JP7493102B2 - 半導体リソグラフィ用の投影露光装置のアクチュエータを測定する方法及び装置 - Google Patents
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Description
一定の制御信号を用いて第1のアクチュエータを駆動し撓ませ、且つ第1のアクチュエータとの機械的結合により別のアクチュエータを撓ませるステップと、
結合により撓んだ上記別のアクチュエータの静電容量の変化を求めるステップと
を含む。
S=M*E2+s*σ (1)
E=U/dlayer (2)
式中、dlayerはアクチュエータ38の2つの電極間の層厚を示し、Uは電圧である。
σ=F/A (3)
D=ε*E+2*M*E*σ (4)
C=(D*A*N)/U (5)
C=(ε*A*N)/dlayer+(2*M*σ*N)/dlayer (6)
として得られる。
2 視野ファセットミラー(EUV)
3 光源(EUV)
4 照明光学ユニット(EUV)
5 物体視野(EUV)
6 物体面(EUV)
7 レチクル(EUV)
8 レチクルホルダ(EUV)
9 投影レンズ(EUV)
10 像視野(EUV)
11 像面(EUV)
12 ウェーハ(EUV)
13 ウェーハホルダ(EUV)
14 EUV放射線(EUV)
15 中間視野焦点面(EUV)
16 瞳ファセットミラー(EUV)
17 アセンブリ(EUV)
18 ミラー(EUV)
19 ミラー(EUV)
20 ミラー(EUV)
21 投影露光装置(DUV)
22 ウェーハ(DUV)
23 照明光学ユニット(DUV)
24 レチクルホルダ(DUV)
25 レチクル(DUV)
26 ウェーハホルダ(DUV)
27 投影レンズ(DUV)
28 光学素子(DUV)
29 マウント(DUV)
30 レンズハウジング(DUV)
31 投影ビーム(DUV)
32 ミラー
33 ミラー体
34 ミラー面
35 ミラー裏側
36 フレーム
37 アクチュエータ-ミラー裏側に対して垂直なコントローラ出力
38.1~38.3 アクチュエータ-ミラー裏側と平行なコントローラ出力
39 アクチュエータ本体
40 制御装置
41 ばね(アクチュエータ本体における機械的結合)
42 ばね(ミラー本体との機械的結合)
43 測定装置
44 センサ
51 方法ステップ1
52 方法ステップ2
Claims (12)
- 半導体リソグラフィ用の投影露光装置(1、2)の、特に投影レンズ(27、9)のアクチュエータ(38.2)を測定する方法であって、ここで、少なくとも2つのアクチュエータ(38.1、38.2、38.3)は相互に機械的に結合されており、当該機械的に結合された少なくとも2つのアクチュエータ(38.1、38.2、38.3)は光学素子(32)を変形させるように機能するものであり、
一定の制御信号を用いて第1のアクチュエータ(38.2)を駆動し撓ませ、且つ機械的結合により別のアクチュエータ(38.1、38.3)を撓ませるステップと、
前記結合により撓んだ前記別のアクチュエータ(38.1、38.3)の静電容量を求めるステップと
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記アクチュエータ(38.1、38.2、38.3)は、圧電又は電歪アクチュエータであることを特徴とする方法。 - 請求項1又は2に記載の方法において、
前記アクチュエータ(38.1、38.2、38.3)は、光学素子(32)、特にミラーに接続されることを特徴とする方法。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の方法において、
前記第1のアクチュエータ(38.2)の撓みが、該アクチュエータ(38.2)の全撓みの40%を超える、全撓みの70%を超える、又は全撓みの100%であることを特徴とする方法。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載の方法において、
前記別のアクチュエータ(38.1、38.3)の前記静電容量は、一定の周波数のAC電圧を用いて検出されることを特徴とする方法。 - 請求項1~5のいずれ1項に記載の方法において、
前記静電容量は、前記アクチュエータ(38.1、38.2、38.3)の典型的な静電容量の10-4以下、10-5、又は10-6の分解能で測定されることを特徴とする方法。 - 請求項1~6のいずれか1項に記載の方法において、
前記静電容量は、一定の温度で検出されることを特徴とする方法。 - 請求項1~7のいずれか1項に記載の方法において、
前記アクチュエータ(38.1、38.2、38.3)の撓みは、検出された静電容量値を前記アクチュエータ(38.1、38.2、38.3)の作動時に求められた設定静電容量値と比較することにより較正されることを特徴とする方法。 - 制御装置(40)及び測定装置(43)を含む、機械的に結合された少なくとも2つのアクチュエータ(38.1、38.2、38.3)であって、当該機械的に結合された少なくとも2つのアクチュエータ(38.1、38.2、38.3)は光学素子(32)を変形させるように機能する、少なくとも2つのアクチュエータ(38.1、38.2、38.3)を測定する装置を含む、半導体リソグラフィ用の投影露光装置(1、21)であって、
前記測定装置(43)は、少なくとも1つのアクチュエータ(38.1、38.2、38.3)の静電容量を求めるよう構成されることを特徴とする投影露光装置。 - 請求項9に記載の投影露光装置(1、21)において、
前記少なくとも2つのアクチュエータ(38.1、38.2、38.3)は、投影露光装置(1、21)の光学素子、特にミラーに接続されることを特徴とする装置。 - 請求項9又は10に記載の投影露光装置(1、21)において、
前記制御装置(40)は、AC電圧源及び/又はDC電圧源を含むことを特徴とする装置。 - 請求項9~11のいずれか1項に記載の投影露光装置(1、21)において、
前記測定装置(43)は、静電容量の検出時に温度を検出するセンサ(44)を含むことを特徴とする装置。
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