JPH01157508A - 平面インダクタ - Google Patents
平面インダクタInfo
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- JPH01157508A JPH01157508A JP6226288A JP6226288A JPH01157508A JP H01157508 A JPH01157508 A JP H01157508A JP 6226288 A JP6226288 A JP 6226288A JP 6226288 A JP6226288 A JP 6226288A JP H01157508 A JPH01157508 A JP H01157508A
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、平面インダクタに関する。
(従来の技術)
従来、第13図に示す如く、絶縁層3a、3b、3Cを
交互に介在して2層に亘るスパイラル状導体コイル1a
、1bの両面を強磁性薄帯2 a %2bで挟んだ構造
の平面インダクタか知られている。なお、同図(A)は
、かかる従来の平面インダクタの平面図であり、同図(
B)は、同平面インダクタのA−A線に沿う断面図であ
る。ここで、平面図中に実線及び破線で示すスパイラル
状導体コイル1 a s 1 bは、同スパイラル状導
体コイルla、lbの断面図における中心線の軌跡を示
している。絶縁層3a、3b、3Cは、誘電体等で形成
されている。両スパイラル状導体コイル1as1bは、
スルーホール4を介して電気的に接続されており、夫々
の端部に設けられた端子5a。
交互に介在して2層に亘るスパイラル状導体コイル1a
、1bの両面を強磁性薄帯2 a %2bで挟んだ構造
の平面インダクタか知られている。なお、同図(A)は
、かかる従来の平面インダクタの平面図であり、同図(
B)は、同平面インダクタのA−A線に沿う断面図であ
る。ここで、平面図中に実線及び破線で示すスパイラル
状導体コイル1 a s 1 bは、同スパイラル状導
体コイルla、lbの断面図における中心線の軌跡を示
している。絶縁層3a、3b、3Cは、誘電体等で形成
されている。両スパイラル状導体コイル1as1bは、
スルーホール4を介して電気的に接続されており、夫々
の端部に設けられた端子5a。
5b間にインダクタを構成している。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような平面インダクタのスパイラル
状導体コイルla、lbに電流を流すと、第14図に矢
印で示す如く、磁束6a、5t)は中心部からスルーホ
ール4を境にして互いに逆方向に流れる。その結果、ス
パイラル状導体コイルla、lbの中心部付近と最外側
部付近の2箇所で磁束密度の極めて低い空隙部7a、7
bが存在する。このためインダクタンスが低下する問題
がある。この場合、中心部付近の空隙部7aには、スパ
イラル状導体コイル1a、1bにより集中的に磁場が発
生しているが、最外側部付近の空隙部7bには磁場がほ
とんどないので、インダクタンスの低下は中心部の場合
に比べて遥かに大きい。
状導体コイルla、lbに電流を流すと、第14図に矢
印で示す如く、磁束6a、5t)は中心部からスルーホ
ール4を境にして互いに逆方向に流れる。その結果、ス
パイラル状導体コイルla、lbの中心部付近と最外側
部付近の2箇所で磁束密度の極めて低い空隙部7a、7
bが存在する。このためインダクタンスが低下する問題
がある。この場合、中心部付近の空隙部7aには、スパ
イラル状導体コイル1a、1bにより集中的に磁場が発
生しているが、最外側部付近の空隙部7bには磁場がほ
とんどないので、インダクタンスの低下は中心部の場合
に比べて遥かに大きい。
また、平面インダクタの構成要素であるスパイラル状導
体コイルla、lbや絶縁層3a、3b。
体コイルla、lbや絶縁層3a、3b。
3c及び強磁性薄帯2a’b 2bの接触部を接着させ
る必要があるが、例えば絶縁層3 a % 3 b s
3Cを高分子材料で形成した場合、高分子材料の軟化点
以上の温度で加圧させて各層間を接着させる方法や、各
構成要素の接触部を適当な接着剤で接着させる方法等が
採られている。
る必要があるが、例えば絶縁層3 a % 3 b s
3Cを高分子材料で形成した場合、高分子材料の軟化点
以上の温度で加圧させて各層間を接着させる方法や、各
構成要素の接触部を適当な接着剤で接着させる方法等が
採られている。
しかしながら、強磁性薄帯2 a s 2 bの磁歪が
大きいと隣接する絶縁層3a、3b、3Cとの接着過程
で強磁性薄帯2 a % 2 bの表面に圧縮応力等の
応力が加わり、この応力と磁歪との相互作用により磁気
特性が劣化して実効透磁率が低下する。
大きいと隣接する絶縁層3a、3b、3Cとの接着過程
で強磁性薄帯2 a % 2 bの表面に圧縮応力等の
応力が加わり、この応力と磁歪との相互作用により磁気
特性が劣化して実効透磁率が低下する。
また、完成した平面インダクタを使用する際に強磁性薄
帯2a、2bに歪みが生じると、同様に実効透磁率が変
化しL値が変動することが考えられる。これらの現象は
、実効透磁率が大きい程顕著に現われる。
帯2a、2bに歪みが生じると、同様に実効透磁率が変
化しL値が変動することが考えられる。これらの現象は
、実効透磁率が大きい程顕著に現われる。
また、この平面インダクタにおける磁気回路では、一般
に強磁性薄帯2 a % 2 bの厚さが厚い方が磁気
抵抗は小さくなりインダクタンスは増加するが、全体の
厚さをできるだけ薄くしようとする平面インダクタの目
的とは相反することになる。
に強磁性薄帯2 a % 2 bの厚さが厚い方が磁気
抵抗は小さくなりインダクタンスは増加するが、全体の
厚さをできるだけ薄くしようとする平面インダクタの目
的とは相反することになる。
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、構成
要素の接着に伴うインダクタンスの低下を防止し、かつ
単位体積当りのインダクタンス値の向上を図った平面イ
ンダクタを提供するものである。
要素の接着に伴うインダクタンスの低下を防止し、かつ
単位体積当りのインダクタンス値の向上を図った平面イ
ンダクタを提供するものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、スパイラル状導体コイルの両面を絶縁層を介
して強磁性体層で挟んでなる平面インダクタにおいて、
スパイラル状導体コイルの中心部および/または該スパ
イラル状導体コイルと同一平面上で、かつ、該スパイラ
ル状導体コイルの質が強磁性体層と少なくとも部分的に
接触していることを特徴とする平面インダクタである。
して強磁性体層で挟んでなる平面インダクタにおいて、
スパイラル状導体コイルの中心部および/または該スパ
イラル状導体コイルと同一平面上で、かつ、該スパイラ
ル状導体コイルの質が強磁性体層と少なくとも部分的に
接触していることを特徴とする平面インダクタである。
ここで、強磁性体物質は、強磁性体粉末の集合体または
強磁性体粉末を含む複合体の何れかで構成するのが好ま
しい。
強磁性体粉末を含む複合体の何れかで構成するのが好ま
しい。
また、強磁性体層の磁歪の絶対値は、1×lロー6以下
に設定するのが好ましい。また、強磁性体層の平均厚さ
は4〜20pとすることが好ましい。
に設定するのが好ましい。また、強磁性体層の平均厚さ
は4〜20pとすることが好ましい。
なお、強磁性体層としては、最近注目されている薄帯状
、薄膜状の高透磁率非晶質合金を用いるのが好ましい。
、薄膜状の高透磁率非晶質合金を用いるのが好ましい。
このうちでも、以下の組成のものを用いるのが好ましい
。すなわち、一般式%式%) (ただし、M;Ti5V、Cr、Cu、Zr。
。すなわち、一般式%式%) (ただし、M;Ti5V、Cr、Cu、Zr。
Ni5Nb、Mo5Hf、Ta、W、白金族から選ばれ
る少なくとも1種、 0、O1≦a≦0.10、0≦X≦0.08.0.3≦
b≦0.7、15≦y≦35)にて表わされるものであ
る。
る少なくとも1種、 0、O1≦a≦0.10、0≦X≦0.08.0.3≦
b≦0.7、15≦y≦35)にて表わされるものであ
る。
上記式において、Feは磁歪を0に調整するための元素
である。Mは透磁率の熱安定性を改善するための元素で
あるが、bの値を0.3〜0.7に設定することにより
、熱安定性は改善されるので、Xは0であってもよい。
である。Mは透磁率の熱安定性を改善するための元素で
あるが、bの値を0.3〜0.7に設定することにより
、熱安定性は改善されるので、Xは0であってもよい。
Xを0≦X≦0.08としたのは、Xが0.08を超え
るとキュリー温度が低くなりすぎて実用的でなくなるた
めである。St及びBは非晶質化に必須の元素であるが
、yを15≦y≦35としたのは、yが15未満では熱
安定性−6= か良好でなくなり、yか35を超えるとキュリー温度か
低下して実用的でなくなるためである、SiとBの配合
比すを0.3≦b≦0.7としたのは、この範囲で特に
磁気特性の熱安定性か良好となるからである。
るとキュリー温度が低くなりすぎて実用的でなくなるた
めである。St及びBは非晶質化に必須の元素であるが
、yを15≦y≦35としたのは、yが15未満では熱
安定性−6= か良好でなくなり、yか35を超えるとキュリー温度か
低下して実用的でなくなるためである、SiとBの配合
比すを0.3≦b≦0.7としたのは、この範囲で特に
磁気特性の熱安定性か良好となるからである。
(作用)
本発明にかかる平面インダクタによれば、スパイラル状
導体コイルの中心部および/またはスパイラル状導体コ
イルと同一平面上で、かつ、スパイラル状導体コイルの
外側部よりも外側でスパイラル状導体コイルを囲む領域
に強磁性体物質を設け、強磁性体物質を強磁性体層と少
なくとも部分的に接触させたことにより、スパイラル状
導体コイルの中心部及び外側部における磁気抵抗を減少
させて、単位体積当りのインダクタンスを高めると共に
平面インダクタ全体のインダクタンスの低下を防止する
ことができる。
導体コイルの中心部および/またはスパイラル状導体コ
イルと同一平面上で、かつ、スパイラル状導体コイルの
外側部よりも外側でスパイラル状導体コイルを囲む領域
に強磁性体物質を設け、強磁性体物質を強磁性体層と少
なくとも部分的に接触させたことにより、スパイラル状
導体コイルの中心部及び外側部における磁気抵抗を減少
させて、単位体積当りのインダクタンスを高めると共に
平面インダクタ全体のインダクタンスの低下を防止する
ことができる。
また、強磁性体層の磁歪の絶対値を1×10−6以下に
設定することにより、平面インダクタの各構成要素の接
イq時に生じる応力等によるインダクタンスの低下を防
止できる。
設定することにより、平面インダクタの各構成要素の接
イq時に生じる応力等によるインダクタンスの低下を防
止できる。
また、強磁性体層の平均厚さを4〜20pとすることに
より、単位体積当りのインダクタンス値L/Vの低下を
防止できる。すなわち、強磁性体層の厚さが4p未満で
あると、スパイラル状導体コイルに電流が流れることに
よって生じる磁束かすべて通るのに必要な断面積が得ら
れないために漏れ磁束が多くなり、インダクタンスは著
しく低下し、単位体積当りのインダクタンス値L/Vは
低下する。一方、強磁性体層の厚さが20pを超えると
磁気回路における強磁性体層の断面積はスパイラル状導
体コイルに電流が流れることによって生じる磁束のすべ
てを通ずには十分大きくなり、磁気抵抗は減り、漏れ磁
束は少なくなってインダクタンスは大きくなるが、平面
インダクタンスの体積も増加するので、L/Vはかえっ
て低下する。
より、単位体積当りのインダクタンス値L/Vの低下を
防止できる。すなわち、強磁性体層の厚さが4p未満で
あると、スパイラル状導体コイルに電流が流れることに
よって生じる磁束かすべて通るのに必要な断面積が得ら
れないために漏れ磁束が多くなり、インダクタンスは著
しく低下し、単位体積当りのインダクタンス値L/Vは
低下する。一方、強磁性体層の厚さが20pを超えると
磁気回路における強磁性体層の断面積はスパイラル状導
体コイルに電流が流れることによって生じる磁束のすべ
てを通ずには十分大きくなり、磁気抵抗は減り、漏れ磁
束は少なくなってインダクタンスは大きくなるが、平面
インダクタンスの体積も増加するので、L/Vはかえっ
て低下する。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
実施例1
第1図(A)は、本発明の一実施例の平面インダクタの
平面図、第1図(B)は同実施例の平面インダクタのA
−A線に沿う断面図である。なお、第13図に示した従
来のものと同一部分については、同符号を付している。
平面図、第1図(B)は同実施例の平面インダクタのA
−A線に沿う断面図である。なお、第13図に示した従
来のものと同一部分については、同符号を付している。
この平面インダクタは、絶縁層3a、3 b % 3
cを交互に介在して2層に亘る2個の同形状のスパイラ
ル状導体コイル1 a ’−。
cを交互に介在して2層に亘る2個の同形状のスパイラ
ル状導体コイル1 a ’−。
1bを設けている。夫々のスパイラル状導体コイル1a
、lbの表裏両面側には、これらのスパイラル状導体コ
イル1a、]bの占める面積よりも大きな面積を有する
強磁性薄帯2 a % 2 bが絶縁層3 a % 3
cを介して貼着されている。スパイラル状導体コイル
la、lbの中心部には、強磁性体物質10が強磁性薄
帯2 a % 2 bと接触するようにして設けられて
いる。
、lbの表裏両面側には、これらのスパイラル状導体コ
イル1a、]bの占める面積よりも大きな面積を有する
強磁性薄帯2 a % 2 bが絶縁層3 a % 3
cを介して貼着されている。スパイラル状導体コイル
la、lbの中心部には、強磁性体物質10が強磁性薄
帯2 a % 2 bと接触するようにして設けられて
いる。
ここで、スパイラル状導体コイルla、lbは、例えば
厚さ20pの銅箔にエツチングを施して幅1 mm %
コイル間隔1 mm、コイル巻数10回の2層に亘るコ
イルか使用されている。
厚さ20pの銅箔にエツチングを施して幅1 mm %
コイル間隔1 mm、コイル巻数10回の2層に亘るコ
イルか使用されている。
絶縁層3a、3b、3cは、例えば厚さ20pのポリカ
ーボネートシートが使用されている。
ーボネートシートが使用されている。
強磁性薄帯2a、2bは、例えは単ロール法により作製
した厚さ約16p、幅25mmのCo系非晶質合金リボ
ン(1kHにおける実効透磁率が約1.2 XlO4、
磁歪0かこれに近いもの)から切出して作製した25m
m X 25mmのシートで構成されている。
した厚さ約16p、幅25mmのCo系非晶質合金リボ
ン(1kHにおける実効透磁率が約1.2 XlO4、
磁歪0かこれに近いもの)から切出して作製した25m
m X 25mmのシートで構成されている。
強磁性体物質10は、例えばCo系非晶質合金リボンか
ら切出した2 mm X 2 mmの試片を4〜5枚重
ねたもので構成されている。
ら切出した2 mm X 2 mmの試片を4〜5枚重
ねたもので構成されている。
また、スパイラル状溝体コイルla、]、b等の各構成
要素の組立ては、例えば170°C,5kg/α2の条
件下でこれらの構成要素を約10分間保持することによ
り行う。
要素の組立ては、例えば170°C,5kg/α2の条
件下でこれらの構成要素を約10分間保持することによ
り行う。
このように構成された平面インダクタ(実施例1)の磁
束6の流れは、第2図に矢印で示す通りである。また、
この平面インダクタの周波数特性を調べたところ第3図
に特性線工にて示す結果を得た。
束6の流れは、第2図に矢印で示す通りである。また、
この平面インダクタの周波数特性を調べたところ第3図
に特性線工にて示す結果を得た。
これと比較するために実施例1のものと同様のスパイラ
ル状導体コイル、絶縁層及び強磁性薄帯からなり、スパ
イラル状導体コイルの中心部に強磁性体物質が存在せず
空隙部となった平面インダクタ(比較例1)を作り、同
様に周波数特性を調べたところ第3図に特性線■にて併
記した結果を得た。
ル状導体コイル、絶縁層及び強磁性薄帯からなり、スパ
イラル状導体コイルの中心部に強磁性体物質が存在せず
空隙部となった平面インダクタ(比較例1)を作り、同
様に周波数特性を調べたところ第3図に特性線■にて併
記した結果を得た。
第3図の結果から明らかなように実施例1の平面インダ
クタでは、スパイラル状導体コイル1 a %lbの中
心部の空隙部を強磁性体物質10で埋めて短絡している
ので、比較例1のものに比べて周波数帯の全域に亘って
インダクタンス値が大きく単位体積当りのインダクタン
ス値が改善されて極めて効率のよいものであることが分
った。
クタでは、スパイラル状導体コイル1 a %lbの中
心部の空隙部を強磁性体物質10で埋めて短絡している
ので、比較例1のものに比べて周波数帯の全域に亘って
インダクタンス値が大きく単位体積当りのインダクタン
ス値が改善されて極めて効率のよいものであることが分
った。
また、比較例1の平面インダクタで強磁性薄帯を磁歪が
約8X10−6のFe系非晶質合金で形成した以外は比
較例1と同様の構成を有する比較例2の平面インダクタ
を作製した。この比較例2の平面インダクタを僅かに曲
げるとそのインダクタン、スは約半分に低下した。これ
に対して実施例1の平面インダクタでは、僅かに曲げて
もそのインダクタンスはほとんど変化しなかった。この
ことから実施例1の平面インダクタでは、各構成要素の
接着時の応力や取扱い時の曲げ歪み等によってもインダ
クタンスの値はほとんど変化せず安定したものであるこ
とが分った。
約8X10−6のFe系非晶質合金で形成した以外は比
較例1と同様の構成を有する比較例2の平面インダクタ
を作製した。この比較例2の平面インダクタを僅かに曲
げるとそのインダクタン、スは約半分に低下した。これ
に対して実施例1の平面インダクタでは、僅かに曲げて
もそのインダクタンスはほとんど変化しなかった。この
ことから実施例1の平面インダクタでは、各構成要素の
接着時の応力や取扱い時の曲げ歪み等によってもインダ
クタンスの値はほとんど変化せず安定したものであるこ
とが分った。
実施例2
第4図に示す如く、実施例1の平面インダクタ2個を、
2個のスパイラル状導体コイル1 a slb、1a−
1lb−が同一平面上に近接するように設け、かつその
表裏両面側にはこれらのスパイラル状導体コイルlas
lb、1a−1lb−の占める面積よりも大きな面積
を有する強磁性薄帯2a、2bを絶縁層3a、3cを介
して貼着すると共に、これらのスパイラル状導体コイル
1a、1b%1a−1lb−を、隣接するもの相互間で
逆方向に電流が流れるように電気的に接続してなる実施
例2の平面インダクタを作製した。この平面インダクタ
の周波数特性を調べたところ第5図に特性線1′にて示
す結果を得た。
2個のスパイラル状導体コイル1 a slb、1a−
1lb−が同一平面上に近接するように設け、かつその
表裏両面側にはこれらのスパイラル状導体コイルlas
lb、1a−1lb−の占める面積よりも大きな面積
を有する強磁性薄帯2a、2bを絶縁層3a、3cを介
して貼着すると共に、これらのスパイラル状導体コイル
1a、1b%1a−1lb−を、隣接するもの相互間で
逆方向に電流が流れるように電気的に接続してなる実施
例2の平面インダクタを作製した。この平面インダクタ
の周波数特性を調べたところ第5図に特性線1′にて示
す結果を得た。
これと比較するために実施例2のものと同様のスパイラ
ル状導体コイル、絶縁層及び強磁性薄帯からなり、スパ
イラル状導体コイルの中心部に強磁性体物質が存在せず
空隙部となった平面インダクタ(比較例3)を作り、同
様に周波数特性を調べたところ第5図に特性線■′にて
併記した結果を得た。
ル状導体コイル、絶縁層及び強磁性薄帯からなり、スパ
イラル状導体コイルの中心部に強磁性体物質が存在せず
空隙部となった平面インダクタ(比較例3)を作り、同
様に周波数特性を調べたところ第5図に特性線■′にて
併記した結果を得た。
第5図の結果から明らかなように実施例2の平面インダ
クタでは、比較例3のものに比べて周波数帯の全域に亘
ってインダクタンス値が大きく単位体積当りのインダク
タンス値が改善されていることが分った。
クタでは、比較例3のものに比べて周波数帯の全域に亘
ってインダクタンス値が大きく単位体積当りのインダク
タンス値が改善されていることが分った。
実施例3
第6図に示す如く、強磁性体物質10’を、スパイラル
状導体コイルla、lbと同一平面上で、かつ、スパイ
ラル状導体コイルla、lbの外側部よりも外側でスパ
イラル状導体コイル1 a %1bを囲む領域に設けた
構成以外は比較例1のものと同様にして実施例3の平面
インダクタを作製した。
状導体コイルla、lbと同一平面上で、かつ、スパイ
ラル状導体コイルla、lbの外側部よりも外側でスパ
イラル状導体コイル1 a %1bを囲む領域に設けた
構成以外は比較例1のものと同様にして実施例3の平面
インダクタを作製した。
このように構成された平面インダクタ(実施例3)の磁
束6の流れは、第7図に矢印で示す通りであった。この
平面インダクタの周波数特性を調べたところ第8図に特
性線I“にて示す結果を得た。
束6の流れは、第7図に矢印で示す通りであった。この
平面インダクタの周波数特性を調べたところ第8図に特
性線I“にて示す結果を得た。
これと比較するために実施例3のものと同様のスパイラ
ル状導体コイル、絶縁層及び強磁性薄帯からなり、スパ
イラル状導体コイルの外側部にこれを囲む強磁性物質が
存在せず空隙部となった平面インダクタ(比較例4)を
作り、同様に周波数特性を調べたところ第8図に特性線
■“にて併記した結果を得た。
ル状導体コイル、絶縁層及び強磁性薄帯からなり、スパ
イラル状導体コイルの外側部にこれを囲む強磁性物質が
存在せず空隙部となった平面インダクタ(比較例4)を
作り、同様に周波数特性を調べたところ第8図に特性線
■“にて併記した結果を得た。
第8図の結果から明らかなように実施例3の平面インダ
クタでは、比較例4のものに比べて周波数帯の全域に亘
ってインダクタンス値が大きく単位体積当りのインダク
タンス値が改善されていることが分った。
クタでは、比較例4のものに比べて周波数帯の全域に亘
ってインダクタンス値が大きく単位体積当りのインダク
タンス値が改善されていることが分った。
実施例4
第9図に示す如く、強磁性体物質IO#′を強磁性薄帯
2a、2bの直下の絶縁体層3a、3cを剥離した領域
までに亘って設けた実施例4の平面インダクタを作製し
たところ、実施例3のものよりも更に周波数帯の全域に
亘ってインダクタンス値を大きくして単位体積当りのイ
ンダクタンス値を改善できることが分った。
2a、2bの直下の絶縁体層3a、3cを剥離した領域
までに亘って設けた実施例4の平面インダクタを作製し
たところ、実施例3のものよりも更に周波数帯の全域に
亘ってインダクタンス値を大きくして単位体積当りのイ
ンダクタンス値を改善できることが分った。
実施例5
第10図図示の構成を有する平面インダクタについて、
強磁性薄帯の厚さの影響を調べた。この平面インダクタ
では、スパイラル状導体コイル1a、1bの中心部に強
磁性体物質10か、スパイラル状導体コイル1a、]b
の外側部よりも外側でスパイラル状導体コイル1. a
−、1bを囲む領域に強磁性体物質10″か設けられ
ている。ここで、スパイラル状導体コイルla、:l、
bは厚さ35pの銅箔にエツチングを施したものからな
り、幅0.25mm、線間隔025關、コイル巻数40
回、外寸法2Gmm X 20mmの形状をなし、厚さ
25間のポリイミドフィルムからなる絶縁層3bを介し
て2層に亘って形成され、中央のスルーホールを通して
接続されている。絶縁層3a、3cとしては厚さ]21
1Inのポリイミドフ−]5− ィルムか使用されている。
強磁性薄帯の厚さの影響を調べた。この平面インダクタ
では、スパイラル状導体コイル1a、1bの中心部に強
磁性体物質10か、スパイラル状導体コイル1a、]b
の外側部よりも外側でスパイラル状導体コイル1. a
−、1bを囲む領域に強磁性体物質10″か設けられ
ている。ここで、スパイラル状導体コイルla、:l、
bは厚さ35pの銅箔にエツチングを施したものからな
り、幅0.25mm、線間隔025關、コイル巻数40
回、外寸法2Gmm X 20mmの形状をなし、厚さ
25間のポリイミドフィルムからなる絶縁層3bを介し
て2層に亘って形成され、中央のスルーホールを通して
接続されている。絶縁層3a、3cとしては厚さ]21
1Inのポリイミドフ−]5− ィルムか使用されている。
強磁性薄帯2a、2bとしては単ロール法により作製さ
れ、 (Co 08sFe o、 o6Nt o、 o4Nb
0.02) 75sj lOB+5なる組成を有し、
5〜25ILmの範囲で平均厚さが異なる5種のCo系
非晶質合金リボンから、外寸法が25mm X 25m
mとなるように切出されたものか使用されている。この
Co系非晶質合金の実効透磁率は、2XIO4(1kH
z) 、1xlO’(100kHz)である。
れ、 (Co 08sFe o、 o6Nt o、 o4Nb
0.02) 75sj lOB+5なる組成を有し、
5〜25ILmの範囲で平均厚さが異なる5種のCo系
非晶質合金リボンから、外寸法が25mm X 25m
mとなるように切出されたものか使用されている。この
Co系非晶質合金の実効透磁率は、2XIO4(1kH
z) 、1xlO’(100kHz)である。
スパイラル状導体コイル1a、1bの中心部に設置され
る強磁性体物質10〜としては、」二記組成を有し、平
均厚さが20μsのCo系非晶質合金から、□外寸法が
2 rrvn X 2 mmとなるように切出された薄
帯を6枚重ねたものか使用されている。スパイラル状導
体コイルla、lbの外側部よりも外側に設置される強
磁性体物質10′としては、」二記組成を有し、平均厚
さが20μsのCo系非晶質合金から、内寸法(図中X
で表示)か21. mm、外寸法(図中Yで表示)が2
5mmとなるように切出された枠状の薄帯を6枚重ねた
ものが使用されている。
る強磁性体物質10〜としては、」二記組成を有し、平
均厚さが20μsのCo系非晶質合金から、□外寸法が
2 rrvn X 2 mmとなるように切出された薄
帯を6枚重ねたものか使用されている。スパイラル状導
体コイルla、lbの外側部よりも外側に設置される強
磁性体物質10′としては、」二記組成を有し、平均厚
さが20μsのCo系非晶質合金から、内寸法(図中X
で表示)か21. mm、外寸法(図中Yで表示)が2
5mmとなるように切出された枠状の薄帯を6枚重ねた
ものが使用されている。
これらと比較するために、スパイラル状導体コイル1a
、1bの中心部及び外側部よりも外側に強磁性体物質1
0.10″′を設置していない以外は、」二記と同様の
構成を有し、強磁性薄帯2a、2bの平均厚さが異なる
5種の平面インダクタ(比較例5)を作製した。
、1bの中心部及び外側部よりも外側に強磁性体物質1
0.10″′を設置していない以外は、」二記と同様の
構成を有し、強磁性薄帯2a、2bの平均厚さが異なる
5種の平面インダクタ(比較例5)を作製した。
得られた各構造の平面インダクタについて、インダクタ
ンス(L)の強磁性薄帯2a、2b厚さに対する依存性
を第11図に、また単位体積当りのインダクタンス値(
L/V)の強磁性情TH2a %2b厚さに対する依存
性を第12図にそれぞれ示す。
ンス(L)の強磁性薄帯2a、2b厚さに対する依存性
を第11図に、また単位体積当りのインダクタンス値(
L/V)の強磁性情TH2a %2b厚さに対する依存
性を第12図にそれぞれ示す。
なお、第11図及び第12図中、実線は実施例5の平面
インダクタについての、破線は比較例5の平面インダク
タについての結果を示す。
インダクタについての、破線は比較例5の平面インダク
タについての結果を示す。
N1.1図及び第12図から、強磁性体物質10、IO
“′を設けているか否かにかかわらず、Lは強磁性薄帯
2a、2bの平均厚さが増すにつれて増加する傾向にあ
るか、L/Vは強磁性薄帯2 a % 2 bの平均厚
さが10〜15ρの付近で最大値をとることが分る。そ
して、スパイラル状導体コイルla。
“′を設けているか否かにかかわらず、Lは強磁性薄帯
2a、2bの平均厚さが増すにつれて増加する傾向にあ
るか、L/Vは強磁性薄帯2 a % 2 bの平均厚
さが10〜15ρの付近で最大値をとることが分る。そ
して、スパイラル状導体コイルla。
1bの中心部及び外側部に強磁性体物質10.10″を
設けた場合には、これらを設けていない場合よりも、L
及びL/Vともにはるかに大きくなっている。第11図
及び第12図の結果から、強磁性薄帯2a、2bの厚さ
は4〜20pの範囲であるか望ましく、特に10〜15
pの範囲がより望ましいことが分る。
設けた場合には、これらを設けていない場合よりも、L
及びL/Vともにはるかに大きくなっている。第11図
及び第12図の結果から、強磁性薄帯2a、2bの厚さ
は4〜20pの範囲であるか望ましく、特に10〜15
pの範囲がより望ましいことが分る。
なお、第11図及び第12図に示したような結果は、実
施例2(第4図図示)の平面インダクタ、すなわちスパ
イラル状導体コイルを2個同−平面」二に並べ、これら
コイルに互いに逆方向に電流か流れるように電気的に接
続したものでも同様に得られることか確認された。
施例2(第4図図示)の平面インダクタ、すなわちスパ
イラル状導体コイルを2個同−平面」二に並べ、これら
コイルに互いに逆方向に電流か流れるように電気的に接
続したものでも同様に得られることか確認された。
[発明の効果]
以上詳述した如く、本発明に係る平面インダクタによれ
ば、構成要素の接着に伴うインダクタンスの低下を防止
し、かつ単位体積当りのインダクタンス値を向上させる
ことができるものである。
ば、構成要素の接着に伴うインダクタンスの低下を防止
し、かつ単位体積当りのインダクタンス値を向上させる
ことができるものである。
18−一
第1図(A)は本発明の実施例1の平面インダクタの平
面図、第1図(B)は同実施例1の平面インダクタのA
−A線に沿う断面図、第2図は同実施例1の平面インダ
クタの磁束の流れを示す説明図、第3図は実施例1及び
比較例1の平面インダクタのインダクタンスと周波数と
の関係を示す特性図、第4図(A)は本発明の実施例2
の平面インダクタの平面図、第4図(B)は同実施例2
の平面インダクタのA−A線に沿う断面図、第5図は実
施例2及び比較例3の平面インダクタのインダクタンス
と周波数との関係を示す特性図、第6図(A)は本発明
の説明に用いるための実施例3の平面インダクタの平面
図、第6図(B)は同実施例3の平面インダクタのA−
A線に沿う断面図、第7図は同実施例3の平面インダク
タの磁束の流れを示す説明図、第8図は実施例3及び比
較例4の平面インダクタのインダクタンスと周波数との
関係を示す特性図、第9図(A)は本発明の実施例4の
平面インダクタの平面図、第9図(B)は同実施例4の
平面インダクタのA−A線に沿う断面図、第10図(A
)は本発明の実施例5の平面インダクタの平面図、第1
0図(B)は同実施例4の平面インダクタのA−A線に
沿う断面図、第11図は実施例5及び比較例5の平面イ
ンダクタのインダクタンスと強磁性薄帯の平均厚さとの
関係を示す特性図、第12図は実施例5及び比較例5の
平面インダクタの単位体積当りのインダクタンス(L/
V)と強磁性薄帯の平均厚さとの関係を示す特性図、第
13図(A)は従来の平面インダクタの平面図、第13
図(B)は同従来の平面インダクタのA−A線に沿う断
面図、第14図は同従来の平面インダクタの磁束の流れ
を示す説明図である。 la、1a−1lb、lb−・−スパイラル状導体コイ
ル、2 a % 2 b・・・強磁性薄帯、3 a %
3b、3c・・・絶縁層、4・・・スルーホール、5
a %5a−15b、5b−・・・端子、6・・・磁束
の流れ、10、IIN、10“、IO#・・・強磁性体
物質。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
面図、第1図(B)は同実施例1の平面インダクタのA
−A線に沿う断面図、第2図は同実施例1の平面インダ
クタの磁束の流れを示す説明図、第3図は実施例1及び
比較例1の平面インダクタのインダクタンスと周波数と
の関係を示す特性図、第4図(A)は本発明の実施例2
の平面インダクタの平面図、第4図(B)は同実施例2
の平面インダクタのA−A線に沿う断面図、第5図は実
施例2及び比較例3の平面インダクタのインダクタンス
と周波数との関係を示す特性図、第6図(A)は本発明
の説明に用いるための実施例3の平面インダクタの平面
図、第6図(B)は同実施例3の平面インダクタのA−
A線に沿う断面図、第7図は同実施例3の平面インダク
タの磁束の流れを示す説明図、第8図は実施例3及び比
較例4の平面インダクタのインダクタンスと周波数との
関係を示す特性図、第9図(A)は本発明の実施例4の
平面インダクタの平面図、第9図(B)は同実施例4の
平面インダクタのA−A線に沿う断面図、第10図(A
)は本発明の実施例5の平面インダクタの平面図、第1
0図(B)は同実施例4の平面インダクタのA−A線に
沿う断面図、第11図は実施例5及び比較例5の平面イ
ンダクタのインダクタンスと強磁性薄帯の平均厚さとの
関係を示す特性図、第12図は実施例5及び比較例5の
平面インダクタの単位体積当りのインダクタンス(L/
V)と強磁性薄帯の平均厚さとの関係を示す特性図、第
13図(A)は従来の平面インダクタの平面図、第13
図(B)は同従来の平面インダクタのA−A線に沿う断
面図、第14図は同従来の平面インダクタの磁束の流れ
を示す説明図である。 la、1a−1lb、lb−・−スパイラル状導体コイ
ル、2 a % 2 b・・・強磁性薄帯、3 a %
3b、3c・・・絶縁層、4・・・スルーホール、5
a %5a−15b、5b−・・・端子、6・・・磁束
の流れ、10、IIN、10“、IO#・・・強磁性体
物質。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (3)
- (1)スパイラル状導体コイルの両面を絶縁層を介して
強磁性体層で挟んでなる平面インダクタにおいて、スパ
イラル状導体コイルの中心部および/または該スパイラ
ル状導体コイルと同一平面上で、かつ、該スパイラル状
導体コイルの外側部よりも外側で該スパイラル状導体コ
イルを囲む領域に強磁性体物質が存在していることを特
徴とする平面インダクタ。 - (2)強磁性体層の磁歪の絶対値が、1×10^−^6
以下であることを特徴とする請求項(1)記載の平面イ
ンダクタ。 - (3)強磁性体層の平均厚さが4〜20μmであること
を特徴とする請求項(1)記載の平面インダクタ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6226288A JPH01157508A (ja) | 1987-09-29 | 1988-03-16 | 平面インダクタ |
US07/250,401 US4959631A (en) | 1987-09-29 | 1988-09-28 | Planar inductor |
EP88309056A EP0310396B1 (en) | 1987-09-29 | 1988-09-29 | Planar inductor |
DE3854177T DE3854177T2 (de) | 1987-09-29 | 1988-09-29 | Planarspule. |
KR1019880012666A KR910003292B1 (ko) | 1987-09-29 | 1988-09-29 | 평면인덕터 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24547387 | 1987-09-29 | ||
JP62-245473 | 1987-09-29 | ||
JP6226288A JPH01157508A (ja) | 1987-09-29 | 1988-03-16 | 平面インダクタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01157508A true JPH01157508A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=26403330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6226288A Pending JPH01157508A (ja) | 1987-09-29 | 1988-03-16 | 平面インダクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01157508A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH069114U (ja) * | 1992-07-01 | 1994-02-04 | 田淵電機株式会社 | 誘導電磁器 |
EP1288975A3 (en) * | 2001-08-29 | 2003-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic device, method for manufacturing the same and power supply module equipped with the same |
JP2012169633A (ja) * | 2006-01-12 | 2012-09-06 | Toshiba Corp | 受電装置を用いた電子機器および非接触充電装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60138904A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Fuji Electric Co Ltd | 小形リアクトル |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6226288A patent/JPH01157508A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60138904A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Fuji Electric Co Ltd | 小形リアクトル |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH069114U (ja) * | 1992-07-01 | 1994-02-04 | 田淵電機株式会社 | 誘導電磁器 |
EP1288975A3 (en) * | 2001-08-29 | 2003-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic device, method for manufacturing the same and power supply module equipped with the same |
US6768409B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic device, method for manufacturing the same, and power supply module equipped with the same |
JP2012169633A (ja) * | 2006-01-12 | 2012-09-06 | Toshiba Corp | 受電装置を用いた電子機器および非接触充電装置 |
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