JPH01187912A - 電子部品の端面電極形成方法 - Google Patents
電子部品の端面電極形成方法Info
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- JPH01187912A JPH01187912A JP63013411A JP1341188A JPH01187912A JP H01187912 A JPH01187912 A JP H01187912A JP 63013411 A JP63013411 A JP 63013411A JP 1341188 A JP1341188 A JP 1341188A JP H01187912 A JPH01187912 A JP H01187912A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010062 adhesion mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子部品、特に金属化フィルムコンデンサ、
セラミックコンデンサなどの小型チップ形電子部品の端
面電極形成方法に関するものである。
セラミックコンデンサなどの小型チップ形電子部品の端
面電極形成方法に関するものである。
従来の技術
一般に、コンデンサは誘電体層と対向電極層を交互に重
ね合わせた構造の素子端面に、対向電極各層の導電化を
目的とし、かつリード端との接続を目的として端面電極
を形成している。
ね合わせた構造の素子端面に、対向電極各層の導電化を
目的とし、かつリード端との接続を目的として端面電極
を形成している。
一方、近年の電子部品の小形化要求が強くなるにつれ、
誘電体層の′Ｒ膜化とチップ化が急速に進められようと
している。
誘電体層の′Ｒ膜化とチップ化が急速に進められようと
している。
発明が解決しようとする課題
そこで、端面ｔａ形成法として、従来の金属化フィルム
コンデンサではメタリコン（金属溶射法）が、またセラ
ミックコンデンサではＡｇ／Ｐｄの印刷焼成（デイツプ
）よたは、無電解メッキが限界にきつつある。つまり、
チップ形電子部品は第４図に示すように、シート状誘Ｔ
ｈ体層１を対向電極層２を交互に重ねた後、スリット、
断裁などにより単体チップ化し、端面に電極を形成する
ため、端面Ｔｈ極影形成面凸凹のないフラットな面にな
る。
コンデンサではメタリコン（金属溶射法）が、またセラ
ミックコンデンサではＡｇ／Ｐｄの印刷焼成（デイツプ
）よたは、無電解メッキが限界にきつつある。つまり、
チップ形電子部品は第４図に示すように、シート状誘Ｔ
ｈ体層１を対向電極層２を交互に重ねた後、スリット、
断裁などにより単体チップ化し、端面に電極を形成する
ため、端面Ｔｈ極影形成面凸凹のないフラットな面にな
る。
したがって、メタリコンでは、その機械的付着メカニズ
ムの基本的欠陥として、くい込みがなく、付着強度の弱
い、電気特性の劣る電極となるという間コを有していた
。一方セラミックスコンデンサで用いられているＰ ｄ
／ Ａ ｇの印刷焼成でも全く同様の理由で、不充分
な電極となる上、Ｐｄを添加しないとＡｇのマイグレー
ションが発生し、コスト上および品質上での問題も含ん
でいた。無電解メッキも前処理工程として一般に知られ
ているＰｄの置換処理を必要とし、複雑でコスト高にな
る上、品質の安定に問題があった。
ムの基本的欠陥として、くい込みがなく、付着強度の弱
い、電気特性の劣る電極となるという間コを有していた
。一方セラミックスコンデンサで用いられているＰ ｄ
／ Ａ ｇの印刷焼成でも全く同様の理由で、不充分
な電極となる上、Ｐｄを添加しないとＡｇのマイグレー
ションが発生し、コスト上および品質上での問題も含ん
でいた。無電解メッキも前処理工程として一般に知られ
ているＰｄの置換処理を必要とし、複雑でコスト高にな
る上、品質の安定に問題があった。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、電気特性の
優れた品質安定上問題のない電子部品の端面電極形成方
法を提供することを目的とするしのである。
優れた品質安定上問題のない電子部品の端面電極形成方
法を提供することを目的とするしのである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の電子部品の端面電極
形成方法は、電子部品の端面に、マグネトロン型にｓ′
Ｉｆ１ｍ造を有する低温スパッタリング装置により、前
記電子部品の耐熱温度以下でかつ酸素を３０ａｔ％以上
含む逆スパッタガスを使用した逆スパッタを施して、前
記端面をエツチングした後、前記電子部品の耐熱温度以
下で金属化被膜を施し端面電極を形成するものである。
形成方法は、電子部品の端面に、マグネトロン型にｓ′
Ｉｆ１ｍ造を有する低温スパッタリング装置により、前
記電子部品の耐熱温度以下でかつ酸素を３０ａｔ％以上
含む逆スパッタガスを使用した逆スパッタを施して、前
記端面をエツチングした後、前記電子部品の耐熱温度以
下で金属化被膜を施し端面電極を形成するものである。
さらに、電子部品の端面に、マグネトロン型にｔ！＃Ａ
楕遣を有する低温スパッタリング装置により、電子部品
の耐熱温度以下でかつ逆スパッタを施して、前記端面を
エツチングした後、前記電子部品の耐熱温度以下でニッ
ケルを含む金属化被膜を施し端面電極を形成するもので
ある。
楕遣を有する低温スパッタリング装置により、電子部品
の耐熱温度以下でかつ逆スパッタを施して、前記端面を
エツチングした後、前記電子部品の耐熱温度以下でニッ
ケルを含む金属化被膜を施し端面電極を形成するもので
ある。
さらに、ニッケルを含む金属化被膜の上に、半田付は性
を良くするために、ニッケルの無電解メッキを施して導
電層を形成し、または、鉛、錫などの半田合金およびそ
の構成金属の少なくとも１種を含む半田容易層としての
導電層を形成するものである。
を良くするために、ニッケルの無電解メッキを施して導
電層を形成し、または、鉛、錫などの半田合金およびそ
の構成金属の少なくとも１種を含む半田容易層としての
導電層を形成するものである。
作用
上記方法により、逆スパッタガス中に純Ａｒに代えて、
酸素を添加していくと、電子部品の誘電体層の有機物、
たとえば、フィルム、セラミック用バインダがＣＯ２と
して化学反応を起こし、Ａｒだけのスパッタリング効果
を一層増長する。したがって、逆スパッタガス中の酸素
量が増すほど電子部品のｔａｎδ（接触抵抗）が低下し
、電子部品の電気特性を向上させることができる。
酸素を添加していくと、電子部品の誘電体層の有機物、
たとえば、フィルム、セラミック用バインダがＣＯ２と
して化学反応を起こし、Ａｒだけのスパッタリング効果
を一層増長する。したがって、逆スパッタガス中の酸素
量が増すほど電子部品のｔａｎδ（接触抵抗）が低下し
、電子部品の電気特性を向上させることができる。
さらに、電子部品の端面電極に、半田くわれが少なく耐
蝕性に潰れたニッケルを含む金属材料を用いることによ
り、電子部品の耐蝕性、耐候性を飛躍的に向上させ、そ
の寿命を延ばすことかてできる。
蝕性に潰れたニッケルを含む金属材料を用いることによ
り、電子部品の耐蝕性、耐候性を飛躍的に向上させ、そ
の寿命を延ばすことかてできる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の電子部品の端面電極形成方
法を実施する装置の構成図である。第１図において、真
空ペルジャー１１内に、マグネトロン型カソード１２と
対向させてサブストホルダ１３を設置し、このカソード
１２上に端面電極材料のターゲット１４を取付け、また
、サブストホルダ１３上には電子部品１５の端面電極を
形成すべき端面をターゲット１４に対向させて取付け、
サブストホルダ１３を高周波型′Ｒ１６に接続し、カソ
ード１２を直流電源１７に接続する。また、真空ペルジ
ャー１１は真空排気ポンプ１８に連結され、ガス導入口
１９．２０を有している。
法を実施する装置の構成図である。第１図において、真
空ペルジャー１１内に、マグネトロン型カソード１２と
対向させてサブストホルダ１３を設置し、このカソード
１２上に端面電極材料のターゲット１４を取付け、また
、サブストホルダ１３上には電子部品１５の端面電極を
形成すべき端面をターゲット１４に対向させて取付け、
サブストホルダ１３を高周波型′Ｒ１６に接続し、カソ
ード１２を直流電源１７に接続する。また、真空ペルジ
ャー１１は真空排気ポンプ１８に連結され、ガス導入口
１９．２０を有している。
次に上記装置を用いた端面電極形成方法の一実施例を説
明する。
明する。
実施例１
真空ポンプ１８によって、真空ペルジャー１１内を２
ｘ １０’Ｔｏｒｒにした後、ガス導入口１９からＡｒ
と０２ を０２が５０ａｔ％になるよう混合した逆スパ
ッタガスを１ ｘ １Ｏ−１Ｔｏｒｒで入れ、電子部品
１５の耐熱温度以下で、かつ高周波電源１６を用いて０
．５ｗ／ ｃｉのパワーで２分間逆スパッタエツチング
し、その後高周波電源１６を切り、再度２ ｘ １０’
Ｔｏｒｒまで真空排気ポンプ１８により真空引きした後
、ガス導入口２０がＡｒを３ ｘ １０’Ｔｏｒｒテ入
れ、電子部品１５ノ素子端面にそれぞれＮｌの金属化被
膜を３μｍずつ、電子部品１５の耐熱温度以下で、かつ
直流電源１７を用いて低温スパッタリングにより析出さ
せて端面電極を形成させた後、直流電源１７を切り、常
圧に戻して電子部品１５の素子を取出す。
ｘ １０’Ｔｏｒｒにした後、ガス導入口１９からＡｒ
と０２ を０２が５０ａｔ％になるよう混合した逆スパ
ッタガスを１ ｘ １Ｏ−１Ｔｏｒｒで入れ、電子部品
１５の耐熱温度以下で、かつ高周波電源１６を用いて０
．５ｗ／ ｃｉのパワーで２分間逆スパッタエツチング
し、その後高周波電源１６を切り、再度２ ｘ １０’
Ｔｏｒｒまで真空排気ポンプ１８により真空引きした後
、ガス導入口２０がＡｒを３ ｘ １０’Ｔｏｒｒテ入
れ、電子部品１５ノ素子端面にそれぞれＮｌの金属化被
膜を３μｍずつ、電子部品１５の耐熱温度以下で、かつ
直流電源１７を用いて低温スパッタリングにより析出さ
せて端面電極を形成させた後、直流電源１７を切り、常
圧に戻して電子部品１５の素子を取出す。
このように、逆スパッタ時に純Ａｒに変えて、０□ を
添加していくと、第２図に示すように、０□量が増すに
つれて電子部品１５のｔａｎδ（接触抵抗）が低下する
。これは、誘電体層の有機物（たとえば、フィルム、セ
ラミック用バインダ）がＣＯ２として、化学反応を起こ
し、Ａｒだけのスパッタリング効果をさらに増長するた
めと考えられる。さらに、端面電極の金属材料を検討し
た結果Ｃｕよりも半田くわれが少なく耐蝕性に優れたＮ
１合金を見出した。つまり、半田くわれは、Ａｇが最も
多いが、Ｃｕも実験により３μ程度あることと判明した
。それに対し、Ｎ１は半田くわれがＣｕに比べて１７３
以下で膜厚が１μでも充分であることがわかった。さら
に、金属化波ＪＩＷとしてのＮ１にＣｒ、Ｔｉ、Ｗを添
加すると、第３図に示すように、耐蝕性（耐候性すなわ
ち寿命）が良くなることも判明した。このように、電子
部品１５の端面ｉ８極としての金属化被膜は少なくとも
Ｎｌを含み、その組成比が３３ａｔ％以上のＮｉ合金で
あることが必要である。
添加していくと、第２図に示すように、０□量が増すに
つれて電子部品１５のｔａｎδ（接触抵抗）が低下する
。これは、誘電体層の有機物（たとえば、フィルム、セ
ラミック用バインダ）がＣＯ２として、化学反応を起こ
し、Ａｒだけのスパッタリング効果をさらに増長するた
めと考えられる。さらに、端面電極の金属材料を検討し
た結果Ｃｕよりも半田くわれが少なく耐蝕性に優れたＮ
１合金を見出した。つまり、半田くわれは、Ａｇが最も
多いが、Ｃｕも実験により３μ程度あることと判明した
。それに対し、Ｎ１は半田くわれがＣｕに比べて１７３
以下で膜厚が１μでも充分であることがわかった。さら
に、金属化波ＪＩＷとしてのＮ１にＣｒ、Ｔｉ、Ｗを添
加すると、第３図に示すように、耐蝕性（耐候性すなわ
ち寿命）が良くなることも判明した。このように、電子
部品１５の端面ｉ８極としての金属化被膜は少なくとも
Ｎｌを含み、その組成比が３３ａｔ％以上のＮｉ合金で
あることが必要である。
実施例２
実施例１と同様の手順で、逆スパッタエツチングして、
高周波電源１６を切り、真空引きした後、Ａｒを３ ｘ
１０’Ｔｏｒｒで入れ、電子部品１５の素子端面にそ
れぞれＮ１６０％、Ｔ ｉ ４０％のき金の金属化被膜
を３μｍずつ、低温スパッタリングにより析出させて端
面電極を形成させた後、直流電源１７を切り、常圧に戻
して電子部品１５の素子を取出す。
高周波電源１６を切り、真空引きした後、Ａｒを３ ｘ
１０’Ｔｏｒｒで入れ、電子部品１５の素子端面にそ
れぞれＮ１６０％、Ｔ ｉ ４０％のき金の金属化被膜
を３μｍずつ、低温スパッタリングにより析出させて端
面電極を形成させた後、直流電源１７を切り、常圧に戻
して電子部品１５の素子を取出す。
実施例３
実施例１と同様の手順で、逆スパッタエツチングし、高
周波電源１６を切り、真空引きした後、Ａｒを２ Ｘ
１０’Ｔｏｒｒで入れ、セラミックチップ型コンデンサ
の素子端面にそれぞれＮ１８５％／ Ｃｒ１５％の合金
の金属化被膜をは２μｍずつ低温スパッタリングにより
析出させて端面電極を形成させた後、直流電源１７を切
り、常圧に戻して電子部品１５の素子を取出し、次に、
これをバレル型メッキ治具に入れ、Ｎｉ／Ｐの！Ｊ！ｌ
：電解メッキ浴に投入し、回転させながら１０μｍの皮
膜を析出させ、よく水洗の後、さらに、Ｓ ｎ ／ Ｐ
ｄの半田メッキを２．５μｍ析出させ、水洗の後、乾
燥させる。
周波電源１６を切り、真空引きした後、Ａｒを２ Ｘ
１０’Ｔｏｒｒで入れ、セラミックチップ型コンデンサ
の素子端面にそれぞれＮ１８５％／ Ｃｒ１５％の合金
の金属化被膜をは２μｍずつ低温スパッタリングにより
析出させて端面電極を形成させた後、直流電源１７を切
り、常圧に戻して電子部品１５の素子を取出し、次に、
これをバレル型メッキ治具に入れ、Ｎｉ／Ｐの！Ｊ！ｌ
：電解メッキ浴に投入し、回転させながら１０μｍの皮
膜を析出させ、よく水洗の後、さらに、Ｓ ｎ ／ Ｐ
ｄの半田メッキを２．５μｍ析出させ、水洗の後、乾
燥させる。
ｆｉｆ＆に半田などのＳｎ、Ｐｂ系の合金をコーティン
グしたものは、特に半田付は性が向上し、半田付は不良
に悩むユーザの期待に応えるものである。
グしたものは、特に半田付は性が向上し、半田付は不良
に悩むユーザの期待に応えるものである。
以上のように、逆スパッタガスに０□ガスを混入し、そ
の量が３０ａｔ％以上で、逆スパッタエツチングした後
、低温スパッタにより端面ｔｉを形成した電子部品はｔ
ａｎδ（接触抵抗）の低減、つまり、素子の電気特性を
向上させることができる。
の量が３０ａｔ％以上で、逆スパッタエツチングした後
、低温スパッタにより端面ｔｉを形成した電子部品はｔ
ａｎδ（接触抵抗）の低減、つまり、素子の電気特性を
向上させることができる。
また、低温スパッタリングした端面電極にＮ１およびそ
の合金を用いると、耐蝕性、耐候性が向上し、寿命が延
びるとともに、外装レス化が期待できる。
の合金を用いると、耐蝕性、耐候性が向上し、寿命が延
びるとともに、外装レス化が期待できる。
発明の効果
以・上のように本発明によれば、電子部品の端面に、マ
グネトロン型に電極構造を有する低温スパッタリング装
置により、電子部品の耐熱温度以下でかつ酸素を３０ａ
ｔ％以上含む逆スパッタガスを使用して逆スパッタを施
して端面をエツチングした後、電子部品の端面に、その
耐熱温度以下で金属化被膜を維して端面電極を形成する
ことにより電０子部品の電気特性を向上させることがで
き、特に接触抵抗を低下させることができる。
グネトロン型に電極構造を有する低温スパッタリング装
置により、電子部品の耐熱温度以下でかつ酸素を３０ａ
ｔ％以上含む逆スパッタガスを使用して逆スパッタを施
して端面をエツチングした後、電子部品の端面に、その
耐熱温度以下で金属化被膜を維して端面電極を形成する
ことにより電０子部品の電気特性を向上させることがで
き、特に接触抵抗を低下させることができる。
また、端面な極としての金属化被膜に、Ｎｉを含む合金
を用いることにより、電子部品の耐蝕性、耐候性を飛躍
的に向上させ、その寿命を延ばすことができる。
を用いることにより、電子部品の耐蝕性、耐候性を飛躍
的に向上させ、その寿命を延ばすことができる。
第１図は、本発明の一実施例の電子部品の端面電極形成
方法を実施する装置の構成図、第２図は同電子部品の端
面電極形成方法における逆スパッタガスの酸素分圧と
ｔａｎδ（接触抵抗）の電気特性を示すグラフ、第３図
は同電子部品の端面電極形成方法における端面ｔｉ材料
と耐候性を示す棒グラフ、第４図はチップ型コンデンサ
を作る工程における誘″ｅｈ木層と電極層の積み重ね状
態を示す図である。 １１・・・真空ペルジャー、１２・・・カソード、１３
・・・サブストホルダ、１４・・・ターゲット、１５・
・・電子部品、１６・・・高周波電源、１７・・・直流
電源、１８・・・真空排気ポンプ、１９．２０・・・ガ
ス導入口。 代理人 森 本 義 弘 第を図 第４図 【
方法を実施する装置の構成図、第２図は同電子部品の端
面電極形成方法における逆スパッタガスの酸素分圧と
ｔａｎδ（接触抵抗）の電気特性を示すグラフ、第３図
は同電子部品の端面電極形成方法における端面ｔｉ材料
と耐候性を示す棒グラフ、第４図はチップ型コンデンサ
を作る工程における誘″ｅｈ木層と電極層の積み重ね状
態を示す図である。 １１・・・真空ペルジャー、１２・・・カソード、１３
・・・サブストホルダ、１４・・・ターゲット、１５・
・・電子部品、１６・・・高周波電源、１７・・・直流
電源、１８・・・真空排気ポンプ、１９．２０・・・ガ
ス導入口。 代理人 森 本 義 弘 第を図 第４図 【
Claims (4)
- １．電子部品の端面に、マグネトロン型に電極構造を有
する低温スパッタリング装置により、前記電子部品の耐
熱温度以下でかつ酸素を３０ａｔ％以上含む逆スパッタ
ガスを使用した逆スパッタを施して、前記端面をエッチ
ングした後、前記電子部品の耐熱温度以下で金属化被膜
を施し端面電極を形成する電子部品の端面電極形成方法
。 - ２．電子部品の端面に、マグネトロン型に電極構造を有
する低温スパッタリング装置により、電子部品の耐熱温
度以下でかつ逆スパッタを施して、前記端面をエッチン
グした後、前記電子部品の耐熱温度以下でニッケルを含
む金属化被膜を施し端面電極を形成する電子部品の端面
電極形成方法。 - ３．端面電極としての金属化被膜の上に、ニッケルの無
電解メッキを施して導電層を形成した請求項２記載の電
子部品の端面電極形成方法。 - ４．端面電極としての金属化被膜の上に、鉛、錫などの
半田合金およびその構成金属の少なくとも１種を含む半
田容易層としての導電層を形成する請求項２記載の電子
部品の端面電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013411A JPH0787161B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 電子部品の端面電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013411A JPH0787161B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 電子部品の端面電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187912A true JPH01187912A (ja) | 1989-07-27 |
| JPH0787161B2 JPH0787161B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=11832393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013411A Expired - Lifetime JPH0787161B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 電子部品の端面電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787161B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295644A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Nippon Steel Corp | 真空アーク処理方法及び前処理方法 |
| JP2000299514A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2018067569A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63013411A patent/JPH0787161B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295644A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Nippon Steel Corp | 真空アーク処理方法及び前処理方法 |
| JP2000299514A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2018067569A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0787161B2 (ja) | 1995-09-20 |
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