JPH01172924A - 波長多重分波素子 - Google Patents
波長多重分波素子Info
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- JPH01172924A JPH01172924A JP33261287A JP33261287A JPH01172924A JP H01172924 A JPH01172924 A JP H01172924A JP 33261287 A JP33261287 A JP 33261287A JP 33261287 A JP33261287 A JP 33261287A JP H01172924 A JPH01172924 A JP H01172924A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
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- G02B6/2935—Mach-Zehnder configuration, i.e. comprising separate splitting and combining means
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- G02B6/29379—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means characterised by the function or use of the complete device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は波長多重分波素子、特に光通信に用いられる波
長多重分波素子に関する。
長多重分波素子に関する。
(従来の技術)
近年、波長分割多重光ファイバ伝送における波長間隔と
して、数人から数十人という極めて狭い波長間隔が試み
られつつある。この極めて波長間隔の狭い波長多重分割
多重伝送は光の特性を生かした、極めて大容量の光フア
イバ伝送を可能にするものである。
して、数人から数十人という極めて狭い波長間隔が試み
られつつある。この極めて波長間隔の狭い波長多重分割
多重伝送は光の特性を生かした、極めて大容量の光フア
イバ伝送を可能にするものである。
このような極めて狭い波長間隔で分波を行うことが出来
る素子の一つとして、4つの端子を有する光導波路型方
向性結合器の光導波路部にブラック回折格子を形成した
ブラック回折格子付方向性結合器型の波長多重分波素子
があった。
る素子の一つとして、4つの端子を有する光導波路型方
向性結合器の光導波路部にブラック回折格子を形成した
ブラック回折格子付方向性結合器型の波長多重分波素子
があった。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、このブラック回折格子付方向性結合器型の波長
多重分波素子では、方向性結合器で100%の結合を生
じさせつつブラック反射を生じきせるためには、回折格
子の長ネや位置に制限を受けるという問題点があった。
多重分波素子では、方向性結合器で100%の結合を生
じさせつつブラック反射を生じきせるためには、回折格
子の長ネや位置に制限を受けるという問題点があった。
また、チル−ヲ回折格子(Chirped Grati
ng)や、いくつかの異なる周期を持つ回折格子を用い
て分波/多重する帯域を広げようとする場合、ある幅を
持つ、或は、いくつかの非連続な各周波数の全ての領域
で(門ぼ100%の結合を生じるように方向性結合器に
おける位相整合をとるのが難しいから、1チャンネル当
りの多重/分波帯域を広く取ったり、あるいは、異なる
波長を同時に分波/多重するのが難しいという問題点が
あった。さらに、従来、ブラック波長は固定されている
から、多重または分波する波長を変えることが出来ない
と言う問題点があった。
ng)や、いくつかの異なる周期を持つ回折格子を用い
て分波/多重する帯域を広げようとする場合、ある幅を
持つ、或は、いくつかの非連続な各周波数の全ての領域
で(門ぼ100%の結合を生じるように方向性結合器に
おける位相整合をとるのが難しいから、1チャンネル当
りの多重/分波帯域を広く取ったり、あるいは、異なる
波長を同時に分波/多重するのが難しいという問題点が
あった。さらに、従来、ブラック波長は固定されている
から、多重または分波する波長を変えることが出来ない
と言う問題点があった。
本発明の目的は、これらの問題点を解決した波長多重分
波素子を提供することにある。
波素子を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、2つの入力端子と2つの出力端子をそれぞれが有し、
′基板上に形成されている第1及び第2の3dB分岐結
合回路と、該第1の3dB分岐結合回路の前記2つの出
力端子のうちの一方と該第2の3dB分岐結合回路の前
記2つの入力端子のうちの一方とを結ぶ第1の光導波路
と、該第1の3dB分岐結合回路の前記2つの出力端子
のうちの他方と該第2の3dB分岐結合回路の前記2つ
の入力端子のうちの他方とを結ぶ第2の光導波路と、該
第1及び第2の光導波路の一部に前記第1の3dB分岐
結合回路の出力端子からほぼ等しい距離にそれぞれ形成
された第1及び第2の導波路型回折格子と、該第1及び
第2の導波路型回折格子のブラック波長を変化きせる電
流注入電極とを含んでなる波長多重分波素子である。
、2つの入力端子と2つの出力端子をそれぞれが有し、
′基板上に形成されている第1及び第2の3dB分岐結
合回路と、該第1の3dB分岐結合回路の前記2つの出
力端子のうちの一方と該第2の3dB分岐結合回路の前
記2つの入力端子のうちの一方とを結ぶ第1の光導波路
と、該第1の3dB分岐結合回路の前記2つの出力端子
のうちの他方と該第2の3dB分岐結合回路の前記2つ
の入力端子のうちの他方とを結ぶ第2の光導波路と、該
第1及び第2の光導波路の一部に前記第1の3dB分岐
結合回路の出力端子からほぼ等しい距離にそれぞれ形成
された第1及び第2の導波路型回折格子と、該第1及び
第2の導波路型回折格子のブラック波長を変化きせる電
流注入電極とを含んでなる波長多重分波素子である。
(作用)
従来のブラック回折格子付方向性結合器型の波長多重分
波素子では、回折格子と光導波路を伝搬する光との結合
係数の、光の伝搬方向での変化が分波特性に大きく影響
するが、本発明の構成においては、波長を選択する機構
と方向性結合器が分離されているから、結合係数の分布
には関係なく、全体としてのフィルタ特性だけで多重分
波特性を決めることができる。また、導波路型回折格子
のブラック波長を変化きせる電流注入電極により、多重
または分波する波長を選択することが出来る。さらに、
光導波路の一部が活性層で構成されているから、光増幅
作用により前記ブラック波長を変化きせるだめの注入電
流によるキャリア吸収で生じる信号光の減衰を補償する
のは無論、さらには入射信号光の増幅を行うことが出来
る。
波素子では、回折格子と光導波路を伝搬する光との結合
係数の、光の伝搬方向での変化が分波特性に大きく影響
するが、本発明の構成においては、波長を選択する機構
と方向性結合器が分離されているから、結合係数の分布
には関係なく、全体としてのフィルタ特性だけで多重分
波特性を決めることができる。また、導波路型回折格子
のブラック波長を変化きせる電流注入電極により、多重
または分波する波長を選択することが出来る。さらに、
光導波路の一部が活性層で構成されているから、光増幅
作用により前記ブラック波長を変化きせるだめの注入電
流によるキャリア吸収で生じる信号光の減衰を補償する
のは無論、さらには入射信号光の増幅を行うことが出来
る。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。第1図
(a)、(b)、(C)は本発明の一実施例の構成を示
す薗である。ここで、第1図(a)はその実施例の斜視
図、第1図(b)及び(C)はそれぞれ第1図(a)の
A−A’及びB−B’における断面図である。但し、A
−A ’線およびB−B’線は第1図(a)の上面に
接している線である。
(a)、(b)、(C)は本発明の一実施例の構成を示
す薗である。ここで、第1図(a)はその実施例の斜視
図、第1図(b)及び(C)はそれぞれ第1図(a)の
A−A’及びB−B’における断面図である。但し、A
−A ’線およびB−B’線は第1図(a)の上面に
接している線である。
本実施例の素子は分波素子としても多重素子としても用
いることが出来るが、まず、分波素子としての機能につ
いて説明する。波長1.5−帯において30人間隔で4
波多重された多重信号は、第1の先導波路11を通って
第1の3dB分岐結合回路13の第1の入力端14に入
射きれ、この第1の3dB分岐結合回路13で半分ずつ
のパワーに分岐された後、それぞれ、第1の3dB分岐
結合回路13の第1及び第2の出力端16.17から出
力される。ここで、該第2の出力端17からの光の位相
は、該第1の出力端16からの光の位相に対しπ/2の
位相遅れを生じている。これら第1及び第2の出力端1
6 、17からの出力光は、それぞれ第3及び第4の光
導波路ig 、 19に入射する。ここで、第3及び第
4の光導波路18.19の長さはほぼ同じであり、また
、これらの光導波路の途中には、第1の3dB分岐結合
回路13の第1及び第2の出力端16 、17からほぼ
等しい距離の位置にそれぞれほぼ同一の反射/透過特性
を持つ第1及び第2の導波路型回折格子20 、21が
形成されている。また、これらの回折格子20 、21
の前後にはそれぞれ第1から第4の活性層領域31 、
32 、33 、34が設けられており、光増幅を行う
。第1及び第2のチューニング電極35゜36から光導
波路18 、19への注入電流により導波路型回折格子
20 、21のブラック波長を変化させることが出来る
。これは、注入されたキャリア数の変化により導波路の
屈折率が変化し、その結果、回折格子の光学的周期が変
化してブラック波長が変化することによる。このとき、
キャリア吸収により信号光のパワーが減衰するが、第1
から第4の活性層領域31 、32.33.34におけ
る光増幅により、少なくともその減衰したレベルから元
の信号光レベルに回復させる。この第1から第4の活性
層領域31〜34への電流注入には第1から第4の注入
電極46 、47 、48 、49を用いる。
いることが出来るが、まず、分波素子としての機能につ
いて説明する。波長1.5−帯において30人間隔で4
波多重された多重信号は、第1の先導波路11を通って
第1の3dB分岐結合回路13の第1の入力端14に入
射きれ、この第1の3dB分岐結合回路13で半分ずつ
のパワーに分岐された後、それぞれ、第1の3dB分岐
結合回路13の第1及び第2の出力端16.17から出
力される。ここで、該第2の出力端17からの光の位相
は、該第1の出力端16からの光の位相に対しπ/2の
位相遅れを生じている。これら第1及び第2の出力端1
6 、17からの出力光は、それぞれ第3及び第4の光
導波路ig 、 19に入射する。ここで、第3及び第
4の光導波路18.19の長さはほぼ同じであり、また
、これらの光導波路の途中には、第1の3dB分岐結合
回路13の第1及び第2の出力端16 、17からほぼ
等しい距離の位置にそれぞれほぼ同一の反射/透過特性
を持つ第1及び第2の導波路型回折格子20 、21が
形成されている。また、これらの回折格子20 、21
の前後にはそれぞれ第1から第4の活性層領域31 、
32 、33 、34が設けられており、光増幅を行う
。第1及び第2のチューニング電極35゜36から光導
波路18 、19への注入電流により導波路型回折格子
20 、21のブラック波長を変化させることが出来る
。これは、注入されたキャリア数の変化により導波路の
屈折率が変化し、その結果、回折格子の光学的周期が変
化してブラック波長が変化することによる。このとき、
キャリア吸収により信号光のパワーが減衰するが、第1
から第4の活性層領域31 、32.33.34におけ
る光増幅により、少なくともその減衰したレベルから元
の信号光レベルに回復させる。この第1から第4の活性
層領域31〜34への電流注入には第1から第4の注入
電極46 、47 、48 、49を用いる。
前記多重信号光の内、第1及び第2の導波路型回折格子
20 、21の透過波長に対応する信号光は、この導波
路型回折格子20 、21を透過した後、第3の光導波
路18を伝搬する光は、第2の3dB分岐結合回路22
の第1の入力端23に入射し、一方、第4の光導波路1
9を伝搬する光は第2の3dB分岐結合回路22の第2
の入力端24に入射する。これらの入射光は第2の3d
B分岐結合回路22の第2の出力端26から、前記第3
及び第4の光導波路18 、19を通った2つの信号光
が合波されて出力され、第2の3dB分岐結合回路22
の第1の出力端25からは出力されない、これは、第2
の3dB分岐結合回路22の第1及び第2の入力端23
.24から入射し、第2の出力端26へ出力きれる信号
光は互いに同位相となり、一方、第1の出力端25へ出
力される信号光は互いに逆位相になるからである。
20 、21の透過波長に対応する信号光は、この導波
路型回折格子20 、21を透過した後、第3の光導波
路18を伝搬する光は、第2の3dB分岐結合回路22
の第1の入力端23に入射し、一方、第4の光導波路1
9を伝搬する光は第2の3dB分岐結合回路22の第2
の入力端24に入射する。これらの入射光は第2の3d
B分岐結合回路22の第2の出力端26から、前記第3
及び第4の光導波路18 、19を通った2つの信号光
が合波されて出力され、第2の3dB分岐結合回路22
の第1の出力端25からは出力されない、これは、第2
の3dB分岐結合回路22の第1及び第2の入力端23
.24から入射し、第2の出力端26へ出力きれる信号
光は互いに同位相となり、一方、第1の出力端25へ出
力される信号光は互いに逆位相になるからである。
さて、一方、第1及び第2の導波路型回折格子20 、
21で透過されずに反射された信号光は再び第1の3d
B分岐結合回路13の第1及び第2の出力端16 、1
7へ入射し、この3dB分岐結合回路13で合波きれて
、第1の入力端14ではなく、第2の入力端15へ出力
され、第2の光導波路12へ出力される。
21で透過されずに反射された信号光は再び第1の3d
B分岐結合回路13の第1及び第2の出力端16 、1
7へ入射し、この3dB分岐結合回路13で合波きれて
、第1の入力端14ではなく、第2の入力端15へ出力
され、第2の光導波路12へ出力される。
これは、反射諮れて該第1及び第2の出力端16゜17
から第1の3dB分岐結合回路13へ再び入射し、第2
の入力端15へ出力される信号光は互いに同位相となり
、一方、第1の入力端14へ出力される信号光は互いに
逆位相になるからである。
から第1の3dB分岐結合回路13へ再び入射し、第2
の入力端15へ出力される信号光は互いに同位相となり
、一方、第1の入力端14へ出力される信号光は互いに
逆位相になるからである。
ここで、導波路型回折格子の透過特性と選択波長の関係
を第2図を用いて説明する。第2図に於て、(a)は4
波の波長多重信号光のスペクトルを示す。これら30人
間隔の各信号の内、(b)に示した導波路型回折格子2
0.21の反射ピークに合致した(c)に示す波長の信
号光は導波路型回折格子20 、21で反射され、前述
のごとく第1の3dB分岐結合回路13の第2の入力端
15に接続された第2の光導波路12から分波出力され
る。一方、(d)に示した残る3つの波長の信号光は導
波路型回折格子20 、21を透過し、前述のように第
2の分岐結合回路22の第2の出力端26に接続された
第6の光導波路28から分波出力きれる。
を第2図を用いて説明する。第2図に於て、(a)は4
波の波長多重信号光のスペクトルを示す。これら30人
間隔の各信号の内、(b)に示した導波路型回折格子2
0.21の反射ピークに合致した(c)に示す波長の信
号光は導波路型回折格子20 、21で反射され、前述
のごとく第1の3dB分岐結合回路13の第2の入力端
15に接続された第2の光導波路12から分波出力され
る。一方、(d)に示した残る3つの波長の信号光は導
波路型回折格子20 、21を透過し、前述のように第
2の分岐結合回路22の第2の出力端26に接続された
第6の光導波路28から分波出力きれる。
なお、チューニング電極35 、36から電流を注入す
ることにより、第2図(b)に示した導波路型回折格子
20 、21の反射ピークの波長を変化きせることが出
来る。このことについては、1987年の日経エレクト
ロニクス誌6月15日号の第149頁から161に記載
された小林能による1半導体レーザの波長を連続的に変
える」と題する論文に詳しい。
ることにより、第2図(b)に示した導波路型回折格子
20 、21の反射ピークの波長を変化きせることが出
来る。このことについては、1987年の日経エレクト
ロニクス誌6月15日号の第149頁から161に記載
された小林能による1半導体レーザの波長を連続的に変
える」と題する論文に詳しい。
次に、本実施例を波長多重素子として用いる場合には、
波長分波素子としてもちいた場合の多重信号光入力端で
ある第1の3dB分岐結合回路13の第1の入力端14
を多重信号光出力端とし、また、波長分波素子としても
ちいた場合の分波された信号光の出力端である第1の3
dB分岐結合回路13の第2の入力端15及び第2の3
dB分岐結合回路22の第2の出力端26をそれぞれこ
の場合に多重すべき信号光の入力端として用いれば良い
、この場合、第2図(c)の信号光と同図(d)の信号
光とが多重されて、同図(a)に示す多重信号光が得ら
れる。
波長分波素子としてもちいた場合の多重信号光入力端で
ある第1の3dB分岐結合回路13の第1の入力端14
を多重信号光出力端とし、また、波長分波素子としても
ちいた場合の分波された信号光の出力端である第1の3
dB分岐結合回路13の第2の入力端15及び第2の3
dB分岐結合回路22の第2の出力端26をそれぞれこ
の場合に多重すべき信号光の入力端として用いれば良い
、この場合、第2図(c)の信号光と同図(d)の信号
光とが多重されて、同図(a)に示す多重信号光が得ら
れる。
ここで、第1図及び第2図に示す実施例の製作法につい
て簡単に説明する。製作は以下の手順で行なう。(1)
n−InP基板30の回折格子となる部分に、干渉露光
法に依って周期240nmの1次回折格子を形成する。
て簡単に説明する。製作は以下の手順で行なう。(1)
n−InP基板30の回折格子となる部分に、干渉露光
法に依って周期240nmの1次回折格子を形成する。
(2)1回目の液相エピタキシー(LPE)成長によっ
て、n −InGaAsP光ガイド層37(禁制帯幅波
長大、−1.30−5層厚t = 0.16sn )、
InPバッファ層3g(t −0,013M)、InG
aAsP活性層39(λ、 = 1.55m、t −0
,16* )、InGaAsPメルトバック防止層40
(λ、= 1.30m )、第1のp−1nPクラッド
層41(t−0,21Km)を順次成長する。(3)選
択エツチングにより、回折格子の前後に設ける活性層と
なる部分を除いて、活性層まで各層を除去する。(4)
2回目のLPE成長によって基板全体に第2のp−In
Pクラッド層42(t−1+n)を成長する。(5)さ
らに、選択エツチングにより光導波路部分を除いてLP
E成長層を除去する。(6)3回目のLPE成長によっ
て埋め込み層43 、44 、45を成長させ、埋め込
み構造とする。この埋め込み構造については、1983
年のアイ・トリプルイー(IEEE)のジャーナル・イ
ブ・ライトウニイブ・テクノロジー(J、 of Li
ght祁ve Iachnology)誌の第LT−1
巻の第195頁から第201頁に述べられたアイ・ミド
(1,Mito )他による’ InGaAsPダブル
・チルネル・ブレーナ・ベリード・ヘテロストラフチャ
ー・クイズ・イフェクティブ・カレント・フンファイン
メント(InGaAsP Double−Channe
l−Planar−Buried−Heterostr
ucture La5er Diode (DC−PB
HLD ) with Effective Curr
ent Confinement ) 」と題する論文
鎧詳しい。
て、n −InGaAsP光ガイド層37(禁制帯幅波
長大、−1.30−5層厚t = 0.16sn )、
InPバッファ層3g(t −0,013M)、InG
aAsP活性層39(λ、 = 1.55m、t −0
,16* )、InGaAsPメルトバック防止層40
(λ、= 1.30m )、第1のp−1nPクラッド
層41(t−0,21Km)を順次成長する。(3)選
択エツチングにより、回折格子の前後に設ける活性層と
なる部分を除いて、活性層まで各層を除去する。(4)
2回目のLPE成長によって基板全体に第2のp−In
Pクラッド層42(t−1+n)を成長する。(5)さ
らに、選択エツチングにより光導波路部分を除いてLP
E成長層を除去する。(6)3回目のLPE成長によっ
て埋め込み層43 、44 、45を成長させ、埋め込
み構造とする。この埋め込み構造については、1983
年のアイ・トリプルイー(IEEE)のジャーナル・イ
ブ・ライトウニイブ・テクノロジー(J、 of Li
ght祁ve Iachnology)誌の第LT−1
巻の第195頁から第201頁に述べられたアイ・ミド
(1,Mito )他による’ InGaAsPダブル
・チルネル・ブレーナ・ベリード・ヘテロストラフチャ
ー・クイズ・イフェクティブ・カレント・フンファイン
メント(InGaAsP Double−Channe
l−Planar−Buried−Heterostr
ucture La5er Diode (DC−PB
HLD ) with Effective Curr
ent Confinement ) 」と題する論文
鎧詳しい。
以下、本発明の一実施例について説明した0本実施例に
おいては信号光の波長多重数を4としたが、波長多重数
はこれに限定きれず、また、波長多重信号光の波長間隔
を約30人としたがこれに限定されない、また、材料に
はInGaAsP系を用いたが、GaAs系など他の組
成の半導体材料はもとより、LiNbO5結晶や、石英
系ガラスなど他種類の材料を用いても良い。
おいては信号光の波長多重数を4としたが、波長多重数
はこれに限定きれず、また、波長多重信号光の波長間隔
を約30人としたがこれに限定されない、また、材料に
はInGaAsP系を用いたが、GaAs系など他の組
成の半導体材料はもとより、LiNbO5結晶や、石英
系ガラスなど他種類の材料を用いても良い。
(発明の効果)
従来のブラック回折蜂子付方向性結合器型の多重分波素
子では、方向性結合器で高結合効率を生じさせつつブラ
ック反射を生じさせる必要があるから、回折格子の長さ
や位置に制限を受けたが、本発明による波長多重分波素
子では、波長を選択する機構と方向性結合器が分離され
ているから、チャーブ回折格子のような比較的回折格子
の長啓の長い回折格子から、結合効率が大きく、比較的
回折格子の長さが短い回折格子まで、種々の回折格子を
適用できる。また、導波路型回折格子のブラック波長を
変化させる電流注入電極により、多重、または、分波す
る波長を選択することが出来る。
子では、方向性結合器で高結合効率を生じさせつつブラ
ック反射を生じさせる必要があるから、回折格子の長さ
や位置に制限を受けたが、本発明による波長多重分波素
子では、波長を選択する機構と方向性結合器が分離され
ているから、チャーブ回折格子のような比較的回折格子
の長啓の長い回折格子から、結合効率が大きく、比較的
回折格子の長さが短い回折格子まで、種々の回折格子を
適用できる。また、導波路型回折格子のブラック波長を
変化させる電流注入電極により、多重、または、分波す
る波長を選択することが出来る。
第1図(a)は本発明の一実施例の構成を示す斜視図、
第1図(b)及び(C)はそれぞれ第1図におけるA−
A″線及びB−B’線で切断して矢印方向に見た断面図
、第2図はその実施例における導波路型回折格子の透過
特性と選択波長との関係を示すスペクトル図である。 11・・・第1の光導波路、12・・・第2の光導波路
、13・・・第1の3dB分岐結合回路、14・・・第
1の3dB分岐結合回路の第1の入力端、15・・・第
1の3dB分岐結合回路の第2の入力端、16・・・第
1の3dB分岐結合回路の第1の出力端、17・・・第
1の3dB分岐結合回路の第2の出力端、18・・・第
3の光導波路、19・・・第4の光導波路、20・・・
第1の光導波路型回折格子、21・・・第2の先導波路
型回折格子、22・・・第2の3dB分岐結合回路、2
3・・・第2の3dB分岐結合回路の第1の入力端、2
4・・・第2の3dB分岐結合回路の第2の入力端、2
5・・・第2の3dB分岐結合回路の第1の出力端、2
6・・・第2の3dB分岐結合回路の第2の出力端、2
7・・・第5の先導波路、28・・・第6の光導波路、
30・・・基板、31〜34・・・第1から第4の活性
層領域、35 、36・・・第1及び第2のチューニン
グ電極、37・・・光ガイド層、38・・・バッファ層
、39・・・活性層、40・・・メルトバック防止層、
41 、42・・・クラッド層、43〜45・・・埋め
込み層、46〜49・・・第1から第4の注入電極。
第1図(b)及び(C)はそれぞれ第1図におけるA−
A″線及びB−B’線で切断して矢印方向に見た断面図
、第2図はその実施例における導波路型回折格子の透過
特性と選択波長との関係を示すスペクトル図である。 11・・・第1の光導波路、12・・・第2の光導波路
、13・・・第1の3dB分岐結合回路、14・・・第
1の3dB分岐結合回路の第1の入力端、15・・・第
1の3dB分岐結合回路の第2の入力端、16・・・第
1の3dB分岐結合回路の第1の出力端、17・・・第
1の3dB分岐結合回路の第2の出力端、18・・・第
3の光導波路、19・・・第4の光導波路、20・・・
第1の光導波路型回折格子、21・・・第2の先導波路
型回折格子、22・・・第2の3dB分岐結合回路、2
3・・・第2の3dB分岐結合回路の第1の入力端、2
4・・・第2の3dB分岐結合回路の第2の入力端、2
5・・・第2の3dB分岐結合回路の第1の出力端、2
6・・・第2の3dB分岐結合回路の第2の出力端、2
7・・・第5の先導波路、28・・・第6の光導波路、
30・・・基板、31〜34・・・第1から第4の活性
層領域、35 、36・・・第1及び第2のチューニン
グ電極、37・・・光ガイド層、38・・・バッファ層
、39・・・活性層、40・・・メルトバック防止層、
41 、42・・・クラッド層、43〜45・・・埋め
込み層、46〜49・・・第1から第4の注入電極。
Claims (2)
- (1)2つの入力端子と2つの出力端子をそれぞれが有
し、基板上に形成されている第1及び第2の3dB分岐
結合回路と、該第1の3dB分岐結合回路の前記2つの
出力端子のうちの一方と該第2の3dB分岐結合回路の
前記2つの入力端子のうちの一方とを結ぶ第1の光導波
路と、該第1の3dB分岐結合回路の前記2つの出力端
子のうちの他方と該第2の3dB分岐結合回路の前記2
つの入力端子のうちの他方とを結ぶ第2の光導波路と、
該第1及び第2の光導波路の一部に前記第1の3dB分
岐結合回路の出力端子からほぼ等しい距離にそれぞれ形
成された第1及び第2の導波路型回折格子と、該第1及
び第2の導波路型回折格子のブラック波長を変化させる
電流注入電極とを含んでなる波長多重分波素子。 - (2)第1及び第2の光導波路の一部が活性層でなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の波長多重分
波素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33261287A JPH01172924A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 波長多重分波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33261287A JPH01172924A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 波長多重分波素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01172924A true JPH01172924A (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=18256891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33261287A Pending JPH01172924A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 波長多重分波素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01172924A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980068452A (ko) * | 1997-02-19 | 1998-10-15 | 김광호 | Wdm전송 시스템의 디멀티플렉서 |
US6226428B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-05-01 | Nec Corporation | Optical multiplexer/demultiplexer with optical waveguides and a diffraction grating |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33261287A patent/JPH01172924A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980068452A (ko) * | 1997-02-19 | 1998-10-15 | 김광호 | Wdm전송 시스템의 디멀티플렉서 |
US6226428B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-05-01 | Nec Corporation | Optical multiplexer/demultiplexer with optical waveguides and a diffraction grating |
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