JP7508233B2 - 光ファイバならびに光ファイバおよび光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態に係る光ファイバの模式的な断面図である。光ファイバ1は、略中心に位置するコア部1aと、コア部1aの外周を覆うクラッド層1bと、クラッド層1bの外周を覆うコーティング部1cとを備えている。
つぎに、実施形態に係る光ファイバ1の製造方法の一例について説明する。
光ファイバは、光ファイバ母材から線引きして製造される。光ファイバ母材の製造方法としては、VAD(Vapor-phase Axial Deposition)法、OVD(Outside Vapor Deposition)法、MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition)法、プラズマCVD(PCVD)法などが広く用いられている。特に、スタート材の外面にガラス微粒子を含むスートを堆積させるVAD法やOVD法は、チューブ(スタート管)の内部にスートを堆積させるMCVD法やPCVD法と違ってスタート管のサイズ制限を受けないので、光ファイバ母材の大型化が可能となり、光ファイバの製造コストを低減するうえで好ましい。
はじめに、ステップS101では、VAD法を用いてスートを作製する。このスートは、コアスートとクラッドスートを一括して堆積したものである。
つづいて、ステップS102では、ステップS101で堆積したスートをガラス化する。これにより光ファイバ母材が製造される。
つづいて、ステップS103では、ステップS102で製造した光ファイバ母材を線引きする。線引きにより形成されたコア部1aとクラッド層1bとからなるガラス光ファイバの外周にコーティング部1cを形成することによって、光ファイバ1が製造される。
なお、各ステップにおける製造条件は、標準SMFを製造するための製造条件、またはそれを適宜最適化した製造条件にすればよい。
実施例として、図3、4に例示したような製造方法を用いてW型の光ファイバを製造した。なお、第1原料ガスとして、SiCl4およびGeCl4を用いた。第2原料ガスにはF2ガスを含めた。そして、図2(b)に示すΔ1、Δ2、2a、2bと、図1に示すクラッド径D1については、表1になるように製造条件を設定した。表1において、Cladがクラッド径D1に相当する。また、クラッド径に対するコア径の比であるClad/2bを約3.53とした。すなわち、標準SMFの典型的な値である12.5よりも小さくした。
1a コア部
1b クラッド層
1c コーティング部
1ca プライマリコーティング層
1cb セカンダリコーティング層
10 VAD装置
11 反応容器
12、13、14 バーナ
15 排気口
21 スタート材
22 スート
D1 クラッド径
D2 外径
G1、G2、G3 ガス
P11、P12、P21、P22 プロファイル
t1 厚さ
Claims (11)
- シリカガラスからなるコア部と、
シリカガラスからなり、前記コア部の外周を覆い、前記コア部の最大屈折率よりも屈折率が低いクラッド層と、
前記クラッド層の外周を覆い、前記クラッド層側に位置するプライマリコーティング層と、前記プライマリコーティング層の外周側に位置するセカンダリコーティング層とを有するコーティング部と、
を備え、
前記コア部は、直径が2aの中心コア部と、前記中心コア部の外周を囲むように形成されており屈折率が前記クラッド層の屈折率よりも小さく内径が2aで外径が2bのディプレスト層とで構成され、
前記クラッド層に対する前記中心コア部の比屈折率差Δ1が0.33%以上0.38%以下であり、
前記クラッド層に対する前記ディプレスト層の比屈折率差Δ2が-0.2%以上0%未満であり、
b/aが5以下であり、
前記クラッド層のクラッド径が120μm以下であり、
前記クラッド層には、純シリカガラスに対する比屈折率差が径方向において非連続的に0.005%以上変化する段差部がなく、
前記プライマリコーティング層は、ヤング率が0.2~1.5MPaであり、
前記セカンダリコーティング層は、ヤング率が500~2000MPaであり、
前記プライマリコーティング層の厚さが10μm以上であり、
波長1310nmにおけるモードフィールド径(MFD)が8.6μm以上9.2μm以下であり、
実効カットオフ波長が1260nm以下であり、
直径20mmで曲げた場合の波長1550nmにおける曲げ損失が0.75dB/turn以下である
光ファイバ。 - 前記クラッド径が100μm以下である
請求項1に記載の光ファイバ。 - 前記クラッド径が90μm以下である
請求項1に記載の光ファイバ。 - 光通信に使用される波長においてシングルモード動作する
請求項1~3のいずれか一つに記載の光ファイバ。 - 請求項1~4のいずれか一つに記載の光ファイバの製造に用いる光ファイバ母材の製造方法であって、
スタート材の外面にガラス微粒子を含むスートを堆積させる堆積工程と、
前記堆積させたスートをガラス化するガラス化工程と、
含み、
前記堆積工程において、前記光ファイバにおいて前記コア部となるコアスートと前記クラッド層となるクラッドスートを一括して堆積する
光ファイバ母材の製造方法。 - 前記堆積工程において、光ファイバ母材が前記光ファイバの長さに換算して100km以上となる体積になるように、前記スートを堆積する
請求項5に記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 前記堆積工程において、光ファイバ母材が前記光ファイバの長さに換算して500km以上となる体積になるように、前記スートを堆積する
請求項5に記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 前記堆積工程において、VAD(Vapor-phase Axial Deposition)法を用いて前記スートを堆積する
請求項5~7のいずれか一つに記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 前記堆積工程において、ガラス微粒子を生成する複数本のバーナを用いて、前記スートを堆積する
請求項8に記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 前記堆積工程において、OVD(Outside Vapor Deposition)法を用いて前記スートを堆積する
請求項5~7のいずれか一つに記載の光ファイバ母材の製造方法。 - 請求項5~10のいずれか一つに記載の製造方法により製造した光ファイバ母材から前記光ファイバを線引きする
光ファイバの製造方法。
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