JP7502039B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は基板処理装置に関する。
容量結合プラズマ（Capacitively Coupled Plasma(CCP))はプラズマ処理で広く用いられている。
米国特許第8262923号明細書
しかし、装置内で寄生容量が発生し、意図しないところに電圧がかかり得る。そのような意図しない電圧の印加は電力損失の原因となる。例えばベベルの周囲以外の部分に強い電界が生じると、プラズマの均一性が悪くなったり、ベベルのエッチレートが低下したりする。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、基板の一部に対してプラズマ処理を施す基板処理装置を提供することを目的とする。
本願の発明に係る基板処理装置は、サセプタと、該サセプタを支持するシャフトと、該サセプタの側面との間に間隙を設けつつ該サセプタを囲むフローコントロールリングと、該フローコントロールリングの直上にある排気ダクトと、該サセプタの上方にあるプレートと、該サセプタ、該フローコントロールリング、該排気ダクト及び該プレートを囲むチャンバと、該シャフトを該チャンバにつなぎ、少なくとも一部が絶縁体である接続部と、を備えたことを特徴とする。
本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
本発明によれば、基板の一部に対してプラズマ処理を施すことができる。
基板処理装置の構成例を示す図である。 包囲部の拡大図である。 図３Ａは電気接続の例を示す回路図である。図３Ｂは電気接続の別の例を示す回路図である。 電磁界シミュレーション結果を示す図である。 別の電磁界シミュレーション結果を示す図である。 別の例に係る基板処理装置の断面図である。 さらに別の例に係る基板処理装置の断面図である。
基板処理装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態．
図１は、基板処理装置１０の構成例を示す図である。この基板処理装置１０は基板のベベル処理装置として提供し得る。ベベル処理は、ベベルのエッチング、ベベルの成膜、ベベルの膜の改質を含む。この基板処理装置１０は、接地電極として機能するチャンバ１２を備えている。チャンバ１２の材料は金属である。チャンバ１２の中で、処理対象となる基板はサセプタ１４にのせられる。サセプタ１４は、基板よりも小さい形状を有することで、ベベルがサセプタ１４から突出する。つまりベベルの全体が露出する。サセプタ１４の材料は例えばＡｌ又はＴｉである。
サセプタ１４はシャフト１６によって支持されている。一例によれば、シャフト１６につながりシャフト１６よりも幅が大きい幅広部１８が提供される。幅広部１８はチャンバ１２の外に位置させ得る。チャンバ１２のうちシャフト１６を囲む部分は包囲部１２ａという。包囲部１２ａと幅広部１８との間にベローズ２０が設けられている。このベローズ２０が外部からの力で伸縮することで、サセプタ１４を昇降させ得る。
図２は、包囲部１２ａとその近傍の拡大図である。ベローズ２０はチャンバ１２内の真空を保つ。
幅広部１８とベローズ２０は、シャフト１６をチャンバ１２につなぐ接続部として機能する。例えば、この接続部の少なくとも一部を絶縁体とすることができる。一例によれば幅広部１８を絶縁体とすることができる。別の例によればベローズ２０を絶縁体とすることができる。そのような絶縁体の材料は、誘電率が１０未満の低誘電率材料とすることができる。例えば絶縁体は、石英、アルミナ又はフッ素含有樹脂である。幅広部１８とベローズ２０は接続部の一例である。別の例では、サセプタ１４を昇降可能としつつ、シャフト１６をチャンバ１２につなぐ、任意の構成の接続部を提供し得る。
図３Ａ、図３Ｂは、チャンバ１２とシャフト１６の間の電気的接続態様の一例を示す回路図である。包囲部１２ａとシャフト１６を離すことでキャパシタＣ１が生じる。シャフト１６とチャンバ１２を接続部でつなぐことで接触抵抗などに起因する第１抵抗Ｒ１が生じる。図３ＡはキャパシタＣ１と第１抵抗Ｒ１を含む回路図である。図３Ｂは接続部の少なくとも一部が絶縁体である場合の回路図である。
このように、包囲部１２ａとシャフト１６を離し、接続部の少なくとも一部を絶縁体にすることで、サセプタ１４をフローティングとすることができる。いいかえれば、サセプタ１４とチャンバ１２の間のインピーダンスを十分高くすることで、サセプタ１４はチャンバ１２と電気的に接しない。
図１の構成の説明に戻る。サセプタ１４の横にはフローコントロールリング（ＦＣＲ）３０が設けられている。ＦＣＲ３０は、サセプタ１４の側面との間に間隙を設けつつサセプタ１４を囲む。ＦＣＲ３０は例えばＡｌ又はＴｉなどの金属とすることができる。一例によれば、ＦＣＲ３０の下面がチャンバ１２に接することで、ＦＣＲ３０は接地させる。
ＦＣＲ３０の直上には排気ダクト３２がある。排気ダクト３２は、ＦＣＲ３０と同様、平面視で環状に形成され得る。排気ダクト３２は、プロセスに用いられたガスをチャンバ１２の外部に排気する流路を提供する。排気ダクト３２の材料は例えばセラミック又はアルミナとし得る。
排気ダクト３２の上には外側プレート４０が乗せられている。外側プレート４０の上には内側プレート４２が乗せられている。一例によれば、外側プレート４０は内側プレート４２を囲みＦＣＲ３０の直上にある。一例によれば、内側プレート４２はサセプタ１４の直上にある。内側プレート４２の中央には貫通穴を設けることができる。外側プレート４０と内側プレート４２をまとめてプレートということがある。
外側プレート４０と内側プレート４２が１つのプレートを構成している。これらは分離可能としてもよいし、一体不可分としてよい。例えば、内側プレート４２は絶縁体であり、外側プレート４０は金属である。内側プレート４２は低誘電率材料とすることができる。低誘電率材料とは、例えば石英、アルミナ又はフッ素含有樹脂である。外側プレート４０は高周波を印加する電極とすることができる。
チャンバ１２は、サセプタ１４、ＦＣＲ３０、排気ダクト３２、外側プレート４０及び内側プレート４２を囲む。チャンバ１２の外部にはガス源５０、５２が提供されている。一例によれば、ガス源５０は内側プレート４２の貫通孔に不活性ガスを供給することで、内側プレート４２とサセプタ１４の間に平面視で放射状のガス流を生じさせる。このガス流は内側プレート４２とサセプタ１４の間に有意なプラズマが生じることを抑制する。また、ガス源５２は、サセプタ１４とＦＣＲ３０の間に下側から反応ガスを供給する。反応ガスの供給によって、基板のベベル近傍のエッチングを可能とする。
このようなガス流は一例である。別の例によれば、ベベル近傍にプラズマの生成を可能とするガスを供給し得るあらゆるガス源とガス流を採用し得る。したがって、ガスは基板の上側から提供してもよいし、基板の下側から提供してもよい。
図４は、サセプタをフローティングとしたモデルにおける電磁界シミュレーション結果を示す図である。赤い部分で電界強度が高く、青い部分は電界強度が低い。このシミュレーションでは基板処理装置に基板を設けるモデルを採用した。外側プレート４０に高周波電力を印加すると、外側プレート４０とＦＣＲ３０のあいだの空間における電界強度を高めることができる。他方、サセプタ１４をフローティングとしたので、サセプタ１４へのＲＦロスが減り、サセプタ１４と内側プレート４２の間の電界強度を抑制できる。内側プレート４２を低誘電率材料としたことも、サセプタ１４と内側プレート４２の間の電界強度の抑制に貢献する。プレートから、サセプタ１４、シャフト及び接続部を経由して、チャンバ１２に至る経路の合成インピーダンスを５００Ω以上とすることは、異常放電の抑制に貢献する。
図５は、図４のモデルを基本としつつ、内側プレート４２を金属とし、サセプタ１４を接地された金属とした場合における電磁界シミュレーション結果を示す図である。この場合、内側プレート４２とサセプタ１４の間に強い電界が発生しているので、異常放電が懸念される。
このように、プラズマの生成を意図しない部分においてインピーダンスを高めるハード構成を採用することで、電界強度を緩和し、プラズマを生成したいエリアに効率良くＲＦを給電する。電界強度の緩和の方法としては、低誘電率材料を用いることと、該当部分をフローティング電位とすることを挙げた。図１－３の構成は例示であり、図１－３とは異なる構成の基板処理装置についても、同様の考え方で、異常放電を抑制し安定した放電を得る事ができる。
図６は別の例に係る基板処理装置の断面図である。この例では、サセプタ１４をフローティングにするために、包囲部１２ａを絶縁体で構成した。包囲部１２ａは例えば石英、アルミナ又はフッ素含有樹脂である。この場合、包囲部１２ａは金属のチャンバ１２とは区別される。包囲部１２ａを低誘電率材料とすることは、金属のチャンバ１２とシャフト１６の電気距離を増大させるとともに、金属のチャンバ１２とシャフト１６を電気的に絶縁することを可能とする。よって、サセプタ１４を経由してチャンバ１２に至る経路のインピーダンスをさらに高めることができる。
図７は、さらに別の例に係る基板処理装置の断面図である。ＦＣＲ３０は、チャンバ１２に接する金属部分３０ａと、排気ダクト３２の直下にある絶縁体部分３０ｂと、を有する。一例によれば、ＦＣＲ３０の上面には金属部分３０ａと絶縁体部分３０ｂが露出し、ＦＣＲ３０の下面には金属部分３０ａだけが露出する。ＦＣＲ３０の上面は、排気ダクト３２に向かうガス流を妨げないように、平面とし得る。例えば、絶縁体部分３０ｂは石英、アルミナ又はフッ素含有樹脂である。
排気ダクト３２は絶縁体である。排気ダクト３２の材料は例えば石英、アルミナ又はフッ素含有樹脂である。
外側プレート４０とＦＣＲ３０を低いインピーダンスで結合することで、この経路に効率的に高周波エネルギが提供される。しかし、ＦＣＲ３０と排気ダクト３２の間に高い電界が生じるとこの部分に濃度の高いプラズマが生じてしまう。そこで、上述のとおり、ＦＣＲ３０に絶縁体部分３０ｂを設けることで、外側プレート４０とＦＣＲ３０を低いインピーダンスで結合しつつ、排気ダクト３２とＦＣＲ３０のインピーダンスを高めることができる。これにより、排気ダクト３２の直下における放電を抑制し得る。
プレートがサセプタ１４とＦＣＲ３０の上方にある場合、以下のインピーダンスを定義することができる。
（１）プレートとサセプタ１４をとおる経路のインピーダンスである第１インピーダンス
（２）プレートとＦＣＲ３０をとおる経路のインピーダンスである第２インピーダンス
（３）排気ダクト３２をとおる経路のインピーダンスである第３インピーダンス
一例によれば、第１～第３インピーダンスのうち第２インピーダンスを最小にし得る。これにより、外側プレート４０とＦＣＲ３０の間に局所的なプラズマを生じさせて基板のベベルにプラズマ処理を施すことができる。
例えば、内側プレート４２とサセプタ１４の間の距離をｄ１、内側プレート４２とサセプタ１４が対向する面積をＳ１、内側プレート４２とサセプタ１４の間にある物質の誘電率をε１、外側プレート４０に印加するプラズマ励起周波数をｆ１としたときの第１インピーダンスｄ１／２πｆ１ε１Ｓ１を５０Ωより大きくすることができる。これを実現するためには、例えば内側プレート４２として石英などを採用したり、ｄ１、Ｓ１を調整したりする。なお、ｆ１は１３．５６ＭＨｚであり、ε１を空気の誘電率であるとした場合にはｄ１／Ｓ１を０．３７７７より大きくする。
例えば、排気ダクト３２とＦＣＲ３０の間の距離をｄ２、排気ダクト３２とＦＣＲ３０が対向する面積をＳ２、排気ダクト３２とＦＣＲ３０の間にある物質の誘電率をε２、外側プレート４０に印加するプラズマ励起周波数をｆ２としたときの第３インピーダンスｄ２／２πｆ２ε２Ｓ２を５０Ωより大きくすることができる。これを実現するためには、例えば排気ダクト３２として石英を採用したり、ｄ２、Ｓ２を調整したり、図７の絶縁体部分３０ｂとして石英を採用したりする。なお、ｆ２は１３．５６ＭＨｚであり、ε２を空気の誘電率であるとした場合にはｄ２／Ｓ２を０．３７７７より大きくする。排気ダクト３２とチャンバ１２をとおる経路のインピーダンスである別の第３インピーダンスは、５０Ωより大きくすることができる。
別の例によれば、ｄ１／２πｆ１ε１Ｓ１は５００Ωより大きくし、ｄ２／２πｆ２ε２Ｓ２を５００Ωより大きくし、別の第３インピーダンスを５００Ωより大きくすることができる。他の例では他の数値とし得る。
このように、第１インピーダンスと第３インピーダンスを高い値としつつ、第２インピーダンスは例えば５０Ω未満とすることで、外側プレート４０とＦＣＲ３０の間に十分なプラズマを生成しうる。異常放電の懸念がある場所は装置構成によって変わる。よって、ベベルが位置する空間でインピーダンスを小さくし、それ以外の場所でインピーダンスを高くする任意の構成を採用し得る。
１２ チャンバ、 １２ａ 包囲部、 １４ サセプタ、 １６ シャフト、 １８ 幅広部、 ２０ ベローズ、 ３０ ＦＣＲ、 ３２ 排気ダクト、 ４０ 外側プレート、 ４２ 内側プレート、 ５０，５２ ガス源

Claims (5)

  1. サセプタと、
    前記サセプタを支持するシャフトと、
    前記サセプタの側面との間に間隙を設けつつ前記サセプタを囲むフローコントロールリングと、
    前記フローコントロールリングの直上にある排気ダクトと、
    前記サセプタの上方にあるプレートと、
    前記サセプタ、前記フローコントロールリング、前記排気ダクト及び前記プレートを囲むチャンバと、
    前記シャフトを前記チャンバにつなぎ、少なくとも一部が絶縁体である接続部と、を備え、
    前記プレートは、前記サセプタの直上にある内側プレートと、前記内側プレートを囲み前記フローコントロールリングの直上にある外側プレートと、を有し、
    前記内側プレートは絶縁体であり、前記外側プレートは金属であることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記接続部は、前記シャフトにつながり前記シャフトよりも幅が大きく前記チャンバの外に位置する幅広部と、前記チャンバのうち前記シャフトを囲む部分である包囲部と前記幅広部との間に設けられたベローズと、を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記絶縁体は、石英、アルミナ又はフッ素含有樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 前記プレートから、前記サセプタ、前記シャフト及び前記接続部を経由して、前記チャンバに至る経路の合成インピーダンスを５００Ω以上としたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 前記絶縁体は、前記シャフトを囲み、前記チャンバと前記シャフトの間に位置することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
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Families Citing this family (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) * 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US20210032750A1 (en) * 2019-07-31 2021-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Deposition apparatus and method of forming metal oxide layer using the same
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
KR20220033761A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 주식회사 엘지에너지솔루션 전극 건조 장치 및 전극 건조 방법
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002056999A (ja) 2000-08-11 2002-02-22 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の性能確認システム
JP2002100622A (ja) 2000-09-22 2002-04-05 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、及び性能管理システム、並びにプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の性能確認システム
JP2002100500A (ja) 2000-09-22 2002-04-05 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法
JP2002110661A (ja) 2000-09-27 2002-04-12 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、性能管理システム、及び性能確認システム
JP2002246371A (ja) 2001-02-16 2002-08-30 Tokyo Electron Ltd 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置ならびに電極交換方法
JP2003017414A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理システム
JP2003188145A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2005056994A (ja) 2003-08-01 2005-03-03 Saginomiya Seisakusho Inc プラズマ処理装置
JP2006222468A (ja) 2002-03-26 2006-08-24 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、クリーニング方法
WO2009041283A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Tokyo Electron Limited ガス供給装置
JP2010517296A (ja) 2007-01-26 2010-05-20 ラム リサーチ コーポレーション 構成自在ベベルエッチャ
JP2016149526A (ja) 2015-02-12 2016-08-18 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 半導体製造装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2654340B2 (ja) * 1993-11-11 1997-09-17 株式会社フロンテック 基板表面電位測定方法及びプラズマ装置
JPH10237658A (ja) * 1997-02-26 1998-09-08 Furontetsuku:Kk サセプタ取付方法、サセプタ固定用プレート、及び真空処理装置
JPH11260810A (ja) * 1998-03-06 1999-09-24 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2004296553A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置用部材
US20060213617A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Fink Steven T Load bearing insulator in vacuum etch chambers
US8475624B2 (en) * 2005-09-27 2013-07-02 Lam Research Corporation Method and system for distributing gas for a bevel edge etcher
US9184043B2 (en) * 2006-05-24 2015-11-10 Lam Research Corporation Edge electrodes with dielectric covers
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP6096547B2 (ja) * 2013-03-21 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びシャワープレート

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002056999A (ja) 2000-08-11 2002-02-22 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の性能確認システム
JP2002100622A (ja) 2000-09-22 2002-04-05 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、及び性能管理システム、並びにプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の性能確認システム
JP2002100500A (ja) 2000-09-22 2002-04-05 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法
JP2002110661A (ja) 2000-09-27 2002-04-12 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、性能管理システム、及び性能確認システム
JP2002246371A (ja) 2001-02-16 2002-08-30 Tokyo Electron Ltd 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置ならびに電極交換方法
JP2003017414A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理システム
JP2003188145A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2006222468A (ja) 2002-03-26 2006-08-24 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、クリーニング方法
JP2005056994A (ja) 2003-08-01 2005-03-03 Saginomiya Seisakusho Inc プラズマ処理装置
JP2010517296A (ja) 2007-01-26 2010-05-20 ラム リサーチ コーポレーション 構成自在ベベルエッチャ
WO2009041283A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Tokyo Electron Limited ガス供給装置
JP2016149526A (ja) 2015-02-12 2016-08-18 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 半導体製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111755313A (zh) 2020-10-09
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KR20200116020A (ko) 2020-10-08
JP2020167380A (ja) 2020-10-08

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