに設定され、実際に
は前述のパルス幅へTに設定される。第11図に示す駆
動波形でも、前述の同様のパルス幅に設定されており、
走査選択期間A。のうち前半のA。1で走査電極上の全
又は所定数の画素には白の光学状態を生じる閾値電圧を
超えた電圧(極小値τ山辺下のパルス幅、電圧−■。)
が印加され、後半のAO2では選択された画素には、黒
の閾値電圧(極小値τ而、以上のパルス幅、電圧V。)
が印加され、他の画素には閾値電圧以下の電圧(極小値
τ山辺下のパルス幅、電圧±4vo)が印加される。又
、第12図に示す駆動波形では走査電極のアドレスに先
立って、全又はブロック消去期間Cで、全又は所定数の
走査電極に消去パルスが印加され、続いて順次走査選択
信号が印加される。
ームで走査電極に印加するパルスの極性が、互いに逆極
性となっていて、F1フレームの走査選択期間A、で走
査電極上の画素が選択的に白の書込みが行われ、F2フ
レームでの走査選択期間A2で黒の選択的な書込みが行
われる。この際の走査選択信号のパルス列のうちの最大
パルス幅もやはり極小値τm1rlに設定され、実際に
は前述のパルス幅へTに設定される。第11図に示す駆
動波形でも、前述の同様のパルス幅に設定されており、
走査選択期間A。のうち前半のA。1で走査電極上の全
又は所定数の画素には白の光学状態を生じる閾値電圧を
超えた電圧(極小値τ山辺下のパルス幅、電圧−■。)
が印加され、後半のAO2では選択された画素には、黒
の閾値電圧(極小値τ而、以上のパルス幅、電圧V。)
が印加され、他の画素には閾値電圧以下の電圧(極小値
τ山辺下のパルス幅、電圧±4vo)が印加される。又
、第12図に示す駆動波形では走査電極のアドレスに先
立って、全又はブロック消去期間Cで、全又は所定数の
走査電極に消去パルスが印加され、続いて順次走査選択
信号が印加される。
本発明者らの実験によれば、温度25℃の条件下で、上
述の液晶Aを用いた時に、パルス幅△T=60μ5eC
SV Q =10Vに設定することによって高さコント
ラストの表示画面が得られたが、上述の液晶Bの場合で
は情報信号による表示の制御が不可能で、全面白画面が
形成されただけであった。
述の液晶Aを用いた時に、パルス幅△T=60μ5eC
SV Q =10Vに設定することによって高さコント
ラストの表示画面が得られたが、上述の液晶Bの場合で
は情報信号による表示の制御が不可能で、全面白画面が
形成されただけであった。
本発明によれば、パルス幅のマージンを拡大でき、情報
信号のパルス列の最大パルス幅△Tを60μsec以下
にすることによって、高コントラスト画像が高フレーム
周波数で形成することができる。
信号のパルス列の最大パルス幅△Tを60μsec以下
にすることによって、高コントラスト画像が高フレーム
周波数で形成することができる。
又、本発明の好ましい具体例では、前述の極小値τmi
nを生じる電界強度El(液晶Aの場合では、約20ボ
ルト)とすると、情報信号パルス列の最大パルス幅△T
を極小値τ山辺下に設定した時、書込みライン上の半選
択点には電界強度E1以上の電圧を印加することによっ
て、クロストーク発生を防止することができる。その理
由は、半選択点では高周波の交流が印加されて、誘電率
異方性△ε結合を生じており、電界強度E1以上の電圧
が印加されることによりて、液晶の分子配向状態に反転
ないしは分子のゆらぎが生じなくなることに基づくもの
と推察される。従って、本発明の好ましい具体例では半
選択点に電界強度E1は、式(3)に基づいて設定する
ことができる。
nを生じる電界強度El(液晶Aの場合では、約20ボ
ルト)とすると、情報信号パルス列の最大パルス幅△T
を極小値τ山辺下に設定した時、書込みライン上の半選
択点には電界強度E1以上の電圧を印加することによっ
て、クロストーク発生を防止することができる。その理
由は、半選択点では高周波の交流が印加されて、誘電率
異方性△ε結合を生じており、電界強度E1以上の電圧
が印加されることによりて、液晶の分子配向状態に反転
ないしは分子のゆらぎが生じなくなることに基づくもの
と推察される。従って、本発明の好ましい具体例では半
選択点に電界強度E1は、式(3)に基づいて設定する
ことができる。
Eo/d > E、 ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ (3)式中、Elは極小
値τ而。に対応した電界強度(V/m)、Eoは半選択
点に印加される電界強度(V/m)、dは一対の電極間
の間隔(m)を表わしている。
・・・・・・・・・・・・・ (3)式中、Elは極小
値τ而。に対応した電界強度(V/m)、Eoは半選択
点に印加される電界強度(V/m)、dは一対の電極間
の間隔(m)を表わしている。
又、本発明では、前述した走査選択信号と情報パルス列
を用いたマルチプレクシング駆動の他に、共通信号と情
報信号パルス列を用いたスタティック駆動にも適用する
ことができる。
を用いたマルチプレクシング駆動の他に、共通信号と情
報信号パルス列を用いたスタティック駆動にも適用する
ことができる。
本発明で用いる強誘電性液晶としては、誘電率異方性△
εが負のカイラルスメクチック液晶を用いるのが好まし
い。例えば、チッソ社製のrcslollJ(商品名)
などが知られている。又、この強誘電性液晶の膜厚は、
無電界時に(バルク状態で)カイラルスメクチック相の
ラセン分子配列構造の形成を抑制するのに十分に薄く設
定されているのがよい(例えば0.5μmxloμm1
好ましくは1.(1μm〜5μm)。この強誘電性液晶
はラビング処理されたポリイミド膜、ポリアミド膜、ポ
リアミドイミド膜、ポリエステルイミド膜又はポリビニ
ルアルコール膜、あるいは斜方蒸着処理したSiO膜又
はSiO□膜の界面で接しているのがよ(、これによっ
てモノドメインを形成することができる。
εが負のカイラルスメクチック液晶を用いるのが好まし
い。例えば、チッソ社製のrcslollJ(商品名)
などが知られている。又、この強誘電性液晶の膜厚は、
無電界時に(バルク状態で)カイラルスメクチック相の
ラセン分子配列構造の形成を抑制するのに十分に薄く設
定されているのがよい(例えば0.5μmxloμm1
好ましくは1.(1μm〜5μm)。この強誘電性液晶
はラビング処理されたポリイミド膜、ポリアミド膜、ポ
リアミドイミド膜、ポリエステルイミド膜又はポリビニ
ルアルコール膜、あるいは斜方蒸着処理したSiO膜又
はSiO□膜の界面で接しているのがよ(、これによっ
てモノドメインを形成することができる。
又、本発明で用いた強誘電性液晶は、第7図に示す様に
印加パルスによって分極反転電流を発生する。印加パル
スの立上り時からこの分極反転電流のピークPを生じる
までの時間を電流応答時間τ。とすると、この電流応答
時間τ。は、印加電圧(パルス波高値)に依存する。第
8図は上述の液晶A及びBの電流応答時間τ。に対する
印加電圧依存性を明らかにしている。第8図によれば、
液晶Aは印加パルスが20V付近の時に、電流応答時間
τ。の極小値τmin吋11Qμsecが現われている
が、液晶Bについては極小値τmJnを生じていない。
印加パルスによって分極反転電流を発生する。印加パル
スの立上り時からこの分極反転電流のピークPを生じる
までの時間を電流応答時間τ。とすると、この電流応答
時間τ。は、印加電圧(パルス波高値)に依存する。第
8図は上述の液晶A及びBの電流応答時間τ。に対する
印加電圧依存性を明らかにしている。第8図によれば、
液晶Aは印加パルスが20V付近の時に、電流応答時間
τ。の極小値τmin吋11Qμsecが現われている
が、液晶Bについては極小値τmJnを生じていない。
上述の電流応答時間τ。は、第9図に示す電流応答時間
測定器によって測定することができる。図中91は5H
zのパルス発生器、92は1にΩの抵抗、93は強誘電
性液晶セルを表している。
測定器によって測定することができる。図中91は5H
zのパルス発生器、92は1にΩの抵抗、93は強誘電
性液晶セルを表している。
chlは第7図に示すオシログラフchiに相当し、c
h2は第7図に示すオシログラフch2に相当している
。
h2は第7図に示すオシログラフch2に相当している
。
第14図は、本発明で用いたマトリクス電極を配置した
強誘電性液晶パネル141の駆動装置を表している。第
14図のパネル141には、走査線142とデータ線1
43とが互いに交差して配線され、その交差部の走査線
142とデータ線143との間には強誘電性液晶が配置
されている。又、第14図中、144は走査回路、14
5は走査側駆動回路、146は信号側駆動電圧発生回路
、147はラインメモリー、148はスフトレジスタ、
149は走査側駆動電圧発生電源、140はマイクロ・
プロセッサー・ユニット(MPV)を表わしている。
強誘電性液晶パネル141の駆動装置を表している。第
14図のパネル141には、走査線142とデータ線1
43とが互いに交差して配線され、その交差部の走査線
142とデータ線143との間には強誘電性液晶が配置
されている。又、第14図中、144は走査回路、14
5は走査側駆動回路、146は信号側駆動電圧発生回路
、147はラインメモリー、148はスフトレジスタ、
149は走査側駆動電圧発生電源、140はマイクロ・
プロセッサー・ユニット(MPV)を表わしている。
走査側駆動電圧発生電源149には、電圧v1゜v2と
Vcが用意され、例えば電圧V、とv2を前述した走査
選択信号の電源とし、電圧Vcを走査非選択信号の電源
とすることができる。
Vcが用意され、例えば電圧V、とv2を前述した走査
選択信号の電源とし、電圧Vcを走査非選択信号の電源
とすることができる。
次に、本発明を実施例に従って説明する。
透明電極となるITO(インジウム−ティン−オキサイ
ド)膜をストライブ形状にパターニングしたガラス基板
の上に、1000人厚のSi02膜をスパッタリング法
によって形成し、その上に500人厚0ポリイミド膜を
形成した(ポリイミド膜の形成には、ポリアミック酸溶
液である東し社製の5P−710(商品名)を使用した
)。次に、このポリイミド膜にアセテート植毛布でラビ
ング処理した。
ド)膜をストライブ形状にパターニングしたガラス基板
の上に、1000人厚のSi02膜をスパッタリング法
によって形成し、その上に500人厚0ポリイミド膜を
形成した(ポリイミド膜の形成には、ポリアミック酸溶
液である東し社製の5P−710(商品名)を使用した
)。次に、このポリイミド膜にアセテート植毛布でラビ
ング処理した。
上述のラビング処理したガラス基板をそれぞれ2枚用意
し、互いにストライブ電極が交差し、ラビング処理軸が
平行となる様に、2枚のガラス基板を貼り合わせた。こ
の際、一方のガラス基板には、貼り合わせ時に2枚のガ
ラス基板の間隔が約1.5μmとなる様に、平均粒子サ
イズ1.5μmのシリカビーズを散布した。
し、互いにストライブ電極が交差し、ラビング処理軸が
平行となる様に、2枚のガラス基板を貼り合わせた。こ
の際、一方のガラス基板には、貼り合わせ時に2枚のガ
ラス基板の間隔が約1.5μmとなる様に、平均粒子サ
イズ1.5μmのシリカビーズを散布した。
この様にして作成したセル内に、カイラルスメクチック
液晶(液晶A)を注入した。この液晶Aの特性は、下記
のとおりであった。
液晶(液晶A)を注入した。この液晶Aの特性は、下記
のとおりであった。
LILA(測定温度;25°C)
自発分極Ps ; 12.9nc
/c rr?r min
; 110 μsec (2OV時)△ε
; −5,8 らせん配列構造における頂角■ ;23゜18V矩形波
での閾値 ;120μsec相系列
; Iso −b ch −+ Sm
A →SmC*(表中、 l5o−等方相、ch−コレ
ステリック相、SmA−スメクチックA相、SmC*−
カイラルスメクチックC相)尚、液晶Bの特性は下記の
とおりであった。
/c rr?r min
; 110 μsec (2OV時)△ε
; −5,8 らせん配列構造における頂角■ ;23゜18V矩形波
での閾値 ;120μsec相系列
; Iso −b ch −+ Sm
A →SmC*(表中、 l5o−等方相、ch−コレ
ステリック相、SmA−スメクチックA相、SmC*−
カイラルスメクチックC相)尚、液晶Bの特性は下記の
とおりであった。
L益」(測定温度;25°C)
自発分極P s ; 6.6nc/c rr
?τmin ;なし △ε ; −0,1 頂角■ ;23゜ 18V矩形波での閾値 ;50μsec相系列
; Iso +ch →SmA 4 SmC
零第13図に液晶A及びBの閾値特性を示す。
?τmin ;なし △ε ; −0,1 頂角■ ;23゜ 18V矩形波での閾値 ;50μsec相系列
; Iso +ch →SmA 4 SmC
零第13図に液晶A及びBの閾値特性を示す。
次に、第2図(比較例)及び第3図に示す駆動波形を用
いて下記の条件で表示駆動を行った。この。
いて下記の条件で表示駆動を行った。この。
時のコントラストを測定した。
波形 ; 矩形波電圧V。(2
Vo) ; 9ボルト (18ボルト
)2T2=2△T、=T0=ΔT; 20μsec
(例1)40μsec (例2) 60 μsec (例3) 80 μsec (例4) 100 p sec (例5) 120 μsec (例6) 前パルスPToの波高値 ;14ボルトパルス幅
;l/2T。
Vo) ; 9ボルト (18ボルト
)2T2=2△T、=T0=ΔT; 20μsec
(例1)40μsec (例2) 60 μsec (例3) 80 μsec (例4) 100 p sec (例5) 120 μsec (例6) 前パルスPToの波高値 ;14ボルトパルス幅
;l/2T。
波形 ; 矩形波この時のコン
トラスト測定は、倍率100倍の偏光顕微鏡(商品名;
BH−2;オリンパス光学工業社製)にSmC木状態下
0セルをセットし、セル内の一方のストライブ電極に走
査信号を印加し、他方のストライブ電極に情報信号を印
加し、駆動時の明状態と暗状態との透過光量をフォトマ
ルチプレター(浜松ホトニクス社製のフォトマル・チュ
ーブR761)によって測定し、暗状態に対する明状態
の透過光量の比(コントラスト)を求めた。この結果を
表1に示す。
トラスト測定は、倍率100倍の偏光顕微鏡(商品名;
BH−2;オリンパス光学工業社製)にSmC木状態下
0セルをセットし、セル内の一方のストライブ電極に走
査信号を印加し、他方のストライブ電極に情報信号を印
加し、駆動時の明状態と暗状態との透過光量をフォトマ
ルチプレター(浜松ホトニクス社製のフォトマル・チュ
ーブR761)によって測定し、暗状態に対する明状態
の透過光量の比(コントラスト)を求めた。この結果を
表1に示す。
この際、偏光顕微鏡のクロスニフルの一方の偏光軸を期
間T。で最暗状態となる様に配置した。
間T。で最暗状態となる様に配置した。
表 1
T コン −ス
第2図の駆動 第3図の駆動
一豆U互り一 −(支)X朋D
I 20 μsec スイッチング不能
22.52 40μsec スイッチング
不能 20.03 60 μsec
スイッチング不能 17.54 80 p
sec 15.0 全面黒画
面5 100 μsec 11.0
全面黒画面6120μsec 全面黒
画面 全面黒画面表1より判る様に、本発明で
は高フレーム周波数での書込みが不能で、しかも広いパ
ルス幅のマージンで、高コントラストの表示画面を形成
することができた。
22.52 40μsec スイッチング
不能 20.03 60 μsec
スイッチング不能 17.54 80 p
sec 15.0 全面黒画
面5 100 μsec 11.0
全面黒画面6120μsec 全面黒
画面 全面黒画面表1より判る様に、本発明で
は高フレーム周波数での書込みが不能で、しかも広いパ
ルス幅のマージンで、高コントラストの表示画面を形成
することができた。
本発明によれば、高コントラストの表示画面を高フレー
ム周波数による書込みを実現することができた。
ム周波数による書込みを実現することができた。
第1図はチルト角θaの誘電率異方性△εに対する印加
電圧依存性を示す特性図である。 第2図は従来装置で用いていた駆動の波形図である。 第3図、第4図、第5図及び第6図は本発明装置で用い
た駆動の波形図である。 第7図は印加パルス波形のオシログラフchl及、 び
分極反転電流のオシログラフch2を示す説明図である
。 第8図は印加電圧のパルス立上り時から該パルス印加に
よって生じる分極反転電流のピーク値までの時間を電流
応答時間τ0とした時、可変したパルス波高値に応じた
電流応答時間τ。の極小値τminを示す特性図である
。 第9図は分極反転電流測定器の回路図である。 第1O図、第11図及び第12図は本発明装置で用いた
駆動の波形図である。 第13図は液晶A及びBの閾値特性図である。 第14図は本発明装置のブロック図である。 特許出願人 キャノン株式会社 第1図 θ^ −@h→− −一一一−1フレーム、期glllフレー4期間−−−
−Y’JJヒ合一テQjl ’Z6
電圧依存性を示す特性図である。 第2図は従来装置で用いていた駆動の波形図である。 第3図、第4図、第5図及び第6図は本発明装置で用い
た駆動の波形図である。 第7図は印加パルス波形のオシログラフchl及、 び
分極反転電流のオシログラフch2を示す説明図である
。 第8図は印加電圧のパルス立上り時から該パルス印加に
よって生じる分極反転電流のピーク値までの時間を電流
応答時間τ0とした時、可変したパルス波高値に応じた
電流応答時間τ。の極小値τminを示す特性図である
。 第9図は分極反転電流測定器の回路図である。 第1O図、第11図及び第12図は本発明装置で用いた
駆動の波形図である。 第13図は液晶A及びBの閾値特性図である。 第14図は本発明装置のブロック図である。 特許出願人 キャノン株式会社 第1図 θ^ −@h→− −一一一−1フレーム、期glllフレー4期間−−−
−Y’JJヒ合一テQjl ’Z6
Claims (29)
- (1)走査電極群と信号電極群との交差部で画素を形成
したマトリクス電極及び該走査電極群と信号電極群との
間に配置した強誘電性液晶を有する液晶素子、少なくと
も1つの走査電極に、選択されていない時の走査電極へ
の印加電圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性
パルスを印加し、該一方極性パルス及び他方極性パルス
の前のパルス印加期間内に、他の少なくとも1つの走査
電極にパルス波形、パルス幅及びパルス波高値で定まる
閾値電圧以下の前パルスを印加する手段、並びに前記一
方極性パルス及び他方極性パルスのうち少なくとも一方
のパルスと同期して情報パルスを印加する手段を有する
液晶装置。 - (2)前記情報パルスが選択されていない時の走査電極
への印加電圧を基準にして、互いに逆極性のオン情報パ
ルスとオフ情報パルスを有している特許請求の範囲第(
1)項記載の液晶装置。 - (3)前記前パルスが、選択されていない時の走査電極
への印加電圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極
性パルスを有している特許請求の範囲第(1)項記載の
液晶装置。 - (4)前記一方極性パルス及び他方極性パルスのうちの
前のパルスと前記前パルスとに同期させて、信号電極か
ら印加された電圧信号とで合成された電圧の印加によっ
て、前記少なくとも1つの走査電極上の全又は所定数の
画素に閾値電圧以上の電圧を印加する特許請求の範囲第
(1)項記載の液晶装置。 - (5)前記少なくとも1つの走査電極に印加する一方極
性パルス及び他方極性パルスが1垂直走査期間毎に逆位
相の関係を有している特許請求の範囲第(1)項記載の
液晶装置。 - (6)前記少なくとも1つの走査電極に印加する一方極
性パルス及び他方極性パルスが1水平走査期間毎に逆位
相の関係を有している特許請求の範囲第(1)項又は第
(5)項記載の液晶装置。 - (7)前記強誘電性液晶の誘電率異方性(Δε)が負で
ある特許請求の範囲第(1)項記載の液晶装置。 - (8)前記強誘電性液晶の膜厚が無電界時にカイラルス
メクチツク相のらせん配列の形成を抑制するのに十分に
薄く設定されている特許請求の範囲第(1)項記載の液
晶装置。 - (9)相対向する一対の電極、及び一対の電極の間に配
置された強誘電性液晶であって、印加電圧のパルス立上
り時から該パルス印加によって生じる分極反転電流のピ
ーク値までの時間を電流応答時間τ_0とした時、可変
したパルス波高値に応じて電流応答時間τ_0の極小値
τ_m_i_nを生じる強誘電性液晶を有する液晶素子
、並びに前記一対の電極の一方の電極に前記極小値τ_
m_i_nより短いパルス幅を最大パルス幅とした情報
信号を印加する手段を有することを特徴とする液晶装置
。 - (10)前記一対の電極間に前記極小値τ_m_i_n
より長いパルス幅のオン電圧信号と前記極小値τ_m_
i_nより短いパルス幅を最大パルス幅としたオフ電圧
信号との何れか1つを選択する手段を有している特許請
求の範囲第(9)項記載の液晶装置。 - (11)前記一対の電極の他方の電極に、前記極小値τ
_m_i_nより短いパルス幅を最大パルス幅とした共
通信号を印加する手段を有している特許請求の範囲第(
9)項記載の液晶装置。 - (12)前記一対の電極が一方を走査電極群とし、他方
を信号電極群としたマトリクス電極であって、少なくと
も1つの走査電極に、選択されていない時の走査電極へ
の印加電圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性
パルスを印加し、信号電極に前記一方極性パルス及び他
方極性パルスのうち少なくとも一方のパルスと同期して
、前記極小値τ_m_i_nより短いパルス幅を最大パ
ルス幅とした情報信号を印加する手段を有している特許
請求の範囲第(9)項記載の液晶装置。 - (13)前記情報信号が互いに逆位相のオン情報信号と
オフ情報信号を有している特許請求の範囲第(12)項
記載の液晶装置。 - (14)前記一方極性パルス及び他方極性パルスのうち
少なくとも一方のパルスの最大パルス幅が前記極小値τ
_m_i_nより短いパルス幅である特許請求の範囲第
(12)項記載の液晶装置。 - (15)前記一方極性パルス及び他方極性パルスを1水
平走査期間毎に印加する特許請求の範囲第(12)項記
載の液晶装置。 - (16)前記一方極性パルス及び他方極性パルスを1垂
直走査期間毎に交互に印加する特許請求の範囲第(12
)項記載の液晶装置。 - (17)前記一方極性パルス及び他方極性パルスの一方
を走査選択信号として印加し、他方の1水平走査に先立
って一斉に印加する特許請求の範囲第(12)項記載の
液晶装置。 - (18)前記強誘電性液晶の誘電率異方性(Δε)が負
である特許請求の範囲第(9)項記載の液晶装置。 - (19)前記強誘電性液晶の膜厚が無電界時にカイラル
スメクチツク相のらせん配列の形成を抑制するのに十分
に薄い間隔に設定されている特許請求の範囲第(1)項
又は第(16)項記載の液晶装置。 - (20)相対向する一対の電極、及び該一対の電極の間
に配置された強誘電性液晶であって、印加電圧のパルス
立上り時から該パルス印加によつて生じる分極反転電流
のピーク値までの時間を電流応答時間τ_0とした時、
可変したパルス波高値に応じて電流応答時間τ_0の極
小値τ_m_i_nを生じる強誘電性液晶を有する液晶
素子、並びに前記一対の電極のうち半選択点の電極間に
、前記極小値τ_m_i_nより短いパルス幅で、且つ
下記式を満たす電界強度E_0(V/m)を生じさせる
電圧を印加する手段を有することを特徴とする液晶装置
。 式E_0/d>E_1 (式中、E_1は前記極小値τ_m_i_nに対応した
電圧の電界強度(V/m)で、dは一対の電極間の間隔
(m)である。) - (21)前記一対の電極の一方が共通電極で、他方が信
号電極であって、該共通電極とセグメント電極に、前記
極小値τ_m_i_nより短いパルス幅のパルスを印加
する特許請求の範囲第(20)項記載の液晶装置。 - (22)前記一対の電極が一方を走査電極群とし、他方
を信号電極群としたマトリクス電極であって、少なくと
も1つの走査電極に選択されていない時の走査電極への
印加電圧を基準にして、一方極性パルス及び他方極性パ
ルスを印加し、信号電極に前記一方極性パルス及び他方
極性パルスのうち少なくとも一方のパルスと同期して、
前記極小値τ_m_i_nより短いパルス幅を最大パル
ス幅とした情報信号を印加する手段を有している特許請
求の範囲第(20)項記載の液晶装置。 - (23)前記情報信号が互いに逆位相のオン情報信号と
オフ情報信号を有している特許請求の範囲第(22)項
記載の液晶装置。 - (24)前記一方極性パルス及び他方極性パルスのうち
少なくとも一方のパルスの最大パルス幅が前記極小値τ
_m_i_nより短いパルス幅である特許請求の範囲第
(22)項記載の液晶装置。 - (25)前記一方極性パルス及び他方極性パルスを1水
平走査期間毎に印加する特許請求の範囲第(22)項記
載の液晶装置。 - (26)前記一方極性パルス及び他方極性パルスを1垂
直走査期間毎に交互に印加する特許請求の範囲第(22
)項記載の液晶装置。 - (27)前記一方極性パルス及び他方極性パルスの一方
を走査選択信号として印加し、他方の1水平走査に先立
って一斉に印加する特許請求の範囲第(22)項記載の
液晶装置。 - (28)前記強誘電性液晶の誘電率異方性(△ε)が負
である特許請求の範囲第(20)項記載の液晶装置。 - (29)前記強誘電性液晶の膜厚が無電界時にカイラル
スメクチツク相のらせん配列の形成を抑制するのに十分
に薄い間隔に設定されている特許請求の範囲第(1)項
又は第(27)項記載の液晶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4159288A JPH0830800B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 液晶装置及びその駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4159288A JPH0830800B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 液晶装置及びその駆動法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01214825A true JPH01214825A (ja) | 1989-08-29 |
JPH0830800B2 JPH0830800B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=12612685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4159288A Expired - Fee Related JPH0830800B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 液晶装置及びその駆動法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0830800B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0526094A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP4159288A patent/JPH0830800B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0526094A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0830800B2 (ja) | 1996-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7652648B2 (en) | Liquid crystal display apparatus and method of driving the same | |
JP3342341B2 (ja) | 液晶装置及び液晶装置の駆動方法 | |
JPS6261931B2 (ja) | ||
JPS62278540A (ja) | 液晶素子、その配向制御法及びその駆動法 | |
US5189535A (en) | Liquid crystal display element and method for driving same | |
US5136408A (en) | Liquid crystal apparatus and driving method therefor | |
JPH09281528A (ja) | 強誘電性液晶素子、その製造方法、及び液晶素子の製造方法 | |
JPH0422492B2 (ja) | ||
JPH0535848B2 (ja) | ||
JPH01214825A (ja) | 液晶装置及びその駆動法 | |
JPH0833537B2 (ja) | 液晶装置及びその駆動法 | |
JPS6249607B2 (ja) | ||
JP2977356B2 (ja) | アクティブマトリックス液晶表示装置の駆動方法 | |
JP3259634B2 (ja) | 反強誘電性液晶表示素子 | |
JPS63244021A (ja) | 駆動装置 | |
JP3365587B2 (ja) | 液晶装置 | |
JP2525453B2 (ja) | 液晶装置及びその駆動法 | |
JPH01222228A (ja) | 液晶装置 | |
EP0864911A2 (en) | Ferroelectric liquid crystal electro-optic apparatus and manufacturing method thereof | |
JPH0422493B2 (ja) | ||
JPH0448366B2 (ja) | ||
JPS6224228A (ja) | 液晶表示装置の駆動方法 | |
JPH0823636B2 (ja) | 光学変調素子の駆動法 | |
JPS62165631A (ja) | 液晶表示素子のマトリツクス駆動方法 | |
JPS63197920A (ja) | 光学変調素子の駆動法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |