JPH01152720A - 常圧cvd薄膜形成方法およびその装置 - Google Patents
常圧cvd薄膜形成方法およびその装置Info
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- JPH01152720A JPH01152720A JP31289487A JP31289487A JPH01152720A JP H01152720 A JPH01152720 A JP H01152720A JP 31289487 A JP31289487 A JP 31289487A JP 31289487 A JP31289487 A JP 31289487A JP H01152720 A JPH01152720 A JP H01152720A
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- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 19
- 230000012010 growth Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野]
本発明は、半導体ウェハなどの被処理物の表面に常圧で
evD@膜を形成する方法およびその装置に係り、特に
薄膜の均一性の向上に関するものである。
evD@膜を形成する方法およびその装置に係り、特に
薄膜の均一性の向上に関するものである。
(従来の技術)
従来の一般的な常圧CVD薄膜形成装置は、第3図ない
し第4図に示すように、平板状のヒータ10の上に同じ
、〈平板上のサセプタIl装置き、このサセプタ11の
上に半導体ウェハなどの被処理物・12ヲ配列し、これ
らの被処理物12の表面に沿ってガス供給ヘプト13を
移動させるようにすように、内部複数のガス噴出口14
t−有すると共に、その外側に排気口15ヲ有する−も
ので、ガス噴出口14はサセプタ11の幅方向(第3図
において上下方向、第4因においては紙面と垂直方向)
にその略全幅にわたる細長いスリット状になされ、反応
ガスを被処理物12の表面に向けて噴出し、該被処理物
12の表面に常圧でCVD薄膜を形成する。
し第4図に示すように、平板状のヒータ10の上に同じ
、〈平板上のサセプタIl装置き、このサセプタ11の
上に半導体ウェハなどの被処理物・12ヲ配列し、これ
らの被処理物12の表面に沿ってガス供給ヘプト13を
移動させるようにすように、内部複数のガス噴出口14
t−有すると共に、その外側に排気口15ヲ有する−も
ので、ガス噴出口14はサセプタ11の幅方向(第3図
において上下方向、第4因においては紙面と垂直方向)
にその略全幅にわたる細長いスリット状になされ、反応
ガスを被処理物12の表面に向けて噴出し、該被処理物
12の表面に常圧でCVD薄膜を形成する。
(発明が解決しようとする問題点)
前記のようにガス供給ヘプト13と被処理物12とを相
対的に移動させてCVD薄膜を形成した場合、第5図に
示すように、前記移動方向と直角な方向に伸びる厚さむ
らの縦じま16ヲ生じやすい。また、ガス噴出口140
幅方向両端部に近い17.17部の膜厚が他より厚くな
る傾向を生じる。前記縦じま16の山谷の膜厚差は、膜
厚が3oooxの場合に100〜l 5 of生ずるこ
とがあり、また両端−17は中央部に対し、100〜2
oo入厚くなることがあり、これらは目視できるもので
ある。
対的に移動させてCVD薄膜を形成した場合、第5図に
示すように、前記移動方向と直角な方向に伸びる厚さむ
らの縦じま16ヲ生じやすい。また、ガス噴出口140
幅方向両端部に近い17.17部の膜厚が他より厚くな
る傾向を生じる。前記縦じま16の山谷の膜厚差は、膜
厚が3oooxの場合に100〜l 5 of生ずるこ
とがあり、また両端−17は中央部に対し、100〜2
oo入厚くなることがあり、これらは目視できるもので
ある。
上記の膜厚むらは一例であるが、その量に違いはあって
も前記移動方向および幅方向に膜厚むらを生じることは
避けられない。
も前記移動方向および幅方向に膜厚むらを生じることは
避けられない。
なお、前記相対的な移動と同時に被処理物12を連続的
に@J転させてCVD薄膜を形成する方式も提案されて
いるが、このように被処理物12ヲ連続的に回転させる
と、被処理物12の中心側と外周側とではガス供給ヘプ
ト13に対向する時間に差を生じ(外周側は長く、中心
側は短かい〕、半径方向に厚さむらを生じる。
に@J転させてCVD薄膜を形成する方式も提案されて
いるが、このように被処理物12ヲ連続的に回転させる
と、被処理物12の中心側と外周側とではガス供給ヘプ
ト13に対向する時間に差を生じ(外周側は長く、中心
側は短かい〕、半径方向に厚さむらを生じる。
本発明の目的は、前述したよりな膜厚むらの緩和にある
。
。
(問題点を解決するための手段]
本発明は、複数のスリット状のガス噴出口を有するガス
供給ヘッドを被処理物の表面に対向させ、ガス供給ヘッ
ドと被処理物とを被処理物の表面に給ヘッドと被処理物
との相対的な移動の往行程と復行程の両行程にてそれぞ
れ(、”VD薄膜を形成すると共に、往行程と復行程と
の間にてガス供給ヘッドと被処理物とを被処理物の表面
と平行な平面内で相対的に所定角度回転させるようにし
たものである。
供給ヘッドを被処理物の表面に対向させ、ガス供給ヘッ
ドと被処理物とを被処理物の表面に給ヘッドと被処理物
との相対的な移動の往行程と復行程の両行程にてそれぞ
れ(、”VD薄膜を形成すると共に、往行程と復行程と
の間にてガス供給ヘッドと被処理物とを被処理物の表面
と平行な平面内で相対的に所定角度回転させるようにし
たものである。
(作 用]
ガス供給ヘッドと被処理物とを相対的に移動させてCV
D薄膜を形成する間は被処理物は回転させない。そこで
、前述した第5図と同様の第1図(a)に示すような膜
厚むら16a 、 +78を生ずるが、例えば前記移動
の往行程では所望の膜厚の半分のみを形成し、復行程に
移るまえにガス併給ヘッドと被処理物と全前記のように
相対的に例えば90゜回転させた後に、復行程で残りの
半分の薄膜形成を行なう。この復行程では膜厚むらの1
つである縦じま+6bt−生じるため、両行程を合わせ
ると第1図(b)に示すように例えば直交した縦じ11
68゜+6bとなり、また復行程における幅方向の厚さ
むら17bの位置は+7aに対し900ずれる。これら
の膜厚むらは一旦むらを生じ始めるとその成長が加速さ
れるため、前記のように途中で方向を変えることにより
、数分の1に押えられる。
D薄膜を形成する間は被処理物は回転させない。そこで
、前述した第5図と同様の第1図(a)に示すような膜
厚むら16a 、 +78を生ずるが、例えば前記移動
の往行程では所望の膜厚の半分のみを形成し、復行程に
移るまえにガス併給ヘッドと被処理物と全前記のように
相対的に例えば90゜回転させた後に、復行程で残りの
半分の薄膜形成を行なう。この復行程では膜厚むらの1
つである縦じま+6bt−生じるため、両行程を合わせ
ると第1図(b)に示すように例えば直交した縦じ11
68゜+6bとなり、また復行程における幅方向の厚さ
むら17bの位置は+7aに対し900ずれる。これら
の膜厚むらは一旦むらを生じ始めるとその成長が加速さ
れるため、前記のように途中で方向を変えることにより
、数分の1に押えられる。
なお、薄膜形成を往、復、往の3回の相対的移動によっ
て行ない、各移動の間に60部回転させるようにすれば
、膜厚むらはより小さく押えられる。
て行ない、各移動の間に60部回転させるようにすれば
、膜厚むらはより小さく押えられる。
(実施例〕
以下本発明の一実施例を第1図および第2図により説明
する。第2図において、13はガス供給ヘッドで、第3
図ないし第5図に示したもつと同様であり、+4はガス
噴出口、15は排気口である。このガス供給へ廿ド13
は図示しない駆動機構により、第2図において左右方向
へ所定速度で移動するようになっている。
する。第2図において、13はガス供給ヘッドで、第3
図ないし第5図に示したもつと同様であり、+4はガス
噴出口、15は排気口である。このガス供給へ廿ド13
は図示しない駆動機構により、第2図において左右方向
へ所定速度で移動するようになっている。
20は円板状のヒータで、複数の支持片21により回転
台22に取付けられている。回転台22はベアリング2
3を介して装置の固定フレーム24に回転自在に取付け
られている。回転台22には、内部構造を図示省略し7
′c90°ロータリーアクチユエータ25の出力軸26
がキー27を介して連結されている。
台22に取付けられている。回転台22はベアリング2
3を介して装置の固定フレーム24に回転自在に取付け
られている。回転台22には、内部構造を図示省略し7
′c90°ロータリーアクチユエータ25の出力軸26
がキー27を介して連結されている。
ヒータ20の上には、SiCまたはSiCコートカーボ
ンの薄円板状のサセプタ28が着脱自在に載置されてい
る。サセプタ28の中心にはチャック29が出入自在に
嵌入されている。チャック29は中空ロッド30の上端
に固定されている。中空凧 ロフト30は、ヒータ20 S%上ヒータ0の下方およ
び外方を被う2枚のカバー31.32、回転台22なら
びに出力軸26の中心をわずかなすき間をもって貫通し
て下方へ伸び、90°ロータリーアクチユエータ25の
下部に取付けられているシリンダ33により上下動可能
になっている。中空ロッド30 の下端は継手34にエ
リ図示しないサクションホースに接続され、チャック2
9に真空吸着力を生じさせるようになっている。
ンの薄円板状のサセプタ28が着脱自在に載置されてい
る。サセプタ28の中心にはチャック29が出入自在に
嵌入されている。チャック29は中空ロッド30の上端
に固定されている。中空凧 ロフト30は、ヒータ20 S%上ヒータ0の下方およ
び外方を被う2枚のカバー31.32、回転台22なら
びに出力軸26の中心をわずかなすき間をもって貫通し
て下方へ伸び、90°ロータリーアクチユエータ25の
下部に取付けられているシリンダ33により上下動可能
になっている。中空ロッド30 の下端は継手34にエ
リ図示しないサクションホースに接続され、チャック2
9に真空吸着力を生じさせるようになっている。
サセプタ28の周囲はカバー35によって被われ、ヒー
タ20とカバー31およびカバー31とカバー32の各
間からは図示しない排気装置によって排気するようにな
っている。
タ20とカバー31およびカバー31とカバー32の各
間からは図示しない排気装置によって排気するようにな
っている。
前記ヒータ20等からなるサセプタ2gの支持装置は、
ガス供給ヘプト13の幅方向さらには移動方向に複数配
列されている。
ガス供給ヘプト13の幅方向さらには移動方向に複数配
列されている。
次いで本装置の動作と共に、本発明の常ECVD薄膜形
成方法について説明する。サセプタ28上に被処理物1
2を載置する際は、ガス供給ヘプト13t−第2図にお
いて左方へ逃がしておき、シリンダ33にエリ中空ロッ
ド30t−介してチャック291に一サセプタ28より
上方へ突出させておく。
成方法について説明する。サセプタ28上に被処理物1
2を載置する際は、ガス供給ヘプト13t−第2図にお
いて左方へ逃がしておき、シリンダ33にエリ中空ロッ
ド30t−介してチャック291に一サセプタ28より
上方へ突出させておく。
このチャック29の上に図示しないオートローダなどに
より被処理物I2の裏面を支持して搬入し、被処理物1
2t−チャック12の上に置いて被処理物12ヲ吸着し
、次いでチャツク29ヲ第2図に示すように、下降させ
て被処理物12をサセプタ28上に置く。
より被処理物I2の裏面を支持して搬入し、被処理物1
2t−チャック12の上に置いて被処理物12ヲ吸着し
、次いでチャツク29ヲ第2図に示すように、下降させ
て被処理物12をサセプタ28上に置く。
サセプタ28上に置かれた被処理物12は、ヒータ20
によりサセプタ28を介して加熱される。
によりサセプタ28を介して加熱される。
サセプタ28上に被処理物1゛2ヲ置いてから所定時間
が経過して被処理物12が所定温度に達し友ところで、
ガス供給ヘプト13を作動させ、ガス噴出口14から反
応ガスを噴出させると共に、排気口15から排気しつつ
、ガス供給ヘッド+3 ’に所定速度で第2図において
右行させ、被処理物12の表面に常圧でCVD薄膜を形
成する。
が経過して被処理物12が所定温度に達し友ところで、
ガス供給ヘプト13を作動させ、ガス噴出口14から反
応ガスを噴出させると共に、排気口15から排気しつつ
、ガス供給ヘッド+3 ’に所定速度で第2図において
右行させ、被処理物12の表面に常圧でCVD薄膜を形
成する。
このとき、被処理物12の表面に形成される薄膜は、第
1図[a)に示すように、ガス供給ヘッド13の移動方
向お、よび幅方向に膜厚むら16a。
1図[a)に示すように、ガス供給ヘッド13の移動方
向お、よび幅方向に膜厚むら16a。
+7at−生ずるが、これらのむらの成長は初期段階で
あり、比較的わずかである。
あり、比較的わずかである。
ガス供給ヘッド13が被処理物12上を右方へ完全に通
過したところで、90°ロータリーアクチニエータ25
−を作動させ、出力軸26.キー27゜回転台22なら
びに支持片21ft介してヒータ20と共にサセプタ2
8および被処理物12 t−90゜回転させる。
過したところで、90°ロータリーアクチニエータ25
−を作動させ、出力軸26.キー27゜回転台22なら
びに支持片21ft介してヒータ20と共にサセプタ2
8および被処理物12 t−90゜回転させる。
次いでガス供給ヘッド13ヲ第2図において左行させ、
再び被処理物12の表面に薄膜を形成する。このときは
、第1図(blに示すように膜厚むら16b、+7b’
を生、するが、このうちの縦じま+6bは先に生じた縦
じま+68と向きが異なるため、零から成長を始めるこ
とになり、大きく成長することはない。このため、前記
の「発明が解決しようとする問題点」の項で示したもの
と同様の膜厚が300OAの場合、目視では判明しない
程度に改善され、また、膜厚むら172 、17bも同
様に改善される。
再び被処理物12の表面に薄膜を形成する。このときは
、第1図(blに示すように膜厚むら16b、+7b’
を生、するが、このうちの縦じま+6bは先に生じた縦
じま+68と向きが異なるため、零から成長を始めるこ
とになり、大きく成長することはない。このため、前記
の「発明が解決しようとする問題点」の項で示したもの
と同様の膜厚が300OAの場合、目視では判明しない
程度に改善され、また、膜厚むら172 、17bも同
様に改善される。
ガス供給ヘプト13が被処理物12上から、第2図にお
いて左方へ外れたならば、ガス供給ヘプト13 の作
動を停止させ、チャック29により再び被処理物+2t
−吸着して該チャック29t−シリンダ33によって上
昇させ、図示しないオートローダにより被処理物12の
裏面を支持して搬出する0 前述した実施例は、ヒータ20ヲ被処理物12の形状に
略適合させるため、円板状とした例を示したが、四角形
でもよく、またその上に被処理物+2t−複数配列する
方式であってもよい。さらに前述した実施例では、ガス
供給ヘッド13を移動させ、被処理物12−全回転させ
る方式としたが、この移動と回転は互いに逆もしくはい
ずれか一方のみに行なわせる方式としてもよく、回転角
も900に限らないことは言うまでもない。
いて左方へ外れたならば、ガス供給ヘプト13 の作
動を停止させ、チャック29により再び被処理物+2t
−吸着して該チャック29t−シリンダ33によって上
昇させ、図示しないオートローダにより被処理物12の
裏面を支持して搬出する0 前述した実施例は、ヒータ20ヲ被処理物12の形状に
略適合させるため、円板状とした例を示したが、四角形
でもよく、またその上に被処理物+2t−複数配列する
方式であってもよい。さらに前述した実施例では、ガス
供給ヘッド13を移動させ、被処理物12−全回転させ
る方式としたが、この移動と回転は互いに逆もしくはい
ずれか一方のみに行なわせる方式としてもよく、回転角
も900に限らないことは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば、ガス供給ヘッドの移
動方向および幅方向に生じる膜厚むら全緩和して、膜厚
の均一性を向上させることができる。
動方向および幅方向に生じる膜厚むら全緩和して、膜厚
の均一性を向上させることができる。
第1図(a)は本発明の一実施例の往行程を示す概要説
明図、第1図(b)は同復行程の概要説明図、第2図は
本発明の方法を実施するための装置の一実施例を示す要
部断面図、第3図は従来装置の概要平面図、第4図は第
3図の部分破断正面図、第5図は第3図および第4図に
示した装置による膜厚むらの発生状況を示す部分拡大図
である。 12・・・被処理物、 13・・・ガス供給ヘッド、
14・・・ガス噴出口、15・・・排気口、20・・・
ヒータ、 22・・・回転台、25・・・900ロータ
リーアクチユエータ、28・・・サセプタ、 29・・
・チャック、33・・・シリンダ。
明図、第1図(b)は同復行程の概要説明図、第2図は
本発明の方法を実施するための装置の一実施例を示す要
部断面図、第3図は従来装置の概要平面図、第4図は第
3図の部分破断正面図、第5図は第3図および第4図に
示した装置による膜厚むらの発生状況を示す部分拡大図
である。 12・・・被処理物、 13・・・ガス供給ヘッド、
14・・・ガス噴出口、15・・・排気口、20・・・
ヒータ、 22・・・回転台、25・・・900ロータ
リーアクチユエータ、28・・・サセプタ、 29・・
・チャック、33・・・シリンダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数のスリット状のガス噴出口を有するガス供給ヘ
ッドを被処理物の表面に対向させ、前記ガス供給ヘッド
と被処理物とを該被処理物の表面に沿って相対的に移動
させつつ前記被処理物の表面に常圧でCVD薄膜を形成
する方法において、前記ガス供給ヘッドと被処理物との
相対的な移動の往行程と復行程の両行程にてそれぞれC
VD薄膜を形成すると共に、前記往行程と復行程との間
にてガス供給ヘッドと被処理物とを被処理物の表面と平
行な平面内で相対的に所定角度回転させることを特徴と
する常圧CVD薄膜形成方法。 2、複数のスリット状のガス噴出口を有するガス供給ヘ
ッドと、同ガス供給ヘッドに対向させて被処理物を支持
するサセプタとを有し、前記ガス供給ヘッドとサセプタ
とを該サセプタの表面に沿って相対的に移動可能に構成
した常圧CVD薄膜形成装置において、前記サセプタを
その表面に垂直な軸の回りに回転可能に設けると共に、
該サセプタに前記軸の回りに所定角度の回転を与える回
転駆動機構を設けたことを特徴とする常圧CVD薄膜形
成装置。 3、サセプタが複数の被処理物を各別に支持するように
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の常圧CVD薄膜形成装置。 4、サセプタが円形であることを特徴とする特許請求の
範囲第3項記載の常圧CVD薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31289487A JPH01152720A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 常圧cvd薄膜形成方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31289487A JPH01152720A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 常圧cvd薄膜形成方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01152720A true JPH01152720A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18034728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31289487A Pending JPH01152720A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 常圧cvd薄膜形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01152720A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006095384A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Asahi Glass Co Ltd | 気液混合装置および気液混合方法、重合体およびその製造方法 |
JP2007019068A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧cvd方法及び装置 |
JP2010221219A (ja) * | 2010-06-28 | 2010-10-07 | Asahi Glass Co Ltd | 気液混合装置および気液混合方法、重合体の製造方法 |
WO2012028781A1 (en) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Beneq Oy | Apparatus |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP31289487A patent/JPH01152720A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006095384A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Asahi Glass Co Ltd | 気液混合装置および気液混合方法、重合体およびその製造方法 |
US8118476B2 (en) | 2004-09-28 | 2012-02-21 | Asahi Glass Company, Limited | Gas/liquid mixing equipment, gas/liquid mixing method, polymer and method for its production |
JP2007019068A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧cvd方法及び装置 |
JP2010221219A (ja) * | 2010-06-28 | 2010-10-07 | Asahi Glass Co Ltd | 気液混合装置および気液混合方法、重合体の製造方法 |
WO2012028781A1 (en) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Beneq Oy | Apparatus |
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