JPH01149941A - Fe−Si−Al−N系合金薄膜 - Google Patents
Fe−Si−Al−N系合金薄膜Info
- Publication number
- JPH01149941A JPH01149941A JP30740587A JP30740587A JPH01149941A JP H01149941 A JPH01149941 A JP H01149941A JP 30740587 A JP30740587 A JP 30740587A JP 30740587 A JP30740587 A JP 30740587A JP H01149941 A JPH01149941 A JP H01149941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- weight
- alloy thin
- magnetic recording
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 17
- 229910001199 N alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はFe−Si−^u−N系合金薄膜に関するもの
である。
である。
[発明の概要]
本発明はFe−Si−Al−N系合金薄膜に関し、Fe
−Si−Aj2系高透磁率合金に、Nを1〜3重量%添
加するこにより、熱安定性がよく、優れた軟磁性特性を
有する垂直磁気記録ヘッド材料を得るようにしたもので
ある。
−Si−Aj2系高透磁率合金に、Nを1〜3重量%添
加するこにより、熱安定性がよく、優れた軟磁性特性を
有する垂直磁気記録ヘッド材料を得るようにしたもので
ある。
なお、この概要はあくまでも本発明の技術内容に迅速に
アクセスするためにのみ供されるものであって、本発明
の技術的範囲および権利解釈に対しては何の影響も及ぼ
さないものである。
アクセスするためにのみ供されるものであって、本発明
の技術的範囲および権利解釈に対しては何の影響も及ぼ
さないものである。
[従来の技術]
従来、Siが6〜11重量%の範囲にあり、lが4〜8
重量%の範囲にあり、残部がFeである組成範囲(いわ
ゆる「センダスト組成」)にあるFe−Si−AIl系
合金は優れた軟磁性特性を示すことが知られている。こ
の組成範囲内にあるFe−Si−AA系合金は、バルク
あるいは3μm以上の厚膜において、例えば抗磁力が0
.20e以下、初透磁率が2000以上、飽和磁束密度
が11kG以上といった優れた軟磁性特性を持つが、膜
厚0.1〜1μmの薄膜においては抗磁力が10a以上
である(例えば、日本金属学会誌Vo1.34. (1
970) 、No、1.山木他)。
重量%の範囲にあり、残部がFeである組成範囲(いわ
ゆる「センダスト組成」)にあるFe−Si−AIl系
合金は優れた軟磁性特性を示すことが知られている。こ
の組成範囲内にあるFe−Si−AA系合金は、バルク
あるいは3μm以上の厚膜において、例えば抗磁力が0
.20e以下、初透磁率が2000以上、飽和磁束密度
が11kG以上といった優れた軟磁性特性を持つが、膜
厚0.1〜1μmの薄膜においては抗磁力が10a以上
である(例えば、日本金属学会誌Vo1.34. (1
970) 、No、1.山木他)。
[発明が解決しようとする問題点]
上述したように、従来のFe−5l−/l系合金は膜厚
0.1〜1μmにおいて抗磁力が10a以上あり、例え
ば垂直磁気記録用ヘッドには使用できなかった。一方、
Go系非晶質合金は膜厚0.1〜1μmの薄膜において
優れた軟磁性特性を持つため垂直磁気記録用ヘッド材料
として現在使用されているが、熱的に不安定であるため
ガラス溶着をヘッド製作工程に適用することができなか
った。
0.1〜1μmにおいて抗磁力が10a以上あり、例え
ば垂直磁気記録用ヘッドには使用できなかった。一方、
Go系非晶質合金は膜厚0.1〜1μmの薄膜において
優れた軟磁性特性を持つため垂直磁気記録用ヘッド材料
として現在使用されているが、熱的に不安定であるため
ガラス溶着をヘッド製作工程に適用することができなか
った。
そこで、本発明の目的は、上述した問題点を解消し、熱
的に安定であって、優れた軟磁性特性を有する垂直磁気
記録用ヘッド材料を提供することにある。
的に安定であって、優れた軟磁性特性を有する垂直磁気
記録用ヘッド材料を提供することにある。
E問題点を解決するための手段]
かかる目的を達成するために、本発明は、Fe−Si−
Aλ系高透磁率合金にNが1〜3重量%添加されている
ことを特徴とする。
Aλ系高透磁率合金にNが1〜3重量%添加されている
ことを特徴とする。
Siが5〜11重量%の範囲にあり、lが0.7〜8重
量%の範囲にあることが望ましい。
量%の範囲にあることが望ましい。
[作 用]
本発明によれば、 Fe−Si−AjZ −N系合金薄
膜の組成限定をすることにより熱安定性が優れ、軟磁性
特性の良好な合金薄膜を得ることができる。
膜の組成限定をすることにより熱安定性が優れ、軟磁性
特性の良好な合金薄膜を得ることができる。
[実施例]
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
1底■±
Feが87,3重量%、Stが9.43重量%、 八℃
が1.6重量%およびNが1.7重量%であるFe−S
i−An −N系合金薄膜をスパッタリング法により作
製した。
が1.6重量%およびNが1.7重量%であるFe−S
i−An −N系合金薄膜をスパッタリング法により作
製した。
この合金薄膜の膜厚は0.3μmであった。
第1図は本実施例の合金薄膜の磁化特性の一例を示す。
本図は印加磁界±250eの時の磁化曲線を示したもの
である。図中、曲線aは磁化容易方向の磁化曲線を示し
、曲線すは磁化困難方向の磁化曲線を示す。
である。図中、曲線aは磁化容易方向の磁化曲線を示し
、曲線すは磁化困難方向の磁化曲線を示す。
第2図は第1図の磁化困難方向について原点付近を拡大
して示したものである。すなわち磁場4.50e付近ま
ではフルスケールを50sとし、それ以上の磁場に対し
てはフルスケールを1000eとして描いた磁化曲線を
示したものである。より詳しく説明すれば、A点、0点
においてフルスケール50aからフルスケール1000
eにレンジ変換し、また、B点、D点においてフルスケ
ールを1000eから50eにレンジ変換して磁化曲線
を描いたものである。
して示したものである。すなわち磁場4.50e付近ま
ではフルスケールを50sとし、それ以上の磁場に対し
てはフルスケールを1000eとして描いた磁化曲線を
示したものである。より詳しく説明すれば、A点、0点
においてフルスケール50aからフルスケール1000
eにレンジ変換し、また、B点、D点においてフルスケ
ールを1000eから50eにレンジ変換して磁化曲線
を描いたものである。
後に第3図および第4図で示す磁化曲線も同様にして描
いたものである。
いたものである。
第2図における直線Eは初透磁率μIを示すために初磁
化曲線の原点における接線を延長した直線であり、第3
図および第4図における直線FおよびGも同様である。
化曲線の原点における接線を延長した直線であり、第3
図および第4図における直線FおよびGも同様である。
本実施例のFe−Si−All−N系合金薄膜は面内−
軸異方性を持ち、磁化困難軸方向において抗磁力■cが
0.20e、飽和磁束密度B、が12kG、初透磁率が
1000である。
軸異方性を持ち、磁化困難軸方向において抗磁力■cが
0.20e、飽和磁束密度B、が12kG、初透磁率が
1000である。
第3図に比較のため、従来のFe−Si−Al系合金薄
膜の磁化曲線の一例を示す。
膜の磁化曲線の一例を示す。
Feが85.8重量%、Stが9.4重量%、 A1が
4.8重量%である従来のFe−Si−An系合金薄膜
をスパッタリング法を用いて作製した。このFe−Si
−+1系合金薄膜の厚さは0.38μmであった。
4.8重量%である従来のFe−Si−An系合金薄膜
をスパッタリング法を用いて作製した。このFe−Si
−+1系合金薄膜の厚さは0.38μmであった。
第3図より、飽和磁束密度は11.6kGと本発明のF
e−Si−Al1−N系合金薄膜と比べ大差ないが、抗
磁力HCが1.60eと大きく、初透磁率μmが456
と小さいため、例えば磁気ヘッド用材料として使用でき
ない。
e−Si−Al1−N系合金薄膜と比べ大差ないが、抗
磁力HCが1.60eと大きく、初透磁率μmが456
と小さいため、例えば磁気ヘッド用材料として使用でき
ない。
太】C辻ス
Fe87.4重量%、Si9.33重量%、 l 1.
37重量%およびN1.87重量%であるFe−5j−
八、12−N系合金薄膜をスパッタリング法により作製
した。合金薄膜の膜厚は0.3μmであった。この合金
薄膜を回転磁界中熱処理により異方性を制御した時の磁
化困難軸方向の磁化曲線の一例を第4図に示す。第4図
より、磁化困難軸方向において抗磁力11cが0.6O
e、 nA和磁束密度[1sが12kG、初透磁率μm
が2000である。
37重量%およびN1.87重量%であるFe−5j−
八、12−N系合金薄膜をスパッタリング法により作製
した。合金薄膜の膜厚は0.3μmであった。この合金
薄膜を回転磁界中熱処理により異方性を制御した時の磁
化困難軸方向の磁化曲線の一例を第4図に示す。第4図
より、磁化困難軸方向において抗磁力11cが0.6O
e、 nA和磁束密度[1sが12kG、初透磁率μm
が2000である。
実施例3〜1.0
未発明によるFe−Si−へn−Nfi合金薄膜をスパ
ッタリングにより作製し、500℃で80分間保持する
熱処理をした後、薄膜の組成分析と抗磁力+lcを測定
した。その結果を第1表に示す。
ッタリングにより作製し、500℃で80分間保持する
熱処理をした後、薄膜の組成分析と抗磁力+lcを測定
した。その結果を第1表に示す。
第 1 表
なお、抗磁力Hcは軟磁性薄l摸用振動試料型磁力計で
測定し、組成はオージェ電子分光装置と光電子分光装置
により定量分析した。第1表より、Nが1〜3重量%の
組成範囲で抗磁力が0.80e以下であ′す、Fe、S
i、Alの組成にはあまり関係のないことがわかる。実
施例1〜10においては抗磁力が1.00e以下である
ため垂直磁気記録用ヘッドの材料として使用できる。N
の組成が0.17重量%である比較例の抗磁力は1.4
0eであり、垂直磁気記録用ヘッドの材料として使用す
ることはできない。
測定し、組成はオージェ電子分光装置と光電子分光装置
により定量分析した。第1表より、Nが1〜3重量%の
組成範囲で抗磁力が0.80e以下であ′す、Fe、S
i、Alの組成にはあまり関係のないことがわかる。実
施例1〜10においては抗磁力が1.00e以下である
ため垂直磁気記録用ヘッドの材料として使用できる。N
の組成が0.17重量%である比較例の抗磁力は1.4
0eであり、垂直磁気記録用ヘッドの材料として使用す
ることはできない。
また、実施例1と同じ組成の薄膜に対する抗磁力1(C
の膜厚依存性を第5図に示す。膜厚0.1〜1μmにお
いて抗磁力Heが0.80e以下であり、特に膜厚0.
2μm以上では0.30e以下である。
の膜厚依存性を第5図に示す。膜厚0.1〜1μmにお
いて抗磁力Heが0.80e以下であり、特に膜厚0.
2μm以上では0.30e以下である。
本発明のFe−Si−Aρ−N系合金薄膜をスパッタリ
ングにより作製したが、他の薄膜作製法、例えば真空蒸
着法などでも製造することができる。
ングにより作製したが、他の薄膜作製法、例えば真空蒸
着法などでも製造することができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、 Fe−Si−
Aft−N系合金薄膜の組成限定をすることにより熱安
定性が優れ、軟磁性特性の良好な合金薄膜を得ることが
できる。
Aft−N系合金薄膜の組成限定をすることにより熱安
定性が優れ、軟磁性特性の良好な合金薄膜を得ることが
できる。
本発明のFe−Si−Al−N系合金薄膜は400℃以
上の熱処理が必要なガラス溶着にも耐えられるため、例
えば垂直磁気記録用ヘッドにこの合金薄膜を使用すれば
、ヘッド製作上の歩留りの向上による経済性の向上、ヘ
ッドの機械強度の向上などを計ることがでとる。
上の熱処理が必要なガラス溶着にも耐えられるため、例
えば垂直磁気記録用ヘッドにこの合金薄膜を使用すれば
、ヘッド製作上の歩留りの向上による経済性の向上、ヘ
ッドの機械強度の向上などを計ることがでとる。
第1図、第2図および第4図は本発明の実施例における
Fe−Si−Afl−N系合金薄膜の磁化曲線の一例を
示す図、 第3図は従来のFe−Si−All系合金薄膜の磁化曲
線の一例を示す図、 第5図は抗磁力の膜厚依存性を示す図である。
Fe−Si−Afl−N系合金薄膜の磁化曲線の一例を
示す図、 第3図は従来のFe−Si−All系合金薄膜の磁化曲
線の一例を示す図、 第5図は抗磁力の膜厚依存性を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)Fe−Si−Al系高透磁率合金にNが1〜3重量
%添加されていることを特徴とするFe−Si−Al−
N系合金薄膜。 2)前記Siが5〜11重量%の範囲にあり、前記Al
が0.7〜8重量%の範囲にあることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のFe−Si−Al−N系合金薄
膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30740587A JPH01149941A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Fe−Si−Al−N系合金薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30740587A JPH01149941A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Fe−Si−Al−N系合金薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01149941A true JPH01149941A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=17968657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30740587A Pending JPH01149941A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Fe−Si−Al−N系合金薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01149941A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142250A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk | 磁性薄膜及びその製造方法 |
US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
US5515221A (en) * | 1994-12-30 | 1996-05-07 | International Business Machines Corporation | Magnetically stable shields for MR head |
JP2011019496A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Pacific Consultants Co Ltd | 人工浮島用植生基盤、その製法及び植生用人工浮島 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6292306A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-27 | Sony Corp | 磁性薄膜 |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP30740587A patent/JPH01149941A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6292306A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-27 | Sony Corp | 磁性薄膜 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
JPH07142250A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk | 磁性薄膜及びその製造方法 |
US5515221A (en) * | 1994-12-30 | 1996-05-07 | International Business Machines Corporation | Magnetically stable shields for MR head |
JP2011019496A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Pacific Consultants Co Ltd | 人工浮島用植生基盤、その製法及び植生用人工浮島 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0587888B2 (ja) | ||
JPH0268906A (ja) | 高飽和磁束密度軟磁性膜及び磁気ヘッド | |
JPH01149941A (ja) | Fe−Si−Al−N系合金薄膜 | |
GB2148944A (en) | Magnetic recording medium | |
JPS60101709A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPS60132305A (ja) | 鉄−窒素系積層磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘツド | |
JPH02206103A (ja) | 垂直磁気記録再生ヘッド用基板 | |
JP2707213B2 (ja) | 磁気ヘッド用鉄系軟磁性薄膜合金及びその製造方法 | |
JPH07130537A (ja) | Fe−M−C系磁性膜及び磁気回路素子 | |
JPS6390026A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2991478B2 (ja) | 軟磁性薄膜材料 | |
JPS6362578B2 (ja) | ||
JPS6184005A (ja) | 磁気記録材料 | |
JP2842683B2 (ja) | 軟磁性薄膜材料 | |
JPH02152208A (ja) | 軟磁性合金膜 | |
JPH04296008A (ja) | 磁気ヘッド用金属磁性薄膜 | |
JPH0665662A (ja) | 軟磁性合金 | |
JPS60125933A (ja) | 磁性媒体の製法 | |
JPS60238435A (ja) | 磁気ヘツド用非晶質合金薄膜 | |
JPH03132004A (ja) | Fe―Ta―C系磁性膜および磁気ヘッド | |
JPS6386505A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
JPH0376102A (ja) | 多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド | |
JPH01146312A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
JPH0696419A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH0620223A (ja) | 磁気ヘッド |