JPH01112512A - Formation of electrode of thin film magnetic head - Google Patents
Formation of electrode of thin film magnetic headInfo
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- JPH01112512A JPH01112512A JP26924087A JP26924087A JPH01112512A JP H01112512 A JPH01112512 A JP H01112512A JP 26924087 A JP26924087 A JP 26924087A JP 26924087 A JP26924087 A JP 26924087A JP H01112512 A JPH01112512 A JP H01112512A
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 29
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 26
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄膜磁気ヘッドの電極形成方法、特に信頼
性の高い電極を形成する方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for forming electrodes of a thin film magnetic head, and particularly to a method for forming highly reliable electrodes.
一般に、薄膜磁気ヘッドは共通の基板上に設ゆられた磁
気ヘッド素子と電極とから構成されている。磁気ヘッド
素子は基板上に類火積層された下部磁極、ギヤラグ材、
導体コイル、上部磁極等からなり、電極はこの磁気ヘッ
ド素子と外部との電気的接続を行なうために基板上に形
成される。Generally, a thin film magnetic head is composed of a magnetic head element and electrodes that are placed on a common substrate. The magnetic head element consists of a lower magnetic pole, a gear lug material, and a lower magnetic pole layered on a substrate.
It consists of a conductor coil, an upper magnetic pole, etc., and electrodes are formed on the substrate to electrically connect the magnetic head element to the outside.
第３図（ａ） 〜（ｈ）は例えば特開昭６１−２１）８
１０号公報に示された従来の薄膜磁気ヘッドの電極形成
方法を工程順に説明する断面図であり、最終工程を示す
第３図（ｈ）にこの従来の方法により形成された薄膜磁
気ヘッドの電極部が示されている。この第３図（ｈ）に
おいて、（２１）は基板（ウェハ）であり、この基板（
１））上Ｋ、磁気ヘッド素子（図示せず）に電流を導（
引出導体層（１２）が設けられている。さらに、引出導
体層（１２）の上にはメッキの下地膜となる下地金属層
（１３）が設けられ、この下地金属層（１３）の上に引
出電極層（１６）が形成されている。そして、この引出
電極層（１５）上にリード線（１８）が接着されている
。また、このような構造を有する電極部の周辺にかつ基
板（１））上には保護膜（１７）が設けられている。Figures 3(a) to (h) are, for example, JP-A-61-21)8
3(h) is a sectional view illustrating the conventional method for forming electrodes of a thin film magnetic head in the order of steps shown in Publication No. 10; FIG. section is shown. In this FIG. 3(h), (21) is a substrate (wafer), and this substrate (
1)) Upper K, conducts current to the magnetic head element (not shown) (
A lead-out conductor layer (12) is provided. Furthermore, a base metal layer (13) serving as a base film for plating is provided on the lead conductor layer (12), and a lead electrode layer (16) is formed on this base metal layer (13). A lead wire (18) is bonded onto this extraction electrode layer (15). Further, a protective film (17) is provided around the electrode portion having such a structure and on the substrate (1).
次に、第３図（ａ）〜（ｈ）を参照して従来の薄膜磁気
ヘッドの電極形成方法を説明する。Next, a method for forming electrodes of a conventional thin film magnetic head will be described with reference to FIGS. 3(a) to 3(h).
まず、基板（１））上に引出導体層（１２）をパターン
形成した後、基板（１））及び引出導体層（１２）の上
に、メッキの下地膜としての下地金属層（１３）を例え
ばスパッタリング法により厚さ約０．１μｍ形成する（
第３図（ａ））。これら電極部を形成しようとする引出
導体層（１２）上方の部分を露出させたまま、その他の
部分の下地金属層（１３）上にフォトレジスト（１４）
を１〜１０μｍ程度の厚さでパターンを形成する（第３
図（ｂ））。First, after patterning the lead conductor layer (12) on the substrate (1)), a base metal layer (13) as a base film for plating is formed on the board (1)) and the lead conductor layer (12). For example, it is formed to a thickness of about 0.1 μm by sputtering method (
Figure 3(a)). While leaving the upper part of the lead-out conductor layer (12) where these electrode parts are to be formed exposed, photoresist (14) is applied to the other parts of the base metal layer (13).
form a pattern with a thickness of about 1 to 10 μm (third step
Figure (b)).
次に、このパターニングされたフォトレジスト（１４）
を用いて、下地金属層（１３）の露出部の上にハンダか
らなる引出電極層（１５）を電気メッキ法により２０〜
４０μｍの厚さで形成した後（第３図（ｃ）１．フォト
レジスト（１４）を剥離する。これにより、引出電極層
（１５）の両級はオーパーツ・ング（張出し）形状とな
り、引出電極層（１５）の両縁と下地金属層（１３）と
の間には空洞部（１６）が生じる（第８図（ｄ））。Next, this patterned photoresist (14)
A lead electrode layer (15) made of solder is deposited on the exposed portion of the base metal layer (13) by electroplating at 20~
After forming it to a thickness of 40 μm (Fig. 3 (c) 1. Peel off the photoresist (14). As a result, both sides of the lead electrode layer (15) have an overhang shape, and the lead electrode layer (15) has an overhang shape. A cavity (16) is formed between both edges of the electrode layer (15) and the base metal layer (13) (FIG. 8(d)).
その後、イオンミリング法により、引出導体層（１２）
上の下地金属層（１３）を残して他の部分の下地金属層
（１３）を除去しく第３図（ｅ） ） 、引出電極層（
１５）及び基板（１））の全面上にスパッタリング法に
より厚さ３０〜４０μｍの保護膜（１７）を形成する（
第８図（ｆ））。なお、このとき引出電極層（１６）と
下地金属層（１３）との間に形成されている空洞部（１
６）はそのまま保持されている。After that, the extraction conductor layer (12) is formed by ion milling.
Remove the base metal layer (13) in other parts, leaving the upper base metal layer (13) (Fig. 3(e)), and remove the lead electrode layer (13).
15) and a protective film (17) with a thickness of 30 to 40 μm is formed on the entire surface of the substrate (1)) by a sputtering method (
Figure 8(f)). Note that at this time, the cavity (1) formed between the extraction electrode layer (16) and the base metal layer (13)
6) is retained as is.
さらに、保護膜（１７）を研磨して引出電極層（１６）
の表面を露出させた後（第３図（ｇ） ） 、この引出
電極層（１５）の露出面上にリード線（１８）を加熱接
着させる。このとき、引出電極層（１５）を構成するハ
ンダは吸熱して溶融し、空洞部（１６）を充填して下地
金属層（１３）上を残さず覆ってしまう（第３図（ｈ）
）。このようにして、薄膜磁気ヘッドの電極部が形成さ
れていた。Furthermore, the protective film (17) is polished to form an extraction electrode layer (16).
After exposing the surface of the lead electrode layer (15) (FIG. 3(g)), a lead wire (18) is heat-bonded onto the exposed surface of the extraction electrode layer (15). At this time, the solder constituting the extraction electrode layer (15) absorbs heat and melts, filling the cavity (16) and covering the base metal layer (13) without leaving anything (Fig. 3 (h)
). In this way, the electrode portion of the thin film magnetic head was formed.
従来の薄膜磁気ヘッドの電極形成方法では、上述したよ
うに引出電極層（１６）を形成した後に保護膜（１７）
を形成していたので、研磨によって引出電極層（１５）
の表面を露出させるためには、引出電極層（１５）を保
護膜（１７）と同程度の厚さに形成しなければならなか
った。従って、この引出電極層（１５）はかなυ厚くな
シ、このため、引出電極層（１６）の応力が太き（なっ
て下地金属層（１３）から剥離する恐れがあるという問
題点があった。In the conventional method for forming electrodes of thin-film magnetic heads, the protective film (17) is formed after forming the extraction electrode layer (16) as described above.
was formed, so by polishing the extraction electrode layer (15)
In order to expose the surface of the lead electrode layer (15), it was necessary to form the extraction electrode layer (15) to have a thickness comparable to that of the protective film (17). Therefore, this extraction electrode layer (15) is υ thick, which causes the problem that the stress on the extraction electrode layer (16) becomes thick (and may cause it to peel off from the base metal layer (13)). Ta.
また、保護膜（１７）の研磨時に引出電極層（１６）が
剥離する危険性がある他、引出電極層（１６）が溶融し
たときに空洞部（１６）が十分に充填されず、下地金属
層（１Ｂ）の表面上に空洞が残って腐食発生の恐れがあ
るという問題点もあった。In addition, there is a risk that the extraction electrode layer (16) will peel off during polishing of the protective film (17), and when the extraction electrode layer (16) melts, the cavity (16) will not be sufficiently filled and the underlying metal There was also the problem that cavities remained on the surface of the layer (1B) and there was a risk of corrosion occurring.
上述した従来例の他、特開昭６１−６８７１４号公報、
特開昭６０−１４０５１３号公報あるいは特開昭５８−
１７９９２２号公報等に薄膜磁気ヘッドの電極部の形成
方法が示されているが、いずれも保護膜形成前に引出電
極層を形成する方法であシ、第３図に示した従来例と同
様の問題点を有している。In addition to the conventional examples mentioned above, Japanese Patent Application Laid-open No. 61-68714,
JP-A-60-140513 or JP-A-58-
179922 and other documents disclose methods for forming electrode portions of thin-film magnetic heads, but all of them involve forming an extraction electrode layer before forming a protective film, which is similar to the conventional example shown in FIG. There are problems.
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、引出電極層が剥離したり引出電極層や下地金
属層が腐食されたシする恐れのない信頼性の高い電極部
を形成することができる薄膜磁気ヘッドの電極形成方法
を得ることを目的とする。This invention was made in order to solve these problems, and it is possible to form a highly reliable electrode part without the risk of peeling off of the extraction electrode layer or corrosion of the extraction electrode layer or underlying metal layer. An object of the present invention is to obtain a method for forming electrodes of a thin film magnetic head.
この発明に係る薄膜磁気ヘッドの電極形成方法は、引出
導体層上にオーバーハング形の断面形状を有するマスク
を形成する工程と、このマスクにより引出導体層をマス
キングしながら基板全面上に保護膜を形成する方法と、
マスクを除去して引出導体層を露出させる工程と、この
引出導体層の露出面上に引出電極層を形成する工程とを
含むものである。The method for forming electrodes of a thin film magnetic head according to the present invention includes the steps of forming a mask having an overhang cross-sectional shape on the lead-out conductor layer, and forming a protective film over the entire surface of the substrate while masking the lead-out conductor layer with this mask. how to form and
The method includes a step of removing the mask to expose the lead conductor layer, and a step of forming a lead electrode layer on the exposed surface of the lead conductor layer.
この発明においては、保護膜を形成した後に。 In this invention, after forming the protective film.
引出導体層を露出させてここに引出電極層を形成する。The lead conductor layer is exposed and a lead electrode layer is formed there.
第１図（ａ）〜（ｋ）はこの発明による薄膜磁気ヘッド
の電極形成方法の一実施例を工程順に説明する断面図で
あり、最終工程を示す第１図（ｋｌにこの実施例により
形成される薄膜磁気ヘッドの電極部が示されている。こ
の第１図（ｋ）において、電極部は、基板（１））上に
設けられると共に磁気ヘッド素子（図示せず）に接続さ
れてその磁気ヘッド素子に電流を導く引出導体層（１２
）と、この引出導体層（１２）上に設けられてメッキの
下地膜となる下地金属層（１３）と、この下地金属層（
１Ｂ）上に設けられた引出電極層（１５）とから構成さ
れており、この電極部の周辺にかつ基板（１））上には
保護膜（１７）が設けられている。FIGS. 1(a) to (k) are cross-sectional views explaining one embodiment of the method for forming electrodes of a thin-film magnetic head according to the present invention in the order of steps, and FIG. 1(k), the electrode portion is provided on a substrate (1) and is connected to a magnetic head element (not shown). Leading conductor layer (12
), a base metal layer (13) provided on this lead-out conductor layer (12) and serving as a base film for plating, and this base metal layer (
1B), and a protective film (17) is provided around this electrode portion and on the substrate (1)).
次Ｋ、第１図（ａ）〜（ｋ）を参照して、このような構
成の電極部を形成する方法を説明する。Next, a method for forming an electrode portion having such a structure will be described with reference to FIGS. 1(a) to 1(k).
まず、基板（１））上に引出導体層（１２）としてパー
マロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）を磁気ヘッド素子（図示せず
）に接続させて電気メッキ法によりパターン形成する。First, permalloy (Fe--Ni alloy) is connected to a magnetic head element (not shown) as a lead-out conductor layer (12) on a substrate (1), and a pattern is formed by electroplating.
その後、基板（１））及び引出導体層（１２）の上に、
Ｃｕからなる下地金属層（１３）をスパッタリング法に
より厚さ釣力１μｍ形成する（第１図（ａ））。After that, on the substrate (1)) and the lead-out conductor layer (12),
A base metal layer (13) made of Cu is formed by sputtering to a thickness of 1 μm (FIG. 1(a)).
次に、電極部を形成しようとする引出導体層（１２）上
の下地金属層（１Ｂ）を露出させたまま他の部分の下地
金属層（１８）上にフォトレジスト（目）を厚さ２０〜
３０μｍ程度にパターン形成する（第１図（ｂ））。Next, while leaving the base metal layer (1B) on the lead-out conductor layer (12) on which the electrode portion is to be formed exposed, photoresist (eyes) is applied to a thickness of 20 mm on other parts of the base metal layer (18). ~
A pattern of about 30 μm is formed (FIG. 1(b)).
このパターニングされたフォトレジスト（１４）を用い
て、下地金属層（１３）の露出部の上にＣｕからなる保
護膜形成用のマスク（１９）を電気メッキ法により４０
〜６０μｍの厚さに形成した後（第１図（Ｃ） ） 、
フォトレジスト（１４）を剥離する。これによ抄、マス
ク（Ｌ９）の断面形状はオーバーハング形となシ、この
マスク（１９）の両縁と下地金属層（１３）との間には
空洞（１８）が生じる（第１図（ｄ））。Using this patterned photoresist (14), a mask (19) for forming a protective film made of Cu is formed on the exposed portion of the underlying metal layer (13) by electroplating.
After forming it to a thickness of ~60 μm (Fig. 1(C)),
Peel off the photoresist (14). As a result, the cross-sectional shape of the mask (L9) becomes an overhanging shape, and a cavity (18) is created between both edges of this mask (19) and the underlying metal layer (13) (see Figure 1). (d)).
その後、イオンミリング法により、引出導体層（１２）
上の下地金属層（１３）を残して他の部分の下地金桝層
（１３）を除去しく第、１図（ｅ） ） 、マスク（１
９）及び基板（１））の全面上にスパッタリング法によ
υ保護膜（１７）を厚さ３０〜４０μｍＫ形成する（第
１図（ｆ））。このとき、マスク（１９）の両級部と下
地金属層（１３）との間に形成されている空洞部（１６
）はそのまま保持されかつ露出されている。After that, the extraction conductor layer (12) is formed by ion milling.
To remove the underlying metal layer (13) in other parts, leaving the upper metal layer (13), as shown in Fig. 1(e), the mask (1) is removed.
9) and the entire surface of the substrate (1)), a υ protective film (17) is formed to a thickness of 30 to 40 μmK by sputtering (FIG. 1(f)). At this time, a cavity (16) is formed between both parts of the mask (19) and the base metal layer (13).
) are kept intact and exposed.
次いで、この空洞部（１６）にＮＨ，０Ｈ−（ＮＨ４）
２Ｓ、Ｏ。Next, NH,0H-(NH4) is added to this cavity (16).
2S, O.
溶液を注入することにより、Ｃｕからなるマスク（１９
）をエツチング除去する。このとぎ、Ｃｕからなる下地
金属層（１３）も除去されることとなるが、引出導体層
（１２）を構成するパーマロイはＮＨ４０Ｈ−（ＮＨ４
）、Ｓ、０． 溶液に溶解しないため、引出導体層（１
２）はエツチングされることなく基板（１））上に残さ
れる（第１図（ｇ））。By injecting the solution, a mask made of Cu (19
) is removed by etching. At this point, the underlying metal layer (13) made of Cu will also be removed, but the permalloy constituting the lead-out conductor layer (12) is NH40H-(NH4
), S, 0. Because it does not dissolve in the solution, the lead-out conductor layer (1
2) is left on the substrate (1)) without being etched (FIG. 1(g)).
その後、改めて引出導体層（１２）及び保護膜（１７）
の上にＣｕからなる下地金属層（１３）をスパッタリン
グ法により厚さ約０．１μｍ形成しく第１図（ｈ） ）
、さらに引出導体層（１２）上の下地金属層（１３）
を露出させたまま他の部分の下地金属層（１３）上にフ
ォトレジスト（１４）を厚さ１０〜１５μｍ程度にパタ
ーン形成する（第１図（ｉ））。After that, the extraction conductor layer (12) and the protective film (17)
A base metal layer (13) made of Cu is formed on the surface by sputtering to a thickness of approximately 0.1 μm (Figure 1 (h)).
, and a base metal layer (13) on the lead-out conductor layer (12).
A photoresist (14) is patterned to a thickness of about 10 to 15 μm on other parts of the base metal layer (13) while leaving the metal layer exposed (FIG. 1(i)).
次に、このパターニングされたフォトレジスト（１４）
を用いて下地金属層（１Ｂ）の露出部の上にハンダから
なる引出電極層（１６）を電気メッキ法により厚さ５〜
１０μ雇に形成する（第１図（ｊ））。Next, this patterned photoresist (14)
A lead electrode layer (16) made of solder is formed on the exposed portion of the base metal layer (1B) by electroplating to a thickness of 5 to 50% using
Form to a thickness of 10 μm (Fig. 1 (j)).
さらに、フォトレジスト（ト１を剥離した後、イオンミ
リング法により、露出している下地金属層（１３）を除
去する（第１図（ｋ））。Furthermore, after peeling off the photoresist (T1), the exposed underlying metal layer (13) is removed by ion milling (FIG. 1(k)).
このようにして、保護膜（１７）よシ薄い引出電極層（
１５）を備えた薄膜磁気ヘッドの電極部が形成される。In this way, the protective film (17) is thinner than the extraction electrode layer (
15) is formed.
第２図（ａ）〜（１）はこの発明の他の実施例を工程順
に説明する断面図である。この他の実施例は保護膜形成
用のマスク（１９）をフォトレジストで形成したもので
ある。以下、第２図（ａ）〜（１）に基づいて他の実施
例による電極形成方法を説明する。FIGS. 2(a) to 2(1) are cross-sectional views illustrating another embodiment of the present invention in the order of steps. In this other embodiment, a mask (19) for forming a protective film is formed of photoresist. Hereinafter, an electrode forming method according to another embodiment will be explained based on FIGS. 2(a) to 2(1).
まず、基板（１））上に引出導体層（１２）をパターン
形成した後（第２図（ａ）、基板（１））及び引出導体
層（１２）の上にポジ型フォトレジスト（１４）を２０
〜３０μｍの厚さに塗布する（第２図（ｂ））。First, after patterning the lead conductor layer (12) on the board (1) (Fig. 2(a), board (1)) and the lead conductor layer (12), a positive photoresist (14) is formed on the lead conductor layer (12). 20
Apply to a thickness of ~30 μm (Figure 2(b)).
次に、引出導体層（１２）上に位置すると共にこの引出
導体層（１２）より小さな幅を有するフォトレジスト（
１４）の中央部（１４ａ）が感光しないようにガラスマ
スク（図示せず）等を用いて露光を行ない、フォトレジ
スト（１４）の周辺部（Ｌ４ｂ）を感光させる（第２図
（Ｃ））。その後、フォトレジスト（１４）の中央部（
１４ａ）及び周辺部（ｔｕｂ）の上にさらにポジ型フォ
トレジスト（２０）を１０〜２０μｍの厚さで塗布する
（第２図（ｄ））。Next, a photoresist (
14) Exposure is performed using a glass mask (not shown) or the like so that the central part (14a) of the photoresist (14) is not exposed, and the peripheral part (L4b) of the photoresist (14) is exposed (Fig. 2 (C)). . After that, the central part of the photoresist (14) (
Further, a positive photoresist (20) is applied to a thickness of 10 to 20 μm on top of the photoresist 14a) and the peripheral portion (tub) (FIG. 2(d)).
そして、フォトレジスト（１４）の中央部（１４ａ）の
上に位置し、この中央部（１４ａ）の幅の３倍以上の幅
を有するフォトレジスト（２０）の中央部（２１３ａ）
上をガラスマスク（図示せず）等でマスキングしながら
露光を行ない、フォトレジスト（２０）の周辺部（２０
ｂ）を感光させる（第２図（ｅ））。A central portion (213a) of the photoresist (20) is located above the central portion (14a) of the photoresist (14) and has a width that is three times or more the width of the central portion (14a).
Exposure is performed while masking the upper part with a glass mask (not shown), etc., and the peripheral part (20) of the photoresist (20) is exposed.
b) is exposed to light (Fig. 2(e)).
その後、フォトレジスト（１４）、（２０）の現像を行
なう。これにより、既に感光されている各フォトレジス
ト（１４） 、 （２０）の周辺部（１４ｂ） 、 （
２ｏｂ）は溶解し、断面がオーバーハング形状の保護膜
形成用マスク（１９）が形成される。すなわち、このマ
スク（１９）の両縁部と引出導体層（１２）との間には
空洞部（１６）が形成される（第２図（ｆ））。Thereafter, the photoresists (14) and (20) are developed. As a result, the peripheral parts (14b), (
2ob) is melted to form a protective film forming mask (19) having an overhanging cross section. That is, a cavity (16) is formed between both edges of this mask (19) and the lead-out conductor layer (12) (FIG. 2(f)).
次に、マスク（１９）及び基板（１））の全面上にスパ
ッタリング法により保護膜（１７）を厚さ２０〜８０／
Ｊ？ＦＬに形成した後（第２図（ｇ） ） 、空洞部（
１６）Ｋ通常の剥離液な注入してフォトレジストからな
るマスク（１９）を剥離除去する（第２図（ｈ））。Next, a protective film (17) is deposited on the entire surface of the mask (19) and the substrate (1) to a thickness of 20 to 80 mm by sputtering.
J? After forming the FL (Fig. 2 (g)), the cavity (
16) The mask (19) made of photoresist is peeled off by injecting a normal stripping solution (FIG. 2(h)).
その後、第１図に示した実施例と同様にして、引出導体
層（１２）及び保護膜（Ｌ７）の上にＣｕからなる下地
金属層（１３）をスパッタリング法により厚さ０．１μ
ｍ形成した（第２図（ｉ） ） 、さらに引出導体層（
１２）上の下地金属層（１３）を露出させたまま他の部
分の下地金属層（１３）上にフォトレジスト（目→を厚
さｔｏ−１５μｍ程度にパターン形成する（第２図（ｊ
））。Thereafter, in the same manner as in the embodiment shown in FIG. 1, a base metal layer (13) made of Cu is formed on the lead-out conductor layer (12) and the protective film (L7) to a thickness of 0.1 μm by sputtering.
(Fig. 2(i)), and a lead-out conductor layer (Fig. 2(i)).
12) While leaving the upper base metal layer (13) exposed, form a photoresist pattern on the other parts of the base metal layer (13) to a thickness of approximately 15 μm (Fig. 2(j)
)).
次に、このパターニングされたフォトレジスト（１４）
を用いて下地金属層（Ｌ３）の露出部の上にハンダから
なる引出電極層（１５）を電気メッキ法により厚さ５〜
ＩＯμｍに形成する（第２図（ｋ））。Next, this patterned photoresist (14)
A lead electrode layer (15) made of solder is formed on the exposed portion of the base metal layer (L3) by electroplating to a thickness of 5 to 50 ml.
It is formed to a thickness of IO μm (FIG. 2(k)).
さらに、フォトレジスト（１４）を剥離した後、イオン
ミリング法により、露出している下地金属層（１３）を
除去する（第２図（１））。Furthermore, after peeling off the photoresist (14), the exposed underlying metal layer (13) is removed by ion milling (FIG. 2 (1)).
このようにして、保護膜（１７）よシ薄い引出電極層（
１５）を備えた薄膜磁気ヘッドの電極部が形成される。In this way, the protective film (17) is thinner than the extraction electrode layer (
15) is formed.
なお、上述した両実施例では、引出電極層（１６）を電
気メッキ法により形成したが、これに限るものではなく
、蒸着法、スパッタリング法等により形成することもで
きる。In both of the embodiments described above, the extraction electrode layer (16) was formed by electroplating, but it is not limited to this, and may be formed by vapor deposition, sputtering, or the like.
また、この発明によれば、引出電極層（１５）の形成を
保護膜（Ｌ７）形成後に行なうので、引出電極層（１６
）′４Ｉ：機械研磨する必要はないが、引出電極層（１
５）の表面を平坦化するために機械研磨を施してもよい
。その際、第１図（ｋ）あるいは第２図＜１＞に示され
るように、引出電極層（１５）は広い面積にわたって下
地金属層（１３）上に密着しているので、研磨を施して
も引出電極層（１５）が剥離する恐れはない。Further, according to the present invention, since the extraction electrode layer (15) is formed after the protective film (L7) is formed, the extraction electrode layer (16) is formed after the formation of the protective film (L7).
)'4I: There is no need to mechanically polish the extraction electrode layer (1
Mechanical polishing may be performed to flatten the surface of 5). At that time, as shown in FIG. 1 (k) or FIG. 2 <1>, since the extraction electrode layer (15) is in close contact with the base metal layer (13) over a wide area, polishing is performed. There is no fear that the extraction electrode layer (15) will peel off.
この発明は以上説明したように、引出導体層上にオーバ
ーハング形の断面形状を有するマスクを形成する工程と
、このマスクにょシ引出導体層をマスキングしながら基
板全面上に保護膜を形成する工程と、マスクを除去して
引出導体層を露出させる工程と、この引出導体層の露出
面上に引出電極層を形成する工程とを含んでいるので、
内部に空洞を含まず、薄（密着性の優れた引出電極層を
形成することができ、耐腐食性や機械的な衝撃に対する
耐久性に関して極めて信頼性の高い薄膜磁気ヘッドの電
極が得られるという効果を奏する。As explained above, the present invention includes a step of forming a mask having an overhanging cross-sectional shape on a lead-out conductor layer, and a step of forming a protective film over the entire surface of the substrate while masking the lead-out conductor layer using the mask. , a step of removing the mask to expose the lead-out conductor layer, and a step of forming a lead-out electrode layer on the exposed surface of the lead-out conductor layer.
It is said that it is possible to form a thin (and highly adhesive) extraction electrode layer without internal cavities, and to obtain electrodes for thin-film magnetic heads that are extremely reliable in terms of corrosion resistance and durability against mechanical shock. be effective.
第１図（ａ）〜（ｋ）はこの発明の一実施例を工程順に
説明する断面図、第２図（ａ）〜Ｃｌ）はこの発明の他
の実施列を工程順に説明する断面図、第８図（ａ）〜（
ｈ）は従来の薄膜磁気ヘッドの電極形成方法を工程順に
説明する断面図である。
図において、（１））は基板、（１２）は引出導体層、
（１５）は引出電極層、（１７）は保護膜、（１９
）はマスクである。
なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
代理人 曾 我 道 照
第１図
１９：マスク
嶌１図
昂２図
扇２図
１）ｊFIGS. 1(a) to (k) are sectional views explaining one embodiment of the present invention in the order of steps; FIGS. 2(a) to Cl) are sectional views explaining another embodiment of the invention in the order of steps; Figure 8(a)-(
h) is a cross-sectional view illustrating a conventional method for forming electrodes of a thin film magnetic head in order of steps; In the figure, (1)) is the substrate, (12) is the lead-out conductor layer,
(15) is an extraction electrode layer, (17) is a protective film, (19)
) is a mask. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Agent Zeng Wa Dao Teru 1 Figure 19: Mask Island 1 Figure 2 Figure 2 Fan 2 Figure 1) j
Claims (5)
ング形の断面形状を有するマスクを形成する工程と、前
記マスクにより前記引出導体層をマスキングしながら前
記基板全面上に保護膜を形成する工程と、前記マスクを
除去して前記引出導体層を露出させる工程と、前記引出
導体層の露出面上に引出電極層を形成する工程とを含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの電極形成方法。(1) Forming a mask having an overhanging cross-sectional shape on the lead-out conductor layer provided on the substrate, and forming a protective film over the entire surface of the substrate while masking the lead-out conductor layer with the mask. forming an electrode for a thin-film magnetic head, the method comprising the steps of: removing the mask to expose the lead-out conductor layer; and forming a lead-out electrode layer on the exposed surface of the lead-out conductor layer. Method.
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁
気ヘッドの電極形成方法。(2) The method for forming electrodes of a thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the mask is formed of a metal different from that of the lead-out conductor layer.
徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜磁気ヘッドの
電極形成方法。(3) The method for forming electrodes of a thin film magnetic head according to claim 2, wherein the mask is formed by electroplating.
徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの
電極形成方法。(4) The method for forming electrodes of a thin film magnetic head according to claim 1, wherein the mask is formed of photoresist.
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか
に記載の薄膜磁気ヘッドの電極形成方法。(5) A method for forming an electrode for a thin-film magnetic head according to any one of claims 1 to 4, wherein the extraction electrode layer is formed thinner than the protective film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26924087A JPH01112512A (en) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | Formation of electrode of thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26924087A JPH01112512A (en) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | Formation of electrode of thin film magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112512A true JPH01112512A (en) | 1989-05-01 |
Family
ID=17469605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26924087A Pending JPH01112512A (en) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | Formation of electrode of thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01112512A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8436702B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-05-07 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co., Ltd. | Electromagnetic contactor unit |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP26924087A patent/JPH01112512A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8436702B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-05-07 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co., Ltd. | Electromagnetic contactor unit |
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