JPH01162762A - Sputtering device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、スパッタリング装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a sputtering device.
（従来の技術）
半導体製造において、半導体ウェハ上へ高融点金属ある
いはこの高融点金属の珪化物等の合金膜を形成する装置
として、例えば圧力がｌＯ′−３〜１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程
度の雰囲気のアルゴンガス中で、２つの電極間に電圧を
印加してアルゴンプラズマを発生させ、このアルゴンプ
ラズマでターゲットをスパッタし、半導体ウェハ上に合
金膜を被着形成させるスパッタリング装置が使用されて
いる。(Prior Art) In semiconductor manufacturing, equipment for forming a film of a high melting point metal or an alloy film of a silicide of this high melting point metal on a semiconductor wafer is used, for example, in an argon atmosphere at a pressure of about 1O'-3 to 1O-2 Torr. A sputtering apparatus is used that applies a voltage between two electrodes in a gas to generate argon plasma, sputters a target with the argon plasma, and deposits an alloy film on a semiconductor wafer.
そして、このスパッタリング装置に使用するターゲット
の材料としては、半導体素子の動作の高速化等の見地か
ら１例えば被着形成された合金膜の比抵抗が低い高融点
金属シリサイド例えばタングステン・シリサイド（１３
１２） 製のものが多用されている。From the viewpoint of speeding up the operation of semiconductor devices, the material for the target used in this sputtering device is selected from the following ranges: 1. For example, high-melting point metal silicide, which has a low specific resistance for the deposited alloy film, and tungsten silicide (13
12) Many products are used.
そして、このタングステン・シリサイド製のターゲット
は、一般に、タングステン（Ｗ）の粉とシリコン（Ｓｉ
）の粉を高温高圧の雰囲気中にて成型することにより製
作されている。This tungsten silicide target is generally made of tungsten (W) powder and silicon (Si).
) powder in an atmosphere of high temperature and pressure.
また、上記ターゲットの他に、例えば高融点金属にシリ
コンを埋め込んだものとして特開昭５８−１９３３６４
号公報にて開示されたものがある。In addition to the above-mentioned target, for example, as a target in which silicon is embedded in a high melting point metal,
There is one disclosed in the publication No.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前者のターゲットは、その製作において
タングステンとシリコン粒子の分布および粒径が−様に
形成されるように制御するのは難しく、例えばシリコン
の粒子が局部的に大きな粒径をなして残存することがあ
る。この大粒径のシリコンがターゲットに存在すると次
に述べるような問題がある。(Problem to be Solved by the Invention) However, in the production of the former target, it is difficult to control the distribution and particle size of tungsten and silicon particles so that they are formed in a uniform manner. It may remain as a large particle size. If this large particle size silicon is present in the target, there will be problems as described below.
第３図（ａ）において、ターゲット■のスパッタ面■と
平行に磁界Ｈ■、垂直に電界Ｅ（イ）をかけてスパッタ
リングを行う際に、仮に上記ターゲット■が均一な比抵
抗を有するものであれば、上記電界Ｅに）はスパッタ面
■に−様な分布をもって入る。In Fig. 3(a), when performing sputtering by applying a magnetic field H■ parallel to the sputtering surface ■ of the target ■ and an electric field E (A) perpendicular to the sputtering surface ■, suppose that the target ■ has a uniform resistivity. If there is, the electric field (E) enters the sputtering surface (2) with a --like distribution.
しか、し、大粒径のシリコン■がターゲット■のスパッ
タ面■に存在すると、ターゲットω中のタングステン・
シリサイド■の比抵抗に比べて上記大粒径のシリコン（
５）の比抵抗が大きいので電界Ｅに）は上記大粒径のシ
リコン０には入りにくく、第３図（ａ） （ｂ）に示す
ようにこの大粒径のシリコン■近傍の比抵抗のより低い
タングステン・シリサイド■に集中して入るようになる
。However, if large grain size silicon ■ exists on the sputtering surface ■ of target ■, tungsten and
Compared to the specific resistance of silicide ■, the silicon with the large particle size mentioned above (
Since the resistivity of 5) is large, the electric field E) is difficult to enter the silicon 0 of the large grain size, and as shown in Figure 3 (a) and (b), the resistivity of the silicon 2 of this large grain size is small. Concentrates on lower tungsten silicide■.
そして、この電界Ｅりが集中したタングステン・シリサ
イド■の部分に異常放電が発生し、ターゲット■の一部
分が剥れて異物としてスパッタリング装置内を浮遊して
半導体ウェハ（図示せず）に異物として付着する。Then, an abnormal discharge occurs in the part of the tungsten silicide (■) where this electric field E is concentrated, and a part of the target (■) peels off and floats in the sputtering equipment as a foreign object, adhering to the semiconductor wafer (not shown) as a foreign object. do.
一方、後者においては、異常放電は発生しないがターゲ
ット基材にシリコンを埋め込むものであるため製作が複
雑になる。On the other hand, in the latter case, although abnormal discharge does not occur, manufacturing is complicated because silicon is embedded in the target base material.
本発明は上述の従来事情に対処してなされたもので、タ
ーゲットでの異常放電が発生せず、安価に製作できるタ
ーゲットを備えたスパッタリング装置を提供しようとす
るものである。The present invention has been made in response to the above-mentioned conventional situation, and it is an object of the present invention to provide a sputtering apparatus equipped with a target that does not cause abnormal discharge at the target and can be manufactured at low cost.
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、スパッタ用ターゲットとして少なく
ともシリコンを含むスパッタ材料を用いたスパッタリン
グ装置において、上記シリコンは不純物がドープされた
シリコンであることを特徴とする。(Means for Solving the Problems) That is, the present invention is a sputtering apparatus using a sputtering material containing at least silicon as a sputtering target, characterized in that the silicon is silicon doped with impurities.
（作 用）
本発明スパッタリング装置では、スパッタ用ターゲット
として、不純物がドープされた比抵抗の低いシリコンを
含む材料を用いたので、上記ターゲットでの異常放電は
発生せず、かつターゲットを安価に製作できる。(Function) In the sputtering apparatus of the present invention, a material containing impurity-doped silicon with low resistivity is used as the sputtering target, so abnormal discharge does not occur in the target and the target can be manufactured at low cost. can.
（実施例）
以下、本発明スパッタリング装置の一実施例を図面を参
照して説明する。(Example) Hereinafter, an example of the sputtering apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
処理室（１１）の底部には１例えば円筒状に形成された
スパッタガン部（１２）が溶接その他の手段により気密
に取着されている。A sputter gun section (12) formed, for example, in a cylindrical shape is airtightly attached to the bottom of the processing chamber (11) by welding or other means.
このスパッタガン部（１２）内の下部には、スパッタガ
ン部（１２）の中心部を軸にする如く環状に巻かれた励
磁コイル（１３）が内蔵されており、この励磁コイル（
１３）は励磁コイル電源（１４）に接続されている。An excitation coil (13) wound annularly around the center of the sputter gun section (12) is built into the lower part of the sputter gun section (12).
13) is connected to an exciting coil power source (14).
次に、上記スパッタガン部（１２）の上部には環状に溝
（１５）が形成され、この溝（１５）の外側部分内側部
分は、励磁コイル（１３）によって発生した磁界により
、それぞれ外側磁極（１６）内側磁極（１７）として作
用すると共に、プラズマ発生用の第１の電極（１８）と
して機能する如く磁性体により構成されている。Next, an annular groove (15) is formed in the upper part of the sputtering gun section (12), and the outer and inner portions of the groove (15) are activated by the magnetic field generated by the excitation coil (13) to form outer magnetic poles, respectively. (16) It is made of a magnetic material so as to function as an inner magnetic pole (17) and as a first electrode (18) for plasma generation.
また、溝（１５）内には、環状に形成されたターゲット
（１９）を備えたプラズマ発生用の第２の電極（２０）
が、第１の電極（１８）とは絶縁した状態で配置されて
いる。Further, in the groove (15), a second electrode (20) for plasma generation is provided with a target (19) formed in an annular shape.
is arranged in a state insulated from the first electrode (18).
ここで、上記ターゲット（１９）について説明する６タ
ーゲツト（１９）の材料として、例えばタングステン（
Ｗ）とシリコン（ＳＬ）を使用する。先ず、粉末状に粉
砕したシリコンに例えば熱拡散等の処理手段により燐（
Ｐ）あるいはホウ素（Ｂ）等の不純物をドープし、ドー
プ後の上記シリコンの比抵抗が１Ω−■程度以下になる
ように低抵抗化しておく。Here, for example, tungsten (
W) and silicon (SL) are used. First, phosphorus (
The silicon is doped with an impurity such as P) or boron (B) to lower the resistance so that the specific resistance of the silicon after doping is approximately 1Ω-■ or less.
次に、高融点金属であるタングステンを粉末状に粉砕し
たものと、上記ドープ後の粉末状のシリコンとを混合し
、高温高圧下の雰囲気中にて焼結させて、所定の形状例
えば平板で環状の、タングステン・シリサイド（１１ｓ
ｉ２）からなるターゲット（１９）を成型して作る。Next, pulverized tungsten, which is a high-melting point metal, is mixed with the doped powdered silicon and sintered in an atmosphere under high temperature and pressure to form a predetermined shape, such as a flat plate. Annular, tungsten silicide (11s
A target (19) consisting of i2) is made by molding.
次に、上記第１の電極（１８）と第２の電極（２０）は
処理室（１１）外に設けられるスパッタ電源（２１）に
接続されている。Next, the first electrode (18) and the second electrode (20) are connected to a sputtering power source (21) provided outside the processing chamber (11).
一方、処理室（１１）内の上方部には、加熱機構（図示
せず）を備え、半導体ウェハ（２２）をスパッタガン部
（１２）に対向保持する如く例えば円板上のサセプタ（
２３）が吊設されている。On the other hand, a heating mechanism (not shown) is provided in the upper part of the processing chamber (11), and a susceptor (not shown) on a disk, for example, is provided to hold the semiconductor wafer (22) facing the sputtering gun part (12).
23) is suspended.
さらに°、処理室（１１）の側壁を介して、処理室（１
１）内を所定の圧力に減圧するための真空ポンプ（２４
）、処理室（１１）内の真空度を表示する真空ゲージ（
２５）、処理室（１１）内にプラズマ発生用のガス例え
ばアルゴン（Ａｒ）ガスを導入するための主ガス導入源
（２６）が接続されてスパッタリング装置が構成されて
いる。Furthermore, the process chamber (11) is
1) A vacuum pump (24) to reduce the internal pressure to a predetermined pressure.
), a vacuum gauge (
25) A main gas introduction source (26) for introducing a plasma generation gas such as argon (Ar) gas into the processing chamber (11) is connected to constitute a sputtering apparatus.
次に動作を説明する。Next, the operation will be explained.
先ず、搬送機構（図示せず）等により半導体ウェハ（２
２）を処理室（１１）内に搬入し、サセプタ（２３）に
より半導体ウェハ（２２）を保持する０次に真空ポンプ
（２４）を作動させて排気し、また半導体ウェハ（２２
）が所定の温度となるように加熱する０次に、主ガス導
入源（２６）からアルゴンガスを導入し、真空ゲージ（
２５）の表示が１０−３〜１０−” Ｔｏｒｒ程度とな
るように処理室（１１）内を減圧状態に保つ。First, a semiconductor wafer (two
2) into the processing chamber (11), the semiconductor wafer (22) is held by the susceptor (23), and the vacuum pump (24) is operated to exhaust the semiconductor wafer (22).
) is heated to a predetermined temperature.Next, argon gas is introduced from the main gas introduction source (26), and the vacuum gauge (
The inside of the processing chamber (11) is kept in a reduced pressure state so that the display of 25) is about 10-3 to 10-'' Torr.
そして、励磁コイル電源（１４）により励磁コイル（１
３）に電流を流してスパッタガン部（旦）を磁化し、例
えば内側磁極（１７）をＮ極、外側磁極（１６）をＳ極
となるように磁化する。The exciting coil (1) is then powered by the exciting coil power source (14).
3) to magnetize the sputtering gun section by passing a current through the sputtering gun so that, for example, the inner magnetic pole (17) becomes the north pole and the outer magnetic pole (16) becomes the south pole.
また、スパッタ電源（２１）により、例えば第１の電極
（１８）を陽極、ターゲット（１９）を備えた第２の電
極（２０）を陰極として０．５〜ＩＫＶ程度の直流電圧
を印加してプラズマ放電を生起させることによりターゲ
ット（１９）の上面にアルゴンプラズマ（図示せず）を
発生させる。Further, a DC voltage of about 0.5 to IKV is applied using the sputtering power source (21), for example, using the first electrode (18) as an anode and the second electrode (20) provided with the target (19) as a cathode. Argon plasma (not shown) is generated on the upper surface of the target (19) by generating a plasma discharge.
この時、外側磁極（１６）と内側磁極（１７）により形
成された磁界（２７）によってターゲット（１９）上面
に閉じ込められたアルゴンプラズマ（図示せず）のアル
ゴンイオン（図示せず）がターゲット（１９）に衝突し
、ターゲット（１９）から高融点金属あるいはこの高融
点金属の珪化物、例えばスパッタ粒子としてタングステ
ン原子（図示せず）シリコン原子（図示せず）が叩き出
されて処理室（１１）内を飛散して進行し、半導体ウェ
ハ（２２）に被着してシリサイド薄膜を形成する。At this time, the argon ions (not shown) of the argon plasma (not shown) confined on the upper surface of the target (19) by the magnetic field (27) formed by the outer magnetic pole (16) and the inner magnetic pole (17) 19), and a refractory metal or a silicide of the refractory metal, such as tungsten atoms (not shown) and silicon atoms (not shown), are ejected from the target (19) as sputtered particles, and the process chamber (11) ), and adheres to the semiconductor wafer (22) to form a silicide thin film.
そして、上記スパッタは、第２図（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、ターゲット（１９）のスパッタ面（２８）に概ね
平行に磁界Ｈ（２９）を垂直に電界Ｅ （３０）をかけ
た状態で上記ターゲット（１９）をスパッタするのであ
るが、ターゲット（１１）の材料であるタングステン・
シリサイド（３１）中に大粒径のシリコン（３２）が残
存していたとしても、次に述べるような理由により従来
のような異常放電は発生しない。The above sputtering is performed by applying a magnetic field H (29) approximately parallel to the sputtering surface (28) of the target (19) and an electric field E (30) perpendicularly to the sputtering surface (28), as shown in FIGS. 2(a) and (b). In this state, the target (19) is sputtered, and the material of the target (11) is tungsten.
Even if large grain size silicon (32) remains in the silicide (31), abnormal discharge as in the conventional case does not occur for the following reasons.
一般に、上述のようにして形成されたタングステン・シ
リサイド（３１）の比抵抗は概ね数十〜数百μΩ−■程
度、 また不純物がドープされ低抵抗化した大粒径のシ
リコン（３２）の比抵抗は１Ω−ロ程度以下が実現され
ている。In general, the resistivity of the tungsten silicide (31) formed as described above is approximately several tens to several hundreds of μΩ-■, and compared to that of silicon (32), which has a large grain size and is doped with impurities and has a low resistance. The resistance has been realized to be about 1Ω-B or less.
したがって、シリコン（３２）単体の比抵抗を１Ω−ロ
以下にしたターゲツト材を使用すれば、直流マグネトロ
ンスパッタで充分安定したプラズマを発生可能な抵抗領
域であるため、大粒径のシリコン （３２）近傍のタン
グステン又はタングステン・シリサイド境界面（３３）
で、プラズマ不安定になる程度の電界集中がなくなり異
常放電は発生しない。Therefore, if a target material with a specific resistance of silicon (32) of 1 ohm or less is used, this is a resistance range in which sufficiently stable plasma can be generated by direct current magnetron sputtering. Nearby tungsten or tungsten-silicide interface (33)
This eliminates the electric field concentration that would make the plasma unstable, and no abnormal discharge occurs.
故に、ターゲット（１９）が剥れて半導体ウェハ（２２
）に異物として付着することはなく、高品質の膜を形成
することができる。Therefore, the target (19) peels off and the semiconductor wafer (22)
), and a high-quality film can be formed.
なお、タングステン・シリサイド（３１）と不純物をド
ープしたシリコン（３２）の比抵抗が、両者同一のとき
本発明の効果は最大であるが、 １Ω−■以下の範囲内
であれば、実用上支障ない程度の効果が得られる。The effect of the present invention is maximum when the resistivity of tungsten silicide (31) and impurity-doped silicon (32) are the same, but if it is within the range of 1Ω-■ or less, it may be a practical problem. You can get some effect.
また、ターゲット（１９）の材料は、上記実施例の２つ
の材料、タングステンとシリコンに限定されるものでは
なく、比抵抗が１Ω−備程度以下で均−になるのであれ
ば、他の材料、不純物を使用してもよく、また３つ以上
の材料を使用してターゲット（１９）を成型してもよい
のは言うまでもない。Further, the material of the target (19) is not limited to the two materials of the above embodiment, tungsten and silicon, but other materials may be used as long as the specific resistance is equal to or less than 1Ω. It goes without saying that impurities may be used and the target (19) may be formed using three or more materials.
さらに、ターゲット（１９）は成型により作られるので
価格も安価になる。Furthermore, since the target (19) is made by molding, it is also inexpensive.
上述のように１本発明スパッタリング装置では、高品質
の膜を形成することが可能で、またランニングコストを
安くすることができる。As described above, with the sputtering apparatus of the present invention, it is possible to form a high-quality film, and the running cost can be reduced.
第１図は、本発明スパッタリング装置の一実施例を示す
構成図、第２図は第１図の主要部の作用説明図、第３図
は従来例の作用説明図である。
１１・・・処理室、
Ｕ・・・スパッタガン部、
１９・・・ターゲット、
３１・・・タングステン・シリサイド、３２・・・大粒
径のシリコン。
特許出願人 東京エレクトロン株式会社第１図
第２図
（ａ）
第３図
Ｘ ）FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the sputtering apparatus of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of the main parts of FIG. 1, and FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation of a conventional example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Processing chamber, U... Sputter gun part, 19... Target, 31... Tungsten silicide, 32... Large grain size silicon. Patent applicant Tokyo Electron Ltd. Figure 1 Figure 2 (a) Figure 3
Claims (5)
を含むスパッタ材料を用いたスパッタリング装置におい
て、上記シリコンは不純物がドープされたシリコンであ
ることを特徴とするスパッタリング装置。(1) A sputtering apparatus using a sputtering material containing at least silicon as a sputtering target, wherein the silicon is silicon doped with impurities.
範囲第１項記載のスパッタリング装置。(2) The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the impurity is phosphorus.
求の範囲第１項記載のスパッタリング装置。(3) The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the impurity is boron.
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のス
パッタリング装置。(4) The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the sputtering material containing silicon is a sintered body with a metal.
許請求の範囲第４項記載のスパッタリング装置。(5) The sputtering apparatus according to claim 4, wherein the metal is tungsten.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP32105887A JPH0610345B2 (en) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Sputtering equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP32105887A JPH0610345B2 (en) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Sputtering equipment |
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| JPH01162762A true JPH01162762A (en) | 1989-06-27 |
| JPH0610345B2 JPH0610345B2 (en) | 1994-02-09 |
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ID=18128330
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP32105887A Expired - Lifetime JPH0610345B2 (en) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Sputtering equipment |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610345B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0483375A1 (en) * | 1990-05-15 | 1992-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and production thereof |
| JP2003066587A (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Sputtering target and method for producing phase shifting mask blank, and phase shifting mask using the same |
| JP2012007218A (en) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Nihon Ceratec Co Ltd | Sputtering target, manufacturing method therefor, and raw material for target material |
| JP2013192427A (en) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Toyota Motor Corp | Slip ring device |
| CN104775097A (en) * | 2014-09-15 | 2015-07-15 | 厦门映日新材料科技有限公司 | Low-resistivity micro-boron doped rotary sputtering silicon target material and preparation method thereof |
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-
1987
- 1987-12-18 JP JP32105887A patent/JPH0610345B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0483375A1 (en) * | 1990-05-15 | 1992-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and production thereof |
| US5409517A (en) * | 1990-05-15 | 1995-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and method of manufacturing the same |
| JP2003066587A (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Sputtering target and method for producing phase shifting mask blank, and phase shifting mask using the same |
| JP2012007218A (en) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Nihon Ceratec Co Ltd | Sputtering target, manufacturing method therefor, and raw material for target material |
| JP2013192427A (en) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Toyota Motor Corp | Slip ring device |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610345B2 (en) | 1994-02-09 |
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