JPH01162772A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH01162772A JPH01162772A JP32182187A JP32182187A JPH01162772A JP H01162772 A JPH01162772 A JP H01162772A JP 32182187 A JP32182187 A JP 32182187A JP 32182187 A JP32182187 A JP 32182187A JP H01162772 A JPH01162772 A JP H01162772A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
気相成長法によってウェーハの表面に絶縁膜等を形成す
る熱処理装置に関し、 ウェーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極め
て高く、薄膜形成面に塵埃が付着することの無い装置の
提供を目的とし、 気相成長法によってウェーハの表面に薄膜を形成する縦
型の熱処理装置において、基板ホルダ６によって保持さ
れた被処理ウェーハ５の、上方に配置された加熱部７と
下方に配置されたガス出入部８を有し、空間を介し対向
する加熱部７で間接的にウェーハ５を加熱し、且つガス
出入部８からシャワー状に噴出される反応ガスを、ウェ
ーハ５の下面に吹き付け薄膜を形成するように構成する
。
る熱処理装置に関し、 ウェーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極め
て高く、薄膜形成面に塵埃が付着することの無い装置の
提供を目的とし、 気相成長法によってウェーハの表面に薄膜を形成する縦
型の熱処理装置において、基板ホルダ６によって保持さ
れた被処理ウェーハ５の、上方に配置された加熱部７と
下方に配置されたガス出入部８を有し、空間を介し対向
する加熱部７で間接的にウェーハ５を加熱し、且つガス
出入部８からシャワー状に噴出される反応ガスを、ウェ
ーハ５の下面に吹き付け薄膜を形成するように構成する
。
本発明は気相成長法によってウェーハの表面に絶縁膜等
を形成する縦型の熱処理装置に係り、特にウェーハの下
・面に薄膜を形成することを可能にした装置に関する。
を形成する縦型の熱処理装置に係り、特にウェーハの下
・面に薄膜を形成することを可能にした装置に関する。
気相成長法では通常被処理ウェーハの一方の面が加熱さ
れ、他の面には反応ガスがシャワー状に吹き付けられて
いて、反応ガスが吹き付けられた側のウェーハの面に絶
縁膜等の薄膜が形成される。
れ、他の面には反応ガスがシャワー状に吹き付けられて
いて、反応ガスが吹き付けられた側のウェーハの面に絶
縁膜等の薄膜が形成される。
しかし縦型の熱処理装置において被処理ウェーハの下面
を加熱し、上面に薄膜が形成されるように熱処理装置を
構成すると、熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着し薄膜
の特性を劣化させる場合がある。そこで薄膜形成面に塵
埃が付着することの無い熱処理装置の実現が要望されて
いる。
を加熱し、上面に薄膜が形成されるように熱処理装置を
構成すると、熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着し薄膜
の特性を劣化させる場合がある。そこで薄膜形成面に塵
埃が付着することの無い熱処理装置の実現が要望されて
いる。
第３図は従来の熱処理装置を示す側断面図で、第３図（
ａ）はフェイスダウン方式の装置、第３図（ｂ）はフェ
イスアップ方式の装置である。なお矢印はガスの流れを
示す。
ａ）はフェイスダウン方式の装置、第３図（ｂ）はフェ
イスアップ方式の装置である。なお矢印はガスの流れを
示す。
第３図（ａｌに示すフェイスダウン方式の熱処理装置は
、反応室１の上方に配置されたヒータ２と下方に配置さ
れたガス噴射口３を有し、基板ホルダ４によって保持さ
れた被処理ウェーハ５は、上面が直接ヒータ２に当接し
ていて均一に加熱される。
、反応室１の上方に配置されたヒータ２と下方に配置さ
れたガス噴射口３を有し、基板ホルダ４によって保持さ
れた被処理ウェーハ５は、上面が直接ヒータ２に当接し
ていて均一に加熱される。
一方ガス噴射口３は多数個の小孔３１を具えており小孔
３１からシャワー状に噴出された反応ガスは、ウェーハ
５の下面に吹き付けられ後反応室１の底に設けられた排
出口１１から排出される。反応ガスにはソースが含まれ
ておりウェーハ５の下面に絶縁膜等の薄膜が形成される
。
３１からシャワー状に噴出された反応ガスは、ウェーハ
５の下面に吹き付けられ後反応室１の底に設けられた排
出口１１から排出される。反応ガスにはソースが含まれ
ておりウェーハ５の下面に絶縁膜等の薄膜が形成される
。
このように構成されたフェイスダウン方式の熱処理装置
は、薄膜形成面への塵埃の付着が無く特性の優れた薄膜
が形成されるが、ヒータに当接しているウェーハの保持
やハンドリングが困難で作業効率が低いため、−ｍに次
に示すフェイスアップ方式の熱処理装置が用いられてい
る。
は、薄膜形成面への塵埃の付着が無く特性の優れた薄膜
が形成されるが、ヒータに当接しているウェーハの保持
やハンドリングが困難で作業効率が低いため、−ｍに次
に示すフェイスアップ方式の熱処理装置が用いられてい
る。
第３図（ｂ）に示すフェイスアップ方式の熱処理装置は
、反応室１の下方に配置されたヒータ２と上方に配置さ
れたガス噴射口３を有し、ヒータ２に載置された被処理
ウェーハ５の下面は直接ヒータ２に当接していて均一に
加熱される。
、反応室１の下方に配置されたヒータ２と上方に配置さ
れたガス噴射口３を有し、ヒータ２に載置された被処理
ウェーハ５の下面は直接ヒータ２に当接していて均一に
加熱される。
ガス噴射口３の小孔３１からシャワー状に噴出された反
応ガスは、ウェーハ５の上面に吹き付けられ後反応室ｌ
の底に設けられた排出口１１から排出される。反応ガス
にはソースが含まれておりウェーハ５の上面に絶縁膜等
の薄膜が形成される。
応ガスは、ウェーハ５の上面に吹き付けられ後反応室ｌ
の底に設けられた排出口１１から排出される。反応ガス
にはソースが含まれておりウェーハ５の上面に絶縁膜等
の薄膜が形成される。
フェイスアップ方式の熱処理装置は比較的容易にウェー
ハをハンドリングできるが、熱処理中ばウェーハの薄膜
形成面が上向きになっていて塵埃が蓄積しやすく、形成
された薄膜の特性を劣化させるという問題があった。
ハをハンドリングできるが、熱処理中ばウェーハの薄膜
形成面が上向きになっていて塵埃が蓄積しやすく、形成
された薄膜の特性を劣化させるという問題があった。
第１図は本発明になる熱処理装置の原理を示す側断面図
である。なお全図を通し同じ対象物は同一記号で表して
いる。
である。なお全図を通し同じ対象物は同一記号で表して
いる。
ウェーハを上方から加熱し下方から反応ガスを吹き付け
るフェイスダウン方式の熱処理装置は、薄膜形成面への
塵埃の付着が無く特性の優れた薄膜が形成されることが
、従来のフェイスダウン方式の熱処理装置において十分
実証されている。したがってウェーハの保持やハンドリ
ング等を改良することにより、作業効率が高く熱処理中
に薄膜形成面に塵埃が付着しない装置を実現することが
可能である。
るフェイスダウン方式の熱処理装置は、薄膜形成面への
塵埃の付着が無く特性の優れた薄膜が形成されることが
、従来のフェイスダウン方式の熱処理装置において十分
実証されている。したがってウェーハの保持やハンドリ
ング等を改良することにより、作業効率が高く熱処理中
に薄膜形成面に塵埃が付着しない装置を実現することが
可能である。
本発明になる熱処理装置はかかる点に着眼してなされた
もので、上記問題点は気相成長法によってウェーハの表
面に薄膜を形成する縦型の熱処理装置において、基板ホ
ルダ６によって保持された被処理ウェーハ５の、上方に
配置された加熱部７と下方に配置されたガス出入部８を
有し、空間を介し対向する加熱部７で間接的にウェーハ
５を加熱し、且つガス出入部８からシャワー状に噴出さ
れる反応ガスを、ウェーハ５の下面に吹き付け薄膜を形
成する本発明の熱処理装置によって解決される。
もので、上記問題点は気相成長法によってウェーハの表
面に薄膜を形成する縦型の熱処理装置において、基板ホ
ルダ６によって保持された被処理ウェーハ５の、上方に
配置された加熱部７と下方に配置されたガス出入部８を
有し、空間を介し対向する加熱部７で間接的にウェーハ
５を加熱し、且つガス出入部８からシャワー状に噴出さ
れる反応ガスを、ウェーハ５の下面に吹き付け薄膜を形
成する本発明の熱処理装置によって解決される。
第１図において上方に設けられ空間を介し対向する加熱
部で、基板ホルダに保持された被処理ウェーハを間接的
に加熱すると共に、下方に設けられたガス出入部からシ
ャワー状に噴出される反応ガスを吹き付け、ウェーハの
下面に薄膜が形成されるように構成することによって、
ウェーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極め
て高く、しかも熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着する
ことの無い熱処理装置を実現することができる。
部で、基板ホルダに保持された被処理ウェーハを間接的
に加熱すると共に、下方に設けられたガス出入部からシ
ャワー状に噴出される反応ガスを吹き付け、ウェーハの
下面に薄膜が形成されるように構成することによって、
ウェーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極め
て高く、しかも熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着する
ことの無い熱処理装置を実現することができる。
以下添付図により本発明の実施例について説明する。な
お第２図は本発明の一実施例を示す側断面図で矢印はガ
スの流れを示す。
お第２図は本発明の一実施例を示す側断面図で矢印はガ
スの流れを示す。
第１図において基板ホルダ６によって保持された被処理
ウェーハ５の、上方に配置された加熱部７と下方に配置
されたガス出入部８を有し、空間を介し対向する加熱部
７で間接的にウェーハ５を加熱し、且つガス出入部８か
らシャワー状に噴出される反応ガスを、ウェーハ５の下
面に吹き付け薄膜を形成するように熱処理装置を構成し
ている。
ウェーハ５の、上方に配置された加熱部７と下方に配置
されたガス出入部８を有し、空間を介し対向する加熱部
７で間接的にウェーハ５を加熱し、且つガス出入部８か
らシャワー状に噴出される反応ガスを、ウェーハ５の下
面に吹き付け薄膜を形成するように熱処理装置を構成し
ている。
ウェーハを加熱部に当接せしめ直接加熱すると全体が均
一に加熱されるが、空間を介し対向する加熱部でウェー
ハを間接的に加熱すると、加熱部の各部分において発生
される熱のばらつきや外部温度の影響、ガスの流れの不
均一性等によって、ウェーハに温度差が発生し薄膜の膜
厚がばらつく場合がある。そこで本発明になる熱処理装
置では次の対策が講じられている。
一に加熱されるが、空間を介し対向する加熱部でウェー
ハを間接的に加熱すると、加熱部の各部分において発生
される熱のばらつきや外部温度の影響、ガスの流れの不
均一性等によって、ウェーハに温度差が発生し薄膜の膜
厚がばらつく場合がある。そこで本発明になる熱処理装
置では次の対策が講じられている。
即ち加熱部７をヒータ２と熱反射板７１とで構成し、且
つ反応室１を形成するチャンバ１２の側壁に沿って熱反
射板７２を設けることによって、ヒータ２で発生した熱
を熱反射板７１と熱反射板７２とで形成される空間に閉
じ込めている。
つ反応室１を形成するチャンバ１２の側壁に沿って熱反
射板７２を設けることによって、ヒータ２で発生した熱
を熱反射板７１と熱反射板７２とで形成される空間に閉
じ込めている。
またチャンバ１２の上面と側壁に設けられたガス導入口
Ｉ３から反応室１に不活性ガスが導入され、加熱部７と
基板ホルダ６によって保持された被処理ウェーハ５の外
側に、外部温度の影響を遮断する不活性ガスからなる断
熱壁が形成されている。
Ｉ３から反応室１に不活性ガスが導入され、加熱部７と
基板ホルダ６によって保持された被処理ウェーハ５の外
側に、外部温度の影響を遮断する不活性ガスからなる断
熱壁が形成されている。
更にガス噴射口３とその周囲に設けられたガス排出部８
１とでガス出入部８を構成し、ガス噴射口３に設けられ
た多数個の小孔３１から反応ガスを噴出すると共に、ガ
ス排出部８１に設けられた多数個の吸込孔８２から反応
ガスや不活性ガスを一様に排出している。
１とでガス出入部８を構成し、ガス噴射口３に設けられ
た多数個の小孔３１から反応ガスを噴出すると共に、ガ
ス排出部８１に設けられた多数個の吸込孔８２から反応
ガスや不活性ガスを一様に排出している。
このように熱反射板を設けて熱をその内部に閉し込める
と共に、その周囲に不活性ガスからなる断熱壁を形成し
て外部温度の影響を遮断し、且つガスがよどむことな（
ウェーハの周囲を一様に流れるように構成することによ
って、空間を介し対向する加熱部でウェーハを間接的に
加熱しても、ウェーハを均一に加熱することが可能にな
り薄膜の膜厚を均一化することができる。
と共に、その周囲に不活性ガスからなる断熱壁を形成し
て外部温度の影響を遮断し、且つガスがよどむことな（
ウェーハの周囲を一様に流れるように構成することによ
って、空間を介し対向する加熱部でウェーハを間接的に
加熱しても、ウェーハを均一に加熱することが可能にな
り薄膜の膜厚を均一化することができる。
第２図は上記原理に基づいて構成された熱処理装置で、
基板ホルダ６は中心に設けられ回動自在に軸止された回
転軸６１の周囲に、６個のウェーハ５を装着できるウェ
ーハ保持部６２が形成されており、基板ホルダ６の上方
には６個のウェーハ５・さ同時に加熱できる加熱部７が
配設されている。
基板ホルダ６は中心に設けられ回動自在に軸止された回
転軸６１の周囲に、６個のウェーハ５を装着できるウェ
ーハ保持部６２が形成されており、基板ホルダ６の上方
には６個のウェーハ５・さ同時に加熱できる加熱部７が
配設されている。
加熱部７はヒータ２と熱反射板７１とで構成されており
、チャンバ１２の側壁に沿って熱反射＋５，７２が設け
られている。またチャンバ１２の上面と側壁に設けられ
たガス導入口１３から不活性ガスが導入されており、加
熱部７と基板ホルダ６によって保持された被処理ウェー
ハ５の外側に、外部温度の壽響を遮断する不活性ガスか
らなる断熱壁が形成されている。
、チャンバ１２の側壁に沿って熱反射＋５，７２が設け
られている。またチャンバ１２の上面と側壁に設けられ
たガス導入口１３から不活性ガスが導入されており、加
熱部７と基板ホルダ６によって保持された被処理ウェー
ハ５の外側に、外部温度の壽響を遮断する不活性ガスか
らなる断熱壁が形成されている。
一方５個のウェーハ保持部６２に対向するガス出入部８
が基板ホルダ６の下方に設けられており、ガス噴射口３
の小孔からシャワー状に噴出された反応ガスをウェーハ
５に吹き付けると共に、ガス排出部８１に設けられた多
数個の吸込孔から反応ガスや不活性ガスを排出している
。なお図示の如くガス排出部８１から離れた部分におい
て反応室１の底部に、不活性ガスの排出口を設けること
はガスのよどみを無くす上で有効である。
が基板ホルダ６の下方に設けられており、ガス噴射口３
の小孔からシャワー状に噴出された反応ガスをウェーハ
５に吹き付けると共に、ガス排出部８１に設けられた多
数個の吸込孔から反応ガスや不活性ガスを排出している
。なお図示の如くガス排出部８１から離れた部分におい
て反応室１の底部に、不活性ガスの排出口を設けること
はガスのよどみを無くす上で有効である。
そして昇降機構９１と移送機構９２からなるハンドリン
グ機構９が、ガス出入部８の設けられていない１個のウ
ェーハ保持部６２に対向して設けられており、昇降機構
９１が上昇して処理済みのウェーハ５を持ち上げると、
移送機構９２の先端がそれを把持し反応室１の外部に移
送する。また移送機構９２の先端に把持され反応室１に
移送された処理前のウェーハ５は、昇降機構９１の上に
載置され昇降機構９１を下降させることによってウェー
ハ保持部６２に装着される。
グ機構９が、ガス出入部８の設けられていない１個のウ
ェーハ保持部６２に対向して設けられており、昇降機構
９１が上昇して処理済みのウェーハ５を持ち上げると、
移送機構９２の先端がそれを把持し反応室１の外部に移
送する。また移送機構９２の先端に把持され反応室１に
移送された処理前のウェーハ５は、昇降機構９１の上に
載置され昇降機構９１を下降させることによってウェー
ハ保持部６２に装着される。
ハンドリング機構９によってウェーハ５を移送している
間も、ガス出入部８に対向しているウェーハ５に薄膜が
形成されており、処理前のウェーハ５が回転軸６１の回
転により反応室１の内部を一巡してくる間に、所定の膜
厚を有する薄膜がウェーハ５の下面に形成され、ハンド
リング機構９によって反応室１の外に取り出される。な
おハンドリング機構９によってウェーハ５を移送してい
る間は反応ガスの噴出を停止し、ガス出入部８に対向す
る全ての位置にウェーハ５が送り込まれた後、−斉に反
応ガスを噴出させてガス出入部８に対向する５個のウェ
ーハ５に、同時に所定の膜厚を有する薄膜を形成するこ
とも可能である。
間も、ガス出入部８に対向しているウェーハ５に薄膜が
形成されており、処理前のウェーハ５が回転軸６１の回
転により反応室１の内部を一巡してくる間に、所定の膜
厚を有する薄膜がウェーハ５の下面に形成され、ハンド
リング機構９によって反応室１の外に取り出される。な
おハンドリング機構９によってウェーハ５を移送してい
る間は反応ガスの噴出を停止し、ガス出入部８に対向す
る全ての位置にウェーハ５が送り込まれた後、−斉に反
応ガスを噴出させてガス出入部８に対向する５個のウェ
ーハ５に、同時に所定の膜厚を有する薄膜を形成するこ
とも可能である。
このように上方に設けられ空間を介し対向する加熱部で
、基板ホルダに保持された被処理ウェーハを間接的に加
熱すると共に、下方に設けられたガス出入部からシャワ
ー状に噴出される反応ガスを吹き付け、ウェーハの下面
に薄膜が形成されるように構成することによって、ウェ
ーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極めて高
く、しかも熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着すること
の無い熱処理装置を実現することができる。またヒータ
とガス噴射口の間に高周波を印加することによって、プ
ラズマ気相成長用の熱処理装置を構成することも可能で
ある。
、基板ホルダに保持された被処理ウェーハを間接的に加
熱すると共に、下方に設けられたガス出入部からシャワ
ー状に噴出される反応ガスを吹き付け、ウェーハの下面
に薄膜が形成されるように構成することによって、ウェ
ーハの保持やハンドリングが容易で作業効率が極めて高
く、しかも熱処理中に薄膜形成面に塵埃が付着すること
の無い熱処理装置を実現することができる。またヒータ
とガス噴射口の間に高周波を印加することによって、プ
ラズマ気相成長用の熱処理装置を構成することも可能で
ある。
上述の如く本発明によればウェーハの保持やハンドリン
グが容易で作業効率が極めて高く、薄膜形成面に塵埃が
付着することの無い装置を提供することができる。
グが容易で作業効率が極めて高く、薄膜形成面に塵埃が
付着することの無い装置を提供することができる。
第１図は本発明になる熱処理装置の原理を示す側断面図
、 第２図は本発明の一実施例を示す側断面図、第３図は従
来の熱処理装置を示す側断面図、である。図において １は反応室、 ２はヒータ、３はガス噴射口
、 ５はウェーハ、６は基板ホルダ、 ７は加
熱部、 ８はガス出入部、 ９はハンドリング機構、１２
はチャンバ、 １３はガス導入口、３１は小孔、
６１は回転軸、６２はウェーハ保持部、
７１．７２は熱反射板、８１はガス排出部、 ８２
は吸込孔、９１は昇降機構、 ９２は移送機構、
をそれぞれ表す。 菓１ 図 第Ｚ＋ａ 第３７
、 第２図は本発明の一実施例を示す側断面図、第３図は従
来の熱処理装置を示す側断面図、である。図において １は反応室、 ２はヒータ、３はガス噴射口
、 ５はウェーハ、６は基板ホルダ、 ７は加
熱部、 ８はガス出入部、 ９はハンドリング機構、１２
はチャンバ、 １３はガス導入口、３１は小孔、
６１は回転軸、６２はウェーハ保持部、
７１．７２は熱反射板、８１はガス排出部、 ８２
は吸込孔、９１は昇降機構、 ９２は移送機構、
をそれぞれ表す。 菓１ 図 第Ｚ＋ａ 第３７
Claims (4)
- （１）気相成長法によってウェーハの表面に薄膜を形成
する縦型の熱処理装置において、 基板ホルダ（６）によって保持された被処理ウェーハ（
５）の、上方に配置された加熱部（７）と下方に配置さ
れたガス出入部（８）を有し、 空間を介し対向する該加熱部（７）で間接的に該ウェー
ハ（５）を加熱し、且つ該ガス出入部（８）からシャワ
ー状に噴出される反応ガスを、該ウェーハ（５）の下面
に吹き付け薄膜を形成することを特徴とした熱処理装置
。 - （２）加熱部（７）の周囲に熱反射板（７１、７２）を
設けると共に、該加熱部（７）と基板ホルダ（６）によ
って保持された被処理ウェーハ（５）の外側に、不活性
ガスからなる断熱壁を形成することによって、温度分布
の均一化を図った特許請求の範囲第１項記載の熱処理装
置。 - （３）ガス噴射口（３）とガス排出部（８１）とでガス
出入部（８）を形成し、該ガス噴射口（３）を中央部に
配置すると共にその周囲に該ガス排出部（８１）を設け
、ウェーハ（５）近傍のガスのよどみを無くした特許請
求の範囲第１項記載の熱処理装置。 - （４）回動自在に軸止された回転軸（６１）を有する基
板ホルダ（６）に、ハンドリング機構（９）を用いて処
理前のウェーハ（５）を装着し、且つ該ハンドリング機
構（９）を用いて該基板ホルダ（６）から、処理済のウ
ェーハ（５）を取り出す特許請求の範囲第１項記載の熱
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32182187A JPH07116610B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32182187A JPH07116610B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162772A true JPH01162772A (ja) | 1989-06-27 |
| JPH07116610B2 JPH07116610B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=18136795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32182187A Expired - Fee Related JPH07116610B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116610B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422139A (en) * | 1990-04-12 | 1995-06-06 | Balzers Aktiengesellschaft | Method for a reactive surface treatment of a workpiece and a treatment chamber for practicing such method |
| EP1143034A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrates |
| US6511577B1 (en) * | 1998-04-13 | 2003-01-28 | Tokyo Electron Limited | Reduced impedance chamber |
| JP2008227033A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| CN102337517A (zh) * | 2011-05-03 | 2012-02-01 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积反应室 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP32182187A patent/JPH07116610B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422139A (en) * | 1990-04-12 | 1995-06-06 | Balzers Aktiengesellschaft | Method for a reactive surface treatment of a workpiece and a treatment chamber for practicing such method |
| US6511577B1 (en) * | 1998-04-13 | 2003-01-28 | Tokyo Electron Limited | Reduced impedance chamber |
| EP1143034A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrates |
| JP2008227033A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| CN102337517A (zh) * | 2011-05-03 | 2012-02-01 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积反应室 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07116610B2 (ja) | 1995-12-13 |
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