JPH01184010A - フイルター - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産・・上のセ　　。

この発明は、気体の口過になどに用いることができるＳ
ｉＣフィルターの製造方法に関する。

慢」ヒ１韮」［ フィルターは、たとえば半導体の製造工程で使用される
クリーンルームで塵埃を除去するだめに用いる。

０が　゛しよ　とするμ　、 ところで、クリーンルームで使用されるフィルターは、
有殿系の気孔径の小さいものが使用されているが、捕集
された塵埃はフィルター層表面に凝集し、ある程度大ぎ
くなるとフィルターから剥れ落ち、クリーンルーム内を
再汚染する問題があった。

また、ＳｉＣは粒子内に不純物をとり込んでおり、高温
になると不純物がＳｉＣ粒子の外に移動し、雰囲気を汚
染する問題があった。

ＬＬＩ−丘 この発明は上述の問題点を解消し、気体の口過の際に捕
集された塵埃が凝集しない耐久性の優れたフィルターを
提供することを目的とする。

元」しλ１」Ｌ この発明は特許請求の範囲を要旨としている。

ｑｌｌ、を　°するための手。

この発明のフィルターを構成するＳｉＣ粒子はマトリッ
クスとなっている。このＳｉＣ粒子の粒界部分を除＜Ｓ
ｉ　Ｃ粒子のほぼ全表面に５００オングストローム〜５
０μＩの５ｉ０２ＦＪを設ける。

ＳｉＯ２膜の膜厚が５００オングストロームより小さい
と、ＳｉＣ粒子から移動する不純物をトラップする効果
がなく、好ましくない。また膜厚が５０μｍより大きい
と、３ｉＣ粒子とＳｉＯ２膜の膨脹差から剥離しやすく
なるので好ましくない。

このようなフィルターは次のようにして作る。

まずＳｉＣ焼結体を得て、ＳｉＣ焼結体の全体すなわち
外周部から内周部まですべての構成ＳｉＣ粒子に対して
酸化雰囲気において熱処理する。この熱処理時間を調整
することにより全ＳｉＣ粒子の表面に所定厚みのＳｉＯ
２膜を形成する。

見１ま たとえば一端を開放したフィルターは、ＳｉＣ焼結体で
ある。ＳｉＣ焼結体のＳＩＣ粒子はマトリックスを構成
している。これらのＳｉＣ粒子の粒界部分を除＜Ｓｉ　
Ｃ粒子のほぼ全表面にはたとえば５０００オンゲス１−
ロームのＳｉＯ２膜が形成されている。この５ｉ０ｚＢ
’）の存在により、高温で使用し−（ＳＩＧ粒子内部に
存在する不純物が移動しても、高ＩＴＩ度のＳｉＯ２膜
でトラップされるのでＳｉＣ粒子から不純物が出ること
がなく雰囲気を汚染することがない。

この実施例のフィルターは、すべての３ｉＣ粒子に対し
て酸化雰囲気においてたとえば１０００℃で熱処理する
ことによって得られる。１０００℃１時間熱処理をする
ことにより１００オングストロームのＳｉＯ２膜を形成
可能である。この熱処理時間を変化させることにより、
ＳｉＣ粒子表面に生成する３ｉ０２ＩｌＩＪを自由に設
定できる。

ところでこの発明は上述のフィルター形状に限るもので
はない。

１１悲１１ この発明によれば全ＳｉＣ粒子がＳｉＯ２膜で保護され
るので、Ｓ　ｉ　Ｃ粒子内に含まれる不純物が高温にな
っても粒子の外に放出されることがなく、安定して口過
を行うことができる。

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Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ＳｉＣ粒子をマトリックスとするフィルターにおいて、
   粒界部分を除くＳｉＣ粒子のほぼ全表面に５００オング
   ストローム〜５０μｍの厚みのＳｉＯ＿２膜を設けたこ
   とを特徴とするフィルター。