JPH01132757A - Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の製造方法 - Google Patents
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の製造方法Info
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- JPH01132757A JPH01132757A JP29036487A JP29036487A JPH01132757A JP H01132757 A JPH01132757 A JP H01132757A JP 29036487 A JP29036487 A JP 29036487A JP 29036487 A JP29036487 A JP 29036487A JP H01132757 A JPH01132757 A JP H01132757A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば、ハードディスクなどの磁気記録媒体を
スパッター法、特にマグネトロンスパッタ装置により製
造する時に使われるＣ ｏ−Ｎ ｉ−Ｃｒ系合金ターゲ
ット材の製造方法に関するものである。
スパッター法、特にマグネトロンスパッタ装置により製
造する時に使われるＣ ｏ−Ｎ ｉ−Ｃｒ系合金ターゲ
ット材の製造方法に関するものである。
一般にマグネトロン・スパッタリング法は、ターゲット
の裏側に磁石をセントし、その磁界によってプラズマを
ターゲット表面に高密度で収束させることによってスパ
ッタリング速度を大幅に向上させるものである。
の裏側に磁石をセントし、その磁界によってプラズマを
ターゲット表面に高密度で収束させることによってスパ
ッタリング速度を大幅に向上させるものである。
このマグネトロン・スパッタリング法をＣｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ系合金のような強磁性体をターゲット材として用いる
と、ターゲット材の裏側にセットした磁石から発生する
磁束はほとんど強磁性体であるターゲットに吸収されプ
ラズマが封じ込められる部分はほとんどないか、あって
も極くわずかになってしまう。したがって、この場合に
はターゲット材の非常に限られた狭い部分からのみスパ
ッタリングされるのでスパッタリング効率が悪くなり。
ｒ系合金のような強磁性体をターゲット材として用いる
と、ターゲット材の裏側にセットした磁石から発生する
磁束はほとんど強磁性体であるターゲットに吸収されプ
ラズマが封じ込められる部分はほとんどないか、あって
も極くわずかになってしまう。したがって、この場合に
はターゲット材の非常に限られた狭い部分からのみスパ
ッタリングされるのでスパッタリング効率が悪くなり。
またターゲット材も局部的に消耗してしまう。
このため、強磁性体をターゲット材とする場合には、磁
力の強い磁石を用いターゲット材を磁気的に飽和させ、
残りの磁束をターゲット材の表面から漏洩せざるを得な
い状態にしておけばよい。
力の強い磁石を用いターゲット材を磁気的に飽和させ、
残りの磁束をターゲット材の表面から漏洩せざるを得な
い状態にしておけばよい。
しかし、この場合であっても、ターゲット材の板厚が薄
い場合には、ターゲット材が磁気的に飽和しやすく問題
ないが、ターゲット材の板厚が厚くなると磁気的に飽和
しにくくなり、良好なスパッタリングが行なわれなくな
る。
い場合には、ターゲット材が磁気的に飽和しやすく問題
ないが、ターゲット材の板厚が厚くなると磁気的に飽和
しにくくなり、良好なスパッタリングが行なわれなくな
る。
従来、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材は、−般に
真空誘導炉で溶解、鋳造された鋳塊を、もしくはその鋳
塊に熱間加工を施して得られる鍛造・圧延材を歪取り焼
鈍を施した後に機械加工によって所定の寸法に仕上げら
れていた。
真空誘導炉で溶解、鋳造された鋳塊を、もしくはその鋳
塊に熱間加工を施して得られる鍛造・圧延材を歪取り焼
鈍を施した後に機械加工によって所定の寸法に仕上げら
れていた。
前記の熱間加工を施さない鋳塊から製造されたターゲッ
ト材はスパッタ時に被エツチング性が不均一になる傾向
があり、特に量産用大型ターゲットには不適である。ま
た結晶粒もスパッタが進むにつれて変化し、経時的にス
パッタ速度に差が出る等の問題があった。これらの問題
のかなりの部分を解決したのが、上記の鍛造・圧延など
の熱間加工の後で歪取り焼鈍を施したターゲット材であ
る。
ト材はスパッタ時に被エツチング性が不均一になる傾向
があり、特に量産用大型ターゲットには不適である。ま
た結晶粒もスパッタが進むにつれて変化し、経時的にス
パッタ速度に差が出る等の問題があった。これらの問題
のかなりの部分を解決したのが、上記の鍛造・圧延など
の熱間加工の後で歪取り焼鈍を施したターゲット材であ
る。
しかしながら、このようなターゲット材であっても前述
のように板厚が厚くなるとターゲット材が磁気的に飽和
しにくくなり、良好なスパッタリングが行なわれなくな
るのである。
のように板厚が厚くなるとターゲット材が磁気的に飽和
しにくくなり、良好なスパッタリングが行なわれなくな
るのである。
本発明は、板厚の厚い場合であっても良好なスパッタリ
ングの行なえるＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の
製造方法の提供を目的とする。
ングの行なえるＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の
製造方法の提供を目的とする。
前述のように、マグネトロン・スパッタリング法で良好
なスパッタリングを行なうためには、ターゲット材表面
に漏洩磁束による磁界が生じている必要があり、そのた
めに強い磁石を用いる等の方策が講じられていたが、板
厚が厚い場合には、ターゲット材が飽和しにくくなり、
良好なスパッタリングを行なうための十分な磁界が得ら
れなかった・ 本発明者は以上の事項に鑑み、ターゲット材中を磁束が
通過（ターゲット材中のみを通過すること）しにくい状
態、換言するとターゲット材の最大透磁率（以後μｍと
記す）を小さくすることにより、磁束をターゲット材表
面から漏洩させて磁界を確保することを検討し１本発明
を完成するに至ったのである。
なスパッタリングを行なうためには、ターゲット材表面
に漏洩磁束による磁界が生じている必要があり、そのた
めに強い磁石を用いる等の方策が講じられていたが、板
厚が厚い場合には、ターゲット材が飽和しにくくなり、
良好なスパッタリングを行なうための十分な磁界が得ら
れなかった・ 本発明者は以上の事項に鑑み、ターゲット材中を磁束が
通過（ターゲット材中のみを通過すること）しにくい状
態、換言するとターゲット材の最大透磁率（以後μｍと
記す）を小さくすることにより、磁束をターゲット材表
面から漏洩させて磁界を確保することを検討し１本発明
を完成するに至ったのである。
すなわち本発明は、前述の熱間加工、歪取り焼鈍を施し
た後に加工率１０〜７部で冷間加工を施し。
た後に加工率１０〜７部で冷間加工を施し。
次いで６００〜９００℃の温度範囲で歪取り焼鈍するこ
とを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の
製造方法である。 ゛ 本発明における冷間加工はμｍを小さくする効果を有す
るものである。すなわち、μｍは材料中の内部エネルギ
ーを大きくすれば低下するものであるが、冷間加工はタ
ーゲット材中に内部歪を導入し、内部欠陥を増大して、
μｍを低下させるために実施されるのである。
とを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の
製造方法である。 ゛ 本発明における冷間加工はμｍを小さくする効果を有す
るものである。すなわち、μｍは材料中の内部エネルギ
ーを大きくすれば低下するものであるが、冷間加工はタ
ーゲット材中に内部歪を導入し、内部欠陥を増大して、
μｍを低下させるために実施されるのである。
冷間加工率が大であるほど冷間加工後のμｍは小さくす
ることができる。しかし、追って行なわれる歪取り焼鈍
により、回復現象で内部歪が減少するためμｍは大きく
なる。この回復現象は熱処理温度が高いほど、また同じ
熱処理温度ならば材料内部に導入された欠陥の数が多い
ほど生じやすくなる。したがって、歪取り焼鈍後におい
ても所望する低μｍを得るためには冷間加工率に一定の
上限を設ける必要がある０本発明では以上の事項を考慮
して冷間加工率の上限を７０％とし、一方加工率は１０
％未満ではμ謬低下に十分な効果が得られないため１０
％以上とした。
ることができる。しかし、追って行なわれる歪取り焼鈍
により、回復現象で内部歪が減少するためμｍは大きく
なる。この回復現象は熱処理温度が高いほど、また同じ
熱処理温度ならば材料内部に導入された欠陥の数が多い
ほど生じやすくなる。したがって、歪取り焼鈍後におい
ても所望する低μｍを得るためには冷間加工率に一定の
上限を設ける必要がある０本発明では以上の事項を考慮
して冷間加工率の上限を７０％とし、一方加工率は１０
％未満ではμ謬低下に十分な効果が得られないため１０
％以上とした。
次に歪取り焼鈍について説明する。
冷間加工によってμｍを低下させることができることは
前述のとおりであり、冷間加工ままの状態でターゲット
材に供されるのが望ましいのは言うまでもない、しかし
ながら、冷間加工ままの状態では所望するターゲット材
の形状、寸法に機械加工した場合に変形が生じてしまう
。そこで本発明においては冷間加工後に歪取り焼鈍を実
施するのである。温度範囲は、５００℃未満では歪取り
効果が十分でなく、一方９００℃を越えると前述のよう
に、内部歪の回復現象が顕著となるために５００〜９０
０℃とした。なお、熱処理の保持時間は材料が概略均熱
化させるに十分であれば良く、対象材料の大きさ等によ
り任意に選択される。加熱後の冷却は除冷されればよく
、炉冷または炉外の空冷等が採用される。
前述のとおりであり、冷間加工ままの状態でターゲット
材に供されるのが望ましいのは言うまでもない、しかし
ながら、冷間加工ままの状態では所望するターゲット材
の形状、寸法に機械加工した場合に変形が生じてしまう
。そこで本発明においては冷間加工後に歪取り焼鈍を実
施するのである。温度範囲は、５００℃未満では歪取り
効果が十分でなく、一方９００℃を越えると前述のよう
に、内部歪の回復現象が顕著となるために５００〜９０
０℃とした。なお、熱処理の保持時間は材料が概略均熱
化させるに十分であれば良く、対象材料の大きさ等によ
り任意に選択される。加熱後の冷却は除冷されればよく
、炉冷または炉外の空冷等が採用される。
以下本発明を実施例に基づき説明する。
実施例１
原子％で６２．５Ｃｏ−３ＯＮｉ−７，５Ｃｒの３０ｍ
／ｍ Ｘ ２００ｍ／ｍ Ｘ ４００ｍ／ｍ大きさのシ
ートバーを鍛造で製造した。
／ｍ Ｘ ２００ｍ／ｍ Ｘ ４００ｍ／ｍ大きさのシ
ートバーを鍛造で製造した。
これを、１１３０℃に加熱し、１５ｍ／＋ｓ Ｘ ４０
０ｍ／ｍ Ｘ ４００ｍ＋／ｍに、熱間圧延したのち、
１１３０℃Ｘ１５分間歪取りのための熱処理をした。
０ｍ／ｍ Ｘ ４００ｍ＋／ｍに、熱間圧延したのち、
１１３０℃Ｘ１５分間歪取りのための熱処理をした。
これを４等分し、減面率が１０％、３０％、５０％、７
０％。
０％。
８０％となるまで、室温で冷間圧延をした。
この冷間圧延ままの材料およびその材料を６００℃Ｘ１
１１ｒ後炉冷の処理をした材料の、結晶粒度と、硬さ（
Ｈｖ）は、第１表に示す通りである。
１１ｒ後炉冷の処理をした材料の、結晶粒度と、硬さ（
Ｈｖ）は、第１表に示す通りである。
第１表
また、第１表のＮ００１〜４からμ１１測定用のリング
を機械加工して、その特性を調べた。結果を第１図に示
す。
を機械加工して、その特性を調べた。結果を第１図に示
す。
第１図から、加工率が１０〜７０％の範囲にあれば最大
透磁率（μ鳳）を低く規制できることが理解される。最
大透磁率（μＩｍ）を低く規制するためには、歪取り焼
鈍との兼ね合いから低い加工率を選択すべきであるが、
この場合、第１表に示されるように、スパッタ特性に悪
影響があると考えられる結晶粒がやや粗粒となる点で不
利となる。したがって、必要に応じてこの点を考慮し加
工率を選択することが望ましい。
透磁率（μ鳳）を低く規制できることが理解される。最
大透磁率（μＩｍ）を低く規制するためには、歪取り焼
鈍との兼ね合いから低い加工率を選択すべきであるが、
この場合、第１表に示されるように、スパッタ特性に悪
影響があると考えられる結晶粒がやや粗粒となる点で不
利となる。したがって、必要に応じてこの点を考慮し加
工率を選択することが望ましい。
実施例２
実施例１と同様に熱間圧延、熱処理を施した材料を加工
率５０％で冷間圧延し、第１表に示す種々の温度で熱処
理を施した。
率５０％で冷間圧延し、第１表に示す種々の温度で熱処
理を施した。
実施例１と同様にμｍを測定した結果も合せて第２表に
示す。
示す。
第 ２ 表
熱処理温度が高くなるにつれ１μｍが増大し、９００℃
を越えると本発明の目的に反する結果となる。
を越えると本発明の目的に反する結果となる。
以上説明のように、本発明によると最大透磁率（μ、）
を低く規制することができるため、Ｇ ｏ−Ｎ ｉ−Ｃ
ｒ系合金ターゲット材の板厚を厚くした場合であっても
、漏洩磁束による磁界が確保され良好なスパッタリング
が行なえる。
を低く規制することができるため、Ｇ ｏ−Ｎ ｉ−Ｃ
ｒ系合金ターゲット材の板厚を厚くした場合であっても
、漏洩磁束による磁界が確保され良好なスパッタリング
が行なえる。
第１図は、６００℃Ｘ１ｌｌｒ歪取り焼鈍後の冷間加工
率と最大透磁率の関係を示すグラフである。
率と最大透磁率の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 加工率１０〜７０％の冷間加工を行った後、温度５００
〜９００℃で歪取り焼鈍することを特徴とするＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290364A JP2624727B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290364A JP2624727B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132757A true JPH01132757A (ja) | 1989-05-25 |
| JP2624727B2 JP2624727B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=17755076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290364A Expired - Lifetime JP2624727B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金ターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2624727B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016667A3 (en) * | 2000-08-21 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | Sputtering targets |
| US6497797B1 (en) | 2000-08-21 | 2002-12-24 | Honeywell International Inc. | Methods of forming sputtering targets, and sputtering targets formed thereby |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244727A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Nkk Corp | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62290364A patent/JP2624727B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244727A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Nkk Corp | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016667A3 (en) * | 2000-08-21 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | Sputtering targets |
| US6497797B1 (en) | 2000-08-21 | 2002-12-24 | Honeywell International Inc. | Methods of forming sputtering targets, and sputtering targets formed thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2624727B2 (ja) | 1997-06-25 |
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