JPH01188441A - 高屈折率差微小コア母材の作製方法 - Google Patents
高屈折率差微小コア母材の作製方法Info
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- JPH01188441A JPH01188441A JP1258288A JP1258288A JPH01188441A JP H01188441 A JPH01188441 A JP H01188441A JP 1258288 A JP1258288 A JP 1258288A JP 1258288 A JP1258288 A JP 1258288A JP H01188441 A JPH01188441 A JP H01188441A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、コアとクラッドの屈折率差が高く、コア径の
微小な光ファイバ母材を作製する方法に関し、高効率な
ファイバラマンレーザ等非線形効果の大きなファイバ用
母材を作製できるものである。
微小な光ファイバ母材を作製する方法に関し、高効率な
ファイバラマンレーザ等非線形効果の大きなファイバ用
母材を作製できるものである。
〈従来の技術〉
従来、石英系ガラスファイバは、コア材料としてＧｅＯ
２ガラスを２〜１０ｍｏ１％添加した石英ガラスを、ク
ラッド材料として純シリカガラスを用いて石英管を出発
管としたＭＣＶＤ法あるいはＶＡＤ法により作製されて
いる。
２ガラスを２〜１０ｍｏ１％添加した石英ガラスを、ク
ラッド材料として純シリカガラスを用いて石英管を出発
管としたＭＣＶＤ法あるいはＶＡＤ法により作製されて
いる。
ここで、光をとじ込めて伝搬させるコアに添加されるＧ
ｅＯ２ガラスのラマン散乱係数は５１０２ガラスノソれ
より９．２倍大きイ（Ｆ、 Ｌ、 Ｇａ１ｅｅｎｅｒ
ｅｔ ａｌ、 。
ｅＯ２ガラスのラマン散乱係数は５１０２ガラスノソれ
より９．２倍大きイ（Ｆ、 Ｌ、 Ｇａ１ｅｅｎｅｒ
ｅｔ ａｌ、 。
Ａ−ｐｐｌ、ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 Ｖｏｌ、３２
，Ｐ、 ３４．１９７８）が、通常の光ファイバではほ
とんど５１０２ガラス材料に“依存したラマン特性ある
いは非線形効果が支配的であり、このためラマン散乱定
数等の非線形効果は非常に小さい。従って、通常の光フ
ァイバを用いて誘導ラマン散乱光を発生させるには、大
きな光パワーをファイバに入射させろか、あるいは１〜
１０ｋｍの長い低損失な光ファイバを用いて励起光と発
生する誘導ラマン散乱光との相互作用長を長くする必要
があった。
，Ｐ、 ３４．１９７８）が、通常の光ファイバではほ
とんど５１０２ガラス材料に“依存したラマン特性ある
いは非線形効果が支配的であり、このためラマン散乱定
数等の非線形効果は非常に小さい。従って、通常の光フ
ァイバを用いて誘導ラマン散乱光を発生させるには、大
きな光パワーをファイバに入射させろか、あるいは１〜
１０ｋｍの長い低損失な光ファイバを用いて励起光と発
生する誘導ラマン散乱光との相互作用長を長くする必要
があった。
また、５１０２系ガラス以外のＧｅＯ３系ガラスをコア
材料とし、５１０２添加ＧｅＯ□ガラスをクラッド材料
としたＶＡＤ法による光ファイバは、通常の光ファイバ
よりも低い励起入射パワーで誘導ラマン散乱光が発生す
ることが判明している（Ｋ、 Ｎａｋａｍｕｒａ、ｅｔ
、ａｌ、、１２ｔｈＥｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ ｏｎ ０ｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎ
ｉｃａｔｉｏｎ Ｅｅｏｅ′８６−１ｌ−１４）。し
かし、この光ファイバはコア径が２６μｍと大きく、屈
折率差が０．５６％と小さいため、半導体レーザのよう
な低出力レーザでの誘導ラマン光の発生が困難であり、
他の非線形性効率も小さかった。
材料とし、５１０２添加ＧｅＯ□ガラスをクラッド材料
としたＶＡＤ法による光ファイバは、通常の光ファイバ
よりも低い励起入射パワーで誘導ラマン散乱光が発生す
ることが判明している（Ｋ、 Ｎａｋａｍｕｒａ、ｅｔ
、ａｌ、、１２ｔｈＥｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ ｏｎ ０ｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎ
ｉｃａｔｉｏｎ Ｅｅｏｅ′８６−１ｌ−１４）。し
かし、この光ファイバはコア径が２６μｍと大きく、屈
折率差が０．５６％と小さいため、半導体レーザのよう
な低出力レーザでの誘導ラマン光の発生が困難であり、
他の非線形性効率も小さかった。
一方、純ＧｅＯ２ガラスをコアとする高屈折率差微小コ
アファイバの作製方法としては、コア材料となるＧｅＯ
ガラスおよびクラッド材料となるＰ２Ｏ５を２０ωｔ％
添加したＳ ｉ ０２ガラスロツドをそれぞれＶＡＤ法
によって作製し、クラッド材料の中心を穿孔して管状と
し、この管状クラッド材料にコアに押入し、更に最外周
に第２クラツドとしてパイレックス（コーニング社の登
−録商標）管を装着したロッドチューブ法により作製し
た例がある（保坂、他昭和６２年度電子情報通信学会半
導体材料部門全国大会講演論文集Ｐ、２−２０７）。
アファイバの作製方法としては、コア材料となるＧｅＯ
ガラスおよびクラッド材料となるＰ２Ｏ５を２０ωｔ％
添加したＳ ｉ ０２ガラスロツドをそれぞれＶＡＤ法
によって作製し、クラッド材料の中心を穿孔して管状と
し、この管状クラッド材料にコアに押入し、更に最外周
に第２クラツドとしてパイレックス（コーニング社の登
−録商標）管を装着したロッドチューブ法により作製し
た例がある（保坂、他昭和６２年度電子情報通信学会半
導体材料部門全国大会講演論文集Ｐ、２−２０７）。
しかし、この方法はロッドインチューブ法を用いるため
、ファイバが長さ方向に不均一であり、低損失化が困難
であるという欠点があった。
、ファイバが長さ方向に不均一であり、低損失化が困難
であるという欠点があった。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明は、誘導ラマン散乱等の非線形効果を生じさせる
ために大きな入射パワー及び長尺なファイバを必要とす
ることなく、特に半導体レーザのように小型で使い勝手
のよい比較的低出力レーザで誘導ラマン散乱光を発生あ
るいは高効率非線効果（カー効果等）を生じさせること
ができ、長さ方向に均一であり低損失な光ファイバ用母
材を作製することのできろ方法を提供することを目的と
する。
ために大きな入射パワー及び長尺なファイバを必要とす
ることなく、特に半導体レーザのように小型で使い勝手
のよい比較的低出力レーザで誘導ラマン散乱光を発生あ
るいは高効率非線効果（カー効果等）を生じさせること
ができ、長さ方向に均一であり低損失な光ファイバ用母
材を作製することのできろ方法を提供することを目的と
する。
く課題を解決するための手段〉
斯かる目的を達成するための本発明の構成は、出発管を
水平に保持して回転させると共に該ガラス管内へ光ファ
イバ用ガラス原料ガス及び酸素を導入し、該ガラス管を
外側あるいは内側から加熱することによって酸化反応を
生ぜしめ、該ガラス管内壁にクラッドガラス及びコアガ
ラスの層を順に堆積した後、該ガラス管を中実化するＭ
ＣＶＤ法あるいはＰＣＶＤ法ニヨる光ファイバ用母材の
作製方法において、前記出発管としてホウケイ酸ガラス
管あるいはアルミナケイ酸ガラス管を用い、前記クラッ
ドガラスとしてＰ２Ｏ５及びＢ２０．を含有するＳｉＯ
ガラス，ＰＯを含有するＳｉＯガラス又はＢ２０．を含
有する５１０２ガラスあるいはこれらのガラスにフッ素
を添加したガラスを堆積させ、前記コアガラスとして純
ＧｅＯガラス、５ｉｎ２ガラスを微量に添加したＧ ｅ
０２ガラス、又はフッ素およびＳｉＯガラスを微量に
添加したＧｅＯ２ガラスを堆積させることを特徴とする
。
水平に保持して回転させると共に該ガラス管内へ光ファ
イバ用ガラス原料ガス及び酸素を導入し、該ガラス管を
外側あるいは内側から加熱することによって酸化反応を
生ぜしめ、該ガラス管内壁にクラッドガラス及びコアガ
ラスの層を順に堆積した後、該ガラス管を中実化するＭ
ＣＶＤ法あるいはＰＣＶＤ法ニヨる光ファイバ用母材の
作製方法において、前記出発管としてホウケイ酸ガラス
管あるいはアルミナケイ酸ガラス管を用い、前記クラッ
ドガラスとしてＰ２Ｏ５及びＢ２０．を含有するＳｉＯ
ガラス，ＰＯを含有するＳｉＯガラス又はＢ２０．を含
有する５１０２ガラスあるいはこれらのガラスにフッ素
を添加したガラスを堆積させ、前記コアガラスとして純
ＧｅＯガラス、５ｉｎ２ガラスを微量に添加したＧ ｅ
０２ガラス、又はフッ素およびＳｉＯガラスを微量に
添加したＧｅＯ２ガラスを堆積させることを特徴とする
。
く実 施 例〉
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１゛図に本発明方法を実施する装置の１例を示す。同
図に示すように、ホウケイ酸ガラスの１例としてパイレ
ックス管３はその両端部を支持部であるチャック４に回
転自在かつ水平に保持されており、その内径は１７ ｗ
ｍ 。
図に示すように、ホウケイ酸ガラスの１例としてパイレ
ックス管３はその両端部を支持部であるチャック４に回
転自在かつ水平に保持されており、その内径は１７ ｗ
ｍ 。
外径は２０ｍ、長さは１５００■である。このパイレッ
クス管３の一端にはパイプ２を介して原料ガス供給部１
が接続されている。この原料ガス供給部１には、５ｉＣ
ｊ、、ＧｅＣｊ、。
クス管３の一端にはパイプ２を介して原料ガス供給部１
が接続されている。この原料ガス供給部１には、５ｉＣ
ｊ、、ＧｅＣｊ、。
ＰＣｌ３．ＢＢｒ、の液体が各容器に貯留され、Ａｒガ
スを液体中に供給することにより蒸発させて輸送するこ
とができる。また、他に０２ガス及びＳＦ６ガスが保管
され、温度制御及び流量制御が可能となっている。これ
ら原料ガス等はパイプ２を介してパイレックスＩ１１′
３内へ供給される。一方、パイレックス管３の他端には
回転コネクタ７を介してトラップ８に回転可能に接続さ
れ、パイレックスＷ３を通過した気体はトラップ８を経
由して電磁弁９゜ノズル１０から排気されることとなる
。更に、パイレックス管３の下方に酸水素炎バーナ等の
加熱源５が配設されると共にこの加熱源５に隣接して管
径測定部６が併設されており、これら加熱！Ｍ５及び管
径測定部６はパイレックス管３に沿って移動可能となっ
ている。この管径測定部６の信号に基づいて排気量制御
部１１は電磁弁９の開閉を制御する。
スを液体中に供給することにより蒸発させて輸送するこ
とができる。また、他に０２ガス及びＳＦ６ガスが保管
され、温度制御及び流量制御が可能となっている。これ
ら原料ガス等はパイプ２を介してパイレックスＩ１１′
３内へ供給される。一方、パイレックス管３の他端には
回転コネクタ７を介してトラップ８に回転可能に接続さ
れ、パイレックスＷ３を通過した気体はトラップ８を経
由して電磁弁９゜ノズル１０から排気されることとなる
。更に、パイレックス管３の下方に酸水素炎バーナ等の
加熱源５が配設されると共にこの加熱源５に隣接して管
径測定部６が併設されており、これら加熱！Ｍ５及び管
径測定部６はパイレックス管３に沿って移動可能となっ
ている。この管径測定部６の信号に基づいて排気量制御
部１１は電磁弁９の開閉を制御する。
上記構成の装置を利用して本発明方法は次の様に実施さ
れる。
れる。
まず、チャック４で支持されたパイレックス管３を６０
ｒｐｍ程度の回転数で回転させると共に原料ガス供給
部１からパイプ２を介して０２ガスのみを５００ｃｃ／
分の割合で流す。この状態で加熱源５を数回柱［（約５
〜１０ｃｍ／分）させてパイレックス管３を約８００℃
の温度まで加熱し空焼きを行う。空焼きを行うのは、管
内壁を非常になめらかにするためである。
ｒｐｍ程度の回転数で回転させると共に原料ガス供給
部１からパイプ２を介して０２ガスのみを５００ｃｃ／
分の割合で流す。この状態で加熱源５を数回柱［（約５
〜１０ｃｍ／分）させてパイレックス管３を約８００℃
の温度まで加熱し空焼きを行う。空焼きを行うのは、管
内壁を非常になめらかにするためである。
パイレックス管は軟化点以上に加熱されると、同心円状
に収縮して管径が細くなる。この管径は管径測定部６で
測定され、予め排気量制御部１１に設定された下限管径
と比較される。
に収縮して管径が細くなる。この管径は管径測定部６で
測定され、予め排気量制御部１１に設定された下限管径
と比較される。
この下限管径に比べてパイレックス３の管径が大きい場
合には、排気量制御部１１が電磁弁９を開放して管内を
流れる気体を抵抗なく排出する。
合には、排気量制御部１１が電磁弁９を開放して管内を
流れる気体を抵抗なく排出する。
一方、管径が下限管径よりも小さい場合には、排気量制
御部１１が電磁ｆｐ９を閉じてしまうため、管内の気体
の出口はノズル１０の僅かの間隙だけとなる。パイレッ
クス管３内へは原料ガス供給部１から常時０２ガスが供
給されているため、管内の圧力が高まり、パイレックス
管３の加熱部分は収納しようとする表面張力に打ち勝ち
膨張する。この膨張した管径が設定値に一致するか、あ
るいは大きくなると、排気量制御部１１が電磁弁９を開
放して、管内の圧力を大気圧まで下げる。このような動
作を加熱原料５の移動と共にパイレックス管３の長手方
向へ行うことにより、設定値に合うよう整形される。
御部１１が電磁ｆｐ９を閉じてしまうため、管内の気体
の出口はノズル１０の僅かの間隙だけとなる。パイレッ
クス管３内へは原料ガス供給部１から常時０２ガスが供
給されているため、管内の圧力が高まり、パイレックス
管３の加熱部分は収納しようとする表面張力に打ち勝ち
膨張する。この膨張した管径が設定値に一致するか、あ
るいは大きくなると、排気量制御部１１が電磁弁９を開
放して、管内の圧力を大気圧まで下げる。このような動
作を加熱原料５の移動と共にパイレックス管３の長手方
向へ行うことにより、設定値に合うよう整形される。
次に、原料ガス供給部１から５００ｃｃ／分の０ガスと
共にＡｒガスでバブリングされた１２℃、２００ｃｃ／
分の５ｉＣ１４，１２℃、２００ｃｃ／分のＰＣｌ３，
１２℃、２００ｃｃ／分のＢＢｒ３をパイレックス管３
内へ流し、加熱源５によってこれら原料ガスを約１００
０℃に加熱し、酸化反応を起こさせ、クラッドとなるガ
ラスつまりクラッドガラスとしてＰ２Ｏ５及びＢ、 ０
３を含有するＳ ｉ Ｏ，（以下，Ｐ２Ｏ４／Ｂ２Ｏ３
／ＳｉＯ２のように略記する）ガラス層をパイレックス
管内壁（約１７＋ｍ）に堆積させる。加熱源５を２００
回程往復させることにより上記ガラス層は約３６μｍの
厚さとなる。
共にＡｒガスでバブリングされた１２℃、２００ｃｃ／
分の５ｉＣ１４，１２℃、２００ｃｃ／分のＰＣｌ３，
１２℃、２００ｃｃ／分のＢＢｒ３をパイレックス管３
内へ流し、加熱源５によってこれら原料ガスを約１００
０℃に加熱し、酸化反応を起こさせ、クラッドとなるガ
ラスつまりクラッドガラスとしてＰ２Ｏ５及びＢ、 ０
３を含有するＳ ｉ Ｏ，（以下，Ｐ２Ｏ４／Ｂ２Ｏ３
／ＳｉＯ２のように略記する）ガラス層をパイレックス
管内壁（約１７＋ｍ）に堆積させる。加熱源５を２００
回程往復させることにより上記ガラス層は約３６μｍの
厚さとなる。
引き続き、１２℃ｐ ５０ ｃ ０７分のＧ ｏ Ｃ１
４ヲ０２ガスと共にパイレックス管中へ流し、加熱源５
によって約１０００℃に加熱し、酸化反応を起させ、コ
アとなるガラスつまりコアガラスとしてＧｅＯ２ガラス
層を更に堆積させる。加熱源５を約５回往復させること
によって、６００４９１層の厚さは約０．４μｍとなる
。
４ヲ０２ガスと共にパイレックス管中へ流し、加熱源５
によって約１０００℃に加熱し、酸化反応を起させ、コ
アとなるガラスつまりコアガラスとしてＧｅＯ２ガラス
層を更に堆積させる。加熱源５を約５回往復させること
によって、６００４９１層の厚さは約０．４μｍとなる
。
その後、加熱源５を９つ（り移動させると共に排気量制
御部１１からの流入を停止して約１０００〜１１００℃
に加熱し、加熱源５を３回程度往復させることによって
中実化し、円柱母材（直径約１１間、長さ５００＋ｎ＋
ａ）とした。本発明では、出発管として従来の石英管に
代えてパイレックス管を用い、このパイレックスガラス
に軟化点温度の近いＰ２Ｏ５／Ｂ２０□／ Ｓ ｉ Ｏ
２ガラス、純ＧｅＯ２ガラスをそれぞれクラッド材料、
コア材料としている。このため、低い温度で中実化する
ことができた。もし、仮に従来の石英管を出５＠管とし
て用いると、中実化時（約１９００℃）に石英管内に堆
積した純ＧｅＯ２ガラスが昇華し、コアを形成すること
ができないこととなる。
御部１１からの流入を停止して約１０００〜１１００℃
に加熱し、加熱源５を３回程度往復させることによって
中実化し、円柱母材（直径約１１間、長さ５００＋ｎ＋
ａ）とした。本発明では、出発管として従来の石英管に
代えてパイレックス管を用い、このパイレックスガラス
に軟化点温度の近いＰ２Ｏ５／Ｂ２０□／ Ｓ ｉ Ｏ
２ガラス、純ＧｅＯ２ガラスをそれぞれクラッド材料、
コア材料としている。このため、低い温度で中実化する
ことができた。もし、仮に従来の石英管を出５＠管とし
て用いると、中実化時（約１９００℃）に石英管内に堆
積した純ＧｅＯ２ガラスが昇華し、コアを形成すること
ができないこととなる。
製作された母材の両端は湯温から室温に冷えろ際に、パ
イレックスガラス，Ｐ２Ｏ５／Ｂ２Ｏ２／ Ｓ ｉ ０
２ガラス及び純Ｇ ａ Ｏ，ガラスの線膨張係数の差に
依存する熱応力によって亀裂が生じやすい部分である。
イレックスガラス，Ｐ２Ｏ５／Ｂ２Ｏ２／ Ｓ ｉ ０
２ガラス及び純Ｇ ａ Ｏ，ガラスの線膨張係数の差に
依存する熱応力によって亀裂が生じやすい部分である。
そこで、第２図に示すように母材の両端を引き伸した。
第３図に母材の断面を示すようにコア１２の直径は約０
．５ｎａ。
．５ｎａ。
クラッド１３の直径は約５Ｍであった。また第４図に屈
折率分布を示すようにコア１２゜クラッド１３．パイレ
ックスガラスの屈折率ｎはそれぞれり、Ｓ １． １．
４５８． １．４７４であった。従って、屈折率差Δ＝
（ｎ、−ｎ２） ／ ｎｌ（ｎ、： コアの屈折率、
ｎ２： クラッドの屈折率）としては９．４４％となり
高い値となった。
折率分布を示すようにコア１２゜クラッド１３．パイレ
ックスガラスの屈折率ｎはそれぞれり、Ｓ １． １．
４５８． １．４７４であった。従って、屈折率差Δ＝
（ｎ、−ｎ２） ／ ｎｌ（ｎ、： コアの屈折率、
ｎ２： クラッドの屈折率）としては９．４４％となり
高い値となった。
本発明の母材と同様の組成を有する母材をＶＡＤ法によ
り作成するのは困難である。その理由は、純ＧｅＯ２ガ
ラスとＰ２Ｏ５／Ｂ２Ｏ２／ＳｉＯ２ガラスの線膨張差
に基づ（熱応力による亀裂は、コアの直径が小さいほど
発生する確率が小さいから、母材のコア直径を１間以下
にすることが困難なＶＡＤ法では、加熱して透明ガラス
化した後、冷却時に熱応力による亀裂が生じるからであ
る。また、純Ｇｏ。
り作成するのは困難である。その理由は、純ＧｅＯ２ガ
ラスとＰ２Ｏ５／Ｂ２Ｏ２／ＳｉＯ２ガラスの線膨張差
に基づ（熱応力による亀裂は、コアの直径が小さいほど
発生する確率が小さいから、母材のコア直径を１間以下
にすることが困難なＶＡＤ法では、加熱して透明ガラス
化した後、冷却時に熱応力による亀裂が生じるからであ
る。また、純Ｇｏ。
ガラスとＰ２Ｏ，／Ｂ２Ｏ２／ＳｉＯ２ガラスの軟化温
度及び線膨張係数を合せることが困難であるからである
。
度及び線膨張係数を合せることが困難であるからである
。
尚、上記実施例ではクラッドガラスとしてＰ２Ｏ５／Ｂ
２Ｏ２／Ｓ１０□ガラスが用いられていたが、これに代
えてＰ２Ｏ５／ＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ２／Ｓ ｉ Ｏ２ある
いはこれにフッ素を微量添加したガラスも用いることが
できる。また、コアガラスとしても上記実施例の純Ｇｅ
Ｏガラスに代えて、５１０２のみあるいは５ｉｎ２及び
フッ素が微量添加されたＧθ０ガラスを用いることもで
きる。製作方法も上記手順と変わらない。更に、上記実
施例では加熱源５として酸水素バーナを使用したＭＣＶ
Ｄ法により実施していたが、これに代えてＰＣＶＤ （
プラズマｃｖｎ）法を用いることもできる。例えば、パ
イレックス管内を１０−’ Ｔｏｒｒに減圧し、加＃４
源５としてマイクロ波キャビデイを用い、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波発生器を用いて、２００〜１５００ワツ
トの出力でパイレックス管を加熱し、発生するプラズマ
により管内面を重点的に加熱しながら、コア層及びクラ
ッド層を堆積するようにしても良い。このようにすると
、パイレックス管の外側の温度が高（ならないため、管
の収縮が抑えらえる（Ｆｒｅｄｙ ＷｅｌｉｎｇＪ、
Ａｐｐｌ。
２Ｏ２／Ｓ１０□ガラスが用いられていたが、これに代
えてＰ２Ｏ５／ＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ２／Ｓ ｉ Ｏ２ある
いはこれにフッ素を微量添加したガラスも用いることが
できる。また、コアガラスとしても上記実施例の純Ｇｅ
Ｏガラスに代えて、５１０２のみあるいは５ｉｎ２及び
フッ素が微量添加されたＧθ０ガラスを用いることもで
きる。製作方法も上記手順と変わらない。更に、上記実
施例では加熱源５として酸水素バーナを使用したＭＣＶ
Ｄ法により実施していたが、これに代えてＰＣＶＤ （
プラズマｃｖｎ）法を用いることもできる。例えば、パ
イレックス管内を１０−’ Ｔｏｒｒに減圧し、加＃４
源５としてマイクロ波キャビデイを用い、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波発生器を用いて、２００〜１５００ワツ
トの出力でパイレックス管を加熱し、発生するプラズマ
により管内面を重点的に加熱しながら、コア層及びクラ
ッド層を堆積するようにしても良い。このようにすると
、パイレックス管の外側の温度が高（ならないため、管
の収縮が抑えらえる（Ｆｒｅｄｙ ＷｅｌｉｎｇＪ、
Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ Ｖｏｌ、 ５７． ｎｏ、 ９． ＰＰ、
４４４１−４４４６．１９８５）。
４４４１−４４４６．１９８５）。
〈発明の効果〉
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
方法ではけ材のコア径を０．５鵬程度にできるため、コ
アガラスとクラッドガラスの線膨張係数の差に起因する
熱応力が小さく、亀裂を生じることがない。また、ＭＣ
ｖＤ法は閉管系であるため、低損失化が可能となる利点
がある。
方法ではけ材のコア径を０．５鵬程度にできるため、コ
アガラスとクラッドガラスの線膨張係数の差に起因する
熱応力が小さく、亀裂を生じることがない。また、ＭＣ
ｖＤ法は閉管系であるため、低損失化が可能となる利点
がある。
更に、本発明方法による母材から光ファイバを作製する
と、屈折率差を８〜９％、使用波長を０．５〜１．２μ
ｍとしたときに、コア径０．６〜１μｍ程度で単一モー
ド動作が可能となり、同一光源から従来の石英系単一モ
ード光ファイバの１００倍程度のパワー密度を達成でき
る。従って、ラマン散乱に代表される非線形効果の増大
の他に、レーザ加工、レーザメス、イメージガイドおよ
び熱影像ガイドの分解能の向上に利点がある。
と、屈折率差を８〜９％、使用波長を０．５〜１．２μ
ｍとしたときに、コア径０．６〜１μｍ程度で単一モー
ド動作が可能となり、同一光源から従来の石英系単一モ
ード光ファイバの１００倍程度のパワー密度を達成でき
る。従って、ラマン散乱に代表される非線形効果の増大
の他に、レーザ加工、レーザメス、イメージガイドおよ
び熱影像ガイドの分解能の向上に利点がある。
第１図は本発明方法を実施する装置の１例を示す説明図
、第２図、第３図は各々作製された母材の縦断面図、横
断面図、第４図は屈折率分布を示すグラフである。 図 面 中、 １は原料ガス供給部、 ２はパイプ、 ３はパイレックス官、 ４はチャックＸ ５は加熱源、 ６は管径測定部、 ７は回転コネクタ、 ８はトラップ、 ９は電磁弁、 １０はノズル、 １１は排気量制御部、 １２はコア、 １３はクラッド、 １４はパイレックスガラスである。 特 許 出 願 人 日本電信電話株式会社 代 理 人
、第２図、第３図は各々作製された母材の縦断面図、横
断面図、第４図は屈折率分布を示すグラフである。 図 面 中、 １は原料ガス供給部、 ２はパイプ、 ３はパイレックス官、 ４はチャックＸ ５は加熱源、 ６は管径測定部、 ７は回転コネクタ、 ８はトラップ、 ９は電磁弁、 １０はノズル、 １１は排気量制御部、 １２はコア、 １３はクラッド、 １４はパイレックスガラスである。 特 許 出 願 人 日本電信電話株式会社 代 理 人
Claims (1)
- 出発管を水平に保持して回転させると共に該ガラス管内
へ光ファイバ用ガラス原料ガス及び酸素を導入し、該ガ
ラス管を外側あるいは内側から加熱することによって酸
化反応を生ぜしめ、該ガラス管内壁にクラッドガラス及
びコアガラスの層を順に堆積した後、該ガラス管を中実
化するＭＣＶＤ法あるいはＰＣＶＤ法による光ファイバ
用母材の作製方法において、前記出発管としてホウケイ
酸ガラス管あるいはアルミナケイ酸ガラス管を用い、前
記クラッドガラスとしてＰ＿２Ｏ＿５及びＢ＿２Ｏ＿３
を含有するＳｉＯ＿２ガラス，Ｐ＿２Ｏ＿５を含有する
ＳｉＯ＿２ガラス又はＢ＿２Ｏ＿３を含有するＳｉＯ＿
２ガラスあるいはこれらのガラスにフッ素を添加したガ
ラスを堆積させ、前記コアガラスとして純ＧｅＯ＿２ガ
ラス，ＳｉＯ＿２ガラスを微量に添加したＧｅＯ＿２ガ
ラス、又はフッ素およびＳｉＯ＿２ガラスを微量に添加
したＧｅＯ＿２ガラスを堆積させることを特徴とする高
屈折率差微小コア母材の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1258288A JP2624985B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 高屈折率差微小コア母材の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1258288A JP2624985B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 高屈折率差微小コア母材の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01188441A true JPH01188441A (ja) | 1989-07-27 |
| JP2624985B2 JP2624985B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=11809348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1258288A Expired - Fee Related JP2624985B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 高屈折率差微小コア母材の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2624985B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140079363A1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | National Taiwan University | Double cladding crystal fiber and manufacturing method thereof |
| JP2014193806A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-09 | Ofs Fitel Llc | ガラス・バッファ |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1258288A patent/JP2624985B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140079363A1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | National Taiwan University | Double cladding crystal fiber and manufacturing method thereof |
| US9195002B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-11-24 | National Taiwan University | Double cladding crystal fiber and manufacturing method thereof |
| JP2014193806A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-09 | Ofs Fitel Llc | ガラス・バッファ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2624985B2 (ja) | 1997-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |