JP7512536B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電力変換装置に関する。
直流電圧を変換する電圧変換回路と、変換された直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路とを備えた電力変換装置には、正極および負極の配線を形成するバスバーが配策されている。バスバーには大電流が流れるため発熱量が大きく、ノイズ除去等の目的で電力変換装置内に設置されているキャパシタ等はバスバーからの熱の影響を大きく受ける。そのため、キャパシタ等の耐熱温度を超えない範囲でバスバーに流す電流量を制限する必要があり、これが電力変換装置の出力性能の制約となる。
特許文献1には、直流/交流電力変換を行うインバータ回路部と、外部バッテリからの電圧を昇圧してインバータ回路部に出力するコンバータ回路部と、平滑化キャパシタパッケージとを備え、キャパシタパッケージは、キャパシタ素子と、インバータ回路部及びコンバータ回路部の負極側の両方に接続される負極バスバーと、インバータ回路部の正極に接続される第1正極バスバーと、コンバータ回路部バッテリ側の正極に接続される第2正極バスバーと、を有し、第1正極バスバーは、負極バスバーの一方の主面と対向し、第2正極バスバーは、負極バスバーの他方の主面と対向する位置に配置されている電力変換装置が記載されている。
日本国特開2014-176237号公報
特許文献1に記載の電力変換装置では、バスバーの熱を低減することができず、電力変換装置の出力性能が制限される。
本発明による電力変換装置は、第1の直流電圧を第2の直流電圧に変換する電圧変換回路と、前記第2の直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路と、前記電圧変換回路と前記インバータ回路とに共通に接続される負極バスバーと、前記電圧変換回路に接続される第1の正極バスバーと、前記インバータ回路に接続される第2の正極バスバーと、前記電圧変換回路および前記インバータ回路を収容する筐体と、前記筐体に設けられた第1の放熱部材とを備え、前記第1の正極バスバーおよび前記第2の正極バスバーと前記負極バスバーとは積層して互いに電気的に絶縁して設けられ、前記第1の正極バスバーおよび前記第2の正極バスバーは絶縁部材を介して前記第1の放熱部材と対向し、前記第1の正極バスバーおよび前記第2の正極バスバーの少なくとも一方は、前記絶縁部材および第1の熱伝導部材を介して、前記第1の放熱部材と熱的に接触する。
本発明によれば、バスバーの熱を低減して、電力変換装置の出力性能を向上させることが可能となる。
電力変換装置の分解斜視図である。 電力変換装置の回路構成図である。 電力変換装置の要部の分解斜視図である。 (A)(B)電力変換装置の断面図である。 (A)(B)電力変換装置の変形例1、2を示す断面図である。 (A)(B)電力変換装置の変形例3、4を示す断面図である。 電力変換装置の変形例5を示す斜視図である。 電力変換装置の変形例6を示す斜視図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の記載および図面は、本発明を説明するための例示であって、説明の明確化のため、適宜、省略および簡略化がなされている。本発明は、他の種々の形態でも実施する事が可能である。特に限定しない限り、各構成要素は単数でも複数でも構わない。
図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。
同一あるいは同様な機能を有する構成要素が複数ある場合には、同一の符号に異なる添字を付して説明する場合がある。ただし、これらの複数の構成要素を区別する必要がない場合には、添字を省略して説明する場合がある。
図1は、本実施形態にかかる電力変換装置1000の分解斜視図である。
電力変換装置1000は、半導体モジュール100とキャパシタ200とリアクトル300を備える。半導体モジュール100とキャパシタ200とリアクトル300は筐体400内に収容される。筐体400は、筐体400と一体的に形成された第1の放熱部材410によって第1の収容空間401と第2の収容空間402とに区画される。第1の収容空間401には、半導体モジュール100とリアクトル300が、第2の収容空間402には、キャパシタ200が収容される。筐体400内には、流入出口403より冷媒が流入出される冷却流路が形成されている。図示省略するが冷媒は筐体400内の冷却流路を経由して、半導体モジュール100内に設けられた冷却流路を流れる。冷却流路を流れる冷媒により半導体モジュール100だけでなく、筐体400および第1の放熱部材410も冷却される。
第1の収容空間401および第2の収容空間402の底面と対向し、第1の収容空間401に収容された半導体モジュール100とリアクトル300、および第2の収容空間402に収容されたキャパシタ200の上面にモールドバスバー500が配置される。モールドバスバー500は、第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、および負極バスバー530を、各バスバーの間やその他の導電性部品の間を電気的に絶縁する目的で、絶縁性の樹脂などで封止してなる。第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、および負極バスバー530は、例えば銅などの導電性材料で形成され、電力配線を形成する平板状の配線部材である。第1の放熱部材410の上面には第1の熱伝導部材600が塗布されており、モールドバスバー500は、第1の熱伝導部材600を介して第1の放熱部材410と熱的に接触する。
モールドバスバー500の第1の正極バスバー510と負極バスバー530は、端子P、Nを介して図示省略したバッテリに接続され、バッテリより直流電圧が供給される。半導体モジュール100は、4個が併設され、1個は電圧変換回路1100に、他の3個はインバータ回路1200に使用される(図2参照)。
電圧変換回路1100用の半導体モジュール100は、半導体モジュール100内に封止された半導体素子をスイッチング動作させることにより、モールドバスバー500を介して供給された直流電圧を昇圧して直流電圧に変換する。変換された直流電圧は、出力バスバー700の一本に出力され、モールドバスバー500を介してインバータ回路1200として使用される半導体モジュール100へ入力される。
インバータ回路1200用の半導体モジュール100は、半導体モジュール100内に封止された半導体素子をスイッチング動作させることにより、電圧変換回路1100からモールドバスバー500を介して供給された直流電圧を交流電流に変換する。変換された交流電流は、出力バスバー700から出力される。出力された交流電流は図示省略したモータへ供給され、モータを駆動する。出力バスバー700の近傍には電流センサ710が配置されている。
第1の収容空間401および第2の収容空間402は、ベース板800によって閉塞される。ベース板800の4隅など周囲は、筐体400にビスなどにより固定される。ベース板800には、回路基板900が設置される。回路基板900上には、電圧変換回路1100やインバータ回路1200を駆動制御する制御回路1300が搭載されている(図2参照)。半導体モジュール100は、制御回路1300からの駆動信号G2が入力される制御端子を有するが、制御端子との接続線はベース板800に設けられた孔を介して回路基板900上の制御回路1300と接続されている。また、電子部品は外部の制御装置との間でコネクタ910を介してトルク指令等の指令信号を入出力している。
筐体400は、カバー490を備え、ベース板800および回路基板900を収容する。筐体400とカバー490との間は、シールリング又は液状シールが設けられ、電力変換装置1000の内部気密を確保している。筐体400、第1の放熱部材410、カバー490、ベース板800の材料は、アルミニュームなど熱伝導性の高い材料である。
図2は、電力変換装置1000の回路構成図である。
電力変換装置1000は、電圧変換回路1100、インバータ回路1200、制御回路1300を備える。電圧変換回路1100と、インバータ回路1200は、半導体素子を内蔵した半導体モジュール100a、100b、100c、100dを備えて構成されている。半導体モジュール100a、100b、100c、100dは、回路基板900上の制御回路1300からの駆動信号G1、G2により、半導体素子のオン・オフの切り替えが行われる。制御回路1300は、図示省略した外部の制御装置からの指令信号を基に、半導体モジュール100a、100b、100c、100dのスイッチング動作を制御する。
電圧変換回路1100には、バッテリから端子P、Nを介して第1の正極バスバー510と負極バスバー530との間に直流電圧が入力される。第1の正極バスバー510とグランドとの間、および負極バスバー530とグランドとの間には、フィルタ用のキャパシタC3、C4が設けられている。このキャパシタC3、C4は、正極と負極に流れるコモンモードノイズを低減するため実装されている。具体的には、電圧変換回路1100やインバータ回路1200からのノイズをグラウンドにバイパスさせ、バッテリにコモンモードノイズが伝導することを防いでいる。さらに、バッテリからのコモンモードノイズが電圧変換回路1100やインバータ回路1200に伝導することを防いでいる。
電圧変換回路1100は、半導体モジュール100a、リアクトル300、キャパシタC1を備えている。半導体モジュール100aは、半導体素子T1、T2が直列に接続され、半導体素子T1、T2のコレクターエミッタ間には、それぞれダイオードD1、D2が並列に接続されている。半導体素子T1のコレクタ側は第2の正極バスバー520が接続され、同エミッタ側は、リアクトル300の一端と半導体素子T2のコレクタ側が接続されている。また、リアクトル300の他端は第1の正極バスバー510に接続され、半導体素子T2のエミッタ側は負極バスバー530に接続されている。リアクトル300の他端の第1の正極バスバー510と負極バスバー530との間にはキャパシタC1が接続されている。負極バスバー530は、電圧変換回路1100とインバータ回路1200とで共通に接続される。
電圧変換回路1100は、制御回路1300からの駆動信号G1により半導体素子T1、T2のオン・オフが制御される。これにより、電圧変換回路1100は、バッテリからの直流電圧をそれよりも高い直流電圧値に変換してインバータ回路1200に出力する昇圧機能を行う。また、モータの回生動作時にインバータ回路1200から電圧変換回路1100へ出力される直流電圧をそれよりも低い直流電圧に変換してバッテリに出力する降圧機能を行う。
インバータ回路1200は、半導体モジュール100b、100c、100d、キャパシタC2を備えている。半導体モジュール100bは、半導体素子T3、T4が直列に接続され、半導体素子T3、T4のコレクターエミッタ間には、それぞれダイオードD3、D4が並列に接続されている。半導体モジュール100cは、半導体素子T5、T6が直列に接続され、半導体素子T5、T6のコレクターエミッタ間には、それぞれダイオードD5、D6が並列に接続されている。半導体モジュール100dは、半導体素子T7、T8が直列に接続され、半導体素子T7、T8のコレクターエミッタ間には、それぞれダイオードD7、D8が並列に接続されている。
半導体素子T3、T5、T7のコレクタ側は第2の正極バスバー520に接続され、半導体素子T4、T6、T8のエミッタ側は負極バスバー530に接続される。第2の正極バスバー520と負極バスバー530との間には平滑用のキャパシタC2が接続されている。半導体素子T3、T5、T7のエミッタ側と半導体素子T4、T6、T8のコレクタ側の接続点は出力バスバー700を介して図示省略したモータへ接続される。
インバータ回路1200は、電圧変換回路1100より出力される直流電圧を基に、制御回路1300からの駆動信号G2により半導体素子T3~T8のオン・オフが制御される。これにより、モータに流れる交流電流の位相をU、V、W相毎に120°異ならせて3相交流電力をモータに出力することで、モータを駆動する。
図3は、電力変換装置1000の要部の分解斜視図である。半導体モジュール100とキャパシタ200とモールドバスバー500を示す。モールドバスバー500は、絶縁性の樹脂の封止を取り除いた状態を図示している。キャパシタ200は、キャパシタC1、C2を含む例を示すが、キャパシタC1、C2、C3、C4を含めてもよい。リアクトル300は図示を省略している。
モールドバスバー500は、第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、および負極バスバー530を有する。第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、および負極バスバー530は、例えば銅などの導電性材料で平板状に形成された配線部材である。第1の正極バスバー510と第2の正極バスバー520は、半導体モジュール100a、100b、100c、100dとキャパシタ200の上面に並列して配置される。第1の正極バスバー510は半導体モジュール100aとキャパシタC1の上面に、第2の正極バスバー520は、半導体モジュール100b、100c、100dとキャパシタC2の上面に互いに絶縁状態で配置される。負極バスバー530は、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520を挟んで半導体モジュール100およびキャパシタ200とは反対側であって、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520の上に積層して設けられる。
第1の正極バスバー510は、リアクトル300を介して、半導体モジュール100aより突出している半導体素子T1のエミッタ端子に接続される。負極バスバー530は、半導体モジュール100aより突出している半導体素子T2のエミッタ端子に接続される。
半導体モジュール100b、100c、100dより突出している半導体素子T3、T5、T7のコレクタ端子は第2の正極バスバー520に接続される。半導体モジュール100b、100c、100dより突出している半導体素子T4、T6、T8のエミッタ端子は負極バスバー530に接続される。
キャパシタC1の正極端子および負極端子は、それぞれ第1の正極バスバー510および負極バスバー530に接続され、キャパシタC2の正極端子および負極端子は、それぞれ第2の正極バスバー520および負極バスバー530に接続される。
なお、図示を省略しているが、半導体モジュール100の半導体素子T1~T8のゲートから制御端子が突出し、回路基板900上の制御回路1300と接続されている。また、半導体モジュール100の半導体素子T3、T5、T7のエミッタ側と半導体素子T4、T6、T8のコレクタ側の接続点から出力端子が突出し、出力バスバー700と接続されている。
例えば、車両の駆動源としてモータを使用した場合は、電力変換装置1000は図2を参照して説明したように、電圧変換回路1100およびインバータ回路1200を用いる。この場合は、正極バスバーが第1の正極バスバー510と第2の正極バスバー520とに分割されることになる。その結果、図3に示すように、平板状に形成された第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、負極バスバー530は、その面積がそれぞれ異なり、第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、負極バスバー530の順に面積が大きくなる。各バスバーの厚さが同じであると仮定すると、面積が小さいほど電気抵抗値が大きくなる。そのため、各バスバーに通電した場合に、電気抵抗値が大きい順、すなわち、第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、負極バスバー530の順に発熱量が大きくなる。本実施形態では、以下に述べるように、バスバーの発熱量に応じて各バスバーを配置して、バスバーの熱を総合的に低減する。
また、電力変換装置1000には、半導体素子への電荷供給やノイズ除去等の目的でキャパシタ200が電気的に接続されている。キャパシタ200はバスバーからの熱の影響を受ける。一般的にキャパシタ200内のキャパシタ素子は耐熱温度が低いため、キャパシタ素子の耐熱温度を超えない範囲でバスバーに流す電流量を制限する必要があり、これが電力変換装置1000の出力性能の制約となる。本実施形態では、バスバーの熱を低減することにより、バスバーに流す電流量を増やすことができ、電力変換装置1000の出力性能を向上させる。
図4(A)、図4(B)は、電力変換装置1000の断面図である。図4(A)は、図1に示す電力変換装置1000を組み立てた後におけるX-X線の断面図であり、図4(B)は、図4(A)のY部分の断面拡大図である。図1~図3と同一の箇所には同一の符号を付してその説明を簡略に行う。
図4(A)に示すように、筐体400は、カバー490を備え、回路基板900、ベース板800、モールドバスバー500、キャパシタ200等を収容する。筐体400は、筐体400と一体的に形成された第1の放熱部材410を備える。
図4(B)に示すように、モールドバスバー500は、第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、負極バスバー530は互いに電気的に絶縁して積層して設けられている。そして、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520は絶縁部材550を介して第1の放熱部材410と対向して配置される。その結果、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520は、絶縁部材550および第1の熱伝導部材600を介して、第1の放熱部材410と熱的に接触する。第1の熱伝導部材600は、例えばグリス、シートなどの熱伝導性の材料であり、高温の部材から低温の部材へ熱を伝達することで、高温の部材の冷却経路となる。なお、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520の少なくとも一方が、絶縁部材550および第1の熱伝導部材600を介して、第1の放熱部材410と熱的に接触するように構成してもよい。より好ましくは、少なくとも発熱量が大きい第1の放熱部材410を第1の放熱部材410と熱的に接触するように構成する。
また、絶縁部材550は、絶縁性の樹脂や絶縁紙などで形成され、異なる電位間を電気的に絶縁する部材であるが、本例に示したように第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、および負極バスバー530を封止したモールドバスバー500の一部を用いてもよい。他の例として、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520の第1の放熱部材410と対向する面を露出させ、露出した面に絶縁部材550を配置してもよい。
本実施形態によれば、負極バスバー530よりも発熱量の大きい第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520を第1の放熱部材410と対向する側に配置することにより、モールドバスバー500全体の熱を低減することができ、したがって、バスバーに流す電流量を増やすことができるので、電力変換装置1000の出力性能を向上させることができる。
また、筐体400は、第1の放熱部材410により第1の収容空間401と第2の収容空間402に区画され、第1の収容空間401に半導体モジュール100が、第2の収容空間402にキャパシタ200が収容される。これにより、半導体モジュール100の熱がキャパシタ200へ伝導するのを抑制することができる。
図5(A)、図5(B)は、電力変換装置1000の変形例を示す断面図である。いずれも図4(A)のY部分の断面拡大図に相当し、図5(A)は、変形例1、図5(B)は、変形例2を示す。図4(B)と同一の箇所には同一の符号を付してその説明を簡略に行う。
図5(A)に示す変形例1では、第1の正極バスバー510の厚さを第2の正極バスバー520や負極バスバー530の厚さよりも厚くする。第1の正極バスバー510の厚さを厚くすることにより、第1の正極バスバー510の電気抵抗を少なくして、通電時に発生する発熱量を抑える。バスバーの発熱量が抑えられた分、バスバーに通電する電流を増加させることができるため、電力変換装置1000の出力性能を上げることができる。なお、第1の正極バスバー510の厚さは、第2の正極バスバー520および負極バスバー530の少なくとも一方よりも厚くしてもよい。
図5(B)に示す変形例2では、絶縁部材550の厚さは、第1の正極バスバー510と第1の放熱部材410とが対向する領域内において、その他の領域よりも薄くする。絶縁部材550を薄くした分、第1の熱伝導部材600は厚くなるが、第1の熱伝導部材600は絶縁部材550よりも熱伝導率が高い。このため、第1の正極バスバー510と対向する領域の絶縁部材550の厚みを薄くすることで、第1の正極バスバー510の放熱効率が高くなり、第1の正極バスバー510の温度を下げることができる。
図6(A)、図6(B)は、電力変換装置1000の変形例を示す断面図である。いずれも図4(A)のY部分の断面拡大図に相当し、図6(A)は、変形例3、図6(B)は、変形例4を示す。図4(B)と同一の箇所には同一の符号を付してその説明を簡略に行う。
図6(A)に示す変形例3では、第1の放熱部材410と第1の正極バスバー510との距離は、第1の正極バスバー510と第1の放熱部材410とが対向する領域内において、その他の領域よりも短くする。第1の正極バスバー510からの第1の放熱部材410に至る放熱経路をより短くすることで、第1の正極バスバー510の冷却効率が高くなり、第1の正極バスバー510の温度を下げることができる。
図6(B)に示す変形例4では、負極バスバー530、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520を挟んで第1の放熱部材410と反対側に第2の放熱部材420を備える。第2の放熱部材420は、第2の熱伝導部材620を介して負極バスバー530と熱的に接触する。第2の熱伝導部材620は、例えばグリス、シートなどの熱伝導性の材料であり、高温の部材から低温の部材へ熱を伝達することで、高温の部材の冷却経路となる。第2の放熱部材420は、ベース板800であってもよく、ベース板800または筐体400に接触するその他の熱伝導性の高い部材であってもよい。第1の熱伝導部材600の厚さは、第2の熱伝導部材620よりも薄い。モールドバスバー500の両面に放熱部材410、420を配置することでバスバーの温度を下げることができる。第1の熱伝導部材600の厚さを、第2の熱伝導部材620よりも薄くすることにより、発熱量の大きい第1の正極バスバー510の冷却効率が高くなり、第1の正極バスバー510の温度を下げることができる。
図7(A)、図7(B)は、電力変換装置1000の変形例5を示す斜視図である。図7(A)は、分解斜視図、図7(B)は、筐体400へ組込む前の斜視図である。図3に示した例とは、モールドバスバー500とキャパシタ200とを一体構成にした点が相違する。図1、図3と同一の箇所には同一の符号を付してその説明を簡略に行う。
図7(A)は、分解斜視図であるが、キャパシタ200の上面をモールドバスバー500と一体構造とする。モールドバスバー500の第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、および負極バスバー530は、図示省略するがキャパシタ200の正極端子、負極端子とボルトや溶接により接続され、モールドバスバー500と一体構造にする。また、モールドバスバー500と半導体モジュール100との接続は、中継バスバー540を介して行う。
図7(B)に示すように、モールドバスバー500とキャパシタ200とは一体構造にされる。中継バスバー540は、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520と、負極バスバー530との2層の積層構造に合わせて、互いに絶縁状態で2層の積層構造である。そして、1層目の中継バスバー540の一端と第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520とは、ボルト560により締結される。2層目の中継バスバー540の一端と負極バスバー530とは、ボルト560により締結される。1層目の中継バスバー540の他端は半導体モジュール100の正極側と、2層目の中継バスバー540の他端は半導体モジュール100の負極側と接続される。半導体モジュール100の出力端子は出力バスバー700と接続される。
図8(A)、図8(B)は、電力変換装置1000の変形例6を示す斜視図である。図8(A)は、分解斜視図、図8(B)は、筐体400へ組込む前の斜視図である。図7(A)、図7(B)に示した例と同様に、モールドバスバー500とキャパシタ200とを一体構成にした例であるが、中継バスバー540を用いない点が相違する。図1、図3、図7(A)、図7(B)と同一の箇所には同一の符号を付してその説明を簡略に行う。
図8(A)は、分解斜視図であるが、キャパシタ200の上面をモールドバスバー500と一体構造とする。モールドバスバー500の第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520、および負極バスバー530は、図示省略するがキャパシタ200の正極端子、負極端子とボルトや溶接により接続され、モールドバスバー500と一体構造にする。また、モールドバスバー500と半導体モジュール100との接続は、モールドバスバー500により直接行う。
図8(B)に示すように、モールドバスバー500とキャパシタ200とは一体構造にされる。第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520は半導体モジュール100の正極側と、負極バスバー530は半導体モジュール100の負極側と接続される。半導体モジュール100の出力端子は出力バスバー700と接続される。中継バスバー540を用いないので、中継バスバー540との接続箇所で発熱する虞がない。また、構造が簡略化され、組み立て工数を削減することができる。
変形例5、変形例6においても、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520の少なくとも一方が、絶縁部材550および第1の熱伝導部材600を介して、第1の放熱部材410と熱的に接触するように構成される。したがって、モールドバスバー500とキャパシタ200とが一体構造であっても、発熱量の大きい第1の正極バスバー510、第2の正極バスバー520の熱を総合的に低減することができ、したがって、バスバーに流す電流量を増やすことができるので、電力変換装置1000の出力性能を向上させることができる。
以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)電力変換装置1000は、第1の直流電圧を第2の直流電圧に変換する電圧変換回路1100と、第2の直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路1200と、電圧変換回路1100とインバータ回路1200とに共通に接続される負極バスバー530と、電圧変換回路1100に接続される第1の正極バスバー510と、インバータ回路1200に接続される第2の正極バスバー520と、電圧変換回路1100およびインバータ回路1200を収容する筐体400と、筐体400に設けられた第1の放熱部材410とを備え、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520と負極バスバー530とは積層して互いに電気的に絶縁して設けられ、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520は絶縁部材550を介して第1の放熱部材410と対向し、第1の正極バスバー510および第2の正極バスバー520の少なくとも一方は、絶縁部材550および第1の熱伝導部材600を介して、第1の放熱部材410と熱的に接触する。これにより、バスバーの熱を低減して、電力変換装置の出力性能を向上させることが可能となる。
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の特徴を損なわない限り、本発明の技術思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。また、上述の実施形態と複数の変形例を組み合わせた構成としてもよい。
100、100a、100b、100c、100d・・・半導体モジュール、200、C1、C2、C3、C4・・・キャパシタ、300・・・リアクトル、400・・・筐体、401・・・第1の収容空間、402・・・第2の収容空間、403・・・流入出口、410・・・第1の放熱部材、420・・・第2の放熱部材、490・・・カバー、500・・・モールドバスバー、510・・・第1の正極バスバー、520・・・第2の正極バスバー、530・・・負極バスバー、540・・・中継バスバー、550・・・絶縁部材、600・・・第1の熱伝導部材、620・・・第2の熱伝導部材、700・・・出力バスバー、710・・・電流センサ、800・・・ベース板、900・・・回路基板、910・・・コネクタ、1000・・・電力変換装置、1100・・・電圧変換回路、1200・・・インバータ回路、1300・・・制御回路、T1~T8・・・半導体素子、D1~D8・・・ダイオード。

Claims (12)

  1. 第1の直流電圧を第2の直流電圧に変換する電圧変換回路と、
    前記第2の直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路と、
    前記電圧変換回路と前記インバータ回路とに共通に接続される負極バスバーと、
    前記電圧変換回路に接続される第1の正極バスバーと、
    前記インバータ回路に接続される第2の正極バスバーと、
    前記電圧変換回路および前記インバータ回路を収容する筐体と、
    前記筐体に設けられた第1の放熱部材とを備え、
    前記第1の正極バスバーおよび前記第2の正極バスバーと前記負極バスバーとは積層して互いに電気的に絶縁して設けられ、
    前記第1の正極バスバーおよび前記第2の正極バスバーは絶縁部材を介して前記第1の放熱部材と対向し、
    前記第1の正極バスバーおよび前記第2の正極バスバーの少なくとも一方は、前記絶縁部材および第1の熱伝導部材を介して、前記第1の放熱部材と熱的に接触する電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    半導体素子を内蔵して前記電圧変換回路および前記インバータ回路を構成する半導体モジュールと、前記電圧変換回路および前記インバータ回路を構成するキャパシタとを備え、
    前記第1の放熱部材は、前記筐体内を前記半導体モジュールが収容される第1の収容空間と前記キャパシタが収容される第2の収容空間に区画する電力変換装置。
  3. 請求項2に記載の電力変換装置において、
    前記負極バスバー、前記第1の正極バスバー、および前記第2の正極バスバーは、前記第1の収容空間および前記第2の収容空間の底面と対向し、前記第1の収容空間に収容された前記半導体モジュールおよび前記第2の収容空間に収容された前記キャパシタの上面に配置される電力変換装置。
  4. 請求項3に記載の電力変換装置において、
    前記負極バスバーは、前記第1の正極バスバーおよび前記第2の正極バスバーを挟んで前記半導体モジュールおよび前記キャパシタとは反対側であって、前記第1の正極バスバーおよび前記第2の正極バスバーの上に積層して設けられる電力変換装置。
  5. 請求項2に記載の電力変換装置において、
    前記第1の放熱部材は、前記筐体と一体的に設けられる電力変換装置。
  6. 請求項5に記載の電力変換装置において、
    前記筐体内には冷却流路が形成される電力変換装置。
  7. 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の電力変換装置において、
    前記第1の正極バスバーの厚さは、前記第2の正極バスバーおよび前記負極バスバーの少なくとも一方よりも厚い電力変換装置。
  8. 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の電力変換装置において、
    前記絶縁部材の厚さは、前記第1の正極バスバーと前記第1の放熱部材とが対向する領域内において、その他の領域よりも薄い電力変換装置。
  9. 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の電力変換装置において、
    前記第1の放熱部材と前記第1の正極バスバーとの距離は、前記第1の正極バスバーと前記第1の放熱部材とが対向する領域内において、その他の領域よりも短い電力変換装置。
  10. 請求項4に記載の電力変換装置において、
    前記負極バスバー、前記第1の正極バスバー、および前記第2の正極バスバーを挟んで前記第1の放熱部材とは反対側に第2の放熱部材を配置し、
    前記第2の放熱部材は、第2の熱伝導部材を介して前記負極バスバーと熱的に接触する電力変換装置。
  11. 請求項10に記載の電力変換装置において、
    前記第1の熱伝導部材の厚さは、前記第2の熱伝導部材よりも薄い電力変換装置。
  12. 請求項2に記載の電力変換装置において、
    前記第1の正極バスバーと前記第2の正極バスバーと前記負極バスバーとを絶縁性の樹脂で封止したモールドバスバーを備え、
    前記モールドバスバーは、前記キャパシタと一体的に構成される電力変換装置。
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