JPH01131428A - 半導体装置の気密度の測定方法 - Google Patents
半導体装置の気密度の測定方法Info
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- JPH01131428A JPH01131428A JP29112287A JP29112287A JPH01131428A JP H01131428 A JPH01131428 A JP H01131428A JP 29112287 A JP29112287 A JP 29112287A JP 29112287 A JP29112287 A JP 29112287A JP H01131428 A JPH01131428 A JP H01131428A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気密封止型の半導体装置において、その気密
の不完全性を測定する方法に関する。
の不完全性を測定する方法に関する。
従来、この種の半導体装置の気密度の測定方法として、
沸点が５０〜７０℃のフロロカーボン液１中であらかじ
め加圧した半導体装置を、前記フロロカーボン液１より
沸点が高いフロロカーボン液２が前記フロロカーボン液
１の沸点より高い温度に熱されている中に浸漬し、気密
の不完全な半導体装置内に加圧によって入り込んだフロ
ロカーボン液１が気化して半導体装置内の気圧が上昇し
、半導体装置から気体の流出が起り、その流出気体がフ
ロロカーボン液２の中で泡となって見えるのを観察する
ことにより、半導体装置の気密の不完全件を測定する方
法である。
沸点が５０〜７０℃のフロロカーボン液１中であらかじ
め加圧した半導体装置を、前記フロロカーボン液１より
沸点が高いフロロカーボン液２が前記フロロカーボン液
１の沸点より高い温度に熱されている中に浸漬し、気密
の不完全な半導体装置内に加圧によって入り込んだフロ
ロカーボン液１が気化して半導体装置内の気圧が上昇し
、半導体装置から気体の流出が起り、その流出気体がフ
ロロカーボン液２の中で泡となって見えるのを観察する
ことにより、半導体装置の気密の不完全件を測定する方
法である。
上記した従来方法において、気密の不完全な半導体装置
からの泡の発生形態は、半導体装置においている穴が小
さい場合の小さな泡の連続的発生と、半導体装置におい
ている穴が大きい場合の大きな泡の瞬時の発生とがあり
、泡の観察が人の目による官能検査であることから、発
生する泡が小さい場合にはフロロカーボン液２の中にあ
るゴミを泡と見誤ったり、また瞬時に発生する泡を見逃
す等が起り、気密の完全な半導体装置を気密不完全と判
断したり、逆に気密の不完全な半導体装置を見逃したり
すると云う欠点がある。
からの泡の発生形態は、半導体装置においている穴が小
さい場合の小さな泡の連続的発生と、半導体装置におい
ている穴が大きい場合の大きな泡の瞬時の発生とがあり
、泡の観察が人の目による官能検査であることから、発
生する泡が小さい場合にはフロロカーボン液２の中にあ
るゴミを泡と見誤ったり、また瞬時に発生する泡を見逃
す等が起り、気密の完全な半導体装置を気密不完全と判
断したり、逆に気密の不完全な半導体装置を見逃したり
すると云う欠点がある。
本発明の目的は、前記した従来技術に於ける人間の官能
検査であるが故に起る見誤り、見逃しを防止するところ
にあり、本発明では気密の不完全な半導体装置の中に液
体が入っている場合、その半導体装置を、内部に入って
いる液体の沸点より高い温度に晒すことによって、半導
体装置内の液体が気化して半導体装置の外部に流出する
ことを人間の官能で検知するのではなく計量器で測定す
る方法を提供するものである。すなわち本発明は、液体
中で加圧した半導体装置を液体中から取り出し、半導体
装置の外壁面に付着した液体を乾燥した後、半導体装置
の重量を計量器で測定し、次に半導体装置を前記の加圧
液体の沸点より高い温度に晒し、任意の時間経過後再び
半導体装置の重量を計量器で測定し、半導体装置の高温
に晒す前の重量に対する高温に晒した後の重量の減少の
有無を測定することを特徴とする半導体装置の気密度の
測定方法である。
検査であるが故に起る見誤り、見逃しを防止するところ
にあり、本発明では気密の不完全な半導体装置の中に液
体が入っている場合、その半導体装置を、内部に入って
いる液体の沸点より高い温度に晒すことによって、半導
体装置内の液体が気化して半導体装置の外部に流出する
ことを人間の官能で検知するのではなく計量器で測定す
る方法を提供するものである。すなわち本発明は、液体
中で加圧した半導体装置を液体中から取り出し、半導体
装置の外壁面に付着した液体を乾燥した後、半導体装置
の重量を計量器で測定し、次に半導体装置を前記の加圧
液体の沸点より高い温度に晒し、任意の時間経過後再び
半導体装置の重量を計量器で測定し、半導体装置の高温
に晒す前の重量に対する高温に晒した後の重量の減少の
有無を測定することを特徴とする半導体装置の気密度の
測定方法である。
次に、本発明の実施例について説明する。第１図は本発
明に於いて半導体装置を加圧する液体として水を用いた
場合の一実施例の断面図である。
明に於いて半導体装置を加圧する液体として水を用いた
場合の一実施例の断面図である。
第１図に於いて、減圧／加圧をする第１の容器１の一端
は減圧／加圧ポンプ２に、他端は水３を貯えた第２の容
器４にそれぞれ管５及び７によって接続してあり、管５
には容器１と減圧／加圧ポンプ２の間にバルブ６が設け
られ、管７には容器１と容器４０間にバルブ８が設けら
れている。９は容器１の排気バルブである。ｌＯは真空
計／圧力計、１２は容器１の蓋である。第１図に於いて
、容器１の蓋１２を開いて、供試する半導体装置１１を
容器１内に置き、蓋１２をしめ、バルブ８および９を閉
じた状態で、バルブ６を開いて減圧／加圧ポンプ２によ
り容器１内を減圧し、任意の真空度が得られた時点で一
定時間経過後バルブ６を閉じ、次にバルブ８を開くこと
により容器４内に貯えられている水３を容器１内に注入
する。容器１内の半導体装置１１が容器４から容器１に
注入される水に完全に浸った状態でバルブ８を閉じる。
は減圧／加圧ポンプ２に、他端は水３を貯えた第２の容
器４にそれぞれ管５及び７によって接続してあり、管５
には容器１と減圧／加圧ポンプ２の間にバルブ６が設け
られ、管７には容器１と容器４０間にバルブ８が設けら
れている。９は容器１の排気バルブである。ｌＯは真空
計／圧力計、１２は容器１の蓋である。第１図に於いて
、容器１の蓋１２を開いて、供試する半導体装置１１を
容器１内に置き、蓋１２をしめ、バルブ８および９を閉
じた状態で、バルブ６を開いて減圧／加圧ポンプ２によ
り容器１内を減圧し、任意の真空度が得られた時点で一
定時間経過後バルブ６を閉じ、次にバルブ８を開くこと
により容器４内に貯えられている水３を容器１内に注入
する。容器１内の半導体装置１１が容器４から容器１に
注入される水に完全に浸った状態でバルブ８を閉じる。
次に、再びバルブ６を開き、減圧／加圧ポンプ２により
容器１内を加圧し、任意の時間加圧を保持した後、バル
ブ６を閉じ、容器１の排気バルブ９を開けて加圧を解き
、容器ｌの蓋１２を開き半導体装置１１を容器１から取
り出す。次に半導体装置１１を水分溶解度の高い溶液に
一度浸した後大気中に放置するか、あるいは空気を吹き
かける等して半導体装置の外壁面に付着した水を除去し
た後、重量計を用いて半導体装置の重量を測定し、その
後半導体装置を水分の沸点である１００℃を越える温度
で気体中に晒し、任意の時間経過後再び半導体装置の重
量を前記の重量計で測定し、半導体装置の前記高温に晒
す前の重量に対する高温に晒した後重量の減少の有無を
測定して、半導体装置の気密度を測定する。この方法に
よれば、内部空間容積が１０−’ｃｃで気密の不完全な
半導体装置内に、加圧によって入った水が完全に充満し
たとすれば高温に晒す前に比べ、高温に晒した後の重量
は０，１ｇ減少し、既存の重量計を用いて充分に測定確
度が得られる変化量である。又、前記の実施例に於いて
、加圧する液体として水より比重が高く、しかも沸点の
低いフロロカーボン液の様な液体を用いれば、更に良い
測定感度が得られる。
容器１内を加圧し、任意の時間加圧を保持した後、バル
ブ６を閉じ、容器１の排気バルブ９を開けて加圧を解き
、容器ｌの蓋１２を開き半導体装置１１を容器１から取
り出す。次に半導体装置１１を水分溶解度の高い溶液に
一度浸した後大気中に放置するか、あるいは空気を吹き
かける等して半導体装置の外壁面に付着した水を除去し
た後、重量計を用いて半導体装置の重量を測定し、その
後半導体装置を水分の沸点である１００℃を越える温度
で気体中に晒し、任意の時間経過後再び半導体装置の重
量を前記の重量計で測定し、半導体装置の前記高温に晒
す前の重量に対する高温に晒した後重量の減少の有無を
測定して、半導体装置の気密度を測定する。この方法に
よれば、内部空間容積が１０−’ｃｃで気密の不完全な
半導体装置内に、加圧によって入った水が完全に充満し
たとすれば高温に晒す前に比べ、高温に晒した後の重量
は０，１ｇ減少し、既存の重量計を用いて充分に測定確
度が得られる変化量である。又、前記の実施例に於いて
、加圧する液体として水より比重が高く、しかも沸点の
低いフロロカーボン液の様な液体を用いれば、更に良い
測定感度が得られる。
尚、上記実施例では、液体を加圧した後、高温に晒す前
の半導体装置の重量に対する高温に晒した後の半導体装
置の重量の減少の有無を測定する方法を示したが、半導
体装置内には初期的に液体の入っていることは絶対にな
いと仮定すれば、初期的に半導体装置の重量を測定した
後、前記の実施例に従って液体を加圧し、更に半導体装
置の外壁面に付着した液体を除去した後に半導体装置の
重量を測定して、初期重量に対する液体加圧後の重量の
増加の有無を測定する方法でも、前記実施例と同様に半
導体装置の気密度を測定できる。
の半導体装置の重量に対する高温に晒した後の半導体装
置の重量の減少の有無を測定する方法を示したが、半導
体装置内には初期的に液体の入っていることは絶対にな
いと仮定すれば、初期的に半導体装置の重量を測定した
後、前記の実施例に従って液体を加圧し、更に半導体装
置の外壁面に付着した液体を除去した後に半導体装置の
重量を測定して、初期重量に対する液体加圧後の重量の
増加の有無を測定する方法でも、前記実施例と同様に半
導体装置の気密度を測定できる。
以上説明したように本発明は気密封止型半導体装置につ
いて液体を加圧し、気密の不完全なものに浸入した液体
を計量的に測定する方法であり、従来方法の欠点であっ
た見誤り、見逃しを防止する効果を有する。
いて液体を加圧し、気密の不完全なものに浸入した液体
を計量的に測定する方法であり、従来方法の欠点であっ
た見誤り、見逃しを防止する効果を有する。
第１図は本発明の半導体装置の気密度を測定する際に用
いられる半導体装置の減圧、及び水加圧システムの縦断
面図である。 １・・・・・・第１の容器、２・・・・・・減圧／加圧
ポンプ、３・・・・・・水、４・・・・・・第２の容器
、５・・・・・・減圧／加圧ポンプと減圧／加圧容器を
つなぐ管、６，８・・・・・・バルブ、７・・・・・・
減圧／加圧容器と水を貯えた容器をつなぐ管、９・・・
・・・排気バルブ、１０・・・・・・真空計／圧力計、
１１・・・・・・供試半導体装置。 代理人 弁理士 内 原 音
いられる半導体装置の減圧、及び水加圧システムの縦断
面図である。 １・・・・・・第１の容器、２・・・・・・減圧／加圧
ポンプ、３・・・・・・水、４・・・・・・第２の容器
、５・・・・・・減圧／加圧ポンプと減圧／加圧容器を
つなぐ管、６，８・・・・・・バルブ、７・・・・・・
減圧／加圧容器と水を貯えた容器をつなぐ管、９・・・
・・・排気バルブ、１０・・・・・・真空計／圧力計、
１１・・・・・・供試半導体装置。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 減圧と加圧の機能を備えた第１の容器と、液体を貯え
た第２の容器とを接続する管のバルブを閉じた状態で第
１の容器内に半導体装置を置き、第１の容器の内部を常
圧よる低い気圧に減圧し、任意の時間経過後前記バルブ
を開き、第２の容器から第１の容器内に前記液体を注入
し、第１の容器内の半導体装置が前記液体に完全に浸漬
した後、前記バルブを閉じ、第１の容器の内部を常圧よ
り高い気圧に加圧し、任意の時間経過後、前記の加圧を
解き、第１の容器から前記半導体装置を取り出し、半導
体装置の外壁面に付着した液体を乾燥した後前記半導体
装置の一次重量を測定し、前記半導体装置を気体中で前
記液体の沸点より高い高温に晒し、任意の時間経過後、
前記半導体装置の二次重量を測定し、前記半導体装置の
前記一次重量に対する前記二次重量の減少を測定するこ
とを特徴とする半導体装置の気密度の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29112287A JPH01131428A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体装置の気密度の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29112287A JPH01131428A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体装置の気密度の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01131428A true JPH01131428A (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=17764741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29112287A Pending JPH01131428A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体装置の気密度の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01131428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444139B1 (ko) * | 2002-04-10 | 2004-08-11 | 이상호 | 문신기구 |
| JP2008518793A (ja) * | 2004-09-27 | 2008-06-05 | アイディーシー、エルエルシー | 封止されたｍｅｍｓデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP29112287A patent/JPH01131428A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444139B1 (ko) * | 2002-04-10 | 2004-08-11 | 이상호 | 문신기구 |
| JP2008518793A (ja) * | 2004-09-27 | 2008-06-05 | アイディーシー、エルエルシー | 封止されたｍｅｍｓデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法 |
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