JPH01149978A - 薄膜の加工方法 - Google Patents
薄膜の加工方法Info
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- JPH01149978A JPH01149978A JP62308643A JP30864387A JPH01149978A JP H01149978 A JPH01149978 A JP H01149978A JP 62308643 A JP62308643 A JP 62308643A JP 30864387 A JP30864387 A JP 30864387A JP H01149978 A JPH01149978 A JP H01149978A
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- film
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば光エネルギーを電気エネルギーに変換
する光発電素子、特に集積型光発電素子の製造などに好
ましく用いることのできる薄膜の加工方法に関するもの
である。
する光発電素子、特に集積型光発電素子の製造などに好
ましく用いることのできる薄膜の加工方法に関するもの
である。
第３図は例えば特開昭６０−４１２６６号公報に示され
た従来の光発電素子の製造における薄膜の加工方法を示
す図である、図において（１）は絶縁表面を有する基板
、（２）は薄膜としての第１の導電膜、（３）は１つの
ＰＩＮ接合を有する半導体、（４）は第２の導電膜、（
５）は加工面、（１Ｂ）は第１の開溝、（２１）はレー
ザ発振器、（２７）はコンピュータ、（２Ｂ）はメモリ
、（２９）は加工テーブル（５２）の制御系、（ａｌ）
、（３２）は一対の電極、（３９）は電源、（５０）は
レーザー加工機、（５１）は制御系、（６０）はレーザ
ー光を示している。
た従来の光発電素子の製造における薄膜の加工方法を示
す図である、図において（１）は絶縁表面を有する基板
、（２）は薄膜としての第１の導電膜、（３）は１つの
ＰＩＮ接合を有する半導体、（４）は第２の導電膜、（
５）は加工面、（１Ｂ）は第１の開溝、（２１）はレー
ザ発振器、（２７）はコンピュータ、（２Ｂ）はメモリ
、（２９）は加工テーブル（５２）の制御系、（ａｌ）
、（３２）は一対の電極、（３９）は電源、（５０）は
レーザー加工機、（５１）は制御系、（６０）はレーザ
ー光を示している。
また第４図は従来の方法により形成された第１の開溝（
１８）近辺の形状を示す図で、（６）は第１の開溝（１
Ｂ）端部の凸部、（７）は第１の開溝（１８）中央部に
存在する加工物の付着、凝固による凹凸を示す。
１８）近辺の形状を示す図で、（６）は第１の開溝（１
Ｂ）端部の凸部、（７）は第１の開溝（１８）中央部に
存在する加工物の付着、凝固による凹凸を示す。
次に動作について説明する。従来の薄膜の加工部
方法は、第３図に示／れたように、レーザー加工部
機（５０）から発振されたレーザー光（６０））；ｔ’
基板（１）上に形成された光発電素子（２１、（３）
ｌ （４）側から熱管 射手井、素子上に、例えば第１の開溝（１８）を形成す
る。
基板（１）上に形成された光発電素子（２１、（３）
ｌ （４）側から熱管 射手井、素子上に、例えば第１の開溝（１８）を形成す
る。
このとき第４図に示されたように、第１の開溝（１８）
の中央部には除去された加工物による凹凸（７）が、ま
た端部には第１の導電膜（２）の溶融による凸部（６）
が形成される。
の中央部には除去された加工物による凹凸（７）が、ま
た端部には第１の導電膜（２）の溶融による凸部（６）
が形成される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の薄膜の加工方法によれば、Ｖ−ザー光は光発電素
子などの薄膜側から照射されるために、照射されるレー
ザー光により除去された加工物が飛散あるいは再凝固に
より加工溝部に付着、残存することがあり、特に基板上
に形成された金属電極のような、比重が大きく蒸発除去
されにくい材料の切断除去加工においては、以後の薄膜
形成の際に基板上に凹凸（力が存在することとなり欠陥
が発生しやすいという問題があった。
子などの薄膜側から照射されるために、照射されるレー
ザー光により除去された加工物が飛散あるいは再凝固に
より加工溝部に付着、残存することがあり、特に基板上
に形成された金属電極のような、比重が大きく蒸発除去
されにくい材料の切断除去加工においては、以後の薄膜
形成の際に基板上に凹凸（力が存在することとなり欠陥
が発生しやすいという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するために成され
たもので、加工部への除去された加工物の付着、残存を
少なくシ、歩留りよく加工できる薄膜の加工方法を得る
ことを目的とする。
たもので、加工部への除去された加工物の付着、残存を
少なくシ、歩留りよく加工できる薄膜の加工方法を得る
ことを目的とする。
この発明に係る加工方法は、ガラス基板上に設けられた
薄膜の所定部を除去加工するに際し、薄膜を設けた側を
排気すると共Ｋ、ガラス基板に対し上記薄膜とは反対側
より上記薄膜の所定部にレーザービームを照射するもの
である。
薄膜の所定部を除去加工するに際し、薄膜を設けた側を
排気すると共Ｋ、ガラス基板に対し上記薄膜とは反対側
より上記薄膜の所定部にレーザービームを照射するもの
である。
この発明における薄膜の加工方法においては、Ｖ−ザー
光をガラス基板を透過させてから４＠の所定部に照射す
るため、加工部において生じるプラズマ流はレーザービ
ームの入射部とは反対方向に発散する。さらに、基板は
薄膜側を排気しているため、除去された加工物は、プラ
ズマ流、排気流の相乗効果により除去される。
光をガラス基板を透過させてから４＠の所定部に照射す
るため、加工部において生じるプラズマ流はレーザービ
ームの入射部とは反対方向に発散する。さらに、基板は
薄膜側を排気しているため、除去された加工物は、プラ
ズマ流、排気流の相乗効果により除去される。
次にこの発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１０）はガラス基板、（２）は薄膜
であり、ここではメタル電極を構成するステンレス（Ｓ
Ｕ１４膜、（５２）は加工テーブル、 （５３）は加工
テーブル（５２）に設けられた真空吸引するための溝部
、（６０）はガラス基板（Ｉｎを透過する波長を有する
レーザー光（例えばＹＡＧＶ−ザー）、（６１）はレー
ザー光により除去されたＳＵＳ薄膜の飛散方向、（６２
）は真空配管、（６３）は真空ポンプを示している。
であり、ここではメタル電極を構成するステンレス（Ｓ
Ｕ１４膜、（５２）は加工テーブル、 （５３）は加工
テーブル（５２）に設けられた真空吸引するための溝部
、（６０）はガラス基板（Ｉｎを透過する波長を有する
レーザー光（例えばＹＡＧＶ−ザー）、（６１）はレー
ザー光により除去されたＳＵＳ薄膜の飛散方向、（６２
）は真空配管、（６３）は真空ポンプを示している。
また第２図は本発明の方法により加工された第１の開溝
（１８）近辺の形状を示す図で、（６）はＳＵＳ薄膜（
２）の溶融によって形成された凸部である。
（１８）近辺の形状を示す図で、（６）はＳＵＳ薄膜（
２）の溶融によって形成された凸部である。
なお、第１図、第２図に示す実施例はこの発明を集積形
光発電素子の製造に適用した場合である。
光発電素子の製造に適用した場合である。
上記のように構成された薄膜の加工方法において、ガラ
ス基板（ｌＯ）の上方より照射されたレーザー光（６０
）はガラス基板（１０）Ｋエネルギーをほとんど吸収さ
れることなく、ガラス基板（１ｏ）上に形成され下向き
に配置されたＳＵＳ薄膜（２）上に焦点を合わせられる
。レーザー光（６ｏ）に照射すれたＳＵＳ薄膜（２）は
レーザー光（６ｏ）のエネルギーを吸収することＫより
プラズマ化しガラス基板（１０）より分離する。このと
き、ガラス基板（１０）はＳＵＳ薄膜（２）側より真空
吸引され、ＳＵＳ薄膜（２）の加工部である開講（１Ｂ
）Ｋは真空吸引のＩｇ （５３）が設けられているため
、ガラス基板（１ｏ）より分離したＳＵＳは自重、プラ
ズマ流、真空吸引の相乗効果により矢印（６１）で示さ
れたように強く下方に落下する。
ス基板（ｌＯ）の上方より照射されたレーザー光（６０
）はガラス基板（１０）Ｋエネルギーをほとんど吸収さ
れることなく、ガラス基板（１ｏ）上に形成され下向き
に配置されたＳＵＳ薄膜（２）上に焦点を合わせられる
。レーザー光（６ｏ）に照射すれたＳＵＳ薄膜（２）は
レーザー光（６ｏ）のエネルギーを吸収することＫより
プラズマ化しガラス基板（１０）より分離する。このと
き、ガラス基板（１０）はＳＵＳ薄膜（２）側より真空
吸引され、ＳＵＳ薄膜（２）の加工部である開講（１Ｂ
）Ｋは真空吸引のＩｇ （５３）が設けられているため
、ガラス基板（１ｏ）より分離したＳＵＳは自重、プラ
ズマ流、真空吸引の相乗効果により矢印（６１）で示さ
れたように強く下方に落下する。
以上のような機構により形成された第１の開溝（１８）
の近辺は第２図に示されたように溝中央にはほとんど凹
凸が存在しなくなり、溝端部にＳＵＳ薄膜の溶融による
凸部（６）が存在するのみとなる。
の近辺は第２図に示されたように溝中央にはほとんど凹
凸が存在しなくなり、溝端部にＳＵＳ薄膜の溶融による
凸部（６）が存在するのみとなる。
なお、同様にして薄膜（２）の所定部に第２．第３・・
・・・・の開溝（図示せず）を設けることができる。
・・・・の開溝（図示せず）を設けることができる。
なお上記実施例では基板にガラス、レーザー光にＹＡＧ
、薄膜としての第一の電極（メタル電極）を構成する金
属薄膜としてＳＵＳを用いたが、これらはレーザー光が
基板に吸収されにくく金属膜など加工すべき薄膜に吸収
されやすい組み合わせであれば何でもよ（、例えばガラ
ス基板、アレキサンドライトレーザー、ＳＵＳの組み合
わせでも、ＫＢｒ基板、Ｃ０２レーザー、Ａｔの組み合
わせなどでもよいヶまた、上記実施例ではこの発明を集
積形光発電素子の製造に用いる場合について説明したが
これに限定されるものではなく、例えば絶縁基板上に電
極をパターン配列する場合などにも適用することが可能
であり、上記実施例と同様の効果を期待できる。薄膜の
種類なども上記実施例に限定されるものではない。
、薄膜としての第一の電極（メタル電極）を構成する金
属薄膜としてＳＵＳを用いたが、これらはレーザー光が
基板に吸収されにくく金属膜など加工すべき薄膜に吸収
されやすい組み合わせであれば何でもよ（、例えばガラ
ス基板、アレキサンドライトレーザー、ＳＵＳの組み合
わせでも、ＫＢｒ基板、Ｃ０２レーザー、Ａｔの組み合
わせなどでもよいヶまた、上記実施例ではこの発明を集
積形光発電素子の製造に用いる場合について説明したが
これに限定されるものではなく、例えば絶縁基板上に電
極をパターン配列する場合などにも適用することが可能
であり、上記実施例と同様の効果を期待できる。薄膜の
種類なども上記実施例に限定されるものではない。
さらに、薄膜を設けた面を鉛直方向に対し下方に向けて
配設し、除去物の自重を利用する場合について説明した
が、自重の効果が少ない加工対象などについては、必ず
しも下方向でなくても差支えない。
配設し、除去物の自重を利用する場合について説明した
が、自重の効果が少ない加工対象などについては、必ず
しも下方向でなくても差支えない。
以上のように、この発明によれば、ガラス基板上に設け
られた薄膜の所定部を除去加工するに際し、薄膜を設け
た側を排気すると共に、ガラス基板に対し、上記薄膜と
は反射側より上記薄膜の所定部にレーザービームを照射
することにより、Ｖ−ザー光によって除去された加工物
が加工部に残存することなく、高品質な加工物が得られ
る効果がある。
られた薄膜の所定部を除去加工するに際し、薄膜を設け
た側を排気すると共に、ガラス基板に対し、上記薄膜と
は反射側より上記薄膜の所定部にレーザービームを照射
することにより、Ｖ−ザー光によって除去された加工物
が加工部に残存することなく、高品質な加工物が得られ
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例による薄膜の加工方法を光発
電素子の製造に適用した場合を示す斜視図、第２図は第
１図に示す方法により加工された開溝近辺の形状を説明
する斜視図である。第３図は従来方法を示す図であり（
ａ）はレーザ加工機のブロック図、（ｂ）はノズル部の
拡大図である。第４図は従来方法により加工された開溝
近辺の形状を説明する斜視図である。 図において、（１０）はガラス基板、（２）は薄膜とし
てのステンレス薄膜、（１８）は第１の開溝、（５２）
は加工テーブル、（５３）は溝部、（６０）はレーザー
光、（６２）は真空配管、（６３）は真空ポンプである
。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 児１図 元２図
電素子の製造に適用した場合を示す斜視図、第２図は第
１図に示す方法により加工された開溝近辺の形状を説明
する斜視図である。第３図は従来方法を示す図であり（
ａ）はレーザ加工機のブロック図、（ｂ）はノズル部の
拡大図である。第４図は従来方法により加工された開溝
近辺の形状を説明する斜視図である。 図において、（１０）はガラス基板、（２）は薄膜とし
てのステンレス薄膜、（１８）は第１の開溝、（５２）
は加工テーブル、（５３）は溝部、（６０）はレーザー
光、（６２）は真空配管、（６３）は真空ポンプである
。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 児１図 元２図
Claims (4)
- （１）ガラス基板上に設けられた薄膜の所定部を除去加
工するに際し、薄膜を設けた側を排気すると共に、ガラ
ス基板に対し上記薄膜とは反対側より上記薄膜の所定部
にレーザービームを照射することを特徴とする薄膜の加
工方法。 - （２）薄膜はメタル電極を構成する金属薄膜とアモルフ
ァスＳｉを含む光発電層と透明電極を構成する導電性薄
膜とを順次積層して光発電素子を製造する際の金属薄膜
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜の加工方法。 - （３）金属薄膜はステンレス薄膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の薄膜の加工方法。 - （４）鉛直方向に対し、薄膜を形成した面を下方に向け
て配置することを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項の何れかに記載の薄膜の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308643A JPH01149978A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 薄膜の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308643A JPH01149978A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 薄膜の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149978A true JPH01149978A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=17983530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308643A Pending JPH01149978A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 薄膜の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149978A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01306095A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-11 | Nippei Toyama Corp | 薄膜付レーザ光透過性材料のレーザ加工装置 |
| JP2010167484A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Takei Electric Industries Co Ltd | 薄膜積層ガラス基板の薄膜除去方法及び装置 |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62308643A patent/JPH01149978A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01306095A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-11 | Nippei Toyama Corp | 薄膜付レーザ光透過性材料のレーザ加工装置 |
| JP2010167484A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Takei Electric Industries Co Ltd | 薄膜積層ガラス基板の薄膜除去方法及び装置 |
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