JP7498805B2 - 発光デバイスの製造方法、および発光デバイス - Google Patents

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Description

本発明は、複数の発光素子を備えた発光デバイス、および当該発光デバイスの製造方法に関する。
特許文献１には、フォトレジストに量子ドットを混合することによって、量子ドットを含む層をフォトリソグラフィによりパターニングする手法が開示されている。
ＵＳ２０１７／０１７６８５４Ａ１
特許文献１においては、各色の量子ドットを含む層を全面的に形成して、フォトリソグラフィによりパターニングすることを繰り返す。このため、量子ドットを含む層が除去された位置に、量子ドットが残渣として残り得る。したがって、混色が発生する問題がある。
上記課題を解決するために、本開示の発光デバイスの製造方法は、第１発光層を含む第１発光素子を基板上に形成する発光素子形成工程を備えた発光デバイスの製造方法であって、前記発光素子形成工程は、第１リバーサルレジストと、前記第１発光層の発光材料を含む第１発光材料層と、第１ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第１積層体をパターニングすることにより、前記第１発光層を形成する第１発光層形成工程を備えた方法である。
上記課題を解決するために、本開示の発光デバイスは、基板と、第１下層電極と、第１発光層と、第１上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第１発光素子と、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記第１発光層との間に、感光性樹脂層を備え、前記感光性樹脂層は、下記構造式（１）～（３）で表される化合物から成る群から選択される少なくとも１種と、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックから成る群から選択された少なくとも１種と、を含む構成である。
Figure 0007498805000001
 ここで、Ｒ１およびＲ２は各々独立して、置換または無置換の炭化水素基を示す。
本開示の一態様によれば、第１発光層の発光材料が、第１発光層を形成しない領域に残渣として混入することを低減する。
本発明に係る表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 本発明に係る表示デバイスの構成の一例を示す概略平面図である。 本発明に係る表示デバイスの表示領域の構成の一例を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の一例を示す概略断面図である。 図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略フロー図である。 図５に示した赤色発光層の形成を含む処理を行う工程および緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程において実行する処理を示す概略フロー図である。 は、図５に示した青色発光層の形成を含む処理を行う工程において実行する処理を示す概略フロー図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 は、図４に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の別の一例を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の別の一例を示す概略断面図である。 図２６に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略フロー図である。 本発明の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の別の一例を示す概略断面図である。 図４に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２０に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２０に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２６に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２８に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 図２８に示した発光素子層の正孔輸送層、下層樹脂層、発光層、および電子輸送層のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。 本発明の別の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図３５に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の一例を示す概略断面図である。 図４１に示す発光素子層を形成するために実行する処理を示す概略フロー図である。 図４２に示した処理を示す概略断面図である。 図４２に示した処理および後述の図４５に示す処理を示す概略断面図である。 図４１に示す発光素子層を形成するために実行する別の処理を示す概略フロー図である。 図４５に示した処理を示す概略断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る表示デバイスにおける発光素子層の構成の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。 図４７に示した発光素子層の一例を基板上に形成する工程の一例を示す概略断面図である。
〔実施形態１〕
（表示デバイスの製造方法及び構成）
以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、表示デバイス２（発光デバイス）の構成の一例を示す平面図である。図３は図２に示した表示デバイス２の表示領域ＤＡの構成の一例を示す概略断面図である。
フレキシブルな表示デバイス２を製造する場合、図１から図３に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、薄膜トランジスタ層４（ＴＦＴ層）を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に接着層８を介して上面フィルム９を貼り付ける（ステップＳ６）。
次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、薄膜トランジスタ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域ＤＡを囲む額縁領域ＮＡ（非表示領域）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１１）。なお、ステップＳ１～Ｓ１１は、表示デバイス製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。
発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２（陽極，いわゆる画素電極）と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層である活性層２４と、活性層２４よりも上層のカソード２５（陰極，いわゆる共通電極）とを含む。
サブ画素ごとに、島状のアノード２２、活性層２４、およびカソード２５を含み、ＱＬＥＤである発光素子ＥＳ（電界発光素子）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳを制御するサブ画素回路が薄膜トランジスタ層４に形成される。
封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７と、有機バッファ膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後、ステップＳ９に移行する。また、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、封止層６を形成する代わりに或いは加えて、透光性の封止部材を、封止接着剤によって、窒素雰囲気下で接着してもよい。透光性の封止部材は、ガラスおよびブラスチックなどから形成可能であり、凹形状であることが好ましい。
本実施形態１は、特に、上述した表示デバイスの製造方法のうち、発光素子層５を形成する工程（ステップＳ４）に関する。本実施形態１は、特に、上述した表示デバイスの構成のうち、活性層２４に関する。
（発光素子層の構成）
図４は、本実施形態１に係る表示デバイス２における発光素子層５の構成の一例を示す概略断面図である。
図４に示した発光素子層５の一例には、基板（すなわち、下面フィルム１０または後述のマザーガラス７０）の上に、赤色サブ画素Ｐｒ（第１発光素子、赤色発光素子）と、緑色サブ画素Ｐｇ（第２発光素子、緑色発光素子）と、青色サブ画素Ｐｂ（第３発光素子、青色発光素子）と、が形成されている。以降、赤色サブ画素Ｐｒと緑色サブ画素Ｐｇと青色サブ画素Ｐｂとを「サブ画素Ｐ」と総称する。
図４に示した発光素子層５の一例は基板側（図４の下側）から順に、赤色サブ画素Ｐｒの領域において、アノード２２（下層電極、第１下層電極）、正孔注入層３１、正孔輸送層３３（キャリア輸送層）、赤色下層樹脂層３４ｒ（感光性樹脂層）、赤色発光層３５ｒ（第１発光層）、電子輸送層３７、およびカソード２５（上層電極、第１上層電極）を含む。
同様に、発光素子層５の一例は基板側から順に、緑色サブ画素Ｐｇの領域において、アノード２２（第２下層電極）、正孔注入層３１、正孔輸送層３３、緑色下層樹脂層３４ｇ（感光性樹脂層）、緑色発光層３５ｇ（第２発光層）、電子輸送層３７、およびカソード２５（第２上層電極）を含む。
同様に、発光素子層５の一例は基板側から順に、青色サブ画素Ｐｂの領域において、アノード２２（第３下層電極）、正孔注入層３１、正孔輸送層３３、青色発光層３５ｂ（第３発光層）、電子輸送層３７、およびカソード２５（第３上層電極）を含む。
以降、赤色下層樹脂層３４ｒと緑色下層樹脂層３４ｇとを「下層樹脂層３４」と総称する。また、赤色発光層３５ｒと緑色発光層３５ｇと青色発光層３５ｂとを「発光層３５」と総称する。
正孔注入層３１は無くてもよい。
正孔輸送層３３は、正孔輸送性材料を含む。正孔輸送性材料は例えば、ＮｉＯ、ＣｕＩ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ２Ｏ３、およびＣｕＡｌＳなどの無機材料である。また、正孔輸送材料は例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－コー（４，４’―（Ｎ―（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル)ジフェニルアミン）））（ＴＦＢ）、ポリ（Ｎ,Ｎ’－ジフェニル－Ｎ,Ｎ’―ジ（ｍ－トリル）ベンジジン）（ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、（１，１－ビス（４－（Ｎ,Ｎ―ジ（ｐ－トリル）アミノ）フェニル）シクロヘキサン）（ＴＡＰＣ）、有機ポリシラン化合物、Ｎ４，Ｎ４´‐ビス（４‐（６‐（（３‐エチルオキセタン‐３‐イル）メトキシ）ヘキシル）フェニル‐Ｎ４，Ｎ４´‐ジェフェニルビフェニル‐４，４´ジアミン）（ＯＴＰＤ）、Ｎ４，Ｎ４´‐ビス（４‐（６‐（（３‐エチルオキセタン‐３‐イル）メトキシ）ヘキシロキシ）フェニル‐Ｎ４，Ｎ４´‐ビス（４‐メトキシフェニル）ビジェニル‐４，４´‐ジアミン）（ＱＵＰＤ）、およびＮ，Ｎ´‐（４，４´‐（シクロヘキサン‐１，１‐ジイル）ビス（４，４‐フェニレン））ビス（Ｎ‐（４‐（６‐（２‐エチルオキセンタン‐２‐イルオキシ）ヘキシル）フェニル）‐３，４，５‐トリフルオロアニリン）（Ｘ‐Ｆ６‐ＴＡＰＣ）などの光硬化性の有機材料である。
下層樹脂層３４は、リバーサルレジスト材料から形成された樹脂層である。本明細書において、「リバーサルレジスト材料」は、リバーサル型フォトレジストを含む材料を意味する。これに対して、「ポジレジスト材料」は、ポジ型フォトレジストを含む材料を意味する。
ポジレジストは、例えば、未硬化の樹脂と増感剤とを含む。樹脂は、現像液に可溶であり、例えば、アクリル系樹脂、ノボラック計樹脂、ゴム系樹脂、スチレン系樹脂、およびエポキシ系樹脂などである。増感剤は、例えば、ＮＱＤ（NaphtoQuinoneDiazide，ナフトキノンジアジド）化合物である。ＮＱＤ化合物は、現像液に不溶である。ＮＱＤ化合物は、下記反応式（１）に示すように感光によって、インデンカルボン酸化合物に転じる。インデンカルボン酸は化合物現像液に可溶である。ＮＱＤ化合物は、ＤＮＱ（DiazoNaphtoQuinone，ジアゾナフトキノン）化合物とも呼ばれる。
Figure 0007498805000002
 ここで、Ｒ１は、ＮＱＤ化合物のＮＱＤ基以外の部分であり、置換または無置換の炭化水素基を示す。
また、現像液は、アルカリ性水溶液または有機溶媒である。アルカリ性水溶液は例えば、ＫＯＨおよびＮａＯＨなどの無機材料の水溶液、ならびにＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム）などの有機材料の水溶液である。有機溶媒は例えば、ＰＧＭＥＡ（propylene glycol monomethyl ether acetate）、アセトン、ＮＭＰ（N-methyl-2-pyrrolidone）、ＤＭＳＯ（dimethyl sulfoxide）、ＩＰＡ（isopropanol）などである。
このため、ポジレジストは、感光前の初期状態において現像液に不溶であり、感光によって現像液に可溶になる。
リバーサルレジストは、例えば、ポジレジストにネガティブワーキング化剤を添加したものである。ネガティブワーキング化剤は、アミン、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックなどである。リバーサル焼成時にネガティブワーキング剤は触媒としてインデンカルボン酸化合物に作用し、脱カルボキシル化を進める。このため、インデンカルボン酸化合物は、下記反応式（２）～（４）に示すように加熱によって、現像液に不溶な化合物に転じる。特に、反応式（２）に示す架橋反応が支配的な場合、リバーサルレジストが硬化する。
Figure 0007498805000003
Figure 0007498805000004
Figure 0007498805000005
 ここで、Ｒ２は、リバーサルレジストに含有されている樹脂、またはインデンカルボン酸化合物のインデンカルボキシル基以外の部分であり、置換または無置換の炭化水素基を示す。
このため、リバーサルレジストはポジレジストと同様に、感光前の初期状態において現像液に不溶であり、感光によって現像液に可溶になる。さらに、リバーサルレジストは、感光により可溶化された後、さらに加熱またはレーザ照射などによって再度現像液に不溶化される。本明細書において「再不溶化」は、リバーサルレジストが現像液に可溶になった後に再度不溶になることを意味する。再不溶化されたリバーサルレジストは、再度感光されても可溶化しない。
下層樹脂層３４は、以上のようなリバーサルレジストを再不溶化することによって、または再不溶化して本焼成することによって、形成されている。このため、下記構造式（１）～（３）で表される化合物から成る群から選択される少なくとも１種と、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックから成る群から選択された少なくとも１種と、を下層樹脂層３４は含む。
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 ここで、Ｒ１およびＲ２は各々独立して、置換または無置換の炭化水素基を示す。
下層樹脂層３４の厚さは、５０ｎｍ以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましい。樹脂は一般的に誘電体であり、電気抵抗率が高いため、下層樹脂層３４の厚みは、発光素子全体の電気抵抗の高低に大きく寄与する。したがって、発光層３５の基板に垂直な方向における、発光素子全体の電気抵抗を低減するために、下層樹脂層３４は薄いことが好ましい。
赤色下層樹脂層３４ｒと緑色下層樹脂層３４ｇとは、互いに一体であっても別個であってもよい。
発光層３５の各々が含む発光材料は、有機発光材料であっても、量子ドットなどの無機発光材料であってもよい。量子ドットは、コアシェル型量子ドットであっても、コアマルチシェル型量子ドットであってもよい。コアシェル型量子ドットのコア材料／シェル材料の組合せは、例えば、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ、ＩＮＰ／ＺＮＳ、ＧａＰ／ＺＮＳ、Ｓi／ＺＮＳ、ＩＮＮ／ＧａＮ、ＩＮＰ／ＣｄＳＳｅ、ＩＮＰ／ＺＮＳｅＴｅ、ＧａＩＮＰ／ＺＮＳｅ、ＧａＩＮＰ／ＺＮＳ、Ｓi／ＡｌＰ、ＩＮＰ／ＺＮＳＴｅ、ＧａＩＮＰ／ＺＮＳＴｅ、ＧａＩＮＰ／ＺＮＳＳｅなどである。本明細書においては発光材料のうち、赤色発光層３５ｒが含む発光材料を赤色発光材料と称する。赤色発光材料は赤色に発光する。また、緑色発光層３５ｇが含む発光材料を緑色発光材料と称する。緑色発光材料は、赤色発光材料から異なり、緑色に発光する。また、青色発光層３４ｂが含む発光材料を青色発光材料と称する。青色発光材料は、青色に発光し、赤色発光材料および緑色発光材料の双方から異なる。
発光層３５の各々が含む発光材料は、後述する現像工程のために、量子ドットであることが好ましい。なぜならば、量子ドットである場合、現像液が発光材料層を浸透して、発光材料層よりも下層を上面から現像できるからである。
電子輸送層３７は、電子輸送性材料を含む。電子輸送性材料は例えば、ＺｎＯ、ＺｒＯ、ＭｇＺｎＯ、ＡｌＺｎＯおよびＴｉＯ２などの金属酸化物、ならびにＺｎＳなどの金属硫化物である。
（製造方法）
以下、図４～図１９を参照して、図４に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例について詳細に説明する。
図５は、図４に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の一例を示す概略フロー図である。図６は、図５に示した赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２５）および緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２６）において実行する処理（処理Ｐ１）を示す概略フロー図である。図７は、図５に示した青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２７）において実行する処理（処理Ｐ２）を示す概略フロー図である。
図８～図１９は各々、図４に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の一例を示す概略断面図である。
まず、上述したステップＳ１～Ｓ３（図１参照）を行い、マザーガラス７０（基板）の上に樹脂層１２とバリア層３と薄膜トランジスタ層４とがこの順に形成された基板を用意する。
次に、図５および図８に示すように、アノード２２を各サブ画素Ｐの領域毎に島状に形成し（ステップＳ２１）、アノード２２のエッジを覆うようにエッジカバー２３を形成し（ステップＳ２２）、正孔注入層３１を全面的に形成し（ステップＳ２３）、正孔輸送層３３を全面的に形成する（ステップＳ２４）。本明細書において「全面的」には、パターニングせずに、対象層を複数のサブ画素Ｐにわたって共通に形成することを意味する。
＜赤色発光層の形成を含む処理＞
次に、図６および図８～図１１に示すように、赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行う（ステップＳ２５）。この工程において、本焼成前の赤色下層樹脂層３４ｒも形成する。ステップＳ２５において、図６に示す処理Ｐ１を実行する。
すなわち、まず、図６および図８に示すように、正孔輸送層３３の上にリバーサルレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色下層リバーサルレジスト層４１（第１リバーサルレジスト）を全面的に形成（すなわち、成膜）する（ステップＳ４１、第１発光層形成工程のうちの積層体形成工程の一部）。続いて、赤色下層リバーサルレジスト層４１の上に赤色発光材料（第１発光像の発光材料）を含む材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、赤色発光材料を含む溶液を全面的に塗布して当該溶液から溶媒を揮発することによって、赤色発光材料層４４（第１発光材料層）を全面的に形成する（ステップＳ４２、第１発光層形成工程のうちの積層体形成工程の一部）。続いて、赤色発光材料層４４の上にポジレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色上層ポジレジスト層４５（第１ポジレジスト）を全面的に後述するように十分な厚さに形成する（ステップＳ４３、第１発光層形成工程のうちの積層体形成工程の一部）。
本明細書において、各部材の材料を塗布する方法は、特に指定が無い限り、インクジェット法、スピンコート法、バーコート法などの何れの方法であってもよい。
ステップＳ４３におけるポジレジスト材料に含まれる樹脂材料および増感剤は、ステップＳ４１におけるリバーサルレジスト材料に含まれる樹脂材料および増感剤と同一であることが好ましい。なぜならば、赤色下層リバーサルレジスト層４１および赤色上層ポジレジスト層４５を、露光波長および現像液などを含めて同一条件で、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングできるからである。
このようにして、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色発光材料層４４と赤色上層ポジレジスト層４５とを基板側からこの順に含む積層体（第１積層体）を形成する。このとき、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５との各々は、現像液に不溶である。
次に、赤色第１マスク４７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４、第１発光層形成工程のうちの積層体露光工程）。赤色第１マスク４７を用いるため、積層体の一部を露光し、その他の部分を露光しない。赤色第１マスク４７は、赤色発光層３５ｒの形成領域に対応する部分が遮光性であり、その他の部分が透光性であるように、光学開口４７Ａが形成されている。
このとき、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５とにおいて、紫外線照射による光化学反応によって、上記反応式（１）に示したように、現像液に不溶なＮＱＤ化合物が、現像液に可溶なインデンカルボン酸化合物に転じる。
この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５とのうち光学開口４７Ａに対応しない部分（すなわち、赤色発光層３５ｒに重なる部分）は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部４１Ａ，４５Ａのままである。一方、光学開口４７Ａに対応するその他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部４１Ｂ，４５Ｂになる。
次に、図６および図９に示すように、強い現像液を用いて現像を行う（ステップＳ４５、第１発光層形成工程のうちの現像工程）。本明細書において「強い現像液」は、上述の現像液であって、(i)発光材料層（または発光層）より上層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができ、さらに、(ii)発光材料層より下層のレジスト層の可溶部を側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができ、その結果、(iii)発光材料層のうちの下層のレジストが可溶部である部分を遊離させることができる液を意味する。また、前述のように、発光材料が量子ドットである場合、現像液が発光材料層を浸透して、発光材料層より下層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことができる。
強い現像液は、例えば、濃いアルカリ性水溶液、または界面活性剤が高濃度に添加されたアルカリ性溶液などである。濃いアルカリ水溶液は例えば、ｐＨ１２以上である。界面活性剤は例えば、脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、脂肪酸ポリエチレングリコール、脂肪酸アルカノールアミドなどの非イオン界面活性剤であり、高濃度は例えば１重量％以上である。非イオン界面活性剤は、酸およびアルカリの影響を受け難い。界面活性剤は、発光材料層への浸透を促進する。本明細書において、強い現像液を用いて現像を行うことを、「強い現像を行う」または「強く現像する」と表現する。
この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１の可溶部４１Ｂ（露光された第１リバーサルレジスト）が除去されることによって、赤色発光材料層４４も含めて積層体の露光された部分が除去される。一方、赤色下層リバーサルレジスト層４１の不溶部４１Ａが残存するので、積層体の露光されなかった部分が残存する。したがって、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５との可溶部４１Ｂ，４５Ｂと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは除去される。一方、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５との不溶部４１Ａ，４５Ａと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは残る。赤色発光材料層４４のこの残部は、赤色発光層３５ｒになる。
このようにフォトリソグラフィ技術およびリバーサルレジストの再不溶化を用いて、上述の積層体をパターニングし、その結果、赤色発光層３５ｒが形成される。同時に、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層ポジレジスト層４５との不溶部４１Ａ，４５Ａが、基板に直交する方向から見る平面視で赤色発光層３５ｒに重なるように形成される。
次に、図６および図１０に示すように、赤色第２マスク４８を用いて紫外光で、上述のパターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６、第１再不溶化工程のうちのリバーサルレジスト露光工程）。赤色第２マスク４８は、赤色発光層３５ｒの形成領域に対応する部分が透光性であり、その他の部分が遮光性であるように、光学開口４８Ａが形成されている。
この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１の不溶部４１Ａ（第１発光層と重なる第１リバーサルレジスト）と赤色上層ポジレジスト層４５の不溶部４５Ａとは、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部４１Ｃ（露光された第１リバーサルレジスト）と可溶部４５Ｃになる。なお、マスクを用いずに第２回目の露光を行ってもよいが、光劣化を低減する観点から、赤色第２マスク４８を用いることが好ましい。
次に、図６および図１１に示すように、上述のパターニングされた積層体に対してリバーサル焼成を行う（ステップＳ４７、第１再不溶化工程のうちの加熱工程）。リバーサル焼成は、赤色上層ポジレジスト層４５が硬化せず、一方で、赤色下層リバーサルレジスト層４１が再不溶化するように行われる加熱またはレーザ照射である。リバーサル焼成は、加熱によって行われることが、簡単なため好ましい。加熱によって行われるリバーサル焼成は、赤色上層ポジレジスト層４５を構成するポジレジストが硬化する温度よりも低い温度、および硬化する時間長さより短い時間長さで行われることが好ましい。例えば、赤色上層ポジレジスト層４５が摂氏１２０度以上かつ１０分以上で硬化する場合、リバーサル焼成は、摂氏１２０度未満かつ１０分未満で行われることが好ましい。
このとき、赤色下層リバーサルレジスト層４１において、脱カルボキシル化によって、上記反応式（２）～（４）に示したように、現像液に可溶なインデンカルボン酸化合物が、現像液に不溶な化合物に転じる。一方、赤色上層ポジレジスト層４５において、現像液に可溶なインデンカルボン酸化合物が、インデンカルボン酸化合物のままである。
この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１の可溶部４１Ｃは、脱カルボキシル化によって、現像液に不溶な再不溶部４１Ｄになる。赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄは、そのまま、または後述の本焼成（ステップＳ２９）を経て、赤色下層樹脂層３４ｒになる。一方、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃは、可溶部４５Ｃのままである。
ステップＳ２５において以上のように、赤色発光層３５ｒが、赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄと赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に形成される。
＜緑色発光層の形成を含む処理＞
次に、図５および図１２～図１５に示すように、緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う（ステップＳ２６）。この工程において、本焼成前の緑色下層樹脂層３４ｇも形成する。ステップＳ２６においても、図６に示す処理Ｐ１を実行する。
すなわち、まず、図６および図１２に示すように、正孔輸送層３３と赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃの上にリバーサルレジスト材料を全面的に塗布することによって、緑色下層リバーサルレジスト層５１（第２リバーサルレジスト）を全面的に形成する（ステップＳ４１、第２発光層形成工程の一部）。続いて、緑色下層リバーサルレジスト層５１の上に緑色発光材料（第２発光層の発光材料）を含む材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、緑色発光材料を含む溶液を全面的に塗布して当該溶液から溶媒を揮発することによって、緑色発光材料層５４（第２発光材料層）を全面的に形成する（ステップＳ４２、第２発光層形成工程の一部）。続いて、緑色発光材料層５４の上にポジレジスト材料を全面的に塗布することによって、緑色上層ポジレジスト層５５（第２ポジレジスト）を全面的に後述するように十分な厚さに形成する（ステップＳ４３、第２発光層形成工程の一部）。
本ステップＳ２６における処理Ｐ１で用いるリバーサルレジスト材料は、上述のステップＳ２５における処理Ｐ１で用いるリバーサルレジスト材料と、組成が同一であることが好ましい。なぜならば、赤色下層リバーサルレジスト層４１と同一条件で、緑色下層リバーサルレジスト層５１をパターニングおよび再不溶化できるからである。本ステップＳ２６における処理Ｐ１で用いるポジレジスト材料は、上述のステップＳ２５における処理Ｐ１で用いるポジレジスト材料と、組成が同一であることが好ましい。なぜならば、赤色上層ポジレジスト層４５と同一条件で、緑色上層ポジレジスト層５５をパターニングできるからである。
このようにして、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色発光材料層５４と緑色上層ポジレジスト層５５とを基板側からこの順に含む積層体（第２積層体）を形成する。
次に、緑色第１マスク５７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４、第２発光層形成工程の一部）。緑色第１マスク５７を用いるため、積層体の一部を露光し、その他の部分を露光しない。緑色第１マスク５７は、緑色発光層３５ｇの形成領域に対応する部分が遮光性であり、その他の部分が透光性であるように、光学開口５７Ａが形成されている。
この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうち光学開口５７Ａに対応しない部分（すなわち緑色発光層３５ｇに重なる部分）は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部５１Ａ，５５Ａのままである。一方、光学開口４７Ａに対応するその他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｂ，５５Ｂになる。
次に、図６および図１３に示すように、強い現像を行う（ステップＳ４５、第２発光層形成工程の一部）。
この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１の可溶部５１Ｂが除去されることによって、緑色発光材料層５４も含めて積層体の露光された部分が除去される。一方、緑色下層リバーサルレジスト層５１の不溶部５１Ａが残存するので、積層体の露光されなかった部分が残存する。したがって、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの可溶部５１Ｂ，５５Ｂと、緑色発光材料層５４のうちのその間の部分とは除去される。一方、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの不溶部５１Ａ，５５Ａと、緑色発光材料層５４のうちのその間の部分とは残る。緑色発光材料層５４のこの残部は、緑色発光層３５ｇになる。
このとき、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｂが除去された後、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃの上面が強い現像液に曝されることに留意されたい。したがって、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃは、前述のステップＳ２５において、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃによる赤色発光層３５ｒの保護を本ステップＳ２６（および後述のステップＳ２７）において維持できる十分な厚さに形成されている。また、赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄは強い現像液にも不溶である。これらのため、赤色発光層３５ｒは除去されずに、前述のように保護された状態のままである。
このようにフォトリソグラフィ技術およびリバーサルレジストの再不溶化を用いて、上述の積層体をパターニングし、その結果、緑色発光層３５ｇが形成される。同時に、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５との不溶部５１Ａ，５５Ａが、基板に直交する方向から見る平面視で緑色発光層３５ｇに重なるように形成される。
次に、図６および図１４に示すように、緑色第２マスク５８を用いて紫外光で、上述のパターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６、第２再不溶化工程の一部）。緑色第２マスク５８は、緑色発光層３５ｇの形成領域に対応する部分が透光性であり、その他の部分が遮光性であるように、光学開口５８Ａが形成されている。
この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５との不溶部５１Ａ，５５Ａは、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｃ，５５Ｃになる。なお、マスクを用いずに第２回目の露光を行ってもよいが、光劣化を低減する観点から、緑色第２マスク５８を用いることが好ましい。
次に、図６および図１５に示すように、上述のパターニングされた積層体に対してリバーサル焼成を行う（ステップＳ４７、第２再不溶化工程の一部）。リバーサル焼成は、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５が硬化せず、一方で、緑色下層リバーサルレジスト層５１が再不溶化するように行われる加熱またはレーザ照射である。
この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１の可溶部５１Ｃは、脱カルボキシル化によって、現像液に不溶な再不溶部５１Ｄになる。一方、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃは、可溶部５５Ｃのままである。
ステップＳ２６において以上のように、緑色発光層３５ｇが、緑色下層リバーサルレジスト層５１の再不溶部５１Ｄと緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に形成される。
＜青色発光層の形成を含む処理＞
次に、図５および図１６～図１８に示すように、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う（ステップＳ２７）。ステップＳ２７において、図７に示す処理Ｐ２を実行する。
すなわち、まず、図７および図１６に示すように、正孔輸送層３３と赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ，５５Ｃの上に青色発光材料（第３発光層の発光材料）を含む材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、青色発光材料を含む溶液を全面的に塗布して当該溶液から溶媒を揮発することによって、青色発光材料層６４（第３発光材料層）を全面的に形成する（ステップＳ４２、第３発光層形成工程の一部）。続いて、青色発光材料層６４の上にポジレジスト材料を全面的に塗布することによって、青色上層ポジレジスト層６５（第３ポジレジスト）を全面的に形成する（ステップＳ４３、第３発光層形成工程の一部）。
本ステップＳ２７における処理Ｐ１で用いるポジレジスト材料は、上述のステップＳ２５，Ｓ２６における処理Ｐ１で用いるポジレジスト材料と、組成が同一であることが好ましい。なぜならば、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５と同一条件で、青色上層ポジレジスト層６５をパターニングできるからである。
このようにして、青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを基板側からこの順に含む積層体（第３積層体）を形成する。
次に、青色第１マスク６７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４、第３発光層形成工程の一部）。青色第１マスク６７を用いるため、積層体の一部を露光し、その他の部分を露光しない。青色第１マスク６７は、青色発光層３５ｂの形成領域に対応する部分が遮光性であり、その他の部分が透光性であるように、光学開口６７Ａが形成されている。
この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうち光学開口６７Ａに対応しない部分（すなわち、青色発光層３５ｂに重なる部分）は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部６１Ａ，６５Ａのままである。一方、光学開口４７Ａに対応するその他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部６１Ｂ，６５Ｂになる。
次に、図７および図１７に示すように、強い現像を行う（ステップＳ４５、第３発光層形成工程の一部）。
この結果、青色上層ポジレジスト層６５のうちの可溶部６５Ｂが除去され、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ,５５Ｃが部分的に除去される。これらによって、青色発光材料層６４も含めて積層体の露光された部分が除去される。青色上層ポジレジスト層６５の不溶部６５Ａが残存するので、積層体の露光されなかった部分が残存する。したがって、青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｂと青色発光材料層６４のその下の部分とは除去される。一方、青色上層ポジレジスト層６５の不溶部６５Ａと、青色発光材料層６４のその下の部分とは残る。青色発光材料層６４のこの残部は、青色発光層３５ｂになる。
この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１の可溶部５１Ｂが除去されることによって、緑色発光材料層５４も含めて積層体の露光された部分が除去される。一方、緑色下層リバーサルレジスト層５１の不溶部５１Ａが残存するので、積層体の露光されなかった部分が残存する。
このとき、青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｂが除去された後、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ、５５Ｃの上面が強い現像液に曝されることに留意されたい。したがって、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃによる赤色発光層３５ｒの保護を本ステップＳ２７において維持できる十分な厚さに、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃは、ステップＳ２５において形成されている。赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄと赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃとの間に挟まれて保護された状態のままである。同様に、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃによる緑色発光層３５ｇの保護を本ステップＳ２７において維持できる十分な厚さに、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃは、ステップＳ２６において形成されている。また、赤色下層リバーサルレジスト層４１および緑色下層リバーサルレジスト層５１の再不溶部４１Ｄ、５１Ｄは強い現像液にも不溶である。これらのため、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇは除去されずに、前述のように保護された状態のままである。
このようにフォトリソグラフィ技術およびリバーサルレジストの再不溶化を用いて、上述の積層体をパターニングし、その結果、青色発光層３５ｂが形成される。同時に、青色上層ポジレジスト層６５の不溶部６５Ａが、基板に直交する方向から見る平面視で青色発光層３５ｂに重なるように形成される。
次に、図７および図１８に示すように、青色第２マスク６８を用いて紫外光で、上述のパターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６）。青色第２マスク６８は、青色発光層３５ｂに対応する部分が透光性であり、その他の部分が遮光性であるように、光学開口６８Ａが形成されている。
この結果、青色上層ポジレジスト層６５の不溶部６５Ａは、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５５Ｃになる。なお、マスクを用いずに第２回目の露光を行ってもよいが、光劣化を低減する観点から、青色第２マスク６８を用いることが好ましい。
ステップＳ２７において以上のように、青色発光層３５ｂが、青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｃの下に覆われて保護された状態に形成される。
次に、図５および図１９に示すように、弱い現像液を用いて現像を行う。（ステップＳ２８、ポジレジスト除去工程）。本明細書において「弱い現像液」は、上述の現像液であって、(i)発光材料層（または発光層）より上層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができるが、しかし、(ii)発光材料層より下層のレジスト層の可溶部を側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができず、その結果、(ii)発光材料層を遊離させることができない液を意味する。弱い現像液は、例えば、界面活性剤が添加されていない薄いアルカリ性水溶液、または界面活性剤が添加されていない有機溶媒などである。薄いアルカリ水溶液は例えば、ｐＨ７以上１１未満である。
この結果、赤色上層ポジレジスト層４５と緑色上層ポジレジスト層５５と青色上層ポジレジスト層６５との可溶部４５Ｃ，５５Ｃ，６５Ｃは各発光層３５の上層から除去される。一方、各発光層３５は残る。また、赤色下層リバーサルレジスト層４１と緑色下層リバーサルレジスト層５１との再不溶部４１Ｄ、５１Ｄも残る。
次に、本焼成を行う（ステップＳ２９）。この結果、赤色下層リバーサルレジスト層４１と緑色下層リバーサルレジスト層５１との再不溶部４１Ｄ，５１Ｄが硬化して、赤色下層樹脂層３４ｒ，緑色下層樹脂層３４ｇになる。
次に、図５に示すように、発光層３５の上に電子輸送層３７を全面的に形成し（ステップＳ３０）、電子輸送層３７の上にカソード２５を全面的に形成する（ステップＳ３１）。このようにして、図４に示す発光素子層５を形成する。
（変形例１）
本実施形態１に係る方法において、ステップＳ２９（図５参照）は行わなくてもよい。行わない場合、再不溶部４１Ｄ，５１Ｄが未硬化のまま、赤色下層樹脂層３４ｒ，緑色下層樹脂層３４ｇになる。
（変形例２）
図２０は、本実施形態１に係る表示デバイス２（発光デバイス）における発光素子層５の構成の別の一例を示す概略断面図である。
本実施形態１に係る方法において、ステップＳ２５～Ｓ２７（図５参照）を行う順序は交換可能である。順序交換した場合、ステップＳ２５～Ｓ２７のうちの最後に行う工程において図７に示す処理Ｐ２を実行し、最後以外に行う工程において図６に示す処理Ｐ１を実行する。この結果、発光層３５のうち最後に形成される色の発光層の下には下層樹脂層３４が形成されず、その他の色の発光層の下には下層樹脂層３４が形成される。
例えば、ステップＳ２５～Ｓ２７のうちステップＳ２５を最後に行ってもよい。この場合、図２０に示すように、赤色下層樹脂層が赤色発光層３５ｒの下に形成されず、代わりに、青色下層樹脂層３４ｂが青色発光層３５ｂの下に形成される。この場合、緑色下層樹脂層３４ｇと青色下層樹脂層３４ｂとを「下層樹脂層３４」と総称する。
（変形例３）
図２１～図２５は各々、図４に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の別の一例を示す概略断面図である。
本実施形態１に係る方法において、処理Ｐ１を行う複数の工程のうちの最後の工程は、図６に示した処理Ｐ１における第１回目の露光（ステップＳ４４）に、第１マスクおよび第２マスクと異なる第３マスクを用いることができる。第３マスクは、少なくとも、当該最後の工程が形成する発光層の形成領域に対応する部分が遮光性である。第３マスクは、加えて任意選択で、先だって形成済みの発光層の形成領域に対応する部分の何れかが遮光性であってよく、発光層の形成領域同士の間の隙間領域に対応する部分の何れかが遮光性であってよい。
例えば、ステップＳ２５が処理Ｐ１行い、ステップＳ２６が処理Ｐ１行い、次いで、ステップＳ２７が処理Ｐ２を行う場合の一例を示す。この例において、ステップＳ２６は、図１２～図１５の代わりに図２１～図２４のように、処理Ｐ１を行う。
まず、図６および図２１に示すように、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色発光材料層５４と緑色上層ポジレジスト層５５とを基板側からこの順に含む積層体を形成する（ステップＳ４１～Ｓ４３）。次に、緑色第３マスク５９を用いて紫外光で、積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４）。緑色第３マスク５９は、緑色発光層３５ｇの形成領域に対応する部分が遮光性である。緑色第３マスク５９は、加えて、赤色発光層３５ｒの形成領域に対応する部分と、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇの形成領域の間の隙間領域に対応する部分とが遮光性である。緑色第３マスク５９は、その他の部分が透光性であるように、光学開口５９Ａが形成されている。
この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの緑色発光層３５ｇに重なる部分に加えて、赤色発光層３５ｒに重なる部分と、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇの隙間に対応する部分とは、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部５１Ａ，５５Ａのままである。一方、その他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｂ，５５Ｂになる。
次に、図６および図２２に示すように、強い現像液を用いて現像を行う（ステップＳ４５）。この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの不溶部５１Ａ，５５Ａと、緑色発光材料層５４のうちのその間の部分とは残る。本変形例においては、緑色発光材料層５４のこの残部のうち、緑色発光層３５ｇの形成領域に対応する部分は緑色発光層３５ｇになるが、一方、対応しない余剰部５４Ａは最終的に除去される。
次に、図６および図２３に示すように、緑色第２マスク５８を用いて紫外光で、パターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６）。
この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５との不溶部５１Ａ，５５Ａのうち露光される部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｃ，５５Ｃになる。不溶部５１Ａ，５５Ａのうち露光されない部分は、光化学反応が起きず、現像液に不溶なままである。ここで、不溶部５１Ａ，５５Ａのうち露光されない部分を不溶部５１Ｅ，５５Ｅと称する。
なお、第１回目の露光で緑色第１マスク５７を用いた場合と異なり、第２回目の露光（ステップＳ４６）において、緑色発光材料層５４の余剰部５４Ａに対応する部分が遮光性であり、かつ、緑色発光層３５ｇに対応する部分が透光性であるように開口が形成されたマスクを用いる必要があることに留意されたい。
次に、図６および図２４に示すように、パターニングされた積層体に対してリバーサル焼成を行う（ステップＳ４７）。
この結果、緑色下層リバーサルレジスト層５１の可溶部５１Ｃは、脱カルボキシル化によって、現像液に不溶な再不溶部５１Ｄになる。一方、緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃは、可溶部５５Ｃのままである。同様に、緑色下層リバーサルレジスト層５１および緑色上層ポジレジスト層５５の不溶部５１Ｅ，５５Ｅは不溶部５１Ｅ，５５Ｅのままである。
次に、青色発光層３５ｂを形成する工程（図５のステップＳ２７）に進み、図６および図７および図２５に示すように、青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを基板側からこの順に含む積層体を形成する（ステップＳ４２～Ｓ４３）。次に、青色第１マスク６７を用いて紫外光で積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４）。
この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの青色発光層３５ｂに重ならない部分が、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部６１Ｂ，６５Ｂになる。同時に、緑色下層リバーサルレジスト層５１および緑色上層ポジレジスト層５５の不溶部５１Ｅ，５５Ｅが、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部５１Ｆ，５５Ｆになる。
次に、強い現像を行う（ステップＳ４５）。
この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの可溶部６１Ｂ，６５Ｂと、青色発光材料層６４のうちのその間の部分とが除去される。同時に、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色上層ポジレジスト層５５とのうちの可溶部５１Ｆ，５５Ｆと、緑色発光材料層５４のうちのその間の部分とが除去される。
したがって、上述したプロセスにより、図１７に示した、各サブ画素における積層体の構造と、同様の構造の積層体を得ることができる。
（変形例４）
図２６および図２８は各々、本実施形態１に係る表示デバイス２（発光デバイス）における発光素子層５の構成のさらに別の一例を示す概略断面図である。
図２７は、図２６に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の一例を示す概略フロー図である。
発光素子層５は、図２６に示すように基板側から順に、カソード２５（第１下層電極）、電子輸送層３７、下層樹脂層３４（感光性樹脂）、発光層３５、正孔輸送層３３、正孔注入層３１、およびアノード２２（第１上層電極）を含んでもよい。
この場合、発光素子層５を形成する工程（ステップＳ４）は、図２７に示すように、カソード２５を各サブ画素Ｐの領域毎に島状に形成し（ステップＳ３１）、カソード２５のエッジを覆うようにエッジカバー２３を形成し（ステップＳ２２）、電子輸送層３７を全面的に形成し（ステップＳ３０）、赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行い（ステップＳ２５）、緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行い（ステップＳ２６）、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行い（ステップＳ２７）、弱い現像を行い（ステップＳ２８）、本焼成を行い（ステップＳ２９）、正孔輸送層３３を全面的に形成し（ステップＳ２４）、正孔注入層３１を全面的に形成し（ステップＳ２３）、アノード２２を全面的に形成する（ステップＳ２１）。
この場合においても、ステップＳ２５～Ｓ２７を行う順序は交換可能である。ステップＳ２５～Ｓ２７のうちの最後に行う工程において図７に示す処理Ｐ２を実行し、それ以外の工程において図６に示す処理Ｐ１を実行する。例えば、ステップＳ２５を最後に行ってもよい。この場合、図２８に示すように、赤色下層樹脂層が赤色発光層３５ｒの下に形成されず、代わりに、青色下層樹脂層３４ｂが青色発光層３５ｂの下に形成される。
（変形例５）
ステップＳ２５が実行するステップＳ４２において、赤色発光材料層４４は、発光材料とポジレジストとを含む溶液を全面的に塗布して、当該溶液から溶媒を揮発することによって、形成されてもよい。この場合、ステップＳ４４において、赤色発光材料層４４の赤色発光層３５ｒの形成領域以外に対応する部分に含まれるポジレジストは、現像液に可溶になる。このため、続くステップＳ４５において、赤色発光材料層４４がポジレジストを含まない溶液から形成された場合と比較して、赤色発光材料層４４のうちの赤色発光層３５ｒの形成領域以外に対応する部分が、除去されやすい。
この結果、ステップＳ４５において、少し強い現像液を用いて現像を行うことができる。本明細書において「少し強い現像液」は、上述の現像液であって、(i)発光材料層（または発光層）より上層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができ、さらに、(ii)ポジレジストを含む溶液から形成された発光材料層を溶かしたり浸透したりでき、その結果、(iii)発光材料層より下層のレジスト層の可溶部を上面および側面から溶かすことによって当該可溶部の全体を溶かすことができる液を意味する。少し強い現像液は、例えば、少し濃いアルカリ性水溶液、界面活性剤が低濃度に添加された薄いアルカリ性溶液、または、界面活性剤が低濃度に添加された有機溶剤などである。少し濃いアルカリ水溶液は例えば、ｐＨ１１以上１２未満である。低濃度は例えば０．５重量％未満である。
少し強い現像液を用いることによって、強い現像液を用いる場合と比較して、各層または各部材に与えるダメージを低減することができる。
また、表示デバイス２において赤色発光層３５ｒが、ポジレジストに由来するポジ型の感光性樹脂を含む。
同様に、ステップＳ２６およびステップＳ２７が実行するステップＳ４２の各々において、緑色発光材料層５４および青色発光材料層６４は、発光材料とポジレジストを含む溶液を全面的に塗布して、当該溶液から溶媒を揮発することによって、形成されてもよい。
（変形例６）
上述においては、赤色サブ画素Ｐｒと緑色サブ画素Ｐｇと青色サブ画素Ｐｂの３つのうち２つが下層樹脂層を備える例を説明したが、本実施形態の範囲はこれに限らず、Ｎ個の発光素子のうち１つのみが下層樹脂層を備える例から、Ｎ個の発光素子のうち（Ｎ－１）個のみが下層樹脂層を備える例まで本実施形態１に含まれる。Ｎは２以上の整数である。
上述の変形例１～６は、任意の組合せで、互いに組合せ可能である。また、上述の変形例１～５およびその任意の組み合わせは、後述の実施形態２に適用可能である。また上述の変形例２～６およびその任意の組み合わせは、後述の実施形態３に適用可能である。また、上述の変形例１～６およびその任意の組合せは、後述の実施形態４に適用可能である。
（発光素子層のエネルギー準位）
以下、図２９～図３４を参照して、本実施形態に係る下層樹脂層３４のバンドギャップについて詳細に説明する。
図２９は、図４に示した発光素子層５の正孔輸送層３３、下層樹脂層３４、発光層３５、および電子輸送層３７のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。
図３０および図３１は各々、図２０に示した発光素子層５の正孔輸送層３３、下層樹脂層３４、発光層３５、および電子輸送層３７のバンドギャップの一例を示す概略エネルギー準位図である。
図３２は、図２６に示した発光素子層５の正孔輸送層３３、下層樹脂層３４、発光層３５、および電子輸送層３７のバンドギャップを示す概略エネルギー準位図である。
図３３および図３４は各々、図２８に示した発光素子層５の正孔輸送層３３、下層樹脂層３４、発光層３５、および電子輸送層３７のバンドギャップを示す概略エネルギー準位図である。
図２９～図３４は各々、伝導帯を上側に示し、価電子帯を下側に示す。以降、最低空軌道（Lowest Unoccupied Molecular Orbital：ＬＵＭＯ）または伝導帯の下端あるいは最高被占有軌道（Highest Occupied Molecular Orbital：ＨＯＭＯ）または価電子帯の上端が真空のエネルギー準位に近い（すなわち、図２９～図３４の上側に位置し、電子親和力またはイオン化エネルギーが小さい）ことを、「浅い」と表現する。また、真空のエネルギー準位から遠い（すなわち、図２９～図３４の下側に位置し、電子親和力またはイオン化エネルギーが大きい）ことを、「深い」と表現する。
図４および図２０のように下層樹脂層３４が正孔輸送層３３と発光層３５との間に位置する構成においては、図２９～図３１のように下層樹脂層３４のＨＯＭＯが正孔輸送層３３のＨＯＭＯよりも深い必要がある。なぜならば、下層樹脂層３４のＨＯＭＯが正孔輸送層３３のＨＯＭＯと同等またはよりも浅い場合、正孔輸送層３３から発光層３５へ向かって移動する正孔が下層樹脂層３４にトラップされるからである。
図４および図２０のような構成において、赤色下層樹脂層３４ｒのＨＯＭＯが正孔輸送層３３のＨＯＭＯより深く、かつ、赤色発光層３５ｒの価電子帯の上端よりも深い場合、赤色下層樹脂層３４ｒは、正孔輸送層３３から赤色発光層３５ｒへの正孔注入を阻害する層として機能し得る。この結果、正孔の過剰注入を低減することができる。一方、赤色下層樹脂層３４ｒのＨＯＭＯが正孔輸送層３３のＨＯＭＯより深く、かつ、赤色発光層３５ｒの価電子帯の上端よりも浅い場合、赤色下層樹脂層３４ｒは、正孔輸送層３３から赤色発光層３５ｒへの正孔注入を補助する層として機能し得る。緑色下層樹脂層３４ｇおよび青色下層樹脂層３４ｂについても同様である。
図４に示す構成においては、図２９のように下層樹脂層３４のＨＯＭＯが、青色発光層３５ｂの価電子帯の上端よりも、深いことが好ましい。これによれば、正孔輸送層３３から赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇへの正孔の移動が阻害される。換言すれば、異なる複数の発光層のうちの価電子帯の上端が最も深い発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成されず、その他の発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成される構成においては、異なる複数の発光層のうちの価電子帯の上端が最も深い発光層の価電子帯の上端よりも、下層樹脂層のＨＯＭＯが深いことが好ましい。
図２０に示す構成においては、図３０および図３１のように下層樹脂層３４のＨＯＭＯが、青色発光層３５ｂの価電子帯の上端よりも、浅いことが好ましい。これによれば、正孔輸送層３３のＨＯＭＯと青色下層樹脂層３４ｂのＨＯＭＯと青色発光層３５ｂの価電子帯の上端がこの順に階段状に並ぶ。この結果、正孔輸送層３３から青色発光層３５ｂへの正孔移動が促進される。換言すれば、異なる複数の発光層のうちの価電子帯の上端が最も浅い発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成されず、その他の発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成される構成においては、異なる複数の発光層のうちの価電子帯の上端が最も深い発光層の価電子帯の上端よりも、下層樹脂層のＨＯＭＯが浅いことが好ましい。
図２６および図２８のように下層樹脂層３４が電子輸送層３７と発光層３５との間に位置する構成においては、図３２～図３４のように下層樹脂層３４のＬＵＭＯが電子輸送層３７のＬＵＭＯよりも浅い必要がある。なぜならば、下層樹脂層３４のＬＵＭＯが電子輸送層３７のＬＵＭＯと同等またはよりも深い場合、電子輸送層３７から発光層３５へ向かって移動する電子が下層樹脂層３４にトラップされるからである。
図２６および図２８のような構成において、赤色下層樹脂層３４ｒのＬＵＭＯが電子輸送層３７のＬＵＭＯより浅く、かつ、赤色発光層３５ｒの伝導帯の下端よりも浅い場合、赤色下層樹脂層３４ｒは、電子輸送層３７から赤色発光層３５ｒへの電子注入を阻害する層として機能し得る。この結果、電子の過剰注入を低減することができる。一方、赤色下層樹脂層３４ｒのＬＵＭＯが電子輸送層３７のＬＵＭＯより浅く、かつ、赤色発光層３５ｒの伝導帯の下端よりも深い場合、赤色下層樹脂層３４ｒは、電子輸送層３７から赤色発光層３５ｒへの電子注入を補助する層として機能し得る。緑色下層樹脂層３４ｇおよび青色下層樹脂層３４ｂについても同様である。
図２６に示す構成においては、図３２のように下層樹脂層３４のＬＵＭＯが、青色発光層３５ｂの伝導帯の下端よりも、浅いことが好ましい。これによれば、電子輸送層３７から赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇへの電子の移動が阻害される。換言すれば、異なる複数の発光層のうちの伝導帯の下端が最も浅い発光層と電子輸送層と電子輸送層との間に下層樹脂層が形成されず、その他の発光層と電子輸送層との間に下層樹脂層が形成される構成においては、異なる複数の発光層のうちの伝導帯の下端が最も浅い発光層の伝導帯の下端よりも、下層樹脂層のＬＵＭＯが浅いことが好ましい。
図２８に示す構成においては、図３３および図３４のように下層樹脂層３４のＬＵＭＯが、青色発光層３５ｂの伝導帯の下端よりも、深いことが好ましい。これによれば、電子輸送層３７のＬＵＭＯと青色下層樹脂層３４ｂのＬＵＭＯと青色発光層３５ｂの伝導帯の下端がこの順に階段状に並ぶ。この結果、電子輸送層３７から青色発光層３５ｂへの電子移動が促進される。換言すれば、異なる複数の発光層のうちの伝導帯の下端が最も深い発光層と電子輸送層との間に下層樹脂層が形成されず、その他の発光層と正孔輸送層との間に下層樹脂層が形成される構成においては、異なる複数の発光層のうちの伝導帯の下端が最も浅い発光層の伝導帯の下端よりも、下層樹脂層のＬＵＭＯが深いことが好ましい。
（作用効果）
本実施形態１に係る方法によれば、量子ドットを含む層とフォトレジストを含む層とは別個である。このため、量子ドットを含む層が十分に量子ドットを含み、かつ、パターニングされることができる。
本実施形態１に係る方法によれば、赤色発光材料層４４は図８に示すように、赤色下層リバーサルレジスト層４１の上に形成され、赤色発光材料層４４の不用な部分（すなわち、赤色発光層３５ｒにならない部分）は図９に示すように、赤色下層リバーサルレジスト層４１の可溶部４１Ｂと共に除去される。このため、赤色発光層３５ｒの発光材料が、赤色発光層３５ｒの形成領域以外に、残渣として混入することを低減できる。同様に、緑色発光層３５ｇの発光材料が緑色発光層３５ｇの形成領域以外に残渣として混入することを低減できる。混入低減により、サブ画素（発光素子）間の混色を低減できる。
本実施形態１に係る方法によればさらに、赤色発光材料層４４が、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色上層赤色上層ポジレジスト層４５との間に、全面的に形成される。そして、赤色発光層３５ｒが、フォトレジスト技術を用いて赤色発光材料４４をパターニングすることによって、形成される。これらのため、赤色発光材料を含む溶液を全面的に塗布して当該溶液から溶媒を揮発することによって赤色発光材料層４４を形成する場合においても、赤色発光層３５ｒにコーヒーリング効果および表面張力に起因する凹凸が生じない。この結果、赤色発光層３５ｒを平坦かつ均一に形成することができる。緑色発光層３５ｇおよび青色発光層３５ｂについても同様である。
本実施形態１に係る方法によれば、青色発光材料層６４は図１６に示すように、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ、５５Ｃの上に形成され、青色発光材料層６４の不用な部分（すなわち、青色発光層３５ｂにならない部分）が図１７に示すように除去された後、赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ、５５Ｃが図１９に示すように除去される。このため、青色発光層３５ｂの発光材料が赤色サブ画素Ｐｒおよび緑色サブ画素Ｐｇの領域に残渣として混入することを低減できる。
本実施形態１に係る方法によれば、赤色発光層３５ｒの形成に続いて、赤色下層リバーサルレジスト層４１の不溶部４１Ａを、露光およびリバーサル焼成によって、現像液に不溶な再不溶部４１Ｄにする。再不溶部４１Ｄはさらに露光または焼成しても、現像液に不溶なままである。このため、以降の工程において、赤色発光層３５ｒが現像液によって除去されることを低減できる。同様に、緑色発光層３５ｇが現像液によって除去されることを低減できる。したがって、赤色発光層３５ｒ、緑色発光層３５ｇ、青色発光層３５ｂの厚さを制御しやすい。
本実施形態１に係る方法によれば、赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃは図１９に示すように除去される。このため、表示デバイス２において、赤色発光層３５ｒの上に、赤色上層ポジレジスト層４５または赤色上層ポジレジスト層４５に由来する樹脂層が存在しない。したがって、赤色サブ画素Ｐｒの発光効率を向上することができる。同様に、緑色サブ画素Ｐｇおよび青色サブ画素Ｐｂの発光効率を向上することができる。
また、除去されるので、赤色上層ポジレジスト層４５の厚さを大きくしても、赤色サブ画素Ｐｒの発光効率に影響しない。したがって、赤色上層ポジレジスト層４５を形成してから赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃを除去するまでの期間に赤色発光層３５ｒが損傷したり薄くなったりしないように、赤色上層ポジレジスト層４５の厚さを十分に大きくできる。同様に、緑色上層ポジレジスト層５５および青色上層ポジレジスト層６５の厚さを十分に大きくできる。したがって、赤色発光層３５ｒ、緑色発光層３５ｇ、青色発光層３５ｂの厚さを制御しやすい。
本実施形態１に係る方法によれば、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇは各々、強い現像液を用いて現像を行う工程において、赤色下層リバーサルレジスト層４１緑色下層リバーサルレジスト層の再不溶部４１Ｄ、５１Ｄを介して基板に付着している。このため、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇが製造工程の途中で基板から剥離することを低減できる。
本実施形態１に係る方法によれば、赤色下層リバーサルレジスト層４１および緑色下層リバーサルレジスト層５１を熱硬化するための本焼成は、図５に示すように１回で行うことができる。あるいは、本焼成を行わなくてもよい。このため、本焼成による加熱または温度変化に起因する化学的または機械的な損傷を低減することができる。
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
図３５は、本実施形態２に係る表示デバイス２における発光素子層５の構成の一例を示す概略断面図である。
本実施形態２に係る発光素子層５の一例は、正孔輸送層３３と青色発光層３５ｂとの間に青色下層樹脂層３４ｂを含む点において、前述の実施形態１に係る発光素子層５の一例から異なる。この場合、赤色下層樹脂層３４ｒと緑色下層樹脂層３４ｇと青色下層樹脂層３４ｂとを「下層樹脂層３４」と総称する。換言すれば、本実施形態２に係る発光素子層５は、全ての発光層３５の下に下層樹脂層３４を含む点において、前述の実施形態１に係る発光素子層５から異なる。
（製造方法）
本実施形態２に係る構成は、全ての発光層を形成する工程が図６に示す処理Ｐ１を各々実行することによって実現し得る。
以下、図３６～図４０を参照して、図３５に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例について詳細に説明する。
図３６～図４０は各々、図３５に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４）の一例を示す概略断面図である。
まず、前述の実施形態１と同様に、図５に示すフローを、緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２６）まで行う。
＜青色発光層の形成を含む処理＞
次に、図６および図３６に示すように、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う（ステップＳ２７）。ステップＳ２７において、図６に示す処理Ｐ１を実行する。
すなわち、まず、図６および図３６に示すように、正孔輸送層３３と赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ，５５Ｃの上にリバーサルレジスト材料を全面的に塗布することによって、青色下層リバーサルレジスト層６１（第３リバーサルレジスト）を全面的に形成する（ステップＳ４１、第３発光層形成工程の一部）。続いて、青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを形成する（ステップＳ４２，Ｓ４３、第３発光層形成工程の一部）。このようにして、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを基板側からこの順に含む積層体（第３積層体）を形成する。
次に、青色第１マスク６７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して第１回目の露光を行う（ステップＳ４４、第３発光層形成工程の一部）。この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの青色発光層３５ｂに重なる部分は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部６１Ａ，６５Ａのままである。一方、その他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部６１Ｂ，６５Ｂになる。
次に、図６および図３７示すように、強い現像液を用いて現像を行う（ステップＳ４５、第３発光層形成工程の一部）。この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの可溶部６１Ｂ，６５Ｂと、青色発光材料層６４のうちのその間の部分とは除去される。一方、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５とのうちの不溶部６１Ａ，６５Ａと、青色発光材料層６４のうちのその間の部分とは残る。青色発光材料層６４のこの残部は、青色発光層３５ｂになる。
このようにフォトリソグラフィ技術およびリバーサルレジストの再不溶化を用いて、上述の積層体をパターニングし、その結果、青色発光層３５ｂが形成される。
次に、図６および図３８に示すように、青色第２マスク６８を用いて紫外光で、上述のパターニングされた積層体に対して第２回目の露光を行う（ステップＳ４６、第３再不溶化工程の一部）。この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１と青色上層ポジレジスト層６５との不溶部６１Ａ，５６Ａは、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部６１Ｃ，６５Ｃになる。
次に、図６および図３９に示すように、上述のパターニングされた積層体に対してリバーサル焼成を行う（ステップＳ４７、第３再不溶化工程の一部）。この結果、青色下層リバーサルレジスト層６１の可溶部６１Ｃは、脱カルボキシル化によって、現像液に不溶な再不溶部６１Ｄになる。一方、青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｃは、可溶部６５Ｃのままである。
ステップＳ２７において以上のように、青色発光層３５ｂを、青色下層リバーサルレジスト層６１の再不溶部６１Ｄと青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に、形成する。
以降、前述の実施形態１と同様に、弱い現像を行う工程（図５のステップＳ２８、ポジレジスト除去工程）および続く工程を行う。このようにして、図３０に示す発光素子層５を形成する。
（作用効果）
本実施形態２に係る方法によれば、青色発光材料層６４は図３６に示すように、青色下層リバーサルレジスト層６１の上に形成され、青色発光材料層６４の不用な部分（すなわち、青色発光層３５ｂにならない部分）は図３７に示すように、青色下層リバーサルレジスト層６１の可溶部６１Ｂと共に除去される。
このため、本実施形態２に係る方法によれば前述の実施形態１に係る方法と比較して、青色発光層３５ｂの発光材料が、青色発光層３５ｂの形成領域以外に残渣として混入することを低減できる。具体的には、青色発光層３５ｂの発光材料が、赤色発光層３５ｒおよび緑色発光層３５ｇの側面、赤色下層樹脂層３４ｒおよび緑色下層樹脂層３４ｇの側面、ならびに正孔輸送層３３の上面に残渣として混入することを低減できる。
本実施形態２に係る方法によれば、青色発光層３５ｂは、強い現像液を用いて現像を行う工程において、青色下層リバーサルレジスト層６１の再不溶部６１Ｄを介して基板に付着している。このため、青色発光層３５ｂが製造工程の途中で基板から剥離することをより低減できる。
〔実施形態３〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
図４１は、本実施形態３に係る表示デバイス２における発光素子層５の構成の一例を示す概略断面図である。
本実施形態３に係る発光素子層５の一例は、全ての発光層３５の下に下層樹脂層３４を含む点と、赤色発光層３５ｒと電子輸送層３７との間に赤色上層樹脂層３６ｒを含む点とにおいて、前述の実施形態１に係る発光素子層５の一例から異なる。
（製造方法１）
以下、図４２～図４４を参照して、図４１に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例について詳細に説明する。
本実施形態２に係る構成は、図４に示すステップＳ２５～Ｓ２７のうちステップＳ２５を最後に行い、ステップＳ２５が、図４２に示す処理Ｐ３を実行することによって実現し得る。なお、ステップＳ２６およびステップＳ２７は、図６に示す処理Ｐ１を実行する。
図４２は、図４１に示す発光素子層５を形成するために実行する処理（処理Ｐ３）を示す概略フロー図である。図４３は、図４２に示した処理Ｐ３を示す概略断面図である。図４４は、図４２に示した処理Ｐ３および後述の図４５に示す処理Ｐ４を示す概略断面図である。
まず、前述の実施形態１の変形例と同様に、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２７、第１発光層形成工程）および緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２６、第２発光層形成工程）まで行う。
次に、赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２５）を行う。ここにおいて、図４２および図４３に示すように、正孔輸送層３３の上にポジレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色下層ポジレジスト層４２を全面的に形成する（ステップＳ４８、第３発光層形成工程の一部）。続いて、赤色発光材料層４４および赤色上層ポジレジスト層４５を全面的に形成する（ステップＳ４２、Ｓ４３、第３発光層形成工程の一部）。
このようにして、赤色発光材料層４４（第３発光材料層）を赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５と（２層のポジレジスト）の間に積層して含む積層体（第３積層体）を形成する。このとき、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５との各々は、現像液に不溶である。
次に、赤色第１マスク４７を用いて紫外光で、上述の積層体に対して露光を行う（ステップＳ４９、第３発光層形成工程の一部）。本処理Ｐ３は、処理Ｐ１（図６参照）および処理Ｐ２（図７参照）と異なり、露光を１回のみ行う。
この結果、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５とのうちの赤色発光層３５ｒに重なる部分は、光化学反応が起きず、現像液に不溶な不溶部４２Ａ，４５Ａのままである。一方、その他の部分は、光化学反応によって、現像液に可溶な可溶部４２Ｂ，４５Ｂになる。
次に、図４２および図４４に示すように、強い現像を行う（ステップＳ４５、第３発光層形成工程の一部）。この結果、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５との可溶部４２Ｂ，４５Ｂと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは除去される。一方、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５との不溶部４２Ａ，４５Ａと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは残る。赤色発光材料層４４のこの残部は、赤色発光層３５ｒになる。
ステップＳ２５において以上のように、赤色発光層３５ｒを、赤色下層ポジレジスト層４２と赤色上層ポジレジスト層４５との不溶部４２Ａ，４５Ａの間に挟まれて保護された状態に、形成する。
以降、前述の実施形態１と同様に、弱い現像を行う工程（図５のステップＳ２８）および続く工程を行う。赤色下層ポジレジスト層４２および赤色上層ポジレジスト層４５の不溶部４２Ａ，４５Ａが各々そのまま、あるいは本焼成を経て、赤色下層樹脂層３４ｒおよび赤色上層樹脂層３６ｒになる。このようにして、図４１に示す発光素子層５を形成する。
この方法によっても、各発光層３５の発光材料が、当該発光層３５の形成領域以外に残渣として混入することを低減することができる。
（製造方法２）
以下、図４４～図４６を参照して、図４１に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の別の一例について詳細に説明する。
本実施形態２に係る構成は、図５に示すステップＳ２５～Ｓ２７のうちステップＳ２５が、図４５に示す処理Ｐ４を実行することによって実現し得る。ここで、ステップＳ２６およびステップＳ２７は、図６に示す処理Ｐ１を実行する。また、処理Ｐ４がネガレジスト材料を用いているため、ステップＳ２５～Ｓ２７（図５参照）を行う順序は交換可能である。
図４５は、図４１に示す発光素子層５を形成するために実行する別の処理（処理Ｐ４）を示す概略フロー図である。図４６は、図４５に示した処理Ｐ４を示す概略断面図である。
まず、前述の実施形態１の変形例と同様に、青色発光層３５ｂの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２７、第１発光層形成工程）および緑色発光層３５ｇの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２６、第２発光層形成工程）まで行う。
次に、赤色発光層３５ｒの形成を含む処理を行う工程（ステップＳ２５）を行う。ここにおいて、図４５および図４６に示すように、正孔輸送層３３の上にネガレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色下層ネガレジスト層４３を全面的に形成する（ステップＳ４５０、第３発光層形成工程の一部）。続いて、赤色発光材料層４４を全面的に形成する（ステップＳ４２、第３発光層形成工程の一部）。続いて、赤色発光材料層４４の上にネガレジスト材料を全面的に塗布することによって、赤色上層ネガレジスト層４６を全面的に形成する（ステップＳ５１、第３発光層形成工程の一部）。本明細書において、「ネガレジスト材料」は、ネガ型フォトレジストを含む材料を意味する。
このようにして、赤色発光材料層４４（第３発光材料層）を赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６と（２層のネガレジスト）の間に積層して含む積層体（第３積層体）を形成する。このとき、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６の各々は、現像液に可溶である。
次に、赤色第２マスク４８を用いて紫外光で、上述の積層体に対して露光を行う（ステップＳ５２、第３発光層形成工程の一部）。本処理Ｐ４は、処理Ｐ１（図６参照）および処理Ｐ２（図７参照）と異なり、露光を１回のみ行う。
この結果、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６とのうちの赤色発光層３５ｒに重なる部分は、光化学反応によって、現像液に不溶な不溶部４３Ａ，４６Ａになる。一方、その他の部分は、光化学反応が起きず、現像液に可溶な可溶部４３Ｂ，４６Ｂのままである。
次に、図４５および図４４に示すように、強い現像を行う（ステップＳ４５、第３発光層形成工程の一部）。この結果、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６との可溶部４３Ｂ，４６Ｂと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは除去される。一方、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６との不溶部４３Ａ，４６Ａと、赤色発光材料層４４のその間の部分とは残る。赤色発光材料層４４のこの残部は、赤色発光層３５ｒになる。
ステップＳ２５において以上のように、赤色発光層３５ｒを、赤色下層ネガレジスト層４３と赤色上層ネガレジスト層４６との不溶部４３Ａ，４６Ａの間に挟まれて保護された状態に、形成する。
以降、前述の実施形態１と同様に、弱い現像を行う工程（図５のステップＳ２８）および続く工程を行う。赤色下層ネガレジスト層４３および赤色上層ネガレジスト層４６の不溶部４３Ａ，４６Ａが各々そのまま、あるいは本焼成を経て、赤色下層樹脂層３４ｒおよび赤色上層樹脂層３６ｒになる。このようにして、図４１に示す発光素子層５を形成する。
この方法によっても、各発光層３５の発光材料が、当該発光層３５の形成領域以外に残渣として混入することを低減することができる。
（作用効果）
本実施形態３に係る方法によれば、前述の実施形態１に係る方法と比較して、各発光層の発光材料が別の発光層の形成領域に残渣として混入することをより低減できる。
〔実施形態４〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
図４７は、本実施形態４に係る表示デバイス２における発光素子層５の構成の一例を示す概略断面図である。
本実施形態４に係る発光素子層５の一例は、全面的に形成された正孔輸送層３３の代わりに、各々パターニングされた赤色正孔輸送層３３ｒと緑色正孔輸送層３３ｇと青色正孔輸送層３３ｂとを含む点において、前述の実施形態１に係る発光素子層５の一例から異なる。
（製造方法）
以下、図４８～図５３を参照して、図４７に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例について詳細に説明する。
図４８～図５３は各々、図４７に示した発光素子層５の一例を基板上に形成する工程（ステップＳ４，発光素子形成工程）の一例を示す断面図である。
まず、図４６に示すフローの正孔注入層を形成する工程（ステップＳ２３）まで、前述の実施形態１と同様に行う。
＜赤色発光層および赤色正孔輸送層の形成を含む処理＞
次に、図４８に示すように、赤色発光層３５ｒおよび赤色正孔輸送層３３ｒの形成を含む処理を行う（ステップＳ６０）。ステップＳ６０において、図４９に示す処理Ｐ５を実行する。図４９に示す処理Ｐ５は、正孔輸送材料層を形成する工程（ステップＳ６３）を含む点において、図６に示す処理Ｐ１から異なる。
すなわち、図４９および図５１に示すように、まず、赤色下層リバーサルレジスト層４１を全面的に形成する（ステップＳ４１）。続いて、赤色下層リバーサルレジスト層４１の上に正孔輸送材料（キャリア輸送層の材料）を全面的に蒸着することによって、あるいは、正孔輸送材料を含む材料を全面的に塗布することによって、赤色正孔輸送材料層７１（キャリア輸送材料層）を全面的に形成する（ステップＳ６３）。続いて、赤色発光材料層４４および赤色上層ポジレジスト層４５を全面的に形成する（ステップＳ４２，Ｓ４３）。
このようにして、赤色下層リバーサルレジスト層４１と赤色正孔輸送材料層７１と赤色発光材料層４４と赤色上層ポジレジスト層４５とを基板側からこの順に含む積層体（第１積層体）を形成する。
次に、図４９に示すように、前述の実施形態１と同様にステップＳ４４～Ｓ４５を行う。これによって、赤色正孔輸送材料層７１が赤色発光材料層４４と共にパターニングされ、赤色正孔輸送材料層７１の残部が赤色正孔輸送層３３ｒになる。
続いて、前述の実施形態１と同様にステップＳ４６～Ｓ４７を行う。これによって、赤色発光層３５ｒおよび赤色正孔輸送層３３ｒが、赤色下層リバーサルレジスト層４１の再不溶部４１Ｄと赤色上層ポジレジスト層４５の可溶部４５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に形成される。
＜緑色発光層および緑色正孔輸送層の形成を含む処理＞
次に、図４８に示すように、緑色発光層３５ｇおよび緑色正孔輸送層３３ｇの形成を含む処理を行う（ステップＳ６１）。ステップＳ６１において、図４９に示す処理Ｐ５を実行する。
すなわち、図４９および図５２に示すように、まず、緑色下層リバーサルレジスト層５１を全面的に形成する（ステップＳ４１）。続いて、緑色下層リバーサルレジスト層５１の上に正孔輸送材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、正孔輸送材料を含む材料を全面的に塗布することによって、緑色正孔輸送材料層７２を全面的に形成する（ステップＳ６３）。続いて、緑色発光材料層５４および緑色上層ポジレジスト層５５を全面的に形成する（ステップＳ４２，Ｓ４３）。
このようにして、緑色下層リバーサルレジスト層５１と緑色正孔輸送材料層７２と緑色発光材料層５４と緑色上層ポジレジスト層５５とを基板側からこの順に含む積層体を形成する。
次に、図４９に示すように、前述の実施形態１と同様にステップＳ４４～Ｓ４５を行う。これによって、緑色正孔輸送材料層７２が緑色発光材料層５４と共にパターニングされ、緑色正孔輸送材料層７２の残部が緑色正孔輸送層３３ｇになる。
続いて、前述の実施形態１と同様にステップＳ４６～Ｓ４７を行う。これによって、緑色発光層３５ｇおよび緑色正孔輸送層３３ｇが、緑色下層リバーサルレジスト層５１の再不溶部５１Ｄと緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部５５Ｃとの間に挟まれて保護された状態に形成される。
＜青色発光層および青色正孔輸送層の形成を含む処理＞
次に、図４８に示すように、青色発光層３５ｂおよび青色正孔輸送層３３ｂの形成を含む処理を行う（ステップＳ６２）。ステップＳ６２において、図５０に示す処理Ｐ６を実行する。図５０に示す処理Ｐ３は、正孔輸送材料層を形成する工程（ステップＳ６２）を含む点において、図７に示す処理Ｐ２から異なる。
すなわち、図５０および図５３に示すように、まず、正孔注入層３１と赤色上層ポジレジスト層４５および緑色上層ポジレジスト層５５の可溶部４５Ｃ，５５Ｃの上に正孔輸送材料を全面的に蒸着することによって、あるいは、正孔輸送材料を含む材料を全面的に塗布することによって、青色正孔輸送材料層７３を全面的に形成する（ステップＳ６３）。続いて、青色発光材料層６４および青色上層ポジレジスト層６５を全面的に形成する（ステップＳ４２，Ｓ４３）。
このようにして、青色正孔輸送材料層７３と青色発光材料層６４と青色上層ポジレジスト層６５とを基板側からこの順に含む積層体を形成する。
次に、図５０に示すように、前述の実施形態１と同様にステップＳ４４～Ｓ４５を行う。これによって、青色正孔輸送材料層７３が青色発光材料層６４と共にパターニングされ、青色正孔輸送材料層７３の残部が青色正孔輸送層３３ｂになる。
続いて、前述の実施形態１と同様にステップＳ４６を行う。これによって、青色発光層３５ｂおよび青色正孔輸送層３３ｂが、青青色上層ポジレジスト層６５の可溶部６５Ｃの下に覆われて保護された状態に形成される。
以降、前述の実施形態１と同様に、弱い現像を行う工程（図５のステップＳ２８）および続く工程を行う。このようにして、図４７に示す発光素子層５を形成する。
（作用効果）
本実施形態４に係る方法によれば、赤色発光層３５ｒと共に、赤色発光層３５ｒに対応する赤色正孔輸送層３３ｒもパターニングすることができる。このため、赤色発光層に適した赤色正孔輸送層３３ｒを形成可能である。また、赤色正孔輸送層３３ｒの正孔輸送材料が、赤色正孔輸送層３３ｒの形成領域以外に残渣として混入することを低減できる。緑色正孔輸送層３３ｇおよび青色正孔輸送層３３ｂについても同様である。
なお、本実施形態４の範囲はこれに限らず、正孔輸送層以外の層を発光層と共にパターニングする例、上述の実施形態２，３において発光層と共に正孔輸送層などの層をパターニングする例、複数の発光層のうちの１つまたは幾つかの発光層についてのみ当該発光層と共に正孔輸送層などの層をパターニングする例、などを含む様々な変形例を含む。
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る発光デバイスの製造方法は、第１発光層を含む第１発光素子を基板上に形成する発光素子形成工程を備えた発光デバイスの製造方法であって、前記発光素子形成工程は、第１リバーサルレジストと、前記第１発光層の発光材料を含む第１発光材料層と、第１ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第１積層体をパターニングすることにより、前記第１発光層を形成する第１発光層形成工程を備えた方法である。
本発明の態様２に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様１に係る方法であって、前記第１発光層形成工程は、前記第１積層体の各層を成膜する積層体形成工程と、前記積層体形成工程に次いで、前記第１積層体の一部を露光する積層体露光工程と、前記積層体露光工程に次いで、露光された前記第１リバーサルレジストを除去することにより、前記第１積層体の露光された部分を除去する現像工程と、を備えた方法であってよい。
本発明の態様３に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様１または２に係る方法であって、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第１発光層形成工程に次いで、前記第１発光層と重なる前記第１リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第１再不溶化工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様４に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様３に係る方法であって、前記第１再不溶化工程は、前記第１リバーサルレジストを露光するリバーサルレジスト露光工程と、前記リバーサルレジスト露光工程に次いで、露光された前記第１リバーサルレジストを加熱する加熱工程とを備えた方法であってよい。
本発明の態様５に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様３または４に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層と異なる材料を有する第２発光層を含む第２発光素子を前記基板上に形成し、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第１再不溶化工程より後に、第２リバーサルレジストと、前記第２発光層の発光材料を含む第２発光材料層と、第２ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第２積層体をパターニングすることにより、前記第２発光層を形成する第２発光層形成工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様６に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様５に係る方法であって、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２発光層形成工程に次いで、前記第２発光層と重なる前記第２リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第２再不溶化工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様７に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６に係る方法であって、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、前記第１ポジレジスト、および、前記第２ポジレジストのそれぞれを、前記第１発光層、および、前記第２発光層のそれぞれの上層から除去するポジレジスト除去工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様８に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６または７に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層と、第３ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様９に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を形成し、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、第３リバーサルレジストと、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層と、第３ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様１０に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様９に係る方法であって、前記発光素子形成工程は、さらに、前記第３発光層形成工程に次いで、前記第３発光層と重なる前記第３リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第３再不溶化工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様１１に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様１０に係る方法であって、 前記発光素子形成工程は、さらに、前記第３再不溶化工程より後に、前記第１ポジレジスト、前記第２ポジレジスト、および、前記第３ポジレジストのそれぞれを、前記第１発光層、前記第２発光層、および、前記第３発光層のそれぞれの上層から除去するポジレジスト除去工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様１２に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６または７に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、前記発光素子形成工程は、前記第２再不溶化工程より後に、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層を、２層の第３ポジレジストの間に積層して含む第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様１３に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様６または７に係る方法であって、前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、前記発光素子形成工程は、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層を、２層のネガレジストの間に積層して含む第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた方法であってよい。
本発明の態様１４に係る発光デバイスの製造方法は、上記態様１から１３の何れか１態様に係る方法であって、前記第１発光素子は、さらに、前記基板と前記第１発光層との間の下層電極と、該下層電極と前記第１発光層との間のキャリア輸送層を備え、前記第１積層体は、さらに、前記第１リバーサルレジストと前記第１発光材料層との間に、前記キャリア輸送層の材料を含むキャリア輸送材料層を積層して含み、前記第１発光層形成工程において、さらに、前記キャリア輸送材料層をパターニングして、前記キャリア輸送層を形成する方法であってよい。
本発明の態様１５に係る発光デバイスは、基板と、第１下層電極と、第１発光層と、第１上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第１発光素子と、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記第１発光層との間に、感光性樹脂層を備え、前記感光性樹脂層は、下記構造式（１）～（３）で表される化合物から成る群から選択される少なくとも１種を含む構成である。
Figure 0007498805000007
 ここで、Ｒ１およびＲ２は各々独立して、置換または無置換の炭化水素基を示す。
本発明の態様１６に係る発光デバイスは、上記態様１５に係る構成であって、前記感光性樹脂層は、水酸基を有する芳香族炭化水素、１‐ヒドロキシエチル‐２‐アルキルイミダゾリン、およびシエラックから成る群から選択された少なくとも１種をさらに含む構成であってよい。
本発明の態様１７に係る発光デバイスは、上記態様１５または１６に係る構成であって、前記第１発光層が、発光材料として量子ドットを含む構成であってよい。
本発明の態様１８に係る発光デバイスは、上記態様１５から１７の何れか１態様に係る構成であって、前記第１発光層が、ポジ型の感光性樹脂を含む構成であってよい。
本発明の態様１９に係る発光デバイスは、上記態様１５から１８の何れか１態様に係る構成であって、前記第１下層電極がカソードであり、前記第１上層電極がアノードであり、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、電子輸送層を備え、前記感光性樹脂層の電子親和力は、前記電子輸送層の電子親和力よりも小さく、かつ、前記第１発光層の電子親和力よりも小さい構成であってよい。
本発明の態様２０に係る発光デバイスは、上記態様１５から１８の何れか１態様に係る構成であって、前記第１下層電極がカソードであり、前記第１上層電極がアノードであり、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、電子輸送層を備え、前記感光性樹脂層の電子親和力は、前記電子輸送層の電子親和力よりも小さく、かつ、前記第１発光層の電子親和力よりも大きい構成であってよい。
本発明の態様２１に係る発光デバイスは、上記態様１５から１８の何れか１態様に係る構成であって、前記第１下層電極がアノードであり、前記第１上層電極がカソードであり、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、正孔輸送層を備え、前記感光性樹脂層のイオン化エネルギーは、前記正孔輸送層のイオン化エネルギーよりも大きく、かつ、前記第１発光層のイオン化エネルギーよりも大きい構成であってよい。
本発明の態様２２に係る発光デバイスは、上記態様１５から１８の何れか１態様に係る構成であって、前記第１下層電極がアノードであり、前記第１上層電極がカソードであり、前記第１発光素子が、さらに、前記第１下層電極と前記感光性樹脂層との間に、正孔輸送層を備え、前記感光性樹脂層のイオン化エネルギーは、前記正孔輸送層のイオン化エネルギーよりも大きく、かつ、前記第１発光層のイオン化エネルギーよりも小さい構成であってよい。
本発明の態様２３に係る発光デバイスは、上記態様１５から２２の何れか１態様に係る構成であって、前記第１発光素子のみが、前記感光性樹脂層を備えた構成であってよい。
本発明の態様２４に係る発光デバイスは、上記態様１５から２２の何れか１態様に係る構成であって、第２下層電極と、前記第１発光層と異なる材料を有する第２発光層と、第２上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第２発光素子をさらに備え、前記第２発光素子が、さらに、前記第２下層電極と前記第２発光層との間に、前記感光性樹脂層を備えた構成であってよい。
本発明の態様２５に係る発光デバイスは、上記態様２４に係る構成であって、第３下層電極と、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層と、第３上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第３発光素子をさらに備えた構成であってよい。
本発明の態様２６に係る発光デバイスは、上記態様２４に係る構成であって、第３下層電極と、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層と、第３上層電極とを、前記基板側からこの順に積層して含む、前記基板上の第３発光素子をさらに備え、前記第１発光素子および前記第２発光素子のみが、前記感光性樹脂層を備えた構成であってよい。
本発明の態様２７に係る発光デバイスは、上記態様２５または２６に係る構成であって、前記第１発光素子が、前記第１発光層として赤色発光層を含む赤色発光素子であり、前記第２発光素子が、前記第２発光層として緑色発光層を含む緑色発光素子であり、前記第３発光素子が、前記第３発光層として青色発光層を含む青色発光素子である構成であってよい。
本発明の態様２８に係る発光デバイスは、上記態様２７に係る構成であって、複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域とを備え、前記複数の画素のそれぞれに、前記赤色発光素子と、前記緑色発光素子と、前記青色発光素子とを備え、前記基板が、前記赤色発光素子と、前記緑色発光素子と、前記青色発光素子とをそれぞれ駆動する薄膜トランジスタ層を備えた構成であってよい。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２ 表示デバイス（発光デバイス）
１０ 下面フィルム（基板）
２２ アノード（下層電極、第１下層電極、第２下層電極、第３下層電極、上層電極、第１上層電極）
２５ カソード（上層電極、第１上層電極、第２上層電極、第３上層電極、下層電極、第１下層電極）
３３ 正孔輸送層（キャリア輸送層）
３３ｒ 赤色正孔輸送層（キャリア輸送層）
３３ｇ 緑色正孔輸送層（キャリア輸送層）
３３ｂ 青色正孔輸送層（キャリア輸送層）
３４ｒ 赤色下層樹脂層（感光性樹脂層）
３４ｇ 緑色下層樹脂層（感光性樹脂層）
３４ｂ 青色下層樹脂層（感光性樹脂層）
３５ｒ 赤色発光層（第１発光層、第３発光層）
３５ｇ 緑色発光層（第２発光層）
３５ｂ 青色発光層（第３発光層、第１発光層）
３７ 電子輸送層（キャリア輸送層）
４１ 赤色下層リバーサルレジスト層（第１リバーサルレジスト、第３リバーサルレジスト）
４２ 赤色下層ポジレジスト層（２層の第３ポジレジストの一層）
４３ 赤色下層ネガレジスト層（２層のネガレジストの一層）
４４ 赤色発光材料層（第１発光材料層、第３発光材料）
４５ 赤色上層ポジレジスト層（第１ポジレジスト、２層の第２ポジレジストのもう一層）
４６ 赤色上層ネガレジスト層（２層のネガレジストのもう一層）
５１ 緑色下層リバーサルレジスト層（第２リバーサルレジスト）
５４ 緑色発光材料層（第２発光材料層）
５５ 緑色上層ポジレジスト層（第２ポジレジスト）
６１ 青色下層リバーサルレジスト層（第３リバーサルレジスト、第１リバーサルレジスト）
６４ 青色発光材料層（第３発光材料層、第１発光材料層）
６５ 青色上層ポジレジスト層（第３ポジレジスト、第１ポジレジスト）
７０ マザーガラス（基板）
７１ 赤色正孔輸送材料層（キャリア輸送材料層）
７２ 緑色正孔輸送材料層（キャリア輸送材料層）
７３ 青色正孔輸送材料層（キャリア輸送材料層）
Ｐｒ 赤色サブ画素（第１発光素子、赤色発光素子）
Ｐｇ 緑色サブ画素（第２発光素子、緑色発光素子）
Ｐｂ 青色サブ画素（第３発光素子、青色発光素子）

Claims (14)

  1. 第１発光層を含む第１発光素子を基板上に形成する発光素子形成工程を備えた発光デバイスの製造方法であって、
    前記発光素子形成工程は、第１リバーサルレジストと、前記第１発光層の発光材料を含む第１発光材料層と、第１ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第１積層体をパターニングすることにより、前記第１発光層を形成する第１発光層形成工程を備えた発光デバイスの製造方法。
  2. 前記第１発光層形成工程は、
    前記第１積層体の各層を成膜する積層体形成工程と、
    前記積層体形成工程に次いで、前記第１積層体の一部を露光する積層体露光工程と、
    前記積層体露光工程に次いで、露光された前記第１リバーサルレジストを除去することにより、前記第１積層体の露光された部分を除去する現像工程と、を備えた請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
  3. 前記発光素子形成工程は、さらに、前記第１発光層形成工程に次いで、前記第１発光層と重なる前記第１リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第１再不溶化工程を備えた請求項１または２に記載の発光デバイスの製造方法。
  4. 前記第１再不溶化工程は、
    前記第１リバーサルレジストを露光するリバーサルレジスト露光工程と、
    前記リバーサルレジスト露光工程に次いで、露光された前記第１リバーサルレジストを加熱する加熱工程とを備えた請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
  5. 前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層と異なる材料を有する第２発光層を含む第２発光素子を前記基板上に形成し、
    前記発光素子形成工程は、さらに、前記第１再不溶化工程より後に、第２リバーサルレジストと、前記第２発光層の発光材料を含む第２発光材料層と、第２ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第２積層体をパターニングすることにより、前記第２発光層を形成する第２発光層形成工程を備えた請求項３または４に記載の発光デバイスの製造方法。
  6. 前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２発光層形成工程に次いで、前記第２発光層と重なる前記第２リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第２再不溶化工程を備えた請求項５に記載の発光デバイスの製造方法。
  7. 前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、前記第１ポジレジスト、および、前記第２ポジレジストのそれぞれを、前記第１発光層、および、前記第２発光層のそれぞれの上層から除去するポジレジスト除去工程を備えた請求項６に記載の発光デバイスの製造方法。
  8. 前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、
    前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層と、第３ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた請求項６または７に記載の発光デバイスの製造方法。
  9. 前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方
    と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を形成し、
    前記発光素子形成工程は、さらに、前記第２再不溶化工程より後に、第３リバーサルレジストと、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層と、第３ポジレジストとを、前記基板側からこの順に積層した第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた請求項６に記載の発光デバイスの製造方法。
  10. 前記発光素子形成工程は、さらに、前記第３発光層形成工程に次いで、前記第３発光層と重なる前記第３リバーサルレジストを可溶化して不溶化する第３再不溶化工程を備えた請求項９に記載の発光デバイスの製造方法。
  11. 前記発光素子形成工程は、さらに、前記第３再不溶化工程より後に、前記第１ポジレジスト、前記第２ポジレジスト、および、前記第３ポジレジストのそれぞれを、前記第１発光層、前記第２発光層、および発光層のそれぞれの上層から除去するポジレジスト除去工程を備えた請求項１０に記載の発光デバイスの製造方法。
  12. 前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、
    前記発光素子形成工程は、前記第２再不溶化工程より後に、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層を、２層の第３ポジレジストの間に積層して含む第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた請求項６または７に記載の発光デバイスの製造方法。
  13. 前記発光素子形成工程において、さらに、前記第１発光層および前記第２発光層の双方と異なる材料を有する第３発光層を含む第３発光素子を前記基板上に形成し、
    前記発光素子形成工程は、前記第３発光層の発光材料を含む第３発光材料層を、２層のネガレジストの間に積層して含む第３積層体をパターニングすることにより、前記第３発光層を形成する第３発光層形成工程を備えた請求項６または７に記載の発光デバイスの製造方法。
  14. 前記第１発光素子は、さらに、前記基板と前記第１発光層との間の下層電極と、該下層電極と前記第１発光層との間のキャリア輸送層を備え、
    前記第１積層体は、さらに、前記第１リバーサルレジストと前記第１発光材料層との間に、前記キャリア輸送層の材料を含むキャリア輸送材料層を積層して含み、
    前記第１発光層形成工程において、さらに、前記キャリア輸送材料層をパターニングして、前記キャリア輸送層を形成する請求項１から１３の何れか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
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