JP7509964B1 - 光源モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】光学パターンを柔軟に調整することのできる光源モジュールを提供する。
【解決手段】光源モジュール１０は、基板１００、発光デバイス１２０、封止構造１４０、および光学パターン１６０を含む。発光デバイスは、基板の表面１００ｓに配置される。封止構造は、基板の表面に配置され、発光デバイスを覆う。光学パターンは、封止構造によって覆われ、発光デバイスと重なる。光学パターンは、部分透過および部分反射の特性を有し、第１アクティブゾーンＡＺ１および第２アクティブゾーンＡＺ２を備える。第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンは、基板の表面に対して平行な方向に配置される。光学パターンの第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンは、それぞれ第１透過率および第２透過率を有し、第１透過率は、第２透過率とは異なる。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】光源モジュール１０は、基板１００、発光デバイス１２０、封止構造１４０、および光学パターン１６０を含む。発光デバイスは、基板の表面１００ｓに配置される。封止構造は、基板の表面に配置され、発光デバイスを覆う。光学パターンは、封止構造によって覆われ、発光デバイスと重なる。光学パターンは、部分透過および部分反射の特性を有し、第１アクティブゾーンＡＺ１および第２アクティブゾーンＡＺ２を備える。第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンは、基板の表面に対して平行な方向に配置される。光学パターンの第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンは、それぞれ第１透過率および第２透過率を有し、第１透過率は、第２透過率とは異なる。
【選択図】図２Ａ
Description
本発明は、光学モジュールに関するものであり、特に、光源モジュールに関するものである。
液晶ディスプレイなどの非自発光ディスプレイの応用が増えるにつれて、バックライトモジュールの設計もさまざまな用途に合わせて調整する必要がある。パネル製品に対するハイダイナミックレンジ（high dynamic range, HDR）およびハイコントラスト表示の要求に応えるために、バックライトモジュールは、ローカルディミング（local dimming）を実現することが求められる。そのため、直下型バックライトモジュールを主要な光源構造として扱うことが、徐々に市場の主流となっている。この種のバックライトモジュールは、薄さ（例えば、光学距離が１０ｍｍ未満）を達成することが期待されているため、通常、発光デバイスを反射部材や反射構造を有する封止層で覆うことによって、バックライトモジュールの発光面で比較的均一な発光効果を達成する。
しかしながら、反射部材または反射構造の配置によって、この種のバックライトモジュールの発光面は、発光デバイスが重なる領域に反射によるダークスポットが発生しやすいため、全体的な発光の均一性に影響を与える。したがって、いかにして超薄膜直下型バックライトモジュールの光均一性を向上させるかが、関連業者の研究開発の優先課題の１つとなっている。
本発明は、発光デバイスと重なる領域において良好な光出力均一性を示し、出力された光の光学パターンを柔軟に調整することのできる光源モジュールを提供する。
本発明は、基板、発光デバイス、封止構造、および光学パターンを含む光源モジュールを提供する。発光デバイスは、基板の表面に配置される。封止構造は、基板の表面に配置され、発光デバイスを覆う。光学パターンは、封止構造によって覆われ、発光デバイスと重なる。光学パターンは、部分透過および部分反射の特性を有し、第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンを備える。第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンは、基板の表面に対して平行な方向に配置される。光学パターンの第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンは、それぞれ第１透過率および第２透過率を有し、第１透過率は、第２透過率とは異なる。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの発光デバイスに面する光学パターンの表面と基板の表面の間は、第１高さを有する。封止構造は、基板の表面の法線方向において第２高さを有し、第１高さ対第２高さの比率は、０．５未満である。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの光学パターンは、互いに反対側を向いた第１表面および第２表面を有する。第１表面は、発光デバイスに面し、第２表面に対して平行である。光学パターンは、第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンにおいて複数の反射粒子を備える。第１アクティブゾーンにおける反射粒子のドーピング濃度は、第２アクティブゾーンにおける反射粒子のドーピング濃度とは異なる。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの光学パターンは、互いに反対側を向いた第１表面および第２表面を有する。第１表面は、発光デバイスに面し、第２表面に対して傾斜している。光学パターンは、第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンにおいて複数の反射粒子を備える。第１アクティブゾーンにおける反射粒子のドーピング濃度は、第２アクティブゾーンにおける反射粒子のドーピング濃度と同じである。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの光学パターンは、複数の孔を備える。第１アクティブゾーンにおける孔の分布密度は、第２アクティブゾーンにおける孔の分布密度とは異なる。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの孔は、複数の第１孔および複数の第２孔を含む。各第１孔の第１孔径は、各第２孔の第２孔径とは異なる。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの光学パターンは、複数の孔を備える。第１アクティブゾーンにおける孔の分布密度は、第２アクティブゾーンにおける孔の分布密度と同じである。孔は、複数の第１孔および複数の第２孔を含む。各第１孔は、第１孔深さを有し、各第２孔は、第２孔深さを有し、第１孔深さは、第２孔深さとは異なる。
本発明の実施形態において、光源モジュールの光学パターンは、互いに反対側を向いた第１表面および第２表面を有し、複数の孔を備える。孔は、第１表面と第２表面の間で延伸し、各孔の延伸方向は、第１表面または第２表面に対して傾斜している。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの光学パターンは、互いに反対側を向いた第１表面および第２表面を有し、複数の孔を備える。第１表面は、各孔を定義する第１開口を有する。第２表面は、各孔を定義する第２開口を有する。第１開口の開口面積は、第２開口の開口面積とは異なる。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの光学パターンは、互いに反対側を向いた第１面および第２面を有し、複数の孔を備える。第１面は、各孔を定義する第１開口を有する。第２面は、各孔を定義する第２開口を有する。第１開口および第２開口のそれぞれの開口輪郭は、円形、矩形、または多角形を含む。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの発光デバイスは、幾何学的中心を有する。光学パターンは、中心軸の周りに対称的に配置される。中心軸は、基板の表面に対して垂直であり、発光デバイスの幾何学的中心を通過する。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの封止構造は、中心軸の周りに非対称的に配置される。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの発光デバイスは、幾何学的中心を有する。封止構造は、中心軸の周りに対称的に配置される。光学パターンは、中心軸の周りに非対称的に配置される。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの発光デバイスは、幾何学的中心を有する。封止構造は、中心軸の周りに非対称的に配置される。中心軸は、基板の表面に対して垂直であり、発光デバイスの幾何学的中心を通過する。また、光学パターンは、中心軸の周りに非対称的に配置される。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの封止構造は、中心軸の周りに対称的に配置される。光学パターンは、中心軸の周りに対称的に配置される。中心軸は、基板の表面に対して垂直であり、発光デバイスを通過しない。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの基板は、ガラス基板であり、少なくとも１つの発光デバイスによって出射された光ビームは、ガラス基板内で伝達されるのに適している。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールは、さらに、ガラス基板の発光デバイスから離れた側に配置された反射シートを含む。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールは、さらに、基板上に配置され、発光デバイスを露出させる反射層を含む。封止構造は、さらに、反射層を含む。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの封止構造は、基板の表面に対して平行な方向において少なくとも１つの側面を有する。少なくとも１つの側面と基板の表面の間の夾角は、１０度～１３５度の範囲内である。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの少なくとも１つの側面の断面形状は、直線または折れ線である。
本発明の１つの実施形態において、光源モジュールの光学パターンは、互いに離れた複数の部分である。これらの部分は、配置方向において間隔を空けて配置される。配置方向は、基板の表面に対して垂直または平行である。第１アクティブゾーンにおける部分の分布密度は、第２アクティブゾーンにおける部分の分布密度とは異なる。
以上のように、本発明の１つの実施形態が提供する光源モジュールは、重なり合う発光デバイスおよび光学パターンを封止構造で覆う。光学パターンは、発光デバイスの光出力側に位置し、部分透過および部分反射の特性を有する。光学パターンが封止構造に埋め込まれているため、発光デバイスによって出射された光ビームの一部は、封止構造の表面および光学パターンの発光デバイスから離れた側面の反射を介して、発光デバイスの上方から出射される。したがって、光源モジュールにおいて発光デバイスの上方に光学パターンを配置することによって暗領域（dark zone）が生成される問題を効果的に改善することができる。さらに、光学パターンの異なるアクティブゾーンに異なる透過率を配置することによって、出力された光の光学パターンを柔軟に調整することができる。
上記をより理解しやすくするために、以下、いくつかの実施形態について図面と併せて詳しく説明する。
添付図面は、本発明の原理がさらに理解されるために含まれており、本明細書に組み込まれ、かつその一部を構成するものである。図面は、本発明の実施形態を例示しており、説明とともに、本発明の原理を説明する役割を果たしている。
以下の好ましい実施形態の詳細な説明において、本明細書の一部をなすとともに、本発明を実施するための特定の実施形態を示す添付図面を参照する。以下の実施形態において、上、下、左、右、前、後等の方向を説明するための言語は、限定的な意味ではなく、例示的な意味で考慮される。そのため、方向性の用語は、説明のために用いるものであって、本発明を限定するものではない。
図１は、本発明の第１実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図２Ａは、図１の光源モジュールの概略的局部拡大図である。図２Ｂは、図１の発光ユニットの概略的上面拡大図である。図３Ａおよび図３Ｂは、本発明の他の変形例に係る光学パターンの概略的上面図である。
図１～図２Ｂを参照すると、光源モジュール１０は、基板１００および複数の発光ユニットＬＥＵを含む。発光ユニットＬＥＵは、例えば、基板１００上にアレイ状に配置され、方向Ｘおよび方向Ｙにおいて複数の行および列に配置されるが、本発明はこれに限定されない。基板１００は、例えば、プリント回路板（printed circuit board, PCB）またはビスマレイミドトリアジン（bismaleimide triazine, BT）で作られた回路基板であるが、本発明はこれに限定されない。本実施形態において、大面積の光出力の要求を満たすために、発光ユニットＬＥＵは、間隔を空けて配置してもよいが、本発明はこれに限定されない。別の実施形態において、光源モジュールの発光ユニットは、互いに連結して配置されてもよい。
各発光ユニットＬＥＵは、発光デバイス１２０および封止構造１４０を含む。発光デバイス１２０および封止構造１４０は、基板１００の表面１００ｓに配置され、封止構造１４０は、発光デバイス１２０を覆う。本実施形態において、発光デバイス１２０は、例えば、サブミリ発光ダイオード（ミニＬＥＤ）またはマイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）を含む発光ダイオード（light emitting diode, LED）であってもよい。封止構造１４０の材料は、例えば、プラスチック、樹脂材料（例えが、アクリル（acrylic））、またはその他の適切な透明封止材料を含む。
本実施形態において、基板１００の表面１００ｓにある封止構造１４０の正投影輪郭は、例えば、円形であり、封止構造１４０のＸＺ平面またはＹＺ平面に対して平行な断面輪郭は、例えば、半楕円形状または準半楕円形状であるが、本発明はこれに限定されない。一方、発光デバイス１２０は、幾何学的中心ＧＣを有することができ、封止構造１４０は、中心軸ＣＸの周りに対称的に配置されてもよい。すなわち、中心軸ＣＸの両側にある封止構造１４０の２つの部分は、鏡対称であるが、本発明はこれに限定されない。本実施形態において、中心軸ＣＸは、基板１００の表面１００ｓに対して垂直であり、発光デバイス１２０の幾何学的中心ＧＣを通過するが、本発明はこれに限定されない。
注意すべきこととして、本実施形態において、１つの封止構造１４０によって覆われる発光デバイス１２０の数を例示的に１つ記載しているが、本発明はこれに限定されない。別の実施形態において、各封止構造１４０によって覆われる発光デバイス１２０の数は、２つまたはそれ以上であってもよく、例えば、赤色光、緑色光、および青色光を出射することのできる３つの発光デバイスであってもよい。
光源モジュールの全体の厚さを増やさずに異なる発光ユニットＬＥＵ間の光混合効果を高め、光源モジュール１０の全体的な光出力均一性を向上させるために、各発光ユニットＬＥＵは、光学パターン１６０も備える。光学パターン１６０は、発光デバイス１２０の基板１００から離れた側（すなわち、発光デバイス１２０の光出力側）に位置し、基板１００の表面１００ｓの法線方向（例えば、方向Ｚ）において発光デバイス１２０と重なるように配置される。光学パターン１６０は、部分反射および部分透過の特性を有する。すなわち、光学パターン１６０は、発光デバイス１２０によって出射された光ビームの一部を通過させることができ、発光デバイス１２０によって出射された光ビームの別の部分を反射することができる。
特に注意すべきこととして、光学パターン１６０は、封止構造１４０に埋め込まれ、封止構造１４０によって覆われる。つまり、光学パターン１６０は、封止構造によって露出されない。光学パターン１６０の発光デバイス１２０から離れた側にある封止構造１４０の一部は、導光層として扱うことができるため、発光デバイス１２０によって出射された光ビームの一部は、複数の界面から多重反射した後、光学パターン１６０の上方領域から出力することができる（例えば、図１に示した光線ＬＢ）。このようにして、光源モジュールにおいて発光デバイス１２０の上方に光学パターン１６０を配置することによって引き起こされる光出力輝度の低下を効果的に抑制することができる（つまり、暗領域が生成される問題を改善することができる）。
一方、光学パターン１６０は、発光デバイス１２０の光出力経路上に複数のアクティブゾーンを備えることができ、これらのアクティブゾーンは、例えば、基板１００の表面１００ｓに対して平行な方向に配置される。光学パターン１６０は、発光デバイス１２０に面した第１表面１６０ｓ１、および第１表面１６０ｓ１から反対側を向いた第２表面１６０ｓ２を有する。注意すべきこととして、本実施形態において、光学パターン１６０の第１表面１６０ｓ１と第２表面１６０ｓ２は、互いに平行であってもよく、光学パターン１６０の複数のアクティブゾーンは、発光デバイス１２０によって出射される光ビームに対して異なる透過率を示すことができる。
詳しく説明すると、光学パターン１６０は、透光性基板１６１、および透光性基板１６１内に分散配置された（dispersedly disposed）複数の反射粒子１６２を含むことができる。透光性基板１６１の材料は、例えば、アクリル（acrylic）、エポキシ（epoxy）、ヘキサメチルジシロキサン（hexamethyldisiloxane, HMDSO）などの適切なポリマー材料を含む。反射粒子１６２の材料は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、金属材料、またはそれらの組み合わせ、または適切な反射率を有する他の材料を含む。
各アクティブゾーンにおける反射粒子１６２のドーピング濃度を調整することによって、光学パターン１６０の異なるアクティブゾーンは、異なる透過率を有することができる。さらに、例えば、光透過率を５％～６０％の間で調整することにより、光学設計の異なる要求を満たすことができ、例えば、出力された光の光学パターンを柔軟に調整することができる。例えば、本実施形態において、第１アクティブゾーンＡＺ１における反射粒子１６２のドーピング濃度は、選択的に、第２アクティブゾーンＡＺ２におけるドーピング濃度より高くてもよい（図２Ａおよび図２Ｂに示す）。したがって、光学パターン１６０において、第１アクティブゾーンＡＺ１の第１透過率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の第２透過率より低くてもよい。
具体的に説明すると、本実施形態が提供する光学パターン１６０において、反射粒子１６２のドーピング濃度は、光学パターン１６０の一側から他側に向かって（例えば、図の右側から左側に向かって）徐々に減少してもよいが、本発明はこれに限定されない。したがって、光学パターン１６０の透過率が第１アクティブゾーンＡＺ１の一側から第２アクティブゾーンＡＺ２の一側に向かって徐々に増加してもよく、または光学パターン１６０の反射率が第１アクティブゾーンＡＺ１の一側から第２アクティブゾーンＡＺ２の一側に向かって徐々に減少してもよい。
本実施形態において、基板１００上の光学パターン１６０の正射影輪郭は、例えば、正方形であるが、本発明はこれに限定されない。別の実施形態において、基板１００上の光源モジュール１０Ａの光学パターン１６０Ａの正射影輪郭は、円形（図３Ａに示す）であってもよい。さらに別の実施形態において、基板１００上の光源モジュール１０Ａ’の光学パターン１６０Ａ’の正射影輪郭は、多角形（図３Ｂに示す）であってもよい。
以下に、いくつかの別の実施形態を示して本発明を詳細に説明する。同一の参照番号を使用して同一の構成要素を示し、同一の技術内容については説明を省略する。省略した部分については、上述した実施形態を参照することができるため、説明を省略する。
図４は、本発明の第２実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図４を参照すると、本実施形態の光源モジュール１０Ｂと図２Ａの光源モジュール１０の間の違いは、光学パターンの構成が異なることである。具体的に説明すると、本実施形態の光源モジュール１０Ｂにおいて、光学パターン１６０Ａの異なるアクティブゾーンにドープされた反射粒子１６２の濃度は、実質的に同じである。例えば、第１アクティブゾーンＡＺ１における反射粒子１６２のドーピング濃度は、第２アクティブゾーンＡＺ２における反射粒子１６２のドーピング濃度と同じである。
特に注意すべきこととして、本実施形態において、光学パターン１６０Ａの第１表面１６０Ａｓ１は、第２表面１６０Ａｓ２に対して傾斜している。さらに、光学パターン１６０Ａは、発光デバイス１２０の幾何学的中心ＧＣを通過する中心軸ＣＸの周りに非対称的に配置されるが、本発明はこれに限定されない。
本実施形態において、光学パターン１６０Ａの異なるアクティブゾーンにおける反射粒子１６２のドーピング濃度は、実質的に同じであるが、異なるアクティブゾーンにおける光学パターン１６０Ａの厚みは異なる。そのため、異なるアクティブゾーンにおける光学パターン１６０Ａの透過率も異なってもよい。例えば、光学パターン１６０Ａにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１の第１透過率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の第２透過率より低くてもよく、または光学パターン１６０Ａの反射率は、図４の第１アクティブゾーンＡＺ１の一側から第２アクティブゾーンＡＺ２の一側に向かって徐々に減少する。
上記の配置により、光源モジュール１０Ｂにおいて発光デバイス１２０の上方に光学パターン１６０Ａを配置することによって暗領域が生成される現象を改善することができ、非対称的な光学パターンの光出力の要求を満たすことができる。
図５Ａは、本発明の第３実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図５Ｂは、図５Ａの光源モジュールの概略的平面図である。図６は、図５Ａおよび図５Ｂの光源モジュールの照度分布図である。図７は、比較例の光源モジュールの照度分布図である。
図５Ａおよび図５Ｂを参照すると、本実施形態の光源モジュール１０Ｃと図２Ａおよび図２Ｂの光源モジュール１０の間の違いは、光学パターンの構成が異なることである。本実施形態において、ＸＺ平面またはＹＺ平面に対して平行な断面上の光源モジュール１０Ｃの光学パターン１６０Ｂの外輪郭は、図２Ａの光学パターン１６０と実質的に類似する。しかしながら、図２Ｂの光学パターン１６０とは異なり、本実施形態における基板１００上の光学パターン１６０Ｂの正投影の外輪郭は、例えば、円形である。
特に注意すべきこととして、本実施形態において、光学パターン１６０Ｂは、複数の孔１６５、例えば、中心軸ＣＸ（または発光デバイス１２０）を取り囲む複数の環状孔１６５を備えてもよい。これらの環状孔は、光学パターン１６０Ｂの第１表面１６０Ｂｓ１から第２表面１６０Ｂｓ２に延伸し、その延伸方向は、発光デバイス１２０を実質的に通過するが、本発明はこれに限定されない。
これらの孔１６５の配置により、光学パターン１６０Ｂの異なるアクティブゾーンは、異なる透過率（または反射率）を有することができる。例えば、本実施形態の光学パターン１６０Ｂにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１の第１透過率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の第２透過率より小さくてもよい。つまり、光学パターン１６０Ｂにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１の反射率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の反射率よりも大きくてもよい。
本実施形態において、光学パターン１６０Ｂの発光デバイス１２０に面する第１面１６０Ｂｓ１と基板１００の表面１００ｓの間は、第１高さＨ１を有する。封止構造１４０と基板１００の表面１００ｓの間は、第２高さＨ２を有する。第１高さＨ１および第２高さＨ２は、例えば、基板１００の表面１００ｓの法線方向（すなわち、Ｚ方向）において定義される。また、第２高さＨ２は、例えば、封止構造１４０が光学パターン１６０Ｂおよび発光デバイス１２０とＺ方向において重なる部分によって定義される。
好ましくは、第１高さＨ１対第２高さＨ２の比率は、０．５未満であってもよい。例えば、光学パターン１６０Ｂの第１高さＨ１が０．３ｍｍである場合、封止構造１４０の第２高さＨ２は、０．７ｍｍである。さらに、光学パターンの反射率が１００％である場合、図６に示すように、複数の孔１６５を配置することによって、光源モジュール１０Ｃが光学パターン１６０Ｂの上方に明らかな暗領域を生成するのを効果的に防ぐことができる。
特に注意すべきこととして、光学パターンが複数の孔１６５を備えていなくても、第１高さＨ１対第２高さＨ２の比率範囲が満たされている場合、図７に示すように、形成された光源モジュール（すなわち、比較例）の光学パターンの上方の暗領域の端部における輝度変化を緩やかにすることができる（つまり、暗領域の端部においてフォグ効果がある）。
図６と図７を比較するとわかるように、光学パターン１６０Ｂ上に孔１６５を設計することによって、光学パターン１６０Ｂの反射能力を確保しながら、光源モジュール１０Ｃが光学パターンの上方に明らかな暗領域を生成するのを効果的に防ぐことができる。さらに、その領域の光出力輝度を大幅に向上させることができる。
図８は、本発明の第４の実施形態に係る光学パターンの概略的立体図である。図９～図１３は、図８のいくつかの他の変形例に係る光学パターンの概略的立体図である。
図８を参照すると、本実施形態の光学パターン１６０Ｃと図５Ａの光学パターン１６０Ｂの間の違いは、孔の構成および配置が異なることである。具体的に説明すると、本実施形態における光学パターン１６０Ｃの各孔１６５Ｃは、例えば、円筒状である。すなわち、光学パターン１６０Ｃの第１表面１６０Ｃｓ１および第２表面１６０Ｃｓ２によって定義される各孔１６５Ｃの開口輪郭は、円形であってもよいが、本発明はこれに限定されない。本実施形態において、第１表面１６０Ｃｓ１および第２表面１６０Ｃｓ２上の孔１６５Ｃの開口面積は、実質的に同じである。
一方、本実施形態において、孔１６５Ｃは、Ｘ方向およびＹ方向において複数の行と列に配置されてもよい。特に注意すべきこととして、孔１６５ＣのＸ方向における配列ピッチは、固定されない。例えば、孔１６５Ｃは、光学パターン１６０Ｃの第１アクティブゾーンＡＺ１の一側から第２アクティブゾーンＡＺ２の他側に向かってピッチＰ４、ピッチＰ３、ピッチＰ２、およびピッチＰ１が連続的に減少するように配置される。
別の観点から言えば、第１アクティブゾーンＡＺ１における孔１６５Ｃの分布密度は、第２アクティブゾーンＡＺ２における孔１６５Ｃの分布密度よりも低い。したがって、光学パターン１６０Ｃにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１の第１透過率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の第２透過率よりも低い。
しかしながら、本発明はこれに限定されない。図９を参照すると、変形例が提供する光学パターン１６０Ｄにおいて、方向Ｘおよび方向Ｙにおける複数の孔の配列ピッチは、固定されていてもよいが、これらの孔の開口サイズは、さまざまなサイズを有することができる。
例えば、図９に示した光学パターン１６０Ｄにおいて、孔１６５Ｄ１、孔１６５Ｄ２、孔１６５Ｄ３、および孔１６５Ｄ４は、固定されたピッチＰでＸ方向において間隔を空けて配置されてもよく、これらの孔の孔径は、互いに異なる。孔の孔径に基づいて配置すると、孔１６５Ｄ１、孔１６５Ｄ２、孔１６５Ｄ３、および孔１６５Ｄ４は、降順に配置されている。例えば、孔１６５Ｄ１の孔径Ｄａ１は、孔１６５Ｄ２の孔径Ｄａ２より小さくてもよく、残りは類推によって推測することができる。このような配置により、光学パターン１６０Ｄにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１における孔の分布密度は、第２アクティブゾーンＡＺ２における孔の分布密度よりも小さい。したがって、光学パターン１６０Ｄにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１の第１透過率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の第２透過率よりも小さい。
図１０を参照すると、別の変形例が提供する光学パターン１６０Ｅにおいて、孔の配置は、図９の光学パターン１６０Ｄと類似しており、例えば、孔１６５Ｅ１、孔１６５Ｅ２、孔１６５Ｅ３、孔１６５Ｅ４、および孔１６５Ｅ５は、固定されたピッチＰでＸ方向において間隔を空けて順番に配置される。違いは、光学パターン１６０Ｅの孔がさまざまな孔深さを有することができることである。
例えば、光学パターン１６０Ｅにおける孔の孔深さは、第１アクティブゾーンＡＺ１の一側から第２アクティブゾーンＡＺ２の一側に向かって徐々に増加し、例えば、孔１６５Ｅ２の孔深さｄ２は、孔１６５Ｅ１の孔深さｄ１よりも大きく、残りは類推によって推測することができる。本実施形態において、孔１６５Ｅ１、孔１６５Ｅ２、孔１６５Ｅ３、および孔１６５Ｅ４は、それぞれ光学パターン１６０Ｅを貫通しないブラインドホールであってもよく、孔１６５Ｅ５は、光学パターン１６０Ｅを貫通するスルーホールであってもよいが、本発明はこれに限定されない。このような配置により、光学パターン１６０Ｅにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１における孔の分布密度は、第２アクティブゾーンＡＺ２における孔の分布密度よりも小さい。したがって、光学パターン１６０Ｅにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１の第１透過率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の第２透過率よりも低い。
図１１～図１３は、図１０の光学パターン１６０Ｅのいくつかの他の変形例を示したものである。これらの変形例において、光学パターンにおける複数の孔の配置および孔深さの分布は、図１０の光学パターン１６０Ｅと類似しているため、ここでは繰り返し説明しない。図１１に示すように、光学パターン１６０Ｆの複数の孔１６５Ｆの延伸方向は、第１表面１６０Ｆｓ１または第２表面１６０Ｆｓ２に対して傾斜していてもよい。
図１２に示すように、光学パターン１６０Ｇの第１表面１６０Ｇｓ１は、孔１６５Ｇを定義する第１開口ＯＰ１を有し、第２表面１６０Ｇｓ２は、孔１６５Ｇを定義する第２開口ＯＰ２を有する。さらに、第１開口ＯＰ１の開口面積は、第２開口ＯＰ２の開口面積とは異なる。例えば、光学パターン１６０Ｇの孔１６５Ｇの孔径は、第１表面１６０Ｇｓ１から第２表面１６０Ｇｓ２に向かって徐々に増加するが、本発明はこれに限定されない。
図１３に示すように、光学パターン１６０Ｈの第１表面１６０Ｈｓ１は、孔１６５Ｈを定義する第１開口ＯＰ１”を有し、その第２表面１６０Ｈｓ２は、孔１６５Ｈを定義する第２開口ＯＰ２”を有する。第１開口ＯＰ１”および第２開口ＯＰ２”の開口輪郭は、例えば、正方形または矩形であるが、本発明はこれに限定されない。図示していない別の実施形態において、孔の開口輪郭は、多角形であってもよい。
図５Ａおよび図５Ｂの光学パターン１６０Ｂおよび図８～図１３の光学パターンは、図示されていないが、これらの光学パターンは、図４に示すように、複数の反射粒子１６２で均一にドープされてもよい。特に注意すべきこととして、別の変形例において、反射粒子１６２の非均一分布（図２Ａに示す）により、図５Ａおよび図８～図１３の任意の光学パターンにおける異なるアクティブゾーンの透過率を調整する柔軟性をさらに高めることができる。
図１４は、本発明の第５実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図１５は、図１４の光源モジュールの概略的局所拡大図である。図１４および図１５を参照すると、本実施形態の光源モジュール２０と図４の光源モジュール１０Ｂの間の違いは、光学パターンの構成が異なることである。本実施形態において、発光ユニットＬＥＵ－Ａの光学パターン１６０Ｉは、発光デバイス１２０の幾何学的中心ＧＣを通過する中心軸ＣＸの周りに対称的に配置されてもよい。
具体的に説明すると、光学パターン１６０ＩのＸＺ平面またはＹＺ平面に対して平行な断面形状は、例えば、半月形である。第１表面１６０Ｉｓ１と第２表面１６０Ｉｓ２の間の距離は、中心軸ＣＸからの距離が大きくなるにつれて徐々に減少する。すなわち、光学パターン１６０Ｉのうち中心軸ＣＸを通過する部分が最も大きな厚みを有する。したがって、反射粒子１６２が透光性基板１６１に均一に分散されたとき、光学パターン１６０Ｉにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１の透過率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の透過率よりも小さく、または光学パターン１６０Ｉにおいて、第１アクティブゾーンＡＺ１の反射率は、第２アクティブゾーンＡＺ２の反射率より大きくてもよい。
図１６は、本発明の第６実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図１６を参照すると、本実施形態の光源モジュール２０Ａと図１４の光源モジュール２０の間の違いは、封止構造の構成が異なることである。具体的に説明すると、本実施形態において、発光ユニットＬＥＵ－Ｂの封止構造１４０Ａは、発光デバイス１２０の幾何学的中心ＧＣを通過する中心軸ＣＸの周りに非対称的に配置される。
図１７Ａは、本発明の第７実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図１７Ｂ～図１７Ｄは、図１７Ａのいくつかの他の変形例に係る光源モジュールの概略的断面図である。
図１７Ａを参照すると、図１５に示した光学パターン１６０Ｉとは異なり、本実施形態の光源モジュール２０Ｂの光学パターン１６０Ｊは、互いに分離した複数の部分１６７によって形成されてもよい。例えば、本実施形態において、部分１６７は、Ｘ方向および／またはＹ方向において間隔を空けて配置されてもよく、部分１６７間の間隔は、同じであっても、異なってもよい。
特に注意すべきこととして、本実施形態において、隣接する任意の２つの部分１６７の間の空間ＳＰの延伸方向は、選択的に、基板１００の表面１００ｓに対して垂直であってもよいが、本発明はこれに限定されない。別の変形例において、光源モジュール２０Ｃの光学パターン１６０Ｋの複数の部分１６７Ａのうちの隣接する任意の２つの部分の間の空間ＳＰ”の延伸方向は、図１７Ｂに示すように、発光デバイス１２０を実質的に通過してもよい。
図１７Ｃを参照すると、別の変形例では、光源モジュール２０Ｄの光学パターン１６０Ｌにおいて、複数の部分１６７Ｂは、基板１００の表面１００ｓの法線方向（例えば、方向Ｚ）において間隔を空けて配置され、これらの部分１６７Ｂの間の間隔は、同じであっても、異なってもよい。図１７Ｄを参照すると、さらに別の変形例では、光源モジュール２０Ｅの光学パターン１６０Ｍにおいて、複数の部分１６７Ｃは、方向Ｘ、方向Ｙおよび方向Ｚにおいて間隔を空けて配置され、これらの部分１６７Ｃの間の同じ方向または異なる方向における間隔の距離は、同じであっても、異なってもよい。
図１７Ａ～図１７Ｄの任意の光学パターンにおいて、光学パターンは、互いに分離した部分の配置によって、異なるアクティブゾーンにおけるこれらの部分の分布密度を調整することができる。このようにして、光学パターンの異なるアクティブゾーンにおける透過率（または反射率）の分布を調整し、光源モジュールの光学パターンの異なる光出力の異なる要求を満たす。
図１８は、本発明の第８実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図１９は、図１８の光源モジュールの概略的局所拡大図である。図２０は、本発明の第９実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。
図１８および図１９を参照すると、本実施形態の光源モジュール２０Ｆと図４の光源モジュール１０Ｂの間の違いは、光学パターンの構成および配置が異なることである。図４の光学パターン１６０Ａと比較して、本実施形態の光学パターン１６０Ａ”は、Ｘ方向またはＹ方向において発光デバイス１２０の幾何学的中心ＧＣを通過する中心軸ＣＸからさらに離れるように配置され、光学パターン１６０Ａ”は、さらに、複数の孔１６５Ａを備える。Ｘ方向および／またはＹ方向における孔１６５Ａの配列ピッチは、同じであっても、異なってもよい。
本実施形態において、発光ユニットＬＥＵ－Ｃの封止構造１４０は、中心軸ＣＸの周りに対称的に配置されてもよいが、本発明はこれに限定されない。別の実施形態において、図２０に示すように、光源モジュール２０Ｇの発光ユニットＬＥＵ－Ｄの封止構造１４０Ａは、中心軸ＣＸの周りに非対称的に配置されてもよい。
図２１は、本発明の第１０実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図２１を参照すると、本実施形態の光源モジュール２０Ｈと図１４の光源モジュール２０の間の違いは、発光デバイスの配置が異なることである。本実施形態において、発光ユニットＬＥＵ－Ｅの封止構造１４０および光学パターン１６０Ｉは、中心軸ＣＸの周りに対称的に配置され、発光デバイス１２０Ａは、中心軸ＣＸから離れて配置される。さらに具体的に説明すると、中心軸ＣＸは、発光デバイス１２０Ａを通過しない。したがって、光源モジュール２０Ｈの非対称な光学パターンの光出力の要求を満たすことができる。
図２２は、本発明の第１１実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図２２を参照すると、本実施形態において、光源モジュール２０Ｉの基板１００Ａは、例えば、ガラス基板であり、発光デバイス１２０によって出射された少なくとも１つの光ビームＬＢは、ガラス基板（すなわち、基板１００Ａ）内で伝達されるのに適している。つまり、発光ユニットＬＥＵ－Ａの導光空間を増やすことができるため、光源モジュール２０Ｉによって出力された光の均一性をさらに向上させることができる。さらに、光エネルギーの利用効率を向上させるために、基板１００Ａの発光デバイス１２０から離れた側は、さらに、反射シート１９０を備えてもよい。ここで、反射シート１９０は、例えば、白色反射シートまたは銀色反射シートであるが、本発明はこれに限定されない。
図２３は、本発明の第１２実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図５Ｂは、図２４の光源モジュールの概略的断面図である。図２３および図２４を参照すると、本実施形態の光源モジュール２０Ｊと図１４の光源モジュール２０の間の違いは、光源モジュール２０Ｊが、さらに、基板１００の表面１００ｓに配置され、且つ発光デバイス１２０を露出させる反射層１８５を含むことである。本実施形態において、各発光ユニットＬＥＵ－Ａは、封止構造１４０によって覆われた１つの対応する反射層１８５を備えてもよい。
一方、本実施形態において、反射層１８５の光学パターン１６０Ｉに面する側面は、さらに、複数の表面微細構造ＭＳを備えることができる。光が反射層１８５から反射したとき、これら表面微細構造ＭＳの配置によって、光源モジュール２０Ｊの光均一性をさらに向上させることができる。
特に注意すべきこととして、基板１００がプリント基板のとき、絶縁効果を高めて反射率を向上させるために、先行技術では、基板１００の表面１００ｓにソルダーレジストインク層を形成する。しかしながら、ソルダーレジストインク層の膜厚は、プロセス制御が困難であるために、バッチ間で大幅に変動するため、その反射率は、温度によって変化しやすい。したがって、本実施形態は、表面微細構造ＭＳを備えた反射層１８５を現在一般的に使用されているソルダーレジストインク層と置き換えることによって、比較的安定した反射効果を提供することができ、光源モジュール２０Ｊの製造コストを削減することができる。
図２５Ａおよび図２５Ｂは、図２Ｂのいくつかの他の変形例に係る発光ユニットの概略的上面図である。図２Ｂに示した封止構造１４０とは異なり、別の変形例において、基板１００上の封止構造１４０Ｂの正投影輪郭は、図２５Ａに示すように、例えば、正方形または矩形である。さらに別の変形例において、基板１００上の封止構造１４０Ｃの正投影輪郭は、例えば、多角形である。これら異なる輪郭の配置により、発光ユニットの異なる光学パターンの光出力の要求を満たすことができる。
図２６は、本発明の第１３実施形態に係る光源モジュールの概略的断面図である。図２６を参照すると、本実施形態の光源モジュール３０と図１４の光源モジュール２０の間の違いは、封止構造の構成が異なることである。
発光デバイスの間隔距離の増加によって封止構造の生産コストおよびプロセス難易度が増加する問題を解決するために、図１４に示した封止構造１４０とは異なり、本実施形態の封止構造１４０Ｄは、基板１００の表面１００ｓに対して平行な方向において少なくとも１つの側面１４０Ｄｓを有する。さらに、基板１００の表面１００ｓと側面１４０Ｄｓの間の夾角θは、好ましくは、１０度～１３５度の範囲であってもよい。
本実施形態において、ＸＺ平面またはＹＺ平面に対して平行な断面における封止構造１４０Ｄの側面１４０Ｄｓの輪郭は、例えば、直線である。さらに、側面１４０Ｄｓは、基板１００の表面１００ｓに対して実質的に垂直である（すなわち、夾角θは、９０度である）が、本発明はこれに限定されない。
別の観点から言えば、封止構造１４０Ｄの側面１４０Ｄｓは、発光ユニットＬＥＵ－Ｆから光が出射されたときに有効屈折面として扱うことができる。このようにして、Ｘ方向およびＹ方向における封止構造１４０Ｄの幅を減らすことができ、封止構造において光の反射が多すぎることによって光エネルギーの損失が発生するのを防ぐこともできる。
図２７Ａ～図２７Ｄは、図２６のいくつかの他の変形例に係る光源モジュールの概略的断面図である。変形例の光源モジュール３０Ａにおいて、ＸＺ平面またはＹＺ平面に対して平行な断面における封止構造１４０Ｅの側面１４０Ｅｓの輪郭は、例えば、接続した２つの直線分を曲げることによって形成された折れ線である。さらに、基板１００に接続された側面１４０Ｅｓの部分と基板１００の表面１００ｓの間の夾角θ１は、９０度より大きい鈍角である（図２７Ａに示す）。
別の変形例の光源モジュール３０Ｂにおいて、ＸＺ平面またはＹＺ平面に対して平行な断面における封止構造１４０Ｆの側面１４０Ｆｓの輪郭は、例えば、直線である。さらに、基板１００の表面１００ｓと側面１４０Ｆｓの間の夾角θ２は、９０度より小さい鋭角である（図２７Ｂに示す）。
さらに別の変形例の光源モジュール３０Ｃにおいて、ＸＺ平面またはＹＺ平面に対して平行な断面における封止構造１４０Ｇの側面１４０Ｇｓの輪郭は、例えば、折れ線である。さらに、側面１４０Ｇｓは、３つの接続したサブ表面（図２７Ｃに示す）を曲げることによって形成されてもよい。さらに別の変形例の光源モジュール３０Ｄにおいて、ＸＺ平面またはＹＺ平面に対して平行な断面における封止構造１４０Ｈの側面１４０Ｈｓの輪郭は、例えば、折れ線である。さらに、側面１４０Ｈｓは、３つの接続したサブ表面（図２７Ｄに示す）を曲げることによって形成されてもよい。
以上のように、本発明の１つの実施形態が提供する光源モジュールは、重なり合う発光デバイスおよび光学パターンを封止構造で覆う。光学パターンは、発光デバイスの光出力側に位置し、部分透過および部分反射の特性を有する。光学パターンが封止構造に埋め込まれているため、発光デバイスによって出射された光ビームの一部は、封止構造の表面および光学パターンの発光デバイスから離れた側面の反射を介して、発光デバイスの上方から出射される。したがって、光源モジュールにおいて発光デバイスの上方に光学パターンを配置することによって暗領域が生成される問題を効果的に改善することができる。さらに、光学パターンの異なるアクティブゾーンに異なる透過率を配置することによって、出力された光の光学パターンを柔軟に調整することができる。
本分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の範囲または精神から逸脱せずに、開示された実施形態に対してさまざまな修正および変更が可能であることが理解されよう。これを考慮して、本発明は、以下の特許請求の範囲およびそれらの同等物の範囲内にある修正および変更を包含することが意図されている。
本発明の光源モジュールは、バックライトモジュールに適用することができる。
１０、１０Ａ、１０Ａ’、１０Ｂ、１０Ｃ、２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈ、２０Ｉ、２０Ｊ、３０、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ 光源モジュール
１００、１００Ａ 基板
１００ｓ 表面
１２０、１２０Ａ 発光デバイス
１４０、１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃ、１４０Ｄ、１４０Ｅ、１４０Ｆ、１４０Ｇ、１４０Ｈ 封止構造
１４０Ｄｓ、１４０Ｅｓ、１４０Ｆｓ、１４０Ｇｓ、１４０Ｈｓ 側面
１６０、１６０Ａ、１６０Ａ’、１６０Ａ”、１６０Ｂ、１６０Ｃ、１６０Ｄ、１６０Ｅ、１６０Ｆ、１６０Ｇ、１６０Ｈ、１６０Ｉ、１６０Ｊ、１６０Ｋ、１６０Ｌ、１６０Ｍ 光学パターン
１６０ｓ１、１６０Ａｓ１、１６０Ｂｓ１、１６０Ｃｓ１、１６０Ｆｓ１、１６０Ｇｓ１、１６０Ｈｓ１、１６０Ｉｓ１ 第１表面
１６０ｓ２、１６０Ａｓ２、１６０Ｂｓ２、１６０Ｃｓ２、１６０Ｆｓ２、１６０Ｇｓ２、１６０Ｈｓ２、１６０Ｉｓ２ 第２表面
１６１ 透光性基板
１６２ 反射粒子
１６５、１６５Ａ、１６５Ｄ１、１６５Ｄ２、１６５Ｄ３、１６５Ｄ４、１６５Ｅ１、１６５Ｅ２、１６５Ｅ３、１６５Ｅ４、１６５Ｅ５、１６５Ｆ、１６５Ｇ、１６５Ｈ 孔
１６７、１６７Ａ、１６７Ｂ、１６７Ｃ 部分
１８５ 反射層
１９０ 反射シート
ＡＺ１ 第１アクティブゾーン
ＡＺ２ 第２アクティブゾーン
ＣＸ 中心軸
ｄ１、ｄ２ 孔深さ
Ｄａ１、Ｄａ２ 孔径
ＧＣ 幾何学的中心
Ｈ１ 第１高さ
Ｈ２ 第２高さ
ＬＢ 光ビーム
ＬＥＵ、ＬＥＵ－Ａ、ＬＥＵ－Ｂ、ＬＥＵ－Ｃ、ＬＥＵ－Ｄ、ＬＥＵ－Ｅ、ＬＥＵ－Ｆ 発光ユニット
ＭＳ 表面微細構造
ＯＰ１、ＯＰ１” 第１開口
ＯＰ２、ＯＰ２” 第２開口
Ｐ、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４ ピッチ
ＳＰ、ＳＰ” 空間
Ｘ、Ｙ、Ｚ 方向
θ、θ１、θ２ 夾角
１００、１００Ａ 基板
１００ｓ 表面
１２０、１２０Ａ 発光デバイス
１４０、１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃ、１４０Ｄ、１４０Ｅ、１４０Ｆ、１４０Ｇ、１４０Ｈ 封止構造
１４０Ｄｓ、１４０Ｅｓ、１４０Ｆｓ、１４０Ｇｓ、１４０Ｈｓ 側面
１６０、１６０Ａ、１６０Ａ’、１６０Ａ”、１６０Ｂ、１６０Ｃ、１６０Ｄ、１６０Ｅ、１６０Ｆ、１６０Ｇ、１６０Ｈ、１６０Ｉ、１６０Ｊ、１６０Ｋ、１６０Ｌ、１６０Ｍ 光学パターン
１６０ｓ１、１６０Ａｓ１、１６０Ｂｓ１、１６０Ｃｓ１、１６０Ｆｓ１、１６０Ｇｓ１、１６０Ｈｓ１、１６０Ｉｓ１ 第１表面
１６０ｓ２、１６０Ａｓ２、１６０Ｂｓ２、１６０Ｃｓ２、１６０Ｆｓ２、１６０Ｇｓ２、１６０Ｈｓ２、１６０Ｉｓ２ 第２表面
１６１ 透光性基板
１６２ 反射粒子
１６５、１６５Ａ、１６５Ｄ１、１６５Ｄ２、１６５Ｄ３、１６５Ｄ４、１６５Ｅ１、１６５Ｅ２、１６５Ｅ３、１６５Ｅ４、１６５Ｅ５、１６５Ｆ、１６５Ｇ、１６５Ｈ 孔
１６７、１６７Ａ、１６７Ｂ、１６７Ｃ 部分
１８５ 反射層
１９０ 反射シート
ＡＺ１ 第１アクティブゾーン
ＡＺ２ 第２アクティブゾーン
ＣＸ 中心軸
ｄ１、ｄ２ 孔深さ
Ｄａ１、Ｄａ２ 孔径
ＧＣ 幾何学的中心
Ｈ１ 第１高さ
Ｈ２ 第２高さ
ＬＢ 光ビーム
ＬＥＵ、ＬＥＵ－Ａ、ＬＥＵ－Ｂ、ＬＥＵ－Ｃ、ＬＥＵ－Ｄ、ＬＥＵ－Ｅ、ＬＥＵ－Ｆ 発光ユニット
ＭＳ 表面微細構造
ＯＰ１、ＯＰ１” 第１開口
ＯＰ２、ＯＰ２” 第２開口
Ｐ、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４ ピッチ
ＳＰ、ＳＰ” 空間
Ｘ、Ｙ、Ｚ 方向
θ、θ１、θ２ 夾角
Claims (20)
- 基板と、前記基板の表面に配置された発光デバイスと、
前記基板の前記表面に配置され、前記発光デバイスを覆う封止構造と、
前記封止構造によって覆われ、前記発光デバイスと重なる光学パターンと、
を含み、前記光学パターンが、部分透過および部分反射の特性を有し、第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンを備え、前記第１アクティブゾーンおよび前記第２アクティブゾーンが、前記基板の前記表面に対して平行な方向に配置され、前記光学パターンの前記第１アクティブゾーンおよび前記第２アクティブゾーンが、それぞれ第１透過率および第２透過率を有し、前記第１透過率が、前記第２透過率とは異なり、前記光学パターンが、互いに反対側を向いた第１表面および第２表面を有し、前記第１表面が、前記発光デバイスに面し、前記第２表面に対して傾斜しており、前記光学パターンが、前記第１アクティブゾーンおよび前記第２アクティブゾーンにおいて複数の反射粒子を備え、前記第１アクティブゾーンにおける前記反射粒子のドーピング濃度が、前記第２アクティブゾーンにおける前記反射粒子のドーピング濃度と同じである光源モジュール。 - 前記光学パターンの前記発光デバイスに面する表面と前記基板の前記表面の間が、第１高さを有し、前記封止構造が、前記基板の前記表面の法線方向において第２高さを有し、前記第１高さ対前記第２高さの比率が、０．５未満である請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記光学パターンが、複数の孔を備え、前記第１アクティブゾーンにおける前記孔の分布密度が、前記第２アクティブゾーンにおける前記孔の分布密度とは異なる請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記孔が、複数の第１孔および複数の第２孔を含み、各前記第１孔の第１孔径が、各前記第２孔の第２孔径とは異なる請求項３に記載の光源モジュール。
- 基板と、前記基板の表面に配置された発光デバイスと、
前記基板の前記表面に配置され、前記発光デバイスを覆う封止構造と、
前記封止構造によって覆われ、前記発光デバイスと重なる光学パターンと、
を含み、前記光学パターンが、部分透過および部分反射の特性を有し、第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンを備え、前記第１アクティブゾーンおよび前記第２アクティブゾーンが、前記基板の前記表面に対して平行な方向に配置され、前記光学パターンの前記第１アクティブゾーンおよび前記第２アクティブゾーンが、それぞれ第１透過率および第２透過率を有し、前記第１透過率が、前記第２透過率とは異なり、
前記光学パターンが、複数の孔を備え、前記第１アクティブゾーンにおける前記孔の分布密度が、前記第２アクティブゾーンにおける前記孔の分布密度と同じであり、前記孔が、複数の第１孔および複数の第２孔を含み、各前記第１孔が、第１孔深さを有し、各前記 第２孔が、第２孔深さを有し、前記第１孔深さが、前記第２孔深さとは異なる光源モジュール。 - 基板と、前記基板の表面に配置された発光デバイスと、
前記基板の前記表面に配置され、前記発光デバイスを覆う封止構造と、
前記封止構造によって覆われ、前記発光デバイスと重なる光学パターンと、
を含み、前記光学パターンが、部分透過および部分反射の特性を有し、第１アクティブゾーンおよび第２アクティブゾーンを備え、前記第１アクティブゾーンおよび前記第２アクティブゾーンが、前記基板の前記表面に対して平行な方向に配置され、前記光学パターンの前記第１アクティブゾーンおよび前記第２アクティブゾーンが、それぞれ第１透過率および第２透過率を有し、前記第１透過率が、前記第２透過率とは異なり、
前記光学パターンが、互いに反対側を向いた第１表面および第２表面を有し、複数の孔を備え、前記孔が、前記第１表面と前記第２表面の間で延伸し、各前記孔の延伸方向が、前記第１表面または前記第２表面に対して傾斜している光源モジュール。 - 前記光学パターンが、複数の孔を備え、前記第１表面が、各前記孔を定義する第１開口を有し、前記第２表面が、各前記孔を定義する第２開口を有し、前記第１開口の開口面積が、前記第２開口の開口面積とは異なる請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記光学パターンが、複数の孔を備え、前記第１表面が、各前記孔を定義する第１開口を有し、前記第２表面が、各前記孔を定義する第２開口を有し、前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの開口輪郭が、円形、矩形、または多角形である請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記発光デバイスが、幾何学的中心を有し、前記光学パターンが、中心軸の周りに対称的に配置され、前記中心軸が、前記基板の前記表面に対して垂直であり、前記発光デバイスの前記幾何学的中心を通過する請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記封止構造が、前記中心軸の周りに非対称的に配置された請求項９に記載の光源モジュール。
- 前記発光デバイスが、幾何学的中心を有し、前記封止構造が、中心軸の周りに対称的に配置され、前記光学パターンが、前記中心軸の周りに非対称的に配置された請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記発光デバイスが、幾何学的中心を有し、前記封止構造が、中心軸の周りに非対称的に配置され、前記中心軸が、前記基板の前記表面に対して垂直であり、前記発光デバイスの前記幾何学的中心を通過し、前記光学パターンが、前記中心軸の周りに非対称的に配置された請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記封止構造が、中心軸の周りに対称的に配置され、前記光学パターンが、前記中心軸の周りに対称的に配置され、前記中心軸が、前記基板の前記表面に対して垂直であり、前記発光デバイスを通過しない請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記基板が、ガラス基板であり、前記発光デバイスによって出射された少なくとも１つの光ビームが、前記ガラス基板内で伝達されるのに適している請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記ガラス基板の前記発光デバイスから離れた側に配置された反射シートさらに含む請求項１４に記載の光源モジュール。
- 前記基板上に配置され、前記発光デバイスを露出させる反射層をさらに含み、前記封止 構造が、さらに、前記反射層を含む請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記反射層が、複数の表面微細構造を有する請求項１６に記載の光源モジュール。
- 前記封止構造が、前記基板の前記表面に対して平行な方向において少なくとも１つの側面を有し、前記少なくとも１つの側面と前記基板の前記表面の間の夾角が、１０度～１３５度の範囲である請求項１に記載の光源モジュール。
- 前記少なくとも１つの側面の断面形状が、直線または折れ線である請求項１８に記載の光源モジュール。
- 前記光学パターンが、互いに分離した複数の部分であり、前記部分が、配置方向において間隔を空けて配置され、前記配置方向が、前記基板の前記表面に対して垂直または平行 であり、前記第１アクティブゾーンにおける前記部分の分布密度が、前記第２アクティブ ゾーンにおける前記部分の分布密度とは異なる請求項１に記載の光源モジュール。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW112105340 | 2023-02-15 | ||
| TW112105340 | 2023-02-15 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7509964B1 true JP7509964B1 (ja) | 2024-07-02 |
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ID=86331180
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023100159A Active JP7509964B1 (ja) | 2023-02-15 | 2023-06-19 | 光源モジュール |
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|---|---|
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| CN (1) | CN219676409U (ja) |
Citations (11)
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-
2023
- 2023-03-15 CN CN202320497814.5U patent/CN219676409U/zh active Active
- 2023-06-19 JP JP2023100159A patent/JP7509964B1/ja active Active
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