JP7509657B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 403
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 178
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 372
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 34
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 30
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 21
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 106
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 42
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 31
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N hydron;difluoride Chemical compound F.F CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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Description
すなわち、従来の装置は、他方のノズルが、表側面に沿って配置されている一方のノズルの配管を避けて、供給部から裏側面に沿って配管を接続することになる。したがって、他方のノズルは、メンテナンスを行う表側面からは最も遠い位置に配置されているので、その配管にアクセスするのが困難となる。その結果、メンテナンス性が悪いという問題がある。また、裏側面に沿って配管を接続すると、配管長が長くなる。このように配管長が長くなると、処理液が滞留する量が増加したり、温調されない処理液が増えたりするという問題も生じる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に流体を供給して処理を行う基板処理装置において、第1の処理筐体と、前記第1の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、前記第1の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第1の流体を供給する第1の供給部と、前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第2の流体を供給する第2の供給部と、を備え、前記第1の供給部は、前記載置部に載置された基板に対して前記第1の流体を供給する第1のノズルと、前記第1のノズルに対して前記第1の流体を供給する第1の流体供給部と、前記第2の供給部は、前記載置部に載置された基板に対して前記第2の流体を供給する第2のノズルと、前記第2のノズルに対して前記第2の流体を供給するする第2の流体供給部と、を備え、前記第1のノズルは、前記第1の流体供給部から前記第1の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第1の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、前記第2のノズルは、前記第2の流体供給部から前記第2の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第2の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、前記第1のノズル及び前記第2のノズルは、前記基端部が前記載置部よりも前記第1の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されており、前記第1の流体供給部は、前記第1のノズルの前記基端部の側方に隣接して配置されると共に、前記第2の流体供給部は、前記第2のノズルの前記基端部の側方に隣接して配置されることを特徴とするものである。
また、第1のノズルと第1の流体供給部とは、第1の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の一方側に配置されている。第2のノズルと第2の流体供給部とは、第1の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の他方側に配置されている。したがって、第1のノズルと第1の流体供給部、第2のノズルと第2の流体供給部は、ともに表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、第1のノズルは、その基端部が載置部よりも第1の流体供給部側に配置されている。第2のノズルは、その基端部が載置部よりも第2の流体供給部側に配置されている。したがって、第1の流体供給部と第1のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。また、第2の流体供給部と第2のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。その結果、連通接続する距離を短くできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、基端部には、第1の流体または第2の流体が供給される。したがって、基端部が第1の処理筐体の表側面に近い位置に配置されているので、第1の流体または第2の流体の供給に係るメンテナンスを容易にできる。
また、 第1のノズルと第1の流体供給部とは、第1の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の一方側に配置されている。第2のノズルと第2の流体供給部とは、第1の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の他方側に配置されている。したがって、第1のノズルと第1の流体供給部、第2のノズルと第2の流体供給部は、ともに表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、第1のノズルは、その基端部が載置部よりも第1の流体供給部側に配置されている。第2のノズルは、その基端部が載置部よりも第2の流体供給部側に配置されている。したがって、第1の流体供給部と第1のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。また、第2の流体供給部と第2のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。その結果、連通接続する距離を短くできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、第1の流体供給部は、第1の流体貯留部と、この送り部に連通接続された供給管と、供給管から分岐し、基端部に連通接続された供給分岐管と、流量計、流量調整弁、供給制御弁とを備えている。したがって、流量調整弁で流量を操作し、流量計で流量をモニタしつつ、供給制御弁によりノズルから第1の流体の供給・停止を操作できる。
また、第1の流体が配管経路中に長時間にわたり滞留すると、第1の流体にゴミが溜まったり、配管の成分が溶出したりして、品質が低下することがある。第1のノズルが待機位置に位置している際には、供給制御弁を閉止し、戻り開閉弁を開放して第1の流体を戻り配管を介して第1の流体貯留部に戻し、第1の流体を循環させている。したがって、第1の流体が配管経路中に長時間にわたり滞留することがない。その結果、第1の流体の品質が低下することを抑制できるので、基板への処理を清浄度高く行うことができる。
第1の手動開閉弁と第2の手動開閉弁を手動で操作して遮断することにより、第1のノズルを供給管から分離できる。したがって、第1の流体貯留部からの供給を停止することなく、第1のノズルのメンテナンスを行うことができる。
また、第1のノズルと第1の流体供給部とは、第1の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の一方側に配置されている。第2のノズルと第2の流体供給部とは、第1の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の他方側に配置されている。したがって、第1のノズルと第1の流体供給部、第2のノズルと第2の流体供給部は、ともに表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、第1のノズルは、その基端部が載置部よりも第1の流体供給部側に配置されている。第2のノズルは、その基端部が載置部よりも第2の流体供給部側に配置されている。したがって、第1の流体供給部と第1のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。また、第2の流体供給部と第2のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。その結果、連通接続する距離を短くできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、第1の流体供給部は、第1の流体貯留部と、この送り部に連通接続された供給管と、供給管から分岐し、基端部に連通接続された供給分岐管と、流量計、流量調整弁、供給制御弁とを備えている。したがって、流量調整弁で流量を操作し、流量計で流量をモニタしつつ、供給制御弁によりノズルから第1の流体の供給・停止を操作できる。
また、第1のノズルと第1の流体供給部とは、第1の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の一方側に配置されている。第2のノズルと第2の流体供給部とは、第1の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の他方側に配置されている。したがって、第1のノズルと第1の流体供給部、第2のノズルと第2の流体供給部は、ともに表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、第1のノズルは、その基端部が載置部よりも第1の流体供給部側に配置されている。第2のノズルは、その基端部が載置部よりも第2の流体供給部側に配置されている。したがって、第1の流体供給部と第1のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。また、第2の流体供給部と第2のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。その結果、連通接続する距離を短くできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、第1の流体供給部は、第1の流体貯留部と、この送り部に連通接続された供給管と、供給管から分岐し、基端部に連通接続された供給分岐管と、流量計、流量調整弁、供給制御弁とを備えている。したがって、流量調整弁で流量を操作し、流量計で流量をモニタしつつ、供給制御弁によりノズルから第1の流体の供給・停止を操作できる。
また、供給分岐管に設けられた流量計と流量調整弁とは、有機溶剤が揮発したガスの点火源となりうる。そこで、流量計と流量調整弁とを遮蔽容器に収容し、内部を排気するので、有機溶剤の揮発したガスが遮蔽容器に滞留することを防止できる。したがって、防爆構造を構成することができ、安全に処理を行うことができる。
基板処理装置1は、基板Wに処理を行う。基板Wは、例えば、半導体ウエハである。基板Wは、略円形状の薄い平板である。
インデクサ部3は、複数個のキャリア載置部7を備える。本実施例では、インデクサ部3が4個のキャリア載置部7を備えている。キャリア載置部7は幅方向Yに並ぶ。各キャリア載置部7はそれぞれ、1個のキャリアCを載置する。キャリアCは、複数枚の基板Wを収容する。キャリアCは、例えば、FOUP(front opening unified pod)である。
図1及び図2を参照する。処理ブロック5は、例えば2つの搬送機構17A、17Bと、例えば24個(複数個)の処理ユニット19を備える。24個の処理ユニット19は各々、2つの搬送機構17A、17Bの一方によって搬送された基板Wに対して所定の処理液や処理気体によって所定の処理を行う。24個の処理ユニット19は、2つの搬送機構17A、17Bの搬送経路に沿って並べて配置される。24個の処理ユニット19は、搬送経路を挟んで、幅方向Yにおいて対向して配置され、更に上下方向に積層するように配置されている。処理ブロック5の詳細な構成を説明する。
図6は、処理ユニットを示す横断面図である。24個の各処理ユニット19は、処理部33と、第1の空間35と、第2の空間37とを備えている。なお、以下の説明においては、各処理ユニット19のうちの、図1における前方及び左方に配置されている処理ユニット19(19C)を例にとって説明する。
まず、処理部33の構成を説明する。処理部33は、略箱形状を有する。処理部33は、平面視、正面視および側面視において、略矩形形状を有する。
図6及び図7を参照する。図7は、第1の供給部の供給系を示す模式図である。なお、図7では、図示の都合上、3個の処理ユニット19の処理部33を含む構成で示す。図4等に示すように6個の処理ユニット19の処理部33を含む構成であっても同様の構成である。
第2の供給部45及び第3の供給部46は、上述した第1の供給部41のうち、戻り配管79にかかる構成を省略したものである。したがって、第2の供給部45及び第3の供給部46についての詳細な説明については省略する。なお、第2の供給部45及び第3の供給部46についても、第1の供給部41と同様の構成を採用してもよい。第2の供給部45と第3の供給部46とは、個別に隔壁で仕切られている。しかしながら、これらを省略して、第2の供給部45と第3の供給部46とを同じ空間に配置してもよい。
図8~図10を参照する。図8は、第1の供給部が待機状態にある場合を示す模式図である。図9は、第1の供給部から第1の流体を供給している場合を示す模式図である。図10は、第1の供給部の供給系をメンテナンスしている場合を示す模式図である。なお、これらの図中においては、閉止されている弁を黒色で描き、開放されている弁を白色で描いている。
図8に示すように、第1の供給部41が待機状態である場合は、供給制御弁77が閉止されている。手動開閉弁71,83と、流量調整弁75と、戻り開閉弁81とは、開放されている。したがって、供給管67から供給されている第1の流体は、供給分岐管69から戻り配管79を通ってタンク63に戻る。したがって、第1の流体が供給管67及び供給分岐管69に滞留しない。また、第1の流体に温調が必要な場合には、この循環経路に温調機構を配置しておき、循環させつつ目標温度への温調を行えばよい。
図9に示すように、第1の供給部41から第1の流体を供給する場合は、戻り制御弁81が閉止されている。手動開閉弁71,83と、流量調整弁75と、供給制御弁77とは、開放されている。したがって、供給管67から供給されている第1の流体は、供給分岐管69を通り、流量調整弁75で調整された流量で吐出部51bから基板Wに対して吐出される。
図10に示すように、第1の供給部41の供給系のメンテナンスを行う場合は、基板処理装置1の図示しない操作盤からメンテナンスを指示する。詳細には、24個の処理ユニット19のうちのいずれをメンテナンスするかを指示する。この場合、指示数は、単数でも複数個でもよい。すると、制御部87は、メンテナンス対象とされた処理ユニット19における供給制御弁77と戻り制御弁81とを閉止する。その後、作業者は、基板処理装置1の表側面MSから作業を行って、手動開閉弁71,83を手動により閉止する。この状態で第1の供給部41の供給系のメンテナンスを行う。この状態では、メンテナンス対象となっている第1の供給部41は、手動開閉弁71よりも吐出部51b方向への第1の流体の流通が遮断されている。したがって、手動開閉弁71よりも吐出部51b側における供給分岐管69や、手動開閉弁83までの戻り配管79などの配管や、流量計73、流量調整弁75、ノズル51に対するメンテナンス作業を行うことができる。
W … 基板
3 … インデクサ部
5 … 処理ブロック
7 … キャリア載置部
11 … 搬送機構
33 … 処理部
35 … 第1の空間
37 … 第2の空間
41 … 第1の供給部
43 … 排気ボックス
44 … 排気管
45 … 第2の供給部
46 … 第3の供給部
51,53,55 … ノズル
51a、53a、55a … 基端部
51b、53b、55b … 吐出部
51c、53c、55c … アーム
57 … 待機ポッド
59 … 遮蔽容器
61 … 貯留部
63 … タンク
63a … 送り部
63b … 戻り部
65 … ポンプ
67 … 供給管
69 … 供給分岐管
71,83 … 手動開閉弁
73 … 流量計
75 … 流量調整弁
77 … 供給制御弁
79 … 戻り配管
81 … 戻り開閉弁
85 … 排液管
87 … 制御部
Claims (11)
- 基板に流体を供給して処理を行う基板処理装置において、
第1の処理筐体と、
前記第1の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、
前記第1の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第1の流体を供給する第1の供給部と、
前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第2の流体を供給する第2の供給部と、
を備え、
前記第1の供給部は、
前記載置部に載置された基板に対して前記第1の流体を供給する第1のノズルと、
前記第1のノズルに対して前記第1の流体を供給する第1の流体供給部と、
前記第2の供給部は、
前記載置部に載置された基板に対して前記第2の流体を供給する第2のノズルと、
前記第2のノズルに対して前記第2の流体を供給するする第2の流体供給部と、
を備え、
前記第1のノズルは、前記第1の流体供給部から前記第1の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第1の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
前記第2のノズルは、前記第2の流体供給部から前記第2の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第2の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルは、前記基端部が前記載置部よりも前記第1の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されており、
前記第1の流体供給部は、前記第1のノズルの前記基端部の側方に隣接して配置されると共に、前記第2の流体供給部は、前記第2のノズルの前記基端部の側方に隣接して配置されることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に流体を供給して処理を行う基板処理装置において、
第1の処理筐体と、
前記第1の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、
前記第1の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第1の流体を供給する第1の供給部と、
前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第2の流体を供給する第2の供給部と、
を備え、
前記第1の供給部は、
前記載置部に載置された基板に対して前記第1の流体を供給する第1のノズルと、
前記第1のノズルに対して前記第1の流体を供給する第1の流体供給部と、
前記第2の供給部は、
前記載置部に載置された基板に対して前記第2の流体を供給する第2のノズルと、
前記第2のノズルに対して前記第2の流体を供給するする第2の流体供給部と、
を備え、
前記第1のノズルは、前記第1の流体供給部から前記第1の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第1の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
前記第2のノズルは、前記第2の流体供給部から前記第2の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第2の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
前記第1の流体供給部は、
前記第1の流体を貯留し、前記第1の流体を送出する送り部と前記第1の流体が戻る戻り部とを備えた第1の流体貯留部と、
前記第1の流体貯留部の前記送り部に連通接続された供給管と、
前記第1の流体貯留部の前記戻り部に連通接続された回収管と、
前記待機位置に設けられ、前記第1のノズルから供給された前記第1の流体を回収する回収部と、
前記回収部に連通接続され、前記回収部にて回収された前記第1の流体を排出する排出管と、
前記供給管に一端部が連通接続され、他端部が前記基端部に連通接続された供給分岐管と、
前記供給分岐管における前記第1の流体の流量を計測する流量計と、
前記流量計よりも前記供給分岐管の前記基端部側に設けられ、前記供給分岐管における前記第1の流体の流量を操作する流量調整弁と、
前記流量調整弁で調整された前記第1の流体を前記ノズルから供給・停止する供給制御弁と、
を備え、
前記第1の流体供給部は、
前記供給分岐管のうち、前記供給制御弁と前記流量調整弁との間に一端側が連通接続され、前記回収管に他端側が連通接続された戻り配管と、
前記戻り配管に設けられ、前記戻り配管における前記第1の流体の流通を許容・遮断する戻り開閉弁と、
をさらに備え、
前記第1のノズルが待機位置に位置している際には、前記供給制御弁を閉止し、前記戻り開閉弁を開放して前記第1の流体を前記戻り配管を介して前記第1の流体貯留部に戻し、前記第1の流体を循環させており、
前記供給分岐管に設けられ、前記供給分岐管における前記第1の流体の流通を、手動により許容・遮断する第1の手動開閉弁と、
前記戻り配管に設けられ、前記戻り配管における前記第1の流体の流通を、手動により許容・遮断する第2の手動開閉弁と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記第1の流体と前記第2の流体は、異なる流体であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1の流体と前記第2の流体は、液体であることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に流体を供給して処理を行う基板処理装置において、
第1の処理筐体と、
前記第1の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、
前記第1の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第1の流体を供給する第1の供給部と、
前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第2の流体を供給する第2の供給部と、
を備え、
前記第1の供給部は、
前記載置部に載置された基板に対して前記第1の流体を供給する第1のノズルと、
前記第1のノズルに対して前記第1の流体を供給する第1の流体供給部と、
前記第2の供給部は、
前記載置部に載置された基板に対して前記第2の流体を供給する第2のノズルと、
前記第2のノズルに対して前記第2の流体を供給するする第2の流体供給部と、
を備え、
前記第1のノズルは、前記第1の流体供給部から前記第1の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第1の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
前記第2のノズルは、前記第2の流体供給部から前記第2の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第2の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
前記第1の流体供給部は、
前記第1の流体を貯留し、前記第1の流体を送出する送り部と前記第1の流体が戻る戻り部とを備えた第1の流体貯留部と、
前記第1の流体貯留部の前記送り部に連通接続された供給管と、
前記第1の流体貯留部の前記戻り部に連通接続された回収管と、
前記待機位置に設けられ、前記第1のノズルから供給された前記第1の流体を回収する回収部と、
前記回収部に連通接続され、前記回収部にて回収された前記第1の流体を排出する排出管と、
前記供給管に一端部が連通接続され、他端部が前記基端部に連通接続された供給分岐管と、
前記供給分岐管における前記第1の流体の流量を計測する流量計と、
前記流量計よりも前記供給分岐管の前記基端部側に設けられ、前記供給分岐管における前記第1の流体の流量を操作する流量調整弁と、
前記流量調整弁で調整された前記第1の流体を前記ノズルから供給・停止する供給制御弁と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2または5に記載の基板処理装置において、
前記流量調整弁は、前記第1の処理筐体の前記表側面から作業者が手を伸ばして操作できる距離にある位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記第1の手動開閉弁及び前記第2の手動開閉弁は、前記第1の処理筐体の前記表側面から作業者が手を伸ばして操作できる距離にある位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に流体を供給して処理を行う基板処理装置において、
第1の処理筐体と、
前記第1の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、
前記第1の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第1の流体を供給する第1の供給部と、
前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第2の流体を供給する第2の供給部と、
を備え、
前記第1の供給部は、
前記載置部に載置された基板に対して前記第1の流体を供給する第1のノズルと、
前記第1のノズルに対して前記第1の流体を供給する第1の流体供給部と、
前記第2の供給部は、
前記載置部に載置された基板に対して前記第2の流体を供給する第2のノズルと、
前記第2のノズルに対して前記第2の流体を供給するする第2の流体供給部と、
を備え、
前記第1のノズルは、前記第1の流体供給部から前記第1の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第1の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
前記第2のノズルは、前記第2の流体供給部から前記第2の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第2の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
前記第1の流体供給部は、
前記第1の流体を貯留し、前記第1の流体を送出する送り部と前記第1の流体が戻る戻り部とを備えた第1の流体貯留部と、
前記第1の流体貯留部の前記送り部に連通接続された供給管と、
前記第1の流体貯留部の前記戻り部に連通接続された回収管と、
前記待機位置に設けられ、前記第1のノズルから供給された前記第1の流体を回収する回収部と、
前記回収部に連通接続され、前記回収部にて回収された前記第1の流体を排出する排出管と、
前記供給管に一端部が連通接続され、他端部が前記基端部に連通接続された供給分岐管と、
前記供給分岐管における前記第1の流体の流量を計測する流量計と、
前記流量計よりも前記供給分岐管の前記基端部側に設けられ、前記供給分岐管における前記第1の流体の流量を操作する流量調整弁と、
前記流量調整弁で調整された前記第1の流体を前記ノズルから供給・停止する供給制御弁と、
を備え、
前記第1の流体は、有機溶剤であり、
前記流量計と前記流量調整弁とは、周囲から雰囲気を遮蔽された遮蔽容器に収容され、
前記遮蔽容器は、内部が排気されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2,5,8のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルは、前記基端部が前記載置部よりも前記第1の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から9のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1の供給部に隣接して、前記処理部からの気体を排気する排気ボックスが配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から10のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1の処理筐体の下方に配置された第2の処理筐体をさらに備え、
前記第2の処理筐体は、
前記第2の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、
前記第2の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第1の流体を供給する第1の流体供給部と、
前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第2の流体を供給する第2の流体供給部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020181303A JP7509657B2 (ja) | 2020-10-29 | 2020-10-29 | 基板処理装置 |
TW110137274A TWI802038B (zh) | 2020-10-29 | 2021-10-07 | 基板處理裝置 |
US17/496,826 US20220134390A1 (en) | 2020-10-29 | 2021-10-08 | Substrate treating apparatus |
KR1020210145394A KR102689735B1 (ko) | 2020-10-29 | 2021-10-28 | 기판 처리 장치 |
CN202111260217.2A CN114429924A (zh) | 2020-10-29 | 2021-10-28 | 衬底处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020181303A JP7509657B2 (ja) | 2020-10-29 | 2020-10-29 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022072072A JP2022072072A (ja) | 2022-05-17 |
JP7509657B2 true JP7509657B2 (ja) | 2024-07-02 |
Family
ID=81311608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020181303A Active JP7509657B2 (ja) | 2020-10-29 | 2020-10-29 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220134390A1 (ja) |
JP (1) | JP7509657B2 (ja) |
CN (1) | CN114429924A (ja) |
TW (1) | TWI802038B (ja) |
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- 2020-10-29 JP JP2020181303A patent/JP7509657B2/ja active Active
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- 2021-10-07 TW TW110137274A patent/TWI802038B/zh active
- 2021-10-08 US US17/496,826 patent/US20220134390A1/en active Pending
- 2021-10-28 CN CN202111260217.2A patent/CN114429924A/zh active Pending
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JP2018142694A (ja) | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018182271A (ja) | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2019102653A (ja) | 2017-12-04 | 2019-06-24 | 株式会社Screenホールディングス | 判定方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220134390A1 (en) | 2022-05-05 |
CN114429924A (zh) | 2022-05-03 |
KR20220057458A (ko) | 2022-05-09 |
TW202226412A (zh) | 2022-07-01 |
JP2022072072A (ja) | 2022-05-17 |
TWI802038B (zh) | 2023-05-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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