JPH01188672A - Ｒｆスパッタリング装置 - Google Patents
Ｒｆスパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH01188672A JPH01188672A JP1297588A JP1297588A JPH01188672A JP H01188672 A JPH01188672 A JP H01188672A JP 1297588 A JP1297588 A JP 1297588A JP 1297588 A JP1297588 A JP 1297588A JP H01188672 A JPH01188672 A JP H01188672A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cathode electrode
- plasma
- sputter etching
- etched
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スパッタエツチング機能を有するＲＦスパッ
タリング装置に関するものである。
タリング装置に関するものである。
従来の技術
従来のアルミスパッタリング装置の容器内に配置された
ＲＦスパッタエツチングの電極部分の断面図を第２図に
示す。
ＲＦスパッタエツチングの電極部分の断面図を第２図に
示す。
同図において、１はカソード電極、２はアノード電極て
あり、４はカソード電極１に装着された半導体ウェハで
ある。容器内のカソード電極１とアノード電極２との間
に適当な量の不活性ガスを封入し、高周波（ＲＦ）電界
を印加すると、カソード電極１とアノード電極２との間
でプラズマが発生し、イオン化されたエツチング種が半
導体ウェハ３に衝突し、スパッタエッチと称される物理
的エツチングがなされる。
あり、４はカソード電極１に装着された半導体ウェハで
ある。容器内のカソード電極１とアノード電極２との間
に適当な量の不活性ガスを封入し、高周波（ＲＦ）電界
を印加すると、カソード電極１とアノード電極２との間
でプラズマが発生し、イオン化されたエツチング種が半
導体ウェハ３に衝突し、スパッタエッチと称される物理
的エツチングがなされる。
発明が解決しようとする課題
従来のアルミスパッタリング装置を用いてスパッタエツ
チングを行うと、エツチングされたものがアノード電極
２に付着する。アノード電極２に付着したものがプラズ
マによってたたきだされ、電極間に浮遊したり、あるい
は半導体ウェハ３に異物として再付着する。
チングを行うと、エツチングされたものがアノード電極
２に付着する。アノード電極２に付着したものがプラズ
マによってたたきだされ、電極間に浮遊したり、あるい
は半導体ウェハ３に異物として再付着する。
本来、アルミスパッタリング装置では、スパッタエツチ
ングとアルミのデポジションは連続に行われるため、半
導体ウェハ上に付着した異物は除去されずにアルミがそ
の上に蒸着される。その後、フォトリソグラフィ技術を
用いてパターンニングすると、異物の部分がパターンニ
ング不良、つまり本来、開孔されなければならないとこ
ろが開孔されなくて、アルミニウム配線のショート不良
をひき起こし、半導体集積回路装置の歩留を低下させる
という不都合があった。
ングとアルミのデポジションは連続に行われるため、半
導体ウェハ上に付着した異物は除去されずにアルミがそ
の上に蒸着される。その後、フォトリソグラフィ技術を
用いてパターンニングすると、異物の部分がパターンニ
ング不良、つまり本来、開孔されなければならないとこ
ろが開孔されなくて、アルミニウム配線のショート不良
をひき起こし、半導体集積回路装置の歩留を低下させる
という不都合があった。
従来のアルミスパッタリング装置でスパッタエツチング
を行うと、０．３μｍ以上のパーティクルが数百個発生
する。
を行うと、０．３μｍ以上のパーティクルが数百個発生
する。
本発明は、スパッタエツチングによって発生するパーテ
ィクルを低減することを可能ならしめるアルミスパッタ
リング装置の提供を目的とするものである。
ィクルを低減することを可能ならしめるアルミスパッタ
リング装置の提供を目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明のアルミスパッタリング装置は、スパッタエツチ
ング電極として、アノード電極およびカソード電極の他
に、格子状の第３電極を有するものである。
ング電極として、アノード電極およびカソード電極の他
に、格子状の第３電極を有するものである。
作用
この構造によれば、プラズマは、カソード電極とそれに
対向する格子状の第３電極との間で発生し、スパッタエ
ツチングされたものの大部分は格子状の第３電極を通り
抜けてアノード電極に付着し、付着したものが再度たた
き出されることはなく、パーティクルを低減することが
できる。
対向する格子状の第３電極との間で発生し、スパッタエ
ツチングされたものの大部分は格子状の第３電極を通り
抜けてアノード電極に付着し、付着したものが再度たた
き出されることはなく、パーティクルを低減することが
できる。
実施例
以下に、第１図を参照して本発明を説明する。
第１図は、本発明のアルミスパッタ装置の容器内に配置
されたスパッタエツチングの電極部分を示した断面図で
ある。１はカソード電極、２はアノード電極であり、３
は格子状の第３電極であり、４はエツチングされる半導
体ウェハである。
されたスパッタエツチングの電極部分を示した断面図で
ある。１はカソード電極、２はアノード電極であり、３
は格子状の第３電極であり、４はエツチングされる半導
体ウェハである。
このような構造にすることにより、容器内に不活性ガス
を封入し、プラズマを発生させると、プラズマはカソー
ド電極１とそれに対向する格子状の第３電極３との間で
発生する。このプラズマによって半導体ウェハ４をエツ
チングするわけであるが、エツチングされたものの大部
分はアノード電極２に付着する。プラズマは、カソード
電極１と格子状の第３電極３の間で発生するので、エツ
チングされた異物が再度たたきだされることはない。そ
のため、スパッタエツチングすることにより発生するパ
ーティクルを低減することができる。
を封入し、プラズマを発生させると、プラズマはカソー
ド電極１とそれに対向する格子状の第３電極３との間で
発生する。このプラズマによって半導体ウェハ４をエツ
チングするわけであるが、エツチングされたものの大部
分はアノード電極２に付着する。プラズマは、カソード
電極１と格子状の第３電極３の間で発生するので、エツ
チングされた異物が再度たたきだされることはない。そ
のため、スパッタエツチングすることにより発生するパ
ーティクルを低減することができる。
本発明のアルミスパッタリング装置でスパッタエツチン
グすると、０．３μｍＪｄ、上のパーティクルは５０個
までに抑えられ、従来のそれの約１０分の１になる。
グすると、０．３μｍＪｄ、上のパーティクルは５０個
までに抑えられ、従来のそれの約１０分の１になる。
発明の効果
本発明のアルミスパッタリング装置によれば、半導体ウ
ェハをスパッタエツチングすることにより発生するパー
ティクル数を従来のそれの約１０分の１に抑えることが
でき、ひいては、半導体集積回路装置の歩留を向上させ
得る産業上極めて有効な効果を有するものである。
ェハをスパッタエツチングすることにより発生するパー
ティクル数を従来のそれの約１０分の１に抑えることが
でき、ひいては、半導体集積回路装置の歩留を向上させ
得る産業上極めて有効な効果を有するものである。
第１図は本発明のアルミスパッタリング装置の概略断面
図、第２図は従来のアルミスパッタリング装置の概略断
面図を示す。 １・・・・・・カソード電極、２・・・・・・アノード
電極、３・・・・・・格子状の第３電極、４・・・・・
・半導体ウェハ。
図、第２図は従来のアルミスパッタリング装置の概略断
面図を示す。 １・・・・・・カソード電極、２・・・・・・アノード
電極、３・・・・・・格子状の第３電極、４・・・・・
・半導体ウェハ。
Claims (1)
- アノード電極と、これに対向し、カソード電極及び格子
状の第３電極とを備えたことを特徴とするＲＦスパッタ
リング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297588A JPH01188672A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | Ｒｆスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297588A JPH01188672A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | Ｒｆスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01188672A true JPH01188672A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11820229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1297588A Pending JPH01188672A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | Ｒｆスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01188672A (ja) |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1297588A patent/JPH01188672A/ja active Pending
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