JPH01151262A - Image sensor for measurement use - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は計測用イメージセンサに関し、更に詳述すれば
、オリジナル画像等の被写体をカラー出力又は白黒出力
として計測できるカラー及び白黒兼用タイプの計測用イ
メージセンサに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a measurement image sensor, and more specifically, a color and monochrome type measurement device that can measure a subject such as an original image as a color output or a monochrome output. The present invention relates to an image sensor for use in a computer.
［従来技術］
従来より、被写体等をｉ像して白黒の濃淡画像信号を出
力するイメージセンサは周知である。[Prior Art] Image sensors that generate an i-image of a subject or the like and output black and white grayscale image signals are well known.
一方、カラー用イメージセンサは例えば上述のイメージ
センサ上にマイクロカラーフィルタを接着することによ
り設けることが出来る。On the other hand, a color image sensor can be provided by, for example, adhering a micro color filter onto the above-described image sensor.
処で、これらイメージセンサが画像処理システム等に適
用されて計測用イメージセンサとして用いられる場合、
例えば複写機に適用されてオリジナル画像を計測し、そ
の出力情報に基づいて感光材料を露光する場合、カラー
及び白黒のオリジナルの計測に対して、夫々カラー用及
び白黒用センサを用いる必要があった。換言すれば、カ
ラー用センサと白黒用センサの差違が、本質的には前述
したようにカラーフィルタの有無によって製作時に決定
されるため、単一の搬像デバイスをカラー用及び白黒用
として切換えて使用させることが出来なかった。However, when these image sensors are applied to an image processing system and used as a measurement image sensor,
For example, when applied to a copying machine to measure an original image and expose a photosensitive material based on the output information, it was necessary to use color and black-and-white sensors to measure the color and black-and-white originals, respectively. . In other words, since the difference between a color sensor and a monochrome sensor is essentially determined at the time of manufacture by the presence or absence of a color filter as described above, a single image carrier device can be switched for color and monochrome applications. I couldn't get it to use.
なお、カラー用センサで白黒用センサを代用させること
は可能なものの、カラー用センサで白黒画像を計測する
と、白黒用センサで計測した場合に較べて解像力が１／
３に低下してしまうため望ましくない。このため従来の
システムでは前述したように両センサを用いていた。Although it is possible to use a color sensor as a substitute for a monochrome sensor, when a monochrome image is measured using a color sensor, the resolution is 1/1/2 that of a monochrome image measured using a monochrome sensor.
This is undesirable because it decreases to 3. For this reason, conventional systems use both sensors as described above.
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、夫々のセンサを設けることは、装置自体
の構成を複雑にすると共に、装置全体の小型化或いは製
造コストの低減化に対して好ましくなかった。[Problems to be Solved by the Invention] However, providing each sensor complicates the configuration of the device itself and is not preferable for downsizing the entire device or reducing manufacturing costs.
一方、本発明が解決しようとする別の課題は、従来のカ
ラー用イメージセンサが、例えばＲＧＢ３原色をモザイ
ク状に二次元配列して形成されるマイクロカラーフィル
タを光電変換素子ヒに配置しているため、単一画素から
はＲ，Ｇ、Ｂ３ヂャネルの色情報を得ることが出来なか
った点にある。On the other hand, another problem to be solved by the present invention is that in conventional color image sensors, a micro color filter formed by two-dimensionally arranging three primary colors, for example, RGB in a mosaic shape, is arranged on a photoelectric conversion element. Therefore, color information of R, G, and B3 channels could not be obtained from a single pixel.
換言すれば、複数画素を１ユニツトとしてとらえた時に
、該ユニット内の各色の色の重心が夫々異なるため、高
い色再現性が求められる計測用センサとしては、色ずれ
どなって現れると言う難点があった。In other words, when multiple pixels are considered as one unit, the center of gravity of each color within the unit is different, so this is a drawback for measurement sensors that require high color reproducibility, as color shifts appear. was there.
しかし、従来素子で色再現性を向上させようとすると、
例えば、単一画素を微細化して高画素化センサを製作す
ることにより各色の色の重心が実質的に重なるように設
けなければならなかった。However, when trying to improve color reproducibility with conventional elements,
For example, by miniaturizing a single pixel to produce a sensor with a high pixel count, it is necessary to arrange the centers of gravity of each color so that they substantially overlap.
しかしそのようなイメージセンサは、製作コストを上昇
させるばかりか、画素に対応して貼着されるカラーフィ
ルタの位置合せが難しく、製作上からも難点があった。However, such an image sensor not only increases manufacturing cost, but also has difficulty in manufacturing, as it is difficult to align the color filters attached to correspond to the pixels.
本発明の目的は、上記事情に鑑みなされたもので、単一
デバイスでカラー用或いは白黒用の計測を行うことがで
き、かつ単一画素から例えばＲｌＧ、Ｂすべでの色情報
が得られて色再現性が向上する計測用イメージセンサを
提供することにある。The object of the present invention was made in view of the above circumstances, and it is possible to perform color or monochrome measurement with a single device, and to obtain color information of all RlG and B from a single pixel. An object of the present invention is to provide a measurement image sensor with improved color reproducibility.
［問題点を解決するための手段及び作用］すなわら、本
発明の上記目的は、電荷転送のためのチャネル部が形成
された半導体層にｐｎ接合により形成されてなる光電変
換部及び信号線が配設されてなる計測用イメージセンサ
において、前記半導体層に前記晃電変換部及び信号線の
配設されてなる単位層が絶縁層を介して複数個積層され
、かつ前記光電変換部の光吸収波長が夫々異なっており
、前記単位層の各出力は前記光電変換部と同一平面上に
設けた出力切換回路を介し−Ｃ共通の出力端子に接続さ
れており、前記出力切換回路の切換により各出力が同時
又は独立に取り出されることを特徴とする計測用イメー
ジセンサにより達成される。[Means and effects for solving the problems] In other words, the above-mentioned object of the present invention is to provide a photoelectric conversion section and a signal line formed by a pn junction in a semiconductor layer in which a channel section for charge transfer is formed. In the measurement image sensor, a plurality of unit layers each having the photoelectric conversion section and the signal line arranged on the semiconductor layer are laminated with an insulating layer interposed therebetween, and the light of the photoelectric conversion section is The absorption wavelengths are different, and each output of the unit layer is connected to a common output terminal of -C via an output switching circuit provided on the same plane as the photoelectric conversion section, and by switching the output switching circuit, This is achieved by a measurement image sensor characterized in that each output is taken out simultaneously or independently.
光吸収波長の異なるフォトダイオードが、光の入射方向
に沿って積層された構造により、一画素から複数の色に
対応したカラー信号が得られて色再現性が向上する。ま
た、出力切換回路の切換により、各色に対応したフォト
ダイオードの信号を同時又は独立に読出すことが出来て
、白黒画像又はカラー画像の計測を行うことが出来る。Due to the structure in which photodiodes with different light absorption wavelengths are stacked along the direction of light incidence, color signals corresponding to multiple colors can be obtained from one pixel, improving color reproducibility. Further, by switching the output switching circuit, the signals of the photodiodes corresponding to each color can be read simultaneously or independently, and a monochrome image or a color image can be measured.
［実 施 例］
以下、図面を参照して本発明の実施例について詳説する
。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は、本発明の計測用イメージセンサの一実施例を
斜視図によって示している。FIG. 1 shows a perspective view of an embodiment of the measurement image sensor of the present invention.
図において、１つのブロックで示す受光部１は、マトリ
クス状に配置された図示しない光電変換部と、この光電
変換部に付属して電荷転送を行う、同じく図示しないチ
ャネル部とから構成され、かつ図中アルファベットＲ，
Ｇ、Ｂで示す３層構造に設けられている。In the figure, the light receiving section 1 shown as one block is composed of a photoelectric conversion section (not shown) arranged in a matrix, and a channel section (also not shown) that is attached to the photoelectric conversion section and performs charge transfer. Alphabet R in the figure,
It is provided in a three-layer structure indicated by G and B.
前記Ｒ，Ｇ、Ｂで示す各層は、前記光電変換部を形成す
るフォトダイオードの光吸収波長の相違により、それぞ
れ光の３原色に対応したＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
の光だけを吸収する層を示しており、光の入射方向に沿
って積層されかつ光の入射側からＢ、Ｇ、Ｒの順番に配
置されている。The layers R, G, and B correspond to the three primary colors of light, R (red), G (green), and B (blue), respectively, due to differences in the light absorption wavelengths of the photodiodes forming the photoelectric conversion section.
The layers are stacked along the light incident direction and are arranged in the order of B, G, and R from the light incident side.
前記受光部１の各層Ｂ、Ｇ、Ｒは、垂直シフトレジスタ
２及び水平シフトレジスタ４によって制御される・水平
スイッチ３によって走査され、それぞれの出力が出力切
換回路５に供給されている。The layers B, G, and R of the light receiving section 1 are controlled by a vertical shift register 2 and a horizontal shift register 4, and are scanned by a horizontal switch 3, and their respective outputs are supplied to an output switching circuit 5.
第２図は、前記出力切換回路５の構成を示す回路図であ
る。FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of the output switching circuit 5. As shown in FIG.
前記受光部１の各層Ｂ、Ｇ、Ｒの出力は、それぞれ２つ
のＭＯＳ ＦＥＴ Ｔｒ＋ 〜Ｔｒ３ 。The outputs of each layer B, G, and R of the light receiving section 1 are connected to two MOS FETs Tr+ to Tr3, respectively.
Ｔｒ４〜Ｔｒｅに接続され、各出力はそれぞれ共通の端
子に接続されている。It is connected to Tr4 to Tre, and each output is connected to a common terminal.
即ち、図中、１つの水平スイッチＨ１，）−１２゜Ｈ３
で示した各色に対応する受光部１の出力は、邑Ｂ層の出
力が転送用ＦＥＴ Ｔｒ＋のソースに、色Ｇ層の出力
が転送用ＦＥＴ Ｔｒ２のソースに、色Ｒ層の出力が
転送用ＦＥＴ Ｔｒ＋のソースに夫々接続され、夫々
のドレインが１つの出力線６にまとめられて出力端子ｏ
ｕｔに接続され、信号が該出力端子に読出されるように
設けている。又、前記受光部１の各出力は夫々分岐され
、色８層の出力は排出用ＦＥＴ Ｔｒ＋のソースに、
色Ｇ層の出力は排出用ＦＥＴ Ｔｒ５のソースに、色
Ｒ層の出力は排出用ＦＥＴ Ｔｒｅのソースに夫々接
続され、夫々のドレインが１つの排出線７にまとめられ
て排出ドレイン端子ＥＤに接続され、不要信号が該排出
ドレインＥＤに掃出される。そして各ＦＥＴ Ｔｒ＋
〜Ｔｒａ は、夫々のゲート電極Ｏｎ 、Ｏｃ 、Ｏ
Ｒ、ＥＲ、Ｅｃ 、ＥＲがハイ・レベルに設けられて導
通状態となる。That is, in the figure, one horizontal switch H1,)-12°H3
The output of the light receiving section 1 corresponding to each color shown in is as follows: The output of the color B layer is the source of the transfer FET Tr+, the output of the color G layer is the source of the transfer FET Tr2, and the output of the color R layer is the source of the transfer FET Tr2. They are connected to the sources of the FET Tr+, and their drains are combined into one output line 6 and connected to the output terminal o.
ut, and the signal is read out to the output terminal. In addition, each output of the light receiving section 1 is branched, and the output of the 8 color layers is sent to the source of the discharge FET Tr+.
The output of the color G layer is connected to the source of the discharge FET Tr5, and the output of the color R layer is connected to the source of the discharge FET Tre.The respective drains are combined into one discharge line 7 and connected to the discharge drain terminal ED. and unnecessary signals are swept to the exhaust drain ED. And each FET Tr+
~Tra is the respective gate electrode On, Oc, O
R, ER, Ec, and ER are set at high level to be in a conductive state.
第３図は、第１図に示したデバイスの垂直断面図を示し
ており、（Ａ）図は第１図の八−Ａ′断面による１画素
を示しており、（Ｂ）図は第１図のＢ−８’ 断面、（
Ｃ）図は第１図のｃ−ｃ’ 断面を夫々図示している。FIG. 3 shows a vertical cross-sectional view of the device shown in FIG. B-8' section in the figure, (
C) Each figure shows a cross section taken along line cc' in FIG.
即ち、（Ａ）図において、前記受光部１は、ｐ形半導体
層の表面にｎ形不純物が拡散されて形成されるフォトダ
イオードＰＤ及び転送チャネルＬと、前記半導体層上に
ゲー＋−９及び遮光を兼ねている信号線１０が配設され
てなる単位層１１が絶縁層８を介して積層された３層構
造からなっている。That is, in the figure (A), the light receiving section 1 includes a photodiode PD and a transfer channel L formed by diffusing n-type impurities into the surface of a p-type semiconductor layer, and gates +-9 and gates on the semiconductor layer. It has a three-layer structure in which unit layers 11 each having a signal line 10 which also serves as a light shield are laminated with an insulating layer 8 in between.
前記単位層１１は各層のバンドギャップＥａ及び厚さｄ
が夫々Ｅ ’Ｊ（Ｂ）＞ Ｅ （］（Ｇ）＞ Ｅ （］
（Ｒ）、 ｄ （Ｂ） ＜ｄ （Ｇ） ＜ ｄ （Ｒ）
に形成されており、また各層間に配置される絶縁層８の
透過率Ｔは、最上層と中間層との間においてはＴ（Ｇ）
、 Ｔ（Ｒ） ＞＞Ｔ（Ｂ）に形成され、中間層と最
下層との間においてはＴ （Ｒ） ＞＞Ｔ （Ｇ） 、
Ｔ （Ｂ）に形成されており、これにより各単位層の
光吸収波長が異なるように設けられている。The unit layer 11 has a band gap Ea and a thickness d of each layer.
are respectively E 'J (B) > E (] (G) > E (]
(R), d (B) < d (G) < d (R)
The transmittance T of the insulating layer 8 disposed between each layer is T(G) between the uppermost layer and the intermediate layer.
, T(R) >>T(B), and between the middle layer and the bottom layer, T(R) >>T(G),
T (B), so that each unit layer has a different light absorption wavelength.
すなわち、各層はバンドギャップＥｇを変える光の波長
が選択できてフィルタ特性を有する。That is, each layer can select the wavelength of light that changes the bandgap Eg, and has filter characteristics.
なお、上式において、ｈはブランク定数、Ｃは光速を示
す。In the above equation, h is a blank constant and C is the speed of light.
また、各層を積層する順番は、光入射側に近い層から（
最上層から最下層に向って）Ｂ、Ｇ、Ｒの順であり、こ
れは半導体層の光吸収係数が波長の短いほど大きいこと
によるもので、従って、短波長光のＢを最上層に、長波
長光のＲを最下層側に設けている。Also, the order in which each layer is stacked is from the layer closest to the light incidence side (
From the top layer to the bottom layer) B, G, and R are in this order, and this is because the light absorption coefficient of the semiconductor layer is larger as the wavelength is shorter. Therefore, B for short wavelength light is placed in the top layer, Long wavelength light R is provided on the bottom layer side.
第３図に戻って、（Ｂ）図は水平スイッチ３及び出力切
換回路５の垂直断面を示している。図中、垂直方向に引
いた破線の左側が水平スイッチ３、右側が出力切換回路
５を構成するＭＯＳ ＦＥＴＴｒ＋〜Ｔｒ３を示して
いる。Returning to FIG. 3, FIG. 3B shows a vertical cross section of the horizontal switch 3 and the output switching circuit 5. In the figure, the left side of the vertically drawn broken line shows the horizontal switch 3, and the right side shows the MOS FETs Tr+ to Tr3 constituting the output switching circuit 5.
水平スイッチ３はｐ形半導体層に形成されたｎ形拡散領
域によりソース、ドレインが設けられ、前記両領域間の
半導体層上にはゲートが配置されてＦＥＴを構成してい
る。前記水平スイッチ３のトレインは、同様な構成で同
一半導体層に形成された転送用ＦＥＴ Ｔｒ＋〜Ｔｒ
３の各ソースとコンタクトされている。そして、この転
送用ＦＥＴ Ｔｒｔ〜Ｔｒ３の各層のドレインは共通
の出力１６に接続されて外部出力されている。The horizontal switch 3 has a source and a drain formed by an n-type diffusion region formed in a p-type semiconductor layer, and a gate is arranged on the semiconductor layer between the two regions to form an FET. The train of the horizontal switch 3 includes transfer FETs Tr+ to Tr having a similar configuration and formed on the same semiconductor layer.
3 sources are contacted. The drains of each layer of the transfer FETs Trt to Tr3 are connected to a common output 16 and output to the outside.
第３図（Ｃ）は、出力切換回路５の排出用ＦＥＴＴｒ４
〜Ｔｒｅの断面を示しており、水平スイッチ３のドレイ
ンが前記転送用ＦＥＴ Ｔｒ＋〜Ｔｒ３と同一構成の
排出用ＦＥＴ Ｔｒ４〜Ｔｒａのソースとコンタクト
され、各ドレインは共通の排出１７に接続されて読捨て
られる。FIG. 3(C) shows the discharge FET Tr4 of the output switching circuit 5.
~Tre is shown, and the drain of the horizontal switch 3 is in contact with the sources of the discharge FETs Tr4 to Tra, which have the same configuration as the transfer FETs Tr+ to Tr3, and each drain is connected to a common discharge 17 for reading. be thrown away.
なお、前記単位層１１のうち最上層における前記水平ス
イッチ３及び出力切換回路５表面は前記信号線を兼ねる
遮光アルミ１２によって被覆されている。Incidentally, the surfaces of the horizontal switch 3 and the output switching circuit 5 in the uppermost layer of the unit layer 11 are covered with a light-shielding aluminum 12 which also serves as the signal line.
このように構成された計測用イメージセンサは、カラー
画像を計測してｅＢを読出したいときには、先きの第２
図に図示したとおり、転送用ＦＥＴＴｒ＋及び排出用Ｆ
ＥＴ Ｔｒ５．ＴｒｅをＨとし、その他の色Ｇ、Ｒに
対応する転送用ＦＥＴＴｒ２．Ｔｒ３及びＢに所属する
排出用ＦＥＴＴｒ４がＬとなるように夫々独立に制御さ
れる。When the measurement image sensor configured in this way wants to measure a color image and read out eB, it is possible to
As shown in the figure, transfer FET Tr+ and discharge FET
ET Tr5. Tre is set to H, and transfer FETs Tr2.corresponding to other colors G and R are used. The discharge FETs Tr4 belonging to Tr3 and B are each independently controlled to be at L level.
伯の色Ｇ、Ｒを読出したい場合も同様に、夫々の色に対
応する転送用ＦＥＴ及び当該色に属しない排出用ＦＥＴ
のみが独立に導通制御され、その他の色の転送用ＦＥＴ
及び所属の排出用ＦＥＴが非導通に設けられる。Similarly, when you want to read out the black colors G and R, transfer FETs corresponding to each color and discharge FETs that do not belong to the relevant colors are used.
Only FETs for transfer of other colors are independently controlled conduction.
and the associated discharge FET are provided in a non-conducting manner.
一方、白黒画像を計測する場合には、各層の転送用ＦＥ
Ｔ Ｔｒ＋〜Ｔｒ３を導通、排出用ＦＥＴ Ｔｒ４
〜Ｔｒａを非導通に設けることにより、出力端子□ｕｔ
に白黒信号が計測される。On the other hand, when measuring a black and white image, the transfer FE of each layer
T Tr+~Tr3 conduction and discharge FET Tr4
By providing ~Tra non-conducting, the output terminal □ut
A black and white signal is measured.
第４図は、本発明の計測用イメージセンサが適用される
簡易型の同時現像焼付装置の一部構成を示している。FIG. 4 shows a partial configuration of a simple simultaneous development and printing apparatus to which the measurement image sensor of the present invention is applied.
現像される銀塩フィルム１３のネガ画像は、裏面側を光
源１４により投影され、画像情報が結像レンズ１５を通
して本発明の計測用イメージセンサ１００に入射されて
計測される。前記イメージセンサ１００はドライブ回路
１６によって駆動制御され、計測された画像情報が出力
処理回路１７により各種信号処理され、更に補正回路１
８で補正が行われた後、フィルタ調整回路１９に供給さ
れる。これによりネガ・フィルムの特性に適応した露光
情報が得られ、印画紙を露光する最適光源及び光量が選
択されて現像焼付が行われる。A negative image of the silver halide film 13 to be developed is projected on the back side by a light source 14, and image information is incident on the measurement image sensor 100 of the present invention through an imaging lens 15 and measured. The image sensor 100 is driven and controlled by a drive circuit 16, and the measured image information is subjected to various signal processing by an output processing circuit 17, and further processed by a correction circuit 1.
After the correction is performed in step 8, the signal is supplied to the filter adjustment circuit 19. As a result, exposure information adapted to the characteristics of the negative film is obtained, the optimum light source and light amount for exposing the photographic paper are selected, and development and printing is performed.
上記の如く構成された同時現像焼付装置に於て、本発明
の計測用イメージセンサは、装填されるネガ画像に応じ
スイッチを切換えるだけでカラー用及び白黒信号として
兼用できてネガフィルムの計測が行える。In the simultaneous development and printing apparatus configured as described above, the measurement image sensor of the present invention can be used for both color and monochrome signals and can measure negative films by simply switching a switch according to the loaded negative image. .
［発明の効果］
以上記載したとおり、本発明の計測用イメージセンサに
よれば、光吸収係数の異なるフォトダイオード層が光入
射方向に沿って複数個積層された構造に設けているので
、単一画素で例えばＲ，Ｇ。[Effects of the Invention] As described above, according to the measurement image sensor of the present invention, a plurality of photodiode layers having different light absorption coefficients are provided in a stacked structure along the light incident direction. For example, R, G in pixels.
Ｂすべでの色情報が得られ、色ずれを生じないで色再現
性が向上する。また、出力切換回路の切換によりカラー
及び白黒の画像を計測できるので装置構成を簡単化でき
かつ装置の小型化を達成できる。また、マイクロカラー
フィルタを不要にしているため、従来素子に於る製作時
の種々のトラブル、例えばフィルタ貼付時におけるゴミ
の付着或いは位置ずれ等も生じない。また、各層のバン
ドギャップ及び厚みを
適切に選択することによってチャネル間のクロストーク
が減少される。Color information for all B colors can be obtained, and color reproducibility is improved without causing color shift. Furthermore, since color and monochrome images can be measured by switching the output switching circuit, the device configuration can be simplified and the device can be made smaller. Furthermore, since a micro color filter is not required, various troubles that occur during manufacture of conventional elements, such as adhesion of dust or misalignment when attaching a filter, do not occur. Also, crosstalk between channels is reduced by appropriately selecting the bandgap and thickness of each layer.
第１図は本発明の１実施例による計測用イメージセンサ
の構成を示す斜視図、第２図はそのデバイスの出力切換
回路図、第３図は第１図の各部に於る垂直断面図で第３
図（Ａ）は第１図のＡ−Ａ’断面、第３図（Ｂ）は第１
図のＢ−８’断面、第３図（Ｃ）は第１図のｃ−ｃ’断
面であり、第４図は本発明のイメージセンサが適用され
る簡易型同時現像焼付装置の一部構成を説明するブロッ
ク図である。
１：受光部
２：垂直シフトレジスタ ３：水平スイッチ４：水平シ
フトレジスタ ５：出力切換回路６：出力線
７：排出線
８：絶絶縁 ９：グート
１０：信号線 １１：単位層１２：遮光ア
ルミ
箋４図
〜４８
噌凸
手続補正溝
１、 事件の表示
昭和６２年特許願第３０９４９４号
２、 発明の名称
計測用イメージセンサ−
３、補正をする者
事件との関係： 特許出願人
名 称： （５２Ｇ）富士写真ノイルム株式会判４、
代理人
住所：〒１００ 東京都千代田区震が１！１３丁目２
番５号 霞が関ビル２９階霞が関ビル内郵便局私ス１箱
第４９号
栄光特許事務所
電話 （５８１）−９６０１（代表）FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of a measurement image sensor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an output switching circuit diagram of the device, and FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of each part of FIG. 1. Third
Figure (A) is the AA' cross section of Figure 1, Figure 3 (B) is the cross section of the first
The B-8' cross section in the figure, FIG. 3(C) is the c-c' cross section in FIG. It is a block diagram explaining. 1: Light receiving section 2: Vertical shift register 3: Horizontal switch 4: Horizontal shift register 5: Output switching circuit 6: Output line
7: Exhaust line 8: Insulated 9: Gut 10: Signal line 11: Unit layer 12: Light-shielding aluminum paper 4-48 Convex procedure correction groove 1, Indication of incident Patent application No. 309494 of 1988 2, Invention Image sensor for name measurement - 3. Relationship with the person making the correction: Patent applicant name: (52G) Fuji Photo Noilm Co., Ltd. 4.
Agent address: 13-2 Shinga 1!13-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100
No. 5 Kasumigaseki Building 29th floor Kasumigaseki Building Post Office 1 box No. 49 Eikou Patent Office Telephone (581)-9601 (Representative)
Claims (2)
層にｐｎ接合により形成されてなる光電変換部及び信号
線が配設されてなる計測用イメージセンサにおいて、前
記半導体層に前記光電変換部及び信号線の配設されてな
る単位層が絶縁層を介して複数個積層され、かつ前記光
電変換部の光吸収波長が夫々異なつており、前記単位層
の各出力は前記光電変換部と同一平面上に設けた出力切
換回路を介して共通の出力端子に接続されており、前記
出力切換回路の切換により各出力が同時又は独立に取り
出されることを特徴とする計測用イメージセンサー。(1) In a measurement image sensor in which a photoelectric conversion section formed by a pn junction and a signal line are arranged in a semiconductor layer in which a channel section for charge transfer is formed, the photoelectric conversion section is formed in the semiconductor layer. and a plurality of unit layers each having a signal line arranged thereon are laminated with an insulating layer interposed therebetween, and each of the photoelectric conversion sections has a different light absorption wavelength, and the output of each of the unit layers is the same as that of the photoelectric conversion section. A measurement image sensor, characterized in that it is connected to a common output terminal via an output switching circuit provided on a plane, and each output is taken out simultaneously or independently by switching the output switching circuit.
、かつ単位層間の絶縁層の光透過率が夫々異なつている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の計測用
イメージセンサー(2) A measurement image sensor according to claim 1, wherein the unit layers have different band gaps and thicknesses, and the insulating layers between the unit layers have different light transmittances.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309494A JPH01151262A (en) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | Image sensor for measurement use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309494A JPH01151262A (en) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | Image sensor for measurement use |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01151262A true JPH01151262A (en) | 1989-06-14 |
Family
ID=17993668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62309494A Pending JPH01151262A (en) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | Image sensor for measurement use |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01151262A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011530165A (en) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド | Image sensor having multiple sensing layers |
| US8665363B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-03-04 | Sony Corporation | Solid-state image device, method for producing the same, and image pickup apparatus |
| WO2016103315A1 (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | オリンパス株式会社 | Solid-state image pickup device, and image pickup device |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62309494A patent/JPH01151262A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011530165A (en) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド | Image sensor having multiple sensing layers |
| KR101417232B1 (en) * | 2008-08-01 | 2014-07-08 | 옴니비젼 테크날러지스 인코포레이티드 | Image sensor having multiple sensing layers |
| US8665363B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-03-04 | Sony Corporation | Solid-state image device, method for producing the same, and image pickup apparatus |
| WO2016103315A1 (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | オリンパス株式会社 | Solid-state image pickup device, and image pickup device |
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