JPH01184613A - Resistance monitor pattern for thin film magnetic head - Google Patents
Resistance monitor pattern for thin film magnetic headInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
ＲｒｌＡ’ｉｎ気ヘッドをウェハー上に形成する時に、
前記１１１Ｑ ｌ気ヘッドのギャップと同一ライン上に
設けられ、前記ギャップの記録媒体対向面の加工時に共
に加工され、前記薄膜磁気ヘッドのギャップ深さに応じ
て、抵抗値が変化する抵抗モニタパターンに関し、
ギャップ加工時の歩留りが向上する抵抗モニタパターン
の効果的な形状を提供することを目的とし、
前記モニタパターンの長さを１１前記モニタパターンの
幅をＷとした時、目標ギャップ深さになった時、Ｌ／Ｗ
が６６．７以上となるように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] When forming an RrlA'in air head on a wafer,
A resistance monitor pattern is provided on the same line as the gap of the 111Q magnetic head, is processed together with the recording medium facing surface of the gap, and has a resistance value that changes depending on the gap depth of the thin film magnetic head. , with the purpose of providing an effective shape of a resistance monitor pattern that improves the yield during gap processing, and when the length of the monitor pattern is 11 and the width of the monitor pattern is W, the target gap depth is When, L/W
is 66.7 or more.
［産業上の利用分野］
本発明は、薄膜磁気ヘッドをウェハー上に形成する時に
、前記薄膜磁気ヘッドのギャップと同一ライン上に設け
られ、前記ギャップの記録媒体対向面の加工時に共に加
工され、前記薄膜磁気ヘッドのギャップ深さに応じて、
抵抗値が変化する抵抗モニタパターンに関する。[Industrial Application Field] The present invention provides, when forming a thin film magnetic head on a wafer, a thin film magnetic head that is provided on the same line as the gap of the thin film magnetic head, and that is processed together with the surface of the gap facing the recording medium, Depending on the gap depth of the thin film magnetic head,
This invention relates to a resistance monitor pattern in which the resistance value changes.
フェライト磁気ヘッドの加工性の問題を解決し、磁性材
料の高ＢＳ化の要求を満足するものとして、１１ｇ１磁
気ヘツドが開発されている。この薄膜磁気ヘッドはスパ
ッタ法やメツキ法によってコイル材料が表面に形成され
たウェハを１μｍ程度の精度でギャップ加工をする必要
があり、歩留りの良い加工方法が要望されている。The 11g1 magnetic head has been developed to solve the problem of workability of ferrite magnetic heads and to satisfy the demand for higher BS of magnetic materials. This thin film magnetic head requires gap processing of a wafer on the surface of which a coil material is formed by sputtering or plating with an accuracy of about 1 μm, and a processing method with high yield is desired.
［従来の技術］
第６図はｌＩ膜磁気ヘッドの一例を示す平面図、第７図
は第６図におけるＡ−Ａ断面図、第８図は薄膜磁気ヘッ
ドの製造プロセスの説明図、第９図はギャップ加工を説
明する図である。[Prior Art] FIG. 6 is a plan view showing an example of an II film magnetic head, FIG. 7 is a sectional view taken along line AA in FIG. 6, FIG. 8 is an explanatory diagram of the manufacturing process of a thin film magnetic head, and FIG. The figure is a diagram explaining gap machining.
まず、第６図及び第７図を用いて薄膜磁気ヘッドの構造
を説明する。図において、１は基板となるウェハー、２
はウェハー１上に形成されたパーマロイの下部コア、３
は下部コア２上に形成されたギャップ材、４はギャップ
材３上に形成された絶縁膜、５は絶縁膜４上にスパイラ
ル上にパターン化された銅のコイル、６はコイル５を覆
う絶縁膜、７は絶縁ＩＩＩＧ上に形成されたパーマロイ
の上部コアである。８は磁気記録媒体で、この磁気記録
媒体８は第７図において、矢印方向に移動する。First, the structure of the thin film magnetic head will be explained using FIGS. 6 and 7. In the figure, 1 is a wafer serving as a substrate, 2
is the lower core of permalloy formed on wafer 1, 3
4 is a gap material formed on the lower core 2, 4 is an insulating film formed on the gap material 3, 5 is a copper coil patterned in a spiral shape on the insulating film 4, and 6 is an insulation covering the coil 5. Membrane 7 is a permalloy upper core formed on insulation IIIG. 8 is a magnetic recording medium, and this magnetic recording medium 8 moves in the direction of the arrow in FIG.
そして、ギャップＧに発生する磁界によって、記録／再
生がなされる。Then, recording/reproduction is performed by the magnetic field generated in the gap G.
次に、第８図を用いてｉＷＩＩｉｉｍ気ヘッドの製造プ
ロセスを説明する。Next, the manufacturing process of the iWIIIim head will be explained using FIG.
まず、所定形状のウェハー１を準備する（ステップ１）
。First, prepare a wafer 1 with a predetermined shape (step 1)
.
次に、ウェハー１上に前述の下部コア２、ギャップ材３
、絶縁ｌＩ４、コイル５、絶縁膜６及び上部コア７より
なる＊ｍ１ｉｉ気ヘッドＨを複数個（本実施例では３０
０個）形成する（ステップ２）。Next, the above-mentioned lower core 2 and gap material 3 are placed on the wafer 1.
, an insulation lI4, a coil 5, an insulating film 6, and an upper core 7.
0 pieces) are formed (Step 2).
次に、機械加工によって列単位に分割し、ギャップ加工
を行う（ステップ３）。Next, it is divided into rows by machining, and gap processing is performed (step 3).
次に、列単位のウェハー１を単独の１１１１１気ヘツド
Ｈに分割する（ステップ４）。Next, the wafer 1 in columns is divided into individual 11111-wafer heads H (step 4).
そして、分割された薄膜磁気ヘッドＨは更に所定形状に
加工され、例えば固定磁気ディスク装置のアーム９に取
付けられる（ステップ５）。Then, the divided thin film magnetic head H is further processed into a predetermined shape and attached to, for example, the arm 9 of a fixed magnetic disk device (step 5).
ここで、第９図を用いて、ステップ３におけるギャップ
加工を説明する。このギャップ加工においては、ウェハ
ー１の記録媒体対向面１ａが目標のギャップ深さＤ（第
７図参照）になるまで、矢印方向に研削される。このギ
ャップ深さＤの寸法精度は、±０．５μｍＦｊ度である
ので、加工状況を把握する手段として、次のような手段
が用いられている。Here, the gap machining in step 3 will be explained using FIG. 9. In this gap machining, the surface 1a of the wafer 1 facing the recording medium is ground in the direction of the arrow until it reaches the target gap depth D (see FIG. 7). Since the dimensional accuracy of this gap depth D is ±0.5 μmFj degrees, the following means are used to grasp the processing status.
ステップ２において、ウェハー１上に形成された薄膜磁
気ヘッドＨの各列の両端には、ｗＩ躾磁気ヘッドＨのギ
ャップＧに対して正確に位置合せがなされた抵抗モニタ
パターン１０を、薄膜磁気ヘッドＨと共に形成しておく
。すると、ステップ３において、記録媒体対向面１ａが
研削されるにしたがって、抵抗モニタパターン１０も研
削される。In step 2, on both ends of each row of thin film magnetic heads H formed on the wafer 1, a resistance monitor pattern 10 accurately aligned with the gap G of the thin film magnetic head H is placed on the thin film magnetic head. Form it together with H. Then, in step 3, as the recording medium facing surface 1a is ground, the resistance monitor pattern 10 is also ground.
研削されるにしたがって、抵抗モニタパターン１０の電
気抵抗値が上がることを利用して、加工状況を把握し、
目標のギＶツブ深さＤを得るようにしている。尚、この
ような手段は、抵抗モニタ法と呼ばれている。As the grinding process progresses, the electrical resistance value of the resistance monitor pattern 10 increases to grasp the machining situation.
The target gear V-tube depth D is obtained. Incidentally, such means is called a resistance monitoring method.
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、上記構成の従来例における抵抗モニタ法におい
ては、抵抗モニタパターン１０の形状や配置についての
規定は特になく、試行Ｒ誤で行っており、ギャップ加工
時での歩留りが悪いという問題点がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the resistance monitoring method in the conventional example with the above configuration, there are no particular regulations regarding the shape and arrangement of the resistance monitoring pattern 10, and the process is carried out by trial and error. There is a problem that the yield is poor.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その目
的は、ギャップ加工時の歩留りが向上する抵抗モニタパ
ターンの効果的な形状を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an effective shape of a resistance monitor pattern that improves the yield during gap processing.
［問題点を解決するための手段］
第１図は本発明の原理図である。図において、１１はウ
ェハー１２上に形成された薄膜磁気ヘッド、１３はウェ
ハー１２上の薄膜磁気ヘッド１１のギャップ１１ａと同
一ライン上に設けられた。[Means for solving the problems] FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention. In the figure, 11 is a thin film magnetic head formed on a wafer 12, and 13 is provided on the same line as the gap 11a of the thin film magnetic head 11 on the wafer 12.
長さし９幅Ｗの抵抗モニタパターンである。又、１２ａ
はギャップ１１ａの記録媒体対向面である。This is a resistance monitor pattern with a length of 9 and a width of W. Also, 12a
is the recording medium facing surface of the gap 11a.
［作用］
第１図において、ギャップ１１ａの記録媒体対向面１２
ａの加工時には、抵抗モニタパターン１２も共に加工さ
れる。そして、記録媒体対向面１２ａが目標ギャップ深
さ（図において二点鎖線で示す）になったとき、抵抗モ
ニタパターン１３において、Ｌ／Ｗは６６．７以上とな
る。[Function] In FIG. 1, the recording medium facing surface 12 of the gap 11a
When processing a, the resistance monitor pattern 12 is also processed. When the recording medium facing surface 12a reaches the target gap depth (indicated by a two-dot chain line in the figure), L/W in the resistance monitor pattern 13 becomes 66.7 or more.
［実施例］
次に、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。第２
図−は本発明の一実施例を示す構成図、第３図は第２図
における抵抗モニタパターンの拡大構成図、第４図は第
２図における抵抗モニタパターンの抵抗特性を示す図、
第５図は第２図における抵抗モニタパターンの幅変化に
対する抵抗値変化量特性を示す図である。[Example] Next, an example of the present invention will be described using the drawings. Second
3 is an enlarged configuration diagram of the resistance monitor pattern in FIG. 2, and FIG. 4 is a diagram showing the resistance characteristics of the resistance monitor pattern in FIG. 2.
FIG. 5 is a diagram showing resistance value change amount characteristics with respect to width changes of the resistance monitor pattern in FIG. 2.
第２図において、本図はすでに説明を行った第８図のス
テップ３における列単位に分割されたウェハーを示して
いる。このウェハー２１上には薄膜磁気ヘッド２２が複
数個（本実施例では７個）成形されている。薄Ｐａ１ａ
気ヘッド２２の列の両端には、材質がチタンの抵抗モニ
タパターン２３が形成されている。In FIG. 2, this figure shows the wafer divided into columns in step 3 of FIG. 8, which has already been explained. A plurality of thin film magnetic heads 22 (seven in this embodiment) are formed on this wafer 21. Thin Pa1a
At both ends of the row of air heads 22, resistance monitor patterns 23 made of titanium are formed.
次に、第３図を用いて、抵抗モニタパターン２３を説明
する。抵抗モニタパターン２３は、ギャップ２２ａと同
一ライン上に設けられ、長さがし。Next, the resistance monitor pattern 23 will be explained using FIG. The resistance monitor pattern 23 is provided on the same line as the gap 22a and has a length.
幅がＷの抵抗モニタパターン本体部２３ａと、該抵抗モ
ニタパターン本体部２３ａの両端で折曲し、反ギャップ
２２ａ方向に延出する橋絡部２３ｂと、゛Ｉ！絡部２３
ｂの先端に設けられた端子部２３ｃとからなっている。A resistance monitor pattern main body portion 23a having a width of W, a bridge portion 23b bent at both ends of the resistance monitor pattern main body portion 23a, and extending in a direction opposite to the gap 22a. Connection part 23
b and a terminal portion 23c provided at the tip.
この端子部２３Ｃには、図示しないテスターが接続され
、抵抗モニタパターン本体部２３ａのｖｌ−抗値が監視
できるようになっている。尚、二点鎖線は、目標ギャッ
プ深さＤ（第７図参照）になった時の磁気記録媒体対向
面２１ａのラインを示している。そして、抵抗モニタパ
ターン本体部２３ａは、目標ギャップ長さＤまで研削さ
れると、長さしと幅Ｗとの比率（Ｌ／Ｗニアスペクト比
）が、０．６７となるように構成されている。A tester (not shown) is connected to this terminal portion 23C so that the vl-resistance value of the resistance monitor pattern main body portion 23a can be monitored. The two-dot chain line indicates the line of the magnetic recording medium facing surface 21a when the target gap depth D (see FIG. 7) is reached. When the resistance monitor pattern main body 23a is ground to the target gap length D, the ratio of the length to the width W (L/W near aspect ratio) is configured to be 0.67. There is.
次に、上記構成の作動を説明する。この列単位に分割さ
れたウェハー２１の磁気記録媒体対向面２１ａは、抵抗
モニタパターン本体部２３ａのアスペクト比が、０．６
７となるまで研削される。Next, the operation of the above configuration will be explained. In the magnetic recording medium facing surface 21a of the wafer 21 divided into columns, the aspect ratio of the resistance monitor pattern main body 23a is 0.6.
It is ground until it becomes 7.
ここで、この様な比率になることを説明する。Here, the reason for such a ratio will be explained.
抵抗モニタパターン本体部２３ａの抵抗１ｉ１Ｒは、下
記のような式で表される。The resistance 1i1R of the resistance monitor pattern main body portion 23a is expressed by the following formula.
Ｒ＝ （ＬＸρ）／（ＷＸｔ） ・・・■ここ
で、ρ；電気伝導度
ｔ；膜厚
本実施例においては、Ｌ＝５００μｍ、Ｗ−１５０μｍ
であり、磁気記録媒体対向面２１ａの研削を行うにした
がって、抵抗モニタパターン本体部２３ａの抵抗値Ｒは
第４図に示すような特性となる。R= (LXρ)/(WXt)...■Here, ρ; electrical conductivity t; film thickness In this example, L=500 μm, W-150 μm
As the magnetic recording medium facing surface 21a is ground, the resistance value R of the resistance monitor pattern main body portion 23a becomes a characteristic as shown in FIG.
又、抵抗モニタパターン本体部２３ａの幅変化に対する
抵抗値変化量は、０式より下記のようになる。Further, the amount of change in resistance value with respect to the change in width of the resistance monitor pattern main body portion 23a is as follows from equation 0.
ｄＲ／ｄＷ−ｋ （Ｌ／Ｗ２ ） ・
・・■ここで、ｋ；比例定数
本実施例での幅変化に対する抵抗値変化量は、第５図に
示すような特性となる。dR/dW-k (L/W2) ・
...■Here, k: proportionality constant The amount of change in resistance value with respect to change in width in this embodiment has a characteristic as shown in FIG.
目標ギャップ深さの精度は、１０．５μｍなので、第５
図において、０．５μｍの変化を正確に検出できる範囲
、つまり、幅変化に対する抵抗値変化量が顕著なところ
は２００Ω／ Ｉｔ ｍ以上であり、この場合の抵抗モ
ニタパターン本体部２３ａの幅Ｗは、７．５μｍ以下と
なる。The accuracy of the target gap depth is 10.5 μm, so the fifth
In the figure, the range in which a change of 0.5 μm can be accurately detected, that is, the area where the amount of resistance change with respect to the width change is significant, is 200Ω/It m or more, and in this case, the width W of the resistance monitor pattern main body 23a is , 7.5 μm or less.
そして、抵抗モニタパターン本体部２３ａの長さしは５
００μｍなので、
Ｌ／Ｗ−５００／７．５
−６６．６６６・・・・・・
よって、目標ギャップ深さになったとぎに、抵抗モニタ
パターン本体部２３ａのアスペクト比（Ｌ／Ｗ）が６６
．７以上となるような抵抗モニタパターンを用いれば、
ギャップ深さを高精度に仕上げることができる。そして
、このような抵抗モニタパターン２３の形状を用いるこ
とにより、ギャップ加工時での歩留りを向上させること
ができる。The length of the resistance monitor pattern main body 23a is 5.
00 μm, L/W-500/7.5 -66.666... Therefore, when the target gap depth is reached, the aspect ratio (L/W) of the resistance monitor pattern main body 23a becomes 66.
．． If you use a resistance monitor pattern that is 7 or more,
The gap depth can be finished with high precision. By using such a shape of the resistance monitor pattern 23, the yield during gap processing can be improved.
尚、本発明は、上記実施例に限るものではない。Note that the present invention is not limited to the above embodiments.
上記実施例では、抵抗モニタパターン２３を、１列に並
んだ７つの薄膜磁気ヘッド２２の両端に設けたが、それ
に限るものではない。例えば、各薄膜磁気ヘッド２２に
対して、抵抗モニタパターン２３を設けてもよい。In the above embodiment, the resistance monitor patterns 23 are provided at both ends of the seven thin film magnetic heads 22 arranged in a row, but the present invention is not limited thereto. For example, a resistance monitor pattern 23 may be provided for each thin-film magnetic head 22.
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、ギャップ加工時で
の歩留りが向上する抵抗モニタパターンの効果的な形状
を実現できる。−[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to realize an effective shape of a resistance monitor pattern that improves the yield during gap processing. −
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明の本発明の一実施例を示す構成図、
第３図は第２図における抵抗モニタパターンの拡大構成
図、
第４図は第２図における抵抗モニタパターンの抵抗特性
を示す図、
第５図は第２図における抵抗モニタパターンの幅変化に
対する抵抗値変化酊特性を示す図、第６図はＵＳ磁気ヘ
ッドの一例を示す平面図、第７図は第６図におけるＡ−
Ａ断面図、第８図はｉｉ＊ｔａ気ヘッドの製造プロセス
の説明図、
第９図はギャップ加工を説明する図である。
第１図乃至第５図において、
１１．２２は薄膜磁気ヘッド、
１１ａ、２２ａはギャップ、
１２．２１はウェハー、
１２ａ、２１ａは記録媒体対向面、
１３．２３は抵抗モニタパターンである。
■
第２図にあ・ける抵抗モニタパターン０抵抗特性を示す
ｌ角■４ 図
第５ 図
角等６図
第７２FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an enlarged block diagram of the resistance monitor pattern in FIG. 2, and FIG. FIG. 5 is a diagram showing the resistance value change characteristics with respect to the width change of the resistance monitor pattern in FIG. 2; FIG. 6 is a plan view showing an example of the US magnetic head; Figure 7 is A- in Figure 6.
A sectional view, FIG. 8 is an explanatory diagram of the manufacturing process of the ii*ta air head, and FIG. 9 is a diagram illustrating gap processing. 1 to 5, 11.22 is a thin film magnetic head, 11a and 22a are gaps, 12.21 is a wafer, 12a and 21a are recording medium facing surfaces, and 13.23 is a resistance monitor pattern. ■ Resistance monitor pattern shown in Fig. 2 0 l angle showing resistance characteristics ■ 4 Fig. 5 Fig. Angle etc. 6 Fig. 72
Claims (1)
る時に、前記薄膜磁気ヘッド（１１）のギャップ（１１
ａ）と同一ライン上に設けられ、前記ギャップ（１１ａ
）の記録媒体対向面（１２ａ）の加工時に共に加工され
、前記薄膜磁気ヘッド（１１）のギャップ深さに応じて
、抵抗値が変化する抵抗モニタパターン（１３）におい
て、前記モニタパターン（１３）の長さをＬ、 前記モニタパターン（１３）の幅をＷとした時、目標ギ
ャップ深さになつた時、Ｌ／Ｗが６６．７以上となるよ
うにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの抵抗モニタ
パターン。[Claims] When forming a thin film magnetic head (11) on a wafer (12), the gap (11) of the thin film magnetic head (11) is
a), and the gap (11a
), the resistance monitor pattern (13) is machined together with the recording medium facing surface (12a) and has a resistance value that changes depending on the gap depth of the thin film magnetic head (11). A thin film magnetic head characterized in that when the length of the monitor pattern (13) is L and the width of the monitor pattern (13) is W, L/W is 66.7 or more when the target gap depth is reached. resistance monitor pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP402488A JPH01184613A (en) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | Resistance monitor pattern for thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP402488A JPH01184613A (en) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | Resistance monitor pattern for thin film magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184613A true JPH01184613A (en) | 1989-07-24 |
Family
ID=11573392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP402488A Pending JPH01184613A (en) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | Resistance monitor pattern for thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184613A (en) |
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