JP7512121B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 89
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 143
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 139
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 471
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
まず、実施の形態1に係る半導体レーザ素子1の構成について、図1を用いて説明する。図1は、実施の形態に係る半導体レーザ素子1の断面図である。
次に、実施の形態2に係る半導体レーザ素子1Aについて、図8を用いて説明する。図8は、実施の形態2に係る半導体レーザ素子1Aにおけるp型クラッド層70Aの層構造を示す断面図である。
以上、本開示に係る半導体レーザ素子について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されるものではない。
10 基板
20 n側クラッド層
30 n側光ガイド層
40 活性層
41 量子井戸層
42 量子障壁層
50 p側光ガイド層
60 オーバーフロー抑制層
70、70A p側クラッド層
70a リッジ部
70b 平坦部
71、71A AlGaN層
72、72A GaN層
80 コンタクト層
90 p側電極
100 パッド電極
110 n側電極
120 絶縁膜
Claims (10)
- 第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に位置する活性層と、
前記活性層の上方に位置する第2クラッド層とを備え、
前記第2クラッド層は、AlGaN層とGaN層とが複数繰り返して積層された積層構造を有し、
複数の前記AlGaN層の各々の膜厚は、2原子層以下であり、
前記AlGaN層の膜厚は、前記GaN層の膜厚未満である、
半導体レーザ素子。 - 第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に位置する活性層と、
前記活性層の上方に位置する第2クラッド層とを備え、
前記第2クラッド層は、AlGaN層とGaN層とが複数繰り返して積層された積層構造を有し、
前記積層構造の断面において、複数の前記AlGaN層の各々は、分断している
半導体レーザ素子。 - 複数の前記AlGaN層の各々の膜厚は、2原子層以下である、
請求項2に記載の半導体レーザ素子。 - 複数の前記AlGaN層の各々の膜厚は、1原子層以下である、
請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記AlGaN層及び前記GaN層の一方には、不純物がドープされておらず、
前記AlGaN層及び前記GaN層の他方には、不純物がドープされている、
請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記GaN層には、不純物がドープされておらず、
前記AlGaN層には、不純物がドープされている、
請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記AlGaN層の膜厚は、前記GaN層の膜厚以下である、
請求項2又は3に記載の半導体レーザ素子。 - 前記AlGaN層の膜厚は、前記GaN層の膜厚未満である、
請求項2に記載の半導体レーザ素子。 - 前記第2クラッド層は、p側クラッド層である、
請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記第2クラッド層にはリッジ部が形成されている、
請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020133418A JP7512121B2 (ja) | 2020-08-05 | 2020-08-05 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020133418A JP7512121B2 (ja) | 2020-08-05 | 2020-08-05 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022029865A JP2022029865A (ja) | 2022-02-18 |
JP7512121B2 true JP7512121B2 (ja) | 2024-07-08 |
Family
ID=80323746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020133418A Active JP7512121B2 (ja) | 2020-08-05 | 2020-08-05 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7512121B2 (ja) |
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-
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---|---|
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