JPH01136009A - 非接触式膜厚測定器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は非接触式膜厚測定器、特に導電性基体上に被覆
された絶縁性被膜の膜厚を測定する装置の改良に関する
。。

［従来の技術１ 従来より、導電性基体、例えば金属基体上に被覆された
絶縁性被膜の膜厚を正確に測定するための技術が知られ
ている。このような膜厚測定技術としては、例えば、う
ず電流を利用した接触式の膜厚測定技術、ウエットフィ
ルムシックネスゲージを用いた接触式の膜厚測定技術、
光学的三角測量方式を利用した非接触式の膜厚測定技術
等がある。

しかし、従来の膜厚測定技術は、基体表面に被覆された
絶縁性被膜が固化しなければ測定ができなかったり、測
定作業能率が悪い等の問題があった。このため、絶縁性
被膜の物理的状態が固体または液体のいずれの状態にあ
る場合でも、その膜厚を簡単かつ正確に測定できる技術
の開発が望まれていた。

例えば、従来のうず電流式の膜厚測定技術は、。

被膜が被覆された導電性基体に向け高周波磁場を印加し
、基体に発生するうず電流を利用して基体までの距離を
膜厚として測定する。

このため、基体に対して被膜を被覆した後に膜厚を測定
することができる。従って、被覆前の基体の状態、例え
ば基体の位置や厚さなどを予め把握しておく必要がなく
、また被膜の被覆中の環境条件の変動などに影響される
ことなく、膜厚を正確に測定することができる。

しかし、この従来技術では、膜厚測定器自体を被膜表面
に接触する必要があった。このため、被膜の物理的条件
、すなわち、被覆直後の被膜のように被膜が固化してい
ない場合や、被膜が傷つき易いような場合には、その膜
厚を測定することができないという問題があった。

また、このような液状被膜や、固化していない被膜の膜
厚を測定するために、従来よりウエットフィルムシック
ネスゲージが用いられている。

このゲージを用いれば、うず電流式の１１！厚測定技術
では測定することはできない液状被膜や、固化していな
い被膜の膜厚を精度良く測定することができる。

しかし、このゲージは、完全な被膜破壊型の膜厚測定器
であるため、その用途が極めて限定されてしまい、汎用
性ある膜厚測定器として用いることができないという問
題があった９ また、光学的三角測量方式を用いた膜厚測定技術は、被
膜の膜厚を非破壊、非接触で測定することができる半面
、基体上に被膜を被覆する前と後の合５１２回にわたり
測定作業を行わなければならず、作業能率が悪いという
問題があった。

このような光学的膜厚測定技術としては、測定器を一つ
用いるものと、二つ用いるものとが知られている。

測定器を一つ用いるものでは、まず被覆前に基体までの
距離を測定し、次に測定器と基体との間隔を一定に保っ
たまま、被覆後に被膜表面までの距離を測定する。

そして、被膜を施す前後２回にわたって測定されバ距離
の変化に基づき膜厚を演算している。

また、測定器を２つ用いるものでは、ある一定の間隔を
空けて向い合せて配置した２つの測定器の間に、被膜を
施す前の基体を置き、２つの測定器から基体までの距離
を測定する。次に、被膜を施した基体を同様にして２つ
の測定器の間におき、両側定器から基体の被膜表向まで
の距離を測定する。

そして、被膜を施す前後２回にわたって測定された距離
の変化に基づき膜厚を演算している。

しかし、このように三角測量法を用いた測定法では、測
定器を１台または２台用いても、基体上に被覆を施す前
後２回にわたり、距離測定作業を行わなければならず、
迅速な膜厚測定を行うことができないという問題があっ
た。

以上説明したように、うず電流あるいはゲージを用いた
従来の膜厚測定技術では、被膜を被覆後に膜厚を測定す
ることができる半面、被膜の物理的な状態、例えば固体
、液体等の状態に応じて測定器を使い分けなければなら
ず、しかも破壊式あるいは接触式の測定であったため、
その用途が著しく限定されてしまうという問題があった
。

また、従来の光学的測定技術では、被膜に対し非破壊、
非接触でその膜厚を測定することができる反面、基体に
被覆を施す前と後で合計２回にわたり測定作業をしなけ
ればならず、測定作業能率が極めて悪いという問題があ
った。

［発明が解決しようとする問題点」 本発明は、このような従来の課題に鑑みなされたもので
あり、その目的は、基体上に絶縁性被膜を被覆した後、
前記被膜の物理的状態に影響されることなくその膜厚を
非破壊、非接触で効率よく測定することができる非接触
式膜厚測定器を実現することにある。

Ｅ問題点を解決するための手段］ 前記目的を達成するために、本発明は、導電性基体上に
被覆された絶縁性被膜の膜厚を測定する装置において、 導電性基体に高周波の磁場を印加し、基体に発生ずるう
ず電流を利用して基体までの距離を非接触で測定するう
ず電流式距離測定手段と、このうず電流式距離測定手段
との相対位置が固定され、前記絶縁性被膜表面までの距
離を光学的に非接触で測定する光学式距離測定手段と、
前記再測定手段により測定される距離に基づき、絶縁性
被膜の膜厚を演算する膜厚演算手段と、を含むことを特
徴とする。

１販Ａ 次に本発明の着眼点について簡単に説明する。

従来のうず電流式の膜厚測定技術では、膜厚を測定する
際に、被膜表面に膜厚測定器を接触していた。

本発明者らは、このような従来技術について検討しなと
ころ、従来のうず電流式膜厚測定技術では測定器を被膜
表面に接触しているものの、原理的には測定器と基体表
面との距離を測定していることに他ならないことに思い
至った。

つまり、うず電流式膜厚測定器は、その測定可能範囲内
であれば被膜に接触しないよう被膜から適当に距離をお
いて設置されても、測定器と基体までの距離を測定する
ことができる。

したがって、このようにして求めた距離から測定器と被
膜表面までの距離を差し引いてやれば膜厚の測定を行う
ことができる。

そこで、本発明者らは、うず電流式膜厚測定器を測定対
象となる被膜からどれだけ離したかを非接触で測定する
手段を設けた。

すなわち、うず電流式膜厚測定技術では、被膜に測定器
を接触しなければ膜厚を測定できないという従来の常識
に疑問をいだき、その膜厚測定原理を吟味した結果、う
ず電流式膜厚測定技術に光学的測量技術を組合わせれば
良いという結論に達したのである。

このようにすることによって、測定器を被膜から適当な
間隔を空けて設置すると、うず電流測定技術を用いて測
定器と基体との距離が測定され、光学的三角測量技術を
用いて測定器と被膜との距離が測定さる。このため、再
測定距離の差をとることにより被膜の膜厚を求めること
ができる。

従って、このような着眼点にたって膜厚測定器を形成す
れば、基体上に被膜を被覆した後に、１回の測定作業を
おこなうのみで、膜厚を正確に測定することができる非
接触、非破壊式の膜厚測定器を実現することができる。

［作用］ 次に本発明の詳細な説明する。

本発明の膜厚測定器を用いて、導電性基体の表面仲被覆
された絶縁性被膜の膜厚測定を行う場合には、まず、導
電性基体の被膜表面から適当な間隔を空けて本発明の膜
厚測定器を設置する。

このとき、測定器に設けられたうず電流式距離測定手段
は、導電性基体に高周波の磁場を印加し、基体に発生ず
るうず電流を利用して測定器と基体表面との距離を非接
触で測定する。

通常、このようなうず電流式距離測定手段は、高周波の
磁場発生用の高周波コイルを含む。

そして、前記高周波コイルにより発生した磁界内に導電
性基体が近づいたときに、その基体内に発生するうず電
流を、コイルのインダクタンスおよびＱの変化に基づき
検出する。

このようなインダクタンスおよびＱの変化は、測定器と
導電性基体との間隔に対応するものであり、両者の間に
絶縁性被膜が存在してもその変化は影響を受けない。

また、本発明において、光学式距離測定手段は、測定器
と絶縁性被膜表面までの距離を光学的に非接触で測定す
る。

このような光学的距離測定手段は、必要に応じて各種構
成のものを採用することができる。例えば被膜が不透明
のものである場合には被膜表面に向け測定ビームを投光
すると、該被膜表面上にできた微小スポットの位置が被
膜と測定器との距離に応じて変化する。

このことを利用して、被膜表面の微小スポット位置の変
化を、測定器側の撮像素子上での結像位置の変化として
捉え、三角測量技術を用いて測定器と被膜表面までの距
離を測定することができる。

また、これ以外に、例えば被膜表面に投光した測定ビー
ムの正反射光線の反射位置と角度を検出することにより
、被膜までの距離を測定することもできる。

すなわち、被膜表面からの反射光線をビームスプリッタ
等を用いて分割し、一方の分割反射ビームをレンズを介
して検出素子へ入射させ、結像光学系によって被膜まで
の距離を測定する。

更に、もう一方の分割反射ビームを、直接別の素子へ入
射させ被膜の傾きを検出することもできる。

このようにすれば、被膜が鏡面に近かったり、透明であ
っても測定器と被膜までの距離を正確に測定することが
できる。

そして、本発明によれば、うず電流式距離測定手段およ
び光学式距離測定手段により測定された距離に基づき、
膜厚演算手段を用い絶縁性被膜の膜厚を演算する。

すなわち、本発明においては、うず電流式距離測定手段
と光学式距離測定手段の相対位置が固定されているため
、両測定手段により測定された距離の差は絶縁性被膜の
膜厚を表すデータを含むこととなる。

従って、膜厚演算手段は、両測定手段により測定された
距離に基づき絶縁性被膜の膜厚を演算することができる
。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、うず電流式距離
測定手段と光学式距離測定手段とを組合わせることによ
り、導電性基体上に既に被覆された絶縁性被膜の膜厚を
、−回の測定作業で迅速かつ正確に測定することができ
る。

更に、本発明によれば、導電性被膜に対し非接触でかつ
これを破壊することなくその膜厚を測定することができ
るため、各社分野における膜厚測定用に幅広く用いるこ
とが可能となる。

「実施例」 次に本発明の好適な実施例を図面に基づき説明する。

第１図には、本発明に係る膜厚測定器の好適な実施例が
示されており、この膜厚測定器は、導電材料を用いて形
成された基体１００上に被覆された絶縁性被膜１１０の
膜厚を測定するものである。

実施例の膜厚測定器は、プローブケース１０内にうず電
流式測定プローブ１２と光学式測定プローブ１４とが一
体的に収納固定されている。

そして、ブローブゲース１０を基体１００に向け離隔的
に対向配置すると、うず電流式プローブ１２を用いて基
体１００の表面までの距離ｄａが測定され、光学式プロ
ーブ１４を用いて被膜１１０の表面までの距［ｄｂが測
定される。

そして、これら両測定プローブ１２および１４の測定信
号Ｓａおよびｓｂはそれぞれ演算処理部１６へ向け出力
される。

実施例の演算処理部１６は、演算処理回路１８と表示部
２０とから構成されている。

そして、演算処理回路１８は、各プローブ１２および１
４から入力される信号Ｓａおよびｓｂに基づき被膜１１
０の膜厚りを演算し、その演算信号Ｓ２を外部および表
示部２０へ向け出力する。

このようにして外部ヘイ８号Ｓ２を出力すれば、この測
定信号Ｓ２を制御信号およびその他各桂用途に広く用い
ることができる。

そして、表示部２０は、このようにして入力される測定
信号Ｓ２に基づき、膜厚の測定値りを表示することがで
き、しかも測定値りが要求される膜厚の許容範囲に入っ
ているか否かを知らせることもできる。

更に、本実施例の演算処理回路１８は、光学式測定プロ
ーブ１２．１４から入力される信号Ｓａ、ｓｂに基づき
、測定距離ｄａ　、ｄｂが測定可能範囲を上回っている
か否かを判別し、その判別結果を表示部２０を用い表示
している。

また、本実施例において、前記両側室プローブ１２およ
び１４は、基体１００に対する基準測定位置が同じにな
るようプローブケース１０内に取付は固定されている。

このため、実施例の演算処理回路１８は、これら両プロ
ーブ］２および１４により測定されたｄａおよびｄｂの
差を演算するのみで、被膜１１０の膜厚りを求めること
ができる。

このように、本発明によれば、プローブケース１０を基
体１００に向け所定間隔をおいて対向配置すれば、−回
の測定作業を行うだけで基体１００上に被覆された被膜
１１０の膜厚を正確に測定することができる。

特に、本発明によれば、被膜１１０の表面に接すること
なく膜厚を測定できるなめ、被膜］−〇〇が固化してい
るか、液状であるかというような物理的状態に拘りなく
、被膜１１０の膜厚測定を非接触でしかも非破壊で行う
ことができる。

また、本発明においては、プローブケース１０と演算処
理部］６と一体的に形成することもできる。しかし、実
施例のようにプローブケース１０と演算処理部１６とを
分離し、別体として形成すれば、プロ−ブケース］０を
小型かつコンパクトのものとし、膜厚測定時における取
扱いが容易なものとなる。

また、本実施例においては、プローブケース１０内にお
ける測定プローブ１２．１４の取付は位置を、必要に応
じて調整できるよう形成することが好ましく、このよう
にすれば、予め基準試料を用いてプローブ１２および１
４の位置補正を行い膜厚測定をより高い精度で行うこと
が可能となる。

第２図には本発明に用いられるうず電流式測定プローブ
］２の一例が示されている。

実施例のプローブ１２は、ブ１７−ブコイル２２を内蔵
しており、演算処理部１６側に設けられた高周波発生器
２４を用いてプローブコイル２２に高周波電流を流すと
、交番磁場が発生し、基体１００上に交番磁場を形成す
る。

したがって、この磁束が一定であれば、プローブコイル
２２と基体１００表面との距離（変位）（１に対応して
、発生するうず電流の強さは変化する。

そして、このうず電流により、逆にプローブコイル２２
のインダクタンスが変化する。このため、実施例の装置
では、この変化を演算処理部１６側に設けられたインダ
クタンス検出回路２６を用いて検出し、距離ｄａを測定
している。

すなわち、プローブケース１０を基体１００に向け対向
配置し、プローブコイル２２に高周波電流を流すと、導
電材料で形成された基体１００上には＜１８に対応した
うず電流が発生し、プローブ］２と基体１００との距［
ｄ　ａを測定することができる。

第３図には前記光学式測定プローブ１４の一例が示され
ている。

実施例の光学式測定プローブは、被膜１００に対してそ
の法線方向から微細系の光線を射出する光源と、光線を
被膜表面に照射した際発生ずるスポットを適当な角度方
向から観察するよう設置された撮像部分とから構成され
ている。具体的には、レーザ駆動回路３０、レーザダイ
オード３２）レンズ３４，３６、位置検出素子３８およ
びプリアンプ４０を用いて形成されている。

このように形成することにより、レーザ駆動回路３０を
用いてレーザダイオード３２を駆動すると、該ダイオー
ド３２からビームが射出される。

そして、このビームがレンズ３４により細く集光された
後、被膜１１０の表面に入射されこの被膜１−１０の表
面にスポットを形成する。

このスポットの位置は、別の角度からレンズ３６と位置
検出素子３８とで構成された撮像系で観察される。この
とき、位置検出素子３８にあおりをつけておくことによ
り、被膜１１０の膜厚の変化に伴いスポットの結像位置
が上下に変化しても、常にスポットの焦点が合うように
位置検出素子３８を設置することができる。

また、被膜１１０への投光ビームと、被膜１１０面上の
スポットと、撮像系は３角形を形成している。従って、
位置検出素子３８上に結像されたスポット位置を検出す
ることにより、三角測量の方法を用い被膜１１０上のス
ポットの観察位置θを幾何学的に求め、光学式測定プロ
ーブ１４と被膜表面との距離ｄｂを光学的に求めること
ができる。

ところで、第３図に示すような光学式測定プローブ１４
は、゛被膜表面からの拡散光を利用して被膜までの距ｉ
ｄｂの測定を行っている。したがって、被膜１１０が透
明であったり、またその表面が鏡に近かったりすると、
被膜］１０までの距離ｄｂの測定を行うことはできない
。

すなわち、この光学式測定ブＷ１−ブ１４では、不透明
でかつ拡散性を有する被膜１１０の膜厚しか測定するこ
とができないという問題がある。

第４図には、このような問題を解決した光学式測定プＩ
７−ブ１４の一例が示されている。

実施例の光学式測定プローブ１４は、レーザ駆動回路３
０、レーザダイオード３２）レンズ３４、ミラー４６か
らなり、被膜表面に向けビームを射出する投光系と、ビ
ームスプリッタ４２）レンズ３６、傾き検出素子４４、
位置検出素子３８からなり、被膜表面からの正反射光を
受光する受光系とを含み、その受光系の各検出素子３８
および４４の検出信号をプリアンプ４０を介して出力し
ている。

そして、投光系から被膜１，１０の表面に向けビームを
投光すると０、被膜表面からの反射光は、ビームスプリ
ッタ４２により２木のビームに分割される。

その１本のビーム１１はレンズ３６を介して距離検出索
子３８に入射される。この時、レンズ３６は、被膜１１
０の表面を検出素子３８上に結像する位置に配置しであ
るため、検出素子３８の表面に入射するビーム！１のス
ポット位置は、被膜表面までの距離に依存したものとな
る。

従って、このスポット位置を検出することにより、被膜
表面までの距離ｄｂを検出することができる。

また、ビームスプリッタ４２により分割されたもう一方
のビームｒ２は直接傾き検出素子４４へ入射される。こ
の時、そめ入射位置は被膜］１０の表面の傾きに依存し
たものとなる。

つまり、被膜１１０の表面にある角度で入射したビーム
！は、その入射角と等しい角度で反射する。したがって
被膜１１０に対しプローブ１４を垂直に対向させ（傾か
ないように対向させる）、しかも例えば検出素子４４の
中心にビーム！２が入射するよう予め設定しておけば、
被膜１１０が傾くとその傾きに応じた方向へビーム！が
反射され、検出素７−４４上へのビーム！２入射スポッ
ト位置は変化する。

このように、実施例によれば、この位置変化が被膜］１
０の傾きに依存している。このため、検出素子４４上に
おける入射スポット位置を検出することにより、被膜１
１０のプローブ１４に対する傾きを検出す為ことができ
る。したがって、検出した傾きを用いてブローブゲース
１０の姿勢を制御すれば、常に安定した測定を行うこと
ができる。

そして、これら各検出素子３８および４４を用いて検出
された距Ａｔ　ｄ　ｂおよび傾きは、プリアンプ４０よ
り増幅され、距離および傾き情報を含んだ信号ｓｂとし
て演算処理回路１８へ向け出力される。

このように、実施例の光学式測定プローブを用いれば、
被膜１１０の物理的特性および光学的特性、特に被膜１
１０が透明でもまた鏡面のように正反射光しか発生しな
い場合でも、被膜１１０の表面までの距離ｄｂを非接触
で正確に測定することができる。

なお、本実施例の光学式測定プローブ１４を用いる場合
には、ビーム！が被膜１１０の表面で正反射しその成分
を検出できるようミラー４６の傾きを設定することが好
ましい。

次に、本実施例の膜厚測定器を用いて、被塗装物の表面
に被覆された塗装膜の膜厚測定を行う場合の一例を説明
する。

第５図には、塗装工程において、被塗装！ｌＩＪｗの塗
装膜の厚さを塗装置後に測定し、その膜厚値を塗装工程
にフィードバックし塗装膜の膜厚制御を行うシステムの
一例が示されている。

本実施例のシステムは、表面が導電材料を用いて形成さ
れた被塗装物Ｗが塗装ライン５ｏにより塗装ブース５２
まで運・ばれてくると、この被塗装物Ｗの表面は、塗装
装置５４によって絶縁材料を用いて塗装される。

実施例の塗装装置５４は、被塗装物Ｗに塗装を施す塗装
ｆｉ５６と、その塗装機を制御する塗装機コントローラ
５８とから構成され、前記塗装板コントローラ５８は、
後述する制御信号生成回路７０から出力される膜厚制御
信号Ｓ３に基づき被塗装物Ｗ上に塗装する膜厚を制御す
る。また、この搬送ライン５０の下流側には、本発明の
非接触式膜厚測定器６０が設置されている。そして、塗
装が施された被塗装物Ｗが搬送ライン５０により搬送さ
れてくる毎にその塗装膜の膜厚を測定する。

すなわち、被塗装物Ｗは、その表面が導電性が材料を用
いて形成されており、その上に絶縁材料からなる塗装膜
が被覆形成されている。

従って、本発明の膜厚測定装置６０を用いれば、うず電
流式測定プローブ１２により被塗装物Ｗの表面までの距
離を測定することができ、また光学式測定プローブ１４
により塗装膜表面までの距離を測定することができる。

そして、これら両プ１１−ブ１２および１４から出力さ
れる測定信号Ｓａおよびｓｂは演算処理回路１８に入力
される。

実施例において、この演算処理回路１８は、両プローブ
１２．１４の出力信号Ｓａおよびｓｂをそれぞれ信号処
理する信号処理回路１８ａ、１８ｂと、これら両信号処
理回路１８ａおよび１８ｂから出力される信号に基づき
被塗装物Ｗの膜厚を演算し電気信号Ｓ２として出力する
演算回路１８Ｃとから構成されている。

そして、このようにして測定された被塗装物Ｗの塗装面
の膜厚は、表示部２０を用いて表示されるとともに、そ
の検出信号Ｓ２は制御信号生成回路７０へ向け出力され
る。

実施例において、この制御信号生成回路７０は、比較器
７２）塗装膜厚設定回路７４およびインターフェース回
路７６を含む。

そして、前記塗装膜厚設定回路７４には、予め所望の膜
厚が基準値として設定され、比較器７２は設定された基
準膜厚と検出膜厚Ｓ２とを比較し、この比較結果をイン
ターフェース回路７６を用いて制御信号Ｓ３に変換し、
塗装機コントローラ５８に向け膜厚の制御信号としてフ
ィードバック入力する。

このフィードバック信号に基づき、塗装機コントローラ
５８は塗装機５６を制御し、膜厚が設定値通りになるよ
うに、被塗装物Ｗに塗装を施す。

このように、本発明の膜厚測定器６０を、塗装ラインに
おける塗装膜の膜厚測定用として使用することにより、
被塗装物Ｗの塗装膜の膜厚を所望の設定値に良好にフィ
ードバック制御することができる。この結果、被塗装物
Ｗの外観が良好なものとなり、また安定した被塗装物Ｗ
を供給することができ、しかも使用する材料が最低限で
すみ塗装コストの低減を図ることができる。

特に、従来の膜厚測定器を使用した場合には、被塗装物
Ｗを塗装し乾燥した後でなければ膜厚測定ができなかっ
たため、膜厚不良が一旦発生ずると、その間に塗装工程
から焼付は乾燥工程にある全ての被塗装物が膜厚不良に
なるわけであるが、本発明の膜厚測定器を用いれば、被
塗装！！ＩＩＷが塗装された直後でもその膜厚を測定し
、測定値をフィードバック信号として用いることができ
る。このため、膜厚不良の被塗装物の発生を最小限にく
い止めることが可能であり、品質不良等に伴うコストア
ップを最小限に抑えることが可能となる。

なお、前記実施例においては、−台の膜厚測定器６０を
用いて被塗装物の膜厚測定を行う場合を例にとり説明し
たが、必要に応じて膜厚測定器を複数台用意し、これら
複数の膜厚測定器を用いた多点検査あるいは連続検査を
行うこともできる。

また、本実施例においては、尋電性基体１００上に被覆
された一層の被膜１１０の膜厚測定を行う場合を例にと
り説明したが、本発明はこれに限らず、導電性基体１０
０上に複数層の絶縁性被膜１１０が積層された場合でも
、各被膜１１０の膜厚を測定することができる。

この場合には、まず最初の被膜１１０が被覆された段階
でその膜厚測定を行い、次に被膜された段階でその膜厚
測定を行うという動作を繰返して行えばよく、このよう
にすることにより、新たに測定された膜厚から前回まで
の膜厚を減算することにより、各層の膜厚を測定するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る非接触式膜厚測定器の好適な一例
を示すブロック図、 第２図は第１図に示す測定器のうず電流式測定プローブ
の説明図、 第３図および第４図は第１図に示す光学式測定プ１７−
ブの説明図、 第５図は本発明の膜厚測定器を塗装工程に適用した場合
の一例を示す説明図である。 １２　・・・　うず電流式測定プローブ１４　・・・　
光学式測定プローブ １８　・・・　演算処理回路 １００　・・・　基体 １１０　・・・　被膜。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性基体上に被覆された絶縁性被膜の膜厚を測
   定する装置において、 導電性基体に高周波の磁場を印加し、基体に発生するう
   ず電流を利用して基体までの距離を非接触で測定するう
   ず電流式距離測定手段と、 このうず電流式距離測定手段との相対位置が固定され、
   前記絶縁性被膜表面までの距離を光学的に非接触で測定
   する光学式距離測定手段と、前記両測定手段により測定
   される距離に基づき、絶縁性被膜の膜厚を演算する膜厚
   演算手段と、を含むことを特徴とする非接触式膜厚測定
   器。
2. （２）特許請求の範囲（１）記載の装置において、前記
   光学式距離測定手段は、 絶縁性被膜表面までの距離を３角測量の手法を用いて、
   光学的に非接触で測定することを特徴とする非接触式膜
   厚測定器。
3. （３）特許請求の範囲（１）記載の装置において、前記
   光学式距離測定手段は、 絶縁性被膜に向け測定光を投光する投光系と、絶縁性被
   膜表面からの反射光を２系列のビーム光に分割し、一方
   の分割ビームを用いて絶縁性被膜表面までの距離を非接
   触で測定し、他方の分割ビームを用いて絶縁性被膜表面
   の傾きを非接触で測定する受光系と、 を含むことを特徴とする非接触式膜厚測定器。