JPH01166330A - 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH01166330A JPH01166330A JP62323760A JP32376087A JPH01166330A JP H01166330 A JPH01166330 A JP H01166330A JP 62323760 A JP62323760 A JP 62323760A JP 32376087 A JP32376087 A JP 32376087A JP H01166330 A JPH01166330 A JP H01166330A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属薄II5!型磁気記録媒体の製造方法に関
する。
する。
(従来の技術)
近年、磁気記録の高密度化に対する要求が強くなってき
ており、種々の媒体の製造方法の研究開発が進められて
いる。金属薄膜の記録層を用いる方法もその一つである
。
ており、種々の媒体の製造方法の研究開発が進められて
いる。金属薄膜の記録層を用いる方法もその一つである
。
この金属薄膜記録層の形成方法としては、メツキによる
湿式法と、真空蒸着、スパッタリングなどによる物理蒸
着法が研究されているが、湿式法においては、メツキ浴
の管理が煩雑で連続成膜に向かないことや、排液処理に
あたワて厳格な管理を必要とすることなど難題が多く、
物理蒸着法を用いる方法が最近では主流となっている。
湿式法と、真空蒸着、スパッタリングなどによる物理蒸
着法が研究されているが、湿式法においては、メツキ浴
の管理が煩雑で連続成膜に向かないことや、排液処理に
あたワて厳格な管理を必要とすることなど難題が多く、
物理蒸着法を用いる方法が最近では主流となっている。
物理蒸着による方法としては、Co−Ni合金を用いた
斜蒸着による方法が広く研究されているほか、垂直記録
方式による磁気記録の一層の高密度化を目毒して、Co
系合金(主にはCo−Cr合金)を記録層材料として使
用し、垂直入射方式により記録層を形成する方法も研究
されている。
斜蒸着による方法が広く研究されているほか、垂直記録
方式による磁気記録の一層の高密度化を目毒して、Co
系合金(主にはCo−Cr合金)を記録層材料として使
用し、垂直入射方式により記録層を形成する方法も研究
されている。
上述した従来の垂直入射方式の物理蒸着法による記録層
の製造方法においては、多くの場合、所望の磁気特性を
得るために、非磁性基体を加熱しながら成膜することが
必要であり、加熱により、基体の剛性が室温の場合に比
べて著しく低下する。そのため、真空成膜装置内部での
基体の搬送が困難となり、「しわ」などの欠陥が発生し
やすい。成膜部では、入射粒子束が運んで来るエネルギ
ーが加わり温度が更に上昇するため、特に「しわ」の発
生が起りやすく、この傾向は基体の厚さが薄くなると一
段と強くなる。
の製造方法においては、多くの場合、所望の磁気特性を
得るために、非磁性基体を加熱しながら成膜することが
必要であり、加熱により、基体の剛性が室温の場合に比
べて著しく低下する。そのため、真空成膜装置内部での
基体の搬送が困難となり、「しわ」などの欠陥が発生し
やすい。成膜部では、入射粒子束が運んで来るエネルギ
ーが加わり温度が更に上昇するため、特に「しわ」の発
生が起りやすく、この傾向は基体の厚さが薄くなると一
段と強くなる。
垂直記録方式は、一般にはデジタル記録に適したものと
されており、その場合、高密度記録特性を良くするため
には、巨視的に見た場合の磁気特性が強い垂直異方性を
持つこと(このことは、微視的に見た場合、磁性体の個
々の微結晶の磁化容易軸の、媒体法線方向からの分散が
小さいことに対応している。)が必要と考えられている
。そのため、Co系合金のり、c、p、構造のC軸を法
線方向に良く配向させるために、成膜時、特に合金膜の
成長の初期段階で、入射粒子束が基体に垂直に入射する
ように粒子束の入射方向を制限している。
されており、その場合、高密度記録特性を良くするため
には、巨視的に見た場合の磁気特性が強い垂直異方性を
持つこと(このことは、微視的に見た場合、磁性体の個
々の微結晶の磁化容易軸の、媒体法線方向からの分散が
小さいことに対応している。)が必要と考えられている
。そのため、Co系合金のり、c、p、構造のC軸を法
線方向に良く配向させるために、成膜時、特に合金膜の
成長の初期段階で、入射粒子束が基体に垂直に入射する
ように粒子束の入射方向を制限している。
このように粒子束を制限することは、粒子束の密度の最
も大きなところから成膜が始まることになり、上述の「
しわ」の発生を助長する要因ともなっている。
も大きなところから成膜が始まることになり、上述の「
しわ」の発生を助長する要因ともなっている。
また、このような媒体を、広帯域のアナログ記録、例え
ばVTRに用いる場合は、別の問題が生ずる。すなわち
、垂直異方性の強い媒体では低周波数成分の再生出力が
低くなり、広い帯域のシグナルを必要とする記録では不
都合となる。例えばVTRでは、トラッキング信号や色
差信号等は、IMIIz以下の帯域を使用しており、こ
の周波数帯域での出力低下はトラッキング不良や、色の
[にごり」などの現象の原因となる。
ばVTRに用いる場合は、別の問題が生ずる。すなわち
、垂直異方性の強い媒体では低周波数成分の再生出力が
低くなり、広い帯域のシグナルを必要とする記録では不
都合となる。例えばVTRでは、トラッキング信号や色
差信号等は、IMIIz以下の帯域を使用しており、こ
の周波数帯域での出力低下はトラッキング不良や、色の
[にごり」などの現象の原因となる。
他方、金属薄膜の記録層が、直接ヘッドと摺動すると、
相手方が激しく摩耗するためそのままでは実用に供する
ことはできない。このため記録層の上にCO系酸化物や
S i 02などの保護層を設け、更にフッ素系樹脂な
どよりなる拐滑層を設けるなどして、耐久性の向上が図
られている。しかしながら、使用目的によっては、耐久
性はいまだ不十分であり、保護層、潤滑層のほか、記録
層の機械的強度についても検討が必要となっている。
相手方が激しく摩耗するためそのままでは実用に供する
ことはできない。このため記録層の上にCO系酸化物や
S i 02などの保護層を設け、更にフッ素系樹脂な
どよりなる拐滑層を設けるなどして、耐久性の向上が図
られている。しかしながら、使用目的によっては、耐久
性はいまだ不十分であり、保護層、潤滑層のほか、記録
層の機械的強度についても検討が必要となっている。
本発明は、これら従来技術の問題点を改善し、薄い基体
を用いた場合においても、「しわJが発生せず、かつ、
リングヘッドを用いた広帯域のアナログ記録に適し、し
かも耐久性の秀れた磁気記録媒体を形成する金属薄膜型
磁気記録媒体の製造方法を提供しようとするものである
。
を用いた場合においても、「しわJが発生せず、かつ、
リングヘッドを用いた広帯域のアナログ記録に適し、し
かも耐久性の秀れた磁気記録媒体を形成する金属薄膜型
磁気記録媒体の製造方法を提供しようとするものである
。
本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法は、柔軟性
の非磁性基体の少くとも一方の側に、餌記基体の温度を
80℃以上に保持しながら、物理蒸着法により連続的に
記録層を形成する際に、蒸着粒子束の前記非磁性基体に
対する入射方向が、前記基体上の成膜開始端部において
は、前記基体の面の法線方向から基体搬送方向前方へ傾
斜し、その傾斜角が60度以上であり、成膜終了端部に
おいては、前記基体面の法線方向から基体搬送方向に対
し後方へ傾斜し、その傾斜角が45度以下である。
の非磁性基体の少くとも一方の側に、餌記基体の温度を
80℃以上に保持しながら、物理蒸着法により連続的に
記録層を形成する際に、蒸着粒子束の前記非磁性基体に
対する入射方向が、前記基体上の成膜開始端部において
は、前記基体の面の法線方向から基体搬送方向前方へ傾
斜し、その傾斜角が60度以上であり、成膜終了端部に
おいては、前記基体面の法線方向から基体搬送方向に対
し後方へ傾斜し、その傾斜角が45度以下である。
このようにして、成膜開始時の蒸着金属の入射粒子束の
傾斜角を特定の角度以上にすることにより、基体の熱に
よる変形が一箇所に集中せず分散され、しわの発生が防
止される。また成膜終了時の入射粒子束の入射角の傾斜
を特定の角度以下とすることにより、蒸着記録層の機械
的強度の劣化が防止される。
傾斜角を特定の角度以上にすることにより、基体の熱に
よる変形が一箇所に集中せず分散され、しわの発生が防
止される。また成膜終了時の入射粒子束の入射角の傾斜
を特定の角度以下とすることにより、蒸着記録層の機械
的強度の劣化が防止される。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法の
実施例の装置の模式断面図、第2図は成膜部付近の粒子
束の状態を示す断面図である。
実施例の装置の模式断面図、第2図は成膜部付近の粒子
束の状態を示す断面図である。
非磁性基体3は、巻出しロール4から中間フリーローラ
ー5を経て加熱キャン6へ導びかれ、そこで遮蔽板10
の開口部14を通って入射する合金ターゲット(あるい
は蒸着源)11からの粒子束を受けて、その基体上に金
属膜が形成され、再び中間フリーローラー5を経て巻取
りロール7に到達し巻取られる。
ー5を経て加熱キャン6へ導びかれ、そこで遮蔽板10
の開口部14を通って入射する合金ターゲット(あるい
は蒸着源)11からの粒子束を受けて、その基体上に金
属膜が形成され、再び中間フリーローラー5を経て巻取
りロール7に到達し巻取られる。
成膜開始時入射角8は、入射粒子束の入射方向(合金タ
ーゲット11の基体搬送方向前方端と遮蔽板10の開口
部14の同方向に対し後方の端を結ぶ線)の法線15か
ら基体搬送方向への傾斜角を示し、θiで表わす。成膜
終了時入射角9は粒子束入射方向(合金ターゲット11
の後方端と開口部14の前方端を結ぶl)の法線16か
らの基体搬送方向に対し後方への傾斜角で、θfで表わ
す。θi、θfは遮蔽板10の位置を適当に設定するこ
とにより調整される。
ーゲット11の基体搬送方向前方端と遮蔽板10の開口
部14の同方向に対し後方の端を結ぶ線)の法線15か
ら基体搬送方向への傾斜角を示し、θiで表わす。成膜
終了時入射角9は粒子束入射方向(合金ターゲット11
の後方端と開口部14の前方端を結ぶl)の法線16か
らの基体搬送方向に対し後方への傾斜角で、θfで表わ
す。θi、θfは遮蔽板10の位置を適当に設定するこ
とにより調整される。
ここでθiは、記録層形成の際、初期の結晶成長の方向
を決めるパラメータで、同時に記録層全体の磁気特性を
支配する重要な因子であることが知られている。(例え
ば、第7回 日本応用磁気学会 学術講演概要集 PP
7 杉田他 等参照)第3図(a) 、 (b)は媒
体の磁化曲線図である。同図において、実線17は膜面
垂直方向に磁場を印加した場合の磁化曲線、破1i1B
は膜面内方向に磁場を印加した場合の磁化曲線を示す。
を決めるパラメータで、同時に記録層全体の磁気特性を
支配する重要な因子であることが知られている。(例え
ば、第7回 日本応用磁気学会 学術講演概要集 PP
7 杉田他 等参照)第3図(a) 、 (b)は媒
体の磁化曲線図である。同図において、実線17は膜面
垂直方向に磁場を印加した場合の磁化曲線、破1i1B
は膜面内方向に磁場を印加した場合の磁化曲線を示す。
θiが小さい場合には、第3図(a)のように、面内方
向での残留磁化が小さく、垂直方向の角型比が1に近い
(垂直配向性の良い)磁化曲線が得られる。θiが大き
い場合には同図(b)のように、面内方向での磁化が大
きくなり垂直方向の角型比が低下する。このような特性
は、デジタル記録方式の場合、高密度記録の特性を損う
ものとされている。
向での残留磁化が小さく、垂直方向の角型比が1に近い
(垂直配向性の良い)磁化曲線が得られる。θiが大き
い場合には同図(b)のように、面内方向での磁化が大
きくなり垂直方向の角型比が低下する。このような特性
は、デジタル記録方式の場合、高密度記録の特性を損う
ものとされている。
しかしながら、前述のように、広い周波数帯域にわたっ
て信号の帯域がある場合には、第3図(a)のような特
性では低周波数帯域での再生出力が低くなり、実用上の
不都合がある。このため、全帯域でバランス良く出力が
得られるように、θiを適正な値に決めることが必要で
ある。
て信号の帯域がある場合には、第3図(a)のような特
性では低周波数帯域での再生出力が低くなり、実用上の
不都合がある。このため、全帯域でバランス良く出力が
得られるように、θiを適正な値に決めることが必要で
ある。
そこで、θiを変えて、いくつかのサンプルを作製し、
重版のVTRデツキおよびスチルビデオプレーヤーを一
部改造した測定器を用いて周波数特性を調べた。この結
果、このようなシステムにおいては、高周波数領域では
、θiが異っても再生出力には余り大きな変化はなく、
中間から低周波領域においては、θiが大、すなわち磁
化の面内方向成分が大きい方が再生出力が高くなること
が見いだされた。
重版のVTRデツキおよびスチルビデオプレーヤーを一
部改造した測定器を用いて周波数特性を調べた。この結
果、このようなシステムにおいては、高周波数領域では
、θiが異っても再生出力には余り大きな変化はなく、
中間から低周波領域においては、θiが大、すなわち磁
化の面内方向成分が大きい方が再生出力が高くなること
が見いだされた。
この場合、使用できる記録層の材質としては、h、c、
p、構造をとるCO系合金で、C軸の方向が磁化容易方
向となり、その異方性がある程度大きなもので、C軸が
膜面のほぼ垂直方向に成長するものであり、後に示す実
施例に限定されるものではない。すなわち、本発明の製
造方法によって形成される金属薄膜型磁気記録媒体の記
録層の材質としては、Co−Cr合金のほかに、Co−
V、Co−Mo、Co−W、Co−Cr−Pd、C。
p、構造をとるCO系合金で、C軸の方向が磁化容易方
向となり、その異方性がある程度大きなもので、C軸が
膜面のほぼ垂直方向に成長するものであり、後に示す実
施例に限定されるものではない。すなわち、本発明の製
造方法によって形成される金属薄膜型磁気記録媒体の記
録層の材質としては、Co−Cr合金のほかに、Co−
V、Co−Mo、Co−W、Co−Cr−Pd、C。
−Cr−Mo、Co−Cr−Rh合金およびそれらに若
干の添加物が加えられた合金が使用できる。
干の添加物が加えられた合金が使用できる。
また、θiを大きくすることは、成膜時の「しわ」の発
生を抑制する効果があることが同時に確認された。その
理由は次のように推定される。
生を抑制する効果があることが同時に確認された。その
理由は次のように推定される。
「しわ」が発生する過程は次のように考えられる。成膜
時、蒸着粒子の入射により基体が加熱され、熱膨張によ
る寸法変化が生ずるが、θiが小さいときはこの寸法変
化がうまく分散、緩和されずに一ケ所に集中すると、「
しわ」が発生する。
時、蒸着粒子の入射により基体が加熱され、熱膨張によ
る寸法変化が生ずるが、θiが小さいときはこの寸法変
化がうまく分散、緩和されずに一ケ所に集中すると、「
しわ」が発生する。
−旦「しわ」が発生すると、その部分は加熱キャン6か
ら浮き上り、熱の流出路が断たれるため、温度が更に上
昇し、基体が熱変形を起こして大きな「しわ」となって
残る。
ら浮き上り、熱の流出路が断たれるため、温度が更に上
昇し、基体が熱変形を起こして大きな「しわ」となって
残る。
これに反して、θiを大きくすると、蒸着粒子の入射に
よる熱の流入は基体の搬送とともに徐々に大きくなり、
したがって温度の上昇も徐々に進行する。またこの間に
、基体への金属膜の堆積が進行するため、膜全体の剛性
も徐々に上昇するので基体の熱による寸法変化が一箇所
に集中せず分故されやすくなり、「しわ」の発生が防止
される。
よる熱の流入は基体の搬送とともに徐々に大きくなり、
したがって温度の上昇も徐々に進行する。またこの間に
、基体への金属膜の堆積が進行するため、膜全体の剛性
も徐々に上昇するので基体の熱による寸法変化が一箇所
に集中せず分故されやすくなり、「しわ」の発生が防止
される。
一方ofについては、磁気特性に声まり影響を与えない
ことから、物理蒸着の収率を増すため、大きくすること
が望ましいが、検討の結果、θfがある程度以上大きく
なると、媒体の耐摩耗性に悪影響を及ぼすことが判明し
た。この原因は次のように推定される。
ことから、物理蒸着の収率を増すため、大きくすること
が望ましいが、検討の結果、θfがある程度以上大きく
なると、媒体の耐摩耗性に悪影響を及ぼすことが判明し
た。この原因は次のように推定される。
ofが大きい場合、記録媒体とヘッドを慴動させた後、
ヘッドの慴動面を観察すると、粉状の異物か付着してい
ることがある。これは、記録層の表面の一部が削られた
ものと思われ、保護層も同時に失われるため耐摩耗性が
劣化するからであろう。このように表面が削られやすく
なるのは、ofが大きいときは、記録層が斜後方からの
入射粒子により形成されるので、その上層部の機械的強
度が劣るためと考えられる。
ヘッドの慴動面を観察すると、粉状の異物か付着してい
ることがある。これは、記録層の表面の一部が削られた
ものと思われ、保護層も同時に失われるため耐摩耗性が
劣化するからであろう。このように表面が削られやすく
なるのは、ofが大きいときは、記録層が斜後方からの
入射粒子により形成されるので、その上層部の機械的強
度が劣るためと考えられる。
以上の諸点について検討の結果、θiは60度以上が望
ましく、さらに好ましくは70度以上、ofは45度以
下が望ましいことが明らかとなつた。
ましく、さらに好ましくは70度以上、ofは45度以
下が望ましいことが明らかとなつた。
、以下実施例にもとづいて本発明を説明する。
実施例1
非磁性基体として、厚さ10ulのポリイミド樹脂フィ
ルムを用い、第1図に示した高周波スパッタリング装置
により、厚さ約0.4牌のCo8□Cr、8合金の記録
層を形成し、更に反応スパッタリング法により、厚さ約
100人のCo酸化物よりなる保護層を形成した。
ルムを用い、第1図に示した高周波スパッタリング装置
により、厚さ約0.4牌のCo8□Cr、8合金の記録
層を形成し、更に反応スパッタリング法により、厚さ約
100人のCo酸化物よりなる保護層を形成した。
記録層の成膜条件は、到達圧力5X10−’Pa以下、
役人電力密度10 W 7cm2、アルゴンガス圧力0
.3Pa、加熱キャン温度150℃、θ1=75°、o
f=30°である。
役人電力密度10 W 7cm2、アルゴンガス圧力0
.3Pa、加熱キャン温度150℃、θ1=75°、o
f=30°である。
保護層の形成は第1図の装置とほぼ同様な装置で、アル
ゴンと同時に酸素を導入し、Coターゲットを用いて、
反応スパッタリング法により行った。成膜条件は、到達
圧力5X10−’Pa、投入電力密度は2.5W/cm
2、酸素導入量2.0cc/min、(Ar+02)ガ
ス圧力0.3Pa、加熱キャン温度:室温。
ゴンと同時に酸素を導入し、Coターゲットを用いて、
反応スパッタリング法により行った。成膜条件は、到達
圧力5X10−’Pa、投入電力密度は2.5W/cm
2、酸素導入量2.0cc/min、(Ar+02)ガ
ス圧力0.3Pa、加熱キャン温度:室温。
実施例2
実施例1と同様の構成、工程で、記録層形成時θ1=6
5°、他は同条件。
5°、他は同条件。
実施例3
実施例1と同様の構成、工程で、記録層形成時of=4
0°、他は同条件。
0°、他は同条件。
実施例4
実施例1と同じ構成で、記録層の形成方法が、電子ビー
ム蒸着法によるもの。記録層の成膜条件は、到達圧力5
X 10−’Pa以下、成膜レート2000人/秒、
加熱キャン温度230℃、θ1=75”、of=30°
である。
ム蒸着法によるもの。記録層の成膜条件は、到達圧力5
X 10−’Pa以下、成膜レート2000人/秒、
加熱キャン温度230℃、θ1=75”、of=30°
である。
実施例5
実施例4と同様の構成、工程で、記録層形成時θ1=6
5°、他は同条件。
5°、他は同条件。
実施例6
実施例4と同様の構成、工程で、記録層形成時of=4
0°、他は同条件。
0°、他は同条件。
実施例7
非磁性基体として厚さ30μのアラミドフィルムを用い
、加熱キャン温度は120℃、他は実施例1と同様。
、加熱キャン温度は120℃、他は実施例1と同様。
実施例8
非磁性基体として厚さ30μのアラミドフィルムを用い
、加熱キャン温度は120℃、他は実施例2と同様。
、加熱キャン温度は120℃、他は実施例2と同様。
実施例9
非磁性基体として厚さ30鱗のアラミドフィルムを用い
、加熱キャン温度は120℃、他は実施例3と同様。
、加熱キャン温度は120℃、他は実施例3と同様。
上記実施例に対する比較例を次に示す。
比較例1
実施例1と同様の構成、工程で、記録層形成のとき(9
i =55°、他は同条件。
i =55°、他は同条件。
比較例2
実施例1と同様の構成、工程で、記録層形成のときθf
−50°、他は同条件。
−50°、他は同条件。
比較例3
実施例4と同様の構成、工程で、記録層形成時θ1=5
5°、他は同条件。
5°、他は同条件。
比較例4
実施例4と同様の構成、工程で、記録層形成時θf=5
0”、他は同条件。
0”、他は同条件。
比較例5
実施例7と同様の構成、工程で、記録層形成時θ1=5
5′″、他は同条件。
5′″、他は同条件。
比較例6
実施例7と同様の構成、工程で、記録層形成時θf=5
0°、他は同条件。
0°、他は同条件。
以上の方法で作成した磁気記録媒体層のサンプルについ
て、全幅(80mm)に生じた「しわ」の本数を調べた
。結果は第1表及び第2表に、別途行った耐久試験の結
果と併せて示す。
て、全幅(80mm)に生じた「しわ」の本数を調べた
。結果は第1表及び第2表に、別途行った耐久試験の結
果と併せて示す。
さらに実施例1〜6及び比較例1〜4については、8m
m幅に裁断してテープ状とし、市販の8mmVTRデツ
キを一部改造した測定器により、周波数特性の測定及び
耐久性試験を行フた。耐久性試験の方法は、テストパタ
ーンを記録した後くり返し再生を行い、ヘッド出力およ
びドロップアウト数のパス回数による変化を調べた。耐
久性の判定基準は次のとおりである。くり返し再生20
0バス目の出力の低下が初期の出力に対して3dB以内
をA、3dB以上をB、また、200バスに達する前に
ドロップアウトの数が200個/分を越えたものはCと
した。なお、ドロップアウトの数え方は平均出力より1
6dB以上の出力低下が15μ秒以上続いたときに1個
と数えた。周波数特性の測定結果を第4図に、耐久性試
験の結果を第1表に示す。
m幅に裁断してテープ状とし、市販の8mmVTRデツ
キを一部改造した測定器により、周波数特性の測定及び
耐久性試験を行フた。耐久性試験の方法は、テストパタ
ーンを記録した後くり返し再生を行い、ヘッド出力およ
びドロップアウト数のパス回数による変化を調べた。耐
久性の判定基準は次のとおりである。くり返し再生20
0バス目の出力の低下が初期の出力に対して3dB以内
をA、3dB以上をB、また、200バスに達する前に
ドロップアウトの数が200個/分を越えたものはCと
した。なお、ドロップアウトの数え方は平均出力より1
6dB以上の出力低下が15μ秒以上続いたときに1個
と数えた。周波数特性の測定結果を第4図に、耐久性試
験の結果を第1表に示す。
実施例7〜9および比較例5.6は、47mm径の円盤
状に打ち抜き、センターコアとカートリッジを装着して
ビデオフロッピーディスクの体裁を整えた。これについ
て、市販のスチルビデオプレーヤーを一部改造した測定
器を用いて、周波数特性の測定及び耐久性試験を行った
。周波数特性の測定では、第25トラツクを使用し、記
録電流は、サンプルごと、各測定周波数ごとに最適値を
求め、その電流値を用いた。耐久性試験は、7MHzの
正弦波を記録した後くり返し再生を行い、300万パス
走行後の出力の低下が、初期出力と比較して、3dB以
内をA、3dB以上をBとした。
状に打ち抜き、センターコアとカートリッジを装着して
ビデオフロッピーディスクの体裁を整えた。これについ
て、市販のスチルビデオプレーヤーを一部改造した測定
器を用いて、周波数特性の測定及び耐久性試験を行った
。周波数特性の測定では、第25トラツクを使用し、記
録電流は、サンプルごと、各測定周波数ごとに最適値を
求め、その電流値を用いた。耐久性試験は、7MHzの
正弦波を記録した後くり返し再生を行い、300万パス
走行後の出力の低下が、初期出力と比較して、3dB以
内をA、3dB以上をBとした。
周波数特性の測定結果を第5図に、耐久性試験の結果を
第2表に示す。
第2表に示す。
第1表
第2表
〔発明の効果〕
以E説明したように、本発明はθi、ofを上記のよう
に制限することにより、記録層成膜時における「しわ」
の発生が防止され、かつ媒体の耐久性を向上させる効果
があるのみならず、低周波から高周波まで広い周波数帯
域にわたってスペクトルの分布している信号の記録に対
し、より適した金属薄膜型磁気記録媒体を得ることがで
きる効果がある。
に制限することにより、記録層成膜時における「しわ」
の発生が防止され、かつ媒体の耐久性を向上させる効果
があるのみならず、低周波から高周波まで広い周波数帯
域にわたってスペクトルの分布している信号の記録に対
し、より適した金属薄膜型磁気記録媒体を得ることがで
きる効果がある。
第1図は本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造に用い
る装置の一例を示す模式断面図、第2図は成膜部付近の
粒子束の状態を示す断面図、第3図(a) 、 (b)
は磁気記録媒体の磁化曲線図、第4図(a)、(b)
、第5図は再生出力の周波数特性図である。 1・・・真空槽、 2・・・排気装置、3・
・・非磁性基体、 4・・・巻出しロール、5・・
・中間フリーローラー、6・・・加熱キャン、7・・・
巻取りロール、 8・・・成膜開始詩人射角、 9・・・成膜終了時入射角、 IO・・・遮蔽板、ll
・・・合金ターゲット、 12・・・防着板、13・
・・アルゴン導入パイプ、14・・・開口部、15、1
6−・・法線、 17・・・東向方向に磁場を印加した場合の磁化曲線、 18・・・面内方向に磁場を印加した場合の磁化曲線、 19−・・実施例1,3.比較例2の周波数特性、20
・・・実施例2の周波数特性、 21−・・比較例1の周波数特性、 22・・・実施例4,6.比較例4の周波数特性、23
・・・実施例5の周波数特性、 24・・・比較例3の周波数特性、 25・・・実施例7,9.比較例6の周波数特性、26
・・・実施例8の周波数特性、 27・・・比較例5の周波数特性。 特許出願人 キャノン株式会社
る装置の一例を示す模式断面図、第2図は成膜部付近の
粒子束の状態を示す断面図、第3図(a) 、 (b)
は磁気記録媒体の磁化曲線図、第4図(a)、(b)
、第5図は再生出力の周波数特性図である。 1・・・真空槽、 2・・・排気装置、3・
・・非磁性基体、 4・・・巻出しロール、5・・
・中間フリーローラー、6・・・加熱キャン、7・・・
巻取りロール、 8・・・成膜開始詩人射角、 9・・・成膜終了時入射角、 IO・・・遮蔽板、ll
・・・合金ターゲット、 12・・・防着板、13・
・・アルゴン導入パイプ、14・・・開口部、15、1
6−・・法線、 17・・・東向方向に磁場を印加した場合の磁化曲線、 18・・・面内方向に磁場を印加した場合の磁化曲線、 19−・・実施例1,3.比較例2の周波数特性、20
・・・実施例2の周波数特性、 21−・・比較例1の周波数特性、 22・・・実施例4,6.比較例4の周波数特性、23
・・・実施例5の周波数特性、 24・・・比較例3の周波数特性、 25・・・実施例7,9.比較例6の周波数特性、26
・・・実施例8の周波数特性、 27・・・比較例5の周波数特性。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (2)
- 1.柔軟性の非磁性基体の少くとも一方の側に、前記基
体の温度を80℃以上に保持しながら、物理蒸着法によ
り連続的に記録層を形成する金属薄膜型磁気記録媒体の
製造方法において、前記記録層を形成する際に、蒸着粒
子束の前記非磁性基体に対する入射方向が、前記基体上
の成膜開始端部においては、前記基体の面の法線方向か
ら基体搬送方向前方へ傾斜し、その傾斜角が60度以上
であり、成膜終了端部においては、前記基体面の法線方
向から基体搬送方向に対し後方へ傾斜し、その傾斜角が
45度以下であることを特徴とする金属薄膜型磁気記録
媒体の製造方法。 - 2.形成される記録層が、Co−Cr、Co−V、Co
−Mo、Co−W、Co−Cr−Pd、Co−Cr−M
o、Co−Cr−Rhの中から選ばれる一つの合金、又
は、その合金に添加物を加えた合金よりなる特許請求の
範囲第1項記載の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62323760A JPH01166330A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
US07/287,015 US5000995A (en) | 1987-12-23 | 1988-12-21 | Magnetic recording medium and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62323760A JPH01166330A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01166330A true JPH01166330A (ja) | 1989-06-30 |
Family
ID=18158320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62323760A Pending JPH01166330A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5000995A (ja) |
JP (1) | JPH01166330A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05109046A (ja) * | 1990-12-13 | 1993-04-30 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JPH05101365A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-23 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
JPH05114135A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
US5505993A (en) * | 1992-08-20 | 1996-04-09 | Basf Magnetics Gmbh | Application of a thin metal layer to a polymeric substrate |
US5674637A (en) * | 1993-12-28 | 1997-10-07 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
DE4438675A1 (de) * | 1994-10-29 | 1996-05-02 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Aufdampfen von Schichten auf Folienbänder |
US6251496B1 (en) * | 1997-12-16 | 2001-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium method and apparatus for producing the same |
US7016267B2 (en) | 2001-09-03 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording apparatus having retreatable magnetic head |
JP2004227712A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Canon Inc | 磁気ヘッド支持機構 |
US7989095B2 (en) * | 2004-12-28 | 2011-08-02 | General Electric Company | Magnetic layer with nanodispersoids having a bimodal distribution |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4443826A (en) * | 1980-10-29 | 1984-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-resistive effect type magnetic head |
JPS6194242A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPS61158025A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Canon Inc | 磁気記録媒体 |
CA1307173C (en) * | 1985-05-25 | 1992-09-08 | Morimi Hashimoto | Magnetic recording medium |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP62323760A patent/JPH01166330A/ja active Pending
-
1988
- 1988-12-21 US US07/287,015 patent/US5000995A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5000995A (en) | 1991-03-19 |
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