JPH01214030A - 電気回路装置 - Google Patents
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- JPH01214030A JPH01214030A JP63038860A JP3886088A JPH01214030A JP H01214030 A JPH01214030 A JP H01214030A JP 63038860 A JP63038860 A JP 63038860A JP 3886088 A JP3886088 A JP 3886088A JP H01214030 A JPH01214030 A JP H01214030A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電気回路装置に関する。
[従来技術]
従来、電気回路部品同士を電気的に接続して構成される
電気回路部材を封止した電気回路装置に関する技術とし
ては以下に述べる技術が知られている。
電気回路部材を封止した電気回路装置に関する技術とし
ては以下に述べる技術が知られている。
■ワイヤボンディング方法
第13図および第14図はワイヤボンディング方法によ
って接続され、封止された半導体装置の代表例を示して
おり、以下、第13図および第14図に基づきワイヤボ
ンディング方法を説明する。
って接続され、封止された半導体装置の代表例を示して
おり、以下、第13図および第14図に基づきワイヤボ
ンディング方法を説明する。
この方法は、Agペースト3等を用いて半導体素子4を
素子搭載部2に固定支持し、次いで、半導体素子4の接
続部5と、リードフレーム1の所望の接続部6とを金等
の極細金属線7を用いて電気的に接続部する方法である
。
素子搭載部2に固定支持し、次いで、半導体素子4の接
続部5と、リードフレーム1の所望の接続部6とを金等
の極細金属線7を用いて電気的に接続部する方法である
。
接続後は、トランスファーモールド法等の方法でエポキ
シ樹脂等の熱硬化性樹脂である樹脂8を用いて半導体素
子4とリードフレーム1を封止し、その後、樹脂封止部
品から外に伸びたリードフレーム1の不要部分を切断し
、所望の形に曲げ半導体9を作る。
シ樹脂等の熱硬化性樹脂である樹脂8を用いて半導体素
子4とリードフレーム1を封止し、その後、樹脂封止部
品から外に伸びたリードフレーム1の不要部分を切断し
、所望の形に曲げ半導体9を作る。
■T A B (Tape Automated Bo
nding )法(例えば、特開昭59−139636
号公報)第15図はrAB法により接続され封止された
半導体装置の代表例を示す。
nding )法(例えば、特開昭59−139636
号公報)第15図はrAB法により接続され封止された
半導体装置の代表例を示す。
この方法は、テープキャリア方式による自動ボンディン
グ法である。すなわち、第15図に基づいて説明すると
、キャリアフィルム基板16と半導体素子4とを位置決
めした後、キャリアフィルム基板16のインナーリード
部17と半導体素子4の接続部5とを熱圧着することに
より接続する方法である。接続後は、エポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂である樹脂20乃至樹脂21で封止し半導
体装置9とする。
グ法である。すなわち、第15図に基づいて説明すると
、キャリアフィルム基板16と半導体素子4とを位置決
めした後、キャリアフィルム基板16のインナーリード
部17と半導体素子4の接続部5とを熱圧着することに
より接続する方法である。接続後は、エポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂である樹脂20乃至樹脂21で封止し半導
体装置9とする。
■CCB (Controlled Co11apse
Bonding )法(例えば、特公昭42−209
6号公報、特開昭60−57944号公報) 第16図はCCB法によって接続され封止された半導体
装置の代表例を示す。この方法を第16辺に基づき説明
する。なお、本方法はフリップチップボンディング法と
も言われている。
Bonding )法(例えば、特公昭42−209
6号公報、特開昭60−57944号公報) 第16図はCCB法によって接続され封止された半導体
装置の代表例を示す。この方法を第16辺に基づき説明
する。なお、本方法はフリップチップボンディング法と
も言われている。
半導体素子4の接続部5に予め半田バンプ31を設け、
半田バンプ31が設けられた半導体素子4を回路基板3
2上に位置決めして搭載する。
半田バンプ31が設けられた半導体素子4を回路基板3
2上に位置決めして搭載する。
その後、半田を加熱溶解することにより回路基板32と
半導体素子4とを接続させ、フラックス洗浄後封止して
半導体装置9を作る。
半導体素子4とを接続させ、フラックス洗浄後封止して
半導体装置9を作る。
■第17図および第18図に示す方法
すなわち、第1の半導体素子4の接続部5以外の部分に
ポリイミド等よりなる絶縁膜71を形成せしめ、接続部
5にはAu等よりなる金属材70を設け、次いで、金属
材70および絶縁膜71の露出面73.72を平らにす
る。一方、第2の半導体素子4°の接続部5°以外の部
分にポリイミド等よりなる絶縁膜71゛を形成し、接続
部5゜にはAu等よりなる金属材70°を設け、次いで
、金属材70゛および絶縁膜71°の露出面73°、7
2”を平らにする。
ポリイミド等よりなる絶縁膜71を形成せしめ、接続部
5にはAu等よりなる金属材70を設け、次いで、金属
材70および絶縁膜71の露出面73.72を平らにす
る。一方、第2の半導体素子4°の接続部5°以外の部
分にポリイミド等よりなる絶縁膜71゛を形成し、接続
部5゜にはAu等よりなる金属材70°を設け、次いで
、金属材70゛および絶縁膜71°の露出面73°、7
2”を平らにする。
しかる後、第18図に示すように第1の半導体素子4と
第2の半導体素子4”とを位置決めし、位置決め後、熱
圧着することにより第1の半導体素子4の接続部5と第
2の半導体素子4°の接続部5゛を、金属材70.70
′を介して接続する。
第2の半導体素子4”とを位置決めし、位置決め後、熱
圧着することにより第1の半導体素子4の接続部5と第
2の半導体素子4°の接続部5゛を、金属材70.70
′を介して接続する。
■第19図に示す方法
すなわち、第1の回路基材75と第2の回路基材75°
の間に、絶縁物質77中に導電粒子79を分散させた異
方性導電膜78を介在させ、第1の回路基材75と第2
の回路基材75゛を位置決めしたのち、加圧もしくは、
加圧・加熱し、第1の回路基材75の接続部76と第2
の回路基材75“の接続部76°を接続する方法である
。
の間に、絶縁物質77中に導電粒子79を分散させた異
方性導電膜78を介在させ、第1の回路基材75と第2
の回路基材75゛を位置決めしたのち、加圧もしくは、
加圧・加熱し、第1の回路基材75の接続部76と第2
の回路基材75“の接続部76°を接続する方法である
。
■第20図に示す方法
すなわち、第1の回路基材75と第2の回路基材75゛
の間に、Fe、Cu等よりなる金属線82が一定方向に
向けて配されいる絶縁物質81h)うなるエラスチック
コネクター83を介在させ、第1の回路基材75と第2
の回路基材75゛を位置決めした後加圧し、第1の回路
基材75の接続部76と第2の回路基材75°の接続部
76°を接続する方法である。
の間に、Fe、Cu等よりなる金属線82が一定方向に
向けて配されいる絶縁物質81h)うなるエラスチック
コネクター83を介在させ、第1の回路基材75と第2
の回路基材75゛を位置決めした後加圧し、第1の回路
基材75の接続部76と第2の回路基材75°の接続部
76°を接続する方法である。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで上記した従来のボンディング法には次のような
問題点がある。
問題点がある。
■ワイヤボンディング法
■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内部にくる
ように設計すると、極細金属線7は、その線径が極めて
小さいために、半導体素子4の外周縁部10あるいはリ
ードフレーム1の素子搭載部2の外周縁部11に接触し
易くなる。極細金属線7がこれら外周縁部10乃至11
に接触すると短絡する。さらに、極細金属線7の長さを
長くせざるを得す、長さを長くすると、トランスファー
モールド成形時に極細金属線7が変形しやすくなる。
ように設計すると、極細金属線7は、その線径が極めて
小さいために、半導体素子4の外周縁部10あるいはリ
ードフレーム1の素子搭載部2の外周縁部11に接触し
易くなる。極細金属線7がこれら外周縁部10乃至11
に接触すると短絡する。さらに、極細金属線7の長さを
長くせざるを得す、長さを長くすると、トランスファー
モールド成形時に極細金属線7が変形しやすくなる。
従って、半導体素子4の接続部5は半導体装置4上の周
辺に配置する必要が生じ、回路設計上の制限を受けざる
を得なくなる。
辺に配置する必要が生じ、回路設計上の制限を受けざる
を得なくなる。
■ワイヤボンディング法においては、隣接する極細金属
線7同士の接触等を避けるためには半導体素子4上の接
続部5のピッチ寸法(隣接する接続部の中心間の距tn
>とじである程度の間隔をとらざるを得ない。従って、
半導体素子4の大きさが決まれば必然的に接続部5の最
大数が決まる。
線7同士の接触等を避けるためには半導体素子4上の接
続部5のピッチ寸法(隣接する接続部の中心間の距tn
>とじである程度の間隔をとらざるを得ない。従って、
半導体素子4の大きさが決まれば必然的に接続部5の最
大数が決まる。
しかるに、ワイヤボンディング法では、このピッチ寸法
が通常0.2mm程度と大きいので、接続部5の数は少
なくせざるを得なくなる。
が通常0.2mm程度と大きいので、接続部5の数は少
なくせざるを得なくなる。
■半導体素子4上の接続部5から測った極細金属線7の
高さhは通常0.2〜0.4mmであるが、0.2mm
以下にし薄型化することは比較的困難であるので薄型化
を図れない。
高さhは通常0.2〜0.4mmであるが、0.2mm
以下にし薄型化することは比較的困難であるので薄型化
を図れない。
■ワイヤボンディング作業に時間がかかる。特に接続点
数が多くなるとボンディング時間が長くなり生産効率が
悪くなる。
数が多くなるとボンディング時間が長くなり生産効率が
悪くなる。
■何らかの要因でトランスファーモールド条件範囲を越
すと、極細金属線7が変形したり最悪の場合には切断し
たりする。
すと、極細金属線7が変形したり最悪の場合には切断し
たりする。
また、半導体素子4上の接続部5においては、極細金属
線7と合金化されないA1が露出しているためA℃腐食
が生じ易くなり、信頼性の低下が生じる。
線7と合金化されないA1が露出しているためA℃腐食
が生じ易くなり、信頼性の低下が生じる。
・ ■高圧で樹脂8を注入すると、極細金属線7の変
形、切断が生じるため、高圧で注入する必要がある熱可
塑性樹脂は使用できなく、樹脂に制約を受ける。
形、切断が生じるため、高圧で注入する必要がある熱可
塑性樹脂は使用できなく、樹脂に制約を受ける。
■TAB法
■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内側にくる
ように設計すると、キャリアフィルム基板16のインナ
ーリード部17の長さ1が長くなるため、インナーリー
ド部17が変形し易くなりインナーリード部を所望の接
続部5に接続できなかったり、インナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触したりする。
ように設計すると、キャリアフィルム基板16のインナ
ーリード部17の長さ1が長くなるため、インナーリー
ド部17が変形し易くなりインナーリード部を所望の接
続部5に接続できなかったり、インナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触したりする。
これを避けるためには半導体素子4の接続部5を半導体
素子4上の周辺に持ってくる必要が生じ、設計上の制限
を受ける。
素子4上の周辺に持ってくる必要が生じ、設計上の制限
を受ける。
■TAB法においても、半導体素子4上の接続部のピッ
チ寸法は0.09〜0.15mm程度にとる必要があり
、従ってワイヤボンディング法の問題点■で述べたと同
様に、接続部数を増加させることはむずかしくなる。
チ寸法は0.09〜0.15mm程度にとる必要があり
、従ってワイヤボンディング法の問題点■で述べたと同
様に、接続部数を増加させることはむずかしくなる。
■キャリアフィルム基板16のインナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触しないように
させろためには、そのためのインナーリード部17の接
続形状が要求されるためコスト高となる。
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触しないように
させろためには、そのためのインナーリード部17の接
続形状が要求されるためコスト高となる。
■半導体素子4の接続部5とインナーリード部17とを
接続するためには、半導体素子4の接続部5またはイン
ナーリード1117の接続部に金バンブをつけなければ
ならずコスト高になる。
接続するためには、半導体素子4の接続部5またはイン
ナーリード1117の接続部に金バンブをつけなければ
ならずコスト高になる。
■半導体素子4の熱膨張係数が、樹脂2o乃至樹脂21
の熱膨張係数と異なるため、半導体装置9に熱が加わっ
た場合、熱応力が発生し、半導体素子4の特性劣化を生
じる。さらには半導体素子4または樹脂20乃至樹脂2
1に割れが生じ、装置の信頼性が低下する。かかる現象
は半導体素子4の大きさが大きい場合顕著となる。
の熱膨張係数と異なるため、半導体装置9に熱が加わっ
た場合、熱応力が発生し、半導体素子4の特性劣化を生
じる。さらには半導体素子4または樹脂20乃至樹脂2
1に割れが生じ、装置の信頼性が低下する。かかる現象
は半導体素子4の大きさが大きい場合顕著となる。
■CCB法
■半導体素子4の接続部5に半田バンプ31を形成させ
なければならないためコスト高になる。
なければならないためコスト高になる。
■バンブの半田量が多いと隣接する半田バンブ間にブリ
ッジ(隣接する半田バンプ同士が接触する現象)が生じ
、逆にバンブの半田量が少ないと半導体素子4の接続部
5と基板32の接続部33が接続しなくなり電気的導通
がとれなくなる。すなわち、接続の信頼性が低くなる。
ッジ(隣接する半田バンプ同士が接触する現象)が生じ
、逆にバンブの半田量が少ないと半導体素子4の接続部
5と基板32の接続部33が接続しなくなり電気的導通
がとれなくなる。すなわち、接続の信頼性が低くなる。
さらに、半田量、接続の半田形状が接続の信頼性に影響
する(”Geametric Optlmixatio
n of ControlledCollapse I
ntarconnections″、 L、S、Gol
dman。
する(”Geametric Optlmixatio
n of ControlledCollapse I
ntarconnections″、 L、S、Gol
dman。
IBM J、 RES、 DEVELOP、 1969
MAY、 pp251−265゜”Re1iabil
ity of Controlled Co11aps
eInterconnections″、に、C,No
rris。
MAY、 pp251−265゜”Re1iabil
ity of Controlled Co11aps
eInterconnections″、に、C,No
rris。
A、H,Landxberg、 IBM J、 RE
S、 DEVELOP。
S、 DEVELOP。
1969、MAY、 pp26B−271,ろう接技術
研究会技術資料、No、017− ’84、ろう接技術
研究会発行)という問題がある。
研究会技術資料、No、017− ’84、ろう接技術
研究会発行)という問題がある。
このように、半田バンブの量の多少が接続の信頼性に影
響するため半田バンブ31の量のコントロールが必要と
されている。
響するため半田バンブ31の量のコントロールが必要と
されている。
■半田バンブ31が半導体素子4の内側に存在すると接
続が良好に行なわれたか否かの目視検査が難しくなる。
続が良好に行なわれたか否かの目視検査が難しくなる。
■半導体素子の放熱性が悪い(参考資料;Electr
onic PackagingTechnology
19B7.1(Vol、3. No、1) P、66〜
71. NIKKEI MICRODEVICES19
81i、5月、 P、97〜108)ため、放熱特性を
良好たらしめるために多大な工夫が必要とされる。
onic PackagingTechnology
19B7.1(Vol、3. No、1) P、66〜
71. NIKKEI MICRODEVICES19
81i、5月、 P、97〜108)ため、放熱特性を
良好たらしめるために多大な工夫が必要とされる。
■第17図および第18図に示す技術
■絶縁膜71の露出面72、金属材70の露出面73あ
るいは絶縁膜71°の露出面72°と金属材70°の露
出面73゛とを平らにしなければならず、そのための工
夫が増し、コスト高になる。
るいは絶縁膜71°の露出面72°と金属材70°の露
出面73゛とを平らにしなければならず、そのための工
夫が増し、コスト高になる。
■絶縁膜71の露出面72と金属材70の露出面73あ
るいは絶縁膜71゛の露出面72゛と金属材70゛の露
出面73′に凹凸があると金属材70と金属材70′と
が接続しなくなり、信頼性が低下する。
るいは絶縁膜71゛の露出面72゛と金属材70゛の露
出面73′に凹凸があると金属材70と金属材70′と
が接続しなくなり、信頼性が低下する。
■第19図に示す技術
■位置決め後に、接続部76と接続部76°とを加圧し
て接続する際に、圧力が一定はかかりにくいため、接続
状態にバラツキが生じ、その結果、接続部における接触
抵抗値のバラツキが大きくなる。そのため、接続の信頼
性が乏しくなる。
て接続する際に、圧力が一定はかかりにくいため、接続
状態にバラツキが生じ、その結果、接続部における接触
抵抗値のバラツキが大きくなる。そのため、接続の信頼
性が乏しくなる。
また、多量の電流を流すと、発熱等の現象が生じるので
、多量の電流を流したい場合には不向きである。
、多量の電流を流したい場合には不向きである。
■圧力が一定にかけられたとしても、異方性導電膜78
の導電粒子79の配列により抵抗値のバラツキが大きく
なる。そのため、接続の信頼性に乏しくなる。また、多
量の電流を流したい場合には不向きである。
の導電粒子79の配列により抵抗値のバラツキが大きく
なる。そのため、接続の信頼性に乏しくなる。また、多
量の電流を流したい場合には不向きである。
■隣接する接続部のピッチ(接続部に隣接する接続部中
心間の距離)を狭くすると隣接する接続部の間の抵抗値
が小さくなることから高密度な接続には不向きである。
心間の距離)を狭くすると隣接する接続部の間の抵抗値
が小さくなることから高密度な接続には不向きである。
■回路基材75.75’の接続部76.76゜の出っ張
り量h1のバラツキにより抵抗値が変化するため、h1
バラツキ量を正確に押さえることが必要である。
り量h1のバラツキにより抵抗値が変化するため、h1
バラツキ量を正確に押さえることが必要である。
■さらに異方性導電膜を、半導体素子と回路基材の接続
、また、第1の半導体素子と第2の半導体素子との接続
に使用した場合、上記■〜■の欠点の他、半導体素子の
接続部にバンブを設けなければならなくなり、コスト高
になるという欠点が生じる。
、また、第1の半導体素子と第2の半導体素子との接続
に使用した場合、上記■〜■の欠点の他、半導体素子の
接続部にバンブを設けなければならなくなり、コスト高
になるという欠点が生じる。
■第20図に示す技術
■加圧が必要であり、加圧治具が必要となる。
■エラスチックコネクタ83の金属線82と第1の回路
基材75の接続部76、また、第2の回路基材f5”の
接続部76°との接触抵抗は加圧力および表面状態によ
り変化するため、接続の信頼性に乏しい。
基材75の接続部76、また、第2の回路基材f5”の
接続部76°との接触抵抗は加圧力および表面状態によ
り変化するため、接続の信頼性に乏しい。
■エラスチックコネクタ83の金属線82は剛体である
ため、加圧力が大であるとエラスチックコネクタ83、
第1の回路基材75、第2の回路基材75°の表面が破
損する可能性が大きい。また、加圧力が小であると、接
続の信頼性が乏しくなる。
ため、加圧力が大であるとエラスチックコネクタ83、
第1の回路基材75、第2の回路基材75°の表面が破
損する可能性が大きい。また、加圧力が小であると、接
続の信頼性が乏しくなる。
■さらに、回路基材75,75°の接続部76.76°
の出っ張り量h2、またエラスチックコネクタ83の金
属線82のの出っ張り量h3とそのバラツキが抵抗値変
化および破損に影響を及ぼすので、バラツキを少なくす
る工夫が必要とされる。
の出っ張り量h2、またエラスチックコネクタ83の金
属線82のの出っ張り量h3とそのバラツキが抵抗値変
化および破損に影響を及ぼすので、バラツキを少なくす
る工夫が必要とされる。
■さらに、エラスチックコネクターを半導体素子と回路
基材の接続、また、第1の半導体素子と第2の半導体素
子との接続に使用した場合、■〜■と同様な欠点を生ず
る。
基材の接続、また、第1の半導体素子と第2の半導体素
子との接続に使用した場合、■〜■と同様な欠点を生ず
る。
本発明は、以上のような問題点をことごとく解決し、高
密度、高信頼性であり、しかも、低コストの新電気回路
装置を提案するものであり、従来の接続方式及び封止方
式を置き変え得ることはもちろん、高密度多点接続が得
られ、熱特性その他の諸特性を向上させ得るものである
。
密度、高信頼性であり、しかも、低コストの新電気回路
装置を提案するものであり、従来の接続方式及び封止方
式を置き変え得ることはもちろん、高密度多点接続が得
られ、熱特性その他の諸特性を向上させ得るものである
。
[問題点を解決するための手段]
本発明の第1の要旨は、電気的絶縁材料よりなる保持体
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と:少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
いる少なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されている少
なくとも1以上の他の電気回路部品と: 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接片さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と:少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
いる少なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されている少
なくとも1以上の他の電気回路部品と: 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接片さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
本発明の第2の要旨は、電気的絶縁材料よりなる保持体
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と;少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
いる少なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又は合金
化することにより形成された接続体を介してなされてい
る少なくとも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と: を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と;少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
いる少なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又は合金
化することにより形成された接続体を介してなされてい
る少なくとも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と: を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
本発明の第3の要旨は、電気的絶縁材料よりなる保持体
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と:少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
おり、該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又
は合金化することにより形成された接続体を介してなさ
れている少なくとも1以上の電気回路部品; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又は合金
化することにより形成された接続体を介してなされてい
る少なくとも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の夕なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と: を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
と、該保持体中に埋設された複数の電気的導電部材とを
有し、該電気的導電部材の一端が該保持体の一方の面に
おいて露出しており、また、該電気的導電部材の他端が
該保持体の他方の面において露出している電気的接続部
材と:少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部にお
いて、該保持体の一方の面において露出している該電気
的導電部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されて
おり、該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又
は合金化することにより形成された接続体を介してなさ
れている少なくとも1以上の電気回路部品; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又は合金
化することにより形成された接続体を介してなされてい
る少なくとも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の夕なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と: を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
以下に本発明の構成要件を個別的に説明する。
(電気回路部品)
本発明における電気回路部品としては、例えば、半導体
素子、樹脂回路基板、セラミック基板、金属基板等の回
路基板(以下車に回路基板ということがある)、リード
フレーム等があげられる。
素子、樹脂回路基板、セラミック基板、金属基板等の回
路基板(以下車に回路基板ということがある)、リード
フレーム等があげられる。
なお、電気的接続部材に接続される電気回路部品は、保
持体の1つの面に、1つだけ存在してもいいし、複数個
存在してもいい。
持体の1つの面に、1つだけ存在してもいいし、複数個
存在してもいい。
電気回路部品として接続部を有する部品が本発明の対象
となる。接続部の数は問わないが、接続部の数が多けれ
ば多いほど本発明の効果が顕著となる。
となる。接続部の数は問わないが、接続部の数が多けれ
ば多いほど本発明の効果が顕著となる。
また、接続部の存在位置も問わないが、電気回路部品の
内部に存在するほど本発明の効果は顕著となる。
内部に存在するほど本発明の効果は顕著となる。
なお、接続部は電気的導電部材である。
(電気的接続部材)
本発明に係る電気的接続部材は、電気絶縁材料からなる
保持体に複数の電気的導電部材が埋設されている。
保持体に複数の電気的導電部材が埋設されている。
埋設されている導電部材同士は電気的に絶縁されている
。
。
この電気的導電部材の一端は保持体の一方の面において
露出しており、他の一端は保持体の他方の面においてに
露出している。
露出しており、他の一端は保持体の他方の面においてに
露出している。
さらに電気的接続部材は、1層あるいは2層以上の多層
からなるものでもよい。
からなるものでもよい。
(電気的導電部材)
電気的導電部材は電気的に導電性を示すものならば何で
もよい、金属材料が一般的であるが金属材料以外にも超
電導性を示す材料でもよい。
もよい、金属材料が一般的であるが金属材料以外にも超
電導性を示す材料でもよい。
金属部材の材料としては、金が好ましいが、金具外の任
意の金属あるいは合金を使用することもできる0例えば
、Ag、Be、Ca、Mg。
意の金属あるいは合金を使用することもできる0例えば
、Ag、Be、Ca、Mg。
Mo、Ni、W、Fe、Ti、In、Ta。
Zn、Cu、An、Sn、Pb−3n等の金属あるいは
合金があげられる。
合金があげられる。
また、金属部材および合金部材は同一の電気的接続部材
において同種の金属が存在していてもよいし異種の金属
が存在していてもよい、さらに、電気的接続部材の金属
部材および合金部材の1個が同種金属ないし合金ででき
ていても異種の金属ないし合金でできていてもよい。さ
らに、金属、合金以外であっても導電性を示すならば、
金属材料に有機材料または無機材料の一方または両方を
包含せしめた材料でもよい、また、導電性を示すならば
無機材料と有機材料との組合せでもよい。
において同種の金属が存在していてもよいし異種の金属
が存在していてもよい、さらに、電気的接続部材の金属
部材および合金部材の1個が同種金属ないし合金ででき
ていても異種の金属ないし合金でできていてもよい。さ
らに、金属、合金以外であっても導電性を示すならば、
金属材料に有機材料または無機材料の一方または両方を
包含せしめた材料でもよい、また、導電性を示すならば
無機材料と有機材料との組合せでもよい。
さらに、電気的導電部材の断面は円形、四角形その他任
意の形状とするができる。
意の形状とするができる。
また、電気的導電部材の太さは特に限定されない、電気
回路部材の接続部のピッチを考慮して、例えば20μm
φ以上あるいは20μmφ以下にしてもよい。
回路部材の接続部のピッチを考慮して、例えば20μm
φ以上あるいは20μmφ以下にしてもよい。
なお、電気的導電部材の露出部は保持体と同一面として
もよいし、また、保持体の面から突出させてもよい、こ
の突出は片面のみでもよいし両面でもよい、さらに突出
させた場合はバンブ状にしてもよい。
もよいし、また、保持体の面から突出させてもよい、こ
の突出は片面のみでもよいし両面でもよい、さらに突出
させた場合はバンブ状にしてもよい。
また、電気的導電部材の間隔は、電気回路部品の接続部
同士の間隔と同一間隔としてもよいし、それより狭い間
隔としてもよい。狭い間隔とした場合には電気回路部品
と電気的接続部材との位置決めを要することなく、電気
回路部品と電気的接続部材とを接続することが可能とな
る。
同士の間隔と同一間隔としてもよいし、それより狭い間
隔としてもよい。狭い間隔とした場合には電気回路部品
と電気的接続部材との位置決めを要することなく、電気
回路部品と電気的接続部材とを接続することが可能とな
る。
また、電気的導電部材は保持体中に垂直に配する必要は
なく、保持体の一方の面側から保持体の他方の面側に向
って斜行していてもよい。
なく、保持体の一方の面側から保持体の他方の面側に向
って斜行していてもよい。
(保持体)
保持体は、電気的絶縁材料からなる。
電気的絶縁材料ならばいかなるものでもよい。
電気的絶縁材料としては有機材料、無機材料があげられ
る。また、電気的導電部材同士が電気的に絶縁されるよ
うに処理を施した金属材料でもよい、さらに、有機材料
中に、無機材料ないし金属材料よりなる粉体、繊維、所
望の形状をした材料の一種ないし複数種を分散させて保
有せしめてもよい、さらに、無機材料中に、有機材料な
いし金属材料よりなる粉体、繊維、所望の形状をした材
料の一種ないし複数種を分散させて保有せしめてもよい
。また、金属材料中に、無機材料ないし有機材料よりな
る粉体、繊維、所望の形状をした材料の一種ないし複数
種を分散させて保有せしめてもよい。なお、保持体が金
属材料よりなる場合は、例えば、電気的導電部材と保持
体との間に樹脂等の電気的絶縁材料を配設すればよい。
る。また、電気的導電部材同士が電気的に絶縁されるよ
うに処理を施した金属材料でもよい、さらに、有機材料
中に、無機材料ないし金属材料よりなる粉体、繊維、所
望の形状をした材料の一種ないし複数種を分散させて保
有せしめてもよい、さらに、無機材料中に、有機材料な
いし金属材料よりなる粉体、繊維、所望の形状をした材
料の一種ないし複数種を分散させて保有せしめてもよい
。また、金属材料中に、無機材料ないし有機材料よりな
る粉体、繊維、所望の形状をした材料の一種ないし複数
種を分散させて保有せしめてもよい。なお、保持体が金
属材料よりなる場合は、例えば、電気的導電部材と保持
体との間に樹脂等の電気的絶縁材料を配設すればよい。
ここで、有機材料としては、例えば、絶縁性の樹脂を用
いればよい、樹脂を用いる場合には樹脂の種類も問わな
い。熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂のい
ずれでもよい。例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ンサルファイド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポ
リエーテルイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、フッ素樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリジフェニールエーテル樹
脂、ポリベンジルイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、ポリフェニレ
ンオキサイド樹脂、フェノール樹脂、メラニン樹脂、エ
ポキシ樹脂、尿素樹脂、メラニン樹脂、塩化ビニリデン
樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂その他の樹脂を
使用することができる。
いればよい、樹脂を用いる場合には樹脂の種類も問わな
い。熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂のい
ずれでもよい。例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ンサルファイド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポ
リエーテルイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、フッ素樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリジフェニールエーテル樹
脂、ポリベンジルイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、ポリフェニレ
ンオキサイド樹脂、フェノール樹脂、メラニン樹脂、エ
ポキシ樹脂、尿素樹脂、メラニン樹脂、塩化ビニリデン
樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂その他の樹脂を
使用することができる。
なお、これらの樹脂の中から、熱伝導性のよい樹脂を使
用すれば、半導体素子が熱を持ってもその熱を樹脂を介
して放熱することができるのでより好ましい。さらに、
樹脂として、回路基板と同じかあるいは同程度の熱膨張
率を有するものを選択し、また、有機材料中に少なくと
も1ケの穴あるいは複数の既報を存在せしめれば、熱膨
張・熱収縮に基づく、装置の信頼性の低下を一層防止す
ることが可能となる。
用すれば、半導体素子が熱を持ってもその熱を樹脂を介
して放熱することができるのでより好ましい。さらに、
樹脂として、回路基板と同じかあるいは同程度の熱膨張
率を有するものを選択し、また、有機材料中に少なくと
も1ケの穴あるいは複数の既報を存在せしめれば、熱膨
張・熱収縮に基づく、装置の信頼性の低下を一層防止す
ることが可能となる。
無機材料、金属材料としては後述する材料を用いればよ
い。
い。
(接続:金属化及び/又は合金化による接続)電気的接
続部材の端と電気回路部品の接続との接続としては下記
の3つの構成が考えられる。
続部材の端と電気回路部品の接続との接続としては下記
の3つの構成が考えられる。
なお、1個の電気的接続部材に、1個または2個以上の
電気回路部品が接続されていてもよいが、その接続され
た電気回路部品のうちの少なくとも1個が下記の構成に
よる接続がなされていればよい。
電気回路部品が接続されていてもよいが、その接続され
た電気回路部品のうちの少なくとも1個が下記の構成に
よる接続がなされていればよい。
■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の一端と、一方の電気回路部品の複数の接続部
とが、また、保持体の他方の面において露出している複
数の電気的導電部材の他端と、他方の電気回路部品の複
数の接続部とが、それぞれ、次の■および■で述べる金
属化及び/又は合金化以外の方法で接続されている構成
。
導電部材の一端と、一方の電気回路部品の複数の接続部
とが、また、保持体の他方の面において露出している複
数の電気的導電部材の他端と、他方の電気回路部品の複
数の接続部とが、それぞれ、次の■および■で述べる金
属化及び/又は合金化以外の方法で接続されている構成
。
■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の一端と、一方の電気回路部品の複数の接続部
の少なくとも1つとを金属化及び/又は合金化すること
により形成された接続体を介して接続され、一方、保持
体の他方の面において露出している複数の電気的導電部
材の他端と、他方の電気回路部品の複数の接続部とが、
上記金属化及び/又は合金化以外の方法で接続されてい
る構成。
導電部材の一端と、一方の電気回路部品の複数の接続部
の少なくとも1つとを金属化及び/又は合金化すること
により形成された接続体を介して接続され、一方、保持
体の他方の面において露出している複数の電気的導電部
材の他端と、他方の電気回路部品の複数の接続部とが、
上記金属化及び/又は合金化以外の方法で接続されてい
る構成。
■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の一端と、一方の電気回路部品の複数の接続部
の少なくとも1つとを金属化及び/又は合金化すること
により形成された接続体を介して接続され、一方、保持
体の他方の面において露出している複数の電気的導電部
材の他端と、他方の電気回路部品の複数の接続部の少な
くとも1つとを金属化及び/又は合金化することにより
形成された接続体を介して接続されている構成。
導電部材の一端と、一方の電気回路部品の複数の接続部
の少なくとも1つとを金属化及び/又は合金化すること
により形成された接続体を介して接続され、一方、保持
体の他方の面において露出している複数の電気的導電部
材の他端と、他方の電気回路部品の複数の接続部の少な
くとも1つとを金属化及び/又は合金化することにより
形成された接続体を介して接続されている構成。
次に上記接続体について述べる。
接続しようとする電気的導電部材と接続部とが同種の純
金属よりなる場合には、金属化により形成される接続体
は電気的導電部材あるいは接続部と同種の結晶構造とな
る。なお、金属化の方法としては、例えば、電気的導電
部材の端とその端に対応する接続部とを接触させた後、
適宜の温度に加熱すればよい。加熱により接触部近傍に
おいて原子の拡散等が生じ、拡散部が金属化状態となり
接続体が形成される。
金属よりなる場合には、金属化により形成される接続体
は電気的導電部材あるいは接続部と同種の結晶構造とな
る。なお、金属化の方法としては、例えば、電気的導電
部材の端とその端に対応する接続部とを接触させた後、
適宜の温度に加熱すればよい。加熱により接触部近傍に
おいて原子の拡散等が生じ、拡散部が金属化状態となり
接続体が形成される。
接続しようとする電気的導電部材と接続部が異種の純金
属よりなる場合には、形成される接続体は両金属の合金
よりなる。合金化の方法としては、例えば、電気的5J
電部材の端とその端に対応する接続部とを接触させた後
、適宜の温度に加熱すればよい、加熱により接触部近傍
において原子の拡散等が生じ接触部近傍に固溶体あるい
は金属間化合物よりなる層が形成されこの層が接続体と
なる。
属よりなる場合には、形成される接続体は両金属の合金
よりなる。合金化の方法としては、例えば、電気的5J
電部材の端とその端に対応する接続部とを接触させた後
、適宜の温度に加熱すればよい、加熱により接触部近傍
において原子の拡散等が生じ接触部近傍に固溶体あるい
は金属間化合物よりなる層が形成されこの層が接続体と
なる。
なお、電気的接続部材の金属部材にAuを使用し、電気
回路部品の接続部にAjtを使用した場合、には、20
0〜350℃の加熱温度が好ましい。
回路部品の接続部にAjtを使用した場合、には、20
0〜350℃の加熱温度が好ましい。
接続しようとする電気的導電部材と接続部の一方が純金
属よりなり他方が合金よりなる場合、あるいは両者が同
種あるいは異種の合金よりなる場合には、接続体は合金
よりなる。
属よりなり他方が合金よりなる場合、あるいは両者が同
種あるいは異種の合金よりなる場合には、接続体は合金
よりなる。
1個の電気的接続部材中における複数の電気的導電部材
同士についてみると、それぞれの電気的導電部材が同種
の金属あるいは合金よりなる場合、それぞれが異種の金
属あるいは合金からなる場合、複数の電気的導電部材の
うちいくつかが同種で同種でいくつかが異種の金属ある
いは合金よりなる場合その他の場合があるが、そのいず
れの場合であフても上記の金属化あるいは合金化が行な
われる。一方接続部についても同様である。
同士についてみると、それぞれの電気的導電部材が同種
の金属あるいは合金よりなる場合、それぞれが異種の金
属あるいは合金からなる場合、複数の電気的導電部材の
うちいくつかが同種で同種でいくつかが異種の金属ある
いは合金よりなる場合その他の場合があるが、そのいず
れの場合であフても上記の金属化あるいは合金化が行な
われる。一方接続部についても同様である。
なお、電気的導電部材あるいは接続部は、両者の接触部
において、金属あるいは合金であればよく、その他の部
分は例えば金属にガラス金屑に樹脂が配合された状態で
あってもよい。
において、金属あるいは合金であればよく、その他の部
分は例えば金属にガラス金屑に樹脂が配合された状態で
あってもよい。
なお、接続強度を高めるためには、接続される部分の表
面粗度を小さくすることが好ましい(特に0.3μm以
下が好ましい)、また、接続される部分の表面に合金化
しやすい金属あるいは合金よりなるめっき層を設けてお
いてもよい。
面粗度を小さくすることが好ましい(特に0.3μm以
下が好ましい)、また、接続される部分の表面に合金化
しやすい金属あるいは合金よりなるめっき層を設けてお
いてもよい。
上記の金属化あるいは合金化以外の接続を行なうには、
例えば電気回路部品と電気的接続部材の電気的導電部材
とを押圧して接続すればよい。
例えば電気回路部品と電気的接続部材の電気的導電部材
とを押圧して接続すればよい。
(封止材)
本発明では封止材により電気回路部品を埋め込んで封止
する。
する。
封止は、1つの電気回路部品にのみ行ってもよいし、複
数の電気回路部品に行ってもよい。
数の電気回路部品に行ってもよい。
(封止材の材料)
本発明では、封止材の材料としては熱可塑性樹脂を用い
ることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ
イミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエ
ーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリ
スチレン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リジフェニールエーテル樹脂、ポリベンジルイミダゾー
ル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、メタクリル酸
メチル樹脂その他の樹脂を使用することができる。
ることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ
イミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエ
ーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリ
スチレン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リジフェニールエーテル樹脂、ポリベンジルイミダゾー
ル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、メタクリル酸
メチル樹脂その他の樹脂を使用することができる。
また、封止材は上記の樹脂でもよく、上記熱可塑性樹脂
に金属、合金、無機材料のうち1 ff!か複数種の粉
体又は繊維の一方又は両方を分散したものでもよい。分
散の仕方は、樹脂中に粉体又は繊維を添加し、樹脂を攪
拌すればよい。もちろん、かかる方法によることなく、
他の任意の方法で樹脂中に粉体又はill維を分散せし
めてもよい。
に金属、合金、無機材料のうち1 ff!か複数種の粉
体又は繊維の一方又は両方を分散したものでもよい。分
散の仕方は、樹脂中に粉体又は繊維を添加し、樹脂を攪
拌すればよい。もちろん、かかる方法によることなく、
他の任意の方法で樹脂中に粉体又はill維を分散せし
めてもよい。
上記金属又は合金としては、例えば、Ag。
Cu、Au、Au、Be、Ca、Mg、Mo。
Fe、Ni、SL、Co、Mn、W等の金属又は合金が
あげられる。
あげられる。
無機材料としては、例えば、5i02゜1320s 、
AJ2203 、 N a20. K20゜Cab、
ZnO,Bad、PbO,Sb、O8゜AS203 、
Laz o3 、ZrO2、Bad。
AJ2203 、 N a20. K20゜Cab、
ZnO,Bad、PbO,Sb、O8゜AS203 、
Laz o3 、ZrO2、Bad。
P2o5.Tie、、MgO,SiC,Bed。
BP、BN、AIN、B4 C,TaC。
TiBz、CrB2.TiN、Si3N4゜Ta2os
等のセラミック、ダイヤモンド、ガラス、カーボン、ボ
ロンその他の無機材料があげられる。
等のセラミック、ダイヤモンド、ガラス、カーボン、ボ
ロンその他の無機材料があげられる。
分散せしめる粉体および繊維の大きさ、形状、また絶縁
体中における分散位置、数量は、粉体または繊維のため
に絶縁体中に埋設されている金属部材同士が接触・短絡
したりしない範囲内ならば任意である。ただ、粉体およ
び繊維の大きさとしては隣接する金属部材間の距離より
も小さいことが好ましい。すなわち、電気的導電部材同
士が粉体、繊維を介してでも接触しない状態が好ましい
、また粉体、繊維は絶縁体の外部に露出していてもよい
し、露出していなくともよい。また粉体、繊維同士は接
触していてもよいし、接触していなくともよい。
体中における分散位置、数量は、粉体または繊維のため
に絶縁体中に埋設されている金属部材同士が接触・短絡
したりしない範囲内ならば任意である。ただ、粉体およ
び繊維の大きさとしては隣接する金属部材間の距離より
も小さいことが好ましい。すなわち、電気的導電部材同
士が粉体、繊維を介してでも接触しない状態が好ましい
、また粉体、繊維は絶縁体の外部に露出していてもよい
し、露出していなくともよい。また粉体、繊維同士は接
触していてもよいし、接触していなくともよい。
(封止方法)
なお、封止材を封止する方法としては、型のキャビティ
ー内に電気回路部材(電気的接続部材とそれに接続され
た電気回路部品からなる部材)を入れ、インジェクショ
ンモールドで封止材をキャビティーに挿入することによ
り封止すればよい。また、かかるインジェクションモー
ルド、押出成形法、中型法、中空成形法その他いかなる
方法で電気回路部材を封止してもよい。
ー内に電気回路部材(電気的接続部材とそれに接続され
た電気回路部品からなる部材)を入れ、インジェクショ
ンモールドで封止材をキャビティーに挿入することによ
り封止すればよい。また、かかるインジェクションモー
ルド、押出成形法、中型法、中空成形法その他いかなる
方法で電気回路部材を封止してもよい。
[作用]
本発明では、上記した電気的接続部材を使用して、電気
回路部品と他の電気回路部品とを接続しているので、電
気回路部品の接続部を内部に配置することも可能となり
、接続部の数を増加させることができ、ひいては高密度
化が可能となる。
回路部品と他の電気回路部品とを接続しているので、電
気回路部品の接続部を内部に配置することも可能となり
、接続部の数を増加させることができ、ひいては高密度
化が可能となる。
また、電気的接続部材を薄くすることが可能であり、こ
の面からも電気回路部材の薄型化が可能となる。
の面からも電気回路部材の薄型化が可能となる。
さらに、電気的接続部材に使用する金属部材の量は少な
いため、例え、高価である金を金属部材として使用した
としてもコスト低減が可能となる。
いため、例え、高価である金を金属部材として使用した
としてもコスト低減が可能となる。
本発明では、電気的接続部材は、電気的導電部材が保持
体中に埋め込まれて構成されているため、封止材を注入
したときの封止圧力、封止速度等に影響されることが少
ないので、いかなる封止方法でも用いることができる。
体中に埋め込まれて構成されているため、封止材を注入
したときの封止圧力、封止速度等に影響されることが少
ないので、いかなる封止方法でも用いることができる。
つまり、従来できなかった熱可塑性樹脂のような非常に
高圧な注入が要求されるものに対しても可能となった。
高圧な注入が要求されるものに対しても可能となった。
なお、本発明において、電気的導電部材の絶縁体に熱伝
導性のよい材料を用いた場合、封止材に熱伝導性のよい
粉体又は繊維が分散されている場合、電気回路部品から
発熱される熱がより早く外界へ逃げ、熱放散性の良い電
気回路装置が得られる。また、電気的導電部材の絶縁体
が電気回路部品の熱膨張係数に近い材料を用いた場合、
封止材に電気回路部品の熱膨張係数が近い粉体、繊維の
一方ないし両方が分散されている場合、熱膨張係数が電
気回路部品の熱膨張係数に近づき、熱が加わった場合に
生ずることのある、封止材、電気回路部品の割れ、ある
いは電気回路部品の特性変化という、電気回路装置の信
頼性を損なう現象を防止でき、信頼性の高い電気回路装
置が得られる。
導性のよい材料を用いた場合、封止材に熱伝導性のよい
粉体又は繊維が分散されている場合、電気回路部品から
発熱される熱がより早く外界へ逃げ、熱放散性の良い電
気回路装置が得られる。また、電気的導電部材の絶縁体
が電気回路部品の熱膨張係数に近い材料を用いた場合、
封止材に電気回路部品の熱膨張係数が近い粉体、繊維の
一方ないし両方が分散されている場合、熱膨張係数が電
気回路部品の熱膨張係数に近づき、熱が加わった場合に
生ずることのある、封止材、電気回路部品の割れ、ある
いは電気回路部品の特性変化という、電気回路装置の信
頼性を損なう現象を防止でき、信頼性の高い電気回路装
置が得られる。
本発明において、電気回路部品の両方が、電気接続部材
を介して、金属化及び/又は合金化により形成された接
続体により接続されていると、電気回路部品同志が強固
(強度的に強く)かつ確実に接続されるので、接続抵抗
値は小さく、さらにそのバラツキも小さく、さらに機械
的に強く、不良率の極めて低い電気回路装置を得ること
ができる。
を介して、金属化及び/又は合金化により形成された接
続体により接続されていると、電気回路部品同志が強固
(強度的に強く)かつ確実に接続されるので、接続抵抗
値は小さく、さらにそのバラツキも小さく、さらに機械
的に強く、不良率の極めて低い電気回路装置を得ること
ができる。
また、電気回路部品を、電気的接続部材を介して金属化
及び/又は合金化により形成された接続体により接続さ
れていると、電気回路装置の作成工程中及び作成後にお
いて、治具等を使用して電気回路部品を保持する必要が
なく、電気回路装置の作成及び作成後の管理が容易であ
る。
及び/又は合金化により形成された接続体により接続さ
れていると、電気回路装置の作成工程中及び作成後にお
いて、治具等を使用して電気回路部品を保持する必要が
なく、電気回路装置の作成及び作成後の管理が容易であ
る。
さらに、電気回路部品が、電気的接続部材を介して金属
化及び/又は合金化により形成された接続体により接続
されていると、電気回路部品相互の接触抵抗が、1つの
電気回路部品のみを接続した場合に比べてより小さくな
る。
化及び/又は合金化により形成された接続体により接続
されていると、電気回路部品相互の接触抵抗が、1つの
電気回路部品のみを接続した場合に比べてより小さくな
る。
一方、一方乃至他方の電気回路部品を金属化及び/又は
合金化による接続以外の接続により行なうと、金属化及
び/又は合金化時に生じる電気回路部品の熱による劣化
を防止することができる。
合金化による接続以外の接続により行なうと、金属化及
び/又は合金化時に生じる電気回路部品の熱による劣化
を防止することができる。
また、用途によっては電気回路部品を着脱自在にしてお
きたい場合があり、かかる場合にその電気回路部品を金
属化及び/又は合金化による接続以外の接続性なえば、
かかる要望に応じることが可能となる。
きたい場合があり、かかる場合にその電気回路部品を金
属化及び/又は合金化による接続以外の接続性なえば、
かかる要望に応じることが可能となる。
[実施例]
(第1実施例)
本発明の第1実施例を第1図及び第2図に基づいて説明
する。
する。
本実施例では、有機材料よりなる保持体111と、保持
体111中に埋設された電気的導電部材である金属部材
107とを有し、金属部材107の一端が保持体−11
1の一方の面において露出しており、また、金属部材1
07の他端が保持体の他方の面において露出している電
気的接続部材125と; 接続部102を有し、接続部102において、保持体1
11の一方の面において露出している金属部材107の
一端と合金化されて接続されている1つの半導体素子1
01と; 接続部105を有し、接続部105において、保持体1
11の他方の面において露出している金属部材107の
他端と合金化されて接続されている1つの回路基板10
4と: を少なくとも有し、半導体素子101および回路基板1
04の両方が封止材170により封止されている。
体111中に埋設された電気的導電部材である金属部材
107とを有し、金属部材107の一端が保持体−11
1の一方の面において露出しており、また、金属部材1
07の他端が保持体の他方の面において露出している電
気的接続部材125と; 接続部102を有し、接続部102において、保持体1
11の一方の面において露出している金属部材107の
一端と合金化されて接続されている1つの半導体素子1
01と; 接続部105を有し、接続部105において、保持体1
11の他方の面において露出している金属部材107の
他端と合金化されて接続されている1つの回路基板10
4と: を少なくとも有し、半導体素子101および回路基板1
04の両方が封止材170により封止されている。
以下に本実施例をより詳細に説明する。
まず、電気的接続部材125の一製造例を説明しつつ電
気的接続部材125を説明する。
気的接続部材125を説明する。
第2図に一製造例を示す。
まず、第2図(a)に示すように、20μmφの金等の
金属あるいは合金よりなる金属線121を、ピッチ40
μmとして棒122に巻き付け、巻き付は後、ポリイミ
ド等の樹脂123中に上記金属線121を埋め込む。埋
め込み後上記樹脂123を硬化させる。硬化した樹脂1
23は絶縁体となる。その後、点線124の位置でスラ
イス切断し、電気的接続部材125を作成する。このよ
うにして作成された電気的接続部材125を第2図(b
)、(C)に示す。
金属あるいは合金よりなる金属線121を、ピッチ40
μmとして棒122に巻き付け、巻き付は後、ポリイミ
ド等の樹脂123中に上記金属線121を埋め込む。埋
め込み後上記樹脂123を硬化させる。硬化した樹脂1
23は絶縁体となる。その後、点線124の位置でスラ
イス切断し、電気的接続部材125を作成する。このよ
うにして作成された電気的接続部材125を第2図(b
)、(C)に示す。
このように作成された電気的接続部材125において、
金属線121が金属部材107を構成し、樹脂123が
保持体(絶縁体)111を構成する。
金属線121が金属部材107を構成し、樹脂123が
保持体(絶縁体)111を構成する。
この電気的接続部材125においては金属部材となる金
属線121同士は樹脂123により電気的に絶縁されて
いる。また、金属線121の一端は半導体素子1Ω1側
に露出し、他端は回路基板104側に露出している。こ
の露出している部分はそれぞれ半導体素子101、回路
基板104との接続部108,109となる。
属線121同士は樹脂123により電気的に絶縁されて
いる。また、金属線121の一端は半導体素子1Ω1側
に露出し、他端は回路基板104側に露出している。こ
の露出している部分はそれぞれ半導体素子101、回路
基板104との接続部108,109となる。
次に、第1図(a)に示すように8、半導体素子101
、電気的接続部材125、回路基板104を用意する0
本例で使用する半導体素子101、回路基板104は、
その内部に多数の接続部102.105を有している。
、電気的接続部材125、回路基板104を用意する0
本例で使用する半導体素子101、回路基板104は、
その内部に多数の接続部102.105を有している。
なお、半導体素子101の接続部102は、回路基板1
04の接続部105及び電気的接続部材125の接続部
108,109に対応する位置に金属が露出している。
04の接続部105及び電気的接続部材125の接続部
108,109に対応する位置に金属が露出している。
半導体素子101の接続部102と、電気的接続部材1
25の接続部108とを、又は、回路基板104の接続
部105と電気的接続部材125の接続部109が対応
するように位置決めを行ない、位置決め後、半導体素子
101の接続部102のAnと電気的接続部材125の
接続部108のAuとをさらに回路基板104の接続部
105のAuと電気的接続部材125の接続部109の
Auとの両方を金属及び/又は合金化により接続する(
第1図(b))。
25の接続部108とを、又は、回路基板104の接続
部105と電気的接続部材125の接続部109が対応
するように位置決めを行ない、位置決め後、半導体素子
101の接続部102のAnと電気的接続部材125の
接続部108のAuとをさらに回路基板104の接続部
105のAuと電気的接続部材125の接続部109の
Auとの両方を金属及び/又は合金化により接続する(
第1図(b))。
ここで、半導体素子101、電気的接続部材125、回
路基板104を、金属及び/又は合金化により接続する
には次の3方式が存在するが、そのいずれの方式によっ
てもよい。
路基板104を、金属及び/又は合金化により接続する
には次の3方式が存在するが、そのいずれの方式によっ
てもよい。
■半導体素子101、電気的接続部材125、回路基板
104を位置決めした後、半導体素子101の接続部1
02と電気的接続部材125の接続部108とを、及び
回路基板104の接続部105と電気的接続部材125
の接続部109とを同時に金属化及び/又は合金化して
接続する方法。
104を位置決めした後、半導体素子101の接続部1
02と電気的接続部材125の接続部108とを、及び
回路基板104の接続部105と電気的接続部材125
の接続部109とを同時に金属化及び/又は合金化して
接続する方法。
■半導体素子101、電気的接続部材125とを位置決
めし、半導体素子101の接続部102と電気的接続部
材125の接続部108とを合金化して接続した後、回
路基板104を位置決めし、電気接続部材125の接続
部109と回路基板104の接続部tOSを金属化及び
/又は合金化して接続する方法。
めし、半導体素子101の接続部102と電気的接続部
材125の接続部108とを合金化して接続した後、回
路基板104を位置決めし、電気接続部材125の接続
部109と回路基板104の接続部tOSを金属化及び
/又は合金化して接続する方法。
■回路基板104と電気的接続部材125とを位置決め
し、回路基板104の接続部105と電気的接続部材1
25の接続部109とを金属化及び/又は合金化して接
続した後、半導体素子101を位置決めし、電気的接続
部材125の接続部108と半導体素子101の接続部
102を金属化及び/又は合金化して接続する方法。
し、回路基板104の接続部105と電気的接続部材1
25の接続部109とを金属化及び/又は合金化して接
続した後、半導体素子101を位置決めし、電気的接続
部材125の接続部108と半導体素子101の接続部
102を金属化及び/又は合金化して接続する方法。
次に、以上のようにして作成した部材(電気回路部材)
の電気回路部品を封止した(第1図(C))。なお、本
例では半導体素子101と回路基板104の両方ともに
封止した。封止材は熱可塑性樹脂を用い、封止方法とし
てインジェクションモールド法を用いた。
の電気回路部品を封止した(第1図(C))。なお、本
例では半導体素子101と回路基板104の両方ともに
封止した。封止材は熱可塑性樹脂を用い、封止方法とし
てインジェクションモールド法を用いた。
以上のようにして作成した電気回路装置につきその接続
部の接続性を調べたところ高い信頼性をもって接続され
ていた。
部の接続性を調べたところ高い信頼性をもって接続され
ていた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
(第2実施例)
第3図に第2実施例を示す。
本例は、接続部52を有する第1の電気回路部品として
回路基板51を、第2の電気回路部品として内部に多数
の接続部5を有する半導体素子4を使用した。
回路基板51を、第2の電気回路部品として内部に多数
の接続部5を有する半導体素子4を使用した。
本例では電気的接続部材125として保持体が有機材料
にSin、よりなる粉末(図示せず)を分散させたもの
を使用した。
にSin、よりなる粉末(図示せず)を分散させたもの
を使用した。
また、本例では、この電気的接続部材の接続部54と回
路基板51の接続部52とを金属化及び/又は合金化す
ることにより接続し、一方、電気的接続部材125と半
導体素子4との接続は金属化及び/合金化以外の接続法
で接続した。すなわち、半導体素子4を電気的接続部材
125に押圧し、その上から封止を行なった。
路基板51の接続部52とを金属化及び/又は合金化す
ることにより接続し、一方、電気的接続部材125と半
導体素子4との接続は金属化及び/合金化以外の接続法
で接続した。すなわち、半導体素子4を電気的接続部材
125に押圧し、その上から封止を行なった。
なお、電気的接続部材125としては半導体素子4に対
応する寸法のものを使用した。
応する寸法のものを使用した。
なお、本例では回路基板51の下面にはリードフレーム
55を接続した。
55を接続した。
本例では、半導体素子4のみを封止した。封止材として
は熱可塑性樹脂に5in2よりなる粉末を分散させたも
のを用いた。
は熱可塑性樹脂に5in2よりなる粉末を分散させたも
のを用いた。
他の点は第1実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
いた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
(第3実施例)
第4図に第3実施例を示す。
本例は、第1の電気回路部品が半導体素子4であり、第
2の電気回路部品が回路基板51である例である。
2の電気回路部品が回路基板51である例である。
接続後は回路基板51の上面にリードフレーム1を接続
し、次いで、型のキャビティー内に電気回路部材をセッ
トし、インジェクションを行い、封止材63,170を
形成した。
し、次いで、型のキャビティー内に電気回路部材をセッ
トし、インジェクションを行い、封止材63,170を
形成した。
なお、第4図(a)は半導体素子4を全体的に封止材で
埋めた例であり、第4図(b)は半導体素子4の上面を
、外部に露出させ、側部を封止材で埋めた例である。
埋めた例であり、第4図(b)は半導体素子4の上面を
、外部に露出させ、側部を封止材で埋めた例である。
他の点は第1実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
いた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
(第4実施例)
第5図に第4実施例を示す。
本例は、第1の電気回路部品が半導体素子4゜であり、
第2の電気回路部品が半導体素子4である例であり、本
例では、電気的接続部材として半導体素子4に対応した
寸法のものを使用し、リードフレーム1を電気的接続部
材125の第1の半導体素子4°側に露出した金属部材
に接続している。
第2の電気回路部品が半導体素子4である例であり、本
例では、電気的接続部材として半導体素子4に対応した
寸法のものを使用し、リードフレーム1を電気的接続部
材125の第1の半導体素子4°側に露出した金属部材
に接続している。
なお、電気的接続部材125の絶縁体として有機材料中
に金属の粉体または繊維の一方または両方が分散された
ものを用いた。さらに、第5図(b)は、両方とも金属
化及び/又は合金化によらない接続を示している。封止
する場合には、半導体素子4.4°を押えて封止するも
のである。
に金属の粉体または繊維の一方または両方が分散された
ものを用いた。さらに、第5図(b)は、両方とも金属
化及び/又は合金化によらない接続を示している。封止
する場合には、半導体素子4.4°を押えて封止するも
のである。
なお、第5図(a)は上側の半導体素子4゜4°を全体
的に封止材で埋めた例であり、第5図(b)は半導体素
子4,4°の上面を外部に露出させ、側部を封止材で埋
めた例である。
的に封止材で埋めた例であり、第5図(b)は半導体素
子4,4°の上面を外部に露出させ、側部を封止材で埋
めた例である。
他の点は第3実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
いた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
(第5実施例)
第6図に第5実施例を示す。
第5実施例は、第1の電気回路部品、第2の電気回路部
品として、接続部以外の部分が絶縁膜103.106で
覆われている回路基板101゜104を使用している例
である。
品として、接続部以外の部分が絶縁膜103.106で
覆われている回路基板101゜104を使用している例
である。
また、電気的接続部材としては第7図に示すものを使用
した。すなわち、第7図に示す。電気的接続部材125
は、金属部材107の露出している部分が保持体(樹脂
絶縁体)111の面から突出している。このような電気
的接続部材125の作成は、例えば、次の方法によれば
よい。
した。すなわち、第7図に示す。電気的接続部材125
は、金属部材107の露出している部分が保持体(樹脂
絶縁体)111の面から突出している。このような電気
的接続部材125の作成は、例えば、次の方法によれば
よい。
まず、第1実施例で述べた方法により、第2図(b)、
(c)に示す電気的接続部材を用意する。次にこの電気
的接続部材の両面を、金属線121が、ポリイミド樹脂
123から10μm程度突出するまでエツチングすれば
よい。
(c)に示す電気的接続部材を用意する。次にこの電気
的接続部材の両面を、金属線121が、ポリイミド樹脂
123から10μm程度突出するまでエツチングすれば
よい。
なお、本実施例では金属線121の突出量を10μmと
したが、いかなる量でもよい。
したが、いかなる量でもよい。
また、金属線121を突出させる方法としてはエツチン
グに限らず、他の化学的な方法又は機械的な方法を使用
してもよい。
グに限らず、他の化学的な方法又は機械的な方法を使用
してもよい。
他の点は第1実施例と同様である。
なお、突出部を、電気的接続部材125を金属線121
の位置に凹部を持った型に挟み込み、金属線121の突
起126をつぶすことにより第8図に示すようなバンブ
150を形成してもよい、この場合金属線121は絶縁
体111から脱落しにくくなる。
の位置に凹部を持った型に挟み込み、金属線121の突
起126をつぶすことにより第8図に示すようなバンブ
150を形成してもよい、この場合金属線121は絶縁
体111から脱落しにくくなる。
なお、本例でも、金属線121が金属部材107を構成
し、さらに、樹脂123が絶縁体111を構成する。
し、さらに、樹脂123が絶縁体111を構成する。
なお、バンブを作成するのには突起を熱で溶融させ、バ
ンブを作成してもよいし、他のいかなる方法でもよい。
ンブを作成してもよいし、他のいかなる方法でもよい。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
いた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
(第6実施例)
第9図に第6実施例を示す。
本例は、第1の電気回路部品として半導体素子4を使用
し、第2の電気部品としてリードフレーム1を使用した
例である。
し、第2の電気部品としてリードフレーム1を使用した
例である。
リードフレーム1の接続部6は4270イの表面にAg
めっきされているものを使用した。接続は超音波併用の
熱圧着法を使用した。
めっきされているものを使用した。接続は超音波併用の
熱圧着法を使用した。
他の点は第5実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
いた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
(第7実施例)
第10図に第7実施例を示す。
本例においては、電気的接続部材125は、第5実施例
に示した電気的接続部材と異なる。すなわち、本例の電
気的接続部材125においては、金属部材同士のピッチ
が第5実施例で示したものよりも狭くなっている。すな
わち、本例では、第1の回路基板接続部の間隔よりも狭
い間隔に金属部材107同士のピッチを設定しである。
に示した電気的接続部材と異なる。すなわち、本例の電
気的接続部材125においては、金属部材同士のピッチ
が第5実施例で示したものよりも狭くなっている。すな
わち、本例では、第1の回路基板接続部の間隔よりも狭
い間隔に金属部材107同士のピッチを設定しである。
つまり、第5実施例では、第1の回路基板101と第2
の回路基板104との接続位置に電気的接続部材125
の接続位置を配置したため、電気的接続部材125の位
置決めが必要であったが、本例では、第1の回路基板1
01と第2の回路基板104との位置決めは必要である
が、電気的接続部材125との位置決めは不要となる。
の回路基板104との接続位置に電気的接続部材125
の接続位置を配置したため、電気的接続部材125の位
置決めが必要であったが、本例では、第1の回路基板1
01と第2の回路基板104との位置決めは必要である
が、電気的接続部材125との位置決めは不要となる。
そのため、第1の回路基板101と第2の回路基板10
4の接続寸法(dll、pH)と電気的接続部材の接続
寸法(d12.PI3)を、適切な値に運ぶことにより
位置決めなしで接続することも可能である。
4の接続寸法(dll、pH)と電気的接続部材の接続
寸法(d12.PI3)を、適切な値に運ぶことにより
位置決めなしで接続することも可能である。
他の点は第1実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
いた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
(第8実施例)
第11図に第8実施例に使用する電気的接続部材を示す
。
。
第1−1図(a)は電気的接続部材の斜視図、第11図
(b)は上記電気的接続部材の断面図である。
(b)は上記電気的接続部材の断面図である。
かかる電気的接続部材の作成例を次に述べる。
まず、第1実施例に示した製法で、電気的接続部材12
8,129,130を3枚用意する。
8,129,130を3枚用意する。
1枚目128の金属線121の位置はm行n列目で、m
a、naだけ中心から変位している。
a、naだけ中心から変位している。
2枚目129の金属線121の位置はm行n列目でma
c、mbcだけ中心から変位している。
c、mbcだけ中心から変位している。
3枚目130の金属線121の位置はm行n列でmad
、 nbdだけ中心から変位している。a。
、 nbdだけ中心から変位している。a。
b、c、dの値は上下の金属121は導通ずるが左右に
は互いに電気的に導通しないような値をとる。3枚の電
気的接続部材を位置決めし、熱圧着等の方法を用い積層
し、電気的接続部材125を作成する。
は互いに電気的に導通しないような値をとる。3枚の電
気的接続部材を位置決めし、熱圧着等の方法を用い積層
し、電気的接続部材125を作成する。
なお、本例においては、電気的接続部材の金属の位置を
m行n列というように規則をもった位置を選んだが、上
下の金属が導通し、左右には互いに電気的に導通しない
ようにすればランダムでもよい。
m行n列というように規則をもった位置を選んだが、上
下の金属が導通し、左右には互いに電気的に導通しない
ようにすればランダムでもよい。
また、本例では3層積層する場合について述べたが、2
枚以上であれ′ば何枚でもよい。また゛、熱圧着の方法
を用いて積層すると述べたが、圧着、接着等の方法を用
いてもよい、さらに、本例の電気的接続部材を加工して
第7図に示すように突起を設けてもよいし、第8図に示
したようにバンプ150を設けてもよい。
枚以上であれ′ば何枚でもよい。また゛、熱圧着の方法
を用いて積層すると述べたが、圧着、接着等の方法を用
いてもよい、さらに、本例の電気的接続部材を加工して
第7図に示すように突起を設けてもよいし、第8図に示
したようにバンプ150を設けてもよい。
他の点は第1実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持フて接続されて
いた。
いた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
(第9実施例)
第12図に第9実施例に使用する電気的接続部材を示す
。
。
第12図(a)は電気的接続部材の製造途中の断面図、
第12図(b)は上記電気的接続部材の斜視図、第12
図(C)は上記の断面図である。
第12図(b)は上記電気的接続部材の斜視図、第12
図(C)は上記の断面図である。
予めアルミナセラミックよりなる保持体122に、20
μmφより大きい径の穴142をあけておく。次に穴1
42に20μmφのAu等の金属あるいは合金よりなる
金属線121を通し、樹脂123を保持体122と金属
線121との間に入れ、樹脂123を硬化させる。硬化
した樹脂123は介在物となる。その後、金属線121
を点線124の位置でスライス切断し、電気的接続部材
125を作成する。このようにして作成した電気的接続
部材125を第12図(b)、(C)に示す。
μmφより大きい径の穴142をあけておく。次に穴1
42に20μmφのAu等の金属あるいは合金よりなる
金属線121を通し、樹脂123を保持体122と金属
線121との間に入れ、樹脂123を硬化させる。硬化
した樹脂123は介在物となる。その後、金属線121
を点線124の位置でスライス切断し、電気的接続部材
125を作成する。このようにして作成した電気的接続
部材125を第12図(b)、(C)に示す。
また、本例の電気的接続部材を加工して、第7図に示す
ように突起を設けてもよいし、第8図に示すようにバン
プ150を設けてもよい。
ように突起を設けてもよいし、第8図に示すようにバン
プ150を設けてもよい。
他の点は第1実施例と同様である。
本例においても接続部は高い信頼性を持って接続されて
いた。
いた。
さらに、各種特性の信頼性も優れていた。
[発明の効果]
本発明は以上のように構成したので次の数々の効果が得
られる。
られる。
1、半導体素子と回路基板、リードフレーム等の電気回
路部品の接続に関し、信頼性の高い接続が得られる。従
って、従来用いられてきたワイヤボンディング方式、T
AB方式、CCB方式を置き代えることが可能となる。
路部品の接続に関し、信頼性の高い接続が得られる。従
って、従来用いられてきたワイヤボンディング方式、T
AB方式、CCB方式を置き代えることが可能となる。
2、本発明によると電気回路部品の接続部をいかなる位
置(特に内部)にも配置することができることからワイ
ヤボンディング方式、TAB方式よりもさらに多点接続
が可能となり、多ピン数接続向きの方式となる。さらに
、電気的接続部材の隣接金属間に予め絶縁物質が存在す
ることにより隣接ピッチを狭くしても隣接金属間の電気
的導通が起こらないことによりCCB方式よりもさらに
多点接続が可能となる。
置(特に内部)にも配置することができることからワイ
ヤボンディング方式、TAB方式よりもさらに多点接続
が可能となり、多ピン数接続向きの方式となる。さらに
、電気的接続部材の隣接金属間に予め絶縁物質が存在す
ることにより隣接ピッチを狭くしても隣接金属間の電気
的導通が起こらないことによりCCB方式よりもさらに
多点接続が可能となる。
3、電気的接続部材において使用される金属部材の量は
従来に比べ微量であるため、仮に金属部材に金等の高価
な金属を使用しても従来より安価となる。
従来に比べ微量であるため、仮に金属部材に金等の高価
な金属を使用しても従来より安価となる。
4、高密度の半導体装置等の電気回路装置が得られる。
5、第1要旨及び第2要旨では、一方乃至他方の電気回
路部品を金属化及び/又は合金化による接続以外の接続
により行なっているので、金属化及び/又は合金化時に
生じる電気回路部品の熱による劣化を防止することがで
きる。また、用途によっては電気回路部品を着脱自在に
しておきたい場合があり、かかる場合にその電気回路部
品を金属化及び/又は合金化による接続以外の接続部な
えば、かかる要望に応じることが可能となる。
路部品を金属化及び/又は合金化による接続以外の接続
により行なっているので、金属化及び/又は合金化時に
生じる電気回路部品の熱による劣化を防止することがで
きる。また、用途によっては電気回路部品を着脱自在に
しておきたい場合があり、かかる場合にその電気回路部
品を金属化及び/又は合金化による接続以外の接続部な
えば、かかる要望に応じることが可能となる。
また、第3要旨では、電気回路部品の両方が、電気的接
続部材を介して金属化及び/又は合金化により形成され
た接続体を介して接続されているので、電気回路部品同
士が強固(強度的に強く)かつ確実に接続されるので、
機械的に強く、不良率の極めて低い電気回路装置を得る
ことができる。
続部材を介して金属化及び/又は合金化により形成され
た接続体を介して接続されているので、電気回路部品同
士が強固(強度的に強く)かつ確実に接続されるので、
機械的に強く、不良率の極めて低い電気回路装置を得る
ことができる。
6、電気的接続部材の保持体を、絶縁体に熱伝導性の良
い金属材料、無機材料の一種または複数種よりなる粉体
あるいは繊維の一方または両方を分散させて構成するか
、電気的導電部材が絶縁されるように処理した金属材料
あるいは無機材料により構成する場合には、電気回路部
品から発熱した熱が電気回路部材さらには他の電気回路
部品を介して外部に放熱し得るため、熱放散性の良好な
電気回路装置が得られる。
い金属材料、無機材料の一種または複数種よりなる粉体
あるいは繊維の一方または両方を分散させて構成するか
、電気的導電部材が絶縁されるように処理した金属材料
あるいは無機材料により構成する場合には、電気回路部
品から発熱した熱が電気回路部材さらには他の電気回路
部品を介して外部に放熱し得るため、熱放散性の良好な
電気回路装置が得られる。
また、封止材中に金属、合金、セラミックの一種又は複
数種の粉体又は繊維の一方又は両方を分散させた場合、
電気回路部品に発生した熱が早く外界に伝導し放熱特性
良好な電気回路装置が得られる。
数種の粉体又は繊維の一方又は両方を分散させた場合、
電気回路部品に発生した熱が早く外界に伝導し放熱特性
良好な電気回路装置が得られる。
7、電気的接続部材の絶縁体に、比較的電気回路部品の
熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する金属材料、無機材
料の一種または複数種の粉体または繊維の一方または両
方を分散せしめたり、さらには、封止材中に金属、合金
、セラミックの一種又は複数種の粉体又は繊維の一方又
は両方を分散させた場合、封止材の熱膨張係数が電気回
路部品の熱膨張係数に近づくことから、熱が加わっても
熱応力の発生が少なく、信頼性の高い電気回路装置、ひ
いては、半導体装置が得られる。
熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する金属材料、無機材
料の一種または複数種の粉体または繊維の一方または両
方を分散せしめたり、さらには、封止材中に金属、合金
、セラミックの一種又は複数種の粉体又は繊維の一方又
は両方を分散させた場合、封止材の熱膨張係数が電気回
路部品の熱膨張係数に近づくことから、熱が加わっても
熱応力の発生が少なく、信頼性の高い電気回路装置、ひ
いては、半導体装置が得られる。
8、封止材を高圧で注入できるので定圧トランスファー
用熱硬化樹脂はもちろんのこと、高圧で注入する必要の
ある熱可塑性樹脂でも封止が可能である。
用熱硬化樹脂はもちろんのこと、高圧で注入する必要の
ある熱可塑性樹脂でも封止が可能である。
9、電気的接続部材の絶縁体、封止材中に、少なくとも
金属材料の粉体または繊維の一方または両方を包含せし
めた場合には、シールド効果の高い電気回路装置が得ら
れる。
金属材料の粉体または繊維の一方または両方を包含せし
めた場合には、シールド効果の高い電気回路装置が得ら
れる。
第1図は第1実施例を示す断面図であり、第1図(a)
は接続前、第1図(b)は接続後、第1図(C)は封止
後の状態を示す、第2図は第1実施例に使用する電気的
接続部材の一製造方法例を説明するための図であり、第
2図(a)は断面図、第2図(b)は斜視図、第2図(
C)は断面図である。第3図は第2実施例を示し、第3
図(a)は斜視図、第3図(b)は断面図である。 第4図は第3実施例を示す断面図である。第5図は第4
実施例を示す断面図である。第6図は第5実施例を示し
、第6図(a)は接続前、第6図(b)は接続後の状態
を示す断面図である。第7図及び第8図も第5実施例を
示し、第7図(a)及び第8図(a)は斜視図、第7図
(b)及び第8図(、b)は断面図である。第9図は第
6実施例を示し、第9図(a)は接続前の状態を示す斜
視図であり、第9図(b)は接続後の状態を示す断面図
である。第10図は第7実施例を示す断面図であり、第
10図(a)は接続前、第10図(b)は接続後の状態
を示す。第11図は第8実施例に係る電気的接続部材を
示し、第11図(a)は斜視図であり、第11図(b)
は断面図である、第12図は第9実施例に係る電気的接
続部材の一製造例を示し、第12図(a)、(c)は断
面図であり、第12図(b)は斜視図である。第13図
乃至第20図までは従来例を示し、第14図を除き断面
図であり、第14図は平面透視図である。 1・・・リードフレーム、2・・・リードフレームの素
子搭載部、3・・・銀ペースト、4.4°・・・半導体
素子、5,5°・・・半導体素子の接続部、6・・・リ
ードフレームの接続部、フ・・・極細金属線、8・・・
樹脂、9・・・半導体装置、10・・・半導体素子の外
周縁部、11・・・リードフレームの素子搭載部の外周
縁部、16・・・キャリアフィルム基板、17・・・キ
ャリアフィルム基板のインナーリード部、20・・・樹
脂、21・・・樹脂、31・・・半田バンプ、32・・
・基板、33・・・基板の接続部、51・・・回路基板
、52・・・回路基板の接続部、54・・・電気的接続
部材の接続部、55・・・リードフレーム、63・・・
封止材、70.70°・・・金属材、71.71’・・
・絶縁膜、72.72’・・・絶縁膜の露出面、73.
73’・・・金属材の露出面、75.75’・・・回路
基材、76.76°・・・回路基材の接続部、77・・
・異方性導電膜の絶縁物質、78・・・異方性導電膜、
79・・・導電粒子、81・・・エラスチックコネクタ
の絶縁物質、82・・・エラスチックコネクタの金属線
、83・・・エラスチックコネクタ、101・・・電気
回路部品(半導体素子、回路基板)、102・・・接続
部、103・・・絶縁膜、106・・・絶縁膜、104
・・・電気回路部品(回路基板)、105・・・接続部
、107・・・電気的導電部材(金属部材)、108・
・・接続部、109・・・接続部、111・・・保持体
(絶縁体)、121・・・金属線、122・・・棒、1
23・・・樹脂、124・・・点線、125・・・電気
的接続部材、126・・・突起、128,129.13
0・・・電気的接続部材、131,132・・・金属線
案内板、150・・・バンプ、170・・・封止材。 第1図(a) 第1図(c) ノ ア 第 2 v!J (aン 第2vA(b) 第2図(c) 第3図(a) 第3図(b) 第4図(a) 第5図(a) 第4図(b) 第6図(a) 第6図(b) 第7図(a) 第7図(b) 第8図(0) 第8図(b) 第9図(a) 第9図(b) 1す/ Ill 6 第10図(a) 第10図(b) 第11図(a) 第11図(b) 第12図(a) 第13図 第 15 図 第17図 第旧図
は接続前、第1図(b)は接続後、第1図(C)は封止
後の状態を示す、第2図は第1実施例に使用する電気的
接続部材の一製造方法例を説明するための図であり、第
2図(a)は断面図、第2図(b)は斜視図、第2図(
C)は断面図である。第3図は第2実施例を示し、第3
図(a)は斜視図、第3図(b)は断面図である。 第4図は第3実施例を示す断面図である。第5図は第4
実施例を示す断面図である。第6図は第5実施例を示し
、第6図(a)は接続前、第6図(b)は接続後の状態
を示す断面図である。第7図及び第8図も第5実施例を
示し、第7図(a)及び第8図(a)は斜視図、第7図
(b)及び第8図(、b)は断面図である。第9図は第
6実施例を示し、第9図(a)は接続前の状態を示す斜
視図であり、第9図(b)は接続後の状態を示す断面図
である。第10図は第7実施例を示す断面図であり、第
10図(a)は接続前、第10図(b)は接続後の状態
を示す。第11図は第8実施例に係る電気的接続部材を
示し、第11図(a)は斜視図であり、第11図(b)
は断面図である、第12図は第9実施例に係る電気的接
続部材の一製造例を示し、第12図(a)、(c)は断
面図であり、第12図(b)は斜視図である。第13図
乃至第20図までは従来例を示し、第14図を除き断面
図であり、第14図は平面透視図である。 1・・・リードフレーム、2・・・リードフレームの素
子搭載部、3・・・銀ペースト、4.4°・・・半導体
素子、5,5°・・・半導体素子の接続部、6・・・リ
ードフレームの接続部、フ・・・極細金属線、8・・・
樹脂、9・・・半導体装置、10・・・半導体素子の外
周縁部、11・・・リードフレームの素子搭載部の外周
縁部、16・・・キャリアフィルム基板、17・・・キ
ャリアフィルム基板のインナーリード部、20・・・樹
脂、21・・・樹脂、31・・・半田バンプ、32・・
・基板、33・・・基板の接続部、51・・・回路基板
、52・・・回路基板の接続部、54・・・電気的接続
部材の接続部、55・・・リードフレーム、63・・・
封止材、70.70°・・・金属材、71.71’・・
・絶縁膜、72.72’・・・絶縁膜の露出面、73.
73’・・・金属材の露出面、75.75’・・・回路
基材、76.76°・・・回路基材の接続部、77・・
・異方性導電膜の絶縁物質、78・・・異方性導電膜、
79・・・導電粒子、81・・・エラスチックコネクタ
の絶縁物質、82・・・エラスチックコネクタの金属線
、83・・・エラスチックコネクタ、101・・・電気
回路部品(半導体素子、回路基板)、102・・・接続
部、103・・・絶縁膜、106・・・絶縁膜、104
・・・電気回路部品(回路基板)、105・・・接続部
、107・・・電気的導電部材(金属部材)、108・
・・接続部、109・・・接続部、111・・・保持体
(絶縁体)、121・・・金属線、122・・・棒、1
23・・・樹脂、124・・・点線、125・・・電気
的接続部材、126・・・突起、128,129.13
0・・・電気的接続部材、131,132・・・金属線
案内板、150・・・バンプ、170・・・封止材。 第1図(a) 第1図(c) ノ ア 第 2 v!J (aン 第2vA(b) 第2図(c) 第3図(a) 第3図(b) 第4図(a) 第5図(a) 第4図(b) 第6図(a) 第6図(b) 第7図(a) 第7図(b) 第8図(0) 第8図(b) 第9図(a) 第9図(b) 1す/ Ill 6 第10図(a) 第10図(b) 第11図(a) 第11図(b) 第12図(a) 第13図 第 15 図 第17図 第旧図
Claims (5)
- (1)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が該保持体の一方の面において露出してお
り、また、該電気的導電部材の他端が該保持体の他方の
面において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の一方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されている少
なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されている少
なくとも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
。 - (2)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が該保持体の一方の面において露出してお
り、また、該電気的導電部材の他端が該保持体の他方の
面において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の一方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されている少
なくとも1以上の電気回路部品と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又は合金
化することにより形成された接続体を介してなされてい
る少なくとも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
。 - (3)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が該保持体の一方の面において露出してお
り、また、該電気的導電部材の他端が該保持体の他方の
面において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の一方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの一端が接続されており、
該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又は合金
化することにより形成された接続体を介してなされてい
る少なくとも1以上の電気回路部品; 少なくとも1以上の接続部を有し、該接続部において、
該保持体の他方の面において露出している該電気的導電
部材のうちの少なくとも1つの他端が接続されており、
該接続は、該接続部と該他端とを金属化及び/又は合金
化することにより形成された接続体を介してなされてい
る少なくとも1以上の他の電気回路部品と; 該保持体の一方の面において該電気的接続部材に接続さ
れている該電気回路部品および該保持体の他方の面にお
いて該電気的接続部材に接続されている該他の電気回路
部品のいずれか一方又は両方の少なくとも一部分を埋め
込んで封止している封止材と; を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
。 - (4)電気回路部品は、半導体素子、回路基板、または
リードフレームである特許請求の範囲第1項乃至第3項
のいずれかに1項に記載の電気回路装置。 - (5)封止材は、熱可塑性樹脂又は熱可塑性樹脂に金属
、合金、無機材料の一種もしくは二種以上からなる粉体
もしくは繊維の一方もしくは両方を分散したものである
特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれか1項に記載
の電気回路装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63038860A JPH01214030A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 電気回路装置 |
EP98102122A EP0854506A3 (en) | 1987-03-04 | 1988-03-04 | Electrically connecting member and electric circuit member |
EP88103400A EP0284820A3 (en) | 1987-03-04 | 1988-03-04 | Electrically connecting member, and electric circuit member and electric circuit device with the connecting member |
US08/597,383 US5967804A (en) | 1987-03-04 | 1996-02-08 | Circuit member and electric circuit device with the connecting member |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63038860A JPH01214030A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 電気回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01214030A true JPH01214030A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12536957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63038860A Pending JPH01214030A (ja) | 1987-03-04 | 1988-02-22 | 電気回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01214030A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4918088B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-04-18 | インテル・コーポレーション | エレクトロマイグレーション耐性を有し柔軟性のあるワイヤ相互接続、ナノサイズのはんだ組成、それらを形成するシステム、およびはんだ付けされたパッケージの組み立て方法 |
JP2021101457A (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-08 | 京セラ株式会社 | セラミック回路基板および電子装置 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP63038860A patent/JPH01214030A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4918088B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-04-18 | インテル・コーポレーション | エレクトロマイグレーション耐性を有し柔軟性のあるワイヤ相互接続、ナノサイズのはんだ組成、それらを形成するシステム、およびはんだ付けされたパッケージの組み立て方法 |
US8441118B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-05-14 | Intel Corporation | Electromigration-resistant and compliant wire interconnects, nano-sized solder compositions, systems made thereof, and methods of assembling soldered packages |
JP2021101457A (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-08 | 京セラ株式会社 | セラミック回路基板および電子装置 |
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