JPH011238A - Method and device for introducing lattice defects - Google Patents
Method and device for introducing lattice defectsInfo
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims description 40
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 229910020472 SiO7 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
この発明は、格子欠陥の導入方法、特に、半導体ウェハ
に汚染源を全く残存させない格子欠陥の導入方法および
その装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field 1] The present invention relates to a method of introducing lattice defects, and particularly to a method of introducing lattice defects that leaves no contamination source in a semiconductor wafer, and an apparatus therefor.
［従来の技術］
半導体の製造プロセスにおいて１時に、不純物原子のゲ
ッタリングのために、半導体ウェハ背面に格子欠陥を導
入する必要がある場合ハくある。[Prior Art] During a semiconductor manufacturing process, it is often necessary to introduce lattice defects into the back surface of a semiconductor wafer for gettering of impurity atoms.
第４図は、半導体ウェハの背面にバックサイドダメージ
を形成する従来の方法を示した概略図である。図におい
て、２７は石英ブラシまたはＳｉＯ７粒子噴射装置であ
る。FIG. 4 is a schematic diagram showing a conventional method for forming backside damage on the backside of a semiconductor wafer. In the figure, 27 is a quartz brush or a SiO7 particle injection device.
動作について説明する。石英ブラシ２７は、回転しなが
ら半導体ウェハ１９の背面に押しつけられる。これによ
り半導体ウェハ１９背面にバックサイドダメージ２１が
形成される。ｔだ、２７がＳ； Ｏ，粒子の１１１幅装
置である場合にけ、ＳｉＯ２粒子がガスのｒ！Ｒ流によ
って半導体ウェハ１９の背面に噴射され、バックサイド
ダメージ２１が形成される。The operation will be explained. The quartz brush 27 is pressed against the back surface of the semiconductor wafer 19 while rotating. As a result, backside damage 21 is formed on the back surface of the semiconductor wafer 19. t, 27 is S; O, a 111-width device for particles, SiO2 particles are gas r! The R flow is injected onto the back side of the semiconductor wafer 19, and backside damage 21 is formed.
どころで、上記の作業によって、半導体ウェハは、Ｓ
ｉ Ｏ２の粉襲によって汚染される。第５図は、この汚
染された半導体ウェハの洗浄り法を説明するだめの図で
ある。However, as a result of the above operations, the semiconductor wafer is
i Contaminated by O2 powder attack. FIG. 5 is a diagram illustrating a method of cleaning this contaminated semiconductor wafer.
半導体ウェハ３０の表面または背面に超純水をジェット
ノズル２日によって吹きつける。これと同時に、矢印Ｒ
の方向に回転しているブラシ２９を矢印Ｔの方向に、半
導体ウェハ表面または裏面にスライドさせる。この操作
によって、半導体ウェハの汚染粒子が洗浄除去される。Ultrapure water is sprayed onto the front or back surface of the semiconductor wafer 30 using a jet nozzle. At the same time, arrow R
The brush 29, which is rotating in the direction of arrow T, is slid onto the front or back surface of the semiconductor wafer in the direction of arrow T. This operation cleans and removes contaminant particles from the semiconductor wafer.
［発明が解決（〕ようとする問題点］
従来のバックサイドダメージ形成方法および洗浄方法は
以上のように構成されている。したがって、噴射された
５１０２粒子または石英ブラシの摩耗粒子が残存しやす
い。ぞして、数１０／１Ｉｌｌ以下の超微細な汚染粒子
等の洗浄除去は困難である。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional backside damage forming method and cleaning method are configured as described above.Therefore, the injected 5102 particles or the worn particles of the quartz brush tend to remain. Therefore, it is difficult to wash and remove ultrafine contaminant particles of several 10/1 Ill or less.
また、洗浄ブラシの摩耗によって半導体ウェハに汚染が
生じるということもある。さらに、洗浄ブラシの摩耗に
よる静電気が発生して、洗浄効果を低下させるという不
都合もあった。Further, the semiconductor wafer may be contaminated due to wear of the cleaning brush. Furthermore, there is also the problem that static electricity is generated due to wear of the cleaning brush, reducing the cleaning effect.
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、半導体ウェハに汚染源を残存させないでバッ
クサイドダメージを形成する方法およびその装置を提供
することを目的とする。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for forming backside damage on a semiconductor wafer without leaving any contamination sources on the semiconductor wafer.
［問題点を解決するための手段］
第１の発明は半導体ウェハの背面に格子欠陥を導入する
方法にかかるものである。そして、ブラスト材を核とし
た氷粒子を半導体ウェハ背面に噴射し、該半導体ウェハ
背面にバックサイドダメージを形成することを特徴とし
ている。[Means for Solving the Problems] The first invention relates to a method for introducing lattice defects into the back surface of a semiconductor wafer. The method is characterized in that ice particles containing blasting material as cores are injected onto the back surface of the semiconductor wafer to form backside damage on the back surface of the semiconductor wafer.
また第２の発明は上記方法を実施するための装置にかか
るものであって、ブラスト材が混入された純水を製氷し
、該ブラスト材を核とした氷粒子を製造する第１の製氷
装置と、前記ブラスト材を核とした氷粒子を半導体ウェ
ハ背面にＤＩＭ射し、該半導体ウェハ背面にバックサイ
ドダメージを形成する第１の噴射手段とを備えている。A second invention relates to an apparatus for carrying out the above method, and a first ice-making apparatus that makes ice from pure water mixed with a blasting material and produces ice particles with the blasting material as a core. and a first injection means that DIM-injects ice particles with the blasting material as a core onto the backside of the semiconductor wafer to form backside damage on the backside of the semiconductor wafer.
Ｃ作用］
ブラスト材を咳とした氷粒子を半導体ウェハ背面に噴割
するので、その衝撃によって半導体ウェハ背面にバック
サイドダメージが形成され、＋８子欠陥が導入される。C Effect] Since ice particles using the blasting material are ejected onto the back surface of the semiconductor wafer, backside damage is formed on the back surface of the semiconductor wafer due to the impact, and +8 child defects are introduced.
また、粉砕された氷が半導体ウェハ裏面に残留した汚染
粒子であるブラスト材を効果的に吹き飛ばす。さらに、
溶解した水が汚染物質の溶媒として作用し、発塵を抑え
る。In addition, the crushed ice effectively blows away the blasting material, which is the contaminant particles remaining on the backside of the semiconductor wafer. moreover,
Dissolved water acts as a solvent for pollutants and suppresses dust generation.
［実ｔｆＡ例］
以下、この発明の実施例を図について説明するが、この
発明はこれに限定されるものではない。[Actual tfA Example] Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
第１図は格子欠陥の導入装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus for introducing lattice defects.
図において、１は、たとえば断面が４００Ｘ８ＱＱ＋ｎ
ｍで高さが１５００１１１０１の容器である。容認１は
仕切板１ｅによって４００Ｘ４００１Ｈ１の第１の製氷
Ｖ：置１０１と第２の製氷装置１０２の２つに分割され
る。第１製氷装置１０１は、網状体６ａによりさらに室
１ａとｆｆ１ｌｂに分割される。第１製氷装釘１０１で
はブラスト材を核とした氷粒子７（以下、コーティング
氷粒子と称する）が製造される。第２製氷装置１０２は
、網状体６ｂにより室１Ｃと室１ｄにさらに分ｇ１され
、超純水の氷粒子８が’Ｉ造される。In the figure, 1 has a cross section of 400X8QQ+n, for example.
It is a container with a height of 150011101 m. The container 1 is divided into two parts, a 400×4001H1 first ice-making device 101 and a second ice-making device 102, by a partition plate 1e. The first ice making device 101 is further divided into a chamber 1a and ff1lb by a mesh member 6a. In the first ice making nail 101, ice particles 7 (hereinafter referred to as coated ice particles) having blasting material as a core are produced. The second ice making device 102 is further divided into a chamber 1C and a chamber 1d by a mesh body 6b, and ice particles 8 of ultrapure water are produced.
仕切板１ｅの上方にはエアーフィルタ１７が備えられて
いる。ｖｌｂにはスプレーノズル２が設けられ、室１Ｃ
にはスプレーノズル３が設けられている。スプレーノズ
ル２はプラス１−拐混合用加圧容器４に接続されている
。スプレーノズル３は超純水加圧容器５に接続されてい
る。ブラスト材混合用加圧容器４・内には、ブラスト材
たとえば５ｉＯｚ粉末微粒子１２が混入した水２５が導
入されでいる。超純水加圧容器５内には超純水１３が導
入されている。室１ｂは第１唱躬ノズル１４に接続され
ている。室１Ｃは第２噴射ノズル１５に接続されている
。第１喧剣ノズル゛１４および第１唱躬ノズル１４の噴
出［１の対面する部位に、半導体ウェハを搬送づるため
の搬送手段だと身ばベルトコンベヤ２３が設けられてい
る。半導体ウェハ１８はベルトコンぺ■２３によって所
定の位置に搬送される。An air filter 17 is provided above the partition plate 1e. A spray nozzle 2 is provided in the vlb, and a spray nozzle 2 is installed in the chamber 1C.
is provided with a spray nozzle 3. The spray nozzle 2 is connected to a pressurized container 4 for mixing positive and negative liquids. The spray nozzle 3 is connected to an ultrapure water pressurized container 5. Water 25 mixed with blasting material, for example, 5 iOz fine powder particles 12, is introduced into the pressurized container 4 for mixing the blasting material. Ultrapure water 13 is introduced into the ultrapure water pressurized container 5 . The chamber 1b is connected to the first chanting nozzle 14. The chamber 1C is connected to the second injection nozzle 15. A belt conveyor 23, which is a conveying means for conveying semiconductor wafers, is provided at the facing portions of the first blow nozzle 14 and the first blow nozzle 14. The semiconductor wafer 18 is conveyed to a predetermined position by a belt controller 23.
室１ａ内には液体窒素貯槽１０が備えられており、該液
体窒素貯槽１０内には液体窒素９が導入されている。A liquid nitrogen storage tank 10 is provided in the chamber 1a, and liquid nitrogen 9 is introduced into the liquid nitrogen storage tank 10.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
液体窒素貯槽１０内に備えられた窒素ガス散気１！１１
より、窒素ガスを３００Ｑ、／ｒａＩ口の割合でバブリ
ングする。すると、液体窒素は蒸発を行ない、冷気が発
生する。また、バブリングした窒素ガスもまた液体窒素
９により熱交換され、冷気どなる。これらの冷気は、網
状体６ａを通過した後、’Ｊｌｂ内に入る。室１ｂ内に
は、スプレーノズル２よりブラスト材を混入した水がス
プレー化されて導入される。このブラスト材が混入され
た水は、上述の冷気により熱交換され結氷し、コーディ
ング氷粒子７になる。Nitrogen gas diffuser 1!11 provided in the liquid nitrogen storage tank 10
Then, nitrogen gas is bubbled at a rate of 300Q/raI. The liquid nitrogen then evaporates, producing cold air. In addition, the bubbling nitrogen gas is also heat exchanged with the liquid nitrogen 9, producing cold air. After passing through the net-like body 6a, these cold air enters 'Jlb. Water mixed with blasting material is introduced into the chamber 1b from the spray nozzle 2 in the form of a spray. The water mixed with the blasting material undergoes heat exchange with the above-mentioned cold air, freezes, and becomes the coating ice particles 7.
その後、至１ｂ内の冷気はエアーフィルタ１７を通過し
、室Ｉｃ内に入る。室１Ｃ内にはスプレーノズル３より
、超純水がスプレー化されて導入される。このスプレー
化された超純水は、エアーフィルタ１７を通ってきた冷
気と熱交換し、結氷し、超純水の氷粒子８になる。用済
みの冷気は、網状体６ｂを通過し、排気口１６より排気
される。Thereafter, the cold air in the chamber 1b passes through the air filter 17 and enters the chamber Ic. Ultrapure water is introduced into the chamber 1C from the spray nozzle 3 in the form of a spray. This sprayed ultrapure water exchanges heat with the cold air that has passed through the air filter 17, freezes, and becomes ice particles 8 of ultrapure water. The used cold air passes through the net-like body 6b and is exhausted from the exhaust port 16.
次に、スプレーノズル２の働きについて説明する。Next, the function of the spray nozzle 2 will be explained.
ブラスト材混合用加圧容器４内の窒素ガス散気管１１に
より、超純水２５とブラスト材１２が攪拌浪合される。The ultrapure water 25 and the blasting material 12 are stirred and mixed by the nitrogen gas diffuser 11 in the pressurized blasting material mixing container 4 .
なお、窒素ガス散気管１１のバブリング流口はブロー弁
２４により調節される。混合液は４ 、０ｋｇ７．’Ｃ
ｔｌ１２Ｇの圧力とＯ−２１’−／ ｌ１ｌｆｎの流１
でスプレーノズル２内に供給される。スプレーノズル２
には４．０ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧力と２０１７／ｒａｉｎ
のニアｉ量で窒素ガスが導入されている。１これにより
、超純水２５とプラス！〜材１２の混合物は霧状になっ
て、室１ｂ内に噴射される。この噴口１条件で、約７０
！１ｍｆｉ度の大きさのコーティング氷粒子７が得られ
、該コーティング氷粒子７の１個中には、ブラスト材の
大きさにもよるが、数個の５Ｉ０２粉末微粒子１２が混
入される。なお、このブラスト材の混入比率は、純水？
５．とブラスト材１２の混入比率を変えることによって
調整できることは言うまでもない。また、コーティング
氷粒子７の粒径はスプレーノズル２に供給される液量お
よび窒素ガス流量によって調節できる。Note that the bubbling flow port of the nitrogen gas diffuser pipe 11 is adjusted by the blow valve 24. The mixed liquid is 4.0kg7. 'C
tl12G pressure and O-21'-/l1lfn flow 1
is supplied into the spray nozzle 2. spray nozzle 2
has a pressure of 4.0kg/cm2G and 2017/rain
Nitrogen gas is introduced in an amount near i. 1 With this, ultrapure water is 25% plus! The mixture of materials 12 is atomized and injected into the chamber 1b. Under this nozzle condition, approximately 70
! Coated ice particles 7 having a size of 1 mfi are obtained, and several 5I02 powder fine particles 12 are mixed into each coated ice particle 7, depending on the size of the blasting material. Also, what is the mixing ratio of this blasting material with pure water?
5. Needless to say, this can be adjusted by changing the mixing ratio of the blasting material 12 and the blasting material 12. Furthermore, the particle size of the coated ice particles 7 can be adjusted by the amount of liquid supplied to the spray nozzle 2 and the flow rate of nitrogen gas.
次に、スプレーノズル３の動きについて説明する。Next, the movement of the spray nozzle 3 will be explained.
超純水加圧容器５から、超純水１３３を４．０ｋａ／Ｃ
ＩＩＩＪＧの圧力と０． １１／１ｉｉｎの流」でスプ
レーノズル３に供給する。一方で、スプレーノズル３に
は、４．Ｑｉｔｇ、／’ｃ１Ｇの圧力と４０庭／ＩＴ１
の流きで、窒素ガスが供給され“Ｃいる。この噴射条件
で、約４０μｌｌｌ程度の＃Ａ純水の氷粒子８が得られ
る。氷粒子８の粒径はスプレーノズル３に供給される液
量および窒素ガス流量によって調節できる。Ultrapure water 133 from the ultrapure water pressurized container 5 at 4.0ka/C
IIIJG pressure and 0. 11/1 iin flow" to the spray nozzle 3. On the other hand, the spray nozzle 3 has 4. Qitg, /'c1G pressure and 40 gardens/IT1
With this flow, nitrogen gas is supplied. Under these injection conditions, ice particles 8 of #A pure water of approximately 40 μl are obtained. The particle size of the ice particles 8 is determined by the liquid supplied to the spray nozzle It can be adjusted by the amount and nitrogen gas flow rate.
次に、半導体ウェハ背面にパラフサ１′ドタメージを形
成する方法について説明する。Next, a method for forming a parafuse 1' dot image on the back surface of a semiconductor wafer will be described.
ベル１−コンベＡ７２３で半導体ウェハ１８を所定の位
置まで搬送する。次いで、この半導体ウェハ１８の背面
に、第１噴射ノズル１４を用いて、網状体６ａに滞留し
たコーティング氷粒子７をａｌｌする。この第１＠射ノ
ズル１４はたとえば高圧気体インジェクタ方式のもので
あり、 ５ｋｇ、／ｃＩｌ’ Ｑの高圧で１ｍ ３．’
ｍｉｎの流層の窒素ガスが吹き込まれて、コーティング
氷粒子７を０．３Ｑ、／ｒａｉｎの割合で噴射するもの
である。この噴射されたコーティング氷粒子７を半導体
ウェハ１９の背面に衝突させる。その衝撃によって、半
導体ウェハの背面にバックサイドダメージ２１が形成さ
れ、格子欠陥が導入される。The semiconductor wafer 18 is transported to a predetermined position by the bell 1-conveyor A723. Next, the first spray nozzle 14 is used to spray all of the coating ice particles 7 that have accumulated on the net-like body 6a onto the back surface of the semiconductor wafer 18. This first @ injection nozzle 14 is, for example, of a high pressure gas injector type, and has a high pressure of 5 kg/cIl'Q and 1 m3. '
Nitrogen gas is blown in a flow layer of min to inject coated ice particles 7 at a rate of 0.3Q/rain. The sprayed coating ice particles 7 are caused to collide with the back surface of the semiconductor wafer 19. The impact forms backside damage 21 on the backside of the semiconductor wafer and introduces lattice defects.
次に、半導体ウェハの洗浄動作について説明する。Next, a semiconductor wafer cleaning operation will be explained.
処理ウェハ１９には、ブラスト材の破片２１等が少ａ付
竹している。この付着物は、第２噴射ノズル１５より、
超純水の氷粒子８を半導体ウェハ背面２１に吹ぎ付ける
ことにより、洗浄除去される。そして、最終処理された
半導体ウェハ２０が得られる。この洗浄工程において、
第１噴射ノズル１４と第２１１１）ｊノズル１５の間隔
を十分にとるか、あるいはエアーカーテン等によって隔
壁２６を作ることによって、第１噴射ノズル１４より噴
射されたブラスト材が最終処理後の半導体ウェハ２０に
ふりかかるのを防止できる。第２噴射ノズル１５は、第
１噴射ノズル１４と同じ原理のものである。The processing wafer 19 has a small amount of fragments 21 of the blasting material and the like. This deposit is removed from the second injection nozzle 15.
The ice particles 8 of ultrapure water are sprayed onto the back surface 21 of the semiconductor wafer to be cleaned and removed. A final processed semiconductor wafer 20 is then obtained. In this cleaning process,
By keeping a sufficient distance between the first injection nozzle 14 and the second nozzle 15, or by creating a partition wall 26 with an air curtain or the like, the blasting material injected from the first injection nozzle 14 can be applied to the semiconductor wafer after final processing. 20 can be prevented. The second injection nozzle 15 is of the same principle as the first injection nozzle 14.
第２図は、室１ｂ内で作られたコーティング氷粒子の断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of coated ice particles produced within chamber 1b.
図中、２５は純水の氷粒子であり、該純水の氷粒子２５
の中にｓ＋ ０２粉末微粒子１２が混入されている。In the figure, 25 is an ice particle of pure water, and the ice particle 25 of the pure water is
s+02 powder fine particles 12 are mixed therein.
なお、第１図に示す実施例では、第１噴射ノズル１４か
ら半導体ウェハ１９の背面に、垂直に、コーティング氷
粒子７が噴射される場合を図示して説明したが、この発
明はこれに限られるものではない。In the embodiment shown in FIG. 1, the coating ice particles 7 are sprayed vertically onto the back surface of the semiconductor wafer 19 from the first spray nozzle 14, but the present invention is not limited to this. It's not something you can do.
第３図はこの発明の他の実施態様を示すもので、第１噴
射ノズル１４を、半導体ウェハ１９の背面に対して３０
〜８０°の角度で噴射するように、傾けた装置の概略図
である。このように傾けることによって、格子欠陥の導
入効率を高めることができる。なぜなら、第１図に示し
た実施例では、半導体ウェハ１９の背面に垂直にコーテ
ィング氷粒子７が噴射される。噴射されたコーティング
氷粒子７は半導体・クエハ音面に衝突すると、そのまま
垂直上方向に反射する。この反射してくるものと新しく
噴射される粒子が衝突するから、噴射される粒子のエネ
ルギが低下する。しかしながら、噴射ノズルの噴射角度
を実施例のごとく傾けることによって、反射されたコー
ティング氷粒子や窒素ガスは、横方向に逃げられるよう
になる。すると、反射された粒子は新しく噴射される粒
子と衝突しなくなる。その結果、噴射粒子のエネルギが
低下するということはなくなる。結果として、格子欠陥
の導入効率が上昇する。第２１１１１＝１手段について
も同種である。FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, in which the first injection nozzle 14 is connected to the back side of the semiconductor wafer 19 by 30°.
FIG. 2 is a schematic diagram of the device tilted to fire at an angle of ~80°. By tilting in this way, the efficiency of introducing lattice defects can be increased. This is because, in the embodiment shown in FIG. 1, the coating ice particles 7 are injected perpendicularly to the back surface of the semiconductor wafer 19. When the sprayed coated ice particles 7 collide with the semiconductor/Quafer sound surface, they are directly reflected vertically upward. Since the reflected particles collide with the newly ejected particles, the energy of the ejected particles decreases. However, by tilting the spray angle of the spray nozzle as in the embodiment, the reflected coating ice particles and nitrogen gas can escape laterally. The reflected particles will then no longer collide with the newly ejected particles. As a result, the energy of the sprayed particles does not decrease. As a result, the efficiency of introducing lattice defects increases. The same applies to the 21111=1 means.
次に、実施例の方法の利点について説明する。Next, advantages of the method of the embodiment will be explained.
格子欠陥を導入する衝撃粒子として、ブラスト材をコー
ティングした微細なコーティング氷粒子を用いている。Fine coated ice particles coated with blasting material are used as impact particles that introduce lattice defects.
該コーティング氷粒子を半導体ウェハ背面へ噴射するこ
とにより、コーティング氷粒子７中のブラスト・材によ
りバックサイドダメージが形成される。それと同時に、
粉砕された氷が、半導体ウェハ上に残留した汚染粒子で
あるブラスト材の破片等を効果的に吹き飛ばす。さらに
、溶解した水が７１５染物質の溶媒として作用し、発塵
を抑える。また、］−ティング氷粒子を用いているので
、ブラスト材単独による噴射と同程度の衝撃力を持って
いるにもかかわらず、ブラスト材を被覆している氷の作
用で、ブラスト材が半導体ウェハ内へ食い込まなくなる
。結果として、後の洗浄が容易になる。By injecting the coating ice particles to the back side of the semiconductor wafer, backside damage is created by the blast material in the coating ice particles 7. At the same time,
The crushed ice effectively blows away contaminant particles such as fragments of blasting material remaining on the semiconductor wafer. Furthermore, the dissolved water acts as a solvent for the 715 dyeing material, suppressing dust generation. In addition, because it uses ice particles, the blasting material has the same impact force as the blasting material alone, but due to the action of the ice covering the blasting material, the blasting material does not reach the semiconductor wafer. It stops digging inward. As a result, subsequent cleaning becomes easier.
なお、バックサイドダメージ形成後、ざらに氷粒子を前
記半導体ウェハ背面に噴射し、付着した前記ブラスト材
を除去する工程を加えた場合には、・汚染粒子の除去を
一層効果的に行なうことができる。Note that if a step is added after forming the backside damage, by spraying ice particles roughly onto the back surface of the semiconductor wafer to remove the attached blasting material, the contamination particles can be removed even more effectively. can.
また、本発明に用いる超純水に炭酸ガスを含ませた場合
には、１ＭＯ・Ｃｍ以下の比抵抗に下げられた超純水が
得られる。この炭酸ガス含有超純水から製造されたコー
ティング氷粒子および超純水の氷粒子を噴射する場合に
は、低抵抗の超純水が静電気を解放するように作用する
ので、噴１）ｆｉｌ撃時における静電気により、汚染物
質が吸着されるという問題は解決される。Further, when carbon dioxide gas is included in the ultrapure water used in the present invention, ultrapure water with a resistivity lowered to 1 MO·Cm or less can be obtained. When spraying coated ice particles and ultrapure water ice particles manufactured from this carbon dioxide-containing ultrapure water, the low-resistance ultrapure water acts to release static electricity. The problem of contaminants being adsorbed due to static electricity is solved.
［発明の効果］
以上説明したとおり、本発明の特徴はブラスト材を核と
した氷粒子を半導体ウェハ背面に噴射するものである。[Effects of the Invention] As explained above, the feature of the present invention is that ice particles with a blasting material as a core are injected onto the back surface of a semiconductor wafer.
その衝撃によって半導体ウェハ背面にパックサイドダメ
ージが形成され、格子欠陥が導入される。また、粉砕さ
れた氷が、半導体ウェハ背面に残留した汚染粒子である
ブラスト材を効果的に吹き飛ばすので、半導体ウェハ背
面に汚染粒子が残らなくなる。さらに、溶解した水が汚
染物質の溶媒として作用するので、発塵が抑えられる。The impact forms pack side damage on the back surface of the semiconductor wafer and introduces lattice defects. Moreover, since the crushed ice effectively blows away the blasting material, which is the contamination particles remaining on the back surface of the semiconductor wafer, no contaminant particles remain on the back surface of the semiconductor wafer. Additionally, the dissolved water acts as a solvent for pollutants, reducing dust generation.
なお、バックサイドダメージ形成後、超純水の氷粒子を
半導体ウェハ背面に噴制し、付着残存したブラスト材を
除去するという工程をさらに加えることにより、洗浄効
果をざらに一層高めることができる。また、用いる超純
水に炭酸ガスを混入させることにより、静電気の発生を
防止することができ、洗浄効果をさらに高めることがで
きる。Note that, after the backside damage is formed, by further adding a step of jetting ice particles of ultrapure water onto the back surface of the semiconductor wafer to remove the blasting material that remains attached, the cleaning effect can be greatly enhanced. Furthermore, by mixing carbon dioxide gas into the ultrapure water used, generation of static electricity can be prevented and the cleaning effect can be further enhanced.
第１図は本発明に使用する装置および格子欠陥の導入方
法を示す図、菓２図はブラスト材を核とし・た氷粒子の
断面図、第３図はこの発明の他の実施例を説明するため
の図、第４図は従来の格子欠陥の導入方法を説明するた
めの図、第５図は半導体ウェハの洗浄の従来方法を示し
た図である。
図において、７はブラスト材を核とした氷粒子、８は氷
粒子、１２はブラスト材、１４は第１噴射手段、１５は
第２噴射手段、１つは半導体ウェハ、１０１は第１製氷
装置、１０２は第２製氷装置である。
なお、各図中同−首号は同一または相当部分を承り。Fig. 1 is a diagram showing the apparatus used in the present invention and the method of introducing lattice defects, Fig. 2 is a cross-sectional view of ice particles with blasting material as the core, and Fig. 3 explains another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional method of introducing lattice defects, and FIG. 5 is a diagram showing a conventional method for cleaning semiconductor wafers. In the figure, 7 is an ice particle with a blasting material as its core, 8 is an ice particle, 12 is a blasting material, 14 is a first injection means, 15 is a second injection means, 1 is a semiconductor wafer, and 101 is a first ice making device. , 102 is a second ice making device. In addition, the same numbers in each figure refer to the same or corresponding parts.
Claims (14)
おいて、 ブラスト材を核とした氷粒子を前記半導体ウェハ背面に
噴射し、該半導体ウェハ背面にバックサイドダメージを
形成することを特徴とする格子欠陥の導入方法。(1) A method for introducing lattice defects on the back surface of a semiconductor wafer, which comprises injecting ice particles with blasting material as a core onto the back surface of the semiconductor wafer to form backside damage on the back surface of the semiconductor wafer. How to introduce defects.
氷粒子を前記半導体ウェハ背面に噴射し、付着残留した
前記ブラスト材を除去する特許請求の範囲第１項記載の
格子欠陥の導入方法。(2) The method for introducing lattice defects according to claim 1, wherein after forming the backside damage, ice particles are further injected onto the backside of the semiconductor wafer to remove the blasting material that remains attached.
許請求の範囲第１項または第２項記載の格子欠陥の導入
方法。(3) The method for introducing lattice defects according to claim 1 or 2, wherein the blasting material is SiO_2 powder particles.
請求の範囲第２項記載の格子欠陥の導入方法。(4) The method for introducing lattice defects according to claim 2, wherein the ice particles are made using ultrapure water.
Ω・ｃｍ以下になつた超純水で製氷したものである特許
請求の範囲第１〜４項のいずれか１項に記載の格子欠陥
の導入方法。(5) The ice particles contain carbon dioxide gas and have a specific resistance of 1M
The method of introducing lattice defects according to any one of claims 1 to 4, wherein the ice is made with ultrapure water that has a temperature of Ω·cm or less.
る特許請求の範囲第１項または第２項に記載の格子欠陥
の導入方法。(6) The method for introducing lattice defects according to claim 1 or 2, wherein the injection of the ice particles is performed by a jet of gas.
゜の角度で噴射される特許請求の範囲第１項または第２
項に記載の格子欠陥の導入方法。(7) The ice particles have a particle size of 30 to 80 on the back surface of the semiconductor wafer.
Claim 1 or 2, which is sprayed at an angle of
Method for introducing lattice defects as described in section.
ト材を核とした氷粒子を製造する第１製氷装置、および 前記ブラスト材混入氷粒子を半導体ウェハ背面に噴射し
、該半導体ウェハ背面にバックサイドダメージを形成す
る第１噴射手段を備えた、格子欠陥の導入装置。(8) A first ice making device that makes ice from pure water mixed with a blasting material to produce ice particles with the blasting material as a nucleus, and a first ice making device that injects the ice particles mixed with the blasting material onto the back surface of a semiconductor wafer, and A device for introducing lattice defects, comprising a first injection means for forming backside damage on the back surface.
置、および前記第１噴射手段により処理された半導体ウ
ェハ背面に噴射し、該半導体ウエハ背面に付着残留した
ブラスト材を除去する第２噴射手段をさらに備えた、特
許請求の範囲第８項記載の格子欠陥の導入装置。(9) A second ice-making device that makes pure water and produces pure water ice particles, and the first spraying means injects the water onto the back surface of the processed semiconductor wafer to remove blasting material that remains attached to the back surface of the semiconductor wafer. 9. The lattice defect introduction device according to claim 8, further comprising a second injection means.
特許請求の範囲第８項または第９項に記載の格子欠陥の
導入装置。(10) The lattice defect introduction device according to claim 8 or 9, wherein the blasting material is SiO_2 powder particles.
る特許請求の範囲第９項記載の格子欠陥の導入装置。(11) The lattice defect introduction device according to claim 9, wherein the pure water ice particles are made of ultrapure water.
ＭΩ・ｃｍ以下になった超純水で製氷したものである特
許請求の範囲第８〜第１１項のいずれか１項に記載の格
子欠陥の導入装置。(12) The ice particles contain carbon dioxide gas and have a specific resistance of 1
The device for introducing lattice defects according to any one of claims 8 to 11, which is made by making ice using ultrapure water that has become less than MΩ·cm.
３０〜８０゜の角度で氷粒子を噴射できるようになって
いる特許請求の範囲第８〜１２項のいずれか１項に記載
の格子欠陥の導入装置。(13) The grating according to any one of claims 8 to 12, wherein the first injection means is capable of injecting ice particles at an angle of 30 to 80 degrees with respect to the back surface of the semiconductor wafer. Defect introduction device.
３０〜８０゜の角度で氷粒子を噴射できるようになって
いる特許請求の範囲第８〜１３項のいずれか１項に記載
の格子欠陥の導入装置。(14) The grid according to any one of claims 8 to 13, wherein the second injection means is capable of injecting ice particles at an angle of 30 to 80 degrees to the back surface of the semiconductor wafer. Defect introduction device.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15606187A JPS641238A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Method and apparatus for introducing lattice defect |
| DE3804694A DE3804694A1 (en) | 1987-06-23 | 1988-02-15 | METHOD FOR SURFACE PROCESSING FOR SEMICONDUCTOR WAFERS AND DEVICE FOR IMPLEMENTING THE METHOD |
| DE3844648A DE3844648C2 (en) | 1987-06-23 | 1988-02-15 | |
| DE3844649A DE3844649C2 (en) | 1987-06-23 | 1988-02-15 | |
| US07/177,784 US4932168A (en) | 1987-06-23 | 1988-04-05 | Processing apparatus for semiconductor wafers |
| US07/470,372 US5035750A (en) | 1987-06-23 | 1990-01-25 | Processing method for semiconductor wafers |
| US07/470,226 US5025597A (en) | 1987-06-23 | 1990-01-25 | Processing apparatus for semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15606187A JPS641238A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Method and apparatus for introducing lattice defect |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH011238A true JPH011238A (en) | 1989-01-05 |
| JPS641238A JPS641238A (en) | 1989-01-05 |
Family
ID=15619450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15606187A Pending JPS641238A (en) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | Method and apparatus for introducing lattice defect |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS641238A (en) |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP15606187A patent/JPS641238A/en active Pending
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