JP7506259B2 - 基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ｍｆｃ）の較正動作を実行するための方法、システム、及び装置 - Google Patents

基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ｍｆｃ）の較正動作を実行するための方法、システム、及び装置 Download PDF

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Description

[0001] 複数の態様は、広くは、基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行するための方法、システム、及び装置に関する。一態様では、複数の設定点にわたる目標流量の範囲について修正された流量曲線が生成される。
[0002] 基板処理動作で使用される質量流量コントローラ（ＭＦＣ）は、幾つかの不具合を伴うことがある。例えば、ＭＦＣは、ドリフト、リーク、及び／又はシフトオンゼロ（shift-on-zero）を含み得る。ドリフトとは、ＭＦＣがもはや同じ動作条件で同じ質量流量を供給しないことである。リークとは、ＭＦＣが本来流れが発生するべきでない動作条件に設定されているときにもかかわらず、ＭＦＣを通って流れる流量があることをいう。シフトオンゼロとは、ＭＦＣがＭＦＣを通って流れる流量があることを示しているが、実際にはＭＦＣを通って流れる流量がないことをいう。
[0003] 上述の不具合に対処する試みは、コスト及び人的労力の実質的な支出、実質的な機械のダウンタイム、並びに実質的な動作遅延に関し、ＭＦＣが動作する動作流量の全範囲を正確に考慮していない。更に、不具合に対処できなかった場合、処理結果（堆積された膜の厚さや堆積された膜の品質など）に影響を与え、デバイス性能を阻害し得る。ドリフトを検出するための労力は報われず、処理された基板の特性が測定されるまで分からないことがある。また、ドリフトの測定又は検出が不正確なこともある。
[0004] したがって、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）を自動的に修正することを容易にして、動作流量の範囲にわたりＭＦＣを正確に修正することを容易にし、コスト及び人的労力の支出を低減させること、機械のダウンタイムを低減させること、並びに動作遅延を短縮することを促進する、改善された方法、システム、及び装置が必要とされている。
[0005] 複数の態様は、広くは、基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行するための方法、システム、及び装置に関する。一態様では、複数の設定点にわたる目標流量の範囲について修正された流量曲線が生成される。一態様では、較正動作を使用して、複数のＭＦＣを自動的に修正する。
[0006] 一実施態様では、基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行する方法が、較正動作のために複数のＭＦＣに優先順位を付けることを含む。優先順位を付けることは、複数のＭＦＣの各ＭＦＣの動作時間を特定すること、及び、各ＭＦＣの動作時間に従って、複数のＭＦＣをランクリスト内にランク付けすることを含む。該方法は、ランクリストに従って、基板処理システムのアイドル時間中に、複数のＭＦＣの較正動作を実行することを含む。較正動作は、第１のＭＦＣをフローモードに設定して、第１のＭＦＣを通して目標流量でガスを流すことを含む。較正動作は、ガスを質量流量計（mass flow verifier）に導くこと、及びガスの目標流量を複数の設定点に対応する複数の流量に１つずつ変化させることを含む。較正動作は、質量流量計を使用して、複数の設定点の各々におけるガスの測定された流量を確認することを含む。
[0007] 一実施態様では、基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行するための非一時的なコンピュータ可読媒体が、指示命令を含む。該指示命令は、実行されると、複数の動作を実行させる。複数の動作は、較正動作のために複数のＭＦＣに優先順位を付けることを含む。優先順位を付けることは、複数のＭＦＣの各ＭＦＣの動作時間を特定すること、及び、各ＭＦＣの動作時間に従って、複数のＭＦＣをランクリスト内にランク付けすることを含む。複数の動作は、ランクリストに従って、基板処理システムのアイドル時間中に、複数のＭＦＣの較正動作を実行することを含む。較正動作は、第１のＭＦＣをフローモードに設定して、第１のＭＦＣを通して目標流量でガスを流すことを含む。較正動作は、ガスを質量流量計（mass flow verifier）に導くこと、及びガスの目標流量を複数の設定点に対応する複数の流量に１つずつ変化させることを含む。較正動作は、質量流量計を使用して、複数の設定点の各々におけるガスの測定された流量を確認することを含む。
[0008] 一実施態様では、基板処理システムが、処理空間を含む処理チャンバを含む。基板処理システムは、処理チャンバに結合されたガス回路を含む。ガス回路は、複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）を含み、１以上の供給ラインが、処理チャンバと複数のＭＦＣとの間に結合され、分流ラインが、複数のＭＦＣと質量流量計との間に結合されている。基板処理システムは、コントローラを含む。該コントローラは、指示命令を含む。該指示命令は、実行されると、複数の動作を実行させる。複数の動作は、較正動作のために複数のＭＦＣに優先順位を付けることを含む。優先順位を付けることは、複数のＭＦＣの各ＭＦＣの動作時間を特定すること、及び、各ＭＦＣの動作時間に従って、複数のＭＦＣをランクリスト内にランク付けすることを含む。複数の動作は、ランクリストに従って、基板処理システムのアイドル時間中に、複数のＭＦＣの較正動作を実行することを含む。較正動作は、第１のＭＦＣをフローモードに設定して、第１のＭＦＣを通して目標流量でガスを流すことを含む。較正動作は、ガスを質量流量計（mass flow verifier）に導くこと、及びガスの目標流量を複数の設定点に対応する複数の流量に１つずつ変化させることを含む。較正動作は、質量流量計を使用して、複数の設定点の各々におけるガスの測定された流量を確認することを含む。
[0009] 本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、その幾つかを添付の図面に示す。しかしながら、添付の図面は例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって、その範囲を限定するものとみなされるべきではなく、本開示は他の同等に有効な実施形態を許容し得ることに留意されたい。
[0010] 一実施態様による、処理チャンバを有する基板処理システムの概略断面図である。 [0011] 一実施態様による、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の概略断面図である。 [0012] 一実施態様による、基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行する方法の概略ブロック図である。 [0013] 一実施態様による、図３Ａで示されている動作の較正動作を実行することの概略ブロック図である。 [0014] 一実施態様による、グラフの概略図である。
[0015] 理解を容易にするために、図に共通する同一の要素を指し示すために、可能な場合には、同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、追加の記述がなくても、他の複数の実施形態に有益に組み込むことができると考えられている。
[0016] 複数の態様は、広くは、基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行するための方法、システム、及び装置に関する。一態様では、複数の設定点にわたる目標流量の範囲について修正された流量曲線が生成される。
[0017] 図１は、一実施態様による、処理チャンバ１００を有する基板処理システム１０１の概略断面図である。処理チャンバ１００は、エピタキシャル堆積処理動作用に構成されている。処理チャンバ１００を使用して、基板１２５の上面に材料をエピタキシャル堆積させることを含んで、１以上の基板を処理することができる。処理チャンバ１００は、構成要素の中でとりわけ、処理チャンバ１００内に配置された基板支持体１０６の裏側１０４を加熱するための放射加熱ランプ１０２のアレイを含んでよい。基板支持体１０６は、図示されているように、ディスク状の基板支持体１０６であってよく、又はリング状の基板支持体（中央開口部を有する）であってよい。リング状の基板支持体は、ランプ１０２の熱放射への基板１２５の曝露を促進するために、基板１２５の縁部から基板を支持する。
[0018] 基板支持体１０６は、上側ドーム１２８と下側ドーム１１４との間で処理チャンバ１００内に位置付けられている。上側ドーム１２８、下側ドーム１１４、及び上側ドーム１２８と下側ドーム１１４との間に配置されているベースリング１３６は、概して、処理チャンバ１００の内部領域を画定する。基板１２５は、ローディングポートを通して、処理チャンバ１００の中に移送され、基板支持体１０６の上に配置される。
[0019] 基板支持体１０６は、中央シャフト１３２によって支持されている。中央シャフト１３２は、ローディング中及びアンローディング中、及び幾つかの事例では基板１２５の処理中に、基板１２５を鉛直方向１３４に移動させる。基板支持体１０６は、図１では持ち上げられた処理位置において示されているが、中央シャフト１３２に結合されたアクチュエータによって、処理位置の下方のローディング位置まで鉛直方向に移動されてよい。処理位置の下方に下げられたときに、リフトピン１０５が、基板１２５と接触し、基板支持体１０６から基板１２５を持ち上げる。次いで、ロボットが、基板１２５と係合し、処理チャンバ１００からローディングポートを通して基板１２５を除去するために、処理チャンバ１００に入ってよい。次いで、基板支持体１０６は、処理位置まで鉛直方向に作動されてよく、基板１２５のデバイス側１１６が上を向いた状態で、基板１２５を基板支持体１０６の表側１１０に配置する。
[0020] 基板支持体１０６は、処理位置に位置付けられている間に、処理チャンバ１００の内部空間を、基板１２５の上方の処理空間１５６と、基板支持体１０６の下方のパージガス空間１５８とに分割する。基板支持体１０６は、処理中に、処理チャンバ１００内の熱及びプロセスガス流の空間的な偏りの影響を最小限に抑えるため、中央シャフト１３２によって回転され、これにより基板１２５の均一な処理を促進する。ランプ１０２からの放射エネルギーを吸収し、放射エネルギーを基板１２５へ伝導するために、基板支持体１０６は炭化ケイ素又は炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトから形成されてよい。上側ドーム１２８の中央窓部分及び下側ドーム１１４の下部は、石英などの光学的に透明な材料から形成されている。上側ドーム１２８の厚み及び湾曲の程度は、処理チャンバ１００内の均一な流れの均一さのために、より平坦な形状寸法を提供するように構成されてよい。
[0021] ランプ１０２のアレイは、プロセスガスが基板１２５の様々な領域の上を通過するときに、それらの領域の温度を独立して制御するように、中央シャフト１３２の周りで特定された最適な所望の様態で、下側ドーム１１４に隣接して且つその下に配置され得る。それにより、基板１２５のデバイス側１１６（例えば、上面）の上への材料のエピタキシャル堆積が促進される。堆積される材料は、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、又は窒化アルミニウムガリウムを含んでよい。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、ランプ１０２などの放射加熱ランプのアレイが、上側ドーム１２８の上に配置されてよい。
[0022] ランプ１０２は、基板１２５を、摂氏約２００度から摂氏約１６００度までの範囲の温度に加熱するように構成された電球を含むように構成され得る。各ランプ１０２は、配電盤に結合され、配電盤を経由して電力が各ランプ１０２に供給される。ランプ１０２はランプヘッド１４５内に配置され、ランプヘッド１４５は、例えば、ランプ１０２間に位置するチャネル１４９の中に導入される冷却流体によって処理中又は処理後に冷却されてよい。ランプヘッド１４５が下側ドーム１１４に近接することに部分的に起因して、ランプヘッド１４５は、下側ドーム１１４を伝導的及び放射的に冷却する。ランプヘッド１４５はまた、ランプ１０２の周りのランプ壁及びリフレクタの壁も冷却してよい。代替的に、下側ドーム１１４は、対流的なやり方で冷却されてもよい。用途に応じて、ランプヘッド１４５は、下側ドーム１１４に接してもよく、又は接しなくてもよい。
[0023] 任意選択的に、円形シールド１６７が、基板支持体１０６の周りに配置されてよく、ライナーアセンブリ１６３によって囲まれてよい。シールド１６７は、ランプ１０２から基板１２５のデバイス側１１６への熱／光ノイズの漏れを防止又は最小化し、一方で、プロセスガス用の予熱ゾーンを提供する。シールド１６７は、化学気相堆積（CVD）SiC、SiCでコーティングされた焼結グラファイト、成長させたSiC、不透明な石英、コーティングされた石英、又はプロセスガス及びパージガスによる化学的な破壊に対して耐性を有する任意の同様で適切な材料から作製されてよい。
[0024] ライナーアセンブリ１６３は、ベースリング１３６の内周内に入れ子にされ又はベースリング１３６の内周によって囲まれるようにサイズ決定される。ライナーアセンブリ１６３は、処理チャンバ１００の金属壁から内部空間（例えば、処理空間１５６やパージガス空間１５８）を遮蔽する。ライナーアセンブリ１６３は、単一体として図示されているが、ライナーアセンブリ１６３は、異なる構成を有する１以上のライナーを含んでよい。基板支持体１０６からの基板１２５の裏側加熱の結果として、基板支持体１０６上の温度測定／制御用に光高温計１１８の使用が実施可能になる。光高温計１１８による温度測定はまた、基板１２５のデイバス側１１６に対して行われてもよい。
[0025] 任意選択的に、リフレクタ１２２が、基板１２５から放射されている光を基板１２５に反射し戻すために、上側ドーム１２８の外側に配置されてよい。リフレクタ１２２は、クランプリング１３０を使用して上側ドーム１２８に固定されてよい。リフレクタ１２２は、アルミニウム又はステンレス鋼などの金属で作製され得る。反射効率は、金などの高い反射性コーティングでリフレクタエリアをコーティングすることによって改善され得る。リフレクタ１２２は、冷却源に接続された１以上のチャネル１２６を有し得る。チャネル１２６は、リフレクタ１２２を冷却するためのリフレクタ１２２の側面に形成された通路に接続する。通路は、水などの流体の流れを運ぶように構成され、リフレクタ１２２の側面に沿って水平に続いてよい。
[0026] 基板処理システム１０１は、ガス回路１８０を含む。ガス回路１８０は、複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）１８１ａ～１８１ｄを含む。ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄの各々は、それぞれのＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄにガスを供給するためのそれぞれのガス源１８２ａ～１８２ｄに結合されている。１以上の供給ライン１８３ａ～１８３ｄ（４つが図示されている）が、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄから処理空間１５６及び／又はパージガス空間１５８にガスを供給するために、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄと処理チャンバ１００との間に結合されている。１以上の分流ライン１８４（１つが図示されている）が、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄと質量流量計１８６との間に結合されている。質量流量計１８６は、貯蔵タンク１８５を介して１以上の分流ライン１８４に結合されている。複数のバルブ１８７ａ～１８７ｄが、１以上の分流ライン１８４（１つが図示されているが、バルブ１８７ａ～１８７ｄの各々専用の分流ラインが考慮されている）に沿って配置され、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄと供給ライン１８３ａ～１８３ｄとの間に結合されている。バルブ１８７ａ～１８７ｄは、三方及び／又は四方バルブであり得る（三方バルブが図示されている）。バルブ１８７ａ～１８７ｄは、第１の位置、第２の位置、及び第３の位置の間で作動可能である。第１の位置では、それぞれのバルブ１８７ａ～１８７ｄが、それぞれのＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄから処理チャンバ１００へガスを流す。第２の位置では、それぞれのバルブ１８７ａ～１８７ｄが、それぞれのＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄから貯蔵タンク１８５へガスを流す。第３の位置では、それぞれのバルブ１８７ａ～１８７ｄが、ガスが貯蔵タンク１８５又は処理チャンバ１００のいずれかに流れることを阻止する。
[0027] ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄは、処理チャンバ１００にプロセスガス（堆積ガス、注入ガス、酸化ガス、エッチングガス、及び／又はドーパントガス）並びにパージガスを供給する。ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄはまた、そのようなガスの流量を制御する。例えば、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄは、二窒素（N2）、水素（H2）、塩化水素（HCL）、ジクロロシラン（DCS）、シラン（SiH4）、メチルシラン（CH3-SiH3）、ホスフィン（PH3）、及び／又はジボラン（B2H6）のうちの１種類以上を含み得るガスの流量を供給及び制御する。本開示は、他のガスが使用され得ることを考慮している。
[0028] 一実施例として、プロセスガスがＭＦＣ１８１ａから供給され、ベースリング１３６の側壁内に形成された第１のガス入口１７４を貫通して処理空間１５６の中に導入される。第１のガス入口１７４は、プロセスガスを概して径方向内向きに導くように構成されている。エピタキシャル膜形成プロセス中に、基板支持体１０６は、第１のガス入口１７４に隣接し且つ第１のガス入口１７４と略同じ高さにある処理位置に位置付けられてよく、プロセスガスが、層流で基板１２５の上面にわたり流路１７３に沿って上方に回流することを可能にすることを容易にする。プロセスガスは、第１のガス入口１７４の反対側のプロセスチャンバ１００の側部に位置付けられたガス出口１７８を貫通して（流路１７５に沿って）処理空間１５６を出る。ガス出口１７８を貫通するプロセスガスの除去は、ガス出口１７８に結合された減圧ポンプ１８０によって促進されてよい。第１のガス入口１７４とガス出口１７８とは、互いに整列し、略同じ高さに配置されているので、そのような平行配置は、上側ドーム１２８と組み合わされたときに、基板１２５にわたる概して平面的で均一なガス流を可能にすると考えられている。更に、径方向の均一性が、基板支持体１０６を介した基板１２５の回転によって提供されてよい。
［0029］ 別の一実施例として、パージガスは、第２のＭＦＣ１８１ｂから、ベースリング１３６の側壁内に形成された任意選択的な第２のガス入口１６４を貫通して（又は第１のガス入口１７４を貫通して）パージガス空間１５８に供給されてよい。第２のガス入口１６４は、第１のガス入口１７４の下方の高さに配置されている。円形シールド１６７又は予熱リングが使用される場合、円形シールド又は予熱リングが、第１のガス入口１７４と第２のガス入口１６４との間に配置されてよい。いずれの場合でも、第２のガス入口１６４は、パージガスを概して径方向内向きに導くように構成されている。エピタキシャル膜形成プロセス中に、基板支持体１０６は、パージガスが、層流で基板支持体１０６の裏側１０４にわたり流路１６５に沿って下方に回流するような位置に位置付けられてよい。任意の特定の理論によって制約を受けるものではないが、パージガスの流れは、プロセスガスの流れがパージガス空間１５８の中に入ることを防止するか若しくは実質的に回避することを容易にし、又はパージガス領域１５８（例えば、基板支持体１０６の下の領域）に入るプロセスガスの拡散を低減させると考えられている。パージガスは（流路１６６に沿って）パージガス空間１５８を出て、ガス出口１７８を貫通して処理チャンバ１００の外へ排気される。ガス出口１７８は、第２のガス入口１６４の反対側の処理チャンバ１００の側部に位置付けられている。
[0030] ガス回路１８０の他のＭＦＣ（第３のＭＦＣ１８１ｃや第４のＭＦＣ１８１ｄなど）は、同じ第１の入口１７４及び／又は同じ第２の入口１６４を貫通してガスを導入するように構成され得るか、又は他のガス入口（第３のガス入口及び／又は第４のガス入口）を貫通してガスを導入するように構成され得る。
[0031] 処理チャンバ１００は、エピタキシャル堆積チャンバとして図示され、説明されるが、本開示の複数の態様は、化学気相堆積（CVD）チャンバ、原子層堆積（ALD）チャンバ、物理的気相堆積（PVD）チャンバ、エッチングチャンバ、イオン注入チャンバ、酸化チャンバ、及び／又は他の処理チャンバに関連して使用され得る。
[0032] 基板処理システム１０１は、ガス回路１８０に結合されたコントローラ１９０を含む。コントローラ１９０は、中央処理装置（CPU）１９１、指示命令を包含するメモリ１９２、及びCPU１９１用のサポート回路１９３を含む。コントローラ１９０は、ガス回路１８０のＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄを直接制御するか、又は他のコンピュータ及び／又はコントローラを介して制御する。コントローラ１９０は、様々なチャンバ及び装備を制御するための産業設定で使用される汎用コンピュータプロセッサ、並びにそのサブプロセッサのうちの任意の形態を採る。
[0033] メモリ１９２又は非一時的なコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（RAM）、リードオンリーメモリ（ROM）、フロッピーディスク、ハードディスク、フラッシュドライブ、又はローカル若しくは遠隔の任意の他の形態のデジタルストレージなどの、容易に利用可能なメモリのうちの１以上である。サポート回路１９３は、CPU１９１（プロセッサ）をサポートするためにCPU１９１に結合されている。サポート回路１９３は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路及びサブシステムなどを含む。基板処理パラメータ（プロセスレシピなど）及び動作は、ソフトウェアルーチンとしてメモリ１９２内に記憶されている。ソフトウェアルーチンは、実行され又は起動されて、コントローラ１９０をガス回路１８０及び処理チャンバ１００などのシステム１０１の動作を制御するために専用コントローラにする。コントローラ１９０は、本明細書で説明される方法のいずれかを実行するように構成されている。メモリ１９２に記憶されている指示命令は、実行されると、方法３００の動作３０２～３２４のうちの１以上を実行させる。
[0034] 本明細書で説明される様々な動作（方法３００の動作３０２～３２４など）は、コントローラ１９０を使用して自動的に実行され得るか、又はユーザによって行われる特定の操作で自動的に若しくは手作業で実行され得る。
[0035] コントローラ１９０は、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄの較正動作を実行するように構成されている。コントローラ１９０は、較正動作のために複数のＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄに優先順位を付けるＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄの較正動作は、処理チャンバ１００のアイドル時間中に一度に１つのＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄについて実行される。アイドル時間は、基板１２５が処理チャンバ１００の処理空間１５６の外側にある時間であり、例えば、基板１２５が処理チャンバ１００の中に移送される前や、基板１２５が処理チャンバ１００から取り出された後などである。較正動作中に、コントローラ１９０は、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄをフローモードに設定して、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄを通して目標流量でガスを流す。コントローラ１９０は、ガスを貯蔵タンク１８５及び質量流量計１８６に導くように、対応するバルブ１８７ａ～１８７ｄに指示命令する。コントローラ１９０は、ガスの目標流量を複数の設定点に対応する複数の流量に１つずつ変化させるように、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄに指示命令する。複数の設定点に対応する複数の流量は、それぞれのＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄの全動作範囲の最小流量及び最大流量を含み得る。複数の設定点に対応する複数の流量は、フローレシピの最小流量及び最大流量を含み得る。複数の流量に１つずつ変化させることは、減少する順序シーケンス、増加する順序シーケンス、及び／又はランダムな順序シーケンスで行われ得る。コントローラ１９０は、複数の設定点の各々で貯蔵タンク１８５に分流されたガスの測定された流量を確認するように、質量流量計１８６に指示命令する。本開示は、貯蔵タンク１８５が省略され得ることを考慮し、質量流量計１８６は、１以上の分流ライン１８４に直接結合され得ることを考慮している。このような一実施形態では、質量流量計１８６が、複数の設定点の各々で１以上の分流ライン１８４内に分流されたガスの測定された流量を確認する。
[0036] 複数の設定点に対応する複数の流量を通して目標流量に１つずつ変化させることによって、プロセスレシピにおいて使用され得る複数の流量を確認することが容易になる。質量流量計１８６は、複数の設定点の各設定点について測定された流量をコントローラ１９０に送信する。複数の設定点の各設定点について、コントローラ１９０は、測定された流量を使用して、目標流量に対する測定された流量の流量比を特定し、測定された流量を目標流量と実質的に等しくするように修正する修正された流量を特定する。コントローラ１９０は、目標流量を修正係数で除算することによって各設定点について修正された流量を特定する。コントローラ１９０は、複数の設定点にわたり修正された流量を含む修正された流量曲線を生成する。修正された流量曲線を使用して、修正された流量曲線に沿った任意の場所、例えば、それぞれのＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄの全動作範囲に沿った任意の場所で、修正された流量が特定（推定）され得る。一実施例として、第２の設定点に対応する第２の修正された流量が特定され得る。第２の設定点に対応する第２の修正された流量は、修正された流量曲線に沿って配置され、複数の設定点とは異なり、すなわち、第２の設定点は確認のために複数の設定点のうちの１つとして使用されなかった。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、第２の設定点が、複数の設定点のうちの２つの設定点の間にある。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、第２の設定点が、複数の設定点の外側にある。
[0037] 後続の較正は、修正された流量曲線内に含まれる（１以上の）同じ設定点及び／又は修正された流量曲線内に含まれる（１以上の）設定点とは異なる（１以上の）異なる設定点についての第２の修正された流量曲線をもたらし得る。他の複数の実施例と組み合わされ得る一実施例では、（１以上の）異なる設定点が、修正された流量曲線を生成するための確認中に使用されなかった。（１以上の）同じ設定点及び／又は（１以上の）異なる設定点に対応する修正された流量を含む第２の修正された流量曲線は、修正された流量曲線と統合されて、新しい流量曲線を生成する。
[0038] コントローラ１９０は、複数の設定点にわたり修正された流量を、それぞれのＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄについて較正動作の以前の繰り返し中にコントローラ１９０によって収集された既存の流量データと比較し得る。
[0039] コントローラ１９０は、グラフ及び／又は表の形態でディスプレイ（ユーザインターフェースなど）上に以下のものを出力及び表示し得る。すなわち、複数の設定点、複数の設定点にわたる目標流量、複数の設定点にわたる測定された流量、複数の設定点にわたる流量比、及び／又は複数の設定点にわたる修正された流量である。
[0040] コントローラ１９０のメモリ１９２内に記憶されている指示命令は、本明細書で説明される動作に加えて実行され得る１以上の機械学習／人工知能アルゴリズムを含み得る。一実施例として、コントローラ１９０によって実行される機械学習／人工知能アルゴリズムは、較正動作を実施するためにＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄに優先順位を付ける。コントローラ１９０は、各ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄについての動作時間などの動作パラメータをモニタ及び記憶し、各ＭＦＣについての動作時間に従って、複数のＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄをランクリスト内にランク付けし得る。機械学習／人工知能アルゴリズムを使用して、ランクリストは継続的にモニタ及び更新され得る。機械学習／人工知能アルゴリズムは、ランクリストをモニタ及び更新するために、ＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄについての流量変化及び／又は動作不具合などの、以前の動作パラメータを考慮し得る。別の一実施例として、コントローラ１９０によって実行される機械学習／人工知能アルゴリズムは、プロセスレシピ及び／又はプロセスレシピ若しくは異なるプロセスレシピを使用して以前の処理動作中に記録されたデータに従って、複数の設定点及び終了流量を選択し得る。コントローラ１９０の機械学習／人工知能アルゴリズムは、処理チャンバ１００で以前に使用されたプロセスレシピを更にモニタ及び記憶し、記憶されたプロセスレシピは、複数の設定点及び終了流量を選択するために、機械学習／人工知能アルゴリズムによって使用され得る。
[0041] 機械学習／人工知能アルゴリズムは、複数の設定点をランク付けする第２のランクリストに従って、較正動作で使用される複数の設定点（プロセスレシピ内で使用される流量に対応する）に優先順位を付けることができる。
[0042] 図２は、一実施態様による、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）２００の概略断面図である。ＭＦＣ２００は、図１で示されているＭＦＣ１８１ａ～１８１ｄの各々として使用され得る。ＭＦＣ２００は、ガス源から入口２０７を通してガスを受け取る入口２０７を通して受け取られたガスは、バイパス２２０内に配置された流量制限デバイス２１１に遭遇する。センサデバイス２０４が、ＭＦＣ２００を通るガスの流量を測定するように構成されている。ガスが、センサデバイス２０４及び／又は制限デバイス２１１を通過すると、次いで、ガスは、流量制御バルブ２０６に遭遇する。流量制御バルブ２０６を通過した後で、ガスは、出口２２１を通って、バルブ１８７ａ～１８７ｄのうちの１つに流れる。流量制御バルブ２０６は、ピエゾアクチュエータ２２７及び金属ダイヤフラム２２８を含む。
[0043] ＭＦＣ２００は、コントローラ１９０に結合されている。ＭＦＣ２００は、流量入力信号２２３（例えば、較正動作中の目標流量を含む）をコントローラ１９０から受信し、流量出力信号２２４をコントローラ１９０に送信する。流量出力信号２２４は、センサデバイス２０４を使用して測定され得る。質量流量計１８６を使用して複数の設定点にわたり確認された測定された流量は、センサデバイス２０４を使用して測定された流量出力信号２２４とは異なり、別個のものである。ＭＦＣ２００は、電源から電力供給２２５を受け取る。
[0044] ドリフト又はシフトオンゼロに起因して、例えば、質量流量計１８６を使用して確認された測定された流量は、流量出力信号２２４よりも動作処理目的のために正確であり得る。
[0045] ＭＦＣ２００は、モジュール２３０を含む。モジュール２３０は、センサデバイス２０４に結合されたA／D変換器２３１、流量制御バルブ２０６に結合されたバルブ駆動回路２３２、及びCPU２３３を含む。モジュール２３０はまた、ドライバ／レシーバ２３４及びD／A‐A／D変換器２３５も含む。
[0046] 図３Ａは、一実施態様による、基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行する方法３００の概略ブロック図である。方法３００の動作３０２は、較正動作のために複数のＭＦＣに優先順位を付けることを含む。動作３０２の優先順位を付けることは、複数のＭＦＣの各ＭＦＣの動作時間を特定すること、及び、各ＭＦＣの動作時間に従って、複数のＭＦＣをランクリスト内にランク付けすることを含む。各ＭＦＣの動作時間は、それぞれのＭＦＣの前回の較正以後の、それぞれのＭＦＣがフローモードに設定されている合計時間である。複数のＭＦＣの各ＭＦＣの動作時間は、ランクリストにおいて最大動作時間から最小動作時間までランク付けされる。
[0047] 本開示は、ユーザが、較正動作のために複数のＭＦＣのサブセットを手作業で選択し得ることを考慮している。
[0048] 方法３００の動作３０４は、ランクリストに従って、基板処理システムのアイドル時間中に、複数のＭＦＣの較正動作を実行することを含む。アイドル時間とは、基板が基板処理システムの処理チャンバの処理空間の外側にある時間である。較正動作は、ランクリストに従って実行される。それによって、較正動作は、複数のＭＦＣの他のＭＦＣよりも前に、最大動作時間に対応する第１のＭＦＣについて行われる。第１のＭＦＣについて較正動作が行われた後で、アイドル時間中又は１以上の更なるアイドル時間中に、他のＭＦＣのうちの１以上について較正動作が行われる。複数のＭＦＣにわたり較正動作を行うことが、優先され、複数のアイドル時間にわたり調整され、複数のアイドル時間は、基板処理動作の異なる段階及び／又は基板処理動作が行われる異なる基板によって分離され得る。
[0049] 動作３０４の較正動作は、動作間隔で実行（例えば、トリガ）され得る。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、動作間隔が、処理される基板１０００枚ごとなどの、基板枚数間隔である。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、動作間隔が、アイドル時間が３０分を超える事象などの、アイドル時間間隔である。較正動作はまた、それぞれのＭＦＣについて既存の修正流量（較正動作の以前の繰り返しからの）を分析し、それぞれのＭＦＣのドリフトを予測することによっても、実行（例えば、トリガ）され得る。分析すること及び予測することは、コントローラ１９０の機械学習／人工知能アルゴリズムによって行われ得る。
[0050] 図３Ｂは、一実施態様による、図３Ａで示されている動作３０４の較正動作を実行することの概略ブロック図である。較正動作は、先ず、ランクリストの第１のＭＦＣに対して行われる。較正動作の動作３１２～３２４は、複数のＭＦＣの各ＭＦＣについて１つずつ、ランクリストの順序で、機械の１以上のアイドル時間中に繰り返され得る。
[0051] 動作３１２は、複数のＭＦＣの第１のＭＦＣをフローモードに設定して、第１のＭＦＣを通して目標流量でガスを流すことを含む。
[0052] 動作３１４は、ガスを質量流量計に導くことを含む。動作３１６は、ガスの目標流量を複数の設定点に対応する複数の流量に１つずつ変化させることを含む。複数の設定点に対応する複数の流量は、第１のＭＦＣの全動作範囲の最小流量及び最大流量を含み得る。複数の設定点に対応する複数の流量は、フローレシピの最小流量及び最大流量を含み得る。複数の流量は、減少する順序シーケンス、増加する順序シーケンス、及び／又はランダムな順序シーケンスで、通してステップされ得る。
[0053] 動作３１８は、質量流量計を使用して、複数の設定点の各々におけるガスの測定された流量を確認することを含む。終了流量及び複数の設定点は、ユーザによって選択され得るか、又はコントローラ（コントローラ１９０など）によって選択され得る。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、設定点及び終了流量が、処理動作（エピタキシャル堆積動作など）中に、それぞれの第１のＭＦＣについて使用されるプロセスレシピの複数の段階に対応する（例えば、それらに従って選択される）。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、動作３０２が、較正動作において使用される各ＭＦＣについての複数の設定点（プロセスレシピにおいて使用される流量に対応する）に優先順位を付けることを含む。複数の設定点は、複数の設定点をランク付けする第２のランクリストに従って優先順位が付けられる。第２のランクリストは、どれだけ頻繁に設定点が使用されるか及び／又はどれだけ最近に設定点が使用されたかに基づいて、複数の設定点をランク付けし得る。
[0054] 動作３２０は、複数の設定点の各設定点について、測定された流量と目標流量との間の流量比を特定することを含む。動作３２２は、複数の設定点の各設定点について、測定された流量を目標流量と実質的に等しくするように修正する修正された流量を特定することを含む。第１のＭＦＣでドリフトが発生した場合、修正された流量は、実際の流量（測定された流量）を目標流量と実質的に等しくするように修正することによって、ドリフトを修正する。各設定点の流量比は、測定された流量を目標流量で除算することによって特定される。各設定点について修正された流量は、目標流量を修正係数で除算することによって特定される。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、修正係数が流量比（比率）と等しい。各設定点についての修正係数が、複数点曲線においてプロットされ得る。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、修正係数が、流量比と、第１のＭＦＣの較正動作の１以上の以前の繰り返しにおいて計算された１以上の既存の比との平均である。
[0055] 第１の許容範囲外又は第１の許容範囲よりも狭い第２の許容範囲内であれば、特定された（１以上の）流量比は、無視され（例えば、修正係数特定から排除され）及び削除され得、並びに／又は、それらの流量比と等しい修正係数は、無視され及び削除され得る（例えば、第１のＭＦＣの動作中に使用されない）。（１以上の）流量比及び／又は修正係数は、第１の許容範囲内にあり且つ第２の許容範囲外にあれば、許容される。他の複数の実施例と組み合われ得る一実施例では、第１の許容範囲が０．７から１．３である。他の複数の実施例と組み合われ得る一実施例では、第２の許容範囲が０．９９５から１．００５である。他の第１及び第２の許容範囲も考慮されている。第１及び第２の許容範囲は、ユーザによって設定され得るか、及び／又は、例えば機械学習／人工知能アルゴリズムによって決定され得る。第１及び第２の許容範囲は、較正動作の以前の繰り返しからの既存の流量比データ及び／又は既存の修正係数データに対して履歴偏差操作（historical deviation operation）を行うことによって決定され得る。（１以上の）流量比が、第１の許容範囲外にあり又は第２の許容範囲内にある場合、警報が生成され、その警報をディスプレイに送ることなどによって、その警報がユーザに送られ得る。警報は、（１以上の）特定の流量比が、第１の許容範囲外にあるか又は第２の許容範囲内にあることを示し得る。
[0056] 動作３２４は、修正された流量曲線を有するグラフを生成することを含む。グラフを生成することは、複数の設定点の各設定点について修正された流量をグラフ内にプロットすることを含む。グラフを生成することはまた、滑らかな曲線フィッティングを使用してグラフ内の複数の設定点の各設定点について修正された流量を接続し、第１のＭＦＣについて修正された流量曲線を生成することも含む。グラフはまた、較正動作の以前の繰り返しから生成された第１のＭＦＣについての既存の流量曲線も含み得る。修正された流量曲線は、既存の流量曲線と比較され、いずれかが許容され又は拒絶され得る。許容された場合、修正された流量曲線は、修正された流量曲線と既存の流量曲線とを重み付けし、平均化することによって、既存の流量曲線と統合され、新しい流量曲線を生成する。
[0057] 修正された流量曲線と既存の流量曲線の重み付け及び平均化は、平均化の前に、修正された流量曲線の修正された流量と既存の流量曲線の既存の流量とに重みを割り当てることを含む。割り当てられた重みは、それぞれの設定点における、既存の流量の持続寿命（durational age）、及び既存の流量に対する修正された流量の比を考慮し得る。本開示は、０．７から１．３の第１の許容範囲外又は０．９９５から１．００５の第２の許容範囲内にある場合、それぞれのＭＦＣの修正された流量が、無視され（例えば、平均化から排除され）及び削除され得ることを考慮している。修正された流量は、その比率が第１の許容範囲内にあり且つ第２の許容範囲外にある場合、許容される。他の第１及び第２の許容範囲も考慮されている。第１及び第２の許容範囲は、ユーザによって設定され得るか、及び／又は、例えば機械学習／人工知能アルゴリズムによって決定され得る。第１及び第２の許容範囲は、較正動作の以前の繰り返しからの既存の比率データに対して履歴偏差操作を実行することによって決定され得る。その比率が、第１の許容範囲外にあり又は第２の許容範囲内にある場合、警報が生成され、その警報をディスプレイに送ることなどによって、その警報がユーザに送られ得る。警報は、その比率が、第１の許容範囲外にあるか又は第２の許容範囲内にあることを示し得る。ユーザは、第１の許容範囲外にあるか又は第２の許容範囲内にある比率を削除するかどうか選択し得る。
[0058] 他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、修正された流量曲線（許容された場合）が、各設定点における修正係数をグローバル修正係数と重み付け及び平均化することによって、複数の設定点にわたるグローバル修正係数と統合される。グローバル修正係数は、動作３０４の較正動作と同様な以前の単一の設定点較正動作を使用して特定され得る。
[0059] 許容された場合、新しい流量曲線は、それぞれのＭＦＣを動作させるために使用され得る。修正された流量曲線が、既存の流量曲線と異なる場合、修正された流量曲線が拒絶され得る。修正された流量曲線が拒絶された場合、既存の流量曲線が、それぞれのＭＦＣを動作させるために使用され得る。修正された流量曲線が許容され、既存の流量曲線が存在しない場合、修正された流量曲線が、それぞれのＭＦＣを動作させるために使用され得る。
[0060] 修正された流量曲線、既存の低い曲線（low curve）、及び／又は新しい流量曲線が、グラフ及び／又は表の形態で、ディスプレイ（ユーザインターフェースなど）上に出力され、表示され得る。
[0061] 図３Ａを参照すると、方法３００の動作３０６は、基板処理動作（エピタキシャル堆積動作など）中に、複数のＭＦＣのうちの１以上（第１のＭＦＣなど）を動作させることを含む。動作される各ＭＦＣは、新しい流量曲線（選択された場合）、修正された流量曲線（選択された場合）、既存の流量曲線（選択された場合）、又はグローバル修正係数（選択された場合）に従って動作される。複数のＭＦＣのうちの１以上は、基板処理動作が摂氏２００度から摂氏８００度の範囲にある温度で行われている間に動作される。それぞれのＭＦＣは、動作設定点に対応する修正された流量を使用して、動作設定点にわたり動作される。修正された流量は、（どの曲線が選択されるかに応じて）曲線のうちの１つに沿って配置される。修正された流量は、それぞれのＭＦＣの全動作範囲に沿った任意の場所などの、修正された流量曲線に沿った任意の場所で特定され得る。一実施例として、第２の設定点に対応する第２の修正された流量が特定され得る。第２の設定点は、動作設定点のうちの１つであり得る。第２の設定点に対応する第２の修正された流量は、修正された流量曲線に沿って配置され、複数の設定点とは異なり、すなわち、第２の設定点は確認のために複数の設定点のうちの１つとして使用されなかった。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、第２の設定点が、複数の設定点のうちの２つの設定点の間にある。他の複数の実施形態と組み合わされ得る一実施形態では、第２の設定点が、複数の設定点の外側にある。
[0062] 本開示は、基板処理動作中にそれぞれのＭＦＣの動作における修正された流量曲線及び／又は新しい流量曲線を未だ実装することなく、修正された流量曲線（修正された流量を有する）及び／又は新しい流量曲線（新しい流量を有する）が、データ収集モードで生成され、メモリ内に記憶され得ることを考慮している。
[0063] 図４は、一実施態様による、グラフ４００の概略図である。グラフ４００のＸ軸は、目標流量（分当たりの標準立方センチメートル（SCCM）における）を含み、グラフ４００のY軸は、修正された流量（SCCMにおける）を含む。既存の流量曲線４１０及び修正された流量曲線４３０が、グラフ４００内にプロットされている。既存の流量曲線４１０は、複数の設定点４１１ａ～４１１ｄを含み、滑らかな曲線フィッティングを使用して、湾曲したフィッティングライン４１２が、設定点４１１ａ～４１１ｄを通って延在する。修正された流量曲線４３０は、複数の設定点４３１ａ～４３１ｋを含み、滑らかな曲線フィッティングを使用して、湾曲したフィッティングライン４３２が、設定点４３１ａ～４３１ｋ通って延在する。
[0064] 本開示は、重み付け及び平均化によって、修正された流量曲線４３０と既存の流量曲線４１０とを統合する（方法３００の動作３２４に関して説明されたように）ことが、特定の目標流量における特定の設定点を、特定の目標流量に配置された湾曲したフィッティングライン４１２、４３２のうちの一方に沿った点と統合することを含み得ることを考慮している。一実施例として、設定点４１１ｂにおける既存の流量は、設定点４１１ｂの目標流量において配置された垂直軸４５０に沿った、設定点４１１ｂと垂直に整列した湾曲したフィッティングライン４３２に沿って配置された修正された流量と、重み付け及び平均化され得る。設定点４１１ｂにおける既存の流量は、湾曲したフィッティングライン４３２に沿って配置された修正された流量と重み付け及び平均化されて、設定点４１１ｂにおける新しい修正された流量を計算することができる。
[0065] 本開示の複数の利点には、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）を自動的に修正すること、動作流量範囲にわたりＭＦＣを正確に修正すること、過剰な修正及び過小な修正の可能性の低減、様々なＭＦＣに対する適用性のモジュール化、コスト及び人的労力の支出の低減、機械のダウンタイムの低減、動作遅延の短縮、正確な堆積及び強化された堆積の均一性、並びにスループットの向上が含まれる。
[0066] 一実施例として、アイドル時間中にＭＦＣを１つずつ較正すること、及び較正動作のために複数のＭＦＣに優先順位を付けることによって、機械のダウンタイムの低減やスループットの向上が促進される。別の一実施例として、修正された流量曲線（修正された流量を有する）を、既存の流量曲線（既存の流量を有する）と統合することによって、ＭＦＣの正確な較正及び修正が容易になる。このような複数の態様は、効率の向上、スループットの向上、及び機械のダウンタイムの低減に関して、予想外の結果をもたらすと考えられている。
[0067] 本明細書で開示される１以上の態様は組み合わされてよいと考えられる。一実施例として、基板処理システム１０１、ＭＦＣ２００、方法３００、動作３０４、及び／又はグラフ４００の、１以上の態様、特徴、構成要素、及び／又は特性が、組み合わされてよい。更に、本明細書で開示される１以上の態様は、前述された利点の一部又は全部を含んでよいことが考慮されている。
[0068] 上記は本開示の複数の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態を考案してもよい。本開示はまた、本明細書で説明される実施形態の１以上の態様が、説明されている他の態様のうちの１以上で置換され得ることも考慮している。本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって規定される。

Claims (20)

  1. 基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行する方法であって、
    前記較正動作のために前記複数のＭＦＣに優先順位を付けることであって、
    前記複数のＭＦＣの各ＭＦＣの動作時間を特定すること、及び
    各ＭＦＣの前記動作時間に従って、前記複数のＭＦＣをランクリスト内にランク付けすることを含む、優先順位を付けることと、
    前記ランクリストに従って、前記基板処理システムのアイドル時間中に、前記複数のＭＦＣの前記較正動作を実行することとを含み、前記較正動作は、
    第１のＭＦＣをフローモードに設定して、前記第１のＭＦＣを通して目標流量でガスを流すこと、
    前記ガスを質量流量計に導くこと、
    前記ガスの前記目標流量を、複数の設定点に対応する複数の流量に１つずつ変化させること、及び
    前記質量流量計を使用して、前記複数の設定点の各々における前記ガスの測定された流量を確認することを含む、方法。
  2. 前記アイドル時間は、基板が前記基板処理システムの処理チャンバの処理空間の外側にある時間である、請求項１に記載の方法。
  3. 前記較正動作は、前記複数の設定点の各設定点について、
    前記目標流量に対する前記測定された流量の流量比を特定すること、及び
    前記測定された流量を修正する修正された流量を特定することを更に含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記流量比が、第１の許容範囲外にあるか又は前記第１の許容範囲よりも狭い第２の許容範囲内にある場合、前記修正された流量は無視される、請求項３に記載の方法。
  5. 前記較正動作は、
    前記複数の設定点の各設定点について前記修正された流量をグラフ内にプロットすること、及び
    滑らかな曲線フィッティングを使用して、前記グラフ内の前記複数の設定点の各設定点について前記修正された流量を接続し、前記第１のＭＦＣについて修正された流量曲線を生成することを更に含む、請求項４に記載の方法。
  6. 前記修正された流量曲線に沿って配置された第２の設定点であって、前記複数の設定点とは異なる第２の設定点に対応する第２の修正された流量を特定することを更に含む、請求項５に記載の方法。
  7. 各ＭＦＣの前記動作時間は、それぞれの前記ＭＦＣについての前回の較正以後の、それぞれの前記ＭＦＣがフローモードに設定されている合計時間であり、前記複数のＭＦＣの各ＭＦＣの前記動作時間は、前記ランクリストにおいて最大動作時間から最小動作時間までランク付けされる、請求項１に記載の方法。
  8. 前記較正動作は、前記複数のＭＦＣの他のＭＦＣよりも前に、前記最大動作時間に対応する前記第１のＭＦＣについて実行されるように、前記ランクリストに従って実行される、請求項７に記載の方法。
  9. 指示命令を含む、基板処理システムの複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）の較正動作を実行するための非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記指示命令は、実行されると、複数の動作を実行させ、前記複数の動作は、
    前記較正動作のために前記複数のＭＦＣに優先順位を付けることであって、
    前記複数のＭＦＣの各ＭＦＣの動作時間を特定すること、及び
    各ＭＦＣの前記動作時間に従って、前記複数のＭＦＣをランクリスト内にランク付けすることを含む、優先順位を付けることと、
    前記ランクリストに従って、前記基板処理システムのアイドル時間中に、前記複数のＭＦＣの前記較正動作を実行することとを含み、前記較正動作は、
    第１のＭＦＣをフローモードに設定して、前記第１のＭＦＣを通して目標流量でガスを流すこと、
    前記ガスを質量流量計に導くこと、
    前記ガスの前記目標流量を、複数の設定点に対応する複数の流量に１つずつ変化させること、及び
    前記質量流量計を使用して、前記複数の設定点の各々における前記ガスの測定された流量を確認することを含む、非一時的なコンピュータ可読媒体。
  10. 前記アイドル時間は、基板が前記基板処理システムの処理チャンバの処理空間の外側にある時間である、請求項９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
  11. 前記較正動作は、前記複数の設定点の各設定点について、
    前記目標流量に対する前記測定された流量の流量比を特定すること、及び
    前記測定された流量を修正する修正された流量を特定することを更に含む、請求項９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
  12. 前記流量比が、第１の許容範囲外にあるか又は前記第１の許容範囲よりも狭い第２の許容範囲内にある場合、前記修正された流量は無視される、請求項１１に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
  13. 前記較正動作は、
    前記複数の設定点の各設定点について前記修正された流量をグラフ内にプロットすること、及び
    滑らかな曲線フィッティングを使用して、前記グラフ内の前記複数の設定点の各設定点について前記修正された流量を接続し、修正された流量曲線を生成することを更に含む、請求項１２に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
  14. 前記較正動作は、
    前記修正された流量曲線に沿って配置された第２の設定点であって、前記複数の設定点とは異なる第２の設定点に対応する第２の修正された流量を特定することを更に含む、請求項１３に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
  15. 各ＭＦＣの前記動作時間は、それぞれの前記ＭＦＣについての前回の較正以後の、それぞれの前記ＭＦＣがフローモードに設定されている合計時間であり、前記複数のＭＦＣの各ＭＦＣの前記動作時間は、前記ランクリストにおいて最大動作時間から最小動作時間までランク付けされる、請求項９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
  16. 前記較正動作は、前記複数のＭＦＣの他のＭＦＣよりも前に、前記最大動作時間に対応する前記第１のＭＦＣについて実行されるように、前記ランクリストに従って実行される、請求項１５に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
  17. 処理空間を含む処理チャンバ、
    前記処理チャンバに結合されたガス回路であって、複数の質量流量コントローラ（ＭＦＣ）を備えるガス回路、
    前記処理チャンバと前記複数のＭＦＣとの間に結合された１以上の供給ライン、
    前記複数のＭＦＣと質量流量計との間に結合された分流ライン、並びに
    指示命令を含むコントローラを備える、基板処理システムであって、前記指示命令は、実行されると、複数の動作を実行させ、前記複数の動作は、
    較正動作のために前記複数のＭＦＣに優先順位を付けることであって、
    前記複数のＭＦＣの各ＭＦＣの動作時間を特定すること、及び
    各ＭＦＣの前記動作時間に従って、前記複数のＭＦＣをランクリスト内にランク付けすることを含む、優先順位を付けることと、
    前記ランクリストに従って、前記基板処理システムのアイドル時間中に、前記複数のＭＦＣの前記較正動作を実行することとを含み、前記較正動作は、
    第１のＭＦＣをフローモードに設定して、前記第１のＭＦＣを通して目標流量でガスを流すこと、
    前記ガスを前記質量流量計に導くこと、
    前記ガスの前記目標流量を、複数の設定点に対応する複数の流量に１つずつ変化させること、及び
    前記質量流量計を使用して、前記複数の設定点の各々における前記ガスの測定された流量を確認することを含む、基板処理システム。
  18. 前記アイドル時間は、基板が前記処理チャンバの前記処理空間の外側にある時間である、請求項１７に記載の基板処理システム。
  19. 前記較正動作は、前記複数の設定点の各設定点について、
    前記目標流量に対する前記測定された流量の流量比を特定すること、及び
    前記測定された流量を修正する修正された流量を特定することを更に含む、請求項１７に記載の基板処理システム。
  20. 各ＭＦＣの前記動作時間は、それぞれの前記ＭＦＣの前回の較正以後の、それぞれの前記ＭＦＣがフローモードに設定されている合計時間である、請求項１７に記載の基板処理システム。
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