JPH01106452A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01106452A JPH01106452A JP26417587A JP26417587A JPH01106452A JP H01106452 A JPH01106452 A JP H01106452A JP 26417587 A JP26417587 A JP 26417587A JP 26417587 A JP26417587 A JP 26417587A JP H01106452 A JPH01106452 A JP H01106452A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- semiconductor element
- electrodes
- electrode
- base plate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体素子と外部接続
用端子が接続された電極と、基板との間を絶縁する絶縁
部材に関するものである。
用端子が接続された電極と、基板との間を絶縁する絶縁
部材に関するものである。
従来のこの種絶縁部材は、第2図に示すフラットベース
形交流制御用素子においては一般にセラミック板が使用
されている。第2図はフラットベース形交流制御用素子
の側断面図で、同図において、1はベース板で、このベ
ース板1は半導体素子2が発する熱を外部に放熱しやす
くするために金属等の熱伝導性の良い材料によって形成
されている。3は絶縁部材としてのセラミック基板で、
このセラミック基板3には前記ベース板1、半導体素子
2および後述する端子とが固着する電極3a13b#3
c、3dが形成されている。4は前記セラミック基板3
の電、箕3bと前記半導体素子2とを接続するための導
電板である。すなわちベース板1の半導体素子取付部1
a上にセラミック基板3の裏面に形成された電極3aを
固着させ、このセラミック基板3の上面に形成された電
極3bに導電板4を固着させ、さらに、その上に半導体
素子2を固着させることによって半導体素子2が導電板
4と絶縁部材としてのセラミック基板3を介してベース
板1上に固着されることになる。5は前記半導体素子2
の電極(図示せず)と前記セラミック基板3の電極3c
、3dとを接続するための内部電極フレーム、6〜8は
外部装置(図示せず)と半導体素子2とを接続するため
の端子で、これら端子6〜8はその一部分が枠体9の保
持部9aに埋設されることによって、枠体9と一体的に
形成され、これら端子6〜8の下端部6a〜8aは前記
電極3 b * 3 Cs 3 dにクリーム半田(図
示せず)によって固着されている。10は前記枠体9内
に満たされることによって半導体素子2.′1極3b〜
3d、導電板4.内部電極フレーム5等を封止するため
の不透過性樹脂からなる封止樹脂である。
形交流制御用素子においては一般にセラミック板が使用
されている。第2図はフラットベース形交流制御用素子
の側断面図で、同図において、1はベース板で、このベ
ース板1は半導体素子2が発する熱を外部に放熱しやす
くするために金属等の熱伝導性の良い材料によって形成
されている。3は絶縁部材としてのセラミック基板で、
このセラミック基板3には前記ベース板1、半導体素子
2および後述する端子とが固着する電極3a13b#3
c、3dが形成されている。4は前記セラミック基板3
の電、箕3bと前記半導体素子2とを接続するための導
電板である。すなわちベース板1の半導体素子取付部1
a上にセラミック基板3の裏面に形成された電極3aを
固着させ、このセラミック基板3の上面に形成された電
極3bに導電板4を固着させ、さらに、その上に半導体
素子2を固着させることによって半導体素子2が導電板
4と絶縁部材としてのセラミック基板3を介してベース
板1上に固着されることになる。5は前記半導体素子2
の電極(図示せず)と前記セラミック基板3の電極3c
、3dとを接続するための内部電極フレーム、6〜8は
外部装置(図示せず)と半導体素子2とを接続するため
の端子で、これら端子6〜8はその一部分が枠体9の保
持部9aに埋設されることによって、枠体9と一体的に
形成され、これら端子6〜8の下端部6a〜8aは前記
電極3 b * 3 Cs 3 dにクリーム半田(図
示せず)によって固着されている。10は前記枠体9内
に満たされることによって半導体素子2.′1極3b〜
3d、導電板4.内部電極フレーム5等を封止するため
の不透過性樹脂からなる封止樹脂である。
このように構成されたフラットベース形交流制御用素子
を組立てるには、先ず、ベース板1上にセラミック基板
3および導電板4を介して半導体素子2を固着させる。
を組立てるには、先ず、ベース板1上にセラミック基板
3および導電板4を介して半導体素子2を固着させる。
次いで、内部電極フレーム5によって半導体素子2の電
極(図示せず)とセラミック基板3の電極3b〜3dと
を接続し、この電極3b〜3dに端子6〜8をクリーム
半田によって固着させる。しかる後、枠体S内に封止樹
脂10を注入することによって組立てが終了する。
極(図示せず)とセラミック基板3の電極3b〜3dと
を接続し、この電極3b〜3dに端子6〜8をクリーム
半田によって固着させる。しかる後、枠体S内に封止樹
脂10を注入することによって組立てが終了する。
しかるに、このように構成されたフラットペース形交流
制御素子においては、部品点数が多く、かつ製造方法も
複雑であるため、製造コストが高くなるばかりか、゛端
子6〜8の下端部6a〜8aとベース板1との離間寸法
が少ないうえ、端子6〜8をセラミック基板3の電極3
b〜3dに固着させるためのクリーム半田が溶融した時
に微細表半田つぶ等がセラミック基板3上に付着するた
め、絶縁距離がさらに短かくなシ、端子6〜8に高電圧
が印加されると絶縁距離の最も短かい部分のセラミック
が焼けて絶縁不良を起こす場合があった。
制御素子においては、部品点数が多く、かつ製造方法も
複雑であるため、製造コストが高くなるばかりか、゛端
子6〜8の下端部6a〜8aとベース板1との離間寸法
が少ないうえ、端子6〜8をセラミック基板3の電極3
b〜3dに固着させるためのクリーム半田が溶融した時
に微細表半田つぶ等がセラミック基板3上に付着するた
め、絶縁距離がさらに短かくなシ、端子6〜8に高電圧
が印加されると絶縁距離の最も短かい部分のセラミック
が焼けて絶縁不良を起こす場合があった。
本発明に係る半導体装置は、絶縁部材を、基板における
電極を囲む範囲を被覆する絶縁膜によつ−で形成し、か
つこの基板の他の部分を樹脂ケースで覆ったものである
。
電極を囲む範囲を被覆する絶縁膜によつ−で形成し、か
つこの基板の他の部分を樹脂ケースで覆ったものである
。
基板の露出部分がな(なり、基板は他の部材に対して絶
縁される。
縁される。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明に係るフラットベース形交流制御用素子
を示す側断面図で、同図において前記従来例で説明した
ものと同一もしくは同等部材については同一符号を付し
、ここにおいて詳細な説明は省略する。同図において、
11は絶縁膜で、この絶縁膜11はベース板10半導体
素子取付部1aを囲む範囲を被覆するように形成されて
おシ、この絶縁膜11上に電極3b〜3dが固着されて
いる。
を示す側断面図で、同図において前記従来例で説明した
ものと同一もしくは同等部材については同一符号を付し
、ここにおいて詳細な説明は省略する。同図において、
11は絶縁膜で、この絶縁膜11はベース板10半導体
素子取付部1aを囲む範囲を被覆するように形成されて
おシ、この絶縁膜11上に電極3b〜3dが固着されて
いる。
そして、本実施例では半導体素子2は直接電極3b上に
固着され、ボンディングワイヤ12によって表面の電極
(図示せず)と電極3c、3dとが接続されている。1
3はベース板1における前記絶縁膜11によって被覆さ
れていない部分を覆うための樹脂ケースで、この樹脂ケ
ース13はベース板1の外形形状と略等しい形状に形成
されておシ、ベース板1に接着液(図示せず)等によっ
て接着されている。
固着され、ボンディングワイヤ12によって表面の電極
(図示せず)と電極3c、3dとが接続されている。1
3はベース板1における前記絶縁膜11によって被覆さ
れていない部分を覆うための樹脂ケースで、この樹脂ケ
ース13はベース板1の外形形状と略等しい形状に形成
されておシ、ベース板1に接着液(図示せず)等によっ
て接着されている。
このように構成′されたフラットベース形交流制御用素
子を組み立てるには、先ず、予めベース板1の半導体素
子取付部1aを絶縁膜によって被覆し、その他の部分を
樹脂ケース13によって覆う。
子を組み立てるには、先ず、予めベース板1の半導体素
子取付部1aを絶縁膜によって被覆し、その他の部分を
樹脂ケース13によって覆う。
そして、絶縁膜11上に電極3b〜3dを固着させ、こ
の電極4b上に半導体素子2を固着させる。次で、半導
体素子2の電極(図示せず)と電極3c。
の電極4b上に半導体素子2を固着させる。次で、半導
体素子2の電極(図示せず)と電極3c。
3dとをボンディングワイヤ13によって接続し、電極
3b〜3dに端子6〜8をクリーム半田によって固着さ
せる。しかる後、枠体9内に封止樹脂10を注入するこ
とによって組立てが終了する。
3b〜3dに端子6〜8をクリーム半田によって固着さ
せる。しかる後、枠体9内に封止樹脂10を注入するこ
とによって組立てが終了する。
したがって、絶縁膜11および樹脂ケース13によづて
ベース板1の露出部分がなくなシ、ベース板1は他の部
材に対して絶縁されることになる。
ベース板1の露出部分がなくなシ、ベース板1は他の部
材に対して絶縁されることになる。
なお、本実施例ではフラットベース形交流制御用素子に
ついて説明したが、本発明はこのような限定にとられれ
ることなく、例えばパワートランジスタ等であっても同
等の効果が得られる。
ついて説明したが、本発明はこのような限定にとられれ
ることなく、例えばパワートランジスタ等であっても同
等の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、絶縁部材を、基板
における電極を囲む範囲を被覆する絶縁膜によって形成
し、かつこの基板の他の部分を樹脂ケースで覆うという
簡単な構成によシ、基板の露出部分がなくなシ、基板は
他の部材に対して絶縁されるから、絶縁膜上の電極にク
リーム半田によって外部接続端子を固着させる際に、半
田クリームが周辺の絶縁膜に付着しても絶縁不良を起こ
すようなことはなくなる。また、半導体素子と外部接読
端子が接続される電極が直接絶縁膜に固着されるから、
絶縁部材が不要となシ組立てが容易になるので、製造コ
ストを低く抑えることができる。
における電極を囲む範囲を被覆する絶縁膜によって形成
し、かつこの基板の他の部分を樹脂ケースで覆うという
簡単な構成によシ、基板の露出部分がなくなシ、基板は
他の部材に対して絶縁されるから、絶縁膜上の電極にク
リーム半田によって外部接続端子を固着させる際に、半
田クリームが周辺の絶縁膜に付着しても絶縁不良を起こ
すようなことはなくなる。また、半導体素子と外部接読
端子が接続される電極が直接絶縁膜に固着されるから、
絶縁部材が不要となシ組立てが容易になるので、製造コ
ストを低く抑えることができる。
第1図は本発明に係るフラットベース形交流制御用素子
を示す側断面図、第2図は従来のフラットベース形交流
制御用素子を示す側断面図である。 1・・・・ベース板、2・・・・半導体素子、3・・・
・セラミック基板、3bs3C#3d・・・・電極、6
,7.8・・・・端子、11・・・・絶縁膜、13・・
・・樹脂ケース。
を示す側断面図、第2図は従来のフラットベース形交流
制御用素子を示す側断面図である。 1・・・・ベース板、2・・・・半導体素子、3・・・
・セラミック基板、3bs3C#3d・・・・電極、6
,7.8・・・・端子、11・・・・絶縁膜、13・・
・・樹脂ケース。
Claims (1)
- 半導体素子と外部接続用端子が接続された電極が絶縁
部材を介して基板上に固着された半導体装置において、
前記絶縁部材を、前記基板における前記電極を囲む範囲
を被覆する絶縁膜によって形成し、かつこの基板の他の
部分を樹脂ケースで覆ったことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26417587A JPH01106452A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26417587A JPH01106452A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01106452A true JPH01106452A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17399504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26417587A Pending JPH01106452A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01106452A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7023590B2 (en) | 2000-10-26 | 2006-04-04 | Murata Kikai Kabushiki Kaisha | Paper feeding apparatus |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26417587A patent/JPH01106452A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7023590B2 (en) | 2000-10-26 | 2006-04-04 | Murata Kikai Kabushiki Kaisha | Paper feeding apparatus |
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