JP7504573B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
近年、半導体デバイスの更なる薄型化やコストダウンが求められている。そこで、半導体デバイスを支持する基板上において、半導体デバイスを一括で製造することが行われてきている。半導体デバイスを支持する基板（支持基板）として、例えば、半導体用ウェーハや液晶パネル用ガラス基板を用いて、配線形成やチップ載置、モールド封止などの各種処理が支持基板の接着層上に行われ、接着層上に半導体デバイスが形成される。その後、形成された半導体デバイスから支持基板が剥離される。支持基板の剥離工程では、例えば、半導体デバイスと支持基板との間の接着層をレーザ照射により劣化させ、半導体デバイスから支持基板を剥離する。 In recent years, there has been a demand for semiconductor devices to be made thinner and more cost-effective. To address this, semiconductor devices have been manufactured in bulk on a substrate that supports the semiconductor devices. For example, a semiconductor wafer or a glass substrate for liquid crystal panels is used as the substrate (support substrate) that supports the semiconductor devices, and various processes such as wiring formation, chip placement, and mold sealing are performed on the adhesive layer of the support substrate, and the semiconductor device is formed on the adhesive layer. The support substrate is then peeled off from the formed semiconductor device. In the support substrate peeling process, for example, the adhesive layer between the semiconductor device and the support substrate is deteriorated by laser irradiation, and the support substrate is peeled off from the semiconductor device.
剥離工程が行われるのに先立ち、最終的に半導体デバイスを個々のチップに切り離すために、支持基板と反対の半導体デバイス側の面に粘着テープであるダイシングテープが貼り付けられる。貼り付けられるダイシングテープには、搬送や支持を行うためのリングが、ダイシングテープ上の支持基板及び半導体デバイスを囲むようにダイシングテープに貼り付けられる。したがって、ダイシングテープの粘着面（粘着性を有する面）の中央領域が支持基板及び半導体デバイスにより覆われ、ダイシングテープの粘着面の外縁領域が環状のリングにより覆われる。ダイシングテープの粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域（半導体デバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面）は露出する。 Prior to the peeling step, an adhesive dicing tape is applied to the surface of the semiconductor device opposite the support substrate in order to finally separate the semiconductor device into individual chips. A ring for transport and support is attached to the dicing tape so as to surround the support substrate and semiconductor device on the dicing tape. Thus, the central region of the adhesive surface (adhesive surface) of the dicing tape is covered by the support substrate and semiconductor device, and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape is covered by the annular ring. The annular region between the central region and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape (the adhesive surface of the dicing tape between the semiconductor device and the ring) is exposed.
剥離工程により半導体デバイスから支持基板を剥離したあとは、ダイシングテープ上に半導体デバイスのみが貼り付いた状態となる。また、支持基板上に半導体デバイスを形成するので、一括に形成される半導体デバイスは支持基板と同様の外形で形成される。すなわち、半導体用ウェーハを支持基板とした場合、半導体デバイスの外形は半導体ウェーハ同様の円盤状となる。以降、円盤状に形成された半導体デバイスを例に説明する。また、半導体デバイスを単にデバイス（あるいは基板）と称する。 After the support substrate is peeled off from the semiconductor device in the peeling process, only the semiconductor device remains attached to the dicing tape. In addition, since the semiconductor device is formed on the support substrate, the semiconductor device formed at once has the same outer shape as the support substrate. In other words, when a semiconductor wafer is used as the support substrate, the outer shape of the semiconductor device is disc-shaped like the semiconductor wafer. Hereinafter, a semiconductor device formed in a disc shape will be used as an example. In addition, the semiconductor device will be simply referred to as a device (or substrate).
デバイスから支持基板が剥離された際には、接着層である接着物（例えば、カーボン）がデバイスに残留する。このため、残留した接着物をデバイスから除去する必要が生じる。接着物の除去工程では、例えば、複数のチャックピン（固定部材）によりリングを上から押え、デバイスをリング及びダイシングテープと共にテーブルに固定する。そして、デバイスの中心を回転中心としてデバイスをダイシングテープ及びリングと共に水平面内で回転させ、デバイスの中心付近に溶剤などの洗浄液（処理液の一例）を供給し、デバイスの中心付近に供給した洗浄液をデバイス全面（周方向）に広げるとともにデバイスから排出し、デバイスから接着物を除去する。 When the support substrate is peeled off from the device, the adhesive layer (e.g., carbon) remains on the device. This makes it necessary to remove the remaining adhesive from the device. In the adhesive removal process, for example, the ring is pressed from above with multiple chuck pins (fixing members) and the device, together with the ring and dicing tape, is fixed to a table. The device is then rotated in a horizontal plane together with the dicing tape and ring around the center of the device as the center of rotation, and a cleaning liquid such as a solvent (an example of a processing liquid) is supplied near the center of the device. The cleaning liquid supplied near the center of the device is spread over the entire surface (circumferential direction) of the device and discharged from the device, removing the adhesive from the device.
デバイスから除去された接着物は洗浄液と共にデバイスから排出されるが、排出された接着物がチャックピンあるいはデバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面に付着することがある。接着物が付着すると、搬送工程やダイシング工程などにおいて、チャックピン又はダイシングテープから離れてデバイス（基板）に付着して、デバイスが汚染されるため、デバイス品質、すなわち基板品質が低下する。 The adhesive material removed from the device is discharged from the device together with the cleaning fluid, but the discharged adhesive material may adhere to the chuck pin or the adhesive surface of the dicing tape between the device and the ring. If the adhesive material adheres, it will come off the chuck pin or dicing tape and adhere to the device (substrate) during the transport process or dicing process, contaminating the device and reducing the device quality, i.e., the substrate quality.
本発明が解決しようとする課題は、基板品質を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。 The problem that the present invention aims to solve is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can improve substrate quality.
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物を支持するテーブルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記テーブルを回転させる回転機構と、
を備え、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって移動しつつ前記処理液を吐出する移動ノズルと、
を有し、
前記移動ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記移動ノズルを前記処理対象物の内側から外側に向かう移動及び前記処理液の吐出を開始する。
The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes:
a table for supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring;
a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid for processing the adhesion material present on the substrate to the processing object supported by the table;
A rotation mechanism that rotates the table;
Equipped with
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
a moving nozzle that ejects the processing liquid while moving from the inside to the outside of the processing object supported by the table;
having
The moving nozzle begins moving from the inside to the outside of the processing object and spraying the processing liquid at a predetermined timing after a liquid film of the processing liquid sprayed from the nozzle has been formed on the upper surface of the substrate and the adhesive material has melted in the processing liquid, causing the adhesive material to peel off from the substrate and float.
本発明の実施形態に係る基板処理方法は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物をテーブルにより支持する工程と、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
を有し、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって移動しつつ前記処理液を吐出する移動ノズルと、
を有し、
前記移動ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記処理対象物の内側から外側に向かう移動及び前記処理液の吐出を開始する。
A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes:
A step of supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring by a table;
supplying a treatment liquid for treating the adhesive material present on the substrate to the treatment object supported by the table by a treatment liquid supply unit;
having
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
a moving nozzle that ejects the processing liquid while moving from the inside to the outside of the processing object supported by the table;
having
The moving nozzle begins moving from the inside to the outside of the processing object and ejecting the processing liquid at a predetermined timing after a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle has been formed on the upper surface of the substrate, whereby the adhesive material melts in the processing liquid and peels off from the substrate and floats away.
本発明の実施形態によれば、基板品質を向上させることができる。 Embodiments of the present invention can improve substrate quality.
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態について図１から図７を参照して説明する。
First Embodiment
The first embodiment will be described with reference to FIGS.
（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、テーブル２０と、回転機構（回転駆動部）３０と、処理液供給部４０と、液供給部５０と、制御部６０とを備えている。
(Basic configuration)
As shown in FIG. 1, the
処理対象物Ｗは、図１及び図２に示すように、基板（例えば、デバイス）Ｗ１と、リングＷ２と、ダイシングテープＷ３とを有している。基板Ｗ１は、ダイシングテープＷ３の中央に貼り付けられる。リングＷ２は、環状に形成されており、ダイシングテープＷ３上の基板Ｗ１の周囲を囲むようにダイシングテープＷ３に貼り付けられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面の中央領域が基板Ｗ１により覆われ、ダイシングテープＷ３の粘着面の外縁領域が環状のリングＷ２により覆われている。このため、ダイシングテープＷ３の粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域、すなわち基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の上面は露出している。 As shown in Figures 1 and 2, the processing object W has a substrate (e.g., a device) W1, a ring W2, and a dicing tape W3. The substrate W1 is attached to the center of the dicing tape W3. The ring W2 is formed in an annular shape and is attached to the dicing tape W3 so as to surround the periphery of the substrate W1 on the dicing tape W3. Therefore, the central region of the adhesive surface of the dicing tape W3 is covered by the substrate W1, and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape W3 is covered by the annular ring W2. Therefore, the annular region between the central region and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape W3, i.e., the upper surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2, is exposed.
テーブル２０は、本体２１と、支持体２２と、複数のチャックピン２３とを有している。このテーブル２０は、カップ（不図示）により囲われており、カップ内の略中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に回転機構３０上に設けられている。テーブル２０は、例えば、スピンテーブルと呼ばれる。
The table 20 has a
本体２１は、中央が円柱状に盛り上がる凸形状に形成されている。この本体２１の凸部の上面は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１の下面にダイシングテープＷ３を介して対向した状態で基板Ｗ１を支持する。支持体２２は、環状に形成されており、本体２１の凸部（突出部）を囲むように本体２１の環状の平坦部に設けられている。この支持体２２は、処理対象物ＷのリングＷ２の下面にダイシングテープＷ３を介して対向した状態でリングＷ２を支持する。各チャックピン２３は、それぞれ偏心回転可能に本体２１の環状の平坦部に設けられている。これらのチャックピン２３は、それぞれ同期して偏心回転することで、処理対象物ＷのリングＷ２の外周面を内側に押しつつ、処理対象物Ｗを水平状態に保持する。このとき、処理対象物Ｗの中心は、テーブル２０の回転軸上に位置付けられる。
The
このテーブル２０は、本体２１及び支持体２２により処理対象物Ｗを支持し、各チャックピン２３により本体２１及び支持体２２に固定して、処理対象物ＷのリングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さより低くなるように（例えば２ｍｍ程度の数ｍｍ低くなるように）処理対象物Ｗを支持する。
This table 20 supports the processing object W with a
回転機構３０は、テーブル２０を支持するように設けられ、そのテーブル２０を水平面（平面の一例）内で回転させるように構成されている。この回転機構３０は、回転軸３１と、モータ３２とを有している。回転軸３１の一端はテーブル２０の下方の中央に連結されており、回転軸３１の他端はモータ３２に連結されている。モータ３２はその回転軸３１を回転させる。回転機構３０は、モータ３２の駆動により回転軸３１を介してテーブル２０を水平面内で回転させる。
The
処理液供給部４０は、ノズル４１と、複数の移動ノズル４２とを有している。図２の例では、六本の移動ノズル４２が設けられているが、移動ノズル４２の数は特に限定されるものではない。処理液供給部４０は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近の上方（例えば、基板Ｗ１の中央付近の直上）にノズル４１を位置付け、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近にノズル４１から第１の処理液（例えば、ｐ－メンタンやシクロペンタノンなどの溶剤）や第２の処理液（例えば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコール）を供給する。また、処理液供給部４０は、ノズル４１の周囲に各移動ノズル４２を位置付け、その位置からテーブル２０上の処理対象物Ｗの外側に向けて各移動ノズル４２を移動させつつ各移動ノズル４２から第１の処理液を吐出させ、テーブル２０上の処理対象物Ｗに第１の処理液を供給する。なお、第１の処理液は、例えば、ＤＩＷ（超純水）と非相溶性の液体であり、基板Ｗ１に残留した接着物を基板Ｗ１から剥離するための液体である。
The processing
ノズル４１は、例えば、ノズル移動機構（不図示）によりテーブル２０の上方をテーブル２０上の処理対象物Ｗに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。このノズル４１は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの中央付近に対向し、停止した状態で処理対象物Ｗの中央付近（中央を含む中央領域）に向けて処理液を吐出する。ノズル４１には、基板処理装置１０外の二つのタンク（不図示）から二種類の処理液（第１の処理液及び第２の処理液）が供給される。ノズル４１から吐出される第１の処理液の吐出量は調整弁４１ａの開度調整により変更され、ノズル４１から吐出される第２の処理液の吐出量は調整弁４１ｂの開度調整により変更される。
The
各移動ノズル４２は、ノズル４１の周囲に円環状に位置付けられ（図２参照）、例えば、ノズル移動機構（不図示）によりそれぞれテーブル２０の上方をテーブル２０上の処理対象物Ｗに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、複数のリニアガイドが用いられる。各移動ノズル４２は、それぞれテーブル２０上の処理対象物Ｗの内側から外側に向かって、例えば、テーブル２０上の処理対象物Ｗの中央付近から外周付近まで放射状に移動しつつ（図２参照）、処理対象物Ｗに向けて第１の処理液を吐出する。各移動ノズル４２には、それぞれ基板処理装置１０外の一つのタンク（不図示）から第１の処理液が供給される。各移動ノズル４２からそれぞれ吐出される第１の処理液の吐出量は調整弁４２ａの開度調整により変更される。なお、移動ノズル４２が移動する速さは、基板Ｗ１から接着物を排出させるのに最適な速さに設定されている。この最適な速さは、予め実験などで求められている。
Each moving
液供給部５０は、第１のノズル５１と、第２のノズル５２とを有している。この液供給部５０は、テーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面の上方（例えば、リングＷ２の上面の直上）に第１のノズル５１を位置付け、そのリングＷ２の上面に第１のノズル５１から液体（例えば、ＤＩＷ）を供給する。また、液供給部５０は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部の上方（例えば、基板Ｗ１の外周面の直上）に第２のノズル５２を位置付け、その基板Ｗ１の外周端部に第２のノズル５２から液体（例えば、ＤＩＷ）を供給する。この液体は、第１の処理液に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい（第１の処理液よりも密度が大きい）ものである。
The
第１のノズル５１及び第２のノズル５２は、例えば、それぞれノズル移動機構（不図示）によりテーブル２０の上方をテーブル２０上の処理対象物Ｗに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。第１のノズル５１は、テーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に対向し、その上面に向けて液体を吐出する。第２のノズル５２は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に対向し、その外周端部に向けて液体を吐出する。第１のノズル５１及び第２のノズル５２の水平離間距離は、例えば２００ｍｍ程度である。これらの第１のノズル５１及び第２のノズル５２には、基板処理装置１０外のタンク（不図示）から液体が供給される。第１のノズル５１から吐出される液体の吐出量は調整弁５１ａの開度調整により変更され、第２のノズル５２から吐出される液体の吐出量は調整弁５２ａの開度調整により変更される。
The
制御部６０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも不図示）を具備している。この制御部６０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて、テーブル２０の各チャックピン２３による処理対象物保持動作、回転機構３０によるテーブル２０の回転動作、処理液供給部４０による処理液供給動作、液供給部５０による液供給動作などの制御を行う。例えば、モータ３２は制御部６０に電気的に接続されており、その駆動は制御部６０により制御される。また、各調整弁４１ａ、４１ｂ、４２ａ、５１ａ、５２ａは、例えば、電磁弁であり、制御部６０に電気的に接続されており、その駆動は制御部６０により制御される。
The
（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理工程の流れについて説明する。この基板処理工程は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１上に残留した接着物を除去する工程である。なお、下記の各種数値はあくまでも例示である。
(Substrate processing process)
Next, a description will be given of the flow of the substrate processing process performed by the
図３に示すように、例えば、ステップ１から６までの工程が連続して実行される。第１の処理液としては溶剤（洗浄液の一例）が用いられ、第２の処理液としてはＩＰＡが用いられ、液体としてはＤＩＷが用いられる。なお、処理対象物Ｗは各チャックピン２３によりテーブル２０に固定され、基板処理工程中、テーブル２０は回転している。テーブル２０の回転数や処理時間は制御部６０により変更される。また、各ノズル４１、４２、５１、５２の個々の吐出量は、各調整弁４１ａ、４１ｂ、４２ａ、５１ａ、５１ｂが制御部６０により制御されて変更される。
As shown in FIG. 3, for example, steps 1 to 6 are performed consecutively. A solvent (an example of a cleaning liquid) is used as the first processing liquid, IPA is used as the second processing liquid, and DIW is used as the liquid. The processing object W is fixed to the table 20 by each
ステップ１では、ＤＩＷが第１のノズル５１から吐出され、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に供給される。このステップ１では、第１のノズル５１から吐出されるＤＩＷの吐出量は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第１の回転数）は２０ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は１０ｓである。
In
ＤＩＷの吐出量はチャックピン２３の上部及びチャックピン２３の周囲を被液できる量であり、基板Ｗ１上には供給されない量であることが望ましい。また、テーブル２０の回転数（回転速度）は、ＤＩＷを液膜の状態で保持できる回転速度に設定されている。ＤＩＷは、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に到達し、リングＷ２の上面に広がる。このとき、リングＷ２は回転しており、リングＷ２の上面に供給されたＤＩＷは、リングＷ２の外側及び内側に広がる。この時のテーブル２０の単位時間当たりの回転数、すなわち、処理対象物ＷのリングＷ２の単位時間当たりの回転数（第１の回転数）は、リングＷ２の上面における遠心力の働きが弱い回転数であるため、第１のノズル５１から吐出されて処理対象物ＷのリングＷ２の上面に到達したＤＩＷが、回転するテーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に流れるように設定されている。また、処理時間は、設定されたＤＩＷの吐出量により基板Ｗ１とリングＷ２の間を被液するのに要する時間に設定されている。例えば、処理時間は、設定されたＤＩＷの吐出量が３８０ｍｌ／ｍｉｎとすると１０ｓである。ＤＩＷの吐出量、テーブル２０の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。
The amount of DIW discharged is preferably an amount that can cover the upper part of the
ステップ１において、図４に示すように、第１のノズル５１から吐出されたＤＩＷ（図４中のクロスハッチングによる塗りつぶし領域により示す）は、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に到達し、リングＷ２の外側及びリングＷ２の内側（基板Ｗ１側）に広がる。このため、リングＷ２の内側に広がるＤＩＷは、基板Ｗ１とリングＷ２との間に流れ込み、基板Ｗ１、リングＷ２及びダイシングテープＷ３により囲まれる環状の空間に溜まる。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面にはＤＩＷの液膜が形成され、また、リングＷ２の上面にもＤＩＷの液膜が形成される。
In
ステップ２では、溶剤がノズル４１から吐出され、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給され、また、ＤＩＷが第１のノズル５１から吐出され（ステップ１から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に供給される。このステップ２では、第１のノズル５１から吐出されるＤＩＷの吐出量は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第１の回転数）は２０ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は２４０ｓである。なお、ノズル４１から吐出される溶剤の吐出量は４８０ｍｌ／ｍｉｎである（不図示）。
In
テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上に溶剤を液膜の状態で保持できる回転速度に設定されているため、接着物を溶剤に反応させやすくなる。処理時間は、溶剤が後述するレーザ吸収層を溶解するために要する時間に設定されている。溶剤の吐出量は、前述の設定された処理時間内に、レーザ吸収層を十分に溶かすことができる供給量に設定されている。テーブル２０の回転数、処理時間及び溶剤の吐出量は、予め実験などで求められ設定されている。 The number of rotations (rotation speed) of the table 20 is set to a rotation speed that can keep the solvent in a liquid film state on the substrate W1, making it easier for the adhesive to react with the solvent. The processing time is set to the time required for the solvent to dissolve the laser absorption layer described below. The amount of solvent discharged is set to a supply amount that can sufficiently dissolve the laser absorption layer within the aforementioned set processing time. The number of rotations of the table 20, the processing time, and the amount of solvent discharged are determined and set in advance through experiments, etc.
ステップ２において、図５に示すように、処理対象物Ｗの基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面にＤＩＷの液膜が存在した状態で、ノズル４１から吐出された溶剤（図５中のドットによる塗りつぶし領域により示す）は、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に到達し、処理対象物Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗ１の上面の全体に広がる。基板Ｗ１の上面には溶剤の液膜が形成され、基板Ｗ１上に存在する接着物（図４中の基板Ｗ１上の太黒線により示す）が溶剤によって徐々に溶融される。ステップ２は、基板Ｗ１上の接着物を溶融するためのステップである。接着物は溶融し、基板Ｗ１から剥がれる。基板Ｗ１から剥がれた接着物は、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する。なお、基板Ｗ１上の接着物は、溶融の進行が速い部分から先に剥がれていき、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊することになる。
In
ここで、例えば、接着物は、レーザ吸収層が基板Ｗ１上に積層され、基板Ｗ１上のレーザ吸収層上にレーザ反応層が積層されて構成されている。基板Ｗ１側のレーザ吸収層が溶剤により溶かされ、接着物は基板Ｗ１から剥がされて除去される。支持基板の剥離工程前において、デバイス（基板Ｗ１）は接着層を介して支持基板に支持されている。この接着層は２層構造（レーザ反応層とレーザ吸収層）である。支持基板との剥離時は、支持基板側からレーザを照射すると、レーザ光により反応層が破壊される。レーザ吸収層によりレーザ光は、吸収されてデバイス側には影響を与えないようにしている。レーザ反応層が破壊されると、支持基板を剥離することができる。デバイス側には、破壊されたレーザ反応層及びレーザ吸収層、すなわち、接着層が残る状態になる。デバイスは破壊された接着層の上部（レーザ反応層）が上面で露出した状態でダイシングテープＷ３に支持される状態となる。第１の処理液である溶剤は、この２層の接着層にうち、レーザ吸収層を溶解させ、レーザ吸収層の上に形成するレーザ反応層ごと一緒に除去する。 Here, for example, the adhesive is configured by laminating a laser absorption layer on the substrate W1, and laminating a laser reaction layer on the laser absorption layer on the substrate W1. The laser absorption layer on the substrate W1 side is dissolved by a solvent, and the adhesive is peeled off and removed from the substrate W1. Before the support substrate peeling process, the device (substrate W1) is supported on the support substrate via an adhesive layer. This adhesive layer has a two-layer structure (laser reaction layer and laser absorption layer). When peeling off the support substrate, when a laser is irradiated from the support substrate side, the reaction layer is destroyed by the laser light. The laser light is absorbed by the laser absorption layer so that it does not affect the device side. When the laser reaction layer is destroyed, the support substrate can be peeled off. The destroyed laser reaction layer and laser absorption layer, i.e., the adhesive layer, remain on the device side. The device is supported by the dicing tape W3 with the upper part of the destroyed adhesive layer (laser reaction layer) exposed on the upper surface. The first processing liquid, a solvent, dissolves the laser absorption layer in the two adhesive layers and removes it together with the laser reaction layer that is formed on top of the laser absorption layer.
また、ステップ２において、第１のノズル５１から吐出されたＤＩＷは、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に向けて進行するが、基板Ｗ１の上面から流れてくる溶剤に混和することなく、リングＷ２の上面に到達してリングＷ２の外側及び内側に広がる。ＤＩＷは、溶剤に混和せず溶剤よりも比重が大きい液体である。リングＷ２の内側に広がるＤＩＷは、基板Ｗ１とリングＷ２との間に流れ込み、基板Ｗ１、リングＷ２及びダイシングテープＷ３により囲まれる空間に溜まる。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間にはＤＩＷの液膜が維持され、また、リングＷ２の周囲にもＤＩＷの液膜が維持される。なお、上述したようにＤＩＷは、溶剤に混和せず溶剤よりも比重が大きいものである。そのため、基板Ｗ１の上面から排出された溶剤は、基板Ｗ１の上面から基板Ｗ１とリングＷ２の間に形成されるＤＩＷに流れ込んだとき、基板Ｗ１とリングＷ２との間に形成されるＤＩＷの液膜と混和せず、ＤＩＷの液膜の上を流れることになる（図５参照）。
In
通常、ステップ２では、基板Ｗ１から除去された接着物は、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊して留まっているが、浮遊する接着物の中には、溶剤の流れによって溶剤と共に基板Ｗ１から排出されるものもある。つまり、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する接着物のうち一部は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから排出される。このとき、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態で、処理対象物Ｗから接着物が溶剤と共に排出されるので、接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑えることができる。ＤＩＷが基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面を覆うこと及びＤＩＷは溶剤と混和せず、かつ、比重が大きい関係であるため、溶剤と共に流れる接着物は、基板Ｗ１とリングＷ２の間においてＤＩＷの液膜上を流れる。このため、接着物が基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑制できる。また、チャックピン２３の周囲にＤＩＷの液膜を形成することにより、溶剤と共に流れる接着物は、チャックピン２３の周囲においてＤＩＷの液膜上を流れるため、チャックピン２３への接着物の付着を抑制できる。
Usually, in
また、テーブル２０は、リングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さより低くなる位置で処理対象物Ｗを支持している。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物がリングＷ２に引っかかり残留することが抑制されるので、接着物の排出効率を向上させることができる。なお、テーブル２０が、リングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さ以上となる位置で処理対象物Ｗを支持する場合、基板Ｗ１から除去された接着物がリングＷ２に引っかかり残留することがある。 The table 20 also supports the processing object W at a position where the height of the upper surface of the ring W2 is lower than the height of the upper surface of the substrate W1. This prevents the adhesive material removed from the substrate W1 from getting caught on the ring W2 and remaining there, improving the efficiency of removing the adhesive material. Note that if the table 20 supports the processing object W at a position where the height of the upper surface of the ring W2 is equal to or higher than the height of the upper surface of the substrate W1, the adhesive material removed from the substrate W1 may get caught on the ring W2 and remain there.
ステップ３では、溶剤がノズル４１から吐出され（ステップ２から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給され、ＤＩＷが第１のノズル５１から吐出され（ステップ２から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に供給され、さらに、ＤＩＷが第２のノズル５２から吐出され、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に供給される。このステップ３では、第１のノズル５１から吐出されるＤＩＷの吐出量は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、第２のノズル５２から吐出されるＤＩＷの吐出量は２００ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第２の回転数）は４００ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は６０ｓである。なお、ノズル４１から吐出される溶剤の吐出量は４８０ｍｌ／ｍｉｎであり（不図示）、各移動ノズル４２からそれぞれ吐出される溶剤の吐出量は一定である。
In
ＤＩＷの吐出量は、テーブル２０の回転数が第２の回転数に変更された際に、基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面を被液できる吐出量に設定されている。テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上で浮遊する接着物を基板Ｗ１外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル２０の回転数とともに、接着物が基板Ｗ１上からすべて排出される時間に設定されている。ＤＩＷの吐出量、テーブル２０の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 The amount of DIW discharged is set to a discharge amount that can cover the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 when the rotation speed of the table 20 is changed to the second rotation speed. The rotation speed (rotation speed) of the table 20 is set to a speed that can discharge the adhesive material floating on the substrate W1 outside the substrate W1. The processing time, together with the set rotation speed of the table 20, is set to the time it takes for all the adhesive material to be discharged from the substrate W1. The amount of DIW discharged, the rotation speed of the table 20, and the processing time are determined in advance through experiments, etc. and are set.
ステップ３において、図６に示すように、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷの液膜が形成され続け、また、基板Ｗ１の上面には溶剤の液膜が形成され続ける。テーブル２０の回転数が上がり（２０→４００ｒｐｍ）、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから流れ落ちる。加えて、各移動ノズル４２は、接着物が処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊している状態で、テーブル２０上の中央付近から外周付近まで放射状に移動しつつ（図２参照）、処理対象物Ｗに向けてそれぞれ第１の処理液を吐出し、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊している接着物を処理対象物Ｗ上から掃き出す。ステップ３は、ステップ２で溶融して基板Ｗ１上の溶剤に浮遊する接着物を処理対象物Ｗから排出するためのステップである。各移動ノズル４２が移動を開始するタイミング（移動開始タイミング）は、制御部６０の記憶部に予め設定されている。例えば、移動開始タイミングは、ステップ３を開始するタイミングと同じタイミングに設定されている。このタイミングは、ステップ２において、基板Ｗ１から接着物のほぼ全てが剥がれて処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊しているタイミングである。
In
なお、ステップ３において、ノズル４１による溶剤の供給及び第１のノズル５１によるＤＩＷの供給は前述のステップ２と同じであるが、加えて、第２のノズル５２によるＤＩＷの供給が行われる。第２のノズル５２から吐出されたＤＩＷは、基板Ｗ１の上面から流れてくる溶剤に混和することなく、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に到達し、基板Ｗ１とリングＷ２との間に流れ込み、基板Ｗ１、リングＷ２及びダイシングテープＷ３により囲まれる空間に溜まる。テーブル２０の回転数が上がると（２０→４００ｒｐｍ）、遠心力が働いて、第１のノズル５１から吐出されたＤＩＷが基板Ｗ１及びリングＷ２の間に流れ込み難くなり、ダイシングテープＷ３の露出面（粘着面）に形成される液膜が薄くなる。また、露出面の一部では、液膜が完全にない状態になる。ところが、第２のノズル５２から吐出されたＤＩＷが基板Ｗ１及びリングＷ２の間に供給され、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さ（膜厚）が維持されるので、溶剤の供給中、基板Ｗ１とリングＷ２との間のダイシングテープＷ３の粘着面はＤＩＷの液膜により確実に覆われる。これにより、テーブル２０の回転数を上げても、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態となる。結果として、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板Ｗ１基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから接着物が溶剤と共に排出される。したがって、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑えることができる。
In
前述したように、第１のノズル５１による供給だけでは、ＤＩＷの液膜が薄くなる状態及び液膜が無くなる状態になるので、第２のノズル５２により、更に液量をアシストすることでＤＩＷの液膜の形成を維持するようにする。さらに、第２のノズル５２は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けてＤＩＷを吐出することで、遠心力の影響を考慮して、基板Ｗ１とリングＷ２の間にＤＩＷの液膜を形成できるようにしている。リングＷ２の上面に第２ノズル５２からＤＩＷを供給しても、回転数が第２の回転数になることで遠心力が増えるので、ＤＩＷがリングＷ２の内側に流れず外側に排出されてしまう。このため、第２のノズル５２によって、基板Ｗ１の外周端部にＤＩＷを供給し、その外周端部の外側に位置する、基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープの粘着面にＤＩＷが流れ、そこにＤＩＷの液膜を形成するようにしている。なお、ステップ３でも溶剤（第１の処理液）を供給しており、ステップ４で溶剤の供給を停止する。
As mentioned above, the supply from the
また、処理対象物Ｗから接着物を排出するため、テーブル２０の回転数がステップ２より上げられる（２０→４００ｒｐｍ）。これにより、処理対象物Ｗ上での遠心力が強くなり、処理対象物Ｗからの接着物排出が促進されるので、溶剤と共に流れる接着物を排出する排出性能（接着物の排出性能）を向上させることができる。つまり、ステップ２で基板Ｗ１上に溶剤の液膜を形成し、基板Ｗ１の接着物を溶融して溶剤の液膜に浮遊させ、ステップ３でテーブル２０の回転数を上げ、溶剤に浮遊する接着物を処理対象物Ｗ上から溶剤と共に排出する。テーブル２０の回転数を上げることによって、接着物の排出性能を向上させることが可能である。つまり、基板Ｗ１の回転数（回転速度）を上昇させることで、遠心力を発生させ、基板Ｗ１の表面上に浮遊した接着物を遠心力で基板Ｗ１の外側に排出する。これにより、基板Ｗ１の表面上から接着物を除去することができる。なお、基板Ｗ１の回転数を上昇した際にも、基板Ｗ１中央に溶剤の供給を継続している。これは、基板Ｗ１の表面上の液膜が遠心力により薄くなり、基板Ｗ１の表面上から剥離した接着物が、再度基板Ｗ１の表面上に付着することを抑えるためである。さらに、基板Ｗ１上から接着物を排出する排出性能を補助もする。さらに、各移動ノズル４２を処理対象物Ｗの中央付近から外周まで放射状に移動させつつ、各移動ノズル４２からそれぞれ処理対象物Ｗに第１の処理液を供給することによって、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物を処理対象物Ｗから掃き出し、接着物の排出性能を向上させることが可能である。このように接着物の排出性能が向上するため、基板Ｗ１から除去された接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面や各チャックピン２３に付着することを抑えることができる。
In addition, in order to discharge the adhesive from the processing object W, the rotation speed of the table 20 is increased from step 2 (20 → 400 rpm). This increases the centrifugal force on the processing object W, accelerating the discharge of the adhesive from the processing object W, and thus improving the discharge performance (discharge performance of the adhesive) of discharging the adhesive that flows together with the solvent. That is, in
ステップ４では、ＩＰＡだけがノズル４１から回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給される。このステップ４では、テーブル２０の回転数は４００ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は６０ｓである。なお、ノズル５１から供給されるＩＰＡの量は２００ｍｌ／ｍｉｎである（不図示）。
In
ステップ４において、基板Ｗ１上に残留する溶剤を除去するため、ＩＰＡを供給する。なお、溶剤を排出するためには、溶剤と混和可能であり揮発性が高い液体を用いることが好ましい。テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上に残留する処理液を基板Ｗ１外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル２０の回転数とともに、溶剤の残留が基板Ｗ１上からすべて無くなる時間に設定されている。テーブル２０の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。
In
ステップ５では、全ての液供給が無い状態で、高速回転により乾燥が行われる。このステップ５では、テーブル２０の回転数は１０００ｒｐｍであり、処理時間は５０ｓである。基板Ｗ１上が乾燥するのに必要な回転数、処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。
In
ステップ６では、高速回転により乾燥を停止するため、全ての液供給が無い状態で、回転速度が遅くされる。このステップ６では、テーブル２０の回転数は５０ｒｐｍであり、処理時間は１０ｓである。
In
前述の基板処理工程では、ステップ３において、各移動ノズル４２がテーブル２０上の処理対象物Ｗの中央付近から外周まで放射状に移動しつつ、処理対象物Ｗに向けてそれぞれ第１の処理液を供給する。処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に到達した第１の処理液は処理対象物Ｗの外側に向かって流れ、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は押し出されるように処理対象物Ｗから掃き出される。このような第１の処理液の流れにより、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物が処理対象物Ｗから排出されるので、基板Ｗ１から除去された接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面や各チャックピン２３に付着することを抑えることができる。つまり、ノズル４１から供給される溶剤の流れに加え、移動ノズル４２からの処理液の流れによって、接着物の排出性能が向上する。掃き出し性能（掃出し力）を向上させることで、接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面上（ＤＩＷ液膜上）を速く通過するようになる。接着物がチャックピン２３に付着しようとしても、移動ノズル４２のからの液流により、接着物を排出することが可能となるから、チャックピン２３への付着を抑制することが可能である。さらに、複数の移動ノズル４２がそれぞれ、処理対象物Ｗの外周に移動（放射状に、また、同時に移動）することで、処理対象物Ｗ上に浮遊する接着物を、基板Ｗ１上から排出することができる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面やチャックピン２３に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープＷ３の粘着面やチャックピン２３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。なお、例えば、接着物がチャックピン２３に付くと、次に搬送されてきた未処理の処理対象物Ｗが、汚染されたチャックピン２３によって保持されることになる。これにより、リングＷ２に接着物が付着してしまい、そのまま処理が進むと搬送工程やダイシング工程などで基板Ｗ１に影響を与えることがある。
In the above-mentioned substrate processing process, in
また、ステップ２において、第１のノズル５１は、回転機構３０により回転するテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に向けてＤＩＷを吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷを供給する。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面がＤＩＷの液膜により覆われる。この状態で、ノズル４１は、回転機構３０により回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に向けて溶剤を吐出する。また、ステップ３において、テーブル２０の回転数が上昇すると、第２のノズル５２は、回転機構３０により回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けてＤＩＷを吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷを供給する。これにより、テーブル２０の回転数が例えば１００ｒｐｍ以上に上昇しても（高速回転）、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さが保持され、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態が確実に維持される。
In
このようにして、溶剤の供給中、基板Ｗ１とリングＷ２との間のダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面は、ＤＩＷの液膜により確実に覆われている。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物が溶剤と共に基板Ｗ１から排出されても、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面に付着することが抑えられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程（例えば後工程）などでダイシングテープＷ３やリングＷ２から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。 In this way, while the solvent is being supplied, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 and the upper surface of the ring W2 are reliably covered with a liquid film of DIW. This prevents the adhesive material removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 or to the upper surface of the ring W2, even if it is discharged from the substrate W1 together with the solvent. Therefore, the adhesive material adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 or the upper surface of the ring W2 is prevented from being separated from the dicing tape W3 or the ring W2 during the transport process or the dicing process (e.g., a post-process) and adhering to the substrate W1, thereby preventing contamination of the substrate W1, thereby reliably improving the substrate quality.
ここで、例えば、第１のノズル５１が基板Ｗ１の外周端部に供給すると、ＤＩＷが基板Ｗ１の端面側から中心方向に広がってしまう。つまり、第１の回転数では、遠心力が弱いから基板Ｗ１の外周に排出する性能が出ない。このため、基板Ｗ１の中心方向にＤＩＷが広がると、ステップ２で基板Ｗ１の中心に供給される溶剤が基板Ｗ１の外周に広がるのを阻害し、溶剤が基板Ｗ１の外周部における接着物と反応することができなくなる。前述したように、ＤＩＷと第１の処理液である溶剤は混和しないものであり、ＤＩＷの方が第１の処理液である溶剤より比重が大きい。そのため、ＤＩＷが基板Ｗ１の外周端部から中心方向に広がると、基板Ｗ１の中心から供給された溶剤が、基板Ｗ１の外周付近で、ＤＩＷとは混和せずにＤＩＷの上を流れる状態になる。つまり、基板Ｗ１の外周付近は、溶剤が基板Ｗ１上の接着物に接触することが難しくなり、基板Ｗ１上の接着物に対して溶剤を供給することができない。つまり、テーブル２０の回転数に応じてＤＩＷの供給位置を変えている理由は、上記したように、基板Ｗ１上に供給される第１の処理液である溶剤が、ＤＩＷによって阻害されることなく、基板Ｗ１の外周までに広がり、基板Ｗ１上の接着物の剥離を確実に行うことと、基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面への接着物の付着を抑制するためである。
Here, for example, when the
以上説明したように、第１の実施形態によれば、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの内側から外側に向かって移動しつつ第１の処理液（例えば、溶剤）を吐出する移動ノズル４２が設けられている。移動ノズル４２により第１の処理液が処理対象物Ｗの内側から外側に向かって供給され、ノズル４１から供給される第１の処理液の流れに加え、移動ノズル４２からの第１の処理液の流れによって、接着物の排出性能が向上する。これにより、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物が処理対象物Ｗから確実に掃き出されるので、基板Ｗ１から除去された接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面や各チャックピン２３に付着することを抑えることができる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面やチャックピン２３に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープＷ３の粘着面やチャックピン２３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。
As described above, according to the first embodiment, a moving
また、第１の実施形態によれば、処理対象物Ｗをテーブル２０により支持し、そのテーブル２０を回転機構３０により回転させ、テーブル２０の回転数に応じて、テーブル２０により支持された処理対象物ＷのリングＷ２の上面、又は、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けて、第１の処理液（例えば、溶剤）に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい液体（例えば、ＤＩＷ）を吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に液体を供給し、液体が処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に供給されている状態で、回転するテーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の上面に処理液を供給する。
According to the first embodiment, the object W to be treated is supported by the table 20, and the table 20 is rotated by the
つまり、第１の処理液に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい液体が基板Ｗ１及びリングＷ２の間に流れ込み、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われる。このため、基板Ｗ１から除去された接着物は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる第１の処理液と共に処理対象物Ｗから排出されるが、その際に基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑えることができる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープＷ３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。 That is, a liquid that is not miscible with the first processing liquid and has a higher specific gravity than the first processing liquid flows between the substrate W1 and the ring W2, and the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is covered with a liquid film of DIW. Therefore, the adhesive removed from the substrate W1 is discharged from the processing object W together with the first processing liquid flowing over the liquid film of DIW present between the substrate W1 and the ring W2 and on the upper surface of the ring W2, but at that time, it is possible to prevent the adhesive from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. Therefore, the adhesive attached to the adhesive surface of the dicing tape W3 is prevented from being separated from the dicing tape W3 and adhering to the substrate W1 during the transport process or dicing process, etc., and contamination of the substrate W1 is prevented, so that the substrate quality can be reliably improved.
また、リングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さより低くなる位置でテーブル２０が処理対象物Ｗを支持することで、接着物の排出性能を向上させることが可能になり、また、リングＷ２の上面を液膜により覆うことが可能になる。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面に付着することが確実に抑えられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面やリングＷ２の上面に付着した接着物が、搬送途中やダイシング工程などの後工程でダイシングテープＷ３やリングＷ２から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが確実に抑制されるので、基板品質をより確実に向上させることができる。 In addition, by supporting the processing object W on the table 20 at a position where the height of the upper surface of the ring W2 is lower than the height of the upper surface of the substrate W1, it is possible to improve the discharge performance of the adhesive material and also to cover the upper surface of the ring W2 with a liquid film. This reliably prevents the adhesive material removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 or to the upper surface of the ring W2. Therefore, the adhesive material adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 or the upper surface of the ring W2 is reliably prevented from detaching from the dicing tape W3 or the ring W2 during transportation or in a later process such as a dicing process and adhering to the substrate W1, thereby preventing contamination of the substrate W1, and thus improving the substrate quality more reliably.
また、第２のノズル５２によるＤＩＷの供給が行われる。第１のノズル５１による供給だけでは、ＤＩＷの液膜が薄くなる状態及び液膜が無くなる状態になるので、第２のノズル５２により、更に液量をアシストすることでＤＩＷの液膜を維持する。さらに、第２のノズル５２は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けてＤＩＷを吐出することで、遠心力の影響を考慮して、基板Ｗ１とリングＷ２の間にＤＩＷの液膜を形成する。これにより基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さ（膜厚）が維持されるので、溶剤の供給中、基板Ｗ１とリングＷ２との間のダイシングテープＷ３の粘着面はＤＩＷの液膜により確実に覆われる。これにより、テーブル２０の回転数を上げても、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態となる。結果として、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板Ｗ１基板Ｗ１及びリングＷ２の間やリングＷ２の上面に存在するＤＩＷの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから接着物が溶剤と共に排出される。したがって、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑えることができる。
DIW is also supplied by the
なお、前述の説明においては、複数本の移動ノズル４２を設け、それらの移動ノズル４２をテーブル２０上の処理対象物Ｗの内側から外側に向かって放射状に移動させることを例示したが、これに限るものではない。また、移動ノズル４２の本数や移動経路は、特に限定されるものではない。例えば、図７に示すように、一本の移動ノズル４２を設け、その移動ノズル４２をテーブル２０上の処理対象物Ｗの内側から外側に向かって渦巻状に移動させるようにしてもよい。このときの移動ノズル４２の移動方向はテーブル２０の回転方向と逆である。移動機構としては、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に同時に移動ノズル４２を移動させて平面内を自在に移動させることが可能な移動機構が用いられる。この移動機構によって、移動ノズル４２を渦巻状に移動させることができる。
In the above description, a plurality of moving
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について図８を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（角度可変ノズル及び角度変更部）について説明し、その他の説明は省略する。
Second Embodiment
The second embodiment will be described with reference to Fig. 8. Note that in the second embodiment, differences from the first embodiment (the angle variable nozzle and the angle changing unit) will be described, and other descriptions will be omitted.
図８に示すように、第２の実施形態に係る処理液供給部４０は、第１の実施形態に係る各移動ノズル４２に替えて、一本の角度可変ノズル４３と、角度変更部４４とを有している。
As shown in FIG. 8, the processing
角度可変ノズル４３は、ノズル４１の周囲に角度変更部４４と共に位置付けられ、例えば、ノズル移動機構（不図示）により角度変更部４４と共にテーブル２０の上方をテーブル２０上の処理対象物Ｗに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構が用いられる。また、角度可変ノズル４３は、鉛直方向に対する傾斜角度が角度変更部４４により変更されるように形成されている。この角度可変ノズル４３は、角度変更部４４による傾斜角度の変更により、テーブル２０上の処理対象物Ｗの内側から外側に向かって処理対象物Ｗに第１の処理液（例えば、溶剤）を供給する。角度可変ノズル４３には、基板処理装置１０外の一つのタンク（不図示）から第１の処理液が供給される。角度可変ノズル４３から吐出される第１の処理液の吐出量は調整弁４３ａの開度調整により変更される。なお、基板処理工程中、角度可変ノズル４３から吐出される第１の処理液の吐出量は一定である。調整弁４３ａは、例えば、電磁弁であり、制御部６０に電気的に接続されており、その駆動は制御部６０により制御される。
The angle-
角度変更部４４は、角度可変ノズル４３の傾斜角度を変更することが可能に形成されている。角度変更部４４としては、例えば、連結部材やモータなどを有する角度変更機構が用いられる。角度変更部４４は制御部６０に電気的に接続されており、その駆動は制御部６０により制御される。例えば、角度変更部４４は、角度可変ノズル４３の傾斜角度（鉛直方向に対する傾斜角度）を角度可変ノズル４３による第１の処理液の供給開始から徐々に大きくする。これに応じて、角度可変ノズル４３は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの内側から外側に向かって処理対象物Ｗに第１の処理液を供給し、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊している接着物を処理対象物Ｗ上から掃き出す。
The
基板処理工程のステップ３において、角度可変ノズル４３は、角度変更部４４による傾斜角度の変更に応じ、テーブル２０上の処理対象物Ｗの中央付近から外周に向かって処理対象物Ｗに第１の処理液を供給する。処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に到達した第１の処理液は処理対象物Ｗの外側に向かって流れ、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は押し出されるように処理対象物Ｗから掃き出される。このような第１の処理液の流れにより、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物が処理対象物Ｗから排出されるので、基板Ｗ１から除去された接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面や各チャックピン２３に付着することを抑えることができる。つまり、ノズル４１から供給される溶剤の流れに加え、移動ノズル４２からの処理液の流れによって、接着物の排出性能が向上する。掃き出し性能（掃出し力）を向上させることで、接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面上（ＤＩＷ液膜上）を速く通過するようになる。接着物がチャックピン２３に付着しようとしても、移動ノズル４２のからの液流により、接着物を排出することが可能となるから、チャックピン２３への付着を抑制することが可能である。さらに、複数の移動ノズル４２がそれぞれ、処理対象物Ｗの外周に移動（放射状に、また、同時に移動）することで、処理対象物Ｗ上に浮遊する接着物を、基板Ｗ１上から排出することができる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面やチャックピン２３に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープＷ３の粘着面やチャックピン２３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。
In
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第１の実施形態に係る移動ノズル４２を六つ設ける場合に比べ、ノズル移動機構を簡略化することが可能であり、基板処理装置１０を簡略化することができる。
As described above, according to the second embodiment, it is possible to obtain the same effects as the first embodiment. Furthermore, compared to the case where six moving
＜他の実施形態＞
前述の説明においては、各移動ノズル４２の移動開始タイミングを、ステップＳ３を開始するタイミングと同じタイミングに設定することを例示したが、これに限るものではなく、基板Ｗ１から接着物（接着層）の一部が剥がれ、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊したタイミング、つまり接着物の剥がれが開始したタイミングに設定するようにしてもよい。例えば、溶剤の供給開始から所定時間が経過したことを検知し、各移動ノズル４２の移動を開始したり、あるいは、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊した接着物を検知し、その検知数が所定数に達したことに応じ、各移動ノズル４２の移動を開始したりする。処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊した接着物を検知するためには、テーブル２０上の処理対象物Ｗを上方から撮像する撮像部を設け、第１の処理液が供給されている処理対象物Ｗ上の基板Ｗ１を撮像部により撮像し、その画像（色の差など）から接着物を検知することが可能である。
<Other embodiments>
In the above description, the movement start timing of each moving
また、前述の説明においては、ステップ３の処理中、移動ノズル４２又は角度可変ノズル４３から一定時間絶えず第１の処理液を吐出させることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、移動ノズル４２又は角度可変ノズル４３から第１の処理液を間欠吐出させるようにしてもよい。この間欠吐出により溶剤の液膜に波紋を生じさせることが可能であり、接着物の排出能力を向上させることができる。
In addition, in the above explanation, the first processing liquid is continuously ejected from the
また、前述の説明においては、ステップ３の処理中、テーブル２０上の処理対象物Ｗの内側から外側に向かって一度だけ移動することを例示したが、これに限るものではなく、テーブル２０上の処理対象物Ｗの内側から外側に向かって移動することを繰り返すようにしてもよい。
In addition, in the above explanation, during the processing of
また、前述の説明においては、全ての移動ノズル４２から同時に液体を吐出させることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、各移動ノズル４２から順番に液体を吐出させることも可能であり、所定の順序で各移動ノズル４２から液体を吐出させるようにしてもよく、また、不規則に吐出させるようにしてもよい。つまり、各移動ノズル４２から選択的に液体を吐出させても、また、各移動ノズル４２から同時に液体を吐出させるようにしてもよい。
In addition, in the above explanation, liquid is ejected from all the moving
また、前述の説明においては、各移動ノズル４２の個々の吐出量を同じで一定にすることや角度可変ノズル４３の吐出量を一定にすることを例示したが、これに限るものではなく、各移動ノズル４２の個々の吐出量を異ならせてもよく、あるいは、各移動ノズル４２の個々の吐出量や角度可変ノズル４３の吐出量を一定ではなく変化させるようにしてもよい。例えば、テーブル２０の回転数に応じて各移動ノズル４２の個々の吐出量や角度可変ノズル４３の吐出量を変える。一例として、テーブル２０の回転数の上昇に応じて各移動ノズル４２の個々の吐出量や角度可変ノズル４３の吐出量を上げ、テーブル２０の回転数の下降に応じて各移動ノズル４２の個々の吐出量や角度可変ノズル４３の吐出量を下げる。また、角度可変ノズル４３の傾斜角度が大きくなるにつれて角度可変ノズル４３の吐出量を上げることも可能である。また、各移動ノズル４２の個々の吐出量や角度可変ノズル４３の吐出量をノズル４１の吐出量と同じにしてもよく、あるいは、ノズル４１の吐出量より大きくしても、小さくしてもよい。
In the above description, the individual discharge amounts of the moving
また、前述の説明においては、テーブル２０の回転数に応じて、テーブル２０により支持された処理対象物ＷのリングＷ２の上面、あるいは、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けて液供給部５０により液体を吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に液体を供給することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に向けて吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に液体を供給するようにしてもよい。なお、テーブル２０により支持された処理対象物ＷのリングＷ２の上面及び基板Ｗ１の外周端部の両方に同時に液体を供給することも可能であり、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部及び基板Ｗ１とリングＷ２との間の両方に、また、テーブル２０により支持された処理対象物ＷのリングＷ２の上面、基板Ｗ１の外周端部及び基板Ｗ１とリングＷ２との間の三個所に同時に液体を供給することも可能である。 In the above description, the liquid supply unit 50 discharges liquid toward the upper surface of the ring W2 of the processing object W supported by the table 20 or toward the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing object W supported by the table 20 according to the rotation speed of the table 20, and supplies liquid between the substrate W1 and the ring W2 of the processing object W. However, this is not limited to the above, and for example, liquid may be discharged toward the area between the substrate W1 and the ring W2 of the processing object W supported by the table 20, and liquid may be supplied between the substrate W1 and the ring W2 of the processing object W. It is also possible to simultaneously supply liquid to both the upper surface of the ring W2 of the processing object W supported by the table 20 and the outer peripheral edge of the substrate W1, and it is also possible to simultaneously supply liquid to both the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing object W supported by the table 20 and between the substrate W1 and the ring W2, and to three locations: the upper surface of the ring W2 of the processing object W supported by the table 20, the outer peripheral edge of the substrate W1, and between the substrate W1 and the ring W2.
また、前述の説明においては、第１のノズル５１及び第２のノズル５２の二本のノズルを設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、第１のノズル５１だけを設け、その第１のノズル５１を移動機構により移動させて第２のノズル５２のかわりに用いるようにしても良い。すなわち、第１のノズル５１は、テーブル２０の回転数が第１の回転数である場合、テーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に向けて液体を吐出し、テーブル２０の回転数が第２の回転数である場合、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けて液体を吐出する。なお、第１のノズル５１は、テーブル２０の回転数が第１の回転数から第２の回転数に変更される前に、テーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に向けて液体を吐出する位置から、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の外周端部に向けて液体を吐出する位置に移動する。また、第１のノズル５１及び第２のノズル５２のどちらか一方又は両方をリングＷ２及び基板Ｗ１の周方向に所定の間隔で複数設けることも可能である。
In the above description, two nozzles, the
また、前述の説明においては、第１のノズル５１及び第２のノズル５２は、鉛直方向に対して傾いていてもよく、鉛直方向に平行であってもよい。また、第１のノズル５１の傾斜角度及び第２のノズル５２の傾斜角度は同じであっても、異なっていてもよい。第１のノズル５１及び第２のノズル５２の個々の傾斜角度をテーブル２０の回転数に応じて変更するようにしてもよく、例えば、連結部材やモータなどを有する角度変更機構（角度変更部）によりテーブル２０の回転数に応じて変更するようにしてもよい。また、テーブル２０の回転数ごとに傾斜角度の異なる複数のノズルを設けておき、それらのノズルをテーブル２０の回転数に応じて選択して用い、テーブル２０の回転数に応じてノズルの傾斜角度を変更するようにしてもよい。このようにして、第１のノズル５１や第２のノズル５２などのノズルがテーブル２０上の処理対象物Ｗに対して液体を吐出する角度（吐出角度）を変更することができる。
In the above description, the
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and modifications can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are included in the scope of the invention and its equivalents described in the claims.
１０ 基板処理装置
２０ テーブル
４０ 処理液供給部
４１ ノズル
４２ 移動ノズル
４３ 角度可変ノズル
５０ 液供給部
Ｗ 処理対象物
Ｗ１ 基板
Ｗ２ リング
Ｗ３ ダイシングテープ
REFERENCE SIGNS
Claims (8)
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記テーブルを回転させる回転機構と、
を備え、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって移動しつつ前記処理液を吐出する移動ノズルと、
を有し、
前記移動ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記移動ノズルを前記処理対象物の内側から外側に向かう移動及び前記処理液の吐出を開始する基板処理装置。 a table for supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring;
a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid for processing the adhesion material present on the substrate to the processing object supported by the table;
A rotation mechanism that rotates the table;
Equipped with
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
a moving nozzle that ejects the processing liquid while moving from the inside to the outside of the processing object supported by the table;
having
The substrate processing apparatus includes a movable nozzle that begins moving from the inside to the outside of the processing object and ejecting the processing liquid at a predetermined timing when a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle is formed on the upper surface of the substrate, the adhesive material melts in the processing liquid, and the adhesive material peels off from the substrate and floats away.
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記テーブルを回転させる回転機構と、
を備え、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって前記処理液を吐出する角度可変ノズルと、
を有し、
前記角度可変ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記処理液の吐出を開始する基板処理装置。 a table for supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring;
a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid for processing the adhesion material present on the substrate to the processing object supported by the table;
A rotation mechanism that rotates the table;
Equipped with
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
an angle variable nozzle that ejects the processing liquid from the inside toward the outside of the processing object supported by the table;
having
The angle-variable nozzle of this substrate processing apparatus begins ejecting the processing liquid at a predetermined timing after a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle is formed on the upper surface of the substrate , at which the adhesive material melts in the processing liquid, causing the adhesive material to peel off from the substrate and float away .
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
を有し、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって移動しつつ前記処理液を吐出する移動ノズルと、
を有し、
前記移動ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記処理対象物の内側から外側に向かう移動及び前記処理液の吐出を開始する基板処理方法。 A step of supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring by a table;
supplying a treatment liquid for treating the adhesive material present on the substrate to the treatment object supported by the table by a treatment liquid supply unit;
having
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
a moving nozzle that ejects the processing liquid while moving from the inside to the outside of the processing object supported by the table;
having
The substrate processing method includes the moving nozzle beginning to move the processing object from the inside to the outside and ejecting the processing liquid at a predetermined timing when the adhesive material melts in the processing liquid, peeling off from the substrate and floating after a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle is formed on the upper surface of the substrate.
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
を有し、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって前記処理液を吐出する角度可変ノズルと、
を有し、
前記角度可変ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記処理液の吐出を開始する基板処理方法。 A step of supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring by a table;
supplying a treatment liquid for treating the adhesive material present on the substrate to the treatment object supported by the table by a treatment liquid supply unit;
having
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
an angle variable nozzle that ejects the processing liquid from the inside toward the outside of the processing object supported by the table;
having
A substrate processing method in which the angle-variable nozzle begins ejecting the processing liquid at a preset specified timing after a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle has been formed on the upper surface of the substrate, whereby the adhesive material melts in the processing liquid, peeling off from the substrate and floating away.
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