JPH01206538A - Electrode formation for plasma display - Google Patents
Electrode formation for plasma displayInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマディスプレイの製造方法に関し、特に
その電極形成方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display, and particularly to a method for forming electrodes thereof.
プラズマディスプレイは、基板上に複数本の線状電極を
平行に配置したものを２枚用意し、互いの電極が偶不な
間隙を介して対向し且つ互いの線状電極が交差する方向
を向くように重ね合わせて構成される。A plasma display has two substrates with multiple linear electrodes arranged in parallel, with the electrodes facing each other with random gaps between them, and facing in the direction in which the linear electrodes intersect. It is constructed by overlapping like this.
従来、この線状電極を備えた基板の製造方法は、基板上
に直接Ｎｉペースト等の導電性電極材料をスクリーン印
刷し、これを焼成するものであった。Conventionally, a method for manufacturing a substrate equipped with linear electrodes has been to screen print a conductive electrode material such as Ni paste directly onto the substrate and then sinter it.
ところが、例えばガラス基板上にＮｉペーストを直接印
刷した場合には、鏡面状のカラス基板がＮｉペーストと
馴染まないために、Ｎｉペーストの側縁部分が直線にな
らず波形状に形成された。However, when Ni paste is directly printed on a glass substrate, for example, the mirror-like glass substrate does not blend well with the Ni paste, so the side edges of the Ni paste are not straight but formed in a wavy shape.
また、Ｎｉペーストの塗布後、時間が経過するとＮｉペ
ーストが自重により流れ落ち、裾広がり形状になるとい
う形崩れの問題があった。このため、上記方法によると
隣接電極間の絶縁が劣化し易く、微細ピッチの電極パタ
ーンを形成することが困難であり、このため高解像度の
プラズマディスプレイを実現できなか°った。Further, after the application of the Ni paste, as time elapses, the Ni paste flows down due to its own weight, resulting in a shape that becomes wider at the bottom. Therefore, according to the above method, the insulation between adjacent electrodes tends to deteriorate, making it difficult to form an electrode pattern with a fine pitch, and therefore, it has not been possible to realize a high-resolution plasma display.
そこで、この様なＮｉペーストの形崩れによる問題を解
消しようとする堤案が例えば特開昭５８−５４５３４号
公報に開示されている。第２図は斯かる提案に開示され
た製造方法を説明するための′もので、絶縁ペーストを
塗布した直後の状態を概略的に示した断面図である。斯
かる方法では、基板１１上にガラス成分１２ａ、有機バ
インダー１２ｂ、無機バインダー１２ｃ及び揮発物質よ
り成る絶縁ペースト１２を塗布し、この上にＮｉペース
ト１３を塗布することにより、Ｎｉペーストの側縁部分
に波形が形成されないようにしている。Therefore, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 58-54534 discloses a dike plan that attempts to solve the problem caused by the deformation of the Ni paste. FIG. 2 is for explaining the manufacturing method disclosed in such a proposal, and is a sectional view schematically showing the state immediately after applying the insulating paste. In this method, an insulating paste 12 made of a glass component 12a, an organic binder 12b, an inorganic binder 12c, and a volatile substance is applied on a substrate 11, and a Ni paste 13 is applied on top of this, so that the side edge portions of the Ni paste are This prevents waveforms from forming.
また、塗布された絶縁ペースト１２を乾燥させて揮発物
質を除去して多孔質化してから、その上にＮｉペースト
１３を塗布し、この後両ペースト１２．１３を同時に焼
成している。これにより、Ｎｉペースト１３の揮発物質
は絶縁ペースト１２の空孔１２ｄにも吸収されることと
なり、Ｎｉペースト１３の乾燥が速く進むので、形崩れ
のない電極パターンの形成が可能となっている。Further, after the applied insulating paste 12 is dried to remove volatile substances and become porous, Ni paste 13 is applied thereon, and then both pastes 12 and 13 are fired simultaneously. As a result, the volatile substances of the Ni paste 13 are also absorbed into the pores 12d of the insulating paste 12, and the Ni paste 13 dries quickly, making it possible to form an electrode pattern without losing its shape.
斯かる従来の製造方法では、Ｎｉペースト１３の揮発物
質を急速に絶縁ペースト１２の空孔中に吸収させている
ので、その粘性は急速に高まることとなり形崩れは生じ
なくなる。しかし、この方法では絶縁ペースト１２の空
間率を調整できないのでＮｉペースト１３の揮発物質の
吸収が速すぎることがある。すると、Ｎｉペースト１３
より形成される電極上にスクリーンのメツシュ跡が残り
表面に凹凸が形成されることがあった。第３図は斯かる
凹凸の状態を示す平面図であり、この凹凸はプラズマデ
ィスプレイ駆動の際の異常放電の原因になるという問題
があった。In such a conventional manufacturing method, the volatile substances of the Ni paste 13 are rapidly absorbed into the pores of the insulating paste 12, so that its viscosity increases rapidly and the shape does not deteriorate. However, with this method, the porosity of the insulating paste 12 cannot be adjusted, so the Ni paste 13 may absorb volatile substances too quickly. Then, Ni paste 13
In some cases, mesh marks of the screen remained on the electrode formed by the electrode, and unevenness was formed on the surface. FIG. 3 is a plan view showing the state of such unevenness, and there is a problem that this unevenness causes abnormal discharge when driving a plasma display.
そこで、本発明は以上説明したような課題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、絶縁ペ
ーストの空間率を制御できる方法により、形崩れや凹凸
のない良好な形状の電極を形成できるプラズマディスプ
レイの電極形成方法を提供することにある。Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide an electrode with a good shape without deformation or unevenness by a method that can control the porosity of the insulating paste. An object of the present invention is to provide a method for forming electrodes for a plasma display that can form electrodes of a plasma display.
上記の目的を達成するために、本発明に係るプラズマデ
ィスプレイの電極形成方法は、基板上に絶縁ペーストを
塗布し、これを焼成して絶縁層を形成する工程と、この
絶縁層上に導電ペーストを印刷し、これを焼成して電極
を形成する工程とを有することを特徴としている。In order to achieve the above object, the method for forming electrodes of a plasma display according to the present invention includes the steps of applying an insulating paste on a substrate and baking it to form an insulating layer, and applying a conductive paste on the insulating layer. The method is characterized in that it includes a step of printing and firing this to form an electrode.
本発明においては、先ず最初に、基板上に絶縁ペースト
を塗布し、これを焼成して絶縁層を形成している。そし
て、この後に、この絶縁層上に導電ペーストを印刷し、
これを焼成して電極を形成している。In the present invention, first, an insulating paste is applied onto a substrate, and the insulating paste is baked to form an insulating layer. Then, after this, a conductive paste is printed on this insulating layer,
This is fired to form electrodes.
ところで、絶縁ペーストは一般にガラス成分、有機バイ
ンダー、無機バインダー及び揮発成分よりなっており、
この内の揮発成分は自然乾燥により除去でき、有機バイ
ンダーは所定温度で焼結し、無機バインダーは有機バイ
ンダーの焼結温度より高い所定温度以上で溶融する。即
ち、絶縁ペーストは揮発成分の除去により多孔質化され
るが、その空間率は焼成による有機バインダーの焼結及
び無機バインダーの溶融の程度により変化する性質を有
する。By the way, insulating paste generally consists of a glass component, an organic binder, an inorganic binder, and a volatile component.
Volatile components among these can be removed by air drying, the organic binder is sintered at a predetermined temperature, and the inorganic binder is melted at a predetermined temperature higher than the sintering temperature of the organic binder. That is, the insulating paste is made porous by removing volatile components, and its porosity changes depending on the degree of sintering of the organic binder and melting of the inorganic binder during firing.
一方、絶縁ペースト上に形成される導電ペーストの揮発
成分の吸収速度はその下層となる絶縁ペーストの空間率
が高いほど大きくなる性質を有する。On the other hand, the rate of absorption of volatile components of a conductive paste formed on an insulating paste has a property that the higher the porosity of the underlying insulating paste, the higher the rate of absorption of volatile components.
従って、基板上に絶縁ペーストを塗布し、この状態で焼
成を実施すれば、有機バインダーの焼結及び無機バイン
ダーの溶融が起こり、揮発成分を除去して多孔質化され
た状態より空間率を低下させる事ができる。また、この
空間率は焼成条件により制御できる。よって、導電ペー
ストを塗布し焼成する際に導電ペースト中の揮発成分の
吸収速度を自由に制御できることとなり、導電ペースト
中の揮発成分の吸収速度を形崩れが生じない程度に速く
且つ表面に凹凸が生じない程度に遅く設定することがで
きる。Therefore, if an insulating paste is applied to the substrate and fired in this state, the organic binder will sinter and the inorganic binder will melt, removing volatile components and reducing the porosity compared to the porous state. I can do it. Moreover, this void ratio can be controlled by firing conditions. Therefore, when applying and firing the conductive paste, the absorption rate of the volatile components in the conductive paste can be freely controlled, and the absorption rate of the volatile components in the conductive paste can be set to be fast enough so that the shape does not deteriorate and the surface is not uneven. It can be set as slow as possible so that it does not occur.
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。 The present invention will be explained below based on illustrated embodiments.
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明に係るプラズマディス
プレイの電極形成方法の一実施例を示す工程説明図、第
４図は形成されたプラズマディスプレイの要部斜視図で
ある。同図において、１はガラス基板等の基板、２は絶
縁ペーストとしてのガラスペースト、３は導電ペースト
としてのＮｉペーストであり、２０はガラスペースト２
より形成された絶縁層、３０はＮｉペースト３より形成
された電極である。FIGS. 1(a) to 1(d) are process explanatory diagrams showing one embodiment of the method for forming electrodes of a plasma display according to the present invention, and FIG. 4 is a perspective view of the main parts of the formed plasma display. In the figure, 1 is a substrate such as a glass substrate, 2 is a glass paste as an insulating paste, 3 is a Ni paste as a conductive paste, and 20 is a glass paste 2.
An insulating layer 30 is an electrode made of Ni paste 3.
本実施例においては、プラズマディスプレイ用電極の形
成を次のように実施する。In this example, the formation of electrodes for plasma display is carried out as follows.
まず、初めに、第１図（ａ）に示すように、基板１上に
２００〜２５０メツシユのスクリーンを用いてガラスペ
ースト２（例えば、デュポン社製９７４０．９７４１等
）を厚さ２０〜３０μｍで一面に印刷する。このガラス
ペースト２はＳｉＯ２等のガラス成分２ａ、エチルセル
ロース等の有機バインダー２ｂ、鉛ガラス等の無機バイ
ンダー２ｃ及びシンナー等の揮発物質２ｄを混合したも
のであり、この段階では有機バインダー２ｂは揮発物質
２ｄ中に混在している。First, as shown in FIG. 1(a), a glass paste 2 (for example, 9740.9741 manufactured by DuPont) is applied to a thickness of 20 to 30 μm on a substrate 1 using a screen of 200 to 250 meshes. Print on one side. This glass paste 2 is a mixture of a glass component 2a such as SiO2, an organic binder 2b such as ethyl cellulose, an inorganic binder 2c such as lead glass, and a volatile substance 2d such as thinner.At this stage, the organic binder 2b is a volatile substance 2d. mixed inside.
そして、次に、１２０℃で１時間乾燥させる。Then, it is dried at 120° C. for 1 hour.
すると、揮発物質２ｄは除去され、同図（ｂ）に示すよ
うに、空孔２ｅが形成され、ガラスペースト２は多孔質
化される。同時に、揮発物質２ｄ中に混在していた有機
バインダー２ｂが析出する。Then, the volatile substances 2d are removed, and as shown in FIG. 2(b), pores 2e are formed and the glass paste 2 is made porous. At the same time, the organic binder 2b mixed in the volatile substance 2d is precipitated.
次に、この多孔質化されたガラスペースト２を温度３５
０°Ｃの酸素雰囲気下で１５分間焼成して有機バインダ
ー２ｂを焼結させる。同図（Ｃ）はこの焼成後の状態を
示している。Next, this porous glass paste 2 was heated to 35°C.
The organic binder 2b is sintered by firing for 15 minutes in an oxygen atmosphere at 0°C. The same figure (C) shows the state after this firing.
さらに、続いて、温度５３０℃の酸素雰囲気下で１５分
間焼成して無機バインダー２Ｃを一部溶出させて、同図
（ｄ）のようにガラス成分２ａ間を埋めて絶縁層の形成
を完了する。尚、無機バインダー２Ｃは５００〜５６０
℃で軟化し、５７０℃以上で完全に溶融するので、５３
０°Ｃの焼成ではガラス成分２ａ間の無機バインダー２
Ｃ中には微細な空孔が多数存在させることができる（同
図（ｄ）においては空孔は示していない）・。このよう
に、無機バインダー２Ｃを焼成する工程において、焼成
温度及び焼成時間を制御することによって絶縁ペースト
２の空間率を自由に設定することができる。Furthermore, the inorganic binder 2C is partially eluted by baking in an oxygen atmosphere at a temperature of 530°C for 15 minutes, filling the spaces between the glass components 2a and completing the formation of the insulating layer, as shown in FIG. . In addition, inorganic binder 2C is 500 to 560
It softens at 570°C and completely melts at 570°C or higher, so 53
When firing at 0°C, the inorganic binder 2 between the glass components 2a
A large number of fine pores can be present in C (the pores are not shown in the figure (d)). In this way, in the step of firing the inorganic binder 2C, the porosity of the insulating paste 2 can be freely set by controlling the firing temperature and firing time.
次の工程では、第１図（ｄ）に示すように、上記焼成を
経て空間率を適正値にした絶縁層２０上に、Ｎｉペース
ト３（例えば、デュポン社製 ９３９５等）をパターン
幅１６５μｍ、ピッチ３３０μｍ、ｌｌ厚３０μｍで、
エマルジョン厚１０μｍ、２５０メツシユのスクリーン
を使用して印刷形成する。In the next step, as shown in FIG. 1(d), Ni paste 3 (for example, 9395 manufactured by DuPont) is applied with a pattern width of 165 μm on the insulating layer 20, which has been baked to have an appropriate porosity. With a pitch of 330 μm and a thickness of 30 μm,
The emulsion was printed using a 250-mesh screen with a thickness of 10 μm.
この後、１２０℃で１時間乾燥を行い揮発物質を除去す
る。Thereafter, it is dried at 120° C. for 1 hour to remove volatile substances.
次に、温度３５０℃の酸素雰囲気下で１５分間焼成し有
機バインダーを燃焼させ、さらに、温度５７０〜５８０
℃の酸素雰囲気下で１５分間焼成しＮｉペースト３中の
無機バインダーを完全に溶融させ電極を形成する。Next, the organic binder is burned in an oxygen atmosphere at a temperature of 350°C for 15 minutes, and then at a temperature of 570 to 580°C.
C. in an oxygen atmosphere for 15 minutes to completely melt the inorganic binder in the Ni paste 3 and form an electrode.
以上に示した製造方法によれば、空間率を適正値にした
絶縁層２０上に、Ｎｉペースト３が形成されるので、Ｎ
ｉペースト３中の揮発物質の絶縁層２０への吸収速度が
調整可能となり、Ｎｉペースト３の硬化速度を制御でき
る。よって、硬化速度が遅すぎることによる形崩れや硬
化速度が速すぎることによる凹凸の発生を防止でき、良
好な形状の電極を形成することが可能となる。According to the manufacturing method described above, the Ni paste 3 is formed on the insulating layer 20 with the porosity set to an appropriate value.
The absorption rate of volatile substances in the i-paste 3 into the insulating layer 20 can be adjusted, and the curing rate of the Ni paste 3 can be controlled. Therefore, it is possible to prevent deformation due to too slow curing speed and occurrence of unevenness due to too fast curing speed, and it is possible to form an electrode with a good shape.
以上説明したように、本発明の製造方法によれば、基板
上に絶縁ペーストを塗布し、−旦焼成して絶縁ペースト
中の空間率を適正値とした後に導電ペーストを印刷し焼
成するようにしたので、形崩れのない、しかも表面に凹
凸のない良好な形状の電極を形成することができる。As explained above, according to the manufacturing method of the present invention, an insulating paste is coated on a substrate, and the conductive paste is printed and fired after being fired to set the porosity in the insulating paste to an appropriate value. Therefore, it is possible to form an electrode that does not lose its shape and has a good shape with no irregularities on the surface.
よって、電極形状の微細化及び電極ピッチの短縮が可能
となり、高解像度のプラズマディスプレイを実現できる
という効果を有する。Therefore, it is possible to miniaturize the electrode shape and shorten the electrode pitch, which has the effect of realizing a high-resolution plasma display.
第１図は（ａ）乃至（ｄ）は本発明に係るプラズマディ
スプレイの電極形成方法の一実施例を示す工程説明図、
第２図は従来製造工程における絶縁ペースト塗布後の状
態を概略的に示す断面図、
第３図は第２図の問題点を示す概略の平面図、第４図は
本実施例のプラズマディスプレイ用電極の要部斜視図で
ある。
１・・・基板、
２・・・ガラスペースト（絶縁ペースト）、３・・・Ｎ
ｉペースト（導電ペースト）、２０・・・絶縁層、
３０・・・電極。
特許出願人 沖電気工業株式会社
代理人 弁理士 前 １） 実
第３図
Ｃν
〆−〆１飄Fig. 1 (a) to (d) are process explanatory diagrams showing an example of the method for forming electrodes of a plasma display according to the present invention, and Fig. 2 schematically shows the state after application of the insulating paste in the conventional manufacturing process. FIG. 3 is a schematic plan view showing the problem of FIG. 2, and FIG. 4 is a perspective view of a main part of the plasma display electrode of this embodiment. 1...Substrate, 2...Glass paste (insulating paste), 3...N
i paste (conductive paste), 20... insulating layer, 30... electrode. Patent Applicant Oki Electric Industry Co., Ltd. Agent Patent Attorney 1) Actual Figure 3 Cν 〆-〆1〄
Claims (1)
を形成する工程と、 この絶縁層上に導電ペーストを印刷し、これを焼成して
電極を形成する工程と を有することを特徴とするプラズマディスプレイの電極
形成方法。[Claims] A step of applying an insulating paste on a substrate and baking it to form an insulating layer; and a step of printing a conductive paste on the insulating layer and baking it to form an electrode. A method for forming electrodes for a plasma display, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2993388A JPH01206538A (en) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | Electrode formation for plasma display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2993388A JPH01206538A (en) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | Electrode formation for plasma display |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01206538A true JPH01206538A (en) | 1989-08-18 |
Family
ID=12289787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2993388A Pending JPH01206538A (en) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | Electrode formation for plasma display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01206538A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319580A (en) * | 1994-11-17 | 1998-12-04 | Toray Ind Inc | Photosensitive conductive paste and production of electrode |
| JP2007081300A (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sharp Corp | Method of manufacturing solar cell |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2993388A patent/JPH01206538A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319580A (en) * | 1994-11-17 | 1998-12-04 | Toray Ind Inc | Photosensitive conductive paste and production of electrode |
| JP2007081300A (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sharp Corp | Method of manufacturing solar cell |
| JP4684056B2 (en) * | 2005-09-16 | 2011-05-18 | シャープ株式会社 | Manufacturing method of solar cell |
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