JPH01192121A - 半導体ウエハ - Google Patents

半導体ウエハ

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Publication number
JPH01192121A
JPH01192121A JP1650388A JP1650388A JPH01192121A JP H01192121 A JPH01192121 A JP H01192121A JP 1650388 A JP1650388 A JP 1650388A JP 1650388 A JP1650388 A JP 1650388A JP H01192121 A JPH01192121 A JP H01192121A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ingot
wafer
sliced
slit
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1650388A
Other languages
English (en)
Inventor
Takatoshi Maruyama
丸山 孝利
Shuichi Tawarasako
田原迫 修一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP1650388A priority Critical patent/JPH01192121A/ja
Publication of JPH01192121A publication Critical patent/JPH01192121A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体ウェハ、特にインゴットをスライスし
た場合のスライス位置の表示方式に関するものである。
[従来の技術] 半導体ウェハ、特に化合物半導体ウェハにおいてはイン
ゴットをスライスする場合、スライスする位置によって
例えばギヤリア濃度特性に変化を生じたり、或いは結晶
特性に変化を生ずる場合があり、各種の影響が生ずる。
従ってこれらのウェハを使用してデバイスを製造する場
合は、インゴットから取出した位置を考慮して製造条件
を調整する必要がある。従って製造に当ってはウェハの
スライスされた順序を管理することが重要となり、この
ためウェハに番号〈Nα)をつけて管理することが行わ
れる。
ウェハに番号をつける場合は、インゴットのシード側(
種結晶側)もしくはゾール側からスライスした順序にウ
ェハを並べて記録するのであるが、最近ではこれに代る
ものとしてレーザ光を用いウェハに刻印して表示する方
式のものが用いられるようになった。
[発明が解決しようとする問題点] 上述したように、インゴットよりスライスされたウェハ
は番号が付されて管理されるのであるが、この場合この
番号はウェハ自身に表示されるのではなく、これを保管
するケース等に表示されるのである。従ってウェハをケ
ースから取出して他の場所に移し替えるような場合は時
折配列順序を間違えることがある。このような誤りは再
び修正することができないので、ウェハの番号を管理す
る場合は正確を期すため多大の労力が必要となる。
レーザ光を用いてウェハに刻印する方式では配列順序に
間違いを生じても剥離することは容易であるが、装置が
非常に高価となる反面、スライスしてから刻印に至るま
での工程ではやはりウェハ順序を管理しなければならず
、誤りを生ずる恐れは依然として残されている。
本発明の目的は、ウェハのスライス位置を容易かつ確実
に表示する半導体ウェハを提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、インゴットをスライスして1クエハに形成し
た半導体ウェハにおいて、前記インゴットが側面にスリ
ットを具え、このインボッ“トをスライスして形成した
半導体ウェハの周辺部に、前記スリットに基づき前記イ
ンゴットからスライスされた位置を表示する切込部が設
けであることを特徴とし、ウェハのスライス位置が容易
に判別できるようにして目的の達成を計ったものである
[作  用] 本発明の半導体ウェハでは、インゴットよりスライスし
て取出されたウェハがインゴットのどの部分に対応し何
番目にスライスされたものであるか等の特徴を判別する
ため、インゴット側面の例えばオリエンテーションフラ
ット面にf方より下方に向けて斜めにスリットを刻み、
この状態でスライスしてウェハを取出すようにしている
ので、スライスされたウェハにはそのオリエンテーショ
ンフラット部に上記のスリットに対応する切込部が生ず
ることになる。即ち、スライスされた全ウェハを重ねる
とインゴットの場合と同様に斜め方向のスリットが表れ
ることになるから、各ウェハについてこの切込部に番号
をつけ、これを調べることにより、このウェハはどの位
置より何番目に載り出されたものであるか等、必要デー
タを容易に判別することができる。
[実 施 例] 以下、本発明の−・実施例について図を用いて説明する
第1図は本発明の半導体ウェハの一実施例を示すインゴ
ットの斜視図、第2図はウェハを示し、同図(a)はイ
ンゴットの上部をスライスした場合、同図(b)は下部
をスライスした場合を示す。
各図において1はインゴット、2.3はオリエンテーシ
ョンフラット面、4はスリットを示す。
5A、5Bはウェハ、6A、6Bは切込部を示す。
この実施例を示す半導体ウェハの場合は、円筒状インゴ
ット1にオリエンテーションフラット面(以下、フラッ
ト面と称す)2.3を加工した後、フラット面2に斜め
方向にスリット4を切削する。
次にこのインゴット1をスライスして第2図に示すよう
なウェハ5A、5Bを作製する。フラット面にはスリッ
ト4に対応して切込部6A及び6Bが形成されるら 。
図の場合は切込部6Aがフラット面2の左側に生ずるも
のは例えばインゴット1のシード側から載り出されたウ
ェハであることを表し、切込部6Bが右側に生ずるもの
はインゴット1のテール側からスライスされたウェハで
あることを表している。
即ち、この切込部6A、6Bの位置を調べることにより
、ウェハのスライスされた位置や順序が明確に判別でき
ることになる。
尚、この実施例ではスリット4をフラット面2の左上方
より右下方に研削する斜線としたが、(第1図)、この
スリット4は複数本にしてもインゴット1の曲面に研削
しても又その方向を変えてもよく、これらを組合わせる
ことにより、インゴットの種類やカット方向も判別する
ことが可能となる。
以上述べたように本実施例を用いることにより、次のよ
うな効果が得られる。
1、インゴットからスライスされたウェハの位置、順番
等を明確に表示することができる。
2、ウェハの収納、保管が容易となり、管理費を大幅に
削減することができる。
[発明の効果] 本発明によれば、ウェハのスライス位置を用意かつ確実
に表示する半導体ウェハを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体ウェハの一実施例を丞すインゴ
ットの斜視図、第2図はウェハの平面図を示す。 1:インゴット、 2.3:オリエンテーションフラット面、4 : ス 
 リ  ッ  ト 、 5A、5B:ウ エ ハ、 6A、6B:切 込 部。 第 i 日 6A、 6δ : を刀さ(弔 iz+幻

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、インゴットをスライスして得られた半導体ウェハに
    おいて、前記インゴット側面に設けられたオリエンテー
    ションフラット面に斜め方向に伸びるスリットが形成さ
    れ、該インゴットがスライスされることにより半導体ウ
    ェハの周辺部に、前記スリットに基づき前記インゴット
    からスライスされた位置を表示する切込部が設けられて
    あることを特徴とする半導体ウェハ。
JP1650388A 1988-01-27 1988-01-27 半導体ウエハ Pending JPH01192121A (ja)

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JP1650388A JPH01192121A (ja) 1988-01-27 1988-01-27 半導体ウエハ

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JPH01192121A true JPH01192121A (ja) 1989-08-02

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ID=11918078

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5147824A (en) * 1989-06-26 1992-09-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor wafer
WO2008151649A1 (en) 2007-06-13 2008-12-18 Conergy Ag Method for marking wafers
JP2016532291A (ja) * 2013-08-02 2016-10-13 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives インゴットにおけるウェハの位置を決定する方法
CN106449361A (zh) * 2015-08-10 2017-02-22 英飞凌科技股份有限公司 单晶晶锭、半导体晶圆以及制造半导体晶圆的方法
JP2019067944A (ja) * 2017-10-02 2019-04-25 株式会社ディスコ インゴット及びウェーハの加工方法

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