JPH01161649A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH01161649A JPH01161649A JP62320799A JP32079987A JPH01161649A JP H01161649 A JPH01161649 A JP H01161649A JP 62320799 A JP62320799 A JP 62320799A JP 32079987 A JP32079987 A JP 32079987A JP H01161649 A JPH01161649 A JP H01161649A
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- Japan
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路製造工程中に用いられるイオン
注入装置に関する。
注入装置に関する。
第２図は従来のイオン注入装置の概念図である。
従来のイオン注入装置は第２図に示すように、イオン源
１１と、分析系１２と、収束、走査系１３と、中性粒子
トラップ１５と、荷電粒子測定部１０とを有し、電荷を
持ったイオンのみを計測、利用する構造を持つのが一般
的であった。１６は中性粒子軌道、１７は荷電粒子軌道
、１４はウェハーである。
１１と、分析系１２と、収束、走査系１３と、中性粒子
トラップ１５と、荷電粒子測定部１０とを有し、電荷を
持ったイオンのみを計測、利用する構造を持つのが一般
的であった。１６は中性粒子軌道、１７は荷電粒子軌道
、１４はウェハーである。
上述した従来のイオン注入装置は、電気的に絶縁された
荷電粒子測定部１０を使用し荷電粒子のみを計測利用で
きるよう、荷電粒子経路に静電界を利用した中性粒子ト
ラップ１５を持つ構造をとっていた。
荷電粒子測定部１０を使用し荷電粒子のみを計測利用で
きるよう、荷電粒子経路に静電界を利用した中性粒子ト
ラップ１５を持つ構造をとっていた。
中性粒子トラップを設ける理由は電荷を持たない中性粒
子は、電荷を持たないため、荷電粒子測定部１０で計測
不能となるが、ウェハー１４内に注入された後は中性粒
子も荷電粒子も同様に不純物としての働きをする。すな
わち、中性粒子をトラップしないと、計測不能分が不純
物量の誤差となり。
子は、電荷を持たないため、荷電粒子測定部１０で計測
不能となるが、ウェハー１４内に注入された後は中性粒
子も荷電粒子も同様に不純物としての働きをする。すな
わち、中性粒子をトラップしないと、計測不能分が不純
物量の誤差となり。
正確な注入量制御ができないからである。
一方、従来のように荷電粒子のみで注入した場合、注入
精度上は良いが、どうしてもウェハーが帯電し、ウェハ
ー上のデバイスが電圧で破壊するという欠点があり、重
大な問題となっていた。
精度上は良いが、どうしてもウェハーが帯電し、ウェハ
ー上のデバイスが電圧で破壊するという欠点があり、重
大な問題となっていた。
本発明の目的は前記問題点を解消したイオン注入装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来のイオン注入装置に対し１本発明は従来ト
ラップしていた中性粒子を逆に有効利用するという相違
点を有する。
ラップしていた中性粒子を逆に有効利用するという相違
点を有する。
本発明はイオン源からのイオンビームの総量を測定する
ビーム測定コイルと、イオン源からのイオンビームの中
性化を行うビーム中性化部と、該ビーム中性化部を通過
したイオンビーム中に含まれる荷電粒子量を計測する荷
電粒子測定器と、中性化されたイオンビームをウェハー
に向けて偏向するビーム偏向系と、イオンビームの総量
がら荷電粒子量を差引いて中性化粒子量を□算出する演
算器とを有することを特徴とするイオン注入装置である
。
ビーム測定コイルと、イオン源からのイオンビームの中
性化を行うビーム中性化部と、該ビーム中性化部を通過
したイオンビーム中に含まれる荷電粒子量を計測する荷
電粒子測定器と、中性化されたイオンビームをウェハー
に向けて偏向するビーム偏向系と、イオンビームの総量
がら荷電粒子量を差引いて中性化粒子量を□算出する演
算器とを有することを特徴とするイオン注入装置である
。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、本発明はイオン源７と、分析系８と、
収束、走査系９と、イオンビームの電流に応じた電圧を
発生し、イオン源７からのイオンビームの総量を測定す
るビーム測定コイル１と。
収束、走査系９と、イオンビームの電流に応じた電圧を
発生し、イオン源７からのイオンビームの総量を測定す
るビーム測定コイル１と。
イオンビームの中性化を行うビーム中性化部２と。
イオンビーム中に含まれる荷電粒子量を計測する荷電粒
子測定器５と、荷電粒子を荷電粒子測定器５に向けて偏
向するビーム偏向系３と、荷電されていないイオンビー
ムをウェハー４に向けて導く通路３ａと、イオンビーム
の総量から荷電粒子量を差引いて中性化粒子量を算出す
る演算器（ＣＰＵ） ６とを有する。
子測定器５と、荷電粒子を荷電粒子測定器５に向けて偏
向するビーム偏向系３と、荷電されていないイオンビー
ムをウェハー４に向けて導く通路３ａと、イオンビーム
の総量から荷電粒子量を差引いて中性化粒子量を算出す
る演算器（ＣＰＵ） ６とを有する。
実施例において、イオン源７で発生したイオンビームは
、分析系８、収束、走査系９を通過しビーム測定コイル
１を通過する。この際、イオンビームは荷電粒子の状態
であるので、当然ビーム測定コイル１にはイオンビーム
電流に応じた電圧が発生する。この電圧をイオンビーム
の総量としてＣＰＩＪ ６に送る。次にイオンビームは
ビーム中性化部２を通過する。ここでは、エレクトロン
の供給によるイオンビームの中性化が行われる。中性化
部２を通過したイオンビームは偏向系３に入るが、ここ
で荷電粒子は偏向系３に加えられた静電界に応じて偏向
される。また、完全に中性化された粒子は静電界の影響
を受けないので１通路３ａ内を直進しウェハー４に到達
する。偏向を受けた荷電粒子は荷電粒子測定器５に入り
電流として計測されＣＰＵ ６に信号が送られる。
、分析系８、収束、走査系９を通過しビーム測定コイル
１を通過する。この際、イオンビームは荷電粒子の状態
であるので、当然ビーム測定コイル１にはイオンビーム
電流に応じた電圧が発生する。この電圧をイオンビーム
の総量としてＣＰＩＪ ６に送る。次にイオンビームは
ビーム中性化部２を通過する。ここでは、エレクトロン
の供給によるイオンビームの中性化が行われる。中性化
部２を通過したイオンビームは偏向系３に入るが、ここ
で荷電粒子は偏向系３に加えられた静電界に応じて偏向
される。また、完全に中性化された粒子は静電界の影響
を受けないので１通路３ａ内を直進しウェハー４に到達
する。偏向を受けた荷電粒子は荷電粒子測定器５に入り
電流として計測されＣＰＵ ６に信号が送られる。
ＣＰＵ ６ではイオンビームの総量がわかっているので
、総量から荷電粒子測定器５に入り込んだ電流量を差引
いて中性化粒子の量を算出する、つまり中性ビーム測定
手段として利用できる。こうして、ビーム総量及び荷電
粒子量をモニターすることにより所望の不純物量だけ中
性粒子注入を実行。
、総量から荷電粒子測定器５に入り込んだ電流量を差引
いて中性化粒子の量を算出する、つまり中性ビーム測定
手段として利用できる。こうして、ビーム総量及び荷電
粒子量をモニターすることにより所望の不純物量だけ中
性粒子注入を実行。
制御可能となる。
以上説明したように本発明は電荷を持たない中性粒子の
みを選択的に計測注入することが可能となるので、ウェ
ハーの帯電を防止でき製品の破壊を防ぐ効果がある。
みを選択的に計測注入することが可能となるので、ウェ
ハーの帯電を防止でき製品の破壊を防ぐ効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す概略図、第２図は従来の
イオン注入装置を示す概念図である。 １・・・ビーム測定コイル ２・・・ビーム中性化部
３・・・ビーム偏向系 ４，１４・・・ウェハー５
・・・荷電粒子測定器 ６・・・ＣＰＵ７．１１・・
・イオン源 ８，１２・・・分析系９．１３・・
・収束、走査系 １ｏ・・・荷電粒子測定部１５・・
・中性粒子トラップ １６・・・中性粒子軌道１７・・
・荷電粒子軌道
イオン注入装置を示す概念図である。 １・・・ビーム測定コイル ２・・・ビーム中性化部
３・・・ビーム偏向系 ４，１４・・・ウェハー５
・・・荷電粒子測定器 ６・・・ＣＰＵ７．１１・・
・イオン源 ８，１２・・・分析系９．１３・・
・収束、走査系 １ｏ・・・荷電粒子測定部１５・・
・中性粒子トラップ １６・・・中性粒子軌道１７・・
・荷電粒子軌道
Claims (1)
- （１）イオン源からのイオンビームの総量を測定するビ
ーム測定コイルと、イオン源からのイオンビームの中性
化を行うビーム中性化部と、該ビーム中性化部を通過し
たイオンビーム中に含まれる荷電粒子量を計測する荷電
粒子測定器と、中性化されたイオンビームをウェハーに
向けて偏向するビーム偏向系と、イオンビームの総量か
ら荷電粒子量を差引いて中性化粒子量を算出する演算器
とを有することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62320799A JPH01161649A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62320799A JPH01161649A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161649A true JPH01161649A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18125372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62320799A Pending JPH01161649A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5816661A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Vehicle seat structure |
| JP2005319147A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Kariya Mokuzai Kogyo Kk | 椅子のクッション構造 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62320799A patent/JPH01161649A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5816661A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Vehicle seat structure |
| JP2005319147A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Kariya Mokuzai Kogyo Kk | 椅子のクッション構造 |
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