JPH01100051A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH01100051A JPH01100051A JP62256691A JP25669187A JPH01100051A JP H01100051 A JPH01100051 A JP H01100051A JP 62256691 A JP62256691 A JP 62256691A JP 25669187 A JP25669187 A JP 25669187A JP H01100051 A JPH01100051 A JP H01100051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- dielectric constant
- composition
- temperature
- atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 8
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910019653 Mg1/3Nb2/3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 CaT i03 Substances 0.000 description 1
- 244000062175 Fittonia argyroneura Species 0.000 description 1
- 102100033979 Protein strawberry notch homolog 1 Human genes 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に高話電率で誘電
率の温度特性に優れ、しかも焼結温度が低いことから、
例えば高容量コンデンサ等の誘電体材料として好適な誘
電体磁器組成物に関する。
率の温度特性に優れ、しかも焼結温度が低いことから、
例えば高容量コンデンサ等の誘電体材料として好適な誘
電体磁器組成物に関する。
［従来の技術］
従来、高話電車磁器組成物としては、チタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯｓ）を主体とする組成物が一般に使用され
ている。即ち、ＢａＴｉＯｓを基体とし、これにキュリ
ー点を室温付近に８動させるシフター剤と容量温度特性
を改善するデブレッサ剤、さらに焼結促進剤、還元防止
剤などを加えた組成とするのが一般的である。
（ＢａＴｉＯｓ）を主体とする組成物が一般に使用され
ている。即ち、ＢａＴｉＯｓを基体とし、これにキュリ
ー点を室温付近に８動させるシフター剤と容量温度特性
を改善するデブレッサ剤、さらに焼結促進剤、還元防止
剤などを加えた組成とするのが一般的である。
シフター剤としては、Ｂａ５ｎＯ＝、ＢａＺｒ０、
、 ＣａＺｒ０． 、 Ｃａ５ｎＯ、、５ｒＴｉ
Ｏ，、ＰｂＴｉＯ３，Ｌａ、Ｏｓ、ＣｅＯ２などが用い
られ、デプレッサ剤としては、ＣａＴ ｉ０３ 、Ｍｇ
ＴｉＯ３、Ｂ１２ （ＳｎＯｓ ）３ ＋Ｂｉｚ
（ＴｉＯ２）３ 、Ｎ１５ｎＯ，、ＭｇＺｒＯ３、ｌｖ
（ｇｓｎ０３などが用いられている。また焼結促進剤と
しては、Ａｕ２０３，５ｉ０２ 。
、 ＣａＺｒ０． 、 Ｃａ５ｎＯ、、５ｒＴｉ
Ｏ，、ＰｂＴｉＯ３，Ｌａ、Ｏｓ、ＣｅＯ２などが用い
られ、デプレッサ剤としては、ＣａＴ ｉ０３ 、Ｍｇ
ＴｉＯ３、Ｂ１２ （ＳｎＯｓ ）３ ＋Ｂｉｚ
（ＴｉＯ２）３ 、Ｎ１５ｎＯ，、ＭｇＺｒＯ３、ｌｖ
（ｇｓｎ０３などが用いられている。また焼結促進剤と
しては、Ａｕ２０３，５ｉ０２ 。
ＺｎＯ，ＣｅＯ２，Ｂ２Ｏ３，Ｎｂ２ｏｓ。
Ｗｏ、などが用いられ、還元防止剤としては、ＭｎＯ２
，Ｆｅ、Ｑ３．ＣｕＯなどが用いられている。
，Ｆｅ、Ｑ３．ＣｕＯなどが用いられている。
しかしながら、ＢａＴｉＯ３を主体とする組成物は焼結
温度が１３００〜１４００℃の高温であるため、焼成コ
ストが高く、特にこれを積層コンデンサとして利用する
場合には内部−電極として、パラジウム、白金などの高
価な貴金属を用いなければならず、積層コンデンサのコ
スト低減の大きな問題点になっていた。
温度が１３００〜１４００℃の高温であるため、焼成コ
ストが高く、特にこれを積層コンデンサとして利用する
場合には内部−電極として、パラジウム、白金などの高
価な貴金属を用いなければならず、積層コンデンサのコ
スト低減の大きな問題点になっていた。
これに対し、１１００℃以下で焼成でき内部電極として
比較的安価な銀糸等の金属を使用することができる第１
表に示されるような材料が開発さ −れている。
比較的安価な銀糸等の金属を使用することができる第１
表に示されるような材料が開発さ −れている。
［発明が解決しようとする問題点］
高特性誘電体磁器組成物として、従来提案されているも
のは、第１表に示す如く、誘電率、誘電損失及び比抵抗
のうちのいずれかが悪く、すべての特性が揃って良いも
のは限られている。更に誘電率の温度特性が悪いなどの
欠点もある。
のは、第１表に示す如く、誘電率、誘電損失及び比抵抗
のうちのいずれかが悪く、すべての特性が揃って良いも
のは限られている。更に誘電率の温度特性が悪いなどの
欠点もある。
誘電率及び比抵抗が大きく、誘電損失が小さく、かつ誘
電率の温度特性が良好な誘電体磁器組成物はごく限られ
たものであるため、低温で焼結可能で、しかも、誘電率
、比抵抗、誘電損失、誘電率の温度特性のすべての点で
良好な誘電体磁器組成物の出現が望まれていた。
電率の温度特性が良好な誘電体磁器組成物はごく限られ
たものであるため、低温で焼結可能で、しかも、誘電率
、比抵抗、誘電損失、誘電率の温度特性のすべての点で
良好な誘電体磁器組成物の出現が望まれていた。
［問題点を解決するための手段及び作用］本発明は積層
コンデンサの内部電極として安価な銀系電極の使用を可
能とし、積層コンデンサの製造コストを低減するために
焼結温度が低く、しかも、誘電率及び比抵抗が大きく誘
電損失が小さく、かつ誘電率の温度特性が良好な磁器組
成物を提供するものである。
コンデンサの内部電極として安価な銀系電極の使用を可
能とし、積層コンデンサの製造コストを低減するために
焼結温度が低く、しかも、誘電率及び比抵抗が大きく誘
電損失が小さく、かつ誘電率の温度特性が良好な磁器組
成物を提供するものである。
本発明の誘電体磁器組成物は、ＰｂＴｉ０．。
Ｐ ｂ （Ｍ ｇ Ｉ／３ Ｎ ｂｚｚｓ）０３及びＰ
ｂ（Ｆｅ２／ｓＷ Ｉ／３） Ｏｓの３成分を主成分と
して含む組成物において、ｐｂ原子の一部をＢａ原子及
び／又はＳｒ原子で置換したものであって、−敗式（Ｉ
）（Ｐ １）ｌ−ｕ Ｍｕ） ［Ｔ ｉｘ（Ｍｇｌｉｓ
Ｎ ｂ２ｚ、）ｙ（Ｆ ｅ ２／３ Ｗ＋／３ ）
ｚ ］ Ｏｓ・・・（Ｉ） （ＭはＢａ及び／又はＳｒを表わす。）で表わした場合
、 ０．００５≦Ｕ≦０．１０゜ ０．１０ ≦Ｘ≦０．４０゜ ０．０５ ≦Ｙ≦０．８５゜ ０．０５ ≦Ｚ≦０．５５゜ となるものである。
ｂ（Ｆｅ２／ｓＷ Ｉ／３） Ｏｓの３成分を主成分と
して含む組成物において、ｐｂ原子の一部をＢａ原子及
び／又はＳｒ原子で置換したものであって、−敗式（Ｉ
）（Ｐ １）ｌ−ｕ Ｍｕ） ［Ｔ ｉｘ（Ｍｇｌｉｓ
Ｎ ｂ２ｚ、）ｙ（Ｆ ｅ ２／３ Ｗ＋／３ ）
ｚ ］ Ｏｓ・・・（Ｉ） （ＭはＢａ及び／又はＳｒを表わす。）で表わした場合
、 ０．００５≦Ｕ≦０．１０゜ ０．１０ ≦Ｘ≦０．４０゜ ０．０５ ≦Ｙ≦０．８５゜ ０．０５ ≦Ｚ≦０．５５゜ となるものである。
更に、本発明の誘電体磁器組成物は、ｐｂ（Ｍ ｎ ＋
／３ Ｎ ｂ ２／３ ） Ｏｓを主成分の５モル％以
下の割合で含有していても良い。
／３ Ｎ ｂ ２／３ ） Ｏｓを主成分の５モル％以
下の割合で含有していても良い。
以下、本発明の詳細な説明する。
前記−数式（りに示すように、
Ｐ ｂ ［Ｔ ｉ ｘ（Ｍ ｇ ＋／３ Ｎ ｂｚ
ｙｓ）ｖ（Ｆ ｅｘｙｓ Ｗｌ／３ ）ｚ ］
０ｓ（ｘ、ｙ、ｚは前記の通り） のｐｂの原子の一部をＢａ原子又はＳｒ原子で置換する
ことにより誘電損失が著しく低下し、かつ比抵抗が大き
くなる。しかし、前記（１）式中、Ｕが０．００５未満
であるとこれらの効果が得られず、Ｕが０．１０を超え
ると誘電率が低下する。このため、Ｕは０．００５以上
０．１０以下の範囲とする。
ｙｓ）ｖ（Ｆ ｅｘｙｓ Ｗｌ／３ ）ｚ ］
０ｓ（ｘ、ｙ、ｚは前記の通り） のｐｂの原子の一部をＢａ原子又はＳｒ原子で置換する
ことにより誘電損失が著しく低下し、かつ比抵抗が大き
くなる。しかし、前記（１）式中、Ｕが０．００５未満
であるとこれらの効果が得られず、Ｕが０．１０を超え
ると誘電率が低下する。このため、Ｕは０．００５以上
０．１０以下の範囲とする。
前記（Ｉ）式中、Ｘが０．１０未満であると、誘電率が
低下し、Ｘが０．４０を超えると比抵抗が低下し、かつ
、誘電損失が大きくなる。このため、Ｘは０．１０以上
０．４０以下の範囲とする。
低下し、Ｘが０．４０を超えると比抵抗が低下し、かつ
、誘電損失が大きくなる。このため、Ｘは０．１０以上
０．４０以下の範囲とする。
また、（Ｉ）式中、Ｙが０．０５未満であると、比抵抗
が低下し、Ｙが０．８５を超えると誘電率が低下する。
が低下し、Ｙが０．８５を超えると誘電率が低下する。
このため、Ｙは０，０５以上０．８５以下の範囲とする
。
。
更に、（Ｉ）式中、２が０．０５未満であると焼結温度
が高くなり、かつ誘電率が低下し、Ｚが０．５５を超え
ると比抵抗が低下する。このため、２は０．０５以上０
．５５以下の範囲とする。
が高くなり、かつ誘電率が低下し、Ｚが０．５５を超え
ると比抵抗が低下する。このため、２は０．０５以上０
．５５以下の範囲とする。
本発明において、更にＰ ｂ （Ｍ ｎ ＋／３ Ｎ
ｂ ２／３）０、を添加した場合には、誘電率及び比抵
抗が高くなり、かつ誘電損失が低下する。しかし、添加
量が主成分の５モル％を超えると、これらの効果が得ら
れなくなるので、Ｐ ｂ （Ｍｎ＋／ｓ Ｎ ｂｚｙｓ
）０、は主成分の５モル％以下とする。
ｂ ２／３）０、を添加した場合には、誘電率及び比抵
抗が高くなり、かつ誘電損失が低下する。しかし、添加
量が主成分の５モル％を超えると、これらの効果が得ら
れなくなるので、Ｐ ｂ （Ｍｎ＋／ｓ Ｎ ｂｚｙｓ
）０、は主成分の５モル％以下とする。
このような本発明の誘電体磁器組成物を製造するには、
例えば、−酸化鉛、二酸化チタン、チタン酸バリウム、
炭酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、五酸化ニオブ
、酸化第二鉄、三酸化タングステン、二酸化マンガン等
の粉末を所定の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル
等を用いて十分に混合する。次にこの混合物を乾燥した
後、必要に応じ、６００〜８００℃の範囲で数時間程度
仮焼する。この仮焼は必ずしも行う必要はないが、これ
を行うことにより粒子がより均一化され、誘電特性が向
上する傾向がある。仮焼を行った場合には、仮焼物を更
に湿式ボールミル等で粉砕し、乾燥後、ポリビニルアル
コールなどの適当な有機バインダを加えて、顆粒を作り
、これを所定の形状にプレス成形した後、焼成を行う。
例えば、−酸化鉛、二酸化チタン、チタン酸バリウム、
炭酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、五酸化ニオブ
、酸化第二鉄、三酸化タングステン、二酸化マンガン等
の粉末を所定の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル
等を用いて十分に混合する。次にこの混合物を乾燥した
後、必要に応じ、６００〜８００℃の範囲で数時間程度
仮焼する。この仮焼は必ずしも行う必要はないが、これ
を行うことにより粒子がより均一化され、誘電特性が向
上する傾向がある。仮焼を行った場合には、仮焼物を更
に湿式ボールミル等で粉砕し、乾燥後、ポリビニルアル
コールなどの適当な有機バインダを加えて、顆粒を作り
、これを所定の形状にプレス成形した後、焼成を行う。
この焼成は、９５０〜１０５０℃の温度範囲で０．５〜
数時間程度行う。（勿論、これらの製造条件は最も好適
な数値であ）て、本発明の磁器組成物は上記以外の条件
もしくは方法によって製造されても良い。） ［実施例］ 以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
数時間程度行う。（勿論、これらの製造条件は最も好適
な数値であ）て、本発明の磁器組成物は上記以外の条件
もしくは方法によって製造されても良い。） ［実施例］ 以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例１
原料としてＰｂＯ，ＢａＴｉＯｓ 、５ｒＣＯｓ。
Ｔｉ０ｚ 、ＭｇＯ，Ｎｂ２０．、Ｆｅ、０３゜ＷＯ５
，ＭｎＯ２を使用、し、これらを第２表に示す配合比と
なるように秤量し、ボールミル中で２０時時間式混合し
た８次いで混合物を脱水、乾燥後、７５０℃で２時間保
持して仮焼し、再びボールミル中で２０時時間式粉砕し
た後、脱水。
，ＭｎＯ２を使用、し、これらを第２表に示す配合比と
なるように秤量し、ボールミル中で２０時時間式混合し
た８次いで混合物を脱水、乾燥後、７５０℃で２時間保
持して仮焼し、再びボールミル中で２０時時間式粉砕し
た後、脱水。
乾燥した。
得られた粉末にポリビニルアルコール水溶液を加え、成
形圧力３ ｔ ｏ ｎ ／ 、ｃ ｍ ２で、直径１６
ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの円板に加圧成形した。この成形
物をマグネシア磁器容器に入れて、９５０〜１０５０℃
の温度で２時間焼成した。
形圧力３ ｔ ｏ ｎ ／ 、ｃ ｍ ２で、直径１６
ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの円板に加圧成形した。この成形
物をマグネシア磁器容器に入れて、９５０〜１０５０℃
の温度で２時間焼成した。
得られた焼結体の両面に、銀電極を６５０〜７００℃で
焼付けて、その電気特性を調べた。
焼付けて、その電気特性を調べた。
結果を第２表に示す。
なお、誘電率及び誘電損失はＹＨＰデジタルＬＣＲメー
タモデル４２７４Ａを用い、測定周波数ＩＫＨｚ、測定
電圧１．ＯＶｒｍｓ、温度２５℃にて測定した。また、
比抵抗はＹＨＰモデル４３２９Ａを使用し、温度２５℃
で印加電圧１００ｖにて、１分後の値を測定した。゛ま
た、ε−２５，ε２６．ε８．はそれぞれ−２５℃、２
５℃８５℃における誘電率を示し、６Ｍ１８１１は一２
５℃〜８５℃の温度範囲における誘電率の最高値を示す
。
タモデル４２７４Ａを用い、測定周波数ＩＫＨｚ、測定
電圧１．ＯＶｒｍｓ、温度２５℃にて測定した。また、
比抵抗はＹＨＰモデル４３２９Ａを使用し、温度２５℃
で印加電圧１００ｖにて、１分後の値を測定した。゛ま
た、ε−２５，ε２６．ε８．はそれぞれ−２５℃、２
５℃８５℃における誘電率を示し、６Ｍ１８１１は一２
５℃〜８５℃の温度範囲における誘電率の最高値を示す
。
第２表からも明らかなように、本発明の範囲内の組成物
は、いずれも誘電率が高く、誘電損失が低く、かつ比抵
抗が大きく、また、誘電率の温度特性にも著しく優れる
。
は、いずれも誘電率が高く、誘電損失が低く、かつ比抵
抗が大きく、また、誘電率の温度特性にも著しく優れる
。
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器組成物は、誘電
率が高く誘電損失が低く、かつ、比抵抗が大きい、この
ため、本発明の誘電体磁器組成物を用いることにより、
信頼性の高い小型で大容量のコンデンサを得ることがで
きる。
率が高く誘電損失が低く、かつ、比抵抗が大きい、この
ため、本発明の誘電体磁器組成物を用いることにより、
信頼性の高い小型で大容量のコンデンサを得ることがで
きる。
しかも、本発明の誘電体磁器組成物は、焼結温度が９５
０〜１０５０℃と低いため、焼成コストが安価で、積層
コンデンサに用いた場合、内部電極に高価なパラジウム
や白金などの貴金属を使用することなく、比較的安価な
銀系等の金属を使用することができる。このため、積層
コンデンサの製造コストを低下させ、その価格を大幅に
低減することができる。
０〜１０５０℃と低いため、焼成コストが安価で、積層
コンデンサに用いた場合、内部電極に高価なパラジウム
や白金などの貴金属を使用することなく、比較的安価な
銀系等の金属を使用することができる。このため、積層
コンデンサの製造コストを低下させ、その価格を大幅に
低減することができる。
代理人 弁理士 重 野 剛
手続補正書
昭和６２年１１汀？）日
Claims (2)
- （１）ＰｂＴｉＯ＿３，Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿
２＿／＿３）Ｏ＿３及びＰｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１
＿／＿３）Ｏ＿３を主成分として含み、下記一般式（Ｉ
） （Ｐｂ＿１＿−＿ｕＭ＿ｕ）［Ｔｉ＿Ｘ（Ｍｇ＿１＿／
＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿Ｙ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１
＿／＿３）＿Ｚ］Ｏ＿３・・・（Ｉ） 式中、ＭはＢａ及び／又はＳｒ であって、 ０．００５≦ｕ≦０．１０ ０．１０≦Ｘ≦０．４０ ０．０５≦Ｙ≦０．８５ ０．０５≦Ｚ≦０．５５ で表わされるように、Ｐｂ原子のうちの０．５〜１０モ
ル％を、Ｂａ原子及び／又はＳｒ原子で置換した組成を
有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 - （２）Ｐｂ（Ｍｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿
３を前記主成分の５モル％以下含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256691A JPH01100051A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 誘電体磁器組成物 |
| US07/249,743 US4897373A (en) | 1987-10-12 | 1988-09-27 | Dielectric ceramic composition |
| GB8823540A GB2210871B (en) | 1987-10-12 | 1988-10-06 | Dielectric ceramic composition |
| BE8801149A BE1001326A3 (fr) | 1987-10-12 | 1988-10-06 | Composition ceramique dielectrique. |
| FR888813361A FR2621579B1 (fr) | 1987-10-12 | 1988-10-11 | Composition ceramique dielectrique |
| DE3834778A DE3834778A1 (de) | 1987-10-12 | 1988-10-12 | Dielektrische keramische zusammensetzungen |
| NLAANVRAGE8802506,A NL189559C (nl) | 1987-10-12 | 1988-10-12 | Dielektrische keramische samenstelling. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256691A JPH01100051A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100051A true JPH01100051A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17296136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256691A Pending JPH01100051A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4897373A (ja) |
| JP (1) | JPH01100051A (ja) |
| BE (1) | BE1001326A3 (ja) |
| DE (1) | DE3834778A1 (ja) |
| FR (1) | FR2621579B1 (ja) |
| GB (1) | GB2210871B (ja) |
| NL (1) | NL189559C (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2762309B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1998-06-04 | マルコン電子株式会社 | 誘電体磁器組成物及びこれを使用した電子部品 |
| US5106796A (en) * | 1991-09-13 | 1992-04-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-firing capacitors dielectrics |
| US5600533A (en) * | 1994-06-23 | 1997-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor having an anti-reducing agent |
| US6368514B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-04-09 | Luminous Intent, Inc. | Method and apparatus for batch processed capacitors using masking techniques |
| US20090184740A1 (en) * | 2008-01-21 | 2009-07-23 | Agilent Technologies, Inc. | Phase-Locked Loop Circuit with Accelerated Frequency Acquisition |
| SG189933A1 (en) * | 2010-10-20 | 2013-06-28 | Bioformix Llc | Synthesis of methylene malonates substantially free of impurities |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121959A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-19 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric ceramic composition |
| JPS61155245A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-14 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS62123061A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62123060A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62132755A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | アルプス電気株式会社 | 磁器組成物 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE218085C (ja) * | ||||
| US4048546A (en) * | 1975-07-09 | 1977-09-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric powder compositions |
| JPS5222119A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-19 | Hitachi Ltd | Constant flow supply system |
| CA1108842A (en) * | 1978-10-30 | 1981-09-15 | Kiyoshi Furukawa | High dielectric constant type ceramic composition |
| JPS55144612A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-11 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric series porcelain composition |
| JPS56103802A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-19 | Hitachi Ltd | High dielectric porcelain composition |
| JPS6018084B2 (ja) * | 1980-07-22 | 1985-05-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS5767211A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Nippon Electric Co | Porcelain composition |
| JPS57168405A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High dielectric porcelain composition |
| JPS5889707A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-28 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS59105207A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS59116174A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPS61109204A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-27 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256691A patent/JPH01100051A/ja active Pending
-
1988
- 1988-09-27 US US07/249,743 patent/US4897373A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-06 BE BE8801149A patent/BE1001326A3/fr not_active IP Right Cessation
- 1988-10-06 GB GB8823540A patent/GB2210871B/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-11 FR FR888813361A patent/FR2621579B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-12 DE DE3834778A patent/DE3834778A1/de active Granted
- 1988-10-12 NL NLAANVRAGE8802506,A patent/NL189559C/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121959A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-19 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric ceramic composition |
| JPS61155245A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-14 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS62123060A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62123061A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62132755A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | アルプス電気株式会社 | 磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2210871B (en) | 1991-05-01 |
| FR2621579A1 (fr) | 1989-04-14 |
| DE3834778C2 (ja) | 1992-09-03 |
| US4897373A (en) | 1990-01-30 |
| GB2210871A (en) | 1989-06-21 |
| FR2621579B1 (fr) | 1990-07-20 |
| BE1001326A3 (fr) | 1989-09-26 |
| GB8823540D0 (en) | 1988-11-16 |
| NL189559C (nl) | 1993-05-17 |
| DE3834778A1 (de) | 1989-04-20 |
| NL8802506A (nl) | 1989-05-01 |
| NL189559B (nl) | 1992-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62138360A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH01100051A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS597665B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS5910951B2 (ja) | 高誘電率系磁器製造用原料組成物 | |
| JP3243874B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS5815078A (ja) | 高誘電率系磁器誘電体組成物 | |
| JPH02252649A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0571538B2 (ja) | ||
| JP2621478B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH06325620A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH02167850A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6217806B2 (ja) | ||
| KR940004381B1 (ko) | 적층캐패시터용 유전성 세라믹 조성물 | |
| JPS63162571A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP2001302333A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0360452A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001302334A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6137218B2 (ja) | ||
| JPH06333421A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH01239704A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6129531B2 (ja) | ||
| JPH05330909A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0859346A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0831233A (ja) | 誘電体磁器組成物 |