JP7493966B2

JP7493966B2 - Polishing Equipment and Processing Systems

Info

Publication number: JP7493966B2
Application number: JP2020038725A
Authority: JP
Inventors: 拓也森浦; 哲也寺田; 宏外崎; 忠一曽根; 雅佳伊藤; 厳貴小畠
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2020-03-06
Filing date: 2020-03-06
Publication date: 2024-06-03
Anticipated expiration: 2040-03-06
Also published as: JP2021137927A

Description

本発明は、研磨装置および処理システムに関する。 The present invention relates to a polishing apparatus and a processing system.

半導体デバイスの製造工程においては、半導体デバイス表面の平坦化技術がますます重要になっている。平坦化技術としては、化学的機械研磨（ＣＭＰ(chemical Mechanical Polishing)）が知られている。この化学的機械研磨は、研磨装置を用いて、シリカ（ＳｉＯ_２）および／またはセリア（ＣｅＯ_２）等の砥粒を含んだ研磨液（スラリー）を研磨パッドに供給しつつ半導体ウェハなどの基板を研磨パッドに摺接させて研磨を行うものである。 In the manufacturing process of semiconductor devices, techniques for planarizing the surface of semiconductor devices are becoming increasingly important. One known technique for planarization is chemical mechanical polishing (CMP). This chemical mechanical polishing is performed by using a polishing device to supply a polishing liquid (slurry) containing abrasive grains such as silica (SiO ₂ ) and/or ceria (CeO ₂ ) to a polishing pad while a substrate such as a semiconductor wafer is brought into sliding contact with the polishing pad.

ＣＭＰプロセスを行う研磨装置は、研磨パッドを支持するための研磨テーブルと、基板などの対象物を保持するための研磨ヘッドと、研磨パッドと基板との間に研磨液を供給するための研磨液供給装置と、を備えている。この研磨装置は、研磨液供給装置から研磨液を研磨パッドに供給し、基板を研磨パッドの表面（研磨面）に対して所定の圧力で押圧し、研磨テーブルと研磨ヘッドとを回転させることにより基板の表面を平坦に研磨する。 A polishing apparatus that performs the CMP process is equipped with a polishing table for supporting a polishing pad, a polishing head for holding an object such as a substrate, and a polishing liquid supply device for supplying a polishing liquid between the polishing pad and the substrate. This polishing apparatus supplies a polishing liquid from the polishing liquid supply device to the polishing pad, presses the substrate against the surface (polishing surface) of the polishing pad with a predetermined pressure, and rotates the polishing table and polishing head to polish the surface of the substrate flat.

特許文献１には、研磨パッドの中心部に研磨液を供給する第１のノズルと、研磨パッドの周辺部に研磨液を供給する第２のノズルと、を含む研磨液供給装置が開示されている。この研磨液供給装置は、研磨液の化学的性質などに応じて、第１のノズルからの研磨液の供給と第２のノズルからの研磨液の供給を切り替えるように構成されている。 Patent Document 1 discloses a polishing liquid supplying device that includes a first nozzle that supplies polishing liquid to the center of the polishing pad, and a second nozzle that supplies polishing liquid to the peripheral portion of the polishing pad. This polishing liquid supplying device is configured to switch between supplying polishing liquid from the first nozzle and supplying polishing liquid from the second nozzle depending on the chemical properties of the polishing liquid, etc.

米国特許第７，０８６，９３３号U.S. Patent No. 7,086,933

特許文献１に記載の研磨装置は、第１のノズルと第２のノズルを切り替えることによって研磨液の供給箇所を変えるものであるので、基板の研磨レートを維持し、かつ、研磨液の使用量を削減することについては考慮されていない。 The polishing apparatus described in Patent Document 1 changes the supply location of the polishing liquid by switching between the first and second nozzles, so it does not take into consideration maintaining the polishing rate of the substrate while reducing the amount of polishing liquid used.

すなわち、研磨装置に使用される研磨液は、高価であり、使用済みの研磨液の処分にもコストを要するため、研磨装置の運転コストおよび半導体デバイスの製造コスト削減のためには、研磨液の使用量の削減が求められる。この点、単に研磨液の供給量を減らすだけだと、基板の研磨レートが下降するので、好ましくない。基板の所定の研磨レートを維持しつつ研磨液の使用量を削減するためには、研磨液が効率よく研磨パッドと基板との間に行き渡るように研磨液を供給することが求められる。 In other words, since the polishing liquid used in the polishing apparatus is expensive and disposal of used polishing liquid is also costly, a reduction in the amount of polishing liquid used is required to reduce the operating costs of the polishing apparatus and the manufacturing costs of semiconductor devices. In this regard, simply reducing the amount of polishing liquid supplied is not desirable because it would result in a decrease in the polishing rate of the substrate. In order to reduce the amount of polishing liquid used while maintaining a specified polishing rate of the substrate, it is necessary to supply the polishing liquid so that it spreads efficiently between the polishing pad and the substrate.

そこで、本発明の目的は、基板の研磨レートを維持し、かつ、研磨液の使用量を削減することにある。 The object of the present invention is to maintain the substrate polishing rate while reducing the amount of polishing liquid used.

一実施形態によれば、研磨パッドを支持するためのテーブルと、対象物を保持するための研磨ヘッドと、前記研磨パッドと前記対象物との間に研磨液を供給するための研磨液供給装置と、を含み、研磨液の存在下で前記研磨パッドと前記対象物とを接触させて互いに回転運動させることにより前記対象物の研磨を行う研磨装置であって、前記研磨液供給装
置は、前記対象物に対して前記研磨パッドの回転上流側に配置された状態において、前記研磨パッドの回転方向と交差する方向に配列された複数の研磨液供給口を有し、前記複数の研磨液供給口から供給される研磨液が所定の流量分布となるように研磨液を供給する、ことを特徴とする研磨装置が開示される。 According to one embodiment, a polishing apparatus is disclosed that includes a table for supporting a polishing pad, a polishing head for holding an object, and a polishing liquid supply device for supplying a polishing liquid between the polishing pad and the object, and polishes the object by contacting the polishing pad and the object in the presence of a polishing liquid and rotating them relative to each other, wherein the polishing liquid supply device has a plurality of polishing liquid supply ports arranged in a direction intersecting the rotation direction of the polishing pad when positioned upstream of the rotation of the polishing pad with respect to the object, and supplies the polishing liquid from the plurality of polishing liquid supply ports so that the polishing liquid has a predetermined flow rate distribution.

本発明の一実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す図である。1 is a diagram showing a schematic configuration of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention; 研磨液供給装置の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the polishing liquid supplying device. 昇降旋回機構の構成を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a lifting and rotating mechanism. 研磨液供給部材の構成を概略的に示す断面図である。2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a polishing liquid supplying member. FIG. 研磨液供給部材の側面断面を示す図である。FIG. 2 is a side cross-sectional view of the polishing liquid supplying member. 研磨液供給部材、連結部材、およびアームの洗浄機構を示す図である。5A and 5B are diagrams showing a cleaning mechanism for the polishing liquid supplying member, the connecting member, and the arm. 研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a flow rate distribution of a polishing liquid. 図７の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。8 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 7. 研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a flow rate distribution of a polishing liquid. 図９の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。10 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 9. 研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a flow rate distribution of a polishing liquid. 図１１の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。12 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 11. 研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a flow rate distribution of a polishing liquid. 図１３の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。14 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 13. 研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a flow rate distribution of a polishing liquid. 図１５の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。16 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 15. 研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a flow rate distribution of a polishing liquid. 図１７の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。18 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 17. 研磨液供給部材の揺動による研磨液の流れを模式的に示す図である。5A and 5B are diagrams illustrating the flow of the polishing liquid caused by the swinging of the polishing liquid supplying member. 研磨液供給部材のスライド移動を模式的に示す図である。4A to 4C are diagrams illustrating the sliding movement of a polishing liquid supplying member. 研磨液供給部材の角度調整を模式的に示す図である。11A and 11B are diagrams illustrating the angle adjustment of the polishing liquid supplying member. 研磨液供給部材の角度調整による研磨液の分布の相違を模式的に示す図である。11A and 11B are diagrams illustrating a difference in distribution of the polishing liquid caused by adjusting the angle of the polishing liquid supplying member. 一実施形態としての処理システムの概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of a processing system according to an embodiment;

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。 The following describes embodiments of the present invention with reference to the drawings. In the accompanying drawings, identical or similar elements are given identical or similar reference symbols, and duplicate descriptions of identical or similar elements may be omitted in the description of each embodiment. Furthermore, features shown in each embodiment may also be applied to other embodiments as long as they are not mutually inconsistent.

本明細書において「基板」には、半導体基板、ガラス基板、液晶基板、プリント回路基板だけでなく、磁気記録媒体、磁気記録センサ、ミラー、光学素子、微小機械素子、あるいは部分的に製作された集積回路、その他任意の被処理対象物を含む。基板は、多角形、円形を含む任意の形状のものを含む。また、本明細書において「前面」、「後面」、「前方」、「後方」、「上」、「下」、「左」、「右」、「鉛直」、「水平」等の表現を用いる場合があるが、これらは、説明の都合上、例示の図面の紙面上における位置、方向を示すものであり、装置使用時等の実際の配置では異なる場合がある。 In this specification, "substrate" includes not only semiconductor substrates, glass substrates, liquid crystal substrates, and printed circuit boards, but also magnetic recording media, magnetic recording sensors, mirrors, optical elements, micromechanical elements, partially fabricated integrated circuits, and any other object to be processed. Substrates include those of any shape, including polygonal and circular. In addition, expressions such as "front", "rear", "forward", "back", "upper", "lower", "left", "right", "vertical", and "horizontal" may be used in this specification, but these indicate the position and direction on the paper of the example drawings for the convenience of explanation, and may differ in the actual arrangement when the device is in use, etc.

（研磨装置の概略構成）
図１は、本発明の一実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す図である。本実施形態の研磨装置１は、研磨面１０２を有する研磨パッド１００を使用して、研磨対象物としての半導体ウェハ等の基板ＷＦの研磨を行うことができるように構成されている。図示するように、研磨装置１は、研磨パッド１００を支持するための研磨テーブル２０と、基板ＷＦを保持して研磨パッド１００の研磨面１０２に押し当てるための研磨ヘッド（基板保持部）３０と、を備えている。さらに、研磨装置１は、研磨パッド１００と基板ＷＦとの間に研磨液（スラリー）を供給するための研磨液供給装置４０と、研磨パッド１００の外に旋回された研磨液供給装置４０に対して洗浄液を供給するための洗浄機構３００と、研磨面１０２に純水等の液体および／または窒素等のガスを噴射して、使用済みの研磨液、研磨残渣等を洗い流すためのアトマイザー５０と、を備えている。研磨液供給装置４０は、基板ＷＦに対して研磨パッド１００の回転上流側に配置されている。なお、図１の実施形態では洗浄機構３００が研磨液供給装置４０の上部に配置される例を示したが、これに限らず、例えば研磨液供給装置４０の上部および下部に洗浄機構３００をそれぞれ配置して、研磨液供給装置４０を上下方向から洗浄するように構成することもできる。 (General configuration of the polishing apparatus)
1 is a diagram showing a schematic configuration of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. The polishing apparatus 1 of this embodiment is configured to be able to polish a substrate WF such as a semiconductor wafer as a polishing object by using a polishing pad 100 having a polishing surface 102. As shown in the figure, the polishing apparatus 1 includes a polishing table 20 for supporting the polishing pad 100, and a polishing head (substrate holder) 30 for holding the substrate WF and pressing it against the polishing surface 102 of the polishing pad 100. The polishing apparatus 1 further includes a polishing liquid supplying device 40 for supplying a polishing liquid (slurry) between the polishing pad 100 and the substrate WF, a cleaning mechanism 300 for supplying a cleaning liquid to the polishing liquid supplying device 40 rotated outside the polishing pad 100, and an atomizer 50 for spraying a liquid such as pure water and/or a gas such as nitrogen onto the polishing surface 102 to wash away used polishing liquid, polishing residues, and the like. The polishing liquid supplying device 40 is disposed upstream of the rotation of the polishing pad 100 with respect to the substrate WF. In the embodiment of Figure 1, an example is shown in which the cleaning mechanism 300 is arranged on the top of the polishing liquid supplying device 40, but this is not limited to the above. For example, the cleaning mechanisms 300 can be arranged on the top and bottom of the polishing liquid supplying device 40, respectively, to clean the polishing liquid supplying device 40 from above and below.

研磨テーブル２０は、円盤状に形成されており、その中心軸を回転軸線として回転可能に構成される。研磨テーブル２０には、貼付け等によって研磨パッド１００が取り付けられる。研磨パッド１００の表面は、研磨面１０２を形成する。研磨パッド１００は、図示しないモータによって研磨テーブル２０が回転することにより、研磨テーブル２０と一体に回転する。 The polishing table 20 is formed in a disk shape and is configured to be rotatable around its central axis as the axis of rotation. A polishing pad 100 is attached to the polishing table 20 by gluing or the like. The surface of the polishing pad 100 forms a polishing surface 102. The polishing pad 100 rotates together with the polishing table 20 as the polishing table 20 rotates due to the rotation of the polishing table 20 by a motor (not shown).

研磨ヘッド３０は、その下面において、基板ＷＦを真空吸着などによって保持する。研磨ヘッド３０は、図示しないモータからの動力により基板と共に回転可能に構成されている。研磨ヘッド３０の上部は、シャフト３１を介して支持アーム３４に接続されている。研磨ヘッド３０は、図示しないエアシリンダやボールねじを介したモータ駆動によって上下方向に移動可能であり、研磨テーブル２０との距離を調整可能である。これにより、研磨ヘッド３０は、保持した基板ＷＦを研磨面１０２に押し当てることができる。また、研磨ヘッド３０は図示しないが、その内部に複数の領域に分割されたエアバッグを有し、各エアバッグ領域に任意のエア等の流体圧力を供給することで、基板ＷＦを背面から加圧する。さらに、支持アーム３４は、図示しないモータにより旋回可能に構成されており、研磨ヘッド３０を研磨面１０２に平行な方向に移動させる。本実施形態では、研磨ヘッド３０は、図示しない基板の受取位置と、研磨パッド１００の上方位置とで移動可能に構成されているとともに、研磨パッド１００に対する基板ＷＦの押し当て位置を変更可能に構成されている。 The polishing head 30 holds the substrate WF on its underside by vacuum suction or the like. The polishing head 30 is configured to be rotatable together with the substrate by the power of a motor (not shown). The upper part of the polishing head 30 is connected to the support arm 34 via a shaft 31. The polishing head 30 can be moved up and down by the motor drive via an air cylinder or ball screw (not shown), and the distance from the polishing table 20 can be adjusted. This allows the polishing head 30 to press the substrate WF held against the polishing surface 102. Although not shown, the polishing head 30 has an air bag divided into multiple areas inside, and pressurizes the substrate WF from the back by supplying any fluid pressure such as air to each air bag area. Furthermore, the support arm 34 is configured to be rotatable by a motor (not shown), and moves the polishing head 30 in a direction parallel to the polishing surface 102. In this embodiment, the polishing head 30 is configured to be movable between a receiving position for the substrate (not shown) and a position above the polishing pad 100, and is configured to be able to change the pressing position of the substrate WF against the polishing pad 100.

研磨液供給装置４０は、研磨パッド１００に研磨液を供給するための研磨液供給部材４１を含む。研磨液供給部材４１は、研磨面１０２上の供給位置と、研磨テーブル２０の外側の退避位置との間で移動可能に構成されている。研磨液供給装置４０の詳細については後述する。 The polishing liquid supply device 40 includes a polishing liquid supply member 41 for supplying polishing liquid to the polishing pad 100. The polishing liquid supply member 41 is configured to be movable between a supply position on the polishing surface 102 and a retracted position outside the polishing table 20. Details of the polishing liquid supply device 40 will be described later.

アトマイザー５０は、旋回軸５１に接続されている。アトマイザー５０は、図示していないモータなどの駆動機構によって旋回軸５１の周りに回転可能になっており、研磨面１０２上の動作位置と、研磨テーブル２０の外側の退避位置との間で移動可能に構成されている。また、アトマイザー５０は、図示していないモータなどの駆動機構によって、研磨面１０２上における動作位置、高さを変更可能に構成されている。 The atomizer 50 is connected to a pivot 51. The atomizer 50 is rotatable around the pivot 51 by a drive mechanism such as a motor (not shown), and is configured to be movable between an operating position on the polishing surface 102 and a retracted position outside the polishing table 20. The atomizer 50 is also configured to be able to change its operating position and height on the polishing surface 102 by a drive mechanism such as a motor (not shown).

研磨装置１は、研磨装置１の動作全般を制御する制御装置２００を更に備えている。制御装置２００は、ＣＰＵ、メモリ等を備え、研磨レシピ等のソフトウェアおよび／または予め入力された関連機器のマシンパラメータの情報を用いて所望の機能を実現するマイク
ロコンピュータとして構成されてもよいし、専用の演算処理を行うハードウェア回路として構成されてもよいし、マイクロコンピュータと、専用の演算処理を行うハードウェア回路との組み合わせで構成されてもよい。 The polishing apparatus 1 further includes a control device 200 that controls the overall operation of the polishing apparatus 1. The control device 200 may be configured as a microcomputer that includes a CPU, memory, etc., and that realizes a desired function using software such as a polishing recipe and/or information on machine parameters of related devices that have been input in advance, or may be configured as a hardware circuit that performs dedicated arithmetic processing, or may be configured as a combination of a microcomputer and a hardware circuit that performs dedicated arithmetic processing.

研磨装置１では、以下のようにして基板ＷＦの研磨が行われる。まず、基板ＷＦを保持する研磨ヘッド３０を回転させると共に、研磨パッド１００を回転させる。この状態で、研磨液供給装置４０を用いて研磨液を供給する。具体的には、研磨液供給部材４１は、後述する昇降旋回機構７０の旋回機構９０によりアーム６０が旋回動作をすることで、研磨面１０２上の所定位置に移動し、さらに昇降機構８０により所定高さに下降した後、研磨液の供給を開始する。この際、コンディショニング等で研磨パッド１００上に残留した純水や薬液が排除されるとともに、研磨液が研磨面１０２上に分布することで、研磨液に置換される。なお、研磨液の供給開始から、基板ＷＦの押し当てまでの時間や研磨パッド１００の回転数は研磨面１０２に設けられた溝形状やパッド表面状態により調整する。例えば、溝形状が同心円溝の場合は、研磨液への置換に時間を要するため、研磨パッド１００は高回転が望ましいが、研磨液の排除効果も増加してしまうため、６０～１２０ｒｐｍ、好ましくは８０～１００ｒｐｍが望ましい。また、供給時間は５～１５ｓｅｃ程度が好ましい。その後、研磨ヘッド３０に保持された基板ＷＦを研磨面１０２に対して押し当てた後、基板ＷＦの被研磨面が研磨液の存在下で研磨パッド１００と接触した状態で、基板ＷＦと研磨パッド１００とが回転等の相対移動をする。こうして、基板は研磨される。また、研磨液供給部材４１は、研磨終了後は昇降旋回機構７０の昇降機構８０により上昇し、さらに旋回機構９０によるアーム６０の旋回動作により研磨パッド１００の外側の退避位置に移動された後、洗浄機構３００を用いて洗浄される。また、これらの一連の動作シーケンスについては、制御装置２００に内在する研磨レシピおよび／または予め設定されたマシンパラメータにて事前に設定可能である。 In the polishing apparatus 1, the substrate WF is polished as follows. First, the polishing head 30 holding the substrate WF is rotated, and the polishing pad 100 is rotated. In this state, the polishing liquid is supplied using the polishing liquid supplying device 40. Specifically, the polishing liquid supplying member 41 moves to a predetermined position on the polishing surface 102 by the arm 60 being rotated by the rotation mechanism 90 of the lifting and rotating mechanism 70 described later, and then starts supplying the polishing liquid after being lowered to a predetermined height by the lifting and rotating mechanism 80. At this time, the pure water and chemical solution remaining on the polishing pad 100 due to conditioning or the like are removed, and the polishing liquid is distributed on the polishing surface 102 and replaced with the polishing liquid. The time from the start of the supply of the polishing liquid to the pressing of the substrate WF and the rotation speed of the polishing pad 100 are adjusted according to the groove shape provided on the polishing surface 102 and the pad surface condition. For example, when the groove shape is a concentric groove, it takes time to replace the polishing liquid, so it is desirable to rotate the polishing pad 100 at a high speed, but since the effect of removing the polishing liquid also increases, it is desirable to rotate the polishing pad 100 at a high speed, preferably at 60 to 120 rpm, and more preferably at 80 to 100 rpm. In addition, the supply time is preferably about 5 to 15 seconds. After that, the substrate WF held by the polishing head 30 is pressed against the polishing surface 102, and then the substrate WF and the polishing pad 100 move relative to each other, such as by rotating, while the surface to be polished of the substrate WF is in contact with the polishing pad 100 in the presence of the polishing liquid. In this way, the substrate is polished. In addition, after the polishing is completed, the polishing liquid supply member 41 is raised by the lifting mechanism 80 of the lifting and rotating mechanism 70, and is further moved to a retracted position outside the polishing pad 100 by the rotating operation of the arm 60 by the rotating mechanism 90, and then cleaned by the cleaning mechanism 300. In addition, the sequence of these operations can be set in advance by the polishing recipe and/or preset machine parameters that are internal to the control device 200.

上述の研磨装置１の構成は一例であり、他の構成を採用してもよい。例えば、研磨装置１は、ドレッサーおよび／または温度調節装置などを更に備えてもよいし、アトマイザーを省略してもよい。ドレッサーは、基板ＷＦの研磨間、研磨中において、研磨面１０２の表面をコンディショニングするものであり、ダイヤモンド砥粒が配置された研磨パッド１００よりも小径のディスクを研磨パッド１００の研磨面１０２に押付け、研磨パッド１００と相対運動をさせながら、研磨パッド１００の研磨面１０２全面のコンディショニングを行う。ここで、コンディショニングや研磨時においては、研磨液が供給されるが、研磨間においては純水や薬液が供給される。また、温度調節機構は、例えば研磨液供給装置に接続されて、研磨液そのものを加熱冷却するものでも良い。また、温度調節機構は、研磨面１０２に対して、熱交換体を近接させ、熱交換体内部にヒータ、あるいは、温水乃至冷水のいずれかまたは所定の混合率で調整したものを供給させることで、熱交換体を加温・冷却し、これを研磨面１０２に伝えることで、研磨面１０２の温度を調節しても良い。また、温度調節機構は、例えば、研磨パッド１００の研磨面１０２に気体（例えばエア、Ｎ２等）を噴射供給することで、研磨面１０２を冷却することもできる。なお、噴射供給される気体は予め冷却されていてもよい。 The above-mentioned configuration of the polishing apparatus 1 is an example, and other configurations may be adopted. For example, the polishing apparatus 1 may further include a dresser and/or a temperature adjustment device, or the atomizer may be omitted. The dresser conditions the surface of the polishing surface 102 between and during polishing of the substrate WF, and conditions the entire polishing surface 102 of the polishing pad 100 by pressing a disk with a smaller diameter than the polishing pad 100 on which diamond abrasive grains are arranged against the polishing surface 102 of the polishing pad 100 and moving it relative to the polishing pad 100. Here, a polishing liquid is supplied during conditioning and polishing, but pure water or a chemical solution is supplied between polishing. The temperature adjustment mechanism may be connected to, for example, a polishing liquid supply device to heat and cool the polishing liquid itself. The temperature adjustment mechanism may also adjust the temperature of the polishing surface 102 by placing a heat exchanger close to the polishing surface 102 and supplying a heater, or either hot water or cold water, or a mixture adjusted to a predetermined ratio, inside the heat exchanger to heat or cool the heat exchanger and then transmitting this to the polishing surface 102. The temperature adjustment mechanism may also cool the polishing surface 102 by, for example, spraying gas (e.g., air, N2, etc.) onto the polishing surface 102 of the polishing pad 100. The gas sprayed may be cooled in advance.

（研磨液供給装置）
図２は、研磨液供給装置の斜視図である。図３は、昇降旋回機構の構成を示す模式図である。なお、本明細書において、上流および下流は、図１において研磨テーブル２０（研磨パッド１００）が時計回りに回転する場合の上流および下流を示すものとする。 (Polishing Liquid Supply Device)
Fig. 2 is a perspective view of the polishing liquid supply device. Fig. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the lifting and rotating mechanism. In this specification, upstream and downstream refer to the upstream and downstream when the polishing table 20 (polishing pad 100) rotates clockwise in Fig. 1.

図示されるように、研磨液供給装置４０は、研磨液供給部材４１と、アーム６０と、研磨液供給部材４１とアーム６０とを連結する連結部材６１と、を含んでいる。研磨液供給部材４１には、研磨液供給ライン１２０が接続されている。研磨液供給部材４１は、研磨液供給ライン１２０から供給された研磨液を研磨面１０２上に吐出する。アーム６０の先
端部６０ａには、連結部材６１を介して研磨液供給部材４１が取り付けられている。研磨液供給部材４１は、連結部材６１に対して脱着可能になっており、連結部材６１は、アーム６０に対して着脱可能になっている。これにより、研磨仕様や基板ＷＦ性状に応じて、研磨液供給部材４１を取り替えたり、研磨液供給部材４１と連結部材６１をまとめて取り換えたりすることができる。 As shown in the figure, the polishing liquid supplying device 40 includes a polishing liquid supplying member 41, an arm 60, and a connecting member 61 that connects the polishing liquid supplying member 41 and the arm 60. A polishing liquid supplying line 120 is connected to the polishing liquid supplying member 41. The polishing liquid supplying member 41 discharges the polishing liquid supplied from the polishing liquid supplying line 120 onto the polishing surface 102. The polishing liquid supplying member 41 is attached to a tip 60a of the arm 60 via the connecting member 61. The polishing liquid supplying member 41 is detachable from the connecting member 61, and the connecting member 61 is detachable from the arm 60. This makes it possible to replace the polishing liquid supplying member 41 or replace the polishing liquid supplying member 41 and the connecting member 61 together depending on the polishing specifications and the characteristics of the substrate WF.

（昇降旋回機構）
アーム６０の基端部６０ｂは、図３に示すように、アーム６０を昇降旋回させる昇降旋回機構７０に接続されている。昇降旋回機構７０は、アーム６０を昇降させるための昇降機構８０と、アーム６０を旋回させるための旋回機構９０とを備えている。昇降機構８０および旋回機構９０は、制御装置２００により制御される。 (Lifting and rotating mechanism)
3, the base end 60b of the arm 60 is connected to a lifting and rotating mechanism 70 that lifts and rotates the arm 60. The lifting and rotating mechanism 70 includes a lifting mechanism 80 for lifting and lowering the arm 60, and a rotating mechanism 90 for rotating the arm 60. The lifting mechanism 80 and the rotating mechanism 90 are controlled by a control device 200.

昇降機構８０は、この例では、フレーム８５に固定された昇降シリンダ８１を有し、アーム６０の基端部６０ｂは、昇降シリンダ８１の軸８２に固定されている。昇降シリンダ８１は、流体ライン１３０から流体（エアー等の気体、または作動油等の液体）の供給を受け、軸８２を進退させるものである。昇降シリンダ８１は、例えば、ピストンにより仕切られた２つの室を有し、一方の室には流体ライン１３０の一方が接続され、他方の室には流体ライン１３０の他方が接続される。昇降シリンダ８１は、一方の室に流体を導入するとともに他方の室から流体を排出し、および、他方の室に流体を導入するとともに一方の室から流体を排出することにより、軸８２を進退させる。アーム６０は、昇降シリンダ８１の軸８２進退により、上下方向に移動されるように構成されている。昇降機構８０は、アーム６０の上下動を案内するボールスプライン８３を更に備えている。ボールスプライン８３は、フレーム８５に固定されている。アーム６０の基端部６０ｂは、ボールスプライン８３の軸８４に篏合され、昇降シリンダ８１によるアーム６０の上下移動が軸８４に沿って案内される。アーム６０の上下動を案内する構成は、ボールスプラインに限定されず、任意の案内機構を採用することができ、省略してもよい。また、昇降シリンダ８１の軸８２の移動を検出してアーム６０の高さを検出するためのセンサ８６（例えばマグネット式センサ）が設けられている。電気ケーブル１４０は、センサに接続されるケーブルである。センサは、省略することもできる。昇降機構８０は、上述の構成に限定されず、アーム６０を昇降可能な構成であれば、任意の構成を採用することが可能である。また、この例では、昇降機構８０は昇降シリンダ８１による駆動方式を採用するが、ボールねじ、ベルト機構を介したモータ駆動でもよい。本昇降機構８０により、研磨液供給部材４１は研磨面１０２から所定高さへの移動が可能となる。ここで、研磨液供給部材４１の研磨面１０２からの高さについては、研磨面１０２からの距離が近いほど、研磨液供給部材４１から供給される研磨液の分布は後述の研磨液供給口４１４の穴形状および配置に沿った分布になるが、一方で研磨面１０２からの研磨液の飛散による研磨液供給部材４１の汚染の度合いも増加する。よって、例えば、昇降機構８０により、研磨液供給部材４１の供給面４１０ａは研磨面１０２から５ｍｍ～３０ｍｍ、好ましくは５ｍｍ～１５ｍｍの高さに設定される。なお、研磨液供給部材４１は、研磨面１０２に平行になるよう移動させる。 In this example, the lifting mechanism 80 has a lifting cylinder 81 fixed to a frame 85, and the base end 60b of the arm 60 is fixed to the shaft 82 of the lifting cylinder 81. The lifting cylinder 81 receives a supply of fluid (gas such as air, or liquid such as hydraulic oil) from a fluid line 130 and moves the shaft 82 forward and backward. The lifting cylinder 81 has, for example, two chambers separated by a piston, one of which is connected to one of the fluid lines 130, and the other of the fluid lines 130 is connected to the other of the fluid lines 130. The lifting cylinder 81 moves the shaft 82 forward and backward by introducing fluid into one chamber and discharging fluid from the other chamber, and by introducing fluid into the other chamber and discharging fluid from the one chamber. The arm 60 is configured to be moved in the vertical direction by the advancement and retreat of the shaft 82 of the lifting cylinder 81. The lifting mechanism 80 further includes a ball spline 83 that guides the vertical movement of the arm 60. The ball spline 83 is fixed to a frame 85. The base end 60b of the arm 60 is engaged with the shaft 84 of the ball spline 83, and the vertical movement of the arm 60 by the lift cylinder 81 is guided along the shaft 84. The configuration for guiding the vertical movement of the arm 60 is not limited to the ball spline, and any guide mechanism can be adopted, or may be omitted. In addition, a sensor 86 (e.g., a magnetic sensor) is provided for detecting the movement of the shaft 82 of the lift cylinder 81 to detect the height of the arm 60. The electric cable 140 is a cable connected to the sensor. The sensor may be omitted. The lift mechanism 80 is not limited to the above-mentioned configuration, and any configuration can be adopted as long as it is capable of lifting and lowering the arm 60. In addition, in this example, the lift mechanism 80 adopts a drive system using the lift cylinder 81, but may be driven by a motor via a ball screw or belt mechanism. This lift mechanism 80 allows the polishing liquid supply member 41 to move to a predetermined height from the polishing surface 102. Here, with regard to the height of the polishing liquid supply member 41 from the polishing surface 102, the distribution of the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply member 41 will be more in line with the hole shape and arrangement of the polishing liquid supply port 414 described below as the distance from the polishing surface 102 decreases, but the degree of contamination of the polishing liquid supply member 41 due to the polishing liquid scattering from the polishing surface 102 also increases. Therefore, for example, the lifting mechanism 80 sets the supply surface 410a of the polishing liquid supply member 41 to a height of 5 mm to 30 mm, preferably 5 mm to 15 mm, from the polishing surface 102. The polishing liquid supply member 41 is moved so as to be parallel to the polishing surface 102.

また、アーム６０の基端部６０ｂは、フレーム８５を介してアーム６０を旋回させるための旋回機構９０に接続されている。この例では、旋回機構９０は、例えば、図３に示すように、フレーム８５の下部に固定されたシャフト９２の下端に接続されたモータ９３を有する。モータ９３は、例えば、減速機構等を介してシャフト９２に接続される。なお、モータ９３の軸をシャフト９２に直接接続してもよい。アーム６０は、モータ９３の回転により、シャフト９２が回転されることにより、研磨面１０２に平行な面内で旋回可能に構成されている。このように、アーム６０は、研磨パッド１００外に配置された旋回軸を中心に旋回可能に構成される。なお、旋回機構９０は、上述の構成に限定されず、アーム６０を旋回可能な構成であれば、任意の構成を採用することが可能である。また、旋回機構９０のモータ９３に例えばパルスモータの使用し、パルスモータの入力パルスを調製す
ることで、任意の角度にアーム６０を旋回させてもよい。本旋回機構９０により、研磨液供給部材４１は研磨面１０２上の所定位置への移動が可能となる。 The base end 60b of the arm 60 is connected to a rotation mechanism 90 for rotating the arm 60 via a frame 85. In this example, the rotation mechanism 90 has a motor 93 connected to the lower end of a shaft 92 fixed to the lower part of the frame 85, as shown in FIG. 3. The motor 93 is connected to the shaft 92 via, for example, a reduction mechanism. The shaft of the motor 93 may be directly connected to the shaft 92. The arm 60 is configured to be able to rotate in a plane parallel to the polishing surface 102 by the rotation of the motor 93 causing the shaft 92 to rotate. In this way, the arm 60 is configured to be able to rotate around a rotation axis disposed outside the polishing pad 100. The rotation mechanism 90 is not limited to the above-mentioned configuration, and any configuration can be adopted as long as it is capable of rotating the arm 60. In addition, the motor 93 of the rotation mechanism 90 may be a pulse motor, for example, and the arm 60 may be rotated at any angle by adjusting the input pulse of the pulse motor. This rotating mechanism 90 enables the polishing liquid supplying member 41 to move to a predetermined position on the polishing surface 102 .

この例では、図２に示すように、アーム６０の基端部６０ｂ、並びに昇降機構８０は、これらの構成を研磨液、水、研磨残渣等の飛散から保護するための防水ボックス７１内に収納される。また、図２に示すように、アーム６０の基端側は、防水ボックス７２により覆われる。なお、アーム６０は、金属製であってもよいし、金属に樹脂を貼り付けて構成することもできる。アーム６０は、これに限らず、各種の複合材を用いて構成することもできるし、樹脂だけで構成してもよく、金属へ樹脂コーティングを施して構成することもできる。 In this example, as shown in FIG. 2, the base end 60b of the arm 60 and the lifting mechanism 80 are housed in a waterproof box 71 to protect these components from the scattering of polishing liquid, water, polishing residue, etc. Also, as shown in FIG. 2, the base end side of the arm 60 is covered by a waterproof box 72. The arm 60 may be made of metal, or may be constructed by attaching resin to metal. The arm 60 is not limited to this, and may be constructed using various composite materials, may be constructed only of resin, or may be constructed by applying a resin coating to metal.

（研磨液供給部材）
次に、研磨液供給部材４１の詳細を説明する。図４は、研磨液供給部材の構成を概略的に示す断面図である。図４に示すように、研磨液供給部材４１は、供給部材本体４１０と、パッキン４４０を介して供給部材本体４１０と連結されるカバー部材４３０と、を含む。供給部材本体４１０は、矩形の板状に形成され、中央に窪みを有する。供給部材本体４１０の窪み部分には所定方向に沿って配列された複数の研磨液供給口４１４が形成されている。複数の研磨液供給口４１４は、研磨液供給部材４１が基板ＷＦに対して研磨パッド１００の回転上流側に配置された状態において、研磨パッド１００の回転方向と交差する方向に配列される。複数の研磨液供給口４１４は、一例として、開口径が０．３から２ｍｍとなるように形成されるが、任意の開口径を採用することができる。 (Polishing Liquid Supply Member)
Next, the polishing liquid supply member 41 will be described in detail. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the polishing liquid supply member. As shown in FIG. 4, the polishing liquid supply member 41 includes a supply member body 410 and a cover member 430 connected to the supply member body 410 via a packing 440. The supply member body 410 is formed in a rectangular plate shape and has a recess in the center. A plurality of polishing liquid supply ports 414 arranged along a predetermined direction are formed in the recessed portion of the supply member body 410. The plurality of polishing liquid supply ports 414 are arranged in a direction intersecting with the rotation direction of the polishing pad 100 in a state in which the polishing liquid supply member 41 is disposed upstream of the rotation of the polishing pad 100 with respect to the substrate WF. The plurality of polishing liquid supply ports 414 are formed so that the opening diameter is 0.3 to 2 mm, as an example, but any opening diameter can be adopted.

カバー部材４３０には、研磨液供給ライン１２０が接続されている。カバー部材４３０と供給部材本体４１０との間には、バッファ部（バッファ空間）４２０が形成される。なお、供給部材本体４１０には複数の研磨液供給口４１４が形成されており、カバー部材４３０とネジ等の締結部材により着脱可能となっている。これにより供給部材本体４１０を交換することで、所望の研磨液流れのパターンを形成することができる。また、カバー部４３０についても、アーム６０とネジ等の締結部材により着脱可能であり、供給部材本体４１０の研磨液供給口４１４の配置に応じて異なるバッファ部４２０のカバー部材４３０を選択してもよい。研磨液供給ライン１２０の基端部には、研磨液供給装置４０から供給する研磨液の流量を調整するための流量調整機構１２５が接続されている。研磨液供給ライン１２０の先端部は、バッファ部４２０に開口している。ここで、バッファ部４２０は、研磨液供給ライン１２０より供給された研磨液を一時的に蓄えることで、複数の研磨液供給口４１４へ供給する研磨液の背圧を均一化させる働きを有しており、これにより、研磨液供給ライン１２０から供給された研磨液は、バッファ部４２０に蓄えられた後、複数の研磨液供給口４１４から研磨パッド１００上に供給される、なお、図４ではバッファ部４２０の容積は研磨液供給ライン１２０からの研磨液の供給量に対して小さくすることで、複数の研磨液供給口４１４に供給する研磨液の背圧を維持し、かつバッファ部４２０への研磨液の充填時間を短くすることができるが、一方で流路壁面との摩擦による圧力損失も増加する。よって、圧力損失の影響が大きい場合は、バッファ部４２０の流路形状を圧力損失が小さい形状に変更してもよい。例えば、図４ではカバー部４３０に設けられたバッファ部４２０の上面の断面形状は直線状であるが、研磨液供給ライン１２０との接続部を要とした扇形形状でもよい。また、複数の研磨液供給口４１４の開口形状は、例えば円孔であり、また、供給部材本体４１０の背面４１０ｂから供給面４１０ａに向かって直線状に設けてもよい。但し、供給口径が小さい場合は圧力損失が大きくなることから、図４に示すように、供給面４１０ａおよび背面４１０ｂの少なくとも一方にテーパ孔やザグリ孔を設けることで、複数の研磨液供給口４１４の流路の圧力損失を低減させてもよい。また、供給部材本体４１０の供給面４１０ａについて、図４では平面状であるが、研磨液流量が小さい場合、複数の研磨液供給口４１４から供給される研磨液が供給部材本体４１０の供給面４１０ａの濡れ性や表面粗さにより、供給面４１０ａを伝ってしまうことで、所
定の研磨液の供給流量分布が得られないことがある。ここで、供給部材本体４１０はＰＥＥＫやＰＶＣ、ＰＰ等の樹脂材料で製作されていてもよいが、上記の濡れ性の影響が無視できない場合はＰＴＦＥやＰＣＴＦＥ、ＰＦＡ等のフッ素樹脂材料により製作してもよい。また、図５は、研磨液供給部材４１の側面断面を示す図である。図５（ａ）に示すように、供給部材本体４１０の供給面４１０ａの短手方向側にテーパ形状等の傾斜を設けてもよく、図５（ｂ）に示すように、供給面４１０ａの複数の研磨液供給口４１４の周縁部に凸部４１０ｃを設けてもよい。また、図５（ｃ）に示すように、供給部材本体４１０の供給面４１０ａに突起部４１０ｄを設け、突起部４１０ｄに研磨液供給口４１４を設けてもよい。突起部４１０ｄは、供給部材本体４１０の供給面４１０ａの長手方向に沿って複数設けることができる。突起部４１０ｄは、円柱、四角柱、円錐、四角錐など任意の形状で設けることができる。 The cover member 430 is connected to the polishing liquid supply line 120. A buffer section (buffer space) 420 is formed between the cover member 430 and the supply member body 410. The supply member body 410 has a plurality of polishing liquid supply ports 414 formed therein, which are detachable from the cover member 430 by means of a fastening member such as a screw. This allows a desired polishing liquid flow pattern to be formed by replacing the supply member body 410. The cover member 430 is also detachable from the cover member 430 by means of an arm 60 and a fastening member such as a screw, and a cover member 430 of a different buffer section 420 may be selected according to the arrangement of the polishing liquid supply port 414 of the supply member body 410. A flow rate adjustment mechanism 125 for adjusting the flow rate of the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply device 40 is connected to the base end of the polishing liquid supply line 120. The tip end of the polishing liquid supply line 120 opens into the buffer section 420. Here, the buffer section 420 has a function of uniforming the back pressure of the polishing liquid supplied to the multiple polishing liquid supply ports 414 by temporarily storing the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply line 120, and thus the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply line 120 is stored in the buffer section 420 and then supplied onto the polishing pad 100 from the multiple polishing liquid supply ports 414. Note that in FIG. 4, the volume of the buffer section 420 is made smaller than the supply amount of the polishing liquid from the polishing liquid supply line 120, thereby maintaining the back pressure of the polishing liquid supplied to the multiple polishing liquid supply ports 414 and shortening the filling time of the polishing liquid into the buffer section 420, but on the other hand, the pressure loss due to friction with the flow path wall surface also increases. Therefore, if the influence of the pressure loss is large, the flow path shape of the buffer section 420 may be changed to a shape with a small pressure loss. For example, in FIG. 4, the cross-sectional shape of the upper surface of the buffer section 420 provided on the cover section 430 is linear, but it may be a sector shape with a connection part with the polishing liquid supply line 120 as a key. The opening shape of the polishing liquid supply ports 414 may be, for example, a circular hole, or may be provided linearly from the back surface 410b of the supply member body 410 toward the supply surface 410a. However, since the pressure loss increases when the supply port diameter is small, the pressure loss of the flow path of the polishing liquid supply ports 414 may be reduced by providing a tapered hole or a countersunk hole on at least one of the supply surface 410a and the back surface 410b as shown in Fig. 4. Although the supply surface 410a of the supply member body 410 is flat in Fig. 4, when the polishing liquid flow rate is small, the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply ports 414 may run down the supply surface 410a due to the wettability and surface roughness of the supply surface 410a of the supply member body 410, and a predetermined supply flow rate distribution of the polishing liquid may not be obtained. Here, the supply member body 410 may be made of a resin material such as PEEK, PVC, or PP, but may be made of a fluororesin material such as PTFE, PCTFE, or PFA if the influence of the above-mentioned wettability cannot be ignored. FIG. 5 is a diagram showing a side cross section of the polishing liquid supply member 41. As shown in FIG. 5(a), a taper-shaped inclination may be provided on the short side of the supply surface 410a of the supply member body 410, and as shown in FIG. 5(b), a convex portion 410c may be provided on the periphery of a plurality of polishing liquid supply ports 414 on the supply surface 410a. As shown in FIG. 5(c), a protrusion 410d may be provided on the supply surface 410a of the supply member body 410, and the polishing liquid supply port 414 may be provided on the protrusion 410d. A plurality of protrusions 410d may be provided along the longitudinal direction of the supply surface 410a of the supply member body 410. The protrusion 410d may be provided in any shape, such as a cylinder, a square prism, a cone, or a square pyramid.

（洗浄機構）
次に、洗浄機構３００の詳細を説明する。図６は、研磨液供給部材４１、連結部材６１、およびアーム６０の洗浄機構３００を示す図である。図６に示すように、洗浄機構３００は、研磨液供給部材４１、連結部材６１、およびアーム６０の上部および下部に配置された複数の洗浄ノズル３０１を含み、研磨テーブル２０の外側に配置される。洗浄機構３００は、基板ＷＦの研磨間において、研磨液供給部材４１が旋回機構９０により、研磨テーブルの外側に退避した際に研磨液供給部材４１、連結部材６１、およびアーム６０を洗浄する。洗浄ノズル３０１は円錐型もしくは扇型の少なくとも一方もしくはその組合せからなり、純水３０１ａを供給する。なお、洗浄機構３００は洗浄ノズル３０１による洗浄後に研磨液供給部材４１、連結部材６１、およびアーム６０を乾燥させるための乾燥ノズル３０２を有してもよい。乾燥ノズル３０２は円錐型もしくは扇型の少なくとも一方もしくはその組合せからなり、Ｎ２もしくは圧縮空気３０２ａを供給する。純水が残留すると、次研磨において、研磨液供給部材４１が再度研磨テーブル２０上に移動した際に、残留した純水が研磨パッド１００の研磨面１０２に落下することで研磨性能に影響を及ぼしたり、供給面４１０ａに残留すると、研磨液供給口４１４からの研磨液の流れを乱したりするためである。洗浄ノズル３０１による洗浄後に乾燥ノズル３０２にて研磨液供給部材４１の供給部材本体４１０、カバー部４３０、およびアーム６０を乾燥させることで、純水が残留することを抑制できる。 (Cleaning mechanism)
Next, the cleaning mechanism 300 will be described in detail. FIG. 6 is a diagram showing the cleaning mechanism 300 for the polishing liquid supply member 41, the connecting member 61, and the arm 60. As shown in FIG. 6, the cleaning mechanism 300 includes a plurality of cleaning nozzles 301 arranged on the upper and lower parts of the polishing liquid supply member 41, the connecting member 61, and the arm 60, and is arranged outside the polishing table 20. The cleaning mechanism 300 cleans the polishing liquid supply member 41, the connecting member 61, and the arm 60 when the polishing liquid supply member 41 is retreated to the outside of the polishing table by the rotating mechanism 90 between polishing of the substrate WF. The cleaning nozzle 301 is at least one of a cone shape and a fan shape, or a combination thereof, and supplies pure water 301a. The cleaning mechanism 300 may have a drying nozzle 302 for drying the polishing liquid supply member 41, the connecting member 61, and the arm 60 after cleaning by the cleaning nozzle 301. The drying nozzle 302 is at least one of a cone shape and a fan shape, or a combination thereof, and supplies N2 or compressed air 302a. If any pure water remains, when the polishing liquid supply member 41 is moved above the polishing table 20 again in the next polishing, the remaining pure water may fall onto the polishing surface 102 of the polishing pad 100, thereby affecting the polishing performance, or if the pure water remains on the supply surface 410a, it may disrupt the flow of the polishing liquid from the polishing liquid supply port 414. By drying the supply member body 410, cover portion 430, and arm 60 of the polishing liquid supply member 41 with the drying nozzle 302 after cleaning with the cleaning nozzle 301, it is possible to prevent any remaining pure water.

本実施形態の研磨液供給装置４０は、研磨パッド１００と基板ＷＦとが相対運動する際に、複数の研磨液供給口４１４から供給される研磨液が所定の流量分布となるように研磨液を供給するようになっている。言い換えると、研磨液供給装置４０は、基板ＷＦが研磨パッド１００上を摺動する軌跡の範囲内において、研磨液が所定の供給流量分布となるように、研磨液を供給する。この点について以下、詳細を説明する。 The polishing liquid supplying device 40 of this embodiment is configured to supply the polishing liquid from the multiple polishing liquid supply ports 414 so that the polishing liquid has a predetermined flow rate distribution when the polishing pad 100 and the substrate WF move relative to each other. In other words, the polishing liquid supplying device 40 supplies the polishing liquid so that the polishing liquid has a predetermined supply flow rate distribution within the range of the trajectory of the substrate WF sliding on the polishing pad 100. This point will be described in detail below.

図７は、研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。図８は、図７の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。図７に示すように、研磨液供給部材４１は、基板ＷＦに対して研磨パッド１００の回転上流側に、複数の研磨液供給口４１４が研磨パッド１００の回転方向に交差するように配置される。また、図７，８に示すように、研磨液供給部材４１は、複数の研磨液供給口４１４が、研磨パッド１００の径方向に沿った基板ＷＦの直径ＤＩの研磨パッド１００の回転軌跡上の対応する範囲ＤＩ´に形成されており、範囲ＤＩ´における研磨液ＳＬの流量分布が均一になるように研磨液を供給することができる。この流量分布を実現するために、研磨液供給部材４１の供給部材本体４１０は、研磨パッド１００の半径に相当する長さを有しており、図８に示すように、複数の研磨液供給口４１４は、開口径が同一であり、範囲ＤＩ´内において、開口中心が均等間隔で配置される。なお、図８では、複数の研磨液供給口４１４は供給部材本体４１０の長手方向に一列の直線状に配置され、バッファ部４２０に接続されているが、例えば複数列に配置されていてもよい。また、配置としては格子配置や千鳥配置であって
もよい。複数の研磨液供給口４１４を複数列にすることにより、供給される研磨液の研磨パッド１０２上のカバー率が増加することで、より均一な研磨液の供給量分布を得ることができる。 FIG. 7 is a diagram showing an example of the flow rate distribution of the polishing liquid. FIG. 8 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 7. As shown in FIG. 7, the polishing liquid supply member 41 is arranged on the upstream side of the rotation of the polishing pad 100 with respect to the substrate WF, so that a plurality of polishing liquid supply ports 414 intersect with the rotation direction of the polishing pad 100. Also, as shown in FIGS. 7 and 8, the polishing liquid supply member 41 has a plurality of polishing liquid supply ports 414 formed in a corresponding range DI' on the rotation locus of the polishing pad 100 of the diameter DI of the substrate WF along the radial direction of the polishing pad 100, and can supply the polishing liquid so that the flow rate distribution of the polishing liquid SL in the range DI' is uniform. In order to realize this flow rate distribution, the supply member body 410 of the polishing liquid supply member 41 has a length equivalent to the radius of the polishing pad 100, and as shown in FIG. 8, the plurality of polishing liquid supply ports 414 have the same opening diameter, and the opening centers are arranged at equal intervals within the range DI'. 8, the polishing liquid supply ports 414 are arranged in a straight line in the longitudinal direction of the supply member body 410 and connected to the buffer section 420, but they may be arranged in multiple rows, for example. The arrangement may also be a lattice arrangement or a staggered arrangement. By arranging the polishing liquid supply ports 414 in multiple rows, the coverage rate of the polishing pad 102 with the supplied polishing liquid increases, and a more uniform supply amount distribution of the polishing liquid can be obtained.

本実施形態によれば、基板ＷＦの直径ＤＩの方向に対して、研磨液ＳＬを均一な流量分布供給することができる。研磨液自身のケミカル性が大きい場合は、均一な流量分布で供給することにより、研磨液供給量分布による、研磨レートプロファイルの変化を低減することができる。また、例えば、研磨パッド１００に溝が同心円状に形成されている場合、基板ＷＦの回転を考慮しても、遠心力によって研磨パッド１００の半径方向外側へ研磨液が広がりにくい場合がある。その場合は、基板ＷＦの直径範囲をカバーするように、研磨液を供給することで、基板ＷＦの全面に均一に研磨液を供給することが可能となる。なお、複数の研磨液供給口４１４について、基板ＷＦの研磨パッド１００上での軌跡の範囲内に配置することで、余剰な研磨液の供給が抑制され、その結果、研磨液の使用量を削減することができる。 According to this embodiment, the polishing liquid SL can be supplied with a uniform flow rate distribution in the direction of the diameter DI of the substrate WF. When the chemical nature of the polishing liquid itself is high, the polishing rate profile change due to the distribution of the polishing liquid supply amount can be reduced by supplying the polishing liquid with a uniform flow rate distribution. In addition, for example, when grooves are formed concentrically in the polishing pad 100, even when the rotation of the substrate WF is taken into consideration, the polishing liquid may not spread radially outward of the polishing pad 100 due to centrifugal force. In that case, the polishing liquid can be supplied uniformly over the entire surface of the substrate WF by supplying the polishing liquid so as to cover the diameter range of the substrate WF. In addition, by arranging the multiple polishing liquid supply ports 414 within the range of the trajectory of the substrate WF on the polishing pad 100, the supply of excess polishing liquid is suppressed, and as a result, the amount of polishing liquid used can be reduced.

図９は、研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。図１０は、図９の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。図９，１０に示すように、研磨液供給装置４０は、複数の研磨液供給口４１４が、研磨パッド１００の径方向に沿った研磨パッド１００の回転中心に近い側の基板ＷＦの半径ＲＡの研磨パッド１００の回転軌跡上の対応する範囲ＲＡ´に形成され、範囲ＲＡ´における研磨液ＳＬの流量分布が均一になるように研磨液を供給することができる。ここで、範囲ＲＡ´の一端は基板ＷＦの回転中心の研磨パッド１００上での軌跡（破線）の一端に位置している。この流量分布を実現するために、研磨液供給部材４１の供給部材本体４１０は、研磨パッド１００の半径の半分よりも僅かに長い長さを有しており、図１０に示すように、複数の研磨液供給口４１４は開口径が同一であり、範囲ＲＡ´内において、開口中心が均等間隔で配置される。 9 is a diagram showing an example of the flow rate distribution of the polishing liquid. FIG. 10 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 9. As shown in FIGS. 9 and 10, the polishing liquid supply device 40 can supply the polishing liquid so that the flow rate distribution of the polishing liquid SL in the range RA' is uniform, in which a plurality of polishing liquid supply ports 414 are formed in a corresponding range RA' on the rotation locus of the polishing pad 100 of the radius RA of the substrate WF on the side closer to the rotation center of the polishing pad 100 along the radial direction of the polishing pad 100. Here, one end of the range RA' is located at one end of the locus (broken line) on the polishing pad 100 of the rotation center of the substrate WF. In order to realize this flow rate distribution, the supply member body 410 of the polishing liquid supply member 41 has a length slightly longer than half the radius of the polishing pad 100, and as shown in FIG. 10, the plurality of polishing liquid supply ports 414 have the same opening diameter, and the opening centers are arranged at equal intervals within the range RA'.

本実施形態によれば、基板ＷＦの半径分のみ、研磨液ＳＬを均一な流量分布にて供給することができる。研磨液自身のケミカル性が大きい場合は、均一な流量分布で供給することにより、研磨液の供給量分布による、研磨レートプロファイルの変化を低減することができる。研磨条件(例えば研磨パッド１００に形成された溝形状や基板ＷＦ、研磨テーブル２０の回転数、研磨ヘッド３０のリテーナリングの溝形状など)によっては、基板ＷＦの回転による研磨液の研磨ヘッド３０内での回り込みにより、基板ＷＦの全面に対して均一に研磨液を供給することが可能である。また、本実施形態によれば、余剰な研磨液の供給が抑制され、その結果、研磨液の使用量を削減することができる。 According to this embodiment, the polishing liquid SL can be supplied with a uniform flow rate distribution only to the radius of the substrate WF. When the polishing liquid itself has a high chemical nature, supplying it with a uniform flow rate distribution can reduce changes in the polishing rate profile due to the distribution of the supply amount of the polishing liquid. Depending on the polishing conditions (e.g., the groove shape formed in the polishing pad 100, the substrate WF, the rotation speed of the polishing table 20, the groove shape of the retainer ring of the polishing head 30, etc.), the polishing liquid can be supplied uniformly to the entire surface of the substrate WF by the polishing liquid being transported around inside the polishing head 30 due to the rotation of the substrate WF. Furthermore, according to this embodiment, the supply of excess polishing liquid is suppressed, and as a result, the amount of polishing liquid used can be reduced.

図１１は、研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。図１２は、図１１の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。図１１，１２に示すように、研磨液供給装置４０は、複数の研磨液供給口４１４が基板ＷＦの回転中心ＣＴの研磨パッド１００の回転軌跡（破線）上の対応する位置ＣＴ´から研磨パッド１００の径方向に沿った基板ＷＦの両外周ＥＧ１，ＥＧ２に対応する位置ＥＧ１´，ＥＧ２´に向かって等距離の範囲に（左右対称に）形成され、この範囲において位置ＣＴ´から位置ＥＧ１´，ＥＧ２´に向かって研磨液ＳＬの流量が増加するように研磨液を供給することができる。この流量分布を実現するために、研磨液供給部材４１の供給部材本体４１０は、研磨パッド１００の半径に相当する長さを有している。また、図１２（ａ）に示すように、複数の研磨液供給口４１４は、位置ＣＴ´から位置ＥＧ１´，ＥＧ２´に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに連続的に開口径が増加する。ただし、図１２（ａ）の例に限らず、位置ＣＴ´から位置ＥＧ１´，ＥＧ２´に向かって、開口径が一定数毎に（非連続で）増加してもよい。また、図１２（ｂ）に示すように、複数の研磨液供給口４１４は、開口径が同一であり、位置ＣＴ´から位置ＥＧ１´，ＥＧ２´に向かって、各研
磨液供給口４１４の開口中心間の間隔（複数の研磨液供給口４１４のピッチ）が減少してもよい。さらに、図１２（ｃ）に示すように、複数の研磨液供給口４１４は、開口径が同一であり、位置ＣＴ´から位置ＥＧ１´，ＥＧ２´に向かって、複数列にするなど、単位面積当たりの各研磨液供給口４１４の数を連続的または一定数毎に増加してもよい。 11 is a diagram showing an example of the flow rate distribution of the polishing liquid. FIG. 12 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in FIG. 11. As shown in FIGS. 11 and 12, the polishing liquid supply device 40 has a plurality of polishing liquid supply ports 414 formed in an equidistant range (symmetrically) from a corresponding position CT' on the rotation locus (dashed line) of the polishing pad 100 of the rotation center CT of the substrate WF to positions EG1', EG2' corresponding to both outer peripheries EG1, EG2 of the substrate WF along the radial direction of the polishing pad 100, and can supply the polishing liquid so that the flow rate of the polishing liquid SL increases from the position CT' to the positions EG1', EG2' in this range. In order to realize this flow rate distribution, the supply member body 410 of the polishing liquid supply member 41 has a length equivalent to the radius of the polishing pad 100. As shown in FIG. 12A, the opening centers of the polishing liquid supply ports 414 are arranged at equal intervals from the position CT' to the positions EG1' and EG2', and the opening diameter increases continuously. However, this is not limited to the example of FIG. 12A, and the opening diameter may increase (discontinuously) at regular intervals from the position CT' to the positions EG1' and EG2'. As shown in FIG. 12B, the opening diameters of the polishing liquid supply ports 414 may be the same, and the intervals between the opening centers of the polishing liquid supply ports 414 (the pitch of the polishing liquid supply ports 414) may decrease from the position CT' to the positions EG1' and EG2'. Furthermore, as shown in FIG. 12C, the opening diameters of the polishing liquid supply ports 414 may be the same, and the number of the polishing liquid supply ports 414 per unit area may be increased continuously or at regular intervals, such as by arranging them in multiple rows from the position CT' to the positions EG1' and EG2'.

本実施形態によれば、基板ＷＦの回転中心に対して、同一の半径(＜基板ＷＦの半径)の範囲内に、研磨液を基板ＷＦの半径方向に対して増加するように供給することができる。研磨条件(例えば研磨パッド１００に形成された溝形状や基板ＷＦ、研磨テーブル２０の回転数、研磨ヘッド３０のリテーナリングの溝形状など)によっては、基板ＷＦの回転による研磨液の研磨ヘッド３０内での回り込みにより、基板ＷＦの全面に対して均一に研磨液を供給することが可能であるが、研磨パッド１００の回転による遠心力を考慮した場合に、基板ＷＦの回転中心部に過剰な研磨液が供給される場合がある。この場合は、本分布にすることにより、基板ＷＦ内において、研磨液量の分布が均一になるが、例えば、研磨パッド１００に形成された溝が同心円状の溝の場合、遠心力による研磨パッド半径方向へ研磨液が基板ＷＦの回転を考慮しても広がりにくい場合がある。その場合は、基板ＷＦの直径範囲をカバーするように研磨液を供給することで、基板ＷＦの全面に対して研磨液分布を形成することが可能となる。また、本実施形態によれば、余剰な研磨液の供給が抑制され、その結果、研磨液の使用量を削減することができる。 According to this embodiment, the polishing liquid can be supplied so that it increases in the radial direction of the substrate WF within the same radius (<radius of the substrate WF) relative to the center of rotation of the substrate WF. Depending on the polishing conditions (e.g., the groove shape formed in the polishing pad 100, the substrate WF, the rotation speed of the polishing table 20, the groove shape of the retainer ring of the polishing head 30, etc.), the polishing liquid can be uniformly supplied to the entire surface of the substrate WF by the polishing liquid turning around inside the polishing head 30 due to the rotation of the substrate WF, but when the centrifugal force due to the rotation of the polishing pad 100 is taken into consideration, excessive polishing liquid may be supplied to the rotation center of the substrate WF. In this case, by making this distribution, the distribution of the amount of polishing liquid becomes uniform within the substrate WF, but for example, when the grooves formed in the polishing pad 100 are concentric grooves, the polishing liquid may not spread easily in the radial direction of the polishing pad due to the centrifugal force even when the rotation of the substrate WF is taken into consideration. In that case, by supplying the polishing liquid to cover the diameter range of the substrate WF, it is possible to form a polishing liquid distribution over the entire surface of the substrate WF. Furthermore, this embodiment prevents excess polishing liquid from being supplied, which reduces the amount of polishing liquid used.

図１３は、研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。図１４は、図１３の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。図１３，１４に示すように、研磨液供給装置４０は、複数の研磨液供給口４１４が、研磨パッド１００の径方向に沿った研磨パッド１００の回転中心に近い側の基板ＷＦの半径ＲＡの研磨パッド１００の回転軌跡上の対応する範囲ＲＡ´に形成され、範囲ＲＡ´において基板ＷＦの回転中心ＣＴの研磨パッド１００の回転軌跡（破線）上の対応する位置ＣＴ´から研磨パッド１００の径方向に沿った研磨パッド１００の回転中心に近い側の基板ＷＦの外周ＥＧ１に対応する位置ＥＧ１´に向かって研磨液ＳＬの流量が増加するように研磨液を供給することができる。この流量分布を実現するために、研磨液供給部材４１の供給部材本体４１０は、研磨パッド１００の半径の半分よりも僅かに長い長さを有しており、図１４（ａ）に示すように、複数の研磨液供給口４１４は、位置ＣＴ´から位置ＥＧ１´に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的に増加する。また、図１４（ｂ）に示すように、複数の研磨液供給口４１４は、開口径が同一であり、位置ＣＴ´から位置ＥＧ１´に向かって、各研磨液供給口４１４の開口中心間の間隔が、連続的に減少してもよい。また図示はしないが、複数の研磨液供給口４１４は、開口径が同一であり、位置ＣＴ´から位置ＥＧ１´に向かって、複数列にするなど、単位面積当たりの各研磨液供給口４１４の数を連続的または一定数毎に増加してもよい。 Figure 13 is a diagram showing an example of the flow rate distribution of the polishing liquid. Figure 14 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in Figure 13. As shown in Figures 13 and 14, the polishing liquid supply device 40 has a plurality of polishing liquid supply ports 414 formed in a corresponding range RA' on the rotation locus of the polishing pad 100 of the radius RA of the substrate WF on the side closer to the rotation center of the polishing pad 100 along the radial direction of the polishing pad 100, and can supply the polishing liquid so that the flow rate of the polishing liquid SL increases from a corresponding position CT' on the rotation locus of the polishing pad 100 (dashed line) of the rotation center CT of the substrate WF in the range RA' toward a position EG1' corresponding to the outer periphery EG1 of the substrate WF on the side closer to the rotation center of the polishing pad 100 along the radial direction of the polishing pad 100. In order to achieve this flow rate distribution, the supply member body 410 of the polishing liquid supply member 41 has a length slightly longer than half the radius of the polishing pad 100, and as shown in FIG. 14(a), the multiple polishing liquid supply ports 414 are arranged with equal spacing between their opening centers from position CT' to position EG1', and the opening diameter increases continuously. Also, as shown in FIG. 14(b), the multiple polishing liquid supply ports 414 may have the same opening diameter, and the spacing between the opening centers of the polishing liquid supply ports 414 may decrease continuously from position CT' to position EG1'. Also, although not shown, the multiple polishing liquid supply ports 414 may have the same opening diameter, and the number of polishing liquid supply ports 414 per unit area may be increased continuously or at a constant number, such as by arranging them in multiple rows from position CT' to position EG1'.

本実施形態によれば、基板ＷＦの半径分のみに、研磨液を基板ＷＦの半径方向に対して増加するように供給することができる。研磨条件(例えば研磨パッド１００に形成された溝形状や基板ＷＦ、研磨テーブル２０の回転数、研磨ヘッド３０のリテーナリングの溝形状など)によっては、基板ＷＦの回転による研磨液の研磨ヘッド３０内での回り込みにより、基板ＷＦの全面に対して均一に研磨液を供給することが可能であるが、研磨パッド１００の回転による遠心力を考慮した場合に、基板ＷＦの回転中心部に過剰な研磨液が供給される場合がある。この場合は、本分布にすることにより、基板ＷＦ内において、研磨液の量の分布を均一にすることができる。また、本実施形態によれば、余剰な研磨液の供給が抑制され、その結果、研磨液の使用量を削減することができる。 According to this embodiment, the polishing liquid can be supplied only to the radius of the substrate WF so that it increases in the radial direction of the substrate WF. Depending on the polishing conditions (e.g., the groove shape formed in the polishing pad 100, the substrate WF, the rotation speed of the polishing table 20, the groove shape of the retainer ring of the polishing head 30, etc.), it is possible to supply the polishing liquid uniformly to the entire surface of the substrate WF by the polishing liquid turning around inside the polishing head 30 due to the rotation of the substrate WF, but when the centrifugal force due to the rotation of the polishing pad 100 is taken into consideration, there are cases where excess polishing liquid is supplied to the center of rotation of the substrate WF. In this case, by adopting this distribution, the distribution of the amount of polishing liquid within the substrate WF can be made uniform. Furthermore, according to this embodiment, the supply of excess polishing liquid is suppressed, and as a result, the amount of polishing liquid used can be reduced.

図１５は、研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。図１６は、図１５の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。図１５，１６に示すように、研磨液供給装置４０は、複数の研磨液供給口４１４が、研磨パッド１００の径方
向に沿った基板ＷＦの直径ＤＩの研磨パッド１００の回転軌跡上の対応する範囲ＤＩ´に形成されており、範囲ＤＩ´において研磨パッド１００の回転中心に近い側の基板ＷＦの外周ＥＧ１に対応する位置ＥＧ１´から、研磨パッド１００の回転中心から遠い側の基板ＷＦの外周ＥＧ２に対応する位置ＥＧ２´に向かって、研磨液ＳＬの流量が増加するように研磨液を供給することができる。この流量分布を実現するために、研磨液供給部材４１の供給部材本体４１０は、研磨パッド１００の半径に相当する長さを有しており、図１６に示すように、複数の研磨液供給口４１４は、開口径が同一であり、位置ＥＧ１´から位置ＥＧ２´に向かって、各研磨液供給口４１４の開口中心間の間隔が連続的に減少する。また、これに限らず、複数の研磨液供給口４１４は、位置ＥＧ１´から位置ＥＧ２´に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加してもよい。 Fig. 15 is a diagram showing an example of the flow rate distribution of the polishing liquid. Fig. 16 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in Fig. 15. As shown in Figs. 15 and 16, the polishing liquid supply device 40 has a plurality of polishing liquid supply ports 414 formed in a corresponding range DI' on the rotation trajectory of the polishing pad 100 of the diameter DI of the substrate WF along the radial direction of the polishing pad 100, and can supply the polishing liquid so that the flow rate of the polishing liquid SL increases from a position EG1' corresponding to the outer periphery EG1 of the substrate WF on the side closer to the rotation center of the polishing pad 100 to a position EG2' corresponding to the outer periphery EG2 of the substrate WF on the side farther from the rotation center of the polishing pad 100 in the range DI'. 16, the polishing liquid supply ports 414 have the same opening diameter, and the distance between the opening centers of the polishing liquid supply ports 414 decreases continuously from position EG1' to position EG2'. Alternatively, the polishing liquid supply ports 414 may have opening centers spaced at equal intervals from position EG1' to position EG2', and the opening diameter may increase continuously or at regular intervals.

本実施形態によれば、研磨パッド１００の外周方向に向かって、研磨液の供給流量が増加する流量分布にて研磨液を供給することができる。研磨パッド１００の周長を考慮すべき場合、周長が大きい研磨パッド１００の外周部では内周よりも必要研磨液量が多くなるため、本分布にすることで、研磨パッド１００の各周長における研磨液の量の分布を均一にすることができる。また、本実施形態によれば、余剰な研磨液の供給が抑制され、その結果、研磨液の使用量を削減することができる。 According to this embodiment, the polishing liquid can be supplied with a flow rate distribution in which the supply flow rate of the polishing liquid increases toward the outer periphery of the polishing pad 100. When the circumference of the polishing pad 100 is to be taken into consideration, the outer periphery of the polishing pad 100, which has a large circumference, requires a larger amount of polishing liquid than the inner circumference. Therefore, by adopting this distribution, the distribution of the amount of polishing liquid at each periphery of the polishing pad 100 can be made uniform. Furthermore, according to this embodiment, the supply of excess polishing liquid is suppressed, and as a result, the amount of polishing liquid used can be reduced.

図１７は、研磨液の流量分布の一例を模式的に示す図である。図１８は、図１７の研磨液の流量分布を実現するための複数の研磨液供給口の形成例である。図１７，１８に示すように、研磨液供給装置４０は、複数の研磨液供給口４１４が基板ＷＦの回転中心ＣＴの研磨パッド１００の回転軌跡（破線）上の対応する位置ＣＴ´に関して対称な範囲に形成され、この範囲における研磨液ＳＬの流量分布が均一になるように研磨液を供給することができる。この流量分布を実現するために、研磨液供給部材４１の供給部材本体４１０は、図７，８に示すものより短く図９，１０に示すものよりも長い長さを有しており、図１８に示すように、複数の研磨液供給口４１４は、開口径が同一であり、位置ＣＴ´に関して対称な範囲において開口中心が均等間隔で配置される。 Figure 17 is a diagram showing an example of the flow rate distribution of the polishing liquid. Figure 18 is an example of forming a plurality of polishing liquid supply ports to realize the flow rate distribution of the polishing liquid in Figure 17. As shown in Figures 17 and 18, the polishing liquid supply device 40 is formed with a plurality of polishing liquid supply ports 414 in a range symmetrical with respect to a corresponding position CT' on the rotation trajectory (broken line) of the polishing pad 100 of the rotation center CT of the substrate WF, and can supply the polishing liquid so that the flow rate distribution of the polishing liquid SL in this range is uniform. In order to realize this flow rate distribution, the supply member body 410 of the polishing liquid supply member 41 has a length shorter than that shown in Figures 7 and 8 and longer than that shown in Figures 9 and 10, and as shown in Figure 18, the plurality of polishing liquid supply ports 414 have the same opening diameter, and the opening centers are arranged at equal intervals in a range symmetrical with respect to the position CT'.

本実施形態によれば、基板ＷＦの回転中心に対して、同一の半径(＜基板ＷＦ半径)の範囲内に、研磨液を均一な流量分布にて供給することができる。研磨液自身のケミカル性が大きい場合は、均一な流量分布で供給することにより、研磨液供給量分布による、研磨レートプロファイルの変化を低減することができる。また、例えば、研磨パッド１００に溝が同心円状に形成されている場合、基板ＷＦの回転を考慮しても、遠心力によって研磨パッド１００の半径方向外側へ研磨液が広がりにくい場合がある。その場合は、基板ＷＦの直径範囲をカバーするように研磨液を供給することで、基板ＷＦの全面に均一に研磨液を供給することが可能となるが、研磨パッド１００上にて研磨液が通過する基板ＷＦの円弧長さを考慮すると、基板ＷＦ端部は円弧長が短いことから、基板ＷＦ端部は研磨液の供給量が過多になる場合がある。この場合は、供給範囲を基板ＷＦ径よりも小さい範囲で研磨液を供給することで、基板ＷＦの端部への余剰な研磨液供給が抑制され、その結果、研磨液の使用量を削減することができる。図７～図１８を用いて説明したように、本実施形態によれば、複数の研磨液供給口４１４の開口径を一定にする／変える、複数の研磨液供給口４１４のピッチを一定にする／変える、または複数の研磨液供給口４１４を単列／複列に配置することによって、研磨液の所望の流量分布を実現することができる。なお、複数の研磨液供給口４１４は、図７～図１８の実施形態に記載した配置に限定されず、開口径を一定にする／変える、ピッチを一定にする／変える、または単列／複列に配置することを複合的に組み合わせて研磨液の所望の流量分布を実現してもよい。また、供給部材本体４１０、カバー部４３０は、そのパッド投影面形状を、図７～図１８では長辺方向に直線形状の長方形としているが、仕様によっては長方形に限らない。例えば曲線形状でもよい。 According to this embodiment, the polishing liquid can be supplied with a uniform flow rate distribution within the same radius (<substrate WF radius) relative to the center of rotation of the substrate WF. When the chemical nature of the polishing liquid itself is high, the change in the polishing rate profile due to the distribution of the polishing liquid supply amount can be reduced by supplying the polishing liquid with a uniform flow rate distribution. In addition, for example, when grooves are formed concentrically in the polishing pad 100, even when the rotation of the substrate WF is taken into consideration, the polishing liquid may not spread radially outward of the polishing pad 100 due to centrifugal force. In that case, by supplying the polishing liquid so as to cover the diameter range of the substrate WF, it is possible to supply the polishing liquid uniformly to the entire surface of the substrate WF. However, considering the arc length of the substrate WF through which the polishing liquid passes on the polishing pad 100, the end of the substrate WF has a short arc length, so that the amount of polishing liquid supplied to the end of the substrate WF may be excessive. In this case, by supplying the polishing liquid within a supply range smaller than the diameter of the substrate WF, the excess supply of polishing liquid to the end of the substrate WF is suppressed, and as a result, the amount of polishing liquid used can be reduced. As described with reference to FIGS. 7 to 18, according to this embodiment, the desired flow rate distribution of the polishing liquid can be realized by making the opening diameter of the polishing liquid supply ports 414 constant/changing, making the pitch of the polishing liquid supply ports 414 constant/changing, or arranging the polishing liquid supply ports 414 in a single row/double row. The arrangement of the polishing liquid supply ports 414 is not limited to the arrangement described in the embodiment of FIGS. 7 to 18, and the desired flow rate distribution of the polishing liquid may be realized by combining the opening diameter of the polishing liquid supply ports 414 to be constant/changing, the pitch of the polishing liquid supply ports 414 to be constant/changing, or the arrangement in a single row/double row. In addition, the pad projection surface shape of the supply member main body 410 and the cover part 430 is a rectangle with a straight line in the long side direction in FIGS. 7 to 18, but is not limited to a rectangle depending on the specifications. For example, it may be a curved shape.

図１９は、研磨液供給部材４１の揺動による研磨液の流れを模式的に示す図である。図１９（ａ）に示すように、研磨液供給部材４１は、アーム６０の旋回運動により研磨パッド１００上において、第１の位置ＰＴ１と第２の位置ＰＴ２との間で揺動可能である。図１９（ｂ）に示すように、研磨液供給部材４１が第１の位置ＰＴ１もしくは第２の位置ＰＴ２に配置されている状態では、複数の研磨液供給口４１４から供給される研磨液ＳＬ１やＳＬ２の流れの間に間隔があり、研磨液の流れが不連続になるおそれがある。一方、研磨液供給部材４１が第１の位置ＰＴ１と第２の位置ＰＴ２との間で揺動している状態では、複数の研磨液供給口４１４から供給される研磨液の流れがＳＬ１とＳＬ２に交互にかつ連続的に変化するようになるので、研磨液の流れを連続的にすることができる。 Figure 19 is a schematic diagram showing the flow of the polishing liquid due to the swing of the polishing liquid supply member 41. As shown in FIG. 19(a), the polishing liquid supply member 41 can swing between a first position PT1 and a second position PT2 on the polishing pad 100 by the pivoting movement of the arm 60. As shown in FIG. 19(b), when the polishing liquid supply member 41 is disposed at the first position PT1 or the second position PT2, there is a gap between the flows of the polishing liquid SL1 and SL2 supplied from the multiple polishing liquid supply ports 414, and the flow of the polishing liquid may become discontinuous. On the other hand, when the polishing liquid supply member 41 swings between the first position PT1 and the second position PT2, the flow of the polishing liquid supplied from the multiple polishing liquid supply ports 414 alternates and continuously changes between SL1 and SL2, so that the flow of the polishing liquid can be made continuous.

以上のように、本実施形態によれば、複数の研磨液供給口４１４から研磨液を供給するため、研磨条件（例えば、研磨パッド１００に形成された溝や基板ＷＦ、研磨テーブル２０の回転数）によっては、研磨液供給口４１４間の研磨液量が不連続になる場合がある。これに対して、本実施形態のように、研磨液供給部材４１が接続されるアーム６０を揺動させることで、各研磨液供給口４１４から供給される研磨液の軌跡を連続的に変化させることができるので、研磨液量の不連続を解消することができる。ここで、アーム６０の揺動運動については、制御装置２００内の研磨レシピやマシンパラメータにて制御され、この場合、揺動距離もしくは揺動範囲、および揺動速度がパラメータとなる。なお、揺動距離ついては、基本的に研磨液供給口４１４の研磨パッド１００半径方向に対するピッチの整数倍が望ましい。また、研磨時においては、研磨液供給部材４１の揺動とともに、支持アーム３４を揺動させることで研磨ヘッド３０を同時に揺動させてもよい。 As described above, according to this embodiment, since the polishing liquid is supplied from the multiple polishing liquid supply ports 414, the amount of polishing liquid between the polishing liquid supply ports 414 may become discontinuous depending on the polishing conditions (for example, grooves formed in the polishing pad 100, the substrate WF, and the rotation speed of the polishing table 20). In contrast, as in this embodiment, by swinging the arm 60 to which the polishing liquid supply member 41 is connected, the trajectory of the polishing liquid supplied from each polishing liquid supply port 414 can be continuously changed, so that the discontinuity in the amount of polishing liquid can be eliminated. Here, the swinging motion of the arm 60 is controlled by the polishing recipe and machine parameters in the control device 200, and in this case, the swinging distance or swinging range and the swinging speed are parameters. Note that the swinging distance is basically desirably an integer multiple of the pitch of the polishing liquid supply port 414 in the radial direction of the polishing pad 100. In addition, during polishing, the polishing head 30 may be swung simultaneously by swinging the support arm 34 together with the swinging of the polishing liquid supply member 41.

図２０は、研磨液供給部材４１のスライド移動を模式的に示す図である。図２０（ａ）～図２０（ｃ）に示すように、研磨液供給部材４１は、研磨パッド１００に対向して配置された状態において、複数の研磨液供給口４１４が配列された第１の方向（仮想軸ＢＢの方向）、研磨パッド１００の研磨面に対して垂直な第２の方向（仮想軸ＣＣの方向）、および第１の方向と第２の方向と直交する第３の方向（仮想軸ＡＡの方向）、のそれぞれに対してスライド移動可能に構成される。 Figure 20 is a schematic diagram showing the sliding movement of the polishing liquid supply member 41. As shown in Figures 20(a) to 20(c), when the polishing liquid supply member 41 is disposed opposite the polishing pad 100, it is configured to be able to slide in each of the first direction (direction of virtual axis BB) in which the multiple polishing liquid supply ports 414 are arranged, the second direction (direction of virtual axis CC) perpendicular to the polishing surface of the polishing pad 100, and the third direction (direction of virtual axis AA) perpendicular to the first and second directions.

研磨液供給部材４１のスライド移動は、例えば、研磨液供給部材４１と連結部材６１、または連結部材６１とアーム６０をねじ等によって締結する場合には、締結する部材に形成した長孔を用いて実現することができる。すなわち、締結する両部材のうちの少なくとも一方に、仮想軸ＡＡ、ＢＢ、ＣＣの方向に伸びる長孔を形成し、長孔の長さの分だけ研磨液供給部材４１の位置を調整して固定できるようにすることによって、研磨液供給部材４１のスライド移動を実現することができる。また、研磨液供給部材４１と連結部材６１、または連結部材６１とアーム６０を摩擦によるクランプ等で締結する場合には、連結部材６１に対する研磨液供給部材４１の締結位置、またはアーム６０に対する連結部材６１の締結位置を仮想軸ＡＡ、ＢＢ、ＣＣに沿って調整することによって、研磨液供給部材４１のスライド移動を実現することができる。また、研磨液供給部材４１のスライド移動は、これに限らず、アクチュエータなどの任意の駆動機構、またはリニアガイド、リンク機構、スプライン、ボールねじ、ねじとスプリング、カムなどの任意の位置調整機構を用いて実現することもできる。 For example, when the polishing liquid supply member 41 and the connecting member 61, or the connecting member 61 and the arm 60 are fastened by a screw or the like, the sliding movement of the polishing liquid supply member 41 can be realized by using a long hole formed in the fastening member. That is, the sliding movement of the polishing liquid supply member 41 can be realized by forming a long hole extending in the direction of the virtual axis AA, BB, or CC in at least one of the two fastening members, and adjusting and fixing the position of the polishing liquid supply member 41 by the length of the long hole. Also, when the polishing liquid supply member 41 and the connecting member 61, or the connecting member 61 and the arm 60 are fastened by a friction clamp or the like, the sliding movement of the polishing liquid supply member 41 can be realized by adjusting the fastening position of the polishing liquid supply member 41 relative to the connecting member 61, or the fastening position of the connecting member 61 relative to the arm 60 along the virtual axis AA, BB, or CC. Furthermore, the sliding movement of the polishing liquid supply member 41 is not limited to this, and can also be achieved using any drive mechanism such as an actuator, or any position adjustment mechanism such as a linear guide, a link mechanism, a spline, a ball screw, a screw and spring, or a cam.

図２１は、研磨液供給部材４１の角度調整を模式的に示す図である。図２１（ａ）～図２１（ｃ）に示すように、研磨液供給部材４１は、研磨パッド１００に対向して配置された状態において、複数の研磨液供給口４１４が配列された第１の方向、研磨パッド１００の研磨面に対して垂直な第２の方向、および第１の方向と第２の方向と直交する第３の方向、のそれぞれの仮想軸ＢＢ、ＣＣ、ＡＡに対して回転可能に構成される。 Figure 21 is a schematic diagram showing the angle adjustment of the polishing liquid supply member 41. As shown in Figures 21(a) to 21(c), when the polishing liquid supply member 41 is arranged facing the polishing pad 100, it is configured to be rotatable about imaginary axes BB, CC, and AA in a first direction in which the multiple polishing liquid supply ports 414 are arranged, a second direction perpendicular to the polishing surface of the polishing pad 100, and a third direction perpendicular to the first and second directions.

研磨液供給部材４１の角度調整は、例えば、研磨液供給部材４１を仮想軸ＡＡ、ＢＢ、ＣＣに沿って伸びる軸によって支持して軸周りに回転可能にし、研磨液供給部材４１を所望の角度で固定できるようにすることによって実現することができる。また、研磨液供給部材４１と連結部材６１、または連結部材６１とアーム６０を、ボールジョイントなどを用いて連結することによって研磨液供給部材４１を仮想軸ＡＡ、ＢＢ、ＣＣ周りに回転可能にしてもよい。また、研磨液供給部材４１の角度調整は、これに限らず、アクチュエータなどの任意の駆動機構を用いて実現することもできる。 The angle adjustment of the polishing liquid supply member 41 can be realized, for example, by supporting the polishing liquid supply member 41 on an axis extending along the imaginary axes AA, BB, and CC, making it rotatable around the axis, and by making it possible to fix the polishing liquid supply member 41 at a desired angle. The polishing liquid supply member 41 and the connecting member 61, or the connecting member 61 and the arm 60, may be connected using a ball joint or the like, so that the polishing liquid supply member 41 can be made rotatable around the imaginary axes AA, BB, and CC. The angle adjustment of the polishing liquid supply member 41 is not limited to this, and can also be realized using any driving mechanism such as an actuator.

これらのスライド移動および角度調整が可能であることで、後述の図２３のように複数の研磨装置１－Ａ～１－Ｃに研磨液供給装置４０が搭載されている場合においても、所定の研磨液流れが調整可能となり、研磨装置間の研磨性能差を低減することが可能となる。 These slide movements and angle adjustments make it possible to adjust the polishing liquid flow to a desired level even when the polishing liquid supply device 40 is installed on multiple polishing apparatuses 1-A to 1-C, as shown in Figure 23 below, and to reduce the difference in polishing performance between the polishing apparatuses.

また、研磨液供給部材４１の研磨パッド１００の回転方向に対する角度を変更することで、研磨液の研磨面１０２上の分布を変更することが可能となる。図２２は、研磨液供給部材４１の角度調整による研磨液の分布の相違を模式的に示す図である。図２２（ａ）は、研磨液供給部材４１の角度調整を行わず、研磨パッド１００に対して垂直に研磨液ＳＬを供給した状態を示している。また、図２２（ｂ）は、複数の研磨液供給口４１４が研磨パッド１００の回転上流側に向くように研磨液供給部材４１を仮想軸ＢＢに対して角度調整を行い、研磨パッド１００の回転上流側に対して研磨液ＳＬを供給した状態を示している。 In addition, by changing the angle of the polishing liquid supply member 41 relative to the rotation direction of the polishing pad 100, it is possible to change the distribution of the polishing liquid on the polishing surface 102. FIG. 22 is a diagram showing the difference in the distribution of the polishing liquid due to the angle adjustment of the polishing liquid supply member 41. FIG. 22(a) shows a state in which the polishing liquid SL is supplied perpendicularly to the polishing pad 100 without adjusting the angle of the polishing liquid supply member 41. FIG. 22(b) shows a state in which the polishing liquid supply member 41 is adjusted in angle relative to the virtual axis BB so that the multiple polishing liquid supply ports 414 face the upstream side of the rotation of the polishing pad 100, and the polishing liquid SL is supplied to the upstream side of the rotation of the polishing pad 100.

本実施形態によれば、研磨液供給部材４１の研磨パッド１００に対する角度を変更することにより、供給される研磨液の研磨パッド半径方向の分布を変更することが可能である。具体的には、図２２（ｂ）に示すように、研磨液供給口４１４の角度を研磨パッド１００の回転上流側に向けて研磨液を供給する場合、供給された研磨液は研磨パッド１００の回転下流側に移動するが、その際に供給された研磨液の流れを避けるように外側に広がって移動する。これにより、研磨パッド１００の研磨面に対して垂直に供給するよりも、研磨液は研磨パッド１００の半径方向に広がる形で基板ＷＦに供給されることになるので、研磨パッド１００の半径方向の研磨液供給量分布がより均一化される。なお、本実施形態では、研磨液供給部材４１の回転角度θは約３０°であるが、回転角度θは任意に設定することができる。 According to this embodiment, by changing the angle of the polishing liquid supply member 41 with respect to the polishing pad 100, it is possible to change the distribution of the polishing liquid in the radial direction of the polishing pad. Specifically, as shown in FIG. 22(b), when the angle of the polishing liquid supply port 414 is set to the upstream side of the rotation of the polishing pad 100 to supply the polishing liquid, the supplied polishing liquid moves to the downstream side of the rotation of the polishing pad 100, but at that time, it spreads outward and moves to avoid the flow of the supplied polishing liquid. As a result, the polishing liquid is supplied to the substrate WF in a manner that spreads in the radial direction of the polishing pad 100 rather than being supplied perpendicularly to the polishing surface of the polishing pad 100, so that the distribution of the polishing liquid supply amount in the radial direction of the polishing pad 100 is more uniform. In this embodiment, the rotation angle θ of the polishing liquid supply member 41 is about 30°, but the rotation angle θ can be set arbitrarily.

図２３は、一実施形態としての処理システムの概略構成を示す平面図である。図示の処理システム１０００は、本明細書で説明されるような、基板ＷＦを研磨処理する研磨装置１－Ａ～１－Ｃと、基板ＷＦを洗浄するための洗浄装置３５０－Ａ，３５０－Ｂと、基板ＷＦの搬送装置としてのロボット４００と、基板ＷＦのロードポート５００と、乾燥装置６００と、を有する。かかるシステム構成において、処理される基板ＷＦは、ロードポート５００に入れられる。ロードポート５００にロードされた基板ＷＦは、ロボット４００により研磨装置１－Ａ～１－Ｃのいずれかに搬送され、研磨処理が行われる。基板ＷＦは、複数の研磨装置で順次研磨処理されてもよい。研磨処理が行われた基板ＷＦは、ロボット４００により洗浄装置３５０－Ａ，３５０－Ｂのいずれかに搬送され、洗浄される。基板ＷＦは、洗浄装置３５０－Ａ，３５０－Ｂで順次洗浄されてもよい。洗浄処理が行われた基板ＷＦは、乾燥装置６００へ搬送されて、乾燥処理が行われる。乾燥した基板ＷＦは、再びロードポート５００に戻される。
23 is a plan view showing a schematic configuration of a processing system according to an embodiment. The processing system 1000 shown in the figure includes polishing apparatuses 1-A to 1-C for polishing the substrate WF, cleaning apparatuses 350-A and 350-B for cleaning the substrate WF, a robot 400 as a transport apparatus for the substrate WF, a load port 500 for the substrate WF, and a drying apparatus 600, as described herein. In this system configuration, the substrate WF to be processed is placed in the load port 500. The substrate WF loaded on the load port 500 is transported by the robot 400 to any one of the polishing apparatuses 1-A to 1-C, where the polishing process is performed. The substrate WF may be polished sequentially by a plurality of polishing apparatuses. The substrate WF that has been polished is transported by the robot 400 to any one of the cleaning apparatuses 350-A and 350-B, where it is cleaned. The substrate WF may be cleaned sequentially by the cleaning apparatuses 350-A and 350-B. The substrate WF that has been subjected to the cleaning process is transported to the drying device 600 and subjected to a drying process. The dried substrate WF is returned to the load port 500 again.

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に
記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。 Although several embodiments of the present invention have been described above, the above-mentioned embodiments of the present invention are intended to facilitate understanding of the present invention and do not limit the present invention. The present invention may be modified or improved without departing from the spirit thereof, and the present invention naturally includes equivalents thereof. In addition, any combination or omission of each component described in the claims and specification is possible within the scope of solving at least a part of the above-mentioned problems or achieving at least a part of the effects.

本願は、一実施形態として、研磨パッドを支持するためのテーブルと、対象物を保持するための研磨ヘッドと、前記研磨パッドと前記対象物との間に研磨液を供給するための研磨液供給装置と、を含み、研磨液の存在下で前記研磨パッドと前記対象物とを接触させて互いに回転運動させることにより前記対象物の研磨を行う研磨装置であって、前記研磨液供給装置は、前記対象物に対して前記研磨パッドの回転上流側に配置された状態において、前記研磨パッドの回転方向と交差する方向に配列された複数の研磨液供給口を有し、前記複数の研磨液供給口から供給される研磨液が所定の流量分布となるように研磨液を供給する、研磨装置を開示する。 As one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus that includes a table for supporting a polishing pad, a polishing head for holding an object, and a polishing liquid supplying device for supplying a polishing liquid between the polishing pad and the object, and polishes the object by contacting the polishing pad and the object in the presence of a polishing liquid and rotating them relative to each other, and the polishing liquid supplying device has a plurality of polishing liquid supply ports arranged in a direction intersecting the rotation direction of the polishing pad when positioned upstream of the rotation of the polishing pad with respect to the object, and supplies the polishing liquid from the plurality of polishing liquid supply ports so that the polishing liquid has a predetermined flow rate distribution.

また、本願は、一実施形態として、前記研磨液供給装置は、研磨液を供給するための研磨液供給部材と、前記研磨液供給部材を保持するためのアームと、前記研磨液供給部材から供給する研磨液の流量を調整するための流量調整機構と、を含み、前記アームは、前記研磨パッド外に配置された旋回軸を中心に旋回可能に構成され、前記研磨液供給部材は、前記複数の研磨液供給口と、前記流量調整機構と前記複数の研磨液供給口に接続されたバッファ部と、を含む、研磨装置を開示する。 The present application also discloses, as one embodiment, a polishing apparatus in which the polishing liquid supplying device includes a polishing liquid supplying member for supplying a polishing liquid, an arm for holding the polishing liquid supplying member, and a flow rate adjustment mechanism for adjusting the flow rate of the polishing liquid supplied from the polishing liquid supplying member, the arm being configured to be rotatable about a pivot axis disposed outside the polishing pad, and the polishing liquid supplying member includes the multiple polishing liquid supply ports and a buffer section connected to the flow rate adjustment mechanism and the multiple polishing liquid supply ports.

また、本願は、一実施形態として、前記複数の研磨液供給口は、開口径が０．３から２ｍｍである、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing device in which the multiple polishing liquid supply ports have an opening diameter of 0.3 to 2 mm.

また、本願は、一実施形態として、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の直径に対応する範囲に形成され、前記範囲における研磨液の流量分布が均一になるように研磨液を供給する、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing device in which the multiple polishing liquid supply ports are formed in a range corresponding to the diameter of the object, and the polishing liquid is supplied so that the flow rate distribution of the polishing liquid in the range is uniform.

また、本願は、一実施形態として、前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲に形成され、前記範囲における研磨液の流量分布が均一になるように研磨液を供給する、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus in which the polishing liquid supplying device is configured such that the multiple polishing liquid supplying ports are formed in a range that corresponds to the radius of the object on the side closer to the center of rotation of the polishing pad, and the polishing liquid is supplied so that the flow rate distribution of the polishing liquid in the range is uniform.

また、本願は、一実施形態として、前記複数の研磨液供給口は開口径が同一であり、前記対象物の直径に対応する範囲、または、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲において、均等間隔で配置されている、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus in which the multiple polishing liquid supply ports have the same opening diameter and are arranged at equal intervals within a range corresponding to the diameter of the object or within a range corresponding to the radius of the object on the side closer to the center of rotation of the polishing pad.

また、本願は、一実施形態として、前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって等距離の範囲に形成され、前記範囲において前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、研磨装置を開示する。 In addition, as one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus in which the polishing liquid supplying device is formed in an equidistant range from a corresponding position on the rotation trajectory of the polishing pad at the rotation center of the object toward a position corresponding to both outer circumferences of the object, and supplies the polishing liquid such that the flow rate of the polishing liquid increases within the range from the corresponding position on the rotation trajectory of the polishing pad at the rotation center of the object toward the position corresponding to both outer circumferences of the object.

また、本願は、一実施形態として、前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲に形成され、前記範囲において前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、研磨装置を開示する。 In addition, as one embodiment, the present application discloses a polishing device in which the polishing liquid supplying ports are formed in a range corresponding to the radius of the object on the side closer to the center of rotation of the polishing pad, and the polishing liquid is supplied in the range so that the flow rate of the polishing liquid increases from a position on the rotation trajectory of the polishing pad corresponding to the center of rotation of the object toward a position corresponding to the outer periphery of the object on the side closer to the center of rotation of the polishing pad.

また、本願は、一実施形態として、前記複数の研磨液供給口は、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって、または、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置
から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加する、研磨装置を開示する。 In addition, as one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus in which the multiple polishing liquid supply ports have opening centers arranged at equal intervals from a corresponding position on the rotation locus of the polishing pad of the rotation center of the object toward positions corresponding to both outer peripheries of the object, or from a corresponding position on the rotation locus of the polishing pad of the rotation center of the object toward a position corresponding to the outer periphery of the object on the side closer to the rotation center of the polishing pad, and the opening diameter increases continuously or in fixed increments.

また、本願は、一実施形態として、前記複数の研磨液供給口は、開口径が同一であり、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって、または、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、各研磨液供給口の間隔が、連続的または一定数毎に減少する、研磨装置を開示する。 In addition, as one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus in which the opening diameters of the multiple polishing liquid supply ports are the same, and the spacing between the polishing liquid supply ports decreases continuously or at regular intervals from a corresponding position on the rotation trajectory of the polishing pad at the rotation center of the object toward positions corresponding to both outer peripheries of the object, or from a corresponding position on the rotation trajectory of the polishing pad at the rotation center of the object toward a position corresponding to the outer periphery of the object closer to the rotation center of the polishing pad.

また、本願は、一実施形態として、前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の直径に対応する範囲に形成され、前記範囲において前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing device in which the polishing liquid supplying device has the multiple polishing liquid supplying ports formed in a range corresponding to the diameter of the object, and supplies the polishing liquid such that the flow rate of the polishing liquid increases from a position corresponding to the outer periphery of the object on the side closer to the center of rotation of the polishing pad to a position corresponding to the outer periphery of the object on the side farther from the center of rotation of the polishing pad.

また、本願は、一実施形態として、前記複数の研磨液供給口は、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加する、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing device in which the centers of the openings of the multiple polishing liquid supply ports are arranged at equal intervals from a position corresponding to the outer periphery of the object on the side closer to the center of rotation of the polishing pad to a position corresponding to the outer periphery of the object on the side farther from the center of rotation of the polishing pad, and the opening diameter increases continuously or in fixed increments.

また、本願は、一実施形態として、前記複数の研磨液供給口は、開口径が同一であり、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、各研磨液供給口の間隔が、連続的または一定数毎に減少する、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus in which the plurality of polishing liquid supply ports have the same opening diameter, and the spacing between the polishing liquid supply ports decreases continuously or at regular intervals from a position corresponding to the outer periphery of the object on the side closer to the center of rotation of the polishing pad to a position corresponding to the outer periphery of the object on the side farther from the center of rotation of the polishing pad.

また、本願は、一実施形態として、前記研磨液供給部材は、前記アームの旋回運動により前記研磨パッド上で揺動可能である、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing device in which the polishing liquid supply member can be swung on the polishing pad by the pivoting movement of the arm.

また、本願は、一実施形態として、前記研磨液供給部材は、前記複数の研磨液供給口が配列された第１の方向、前記研磨パッドの研磨面に対して垂直な第２の方向、および前記第１の方向と前記第２の方向と直交する第３の方向、のそれぞれに対してスライド移動可能に構成される、研磨装置を開示する。 In addition, as one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus in which the polishing liquid supply member is configured to be slidable in each of a first direction in which the multiple polishing liquid supply ports are arranged, a second direction perpendicular to the polishing surface of the polishing pad, and a third direction perpendicular to the first direction and the second direction.

また、本願は、一実施形態として、前記研磨液供給部材は、前記複数の研磨液供給口が配列された第１の方向、前記研磨パッドの研磨面に対して垂直な第２の方向、および前記第１の方向と前記第２の方向と直交する第３の方向、のそれぞれの仮想軸に対して回転可能に構成される、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus in which the polishing liquid supply member is configured to be rotatable about a virtual axis in a first direction in which the multiple polishing liquid supply ports are arranged, a second direction perpendicular to the polishing surface of the polishing pad, and a third direction perpendicular to the first direction and the second direction.

また、本願は、一実施形態として、前記アームの旋回運動により前記研磨パッド外に旋回された前記研磨液供給装置に対して洗浄液を供給するための洗浄機構をさらに含む、研磨装置を開示する。 In one embodiment, the present application discloses a polishing apparatus that further includes a cleaning mechanism for supplying cleaning liquid to the polishing liquid supply device that has been pivoted outside the polishing pad by the pivoting movement of the arm.

また、本願は、一実施形態として、対象物を処理する処理システムであって、上記のいずれかに記載の研磨装置と、前記研磨装置によって研磨された対象物を洗浄するための洗浄装置と、前記洗浄装置によって洗浄された対象物を乾燥するための乾燥装置と、前記研磨装置、前記洗浄装置、および前記乾燥装置間で前記対象物を搬送するための搬送装置と、前記研磨装置、前記洗浄装置、および前記乾燥装置間で前記対象物を搬送するための搬送装置と、を含む処理システムを開示する。 The present application also discloses, as one embodiment, a processing system for processing an object, including a polishing apparatus as described above, a cleaning apparatus for cleaning the object polished by the polishing apparatus, a drying apparatus for drying the object cleaned by the cleaning apparatus, a transport apparatus for transporting the object between the polishing apparatus, the cleaning apparatus, and the drying apparatus, and a transport apparatus for transporting the object between the polishing apparatus, the cleaning apparatus, and the drying apparatus.

１,１－Ａ,１－Ｂ,１－Ｃ研磨装置
２０研磨テーブル
３０研磨ヘッド
３１シャフト
３４支持アーム
４０研磨液供給装置
４１研磨液供給部材
５０アトマイザー
５１旋回軸
６０アーム
６０ａ先端部
６０ｂ基端部
６１連結部材
７０昇降旋回機構
８０昇降機構
８１昇降シリンダ
８２軸
８３ボールスプライン
８４軸
８５フレーム
８６センサ
９０旋回機構
９２シャフト
９３モータ
１００研磨パッド
１０２研磨面
１２０研磨液供給ライン
１２５流量調整機構
１３０流体ライン
１４０電気ケーブル
２００制御装置
３００洗浄機構
３０１洗浄ノズル
３０２乾燥ノズル
３５０－Ａ，３５０－Ｂ洗浄装置
４００ロボット（搬送装置）
４１０供給部材本体
４１０ａ供給面
４１０ｂ背面
４１０ｃ凸部
４１０ｄ突起部
４１４研磨液供給口
４２０バッファ部
４３０カバー部材
４４０パッキン
５００ロードポート
６００乾燥装置
１０００処理システム
ＡＡ，ＢＢ，ＣＣ仮想軸
ＤＩ直径
ＲＡ半径
ＷＦ基板 1, 1-A, 1-B, 1-C Polishing apparatus 20 Polishing table 30 Polishing head 31 Shaft 34 Support arm 40 Polishing liquid supply device 41 Polishing liquid supply member 50 Atomizer 51 Swivel shaft 60 Arm 60a Tip portion 60b Base portion 61 Connecting member 70 Lifting and rotating mechanism 80 Lifting mechanism 81 Lifting cylinder 82 Shaft 83 Ball spline 84 Shaft 85 Frame 86 Sensor 90 Swivel mechanism 92 Shaft 93 Motor 100 Polishing pad 102 Polishing surface 120 Polishing liquid supply line 125 Flow rate adjustment mechanism 130 Fluid line 140 Electric cable 200 Control device 300 Cleaning mechanism 301 Cleaning nozzle 302 Drying nozzle 350-A, 350-B Cleaning device 400 Robot (transport device)
410 Supply member body 410a Supply surface 410b Back surface 410c Convex portion 410d Projection portion 414 Polishing liquid supply port 420 Buffer portion 430 Cover member 440 Packing 500 Load port 600 Drying device 1000 Processing system AA, BB, CC Imaginary axis DI Diameter RA Radius WF Substrate

Claims

研磨パッドを支持するためのテーブルと、
対象物を保持するための研磨ヘッドと、
前記研磨パッドと前記対象物との間に研磨液を供給するための研磨液供給装置と、
を含み、
研磨液の存在下で前記研磨パッドと前記対象物とを接触させて互いに回転運動させることにより前記対象物の研磨を行う研磨装置であって、
前記研磨液供給装置は、前記対象物に対して前記研磨パッドの回転上流側に配置された状態において、前記研磨パッドの回転方向と交差する方向に配列された複数の研磨液供給口を有し、
前記複数の研磨液供給口から供給される研磨液が所定の流量分布となるように研磨液を供給するように構成され、
前記研磨液供給装置は、
研磨液を供給するための研磨液供給部材と、
前記研磨液供給部材を保持するためのアームと、を有し、
前記研磨液供給部材は、
前記複数の研磨液供給口が形成されている供給部材本体と、
前記供給部材本体に連結されているカバー部材と、を有し、
前記供給部材本体と前記カバー部材との間に、研磨液を一時的に蓄えるためのバッファ部が形成され、
前記カバー部材は前記アームに着脱可能に連結されており、
前記供給部材本体は供給面を備え、前記複数の研磨液供給口は前記供給面に設けられており、前記供給部材本体は、
（ａ）前記供給面の短手方向側に、前記研磨液供給口を頂上とするテーパ形状の傾斜が設けられている、
（ｂ）前記供給面の前記複数の研磨液供給口の周縁部に凸部が設けられている、または、（ｃ）前記供給面は突起部を備え、前記複数の研磨液供給口は前記突起部に設けられてい
る、
ことを特徴とする研磨装置。 a table for supporting the polishing pad;
a polishing head for holding an object;
a polishing liquid supplying device for supplying a polishing liquid between the polishing pad and the object;
Including,
A polishing apparatus for polishing an object by contacting the polishing pad and the object in the presence of a polishing liquid and rotating the polishing pad and the object relative to each other, comprising:
the polishing liquid supply device has a plurality of polishing liquid supply ports arranged in a direction intersecting a rotation direction of the polishing pad when the polishing liquid supply device is disposed on an upstream side of a rotation direction of the polishing pad with respect to the object;
The polishing liquid is supplied from the plurality of polishing liquid supply ports so as to have a predetermined flow rate distribution,
The polishing liquid supply device includes:
a polishing liquid supply member for supplying a polishing liquid;
an arm for holding the polishing liquid supply member;
The polishing liquid supply member is
a supply member body having the plurality of polishing liquid supply ports formed therein;
a cover member connected to the supply member body,
a buffer portion for temporarily storing the polishing liquid is formed between the supply member body and the cover member;
The cover member is detachably connected to the arm,
The supply member body has a supply surface, and the polishing liquid supply ports are provided on the supply surface, and the supply member body is
(a) a tapered inclination having the polishing liquid supply port as an apex is provided on a lateral side of the supply surface;
(b) a convex portion is provided on the periphery of the plurality of polishing liquid supply ports of the supply surface, or (c) the supply surface has a protrusion, and the plurality of polishing liquid supply ports are provided on the protrusion.
R,
A polishing apparatus comprising:

前記供給部材本体は、締結部材により前記カバー部材に着脱可能に取り付けられている、
ことを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。 The supply member body is detachably attached to the cover member by a fastening member.
2. The polishing apparatus according to claim 1.

前記研磨液供給装置は、
前記研磨液供給部材から供給する研磨液の流量を調整するための流量調整機構、を含み、
前記アームは、前記研磨パッド外に配置された旋回軸を中心に旋回可能に構成される、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の研磨装置。 The polishing liquid supply device includes:
a flow rate adjusting mechanism for adjusting a flow rate of the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply member;
The arm is configured to be rotatable around a pivot axis disposed outside the polishing pad.
3. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing member is a polishing member having a first surface and a second surface.

前記複数の研磨液供給口は、開口径が０．３から２ｍｍである、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の研磨装置。 The plurality of polishing liquid supply ports have an opening diameter of 0.3 to 2 mm.
The polishing apparatus according to claim 1 .

前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の直径に対応する範囲に形成され、前記範囲における研磨液の流量分布が均一になるように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing liquid supply device is configured such that the plurality of polishing liquid supply ports are formed in a range corresponding to a diameter of the object, and the polishing liquid is supplied so that a flow rate distribution of the polishing liquid in the range is uniform.
5. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing member is a polishing member having a polishing surface.

前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲に形成され、前記範囲における研磨液の流量分布が均一になるように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing liquid supply device is configured such that the plurality of polishing liquid supply ports are formed in a range corresponding to a radius of the object on a side close to a rotation center of the polishing pad, and the polishing liquid is supplied so that a flow rate distribution of the polishing liquid in the range is uniform.
5. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing member is a polishing member having a polishing surface.

前記複数の研磨液供給口は開口径が同一であり、前記対象物の直径に対応する範囲、または、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲において、均等間隔で配置されている、
ことを特徴とする請求項５または６に記載の研磨装置。 the plurality of polishing liquid supply ports have the same opening diameter and are arranged at equal intervals within a range corresponding to a diameter of the object or within a range corresponding to a radius of the object on a side closer to a rotation center of the polishing pad;
7. The polishing apparatus according to claim 5, wherein the polishing member is a polishing member having a polishing surface.

前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって等距離の範囲に形成され、前記範囲において前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing liquid supply device is arranged such that the plurality of polishing liquid supply ports are formed in an equidistant range from corresponding positions on a rotation locus of the polishing pad at the rotation center of the object toward positions corresponding to both outer peripheries of the object, and the polishing liquid is supplied such that a flow rate of the polishing liquid increases within the range from corresponding positions on the rotation locus of the polishing pad at the rotation center of the object toward positions corresponding to both outer peripheries of the object.
5. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing member is a polishing member having a polishing surface.

前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲に形成され、前記範囲において前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing liquid supply device is configured such that the plurality of polishing liquid supply ports are formed in a range corresponding to a radius of the object on a side closer to a rotation center of the polishing pad, and the polishing liquid is supplied such that a flow rate of the polishing liquid increases within the range from a position on the rotation locus of the polishing pad corresponding to the rotation center of the object toward a position corresponding to the outer periphery of the object on the side closer to the rotation center of the polishing pad.
5. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing member is a polishing member having a polishing surface.

前記複数の研磨液供給口は、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって、または、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加する、
ことを特徴とする請求項８または９に記載の研磨装置。 the plurality of polishing liquid supply ports are arranged with equal intervals of opening centers from a corresponding position of the rotation center of the object on the rotation locus of the polishing pad toward positions corresponding to both outer peripheries of the object, or from a corresponding position of the rotation center of the object on the rotation locus of the polishing pad toward a position corresponding to the outer periphery of the object on the side closer to the rotation center of the polishing pad, and the opening diameters are increased continuously or at regular intervals;
10. The polishing apparatus according to claim 8, wherein the polishing member is a polishing member having a polishing surface.

前記複数の研磨液供給口は、開口径が同一であり、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって、または、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、各研磨液供給口の間隔が、連続的または一定数毎に減少する、
ことを特徴とする請求項８または９に記載の研磨装置。 the plurality of polishing liquid supply ports have the same opening diameter, and the intervals between the polishing liquid supply ports decrease continuously or at regular intervals from a corresponding position on the rotation locus of the polishing pad of the rotation center of the object toward positions corresponding to both outer peripheries of the object, or from a corresponding position on the rotation locus of the polishing pad of the rotation center of the object toward a position corresponding to the outer periphery of the object closer to the rotation center of the polishing pad.
10. The polishing apparatus according to claim 8, wherein the polishing member is a polishing member having a polishing surface.

前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の直径に対応する範囲に形成され、前記範囲において前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing liquid supply device is configured such that the plurality of polishing liquid supply ports are formed in a range corresponding to a diameter of the object, and the polishing liquid is supplied such that a flow rate of the polishing liquid increases from a position corresponding to an outer periphery of the object on a side closer to a rotation center of the polishing pad in the range toward a position corresponding to an outer periphery of the object on a side farther from the rotation center of the polishing pad.
5. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing member is a polishing member having a polishing surface.

前記複数の研磨液供給口は、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の研磨装置。 the plurality of polishing liquid supply ports have opening centers disposed at equal intervals and opening diameters increasing continuously or at regular intervals from a position corresponding to the outer periphery of the object on a side closer to the rotation center of the polishing pad toward a position corresponding to the outer periphery of the object on a side farther from the rotation center of the polishing pad;
13. The polishing apparatus according to claim 12.

前記複数の研磨液供給口は、開口径が同一であり、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、各研磨液供給口の間隔が、連続的または一定数毎に減少する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の研磨装置。 the plurality of polishing liquid supply ports have the same opening diameter, and the intervals between the polishing liquid supply ports decrease continuously or at regular intervals from a position corresponding to the outer periphery of the object on a side closer to the rotation center of the polishing pad to a position corresponding to the outer periphery of the object on a side farther from the rotation center of the polishing pad.
13. The polishing apparatus according to claim 12.

前記研磨液供給部材は、前記アームの旋回運動により前記研磨パッド上で揺動可能である、
ことを特徴とする請求項３、および請求項３を引用する請求項４乃至１３のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing liquid supply member is capable of swinging above the polishing pad by the pivoting movement of the arm;
14. A polishing apparatus according to claim 3, or any one of claims 4 to 13 which cites claim 3.

前記研磨液供給部材は、前記複数の研磨液供給口が配列された第１の方向、前記研磨パッドの研磨面に対して垂直な第２の方向、および前記第１の方向と前記第２の方向と直交する第３の方向、のそれぞれに対してスライド移動可能に構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing liquid supply member is configured to be slidable in each of a first direction in which the plurality of polishing liquid supply ports are arranged, a second direction perpendicular to the polishing surface of the polishing pad, and a third direction perpendicular to the first direction and the second direction.
16. The polishing apparatus according to claim 1,

前記研磨液供給部材は、前記複数の研磨液供給口が配列された第１の方向、前記研磨パッドの研磨面に対して垂直な第２の方向、および前記第１の方向と前記第２の方向と直交する第３の方向、のそれぞれの仮想軸に対して回転可能に構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の研磨装置。 the polishing liquid supply member is configured to be rotatable about each of imaginary axes of a first direction in which the plurality of polishing liquid supply ports are arranged, a second direction perpendicular to the polishing surface of the polishing pad, and a third direction perpendicular to the first direction and the second direction.
17. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing member is a rotatable member.

前記アームの旋回運動により前記研磨パッド外に旋回された前記研磨液供給装置に対して洗浄液を供給するための洗浄機構をさらに含む、
ことを特徴とする請求項３、および請求項３を引用する請求項４乃至１６のいずれか一項に記載の研磨装置。 a cleaning mechanism for supplying a cleaning liquid to the polishing liquid supply device pivoted outside the polishing pad by the pivoting movement of the arm;
17. A polishing apparatus according to claim 3, or any one of claims 4 to 16 which cites claim 3.

対象物を処理する処理システムであって、
請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の研磨装置と、
前記研磨装置によって研磨された対象物を洗浄するための洗浄装置と、
前記洗浄装置によって洗浄された対象物を乾燥するための乾燥装置と、
前記研磨装置、前記洗浄装置、および前記乾燥装置間で前記対象物を搬送するための搬送装置と、
を含む処理システム。 A processing system for processing an object, comprising:
A polishing apparatus according to any one of claims 1 to 18,
a cleaning device for cleaning the object polished by the polishing device;
a drying device for drying the object cleaned by the cleaning device;
a conveying device for conveying the object between the polishing device, the cleaning device, and the drying device;
13. A processing system comprising: