JP7504573B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents
SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDFInfo
- Publication number
- JP7504573B2 JP7504573B2 JP2019181012A JP2019181012A JP7504573B2 JP 7504573 B2 JP7504573 B2 JP 7504573B2 JP 2019181012 A JP2019181012 A JP 2019181012A JP 2019181012 A JP2019181012 A JP 2019181012A JP 7504573 B2 JP7504573 B2 JP 7504573B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- liquid
- nozzle
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 312
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 247
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 158
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 158
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 31
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
近年、半導体デバイスの更なる薄型化やコストダウンが求められている。そこで、半導体デバイスを支持する基板上において、半導体デバイスを一括で製造することが行われてきている。半導体デバイスを支持する基板(支持基板)として、例えば、半導体用ウェーハや液晶パネル用ガラス基板を用いて、配線形成やチップ載置、モールド封止などの各種処理が支持基板の接着層上に行われ、接着層上に半導体デバイスが形成される。その後、形成された半導体デバイスから支持基板が剥離される。支持基板の剥離工程では、例えば、半導体デバイスと支持基板との間の接着層をレーザ照射により劣化させ、半導体デバイスから支持基板を剥離する。 In recent years, there has been a demand for semiconductor devices to be made thinner and more cost-effective. To address this, semiconductor devices have been manufactured in bulk on a substrate that supports the semiconductor devices. For example, a semiconductor wafer or a glass substrate for liquid crystal panels is used as the substrate (support substrate) that supports the semiconductor devices, and various processes such as wiring formation, chip placement, and mold sealing are performed on the adhesive layer of the support substrate, and the semiconductor device is formed on the adhesive layer. The support substrate is then peeled off from the formed semiconductor device. In the support substrate peeling process, for example, the adhesive layer between the semiconductor device and the support substrate is deteriorated by laser irradiation, and the support substrate is peeled off from the semiconductor device.
剥離工程が行われるのに先立ち、最終的に半導体デバイスを個々のチップに切り離すために、支持基板と反対の半導体デバイス側の面に粘着テープであるダイシングテープが貼り付けられる。貼り付けられるダイシングテープには、搬送や支持を行うためのリングが、ダイシングテープ上の支持基板及び半導体デバイスを囲むようにダイシングテープに貼り付けられる。したがって、ダイシングテープの粘着面(粘着性を有する面)の中央領域が支持基板及び半導体デバイスにより覆われ、ダイシングテープの粘着面の外縁領域が環状のリングにより覆われる。ダイシングテープの粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域(半導体デバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面)は露出する。 Prior to the peeling step, an adhesive dicing tape is applied to the surface of the semiconductor device opposite the support substrate in order to finally separate the semiconductor device into individual chips. A ring for transport and support is attached to the dicing tape so as to surround the support substrate and semiconductor device on the dicing tape. Thus, the central region of the adhesive surface (adhesive surface) of the dicing tape is covered by the support substrate and semiconductor device, and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape is covered by the annular ring. The annular region between the central region and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape (the adhesive surface of the dicing tape between the semiconductor device and the ring) is exposed.
剥離工程により半導体デバイスから支持基板を剥離したあとは、ダイシングテープ上に半導体デバイスのみが貼り付いた状態となる。また、支持基板上に半導体デバイスを形成するので、一括に形成される半導体デバイスは支持基板と同様の外形で形成される。すなわち、半導体用ウェーハを支持基板とした場合、半導体デバイスの外形は半導体ウェーハ同様の円盤状となる。以降、円盤状に形成された半導体デバイスを例に説明する。また、半導体デバイスを単にデバイス(あるいは基板)と称する。 After the support substrate is peeled off from the semiconductor device in the peeling process, only the semiconductor device remains attached to the dicing tape. In addition, since the semiconductor device is formed on the support substrate, the semiconductor device formed at once has the same outer shape as the support substrate. In other words, when a semiconductor wafer is used as the support substrate, the outer shape of the semiconductor device is disc-shaped like the semiconductor wafer. Hereinafter, a semiconductor device formed in a disc shape will be used as an example. In addition, the semiconductor device will be simply referred to as a device (or substrate).
デバイスから支持基板が剥離された際には、接着層である接着物(例えば、カーボン)がデバイスに残留する。このため、残留した接着物をデバイスから除去する必要が生じる。接着物の除去工程では、例えば、複数のチャックピン(固定部材)によりリングを上から押え、デバイスをリング及びダイシングテープと共にテーブルに固定する。そして、デバイスの中心を回転中心としてデバイスをダイシングテープ及びリングと共に水平面内で回転させ、デバイスの中心付近に溶剤などの洗浄液(処理液の一例)を供給し、デバイスの中心付近に供給した洗浄液をデバイス全面(周方向)に広げるとともにデバイスから排出し、デバイスから接着物を除去する。 When the support substrate is peeled off from the device, the adhesive layer (e.g., carbon) remains on the device. This makes it necessary to remove the remaining adhesive from the device. In the adhesive removal process, for example, the ring is pressed from above with multiple chuck pins (fixing members) and the device, together with the ring and dicing tape, is fixed to a table. The device is then rotated in a horizontal plane together with the dicing tape and ring around the center of the device as the center of rotation, and a cleaning liquid such as a solvent (an example of a processing liquid) is supplied near the center of the device. The cleaning liquid supplied near the center of the device is spread over the entire surface (circumferential direction) of the device and discharged from the device, removing the adhesive from the device.
デバイスから除去された接着物は洗浄液と共にデバイスから排出されるが、排出された接着物がチャックピンあるいはデバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面に付着することがある。接着物が付着すると、搬送工程やダイシング工程などにおいて、チャックピン又はダイシングテープから離れてデバイス(基板)に付着して、デバイスが汚染されるため、デバイス品質、すなわち基板品質が低下する。 The adhesive material removed from the device is discharged from the device together with the cleaning fluid, but the discharged adhesive material may adhere to the chuck pin or the adhesive surface of the dicing tape between the device and the ring. If the adhesive material adheres, it will come off the chuck pin or dicing tape and adhere to the device (substrate) during the transport process or dicing process, contaminating the device and reducing the device quality, i.e., the substrate quality.
本発明が解決しようとする課題は、基板品質を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。 The problem that the present invention aims to solve is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can improve substrate quality.
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物を支持するテーブルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記テーブルを回転させる回転機構と、
を備え、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって移動しつつ前記処理液を吐出する移動ノズルと、
を有し、
前記移動ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記移動ノズルを前記処理対象物の内側から外側に向かう移動及び前記処理液の吐出を開始する。
The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes:
a table for supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring;
a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid for processing the adhesion material present on the substrate to the processing object supported by the table;
A rotation mechanism that rotates the table;
Equipped with
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
a moving nozzle that ejects the processing liquid while moving from the inside to the outside of the processing object supported by the table;
having
The moving nozzle begins moving from the inside to the outside of the processing object and spraying the processing liquid at a predetermined timing after a liquid film of the processing liquid sprayed from the nozzle has been formed on the upper surface of the substrate and the adhesive material has melted in the processing liquid, causing the adhesive material to peel off from the substrate and float.
本発明の実施形態に係る基板処理方法は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物をテーブルにより支持する工程と、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
を有し、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって移動しつつ前記処理液を吐出する移動ノズルと、
を有し、
前記移動ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記処理対象物の内側から外側に向かう移動及び前記処理液の吐出を開始する。
A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes:
A step of supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring by a table;
supplying a treatment liquid for treating the adhesive material present on the substrate to the treatment object supported by the table by a treatment liquid supply unit;
having
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
a moving nozzle that ejects the processing liquid while moving from the inside to the outside of the processing object supported by the table;
having
The moving nozzle begins moving from the inside to the outside of the processing object and ejecting the processing liquid at a predetermined timing after a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle has been formed on the upper surface of the substrate, whereby the adhesive material melts in the processing liquid and peels off from the substrate and floats away.
本発明の実施形態によれば、基板品質を向上させることができる。 Embodiments of the present invention can improve substrate quality.
<第1の実施形態>
第1の実施形態について図1から図7を参照して説明する。
First Embodiment
The first embodiment will be described with reference to FIGS.
(基本構成)
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置10は、テーブル20と、回転機構(回転駆動部)30と、処理液供給部40と、液供給部50と、制御部60とを備えている。
(Basic configuration)
As shown in FIG. 1, the
処理対象物Wは、図1及び図2に示すように、基板(例えば、デバイス)W1と、リングW2と、ダイシングテープW3とを有している。基板W1は、ダイシングテープW3の中央に貼り付けられる。リングW2は、環状に形成されており、ダイシングテープW3上の基板W1の周囲を囲むようにダイシングテープW3に貼り付けられる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面の中央領域が基板W1により覆われ、ダイシングテープW3の粘着面の外縁領域が環状のリングW2により覆われている。このため、ダイシングテープW3の粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域、すなわち基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の上面は露出している。 As shown in Figures 1 and 2, the processing object W has a substrate (e.g., a device) W1, a ring W2, and a dicing tape W3. The substrate W1 is attached to the center of the dicing tape W3. The ring W2 is formed in an annular shape and is attached to the dicing tape W3 so as to surround the periphery of the substrate W1 on the dicing tape W3. Therefore, the central region of the adhesive surface of the dicing tape W3 is covered by the substrate W1, and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape W3 is covered by the annular ring W2. Therefore, the annular region between the central region and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape W3, i.e., the upper surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2, is exposed.
テーブル20は、本体21と、支持体22と、複数のチャックピン23とを有している。このテーブル20は、カップ(不図示)により囲われており、カップ内の略中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に回転機構30上に設けられている。テーブル20は、例えば、スピンテーブルと呼ばれる。
The table 20 has a
本体21は、中央が円柱状に盛り上がる凸形状に形成されている。この本体21の凸部の上面は、処理対象物Wの基板W1の下面にダイシングテープW3を介して対向した状態で基板W1を支持する。支持体22は、環状に形成されており、本体21の凸部(突出部)を囲むように本体21の環状の平坦部に設けられている。この支持体22は、処理対象物WのリングW2の下面にダイシングテープW3を介して対向した状態でリングW2を支持する。各チャックピン23は、それぞれ偏心回転可能に本体21の環状の平坦部に設けられている。これらのチャックピン23は、それぞれ同期して偏心回転することで、処理対象物WのリングW2の外周面を内側に押しつつ、処理対象物Wを水平状態に保持する。このとき、処理対象物Wの中心は、テーブル20の回転軸上に位置付けられる。
The
このテーブル20は、本体21及び支持体22により処理対象物Wを支持し、各チャックピン23により本体21及び支持体22に固定して、処理対象物WのリングW2の上面の高さが基板W1の上面の高さより低くなるように(例えば2mm程度の数mm低くなるように)処理対象物Wを支持する。
This table 20 supports the processing object W with a
回転機構30は、テーブル20を支持するように設けられ、そのテーブル20を水平面(平面の一例)内で回転させるように構成されている。この回転機構30は、回転軸31と、モータ32とを有している。回転軸31の一端はテーブル20の下方の中央に連結されており、回転軸31の他端はモータ32に連結されている。モータ32はその回転軸31を回転させる。回転機構30は、モータ32の駆動により回転軸31を介してテーブル20を水平面内で回転させる。
The
処理液供給部40は、ノズル41と、複数の移動ノズル42とを有している。図2の例では、六本の移動ノズル42が設けられているが、移動ノズル42の数は特に限定されるものではない。処理液供給部40は、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近の上方(例えば、基板W1の中央付近の直上)にノズル41を位置付け、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近にノズル41から第1の処理液(例えば、p-メンタンやシクロペンタノンなどの溶剤)や第2の処理液(例えば、IPA:イソプロピルアルコール)を供給する。また、処理液供給部40は、ノズル41の周囲に各移動ノズル42を位置付け、その位置からテーブル20上の処理対象物Wの外側に向けて各移動ノズル42を移動させつつ各移動ノズル42から第1の処理液を吐出させ、テーブル20上の処理対象物Wに第1の処理液を供給する。なお、第1の処理液は、例えば、DIW(超純水)と非相溶性の液体であり、基板W1に残留した接着物を基板W1から剥離するための液体である。
The processing
ノズル41は、例えば、ノズル移動機構(不図示)によりテーブル20の上方をテーブル20上の処理対象物Wに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。このノズル41は、テーブル20上の処理対象物Wの中央付近に対向し、停止した状態で処理対象物Wの中央付近(中央を含む中央領域)に向けて処理液を吐出する。ノズル41には、基板処理装置10外の二つのタンク(不図示)から二種類の処理液(第1の処理液及び第2の処理液)が供給される。ノズル41から吐出される第1の処理液の吐出量は調整弁41aの開度調整により変更され、ノズル41から吐出される第2の処理液の吐出量は調整弁41bの開度調整により変更される。
The
各移動ノズル42は、ノズル41の周囲に円環状に位置付けられ(図2参照)、例えば、ノズル移動機構(不図示)によりそれぞれテーブル20の上方をテーブル20上の処理対象物Wに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、複数のリニアガイドが用いられる。各移動ノズル42は、それぞれテーブル20上の処理対象物Wの内側から外側に向かって、例えば、テーブル20上の処理対象物Wの中央付近から外周付近まで放射状に移動しつつ(図2参照)、処理対象物Wに向けて第1の処理液を吐出する。各移動ノズル42には、それぞれ基板処理装置10外の一つのタンク(不図示)から第1の処理液が供給される。各移動ノズル42からそれぞれ吐出される第1の処理液の吐出量は調整弁42aの開度調整により変更される。なお、移動ノズル42が移動する速さは、基板W1から接着物を排出させるのに最適な速さに設定されている。この最適な速さは、予め実験などで求められている。
Each moving
液供給部50は、第1のノズル51と、第2のノズル52とを有している。この液供給部50は、テーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面の上方(例えば、リングW2の上面の直上)に第1のノズル51を位置付け、そのリングW2の上面に第1のノズル51から液体(例えば、DIW)を供給する。また、液供給部50は、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部の上方(例えば、基板W1の外周面の直上)に第2のノズル52を位置付け、その基板W1の外周端部に第2のノズル52から液体(例えば、DIW)を供給する。この液体は、第1の処理液に混和せず第1の処理液よりも比重が大きい(第1の処理液よりも密度が大きい)ものである。
The
第1のノズル51及び第2のノズル52は、例えば、それぞれノズル移動機構(不図示)によりテーブル20の上方をテーブル20上の処理対象物Wに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。第1のノズル51は、テーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に対向し、その上面に向けて液体を吐出する。第2のノズル52は、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に対向し、その外周端部に向けて液体を吐出する。第1のノズル51及び第2のノズル52の水平離間距離は、例えば200mm程度である。これらの第1のノズル51及び第2のノズル52には、基板処理装置10外のタンク(不図示)から液体が供給される。第1のノズル51から吐出される液体の吐出量は調整弁51aの開度調整により変更され、第2のノズル52から吐出される液体の吐出量は調整弁52aの開度調整により変更される。
The
制御部60は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部(いずれも不図示)を具備している。この制御部60は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて、テーブル20の各チャックピン23による処理対象物保持動作、回転機構30によるテーブル20の回転動作、処理液供給部40による処理液供給動作、液供給部50による液供給動作などの制御を行う。例えば、モータ32は制御部60に電気的に接続されており、その駆動は制御部60により制御される。また、各調整弁41a、41b、42a、51a、52aは、例えば、電磁弁であり、制御部60に電気的に接続されており、その駆動は制御部60により制御される。
The
(基板処理工程)
次に、前述の基板処理装置10が行う基板処理工程の流れについて説明する。この基板処理工程は、処理対象物Wの基板W1上に残留した接着物を除去する工程である。なお、下記の各種数値はあくまでも例示である。
(Substrate processing process)
Next, a description will be given of the flow of the substrate processing process performed by the
図3に示すように、例えば、ステップ1から6までの工程が連続して実行される。第1の処理液としては溶剤(洗浄液の一例)が用いられ、第2の処理液としてはIPAが用いられ、液体としてはDIWが用いられる。なお、処理対象物Wは各チャックピン23によりテーブル20に固定され、基板処理工程中、テーブル20は回転している。テーブル20の回転数や処理時間は制御部60により変更される。また、各ノズル41、42、51、52の個々の吐出量は、各調整弁41a、41b、42a、51a、51bが制御部60により制御されて変更される。
As shown in FIG. 3, for example, steps 1 to 6 are performed consecutively. A solvent (an example of a cleaning liquid) is used as the first processing liquid, IPA is used as the second processing liquid, and DIW is used as the liquid. The processing object W is fixed to the table 20 by each
ステップ1では、DIWが第1のノズル51から吐出され、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に供給される。このステップ1では、第1のノズル51から吐出されるDIWの吐出量は380ml/minであり、テーブル20の回転数(第1の回転数)は20rpmであり、処理時間(吐出時間)は10sである。
In
DIWの吐出量はチャックピン23の上部及びチャックピン23の周囲を被液できる量であり、基板W1上には供給されない量であることが望ましい。また、テーブル20の回転数(回転速度)は、DIWを液膜の状態で保持できる回転速度に設定されている。DIWは、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に到達し、リングW2の上面に広がる。このとき、リングW2は回転しており、リングW2の上面に供給されたDIWは、リングW2の外側及び内側に広がる。この時のテーブル20の単位時間当たりの回転数、すなわち、処理対象物WのリングW2の単位時間当たりの回転数(第1の回転数)は、リングW2の上面における遠心力の働きが弱い回転数であるため、第1のノズル51から吐出されて処理対象物WのリングW2の上面に到達したDIWが、回転するテーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に流れるように設定されている。また、処理時間は、設定されたDIWの吐出量により基板W1とリングW2の間を被液するのに要する時間に設定されている。例えば、処理時間は、設定されたDIWの吐出量が380ml/minとすると10sである。DIWの吐出量、テーブル20の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。
The amount of DIW discharged is preferably an amount that can cover the upper part of the
ステップ1において、図4に示すように、第1のノズル51から吐出されたDIW(図4中のクロスハッチングによる塗りつぶし領域により示す)は、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に到達し、リングW2の外側及びリングW2の内側(基板W1側)に広がる。このため、リングW2の内側に広がるDIWは、基板W1とリングW2との間に流れ込み、基板W1、リングW2及びダイシングテープW3により囲まれる環状の空間に溜まる。これにより、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面にはDIWの液膜が形成され、また、リングW2の上面にもDIWの液膜が形成される。
In
ステップ2では、溶剤がノズル41から吐出され、回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に供給され、また、DIWが第1のノズル51から吐出され(ステップ1から継続)、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に供給される。このステップ2では、第1のノズル51から吐出されるDIWの吐出量は380ml/minであり、テーブル20の回転数(第1の回転数)は20rpmであり、処理時間(吐出時間)は240sである。なお、ノズル41から吐出される溶剤の吐出量は480ml/minである(不図示)。
In
テーブル20の回転数(回転速度)は、基板W1上に溶剤を液膜の状態で保持できる回転速度に設定されているため、接着物を溶剤に反応させやすくなる。処理時間は、溶剤が後述するレーザ吸収層を溶解するために要する時間に設定されている。溶剤の吐出量は、前述の設定された処理時間内に、レーザ吸収層を十分に溶かすことができる供給量に設定されている。テーブル20の回転数、処理時間及び溶剤の吐出量は、予め実験などで求められ設定されている。 The number of rotations (rotation speed) of the table 20 is set to a rotation speed that can keep the solvent in a liquid film state on the substrate W1, making it easier for the adhesive to react with the solvent. The processing time is set to the time required for the solvent to dissolve the laser absorption layer described below. The amount of solvent discharged is set to a supply amount that can sufficiently dissolve the laser absorption layer within the aforementioned set processing time. The number of rotations of the table 20, the processing time, and the amount of solvent discharged are determined and set in advance through experiments, etc.
ステップ2において、図5に示すように、処理対象物Wの基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面にDIWの液膜が存在した状態で、ノズル41から吐出された溶剤(図5中のドットによる塗りつぶし領域により示す)は、回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に到達し、処理対象物Wの回転による遠心力によって基板W1の上面の全体に広がる。基板W1の上面には溶剤の液膜が形成され、基板W1上に存在する接着物(図4中の基板W1上の太黒線により示す)が溶剤によって徐々に溶融される。ステップ2は、基板W1上の接着物を溶融するためのステップである。接着物は溶融し、基板W1から剥がれる。基板W1から剥がれた接着物は、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊する。なお、基板W1上の接着物は、溶融の進行が速い部分から先に剥がれていき、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊することになる。
In
ここで、例えば、接着物は、レーザ吸収層が基板W1上に積層され、基板W1上のレーザ吸収層上にレーザ反応層が積層されて構成されている。基板W1側のレーザ吸収層が溶剤により溶かされ、接着物は基板W1から剥がされて除去される。支持基板の剥離工程前において、デバイス(基板W1)は接着層を介して支持基板に支持されている。この接着層は2層構造(レーザ反応層とレーザ吸収層)である。支持基板との剥離時は、支持基板側からレーザを照射すると、レーザ光により反応層が破壊される。レーザ吸収層によりレーザ光は、吸収されてデバイス側には影響を与えないようにしている。レーザ反応層が破壊されると、支持基板を剥離することができる。デバイス側には、破壊されたレーザ反応層及びレーザ吸収層、すなわち、接着層が残る状態になる。デバイスは破壊された接着層の上部(レーザ反応層)が上面で露出した状態でダイシングテープW3に支持される状態となる。第1の処理液である溶剤は、この2層の接着層にうち、レーザ吸収層を溶解させ、レーザ吸収層の上に形成するレーザ反応層ごと一緒に除去する。 Here, for example, the adhesive is configured by laminating a laser absorption layer on the substrate W1, and laminating a laser reaction layer on the laser absorption layer on the substrate W1. The laser absorption layer on the substrate W1 side is dissolved by a solvent, and the adhesive is peeled off and removed from the substrate W1. Before the support substrate peeling process, the device (substrate W1) is supported on the support substrate via an adhesive layer. This adhesive layer has a two-layer structure (laser reaction layer and laser absorption layer). When peeling off the support substrate, when a laser is irradiated from the support substrate side, the reaction layer is destroyed by the laser light. The laser light is absorbed by the laser absorption layer so that it does not affect the device side. When the laser reaction layer is destroyed, the support substrate can be peeled off. The destroyed laser reaction layer and laser absorption layer, i.e., the adhesive layer, remain on the device side. The device is supported by the dicing tape W3 with the upper part of the destroyed adhesive layer (laser reaction layer) exposed on the upper surface. The first processing liquid, a solvent, dissolves the laser absorption layer in the two adhesive layers and removes it together with the laser reaction layer that is formed on top of the laser absorption layer.
また、ステップ2において、第1のノズル51から吐出されたDIWは、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に向けて進行するが、基板W1の上面から流れてくる溶剤に混和することなく、リングW2の上面に到達してリングW2の外側及び内側に広がる。DIWは、溶剤に混和せず溶剤よりも比重が大きい液体である。リングW2の内側に広がるDIWは、基板W1とリングW2との間に流れ込み、基板W1、リングW2及びダイシングテープW3により囲まれる空間に溜まる。これにより、基板W1及びリングW2の間にはDIWの液膜が維持され、また、リングW2の周囲にもDIWの液膜が維持される。なお、上述したようにDIWは、溶剤に混和せず溶剤よりも比重が大きいものである。そのため、基板W1の上面から排出された溶剤は、基板W1の上面から基板W1とリングW2の間に形成されるDIWに流れ込んだとき、基板W1とリングW2との間に形成されるDIWの液膜と混和せず、DIWの液膜の上を流れることになる(図5参照)。
In
通常、ステップ2では、基板W1から除去された接着物は、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊して留まっているが、浮遊する接着物の中には、溶剤の流れによって溶剤と共に基板W1から排出されるものもある。つまり、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊する接着物のうち一部は、基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Wから排出される。このとき、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われている状態で、処理対象物Wから接着物が溶剤と共に排出されるので、接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑えることができる。DIWが基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面を覆うこと及びDIWは溶剤と混和せず、かつ、比重が大きい関係であるため、溶剤と共に流れる接着物は、基板W1とリングW2の間においてDIWの液膜上を流れる。このため、接着物が基板W1とリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑制できる。また、チャックピン23の周囲にDIWの液膜を形成することにより、溶剤と共に流れる接着物は、チャックピン23の周囲においてDIWの液膜上を流れるため、チャックピン23への接着物の付着を抑制できる。
Usually, in
また、テーブル20は、リングW2の上面の高さが基板W1の上面の高さより低くなる位置で処理対象物Wを支持している。これにより、基板W1から除去された接着物がリングW2に引っかかり残留することが抑制されるので、接着物の排出効率を向上させることができる。なお、テーブル20が、リングW2の上面の高さが基板W1の上面の高さ以上となる位置で処理対象物Wを支持する場合、基板W1から除去された接着物がリングW2に引っかかり残留することがある。 The table 20 also supports the processing object W at a position where the height of the upper surface of the ring W2 is lower than the height of the upper surface of the substrate W1. This prevents the adhesive material removed from the substrate W1 from getting caught on the ring W2 and remaining there, improving the efficiency of removing the adhesive material. Note that if the table 20 supports the processing object W at a position where the height of the upper surface of the ring W2 is equal to or higher than the height of the upper surface of the substrate W1, the adhesive material removed from the substrate W1 may get caught on the ring W2 and remain there.
ステップ3では、溶剤がノズル41から吐出され(ステップ2から継続)、回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に供給され、DIWが第1のノズル51から吐出され(ステップ2から継続)、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に供給され、さらに、DIWが第2のノズル52から吐出され、回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に供給される。このステップ3では、第1のノズル51から吐出されるDIWの吐出量は380ml/minであり、第2のノズル52から吐出されるDIWの吐出量は200ml/minであり、テーブル20の回転数(第2の回転数)は400rpmであり、処理時間(吐出時間)は60sである。なお、ノズル41から吐出される溶剤の吐出量は480ml/minであり(不図示)、各移動ノズル42からそれぞれ吐出される溶剤の吐出量は一定である。
In
DIWの吐出量は、テーブル20の回転数が第2の回転数に変更された際に、基板W1とリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面を被液できる吐出量に設定されている。テーブル20の回転数(回転速度)は、基板W1上で浮遊する接着物を基板W1外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル20の回転数とともに、接着物が基板W1上からすべて排出される時間に設定されている。DIWの吐出量、テーブル20の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 The amount of DIW discharged is set to a discharge amount that can cover the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 when the rotation speed of the table 20 is changed to the second rotation speed. The rotation speed (rotation speed) of the table 20 is set to a speed that can discharge the adhesive material floating on the substrate W1 outside the substrate W1. The processing time, together with the set rotation speed of the table 20, is set to the time it takes for all the adhesive material to be discharged from the substrate W1. The amount of DIW discharged, the rotation speed of the table 20, and the processing time are determined in advance through experiments, etc. and are set.
ステップ3において、図6に示すように、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間にDIWの液膜が形成され続け、また、基板W1の上面には溶剤の液膜が形成され続ける。テーブル20の回転数が上がり(20→400rpm)、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Wから流れ落ちる。加えて、各移動ノズル42は、接着物が処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊している状態で、テーブル20上の中央付近から外周付近まで放射状に移動しつつ(図2参照)、処理対象物Wに向けてそれぞれ第1の処理液を吐出し、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊している接着物を処理対象物W上から掃き出す。ステップ3は、ステップ2で溶融して基板W1上の溶剤に浮遊する接着物を処理対象物Wから排出するためのステップである。各移動ノズル42が移動を開始するタイミング(移動開始タイミング)は、制御部60の記憶部に予め設定されている。例えば、移動開始タイミングは、ステップ3を開始するタイミングと同じタイミングに設定されている。このタイミングは、ステップ2において、基板W1から接着物のほぼ全てが剥がれて処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊しているタイミングである。
In
なお、ステップ3において、ノズル41による溶剤の供給及び第1のノズル51によるDIWの供給は前述のステップ2と同じであるが、加えて、第2のノズル52によるDIWの供給が行われる。第2のノズル52から吐出されたDIWは、基板W1の上面から流れてくる溶剤に混和することなく、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に到達し、基板W1とリングW2との間に流れ込み、基板W1、リングW2及びダイシングテープW3により囲まれる空間に溜まる。テーブル20の回転数が上がると(20→400rpm)、遠心力が働いて、第1のノズル51から吐出されたDIWが基板W1及びリングW2の間に流れ込み難くなり、ダイシングテープW3の露出面(粘着面)に形成される液膜が薄くなる。また、露出面の一部では、液膜が完全にない状態になる。ところが、第2のノズル52から吐出されたDIWが基板W1及びリングW2の間に供給され、基板W1及びリングW2の間のDIWの液膜の厚さ(膜厚)が維持されるので、溶剤の供給中、基板W1とリングW2との間のダイシングテープW3の粘着面はDIWの液膜により確実に覆われる。これにより、テーブル20の回転数を上げても、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われている状態となる。結果として、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板W1基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Wから接着物が溶剤と共に排出される。したがって、基板W1から除去された接着物が、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑えることができる。
In
前述したように、第1のノズル51による供給だけでは、DIWの液膜が薄くなる状態及び液膜が無くなる状態になるので、第2のノズル52により、更に液量をアシストすることでDIWの液膜の形成を維持するようにする。さらに、第2のノズル52は、処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けてDIWを吐出することで、遠心力の影響を考慮して、基板W1とリングW2の間にDIWの液膜を形成できるようにしている。リングW2の上面に第2ノズル52からDIWを供給しても、回転数が第2の回転数になることで遠心力が増えるので、DIWがリングW2の内側に流れず外側に排出されてしまう。このため、第2のノズル52によって、基板W1の外周端部にDIWを供給し、その外周端部の外側に位置する、基板W1とリングW2の間のダイシングテープの粘着面にDIWが流れ、そこにDIWの液膜を形成するようにしている。なお、ステップ3でも溶剤(第1の処理液)を供給しており、ステップ4で溶剤の供給を停止する。
As mentioned above, the supply from the
また、処理対象物Wから接着物を排出するため、テーブル20の回転数がステップ2より上げられる(20→400rpm)。これにより、処理対象物W上での遠心力が強くなり、処理対象物Wからの接着物排出が促進されるので、溶剤と共に流れる接着物を排出する排出性能(接着物の排出性能)を向上させることができる。つまり、ステップ2で基板W1上に溶剤の液膜を形成し、基板W1の接着物を溶融して溶剤の液膜に浮遊させ、ステップ3でテーブル20の回転数を上げ、溶剤に浮遊する接着物を処理対象物W上から溶剤と共に排出する。テーブル20の回転数を上げることによって、接着物の排出性能を向上させることが可能である。つまり、基板W1の回転数(回転速度)を上昇させることで、遠心力を発生させ、基板W1の表面上に浮遊した接着物を遠心力で基板W1の外側に排出する。これにより、基板W1の表面上から接着物を除去することができる。なお、基板W1の回転数を上昇した際にも、基板W1中央に溶剤の供給を継続している。これは、基板W1の表面上の液膜が遠心力により薄くなり、基板W1の表面上から剥離した接着物が、再度基板W1の表面上に付着することを抑えるためである。さらに、基板W1上から接着物を排出する排出性能を補助もする。さらに、各移動ノズル42を処理対象物Wの中央付近から外周まで放射状に移動させつつ、各移動ノズル42からそれぞれ処理対象物Wに第1の処理液を供給することによって、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊する接着物を処理対象物Wから掃き出し、接着物の排出性能を向上させることが可能である。このように接着物の排出性能が向上するため、基板W1から除去された接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面や各チャックピン23に付着することを抑えることができる。
In addition, in order to discharge the adhesive from the processing object W, the rotation speed of the table 20 is increased from step 2 (20 → 400 rpm). This increases the centrifugal force on the processing object W, accelerating the discharge of the adhesive from the processing object W, and thus improving the discharge performance (discharge performance of the adhesive) of discharging the adhesive that flows together with the solvent. That is, in
ステップ4では、IPAだけがノズル41から回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に供給される。このステップ4では、テーブル20の回転数は400rpmであり、処理時間(吐出時間)は60sである。なお、ノズル51から供給されるIPAの量は200ml/minである(不図示)。
In
ステップ4において、基板W1上に残留する溶剤を除去するため、IPAを供給する。なお、溶剤を排出するためには、溶剤と混和可能であり揮発性が高い液体を用いることが好ましい。テーブル20の回転数(回転速度)は、基板W1上に残留する処理液を基板W1外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル20の回転数とともに、溶剤の残留が基板W1上からすべて無くなる時間に設定されている。テーブル20の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。
In
ステップ5では、全ての液供給が無い状態で、高速回転により乾燥が行われる。このステップ5では、テーブル20の回転数は1000rpmであり、処理時間は50sである。基板W1上が乾燥するのに必要な回転数、処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。
In
ステップ6では、高速回転により乾燥を停止するため、全ての液供給が無い状態で、回転速度が遅くされる。このステップ6では、テーブル20の回転数は50rpmであり、処理時間は10sである。
In
前述の基板処理工程では、ステップ3において、各移動ノズル42がテーブル20上の処理対象物Wの中央付近から外周まで放射状に移動しつつ、処理対象物Wに向けてそれぞれ第1の処理液を供給する。処理対象物W上の溶剤の液膜に到達した第1の処理液は処理対象物Wの外側に向かって流れ、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は押し出されるように処理対象物Wから掃き出される。このような第1の処理液の流れにより、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊する接着物が処理対象物Wから排出されるので、基板W1から除去された接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面や各チャックピン23に付着することを抑えることができる。つまり、ノズル41から供給される溶剤の流れに加え、移動ノズル42からの処理液の流れによって、接着物の排出性能が向上する。掃き出し性能(掃出し力)を向上させることで、接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面上(DIW液膜上)を速く通過するようになる。接着物がチャックピン23に付着しようとしても、移動ノズル42のからの液流により、接着物を排出することが可能となるから、チャックピン23への付着を抑制することが可能である。さらに、複数の移動ノズル42がそれぞれ、処理対象物Wの外周に移動(放射状に、また、同時に移動)することで、処理対象物W上に浮遊する接着物を、基板W1上から排出することができる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面やチャックピン23に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープW3の粘着面やチャックピン23から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。なお、例えば、接着物がチャックピン23に付くと、次に搬送されてきた未処理の処理対象物Wが、汚染されたチャックピン23によって保持されることになる。これにより、リングW2に接着物が付着してしまい、そのまま処理が進むと搬送工程やダイシング工程などで基板W1に影響を与えることがある。
In the above-mentioned substrate processing process, in
また、ステップ2において、第1のノズル51は、回転機構30により回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に向けてDIWを吐出し、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間にDIWを供給する。これにより、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面がDIWの液膜により覆われる。この状態で、ノズル41は、回転機構30により回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に向けて溶剤を吐出する。また、ステップ3において、テーブル20の回転数が上昇すると、第2のノズル52は、回転機構30により回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けてDIWを吐出し、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間にDIWを供給する。これにより、テーブル20の回転数が例えば100rpm以上に上昇しても(高速回転)、基板W1及びリングW2の間のDIWの液膜の厚さが保持され、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われている状態が確実に維持される。
In
このようにして、溶剤の供給中、基板W1とリングW2との間のダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面は、DIWの液膜により確実に覆われている。これにより、基板W1から除去された接着物が溶剤と共に基板W1から排出されても、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面に付着することが抑えられる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程(例えば後工程)などでダイシングテープW3やリングW2から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。 In this way, while the solvent is being supplied, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 and the upper surface of the ring W2 are reliably covered with a liquid film of DIW. This prevents the adhesive material removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 or to the upper surface of the ring W2, even if it is discharged from the substrate W1 together with the solvent. Therefore, the adhesive material adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 or the upper surface of the ring W2 is prevented from being separated from the dicing tape W3 or the ring W2 during the transport process or the dicing process (e.g., a post-process) and adhering to the substrate W1, thereby preventing contamination of the substrate W1, thereby reliably improving the substrate quality.
ここで、例えば、第1のノズル51が基板W1の外周端部に供給すると、DIWが基板W1の端面側から中心方向に広がってしまう。つまり、第1の回転数では、遠心力が弱いから基板W1の外周に排出する性能が出ない。このため、基板W1の中心方向にDIWが広がると、ステップ2で基板W1の中心に供給される溶剤が基板W1の外周に広がるのを阻害し、溶剤が基板W1の外周部における接着物と反応することができなくなる。前述したように、DIWと第1の処理液である溶剤は混和しないものであり、DIWの方が第1の処理液である溶剤より比重が大きい。そのため、DIWが基板W1の外周端部から中心方向に広がると、基板W1の中心から供給された溶剤が、基板W1の外周付近で、DIWとは混和せずにDIWの上を流れる状態になる。つまり、基板W1の外周付近は、溶剤が基板W1上の接着物に接触することが難しくなり、基板W1上の接着物に対して溶剤を供給することができない。つまり、テーブル20の回転数に応じてDIWの供給位置を変えている理由は、上記したように、基板W1上に供給される第1の処理液である溶剤が、DIWによって阻害されることなく、基板W1の外周までに広がり、基板W1上の接着物の剥離を確実に行うことと、基板W1とリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面への接着物の付着を抑制するためである。
Here, for example, when the
以上説明したように、第1の実施形態によれば、テーブル20により支持された処理対象物Wの内側から外側に向かって移動しつつ第1の処理液(例えば、溶剤)を吐出する移動ノズル42が設けられている。移動ノズル42により第1の処理液が処理対象物Wの内側から外側に向かって供給され、ノズル41から供給される第1の処理液の流れに加え、移動ノズル42からの第1の処理液の流れによって、接着物の排出性能が向上する。これにより、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊する接着物が処理対象物Wから確実に掃き出されるので、基板W1から除去された接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面や各チャックピン23に付着することを抑えることができる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面やチャックピン23に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープW3の粘着面やチャックピン23から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。
As described above, according to the first embodiment, a moving
また、第1の実施形態によれば、処理対象物Wをテーブル20により支持し、そのテーブル20を回転機構30により回転させ、テーブル20の回転数に応じて、テーブル20により支持された処理対象物WのリングW2の上面、又は、テーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けて、第1の処理液(例えば、溶剤)に混和せず第1の処理液よりも比重が大きい液体(例えば、DIW)を吐出し、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に液体を供給し、液体が処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に供給されている状態で、回転するテーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1の上面に処理液を供給する。
According to the first embodiment, the object W to be treated is supported by the table 20, and the table 20 is rotated by the
つまり、第1の処理液に混和せず第1の処理液よりも比重が大きい液体が基板W1及びリングW2の間に流れ込み、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われる。このため、基板W1から除去された接着物は、基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる第1の処理液と共に処理対象物Wから排出されるが、その際に基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑えることができる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープW3から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。 That is, a liquid that is not miscible with the first processing liquid and has a higher specific gravity than the first processing liquid flows between the substrate W1 and the ring W2, and the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is covered with a liquid film of DIW. Therefore, the adhesive removed from the substrate W1 is discharged from the processing object W together with the first processing liquid flowing over the liquid film of DIW present between the substrate W1 and the ring W2 and on the upper surface of the ring W2, but at that time, it is possible to prevent the adhesive from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. Therefore, the adhesive attached to the adhesive surface of the dicing tape W3 is prevented from being separated from the dicing tape W3 and adhering to the substrate W1 during the transport process or dicing process, etc., and contamination of the substrate W1 is prevented, so that the substrate quality can be reliably improved.
また、リングW2の上面の高さが基板W1の上面の高さより低くなる位置でテーブル20が処理対象物Wを支持することで、接着物の排出性能を向上させることが可能になり、また、リングW2の上面を液膜により覆うことが可能になる。これにより、基板W1から除去された接着物が、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面に付着することが確実に抑えられる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面に付着した接着物が、搬送途中やダイシング工程などの後工程でダイシングテープW3やリングW2から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが確実に抑制されるので、基板品質をより確実に向上させることができる。 In addition, by supporting the processing object W on the table 20 at a position where the height of the upper surface of the ring W2 is lower than the height of the upper surface of the substrate W1, it is possible to improve the discharge performance of the adhesive material and also to cover the upper surface of the ring W2 with a liquid film. This reliably prevents the adhesive material removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 or to the upper surface of the ring W2. Therefore, the adhesive material adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 or the upper surface of the ring W2 is reliably prevented from detaching from the dicing tape W3 or the ring W2 during transportation or in a later process such as a dicing process and adhering to the substrate W1, thereby preventing contamination of the substrate W1, and thus improving the substrate quality more reliably.
また、第2のノズル52によるDIWの供給が行われる。第1のノズル51による供給だけでは、DIWの液膜が薄くなる状態及び液膜が無くなる状態になるので、第2のノズル52により、更に液量をアシストすることでDIWの液膜を維持する。さらに、第2のノズル52は、処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けてDIWを吐出することで、遠心力の影響を考慮して、基板W1とリングW2の間にDIWの液膜を形成する。これにより基板W1及びリングW2の間のDIWの液膜の厚さ(膜厚)が維持されるので、溶剤の供給中、基板W1とリングW2との間のダイシングテープW3の粘着面はDIWの液膜により確実に覆われる。これにより、テーブル20の回転数を上げても、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われている状態となる。結果として、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板W1基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Wから接着物が溶剤と共に排出される。したがって、基板W1から除去された接着物が、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑えることができる。
DIW is also supplied by the
なお、前述の説明においては、複数本の移動ノズル42を設け、それらの移動ノズル42をテーブル20上の処理対象物Wの内側から外側に向かって放射状に移動させることを例示したが、これに限るものではない。また、移動ノズル42の本数や移動経路は、特に限定されるものではない。例えば、図7に示すように、一本の移動ノズル42を設け、その移動ノズル42をテーブル20上の処理対象物Wの内側から外側に向かって渦巻状に移動させるようにしてもよい。このときの移動ノズル42の移動方向はテーブル20の回転方向と逆である。移動機構としては、X軸方向及びY軸方向に同時に移動ノズル42を移動させて平面内を自在に移動させることが可能な移動機構が用いられる。この移動機構によって、移動ノズル42を渦巻状に移動させることができる。
In the above description, a plurality of moving
<第2の実施形態>
第2の実施形態について図8を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(角度可変ノズル及び角度変更部)について説明し、その他の説明は省略する。
Second Embodiment
The second embodiment will be described with reference to Fig. 8. Note that in the second embodiment, differences from the first embodiment (the angle variable nozzle and the angle changing unit) will be described, and other descriptions will be omitted.
図8に示すように、第2の実施形態に係る処理液供給部40は、第1の実施形態に係る各移動ノズル42に替えて、一本の角度可変ノズル43と、角度変更部44とを有している。
As shown in FIG. 8, the processing
角度可変ノズル43は、ノズル41の周囲に角度変更部44と共に位置付けられ、例えば、ノズル移動機構(不図示)により角度変更部44と共にテーブル20の上方をテーブル20上の処理対象物Wに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構が用いられる。また、角度可変ノズル43は、鉛直方向に対する傾斜角度が角度変更部44により変更されるように形成されている。この角度可変ノズル43は、角度変更部44による傾斜角度の変更により、テーブル20上の処理対象物Wの内側から外側に向かって処理対象物Wに第1の処理液(例えば、溶剤)を供給する。角度可変ノズル43には、基板処理装置10外の一つのタンク(不図示)から第1の処理液が供給される。角度可変ノズル43から吐出される第1の処理液の吐出量は調整弁43aの開度調整により変更される。なお、基板処理工程中、角度可変ノズル43から吐出される第1の処理液の吐出量は一定である。調整弁43aは、例えば、電磁弁であり、制御部60に電気的に接続されており、その駆動は制御部60により制御される。
The angle-
角度変更部44は、角度可変ノズル43の傾斜角度を変更することが可能に形成されている。角度変更部44としては、例えば、連結部材やモータなどを有する角度変更機構が用いられる。角度変更部44は制御部60に電気的に接続されており、その駆動は制御部60により制御される。例えば、角度変更部44は、角度可変ノズル43の傾斜角度(鉛直方向に対する傾斜角度)を角度可変ノズル43による第1の処理液の供給開始から徐々に大きくする。これに応じて、角度可変ノズル43は、テーブル20上の処理対象物Wの内側から外側に向かって処理対象物Wに第1の処理液を供給し、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊している接着物を処理対象物W上から掃き出す。
The
基板処理工程のステップ3において、角度可変ノズル43は、角度変更部44による傾斜角度の変更に応じ、テーブル20上の処理対象物Wの中央付近から外周に向かって処理対象物Wに第1の処理液を供給する。処理対象物W上の溶剤の液膜に到達した第1の処理液は処理対象物Wの外側に向かって流れ、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は押し出されるように処理対象物Wから掃き出される。このような第1の処理液の流れにより、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊する接着物が処理対象物Wから排出されるので、基板W1から除去された接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面や各チャックピン23に付着することを抑えることができる。つまり、ノズル41から供給される溶剤の流れに加え、移動ノズル42からの処理液の流れによって、接着物の排出性能が向上する。掃き出し性能(掃出し力)を向上させることで、接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面上(DIW液膜上)を速く通過するようになる。接着物がチャックピン23に付着しようとしても、移動ノズル42のからの液流により、接着物を排出することが可能となるから、チャックピン23への付着を抑制することが可能である。さらに、複数の移動ノズル42がそれぞれ、処理対象物Wの外周に移動(放射状に、また、同時に移動)することで、処理対象物W上に浮遊する接着物を、基板W1上から排出することができる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面やチャックピン23に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープW3の粘着面やチャックピン23から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。
In
以上説明したように、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第1の実施形態に係る移動ノズル42を六つ設ける場合に比べ、ノズル移動機構を簡略化することが可能であり、基板処理装置10を簡略化することができる。
As described above, according to the second embodiment, it is possible to obtain the same effects as the first embodiment. Furthermore, compared to the case where six moving
<他の実施形態>
前述の説明においては、各移動ノズル42の移動開始タイミングを、ステップS3を開始するタイミングと同じタイミングに設定することを例示したが、これに限るものではなく、基板W1から接着物(接着層)の一部が剥がれ、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊したタイミング、つまり接着物の剥がれが開始したタイミングに設定するようにしてもよい。例えば、溶剤の供給開始から所定時間が経過したことを検知し、各移動ノズル42の移動を開始したり、あるいは、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊した接着物を検知し、その検知数が所定数に達したことに応じ、各移動ノズル42の移動を開始したりする。処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊した接着物を検知するためには、テーブル20上の処理対象物Wを上方から撮像する撮像部を設け、第1の処理液が供給されている処理対象物W上の基板W1を撮像部により撮像し、その画像(色の差など)から接着物を検知することが可能である。
<Other embodiments>
In the above description, the movement start timing of each moving
また、前述の説明においては、ステップ3の処理中、移動ノズル42又は角度可変ノズル43から一定時間絶えず第1の処理液を吐出させることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、移動ノズル42又は角度可変ノズル43から第1の処理液を間欠吐出させるようにしてもよい。この間欠吐出により溶剤の液膜に波紋を生じさせることが可能であり、接着物の排出能力を向上させることができる。
In addition, in the above explanation, the first processing liquid is continuously ejected from the
また、前述の説明においては、ステップ3の処理中、テーブル20上の処理対象物Wの内側から外側に向かって一度だけ移動することを例示したが、これに限るものではなく、テーブル20上の処理対象物Wの内側から外側に向かって移動することを繰り返すようにしてもよい。
In addition, in the above explanation, during the processing of
また、前述の説明においては、全ての移動ノズル42から同時に液体を吐出させることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、各移動ノズル42から順番に液体を吐出させることも可能であり、所定の順序で各移動ノズル42から液体を吐出させるようにしてもよく、また、不規則に吐出させるようにしてもよい。つまり、各移動ノズル42から選択的に液体を吐出させても、また、各移動ノズル42から同時に液体を吐出させるようにしてもよい。
In addition, in the above explanation, liquid is ejected from all the moving
また、前述の説明においては、各移動ノズル42の個々の吐出量を同じで一定にすることや角度可変ノズル43の吐出量を一定にすることを例示したが、これに限るものではなく、各移動ノズル42の個々の吐出量を異ならせてもよく、あるいは、各移動ノズル42の個々の吐出量や角度可変ノズル43の吐出量を一定ではなく変化させるようにしてもよい。例えば、テーブル20の回転数に応じて各移動ノズル42の個々の吐出量や角度可変ノズル43の吐出量を変える。一例として、テーブル20の回転数の上昇に応じて各移動ノズル42の個々の吐出量や角度可変ノズル43の吐出量を上げ、テーブル20の回転数の下降に応じて各移動ノズル42の個々の吐出量や角度可変ノズル43の吐出量を下げる。また、角度可変ノズル43の傾斜角度が大きくなるにつれて角度可変ノズル43の吐出量を上げることも可能である。また、各移動ノズル42の個々の吐出量や角度可変ノズル43の吐出量をノズル41の吐出量と同じにしてもよく、あるいは、ノズル41の吐出量より大きくしても、小さくしてもよい。
In the above description, the individual discharge amounts of the moving
また、前述の説明においては、テーブル20の回転数に応じて、テーブル20により支持された処理対象物WのリングW2の上面、あるいは、テーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けて液供給部50により液体を吐出し、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に液体を供給することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、テーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に向けて吐出し、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に液体を供給するようにしてもよい。なお、テーブル20により支持された処理対象物WのリングW2の上面及び基板W1の外周端部の両方に同時に液体を供給することも可能であり、テーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1の外周端部及び基板W1とリングW2との間の両方に、また、テーブル20により支持された処理対象物WのリングW2の上面、基板W1の外周端部及び基板W1とリングW2との間の三個所に同時に液体を供給することも可能である。 In the above description, the liquid supply unit 50 discharges liquid toward the upper surface of the ring W2 of the processing object W supported by the table 20 or toward the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing object W supported by the table 20 according to the rotation speed of the table 20, and supplies liquid between the substrate W1 and the ring W2 of the processing object W. However, this is not limited to the above, and for example, liquid may be discharged toward the area between the substrate W1 and the ring W2 of the processing object W supported by the table 20, and liquid may be supplied between the substrate W1 and the ring W2 of the processing object W. It is also possible to simultaneously supply liquid to both the upper surface of the ring W2 of the processing object W supported by the table 20 and the outer peripheral edge of the substrate W1, and it is also possible to simultaneously supply liquid to both the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing object W supported by the table 20 and between the substrate W1 and the ring W2, and to three locations: the upper surface of the ring W2 of the processing object W supported by the table 20, the outer peripheral edge of the substrate W1, and between the substrate W1 and the ring W2.
また、前述の説明においては、第1のノズル51及び第2のノズル52の二本のノズルを設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、第1のノズル51だけを設け、その第1のノズル51を移動機構により移動させて第2のノズル52のかわりに用いるようにしても良い。すなわち、第1のノズル51は、テーブル20の回転数が第1の回転数である場合、テーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に向けて液体を吐出し、テーブル20の回転数が第2の回転数である場合、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けて液体を吐出する。なお、第1のノズル51は、テーブル20の回転数が第1の回転数から第2の回転数に変更される前に、テーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に向けて液体を吐出する位置から、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けて液体を吐出する位置に移動する。また、第1のノズル51及び第2のノズル52のどちらか一方又は両方をリングW2及び基板W1の周方向に所定の間隔で複数設けることも可能である。
In the above description, two nozzles, the
また、前述の説明においては、第1のノズル51及び第2のノズル52は、鉛直方向に対して傾いていてもよく、鉛直方向に平行であってもよい。また、第1のノズル51の傾斜角度及び第2のノズル52の傾斜角度は同じであっても、異なっていてもよい。第1のノズル51及び第2のノズル52の個々の傾斜角度をテーブル20の回転数に応じて変更するようにしてもよく、例えば、連結部材やモータなどを有する角度変更機構(角度変更部)によりテーブル20の回転数に応じて変更するようにしてもよい。また、テーブル20の回転数ごとに傾斜角度の異なる複数のノズルを設けておき、それらのノズルをテーブル20の回転数に応じて選択して用い、テーブル20の回転数に応じてノズルの傾斜角度を変更するようにしてもよい。このようにして、第1のノズル51や第2のノズル52などのノズルがテーブル20上の処理対象物Wに対して液体を吐出する角度(吐出角度)を変更することができる。
In the above description, the
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and modifications can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are included in the scope of the invention and its equivalents described in the claims.
10 基板処理装置
20 テーブル
40 処理液供給部
41 ノズル
42 移動ノズル
43 角度可変ノズル
50 液供給部
W 処理対象物
W1 基板
W2 リング
W3 ダイシングテープ
REFERENCE SIGNS
Claims (8)
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記テーブルを回転させる回転機構と、
を備え、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって移動しつつ前記処理液を吐出する移動ノズルと、
を有し、
前記移動ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記移動ノズルを前記処理対象物の内側から外側に向かう移動及び前記処理液の吐出を開始する基板処理装置。 a table for supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring;
a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid for processing the adhesion material present on the substrate to the processing object supported by the table;
A rotation mechanism that rotates the table;
Equipped with
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
a moving nozzle that ejects the processing liquid while moving from the inside to the outside of the processing object supported by the table;
having
The substrate processing apparatus includes a movable nozzle that begins moving from the inside to the outside of the processing object and ejecting the processing liquid at a predetermined timing when a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle is formed on the upper surface of the substrate, the adhesive material melts in the processing liquid, and the adhesive material peels off from the substrate and floats away.
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記テーブルを回転させる回転機構と、
を備え、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって前記処理液を吐出する角度可変ノズルと、
を有し、
前記角度可変ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記処理液の吐出を開始する基板処理装置。 a table for supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring;
a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid for processing the adhesion material present on the substrate to the processing object supported by the table;
A rotation mechanism that rotates the table;
Equipped with
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
an angle variable nozzle that ejects the processing liquid from the inside toward the outside of the processing object supported by the table;
having
The angle-variable nozzle of this substrate processing apparatus begins ejecting the processing liquid at a predetermined timing after a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle is formed on the upper surface of the substrate , at which the adhesive material melts in the processing liquid, causing the adhesive material to peel off from the substrate and float away .
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
を有し、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって移動しつつ前記処理液を吐出する移動ノズルと、
を有し、
前記移動ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記処理対象物の内側から外側に向かう移動及び前記処理液の吐出を開始する基板処理方法。 A step of supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring by a table;
supplying a treatment liquid for treating the adhesive material present on the substrate to the treatment object supported by the table by a treatment liquid supply unit;
having
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
a moving nozzle that ejects the processing liquid while moving from the inside to the outside of the processing object supported by the table;
having
The substrate processing method includes the moving nozzle beginning to move the processing object from the inside to the outside and ejecting the processing liquid at a predetermined timing when the adhesive material melts in the processing liquid, peeling off from the substrate and floating after a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle is formed on the upper surface of the substrate.
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に、前記基板上に存在する接着物を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
を有し、
前記処理液供給部は、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物に前記処理液を吐出するノズルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物の内側から外側に向かって前記処理液を吐出する角度可変ノズルと、
を有し、
前記角度可変ノズルは、前記基板の上面に前記ノズルから吐出された前記処理液の液膜が形成された後、前記処理液に前記接着物が溶融して前記基板から前記接着物が剥がれて浮遊する、予め設定された所定のタイミングで、前記処理液の吐出を開始する基板処理方法。 A step of supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhered to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring by a table;
supplying a treatment liquid for treating the adhesive material present on the substrate to the treatment object supported by the table by a treatment liquid supply unit;
having
The processing liquid supply unit includes:
a nozzle that ejects the processing liquid onto the processing object supported by the table;
an angle variable nozzle that ejects the processing liquid from the inside toward the outside of the processing object supported by the table;
having
A substrate processing method in which the angle-variable nozzle begins ejecting the processing liquid at a preset specified timing after a liquid film of the processing liquid ejected from the nozzle has been formed on the upper surface of the substrate, whereby the adhesive material melts in the processing liquid, peeling off from the substrate and floating away.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019181012A JP7504573B2 (en) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019181012A JP7504573B2 (en) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021057503A JP2021057503A (en) | 2021-04-08 |
JP7504573B2 true JP7504573B2 (en) | 2024-06-24 |
Family
ID=75272777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019181012A Active JP7504573B2 (en) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7504573B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202304601A (en) * | 2021-06-24 | 2023-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Substrate liquid processing device and substrate liquid processing method |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261068A (en) | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Sony Corp | Device and method for substrate treatment |
JP2010050226A (en) | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate processing apparatus and method |
JP2013115234A (en) | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | Washing device |
JP2014165281A (en) | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning device, cleaning method, and peeling system |
JP2015146352A (en) | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京応化工業株式会社 | Cleaning device and cleaning method |
JP2016066748A (en) | 2014-09-25 | 2016-04-28 | トヨタ自動車株式会社 | Cooling fin |
JP2019121675A (en) | 2018-01-04 | 2019-07-22 | 株式会社ディスコ | Processing device |
JP2021057501A (en) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2019
- 2019-09-30 JP JP2019181012A patent/JP7504573B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261068A (en) | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Sony Corp | Device and method for substrate treatment |
JP2010050226A (en) | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate processing apparatus and method |
JP2013115234A (en) | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | Washing device |
JP2014165281A (en) | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning device, cleaning method, and peeling system |
JP2015146352A (en) | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京応化工業株式会社 | Cleaning device and cleaning method |
JP2016066748A (en) | 2014-09-25 | 2016-04-28 | トヨタ自動車株式会社 | Cooling fin |
JP2019121675A (en) | 2018-01-04 | 2019-07-22 | 株式会社ディスコ | Processing device |
JP2021057501A (en) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021057503A (en) | 2021-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4810411B2 (en) | Processing equipment | |
US7543593B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US7823597B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101976968B1 (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
CN109390252B (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
US10546763B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
JP7504573B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
JP7199602B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS | |
JP7337633B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
TWI648767B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JPH0555133A (en) | Liquid supply nozzle | |
JP7401243B2 (en) | Substrate processing equipment and substrate processing method | |
WO2017221639A1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus | |
TW201923876A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP7337634B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
CN112582299B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2008177584A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP7451126B2 (en) | Substrate processing equipment and substrate processing method | |
JP7202960B2 (en) | Coating film forming method and coating film forming apparatus | |
JP7136543B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP6737670B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TWI682452B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20230364656A1 (en) | Method for treating a substrate | |
JPH0851064A (en) | Substrate backside washing method | |
JP2005340331A (en) | Method and apparatus of substrate washing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20200626 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230725 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7504573 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |