JPH01184977A - 可視発光半導体レーザ装置 - Google Patents

可視発光半導体レーザ装置

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JPH01184977A
JPH01184977A JP828188A JP828188A JPH01184977A JP H01184977 A JPH01184977 A JP H01184977A JP 828188 A JP828188 A JP 828188A JP 828188 A JP828188 A JP 828188A JP H01184977 A JPH01184977 A JP H01184977A
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JP
Japan
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crystal layer
crystal
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JP828188A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Kukimoto
柊元 宏
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INKIYUUBEETAA JAPAN KK
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INKIYUUBEETAA JAPAN KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、ダブルへテロ構造を有する可視発光半導体レ
ーザ装置、特に緑色から青色のレーザ光を出射する可視
発光半導体レーザ装置に関するものである。
(従来技術) 半導体レーザ装置は、データ記録やデータ通信の分野で
必要とされている。また、可視発光半導体レーザ装置の
使用分野も拡がりつつあり、例えば、赤色から黄色まで
の可視光を発生する可視発光半導体レーザ装置としてI
II −V族化合物半導体を用いたものが実用化の段階
に入っている。
ところが、この従来の半導体レーザ装置は、緑色から青
色の光を発光させることは不可能である。
それは、m−v族化合物半導体の帯止帯幅が緑色から青
色を発光するに必要な広さを、有してないからである。
このため、緑色から青色の光を発光する半導体レーザの
開発に対する期待が強まっている。その期待に応えるこ
とのできる材料としては、青色発光を可能にする広い禁
止帯幅を有する■−■族化合物半導体である、 Zn5xSe、x (0≦X≦1) が適切であると考えられる、というのは、このZn5x
Se、xは、直接遷移型結晶で、優れた発光特性を有し
、Si 、Ge 、GaAsあるいはGaP等の単結晶
の基板結晶上にMOCVDと略称される気相成長法ある
いはMBEと略称されるエピタキシャル成長法等により
エピタキシャル成長させることかで−き、その混晶比X
を選択することにより格子定数のずれを解消することが
できるので、緑色から青色の光゛を発光する半導体レー
ザ装置用の材料として有望視できるからである。
(発明が解決しようとする問題点) ところが、Zn5xSe工、Xには、次に述べるような
問題点がある。
先ず第1に、p型環電型不純物を導入して低抵抗で良好
な結晶性を有する結晶層を成長させることが難しいとい
う問題がある。
即ち、半導体レーザ装置を製造する場合には、n型の結
晶層とp型の結晶層の両方を形成することが不可欠であ
り、そして1元素周期律表におけるmb族元素あるいは
■b族元素の導入によって比較的結晶性が良く、しかも
低抵抗の結晶層を気相成長させ得ることが確認されてい
る。
しかしながら、p型の結晶層を気相成長させる技術は未
だに開発されておらず、p型不純物の濃度を高くして結
晶層の低抵抗化を図ろうとすると、結晶層の結晶欠陥が
非常に悪くなり、半導体レーザ装置としての特性が得ら
れないという問題点があり、これが緑色から青色の光を
発光する半導体レーザ装置を得るうえでの最大の問題と
なっていたのである。
第2に、Zn5xSe、xと組み合せてダブルへテロ構
造体を形成するにふされしい半導体材料が明らかになっ
ていないという問題もある。
即ち、半導体レーザ装置に発光を生じさせるには、活性
層の両面にクラッド層を形成してこのクラッド層により
光とキャリアを活性層に閉じ込めることが必要であり、
そして、活性層を形成する半導体材料は、クラッド層を
形成する半導体材料よりも禁止帯幅が狭いものでなけれ
ばならない。
しかも、その半導体材料は、格子定数が互いに等しいか
、あるいは近似していることが、結晶欠陥を少なくし、
良好な結晶性を得るうえで不可欠である。従って、Zn
5xSe、−xをクラッド層とする場合、活性層はその
Zn5xSe、xよりも禁止帯幅が狭く、且つZn5x
Se、xと格子定数が略等しい半導体材料で形成しなけ
ればならない。しかし、このような条件を満なす半導体
材料を探すことは容易ではなく、未だ、適当な材料が見
い出されていないというのが実状であり、これが緑色か
ら青色の光を発光する可視発光半導体レーザ装置の出現
を阻む第2の問題であった。
そこで、本発明者は1種々の研究を重ねた結果、Zn5
xSe、x等II−Vll族基導体結晶層気相成長に際
してIa族元素及びそれ等の化合物を不純物として気相
中に導入することによっ1て低抵抗のp型結晶層を気相
成長することができることを見出して第1の、問題を解
決した。
そして、この問題を解決した新技術については、特願昭
62−71567号、及び特願昭62−238655号
により既に提案済みである。
それに引き続いて、本発明者は、上述した第2の問題、
即ち、Zn5xSe、x (0≦X≦1)等■−■族半
導体結晶層と組み合せてダブルへテロ構造体を形成する
にふされしい半導体材料が明らかでないという問題を解
決すべく研7究を重ねたが、その結果、CuGaxA 
Q 、−x(SyS’e、−y)zが適当であることを
見出゛シ1本発明を完成するに至ったのである。
しかして、本発明の目的とするところは、緑色から青色
のレーザ光を出射する可視発光半導体レーザ装置を提供
することにある。
〔発明の構成〕 (問題点を解決するための手段) 上記問題点を解決するために、本発明は、Zn5xSe
、x (0≦X≦1)をクラッド層形成材料として用い
、CuGaxA Q x−x(SySex−y)z [
但し、0≦X≦1、O≦y≦1]を活性層形成材料とし
て用いてダブルへテロ構造のレーザダイオードを構成し
たことを特徴とするものである。
(作用) CuGaxA Q z−x(SySex−y)zは、Z
n5xSe、−xに比較して狭い禁止帯幅を有し、混晶
比Xあるいはyによって格子定数を変えてZn5xSe
ユ、Xと略同程度の格子定数にすることができる。従っ
て。
Zn5xSe□、Xによってクラッド層を形成し、Cu
GaxA Ql−x(SySel−y)2によって活性
層を形成したダブルへテロ構造のレーザダイオードを構
成することができる。
そして、従来、為し得なかったこと、即ち、−方のクラ
ッド層を成すZn5xSe、xからなる結晶層のp型化
は1本発明者が既に開発し且つ上述し。
た特許出願にて開示したIa族元素の導入によって為し
得る。従って、上記構成よりなる本発明によれば、緑色
から青色のレーザ光を出射する可視発光半導体レーザ装
置を提供することができる。
(実施例) 以下、本発明を図示の実施例に従って詳細に説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す断面図であり、同図
において1はn型のGaP からなる半導体基板結晶、
2は該n型GaP からなる基板結晶1上に気相成長さ
れた第1導電型1例えばn型のZn5xSe、xからな
る結晶層で、第1のクラッド層を成す。そして、混晶比
Xは、0.80≦X≦0.90程度にされている。3は
該結晶層2上に気相成長されたn型若しくはp型の CuGaxA Q 1−XC3VSex−y)2からな
る結晶層で、活性層を成す。4は該結晶層3上に気相成
長された第2導電型1例えばp型のZn5xSe工、X
からなる結晶層で、第2のクラッド層を成す。この結晶
層4は、アクセプタ不純物としてIa族元素であるLL
あるいはNaが導入されている。
尚、かかる結晶層の形成は、特願昭62−71567号
、あるいは特願昭62−238655号において提案さ
れた発光素子の製造法で用いられた技術によって行うこ
とができる。また、Ia族元素と共にvb族元素である
N、PあるいはAsも導入するようにしても良い。
このように、アクセプタ不純物としてIa族元素とvb
族元素を含有させるのは、不必要な格子欠陥を発生させ
ることなくp型結晶層4の不純物濃度を高めて低抵抗化
を図ると共に不純物の移動を抑制して特性の安定化を図
るためである65は該結晶層4の表面に形成されたオー
ミック電極、6は基板結晶1の裏面に形成されたオーミ
ック電極である。   ・ 第2図は、基板結晶として使用するGaP  と、クラ
ッド層として使用するZn5xSe、xと、活性層とし
て使用するCuGaxA Ql−x(SySe、−y)
、との間の格子定数及び禁止帯幅(エネルギーギャップ
)に関する関係図である。
基板結晶1として使用するGaP は、ZnS0.、G
、Se、、1.(x=0.86)と格子定数が略同じで
あるので、良好な結晶性を得て結晶欠陥を少なくし得る
ため、上述したようにクラッド層として使用するZn5
xSe、xの混晶比Xを0.86に近い値0.80〜0
.90、より望ましくは0゜83〜0.88にするので
ある。
また、CuGaxAQ、−x(SySel−y)2はク
ラッド層として使用するZnSxSe1−xよりも低い
禁止帯幅を有し、しかも混晶比Xが0.86付近のZn
5xSe、xと比較的近似した値の格子定数を有した半
導体材料であるため活°性層として最適であるといえる
。そこで、 CuGaxA Q 1−x(SySez−y)zを活性
層として使用するのである。
尚、CuGaxA Qz−x(SySet−y)zは、
第2図から明らかなように、混晶比x、yの値によって
格子定数が変るので、GaP の格子定数と同程度の格
子定数になるようにx、yの値を選べば、より結晶性の
良好な半導体レーザ装置を得ることができる。
尚、本発明は、上述した実施例にのみ限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の態様での
実施が可能である。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、Zn
5xSe、xよりも禁止帯幅が狭く且つ混晶比x、yに
よって格子定数が変り、Xが0.8〜0.9 程度のZ
n5xSet−xと同程度の格子定数を有するCuGa
xA n 1−x(SySe、−y)、を活性層として
用いるので、クラッド層として用いられるZ n S 
x S el−スとでダブルへテロ構造体を得ることが
できる。従って、緑色あるいは青色を発光する可視発光
半導体レーザ装置を実用化することができるのである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一つの実施例を示す断面図、第2図
は、各使用材料間の禁止帯幅及び格子定数の関係図であ
る。 1・・・・・・半導体基板結晶、 2.4・・・・・・クラッド層(n−vi族半導体結晶
層)、3・・・・・・活性層(CuGaxA Q 、−
x(S y S ex−y)z ) −5,6・・・・
・・オーミック電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板結晶上に第1導電型のII−VI族半導体結晶層
    がクラッド層として気相成長され、該II−VI族半導体結
    晶層上に第1導電型あるいは第2導電型のCuGa_x
    Al_1_−_x(S_ySe_1_−_y)_2(但
    し、0≦x≦1、0≦y≦1)からなる半導体結晶層が
    活性層として気相成長され、該活性層としての半導体結
    晶層上に第2導電型のII−VI族半導体結晶層がクラッド
    層として気相成長されたことを特徴とする可視発光半導
    体レーザ装置。
JP828188A 1988-01-20 1988-01-20 可視発光半導体レーザ装置 Pending JPH01184977A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100247682B1 (ko) * 1991-05-15 2000-03-15 스프레이그 로버트 월터 블루-그린 레이저다이오드

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5712572A (en) * 1980-06-27 1982-01-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photo semiconductor device
JPS60164382A (ja) * 1984-02-06 1985-08-27 Nec Corp 青色光半導体レ−ザ
JPS60173893A (ja) * 1984-02-20 1985-09-07 Nec Corp 緑色光半導体レ−ザ
JPS63140588A (ja) * 1986-12-01 1988-06-13 Ricoh Co Ltd 半導体発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5712572A (en) * 1980-06-27 1982-01-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photo semiconductor device
JPS60164382A (ja) * 1984-02-06 1985-08-27 Nec Corp 青色光半導体レ−ザ
JPS60173893A (ja) * 1984-02-20 1985-09-07 Nec Corp 緑色光半導体レ−ザ
JPS63140588A (ja) * 1986-12-01 1988-06-13 Ricoh Co Ltd 半導体発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100247682B1 (ko) * 1991-05-15 2000-03-15 스프레이그 로버트 월터 블루-그린 레이저다이오드

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