JP7491791B2 - 処理液供給装置および供給タンク洗浄方法 - Google Patents

Description

本発明は、処理液供給装置および供給タンク洗浄方法に関する。

基板処理装置は、処理液を用いて基板に処理を行う処理ユニットを含む。処理ユニットに処理液を供給するために処理液供給装置が用いられる。処理液供給装置は、処理液を貯留するタンクを有する。タンクの内壁面には、処理液に由来する結晶またはパーティクル等の汚染物質が付着することがある。

例えば、特許文献１に記載された基板液処理装置では、タンク内に内壁面を洗浄する洗浄ノズルが設けられる。処理液が洗浄ノズルに供給されるとともにタンクの内壁面に付着した汚染物質に向かって吐出される。

特開２０１７－２０８４１８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の基板液処理装置においては、タンク内に洗浄ノズルを設けるとともに、洗浄ノズルに処理液を供給するための配管等を設ける必要がある。そのため、タンク内の構成が複雑になる。

本発明の目的は、供給タンク内の構成を複雑化することなく供給タンクの内壁面を洗浄することが可能な処理液供給装置および供給タンク洗浄方法を提供することである。

（１）処理液供給装置は、基板に処理を行う基板処理部に処理液を供給する処理液供給装置であって、処理液を貯留する供給タンクと、供給タンクに処理液を補充する処理液補充部と、処理液補充部を制御する制御部とを備える。制御部は、基板処理部に供給タンクの処理液を供給する通常処理モード時に、供給タンクの第１のレベルまで処理液を補充するように処理液補充部を制御し、供給タンクの内壁面を洗浄する壁面洗浄モード時に、供給タンクの第１のレベルよりも高い第２のレベルまで処理液を補充するように処理液補充部を制御する。

この処理液供給装置においては、通常処理モード時に、供給タンクの第１のレベルまで処理液が補充される。この場合、処理液中の結晶化物処理液中の結晶化物、ごみ、回収された処理液中の金属成分等の汚染物質が供給タンクの内壁面の第１のレベル付近に集積される。その結果、供給タンクの内壁面の第１のレベル付近に汚染物質が付着する。

壁面洗浄モード時には、供給タンクの第１のレベルよりも高い第２のレベルまで処理液が補充される。この場合、供給タンクの内壁面の第１のレベル付近に付着した汚染物質が上昇する液面により除去される。したがって、供給タンク内の構成を複雑化することなく供給タンクの内壁面を洗浄することが可能となる。

（２）処理液供給装置は、供給タンク内の液面が第１のレベルに達したことを検出する検出器をさらに備える。制御部は、通常処理モード時に、検出器による液面の検出に応答して、処理液補充部による処理液の補充を停止させ、壁面洗浄モード時に、検出器による液面の検出時から予め定められた追加時間の経過後に処理液補充部による処理液の補充を停止させることにより供給タンクの第２のレベルまで処理液を補充してもよい。

この場合、通常処理モード時には、検出器による液面の検出に応答して液面の上昇が第１のレベルで停止される。一方、壁面洗浄モード時には、検出器による液面の検出時から追加時間の経過後まで処理液の補充を継続することにより液面が第２のレベルまで上昇する。したがって、簡単な制御により壁面洗浄モード時に液面を第２のレベルまで上昇させることができる。

（３）制御部は、壁面洗浄モードにおける追加時間を調整可能に構成されてもよい。この場合、汚染物質の種類および付着位置に応じて追加時間を調整することにより第２のレベルを容易に調整することが可能となる。それにより、供給タンクの内壁面に付着した汚染物質を確実かつ容易に除去することが可能となる。

（４）処理液供給装置は、供給タンク内の処理液を排出する処理液排出部をさらに備え、制御部は、壁面洗浄モード時に、供給タンクの第２のレベルまで処理液が補充された後、供給タンク内の処理液を排出するように、処理液排出部を制御してもよい。この場合、供給タンクの内壁面から除去された汚染物質が処理液とともに排出される。それにより、供給タンク内に清浄な処理液を貯留することができる。

（５）制御部は、壁面洗浄モード時の供給タンクへの処理液の補充および供給タンクからの処理液の排出を設定された回数繰り返すように構成されてもよい。この場合、汚染物質の種類および付着状態に応じて、供給タンクへの処理液の補充および供給タンクからの処理液の排出を繰り返すことにより、供給タンクの内壁面に付着した汚染物質をより確実に除去することが可能となる。

（６）制御部は、設定された実行タイミングで壁面洗浄モード時の制御を実行するように構成されてもよい。この場合、通常処理モード時における基板の処理量または処理時間に応じて、壁面洗浄モードの実行タイミングを適切に設定することにより、通常処理モード時において基板処理部に清浄度の高い処理液を供給することが可能となる。

（７）処理液供給装置は、壁面洗浄モードの実行の指令を受け付ける操作部をさらに備え、制御部は、操作部が壁面洗浄モードの実行の指令を受け付けた時に壁面洗浄モードを実行するように構成されてもよい。

この場合、使用者は、汚染物質の付着状態に応じて、適切な時点で壁面洗浄モードの実行を指令することができる。それにより、通常処理モード時において基板処理部に清浄度の高い処理液を供給することが可能となる。

（８）処理液供給装置は、壁面洗浄モード時の制御の実行中であることを報知する報知部をさらに備えてもよい。この場合、使用者は、処理液供給装置が壁面洗浄モードで動作していることを容易に把握することができる。

（９）供給タンク洗浄方法は、基板処理部に供給タンクの処理液を供給する通常処理モード時に、処理液補充部により供給タンクの第１のレベルまで処理液を補充するステップと、供給タンクの内壁面を洗浄する壁面洗浄モード時に、処理液補充部により供給タンクの第１のレベルよりも高い第２のレベルまで処理液を補充するステップとを含む。

この供給タンク洗浄方法によれば、壁面洗浄モード時には、供給タンクの第１のレベルよりも高い第２のレベルまで処理液が補充される。この場合、供給タンクの内壁面の第１のレベル付近に付着した汚染物質が上昇する液面により除去される。したがって、供給タンク内の構成を複雑化することなく供給タンクの内壁面を洗浄することが可能となる。

（１０）通常処理モード時に、処理液補充部により供給タンクの第１のレベルまで処理液を補充するステップは、検出器により供給タンク内の液面が第１のレベルに達したことを検出することと、検出器による液面の検出に応答して、処理液補充部による処理液の補充を停止することを含み、壁面洗浄モード時に、処理液補充部により供給タンクの第２のレベルまで処理液を補充するステップは、検出器による処理液の液面の検出時から予め定められた追加時間の経過後に処理液補充部による処理液の補充を停止させることにより供給タンクの第２のレベルまで処理液を補充することを含んでもよい。

この場合、通常処理モード時には、検出器による処理液の液面の検出に応答して液面の上昇が第１のレベルで停止される。一方、壁面洗浄モード時には、検出器による処理液の液面の検出時から追加時間の経過後まで処理液の補充を継続することにより液面が第２のレベルまで上昇する。したがって、簡単な制御により壁面洗浄モード時に液面を第２のレベルまで上昇させることができる。

（１１）供給タンク洗浄方法は、壁面洗浄モードにおける追加時間を調整するステップをさらに含んでもよい。この場合、汚染物質の種類および付着位置に応じて追加時間を調整することにより第２のレベルを容易に調整することが可能となる。それにより、供給タンクの内壁面に付着した汚染物質を確実かつ容易に除去することが可能となる。

（１２）供給タンク洗浄方法は、壁面洗浄モード時に、供給タンクの第２のレベルまで処理液が補充された後、処理液排出部により供給タンク内の処理液を排出させるステップをさらに含んでもよい。この場合、供給タンクの内壁面から除去された汚染物質が処理液とともに排出される。それにより、供給タンク内に清浄な処理液を貯留することができる。

（１３）供給タンク洗浄方法は、壁面洗浄モード時の供給タンクへの処理液の補充および供給タンクからの処理液の排出を設定された回数繰り返すステップをさらに含んでもよい。この場合、汚染物質の種類および付着状態に応じて、供給タンクへの処理液の補充および供給タンクからの処理液の排出を繰り返すことにより、供給タンクの内壁面に付着した汚染物質をより確実に除去することが可能となる。

（１４）供給タンク洗浄方法は、設定された実行タイミングで壁面洗浄モード時の制御を実行するステップをさらに含んでもよい。この場合、通常処理モード時における基板の処理量または処理時間に応じて、壁面洗浄モードの実行タイミングを適切に設定することにより、通常処理モード時において基板処理部に清浄度の高い処理液を供給することが可能となる。

（１５）供給タンク洗浄方法は、操作部が壁面洗浄モードの実行の指令を受け付けたときに壁面洗浄モードを実行するステップをさらに含んでもよい。この場合、使用者は、汚染物質の付着状態に応じて、適切な時点で壁面洗浄モードの実行を指令することができる。それにより、通常処理モード時において基板処理部に清浄度の高い処理液を供給することが可能となる。

（１６）供給タンク洗浄方法は、報知部により壁面洗浄モード時の制御の実行中であることを報知するステップをさらに含んでもよい。この場合、使用者は、処理液供給装置が壁面洗浄モードで動作していることを容易に把握することができる。

本発明によれば、供給タンク内の構成を複雑化することなく供給タンクの内壁面を洗浄することが可能になる。

一実施の形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理システムの構成を示す図である。 図１の供給タンクに設定された液面レベルを示す模式図である。 処理液供給装置の制御系統を示すブロック図である。 図１の操作パネルに表示される操作画面の一例を示す図である。 図１の操作パネルに表示される壁面洗浄モード実行中の報知画面の一例を示す図である。 壁面洗浄モード時の動作を示すフローチャートである。 壁面洗浄モード時の動作を示すフローチャートである。 壁面洗浄モード時の各部の状態の遷移を示すタイミングチャートである。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。

本実施の形態では、処理液として、硫酸と過酸化水素水との混合液（ＳＰＭ）、アンモニア水と過酸化水素水との混合液（ＳＣ１）、塩酸と過酸化水素水との混合液（ＳＣ２）、希フッ酸（ＤＨＦ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、燐酸、有機アルカリ（例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等）、表面改質剤またはバッファードフッ酸（ＢＨＦ）等の薬液が用いられる。また、リンス液として、純水（脱イオン水）が用いられる。なお、リンス液として、炭酸水、オゾン水、磁気水、機能水（例えば、超希釈アンモニア水（１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）、超希釈塩酸水（１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）、還元水（水素水）等）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤が用いられてもよい。

（１）基板処理システムの構成
図１は、一実施の形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理システムの構成を示す図である。基板処理システム１００は、処理液供給装置１および基板処理装置２により構成される。

処理液供給装置１は、供給タンク１０、排液槽１１、温調器１２、ポンプ１３、制御部１４および操作パネル１５を含む。また、処理液供給装置１は、配管Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４および弁Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１，Ｖ２を含む。

配管Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３は、第１の薬液を供給する薬液供給源３１、第２の薬液を供給する薬液供給源３２および純水を供給する純水供給源３３にそれぞれ接続される。配管Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３は、配管Ｐ１に合流する。配管Ｐ１は、供給タンク１０の液入口１０ａに接続される。配管Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３には、それぞれ弁Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３が介挿され、配管Ｐ１には、弁Ｖ１が介挿される。

弁Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１が開くと、供給タンク１０に第１の薬液と第２の薬液との混合液が処理液として供給される。弁Ｖ１３，Ｖ１が開くと、供給タンク１０に純水が供給される。

供給タンク１０には、上限センサＳＬＵ、定量センサＳＬ１、第１下限センサＳＬＬ１および第２下限センサＳＬＬ２が取り付けられる。上限センサＳＬＵは最も高い位置に配置される。定量センサＳＬ１は上限センサＳＬＵよりも低い位置に配置される。第２下限センサＳＬＬ２は最も低い位置に配置される。第１下限センサＳＬＬ１は定量センサＳＬ１よりも低くかつ第２下限センサＳＬＬ２よりも高い位置に配置される。上限センサＳＬＵ、定量センサＳＬ１、第１下限センサＳＬＬ１および第２下限センサＳＬＬ２の動作の詳細については後述する。

供給タンク１０の液出口１０ｂと排液槽１１との間に配管Ｐ２が接続される。配管Ｐ２には、弁Ｖ２が介挿される。弁Ｖ２が開くと、供給タンク１０内の処理液または純水が排液槽１１に排出される。

供給タンク１０の液出口１０ｃには、配管Ｐ３が接続される。配管Ｐ３には、温調器１２およびポンプ１３が介挿される。供給タンク１０の液入口１０ｄには、配管Ｐ４が接続される。配管Ｐ４には、弁Ｖ３が介挿される。配管Ｐ３は、配管Ｐ４および配管Ｐ５に接続される。

弁Ｖ３が開きかつポンプ１３が作動すると、処理液は、供給タンク１０、配管Ｐ３、温調器１２および配管Ｐ４を循環する。温調器１２は、循環する処理液の温度を予め定められた温度に調整する。また、弁Ｖ３が閉じかつポンプ１３が作動すると、処理液が配管Ｐ５に導かれる。

制御部１４は、弁Ｖ１１～Ｖ１３，Ｖ１～Ｖ３、温調器１２およびポンプ１３の動作を制御する。本実施の形態では、制御部１４は、通常処理モードおよび壁面洗浄モードで制御動作を行う。制御部１４の動作および構成の詳細については後述する。操作パネル１５は、制御部１４に壁面洗浄モードの条件を設定するために使用者により操作される。

基板処理装置２は、複数の処理ユニット２１、制御部２４および複数の弁Ｖ２０を含む。各処理ユニット２１は、基板Ｗを保持する基板保持部２２および処理液または純水を吐出するノズル２３を含む。

各配管Ｐ６は、配管Ｐ５とノズル２３との間に接続される。各配管Ｐ６には、弁Ｖ２０が介挿される。弁Ｖ２０が開くと、配管Ｐ５，Ｐ６を通して処理液または純水がノズル２３から基板Ｗに吐出される。それにより、各処理ユニット２１において、基板保持部２２に保持された基板Ｗに処理液または純水を用いた処理が行われる。制御部２４は、弁Ｖ２０および処理ユニット２１の動作を制御する。

以下の説明では、弁Ｖ１を供給弁Ｖ１と呼び、弁Ｖ２を排液弁Ｖ２と呼び、弁Ｖ３を循環弁Ｖ３と呼ぶ。また、弁Ｖ１１を第１の薬液弁Ｖ１１と呼び、弁Ｖ１２を第２の薬液弁Ｖ１２と呼び、弁Ｖ１３を純水弁Ｖ１３と呼ぶ。

（２）供給タンク１０
壁面洗浄モードは、供給タンク１０の内壁面を洗浄するための動作モードである。通常処理モードは、壁面洗浄モードの動作を除く動作を含む動作モードであり、主として処理液供給装置１から基板処理装置２に処理液を供給する動作を含む。

図２は、図１の供給タンク１０に設定された液面レベルを示す模式図である。供給タンク１０には、上限レベルＬＵ、定量レベルＬ１、第１下限レベルＬＬ１および第２下限レベルＬＬ２が設定される。上限レベルＬＵは最も高い高さに設定される。定量レベルＬ１は、上限レベルＬＵよりも低い高さに設定される。第２下限レベルＬＬ２は、最も低い高さに設定される。第１下限レベルＬＬ１は、第２下限レベルＬＬ２よりも高くかつ定量レベルＬ１よりも低い高さに設定される。また、定量レベルＬ１と上限レベルＬＵとの間に壁面洗浄レベルＬ２が設定される。後述するように、壁面洗浄レベルＬ２は調整可能である。

上限センサＳＬＵは、供給タンク１０内の液面が上限レベルＬＵよりも低いときにはオフし、供給タンク１０内の液面が上限レベルＬＵ以上になるとオンする。定量センサＳＬ１は、供給タンク１０内の液面が定量レベルＬ１よりも低いときにはオフし、供給タンク１０内の液面が定量レベルＬ１以上になるとオンする。第１下限センサＳＬＬ１は、供給タンク１０内の液面が第１下限レベルＬＬ１よりも低いときにはオフし、供給タンク１０内の液面が第１下限レベルＬＬ１以上になるとオンする。第２下限センサＳＬＬ２は、供給タンク１０内の液面が第２下限レベルＬＬ２よりも低いときにはオフし、供給タンク１０内の液面が第２下限レベルＬＬ２以上になるとオンする。

（３）処理液供給装置１の制御系統
図３は、処理液供給装置１の制御系統を示すブロック図である。制御部１４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）およびＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）等を含む。ＲＯＭには、制御プログラムが記憶される。ＣＰＵは、ＲＯＭに記憶された制御プログラムをＲＡＭ上で実行することにより通常処理モード時および壁面洗浄モード時に各構成要素を制御する。

この場合、制御部１４は、上限センサＳＬＵ、定量センサＳＬ１、第１下限センサＳＬＬ１および第２下限センサＳＬＬ２の出力信号に基づいて、供給弁Ｖ１、排液弁Ｖ２、循環弁Ｖ３、第１の薬液弁Ｖ１１、第２の薬液弁Ｖ１２、純水弁Ｖ１３およびポンプ１３を制御する。また、制御部１４は、操作パネル１５による設定に基づいて動作モードを通常処理モードと壁面洗浄モードとに選択的に切り替える。

（４）通常処理モード時の動作
通常処理モード時には、供給タンク１０内の液面が定量レベルＬ１と第１下限レベルＬＬ１との間にあるように供給タンク１０内への処理液の供給および供給タンク１０内からの処理液の排出が制御される。詳細には、制御部１４は、第１下限センサＳＬＬ１がオフすると、供給弁Ｖ１を開く。それにより、供給タンク１０内に処理液が供給される。制御部１４は、定量センサＳＬ１がオンすると、供給弁Ｖ１を閉じる。供給タンク１０内の処理液が基板処理装置２に供給されると、供給タンク１０内の液面が低下する。制御部１４は、第１下限センサＳＬＬ１がオフすると、供給弁Ｖ１を開く。それにより、供給タンク１０内に処理液が供給される。このようにして、通常処理モード時には、供給タンク１０内の液面が定量レベルＬ１と第１下限レベルＬＬ１との間で維持される。

何らかの理由により供給タンク１０内の液面が上限レベルＬＵまで上昇すると、上限センサＳＬＵがオンする。この場合、制御部１４は、処理液のオーバフローを防止するために処理液供給装置１の動作を停止させる。また、何らかの理由により供給タンク１０内の液面が第２下限レベルＬＬ２より低下すると、第２下限センサＳＬＬ２がオフする。この場合、制御部１４は、供給タンク１０における空気の循環を防止するために処理液供給装置１の動作を停止させる。

なお、供給タンク１０内の処理液の交換時には、排液弁Ｖ２が開かれることにより供給タンク１０内の処理液が排出され、純水弁Ｖ１３および供給弁Ｖ１が開かれることにより供給タンク１０内に純水が供給される。この状態で、排液弁Ｖ２が開かれることにより供給タンク１０内の純水が全て排出された後に、供給タンク１０内に新たな処理液が供給される。

上記のように、通常処理モード時には、供給タンク１０内の液面が定量レベルＬ１以下で変動する。また、基板処理システム１００の稼働が終了すると、供給タンク１０の液面は、図２に太い実線で示すように、定量レベルＬ１で維持される。そのため、処理液中の結晶化物、ごみ、回収された処理液中の金属成分等の汚染物質が供給タンク１０の内壁面の定量レベルＬ１付近に集積される。その結果、供給タンク１０の内壁面の定量レベルＬ１付近に汚染物質が付着する。このような汚染物質が供給タンク１０の内壁面から剥離することにより処理液中に混入すると、処理液の清浄度が低下するとともに、処理液により処理される基板Ｗが汚染される。

そこで、供給タンク１０の内壁面に付着した汚染物質等を洗浄するために、以下のような壁面洗浄モードが実行される。

（５）壁面洗浄モードの設定
図４は、図１の操作パネル１５に表示される操作画面の一例を示す図である。図５は、図１の操作パネル１５に表示される壁面洗浄モード実行中の報知画面の一例を示す図である。

使用者は、壁面洗浄モードの条件を設定する場合に、図１の操作パネル１５に図４に示す操作画面１５０を表示させる。操作画面１５０には、壁面洗浄モードを実行するか否かを選択する選択欄１５１が設けられる。使用者は、選択欄１５１において“ＯＮ”を選択することにより壁面洗浄モードの実行を選択することができる。この場合、操作画面１５０には、液面上昇時間ＴＡの入力のための入力欄１５２、壁面洗浄モードの繰り返し回数Ｎの入力のための入力欄１５３、および壁面洗浄モードの実行周期ＴＰを入力するための入力欄１５４が表示される。使用者は、壁面洗浄モードの条件として、液面上昇時間ＴＡ、繰り返し回数Ｎおよび実行周期ＴＰをそれぞれ入力欄１５２，１５３，１５４に入力することができる。

液面上昇時間ＴＡとは、壁面洗浄モード時に、供給タンク１０内の液面を定量レベルＬ１よりも高い壁面洗浄レベルＬ２まで上昇させるために要する時間である。液面上昇時間ＴＡを調整することにより壁面洗浄レベルＬ２を調整することができる。繰り返し回数Ｎは、壁面洗浄モード時に処理液の供給および排出を含む一連の動作の繰り返し回数である。実行周期ＴＰは、壁面洗浄モードの一連の動作を定期的に実行する場合の周期である。実行周期ＴＰで壁面洗浄モードの一連の動作が自動的に実行される。

また、操作画面１５０には、壁面洗浄モードの実行を手動で指令するための手動実行ボタン１５５が設けられる。使用者は、手動実行ボタン１５５を操作することにより任意の時点で制御部１４に壁面洗浄モードの制御を開始させることができる。

壁面洗浄モードの動作が実行される場合、図１の操作パネル１５には、図５の報知画面１６０が表示される。報知画面１６０には、壁面洗浄モードの動作が実行中であることが表示される。

（６）壁面洗浄モード時の動作
以下に説明するように、壁面洗浄モード時には、供給タンク１０内の液面が定量レベルＬ１よりも高い壁面洗浄レベルＬ２まで上昇するように供給タンク１０内への処理液の補充および供給タンク１０内からの処理液の排出が制御される。

図６および図７は、壁面洗浄モード時の動作を示すフローチャートである。図８は、壁面洗浄モード時の各部の状態の遷移を示すタイミングチャートである。図８には、壁面洗浄モードにおける供給弁Ｖ１、排液弁Ｖ２、定量センサＳＬ１およびポンプ１３の状態ならびに供給タンク１０内の液面の時間的変化が示される。ここでは、壁面洗浄モードの動作の開始時には、供給タンク１０内の処理液の液面は第２下限レベルＬＬ２にあるものとする。また、第１の薬液弁Ｖ１１および第２の薬液弁Ｖ１２は開いているものとする。

まず、図６に示すように、制御部１４は、洗浄回数ｎを０に設定する（ステップＳ１）。次に、制御部１４は供給弁Ｖ１を開く（ステップＳ２）。図８の例では、時点ｔ１において供給弁Ｖ１が開く。それにより、供給タンク１０内に処理液が補充され、供給タンク１０内の液面が時間の経過とともに上昇する。

制御部１４は、定量センサＳＬ１がオンしたか否かを判定する（ステップＳ３）。定量センサＳＬ１がオンしていない場合には、制御部１４は、ステップＳ３の判定を繰り返す。

制御部１４は、定量センサＳＬ１がオンすると、排液弁Ｖ２を開く（ステップＳ４）。図８の例では、時点ｔ２で定量センサＳＬ１がオンし、排液弁Ｖ２が開く。それにより、供給タンク１０内の液面が低下するので、時点ｔ３で定量センサＳＬ１がオフする。この場合、供給タンク１０内には供給弁Ｖ１を通して処理液が補充されつつ排液弁Ｖ２を通して供給タンク１０から処理液が排出される。それにより、配管Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１，Ｐ２内に滞留していた処理液が排出される。

制御部１４は、予め定められた配管液抜き時間ＴＢが経過したか否かを判定する（ステップＳ５）。制御部１４は、配管液抜き時間ＴＢが経過していない場合、ステップＳ５の判定を繰り返す。

制御部１４は、配管液抜き時間ＴＢが経過すると、排液弁Ｖ２を閉じる（ステップＳ６）。図８の例では、時点ｔ４で配管液抜き時間ＴＢが経過し、排液弁Ｖ２が閉じる。それにより、供給タンク１０内に供給弁Ｖ１を通して処理液が補充されるので、供給タンク１０内の処理液の液面が上昇する。

制御部１４は、定量センサＳＬ１がオンしたか否かを判定する（ステップＳ７）。定量センサＳＬ１がオンしていない場合には、制御部１４は、ステップＳ７の判定を繰り返す。

制御部１４は、定量センサＳＬ１がオンすると、液面上昇時間ＴＡが経過したか否かを判定する（ステップＳ８）。液面上昇時間ＴＡが経過していない場合、制御部１４は、ステップＳ８の判定を繰り返す。図８の例では、時点ｔ５で定量センサＳＬ１がオンする。その後、時点ｔ６で液面上昇時間ＴＡが経過する。それにより、供給タンク１０内の液面が、図２に太い一点鎖線で示すように、定量レベルＬ１よりも高い壁面洗浄レベルＬ２まで上昇する。このとき、供給タンク１０の内壁面の定量レベルＬ１付近に付着した汚染物質は、上昇する液面により内壁面から除去される。

制御部１４は、液面上昇時間ＴＡが経過すると供給弁Ｖ１を閉じる（ステップＳ９）。それにより、供給タンク１０内の処理液の液面が壁面洗浄レベルＬ２で維持される。また、制御部１４は、ポンプ１３をオンする（ステップＳ１０）。それにより、処理液が配管Ｐ３，Ｐ４および供給タンク１０を循環する。図８の例では、時点ｔ６で供給弁Ｖ１が閉じるとともに、ポンプ１３がオンする。

制御部１４は、予め定められた循環時間ＴＣが経過したか否かを判定する（ステップＳ１１）。循環時間ＴＣが経過していない場合、制御部１４は、ステップＳ１１の判定を繰り返す。

制御部１４は、循環時間ＴＣが経過すると、ポンプ１３をオフにする（ステップＳ１２）。また、制御部１４は、排液弁Ｖ２を開く（ステップＳ１３）。図８の例では、時点ｔ７で循環時間ＴＣが経過し、ポンプ１３がオフするとともに排液弁Ｖ２が開く。それにより、供給タンク１０内の処理液が排液弁Ｖ２を通して排出される。したがって、供給タンク１０内の液面が低下する。図８の例では、時点ｔ８で供給タンク１０内の液面が定量レベルＬ１まで低下し、定量センサＳＬ１がオフする。

制御部１４は、第２下限センサＳＬＬ２がオフしたか否かを判定する（ステップＳ１４）。第２下限センサＳＬＬ２がオフしていない場合、制御部１４は、ステップＳ１４の判定を繰り返す。

制御部１４は、第２下限センサＳＬＬ２がオフすると、排液弁Ｖ２を閉じる（ステップＳ１５）。図８の例では、時点ｔ９で供給タンク１０の液面が第２下限レベルＬＬ２まで低下し、排液弁Ｖ２が閉じる。時点ｔ１から時点ｔ９までの期間で１回の壁面洗浄モードの動作が終了する。

制御部１４は、洗浄回数ｎに１を加算する（ステップＳ１６）。ここで、洗浄回数ｎが図４の操作画面１５０の入力欄１５３において入力された繰り返し回数Ｎより大きいか否かを判定する（ステップＳ１７）。制御部１４は、洗浄回数ｎが繰り返し回数Ｎ以下の場合、ステップＳ２に戻り、ステップＳ２～Ｓ１７の処理を繰り返す。制御部１４は、洗浄回数ｎが繰り返し回数Ｎより大きい場合、壁面洗浄モードの動作を終了する。

（７）効果
本実施の形態に係る処理液供給装置１の壁面洗浄モードにおいては、供給タンク１０の定量レベルＬ１よりも高い壁面洗浄レベルＬ２まで処理液が補充される。この場合、供給タンク１０の内壁面の定量レベルＬ１付近に付着した汚染物質が上昇する処理液の液面により除去される。したがって、供給タンク１０内の構成を複雑化することなく供給タンク１０の内壁面を洗浄することが可能になる。

また、定量センサＳＬ１による処理液の液面の検出時から液面上昇時間ＴＡの経過後まで処理液の補充を継続することにより処理液の液面が壁面洗浄レベルＬ２まで上昇する。したがって、簡単な制御により壁面洗浄モード時に処理液の液面を壁面洗浄レベルＬ２まで上昇させることができる。

さらに、液面上昇時間ＴＡを調整することにより壁面洗浄レベルＬ２を調整することができる。したがって、汚染物質の種類および付着位置に応じて液面上昇時間ＴＡを調整することができる。その結果、確実かつ容易に供給タンク１０の内壁面に付着した汚染物質を除去することができる。

また、供給タンク１０の壁面洗浄レベルＬ２まで処理液が補充された後、供給タンク１０内の汚染物質を含む処理液が排出される。それにより、壁面洗浄モードが実行された後の供給タンク１０内には清浄な処理液が貯留される。

さらに、壁面洗浄モード時に操作パネル１５に報知画面１６０が表示される。それにより、使用者は、処理液供給装置１が壁面洗浄モードで動作していることを容易に把握することができる。

（８）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、液面上昇時間ＴＡを調整することにより壁面洗浄レベルＬ２が調整されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、処理液供給装置１に十分な空間がある場合、予め定められた壁面洗浄レベルＬ２に達した処理液の液面を検出する壁面洗浄センサが設けられてもよい。この場合、壁面洗浄モードにおいて壁面洗浄センサが処理液を検出すると供給タンク１０内への処理液の補充が停止される。

（ｂ）上記実施の形態においては、壁面洗浄モードにおける液面上昇時間ＴＡが調整可能であるが、本発明はこれに限定されない。例えば、汚染物質の種類および付着位置がほぼ一定である場合、液面上昇時間ＴＡが固定されてもよい。

（ｃ）上記実施の形態においては、壁面洗浄モード時に処理液は供給タンク１０の壁面洗浄レベルＬ２まで補充された後、供給タンク１０内の汚染物質を含む処理液が排出されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、配管Ｐ３、Ｐ５またはＰ６のうち少なくとも一つに処理液内の汚染物質を回収するフィルタ等が設けられる場合、供給タンク１０内の処理液は、排出されなくてもよい。

（ｄ）上記実施の形態において、操作パネル１５に報知画面１６０が表示されることにより処理液供給装置１が壁面洗浄モードで動作していることが報知されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、処理液供給装置１が壁面洗浄モードで動作していることをランプ等の点灯により報知してもよく、音により報知してもよい。

（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態においては、基板処理装置２が基板処理部の例であり、供給弁Ｖ１が処理液補充部の例であり、定量レベルＬ１が第１のレベルの例であり、壁面洗浄レベルＬ２が第２のレベルの例であり、定量センサＳＬ１が検出器の例である。また、液面上昇時間ＴＡが追加時間の例であり、排液弁Ｖ２が処理液排出部の例であり、繰り返し回数Ｎが設定された回数の例であり、操作パネル１５が操作部の例であり、報知画面１６０が報知部の例である。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の構成を用いることもできる。

１…処理液供給装置，２…基板処理装置，１０…供給タンク，１０ａ，１０ｄ…液入口，１０ｂ，１０ｃ…液出口，１１…排液槽，１２…温調器，１３…ポンプ，１４…制御部，１５…操作パネル，２１…処理ユニット，２２…基板保持部，２３…ノズル，２４…制御部，３１，３２…薬液供給源，３３…純水供給源，１００…基板処理システム，１５０…操作画面，１５１…選択欄，１５２～１５４…入力欄，１５５…手動実行ボタン，１６０…報知画面，Ｌ１…定量レベル，Ｌ２…壁面洗浄レベル，ＬＬ１…第１下限レベル，ＬＬ２…第２下限レベル，ＬＵ…上限レベル，Ｎ …繰り返し回数，Ｐ１～Ｐ６…配管，Ｐ１１～Ｐ１３…配管，ＳＬ１…定量センサ，ＳＬＬ１…第１下限センサ，ＳＬＬ２…第２下限センサ，ＳＬＵ…上限センサ，ＴＡ…液面上昇時間，ＴＢ…配管液抜き時間，ＴＣ…循環時間，ＴＰ…実行周期，Ｖ１…供給弁，Ｖ２…排液弁，Ｖ３…循環弁，Ｖ１１…第１の薬液弁，Ｖ１２…第２の薬液弁，Ｖ１３…純水弁，Ｗ…基板

Claims (14)

1. 基板に処理を行う基板処理部に処理液を供給する処理液供給装置であって、
   処理液を貯留する供給タンクと、
   前記供給タンクに処理液を補充する処理液補充部と、
   前記処理液補充部を制御する制御部とを備え、
   前記制御部は、前記基板処理部に前記供給タンクの処理液を供給する通常処理モード時に、前記供給タンクの第１のレベルまで処理液を補充するように前記処理液補充部を制御し、前記供給タンクの内壁面を洗浄する壁面洗浄モード時に、前記供給タンクの前記第１のレベルよりも高い第２のレベルまで処理液を補充するように前記処理液補充部を制御し、
   前記供給タンク内の液面が前記第１のレベルに達したことを検出する検出器をさらに備え、
   前記制御部は、前記通常処理モード時に、前記検出器による前記液面の検出に応答して、前記処理液補充部による処理液の補充を停止させ、前記壁面洗浄モード時に、前記検出器による前記液面の検出時から予め定められた追加時間の経過後に前記処理液補充部による処理液の補充を停止させることにより前記供給タンクの前記第２のレベルまで処理液を補充する、処理液供給装置。
2. 前記制御部は、前記壁面洗浄モードにおける前記追加時間を調整可能に構成される、請求項１記載の処理液供給装置。
3. 前記供給タンク内の処理液を排出する処理液排出部をさらに備え、
   前記制御部は、前記壁面洗浄モード時に、前記供給タンクの前記第２のレベルまで処理液が補充された後、前記供給タンク内の処理液を排出するように、前記処理液排出部を制御する、請求項１または２記載の処理液供給装置。
4. 前記制御部は、前記壁面洗浄モード時の前記供給タンクへの前記処理液の補充および前記供給タンクからの処理液の排出を設定された回数繰り返すように構成される、請求項３記載の処理液供給装置。
5. 前記制御部は、設定された実行タイミングで前記壁面洗浄モード時の制御を実行するように構成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
6. 前記壁面洗浄モードの実行の指令を受け付ける操作部をさらに備え、
   前記制御部は、前記操作部が前記壁面洗浄モードの実行の指令を受け付けた時に前記壁面洗浄モードを実行するように構成される、請求項１～５のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
7. 前記壁面洗浄モード時の制御の実行中であることを報知する報知部をさらに備えた、請求項１～６のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
8. 基板処理部に供給タンクの処理液を供給する通常処理モード時に、処理液補充部により前記供給タンクの第１のレベルまで処理液を補充するステップと、
   前記供給タンクの内壁面を洗浄する壁面洗浄モード時に、前記処理液補充部により前記供給タンクの前記第１のレベルよりも高い第２のレベルまで処理液を補充するステップとを含み、
   前記通常処理モード時に、前記処理液補充部により前記供給タンクの前記第１のレベルまで処理液を補充するステップは、
   検出器により前記供給タンク内の液面が前記第１のレベルに達したことを検出することと、
   前記検出器による前記液面の検出に応答して、前記処理液補充部による処理液の補充を停止することを含み、
   前記壁面洗浄モード時に、前記処理液補充部により前記供給タンクの前記第２のレベルまで処理液を補充するステップは、
   前記検出器による処理液の前記液面の検出時から予め定められた追加時間の経過後に前記処理液補充部による処理液の補充を停止させることにより前記供給タンクの前記第２のレベルまで処理液を補充することを含む、供給タンク洗浄方法。
9. 前記壁面洗浄モードにおける前記追加時間を調整するステップをさらに含む、請求項８記載の供給タンク洗浄方法。
10. 前記壁面洗浄モード時に、前記供給タンクの前記第２のレベルまで処理液が補充された後、処理液排出部により前記供給タンク内の処理液を排出させるステップをさらに含む、請求項８または９記載の供給タンク洗浄方法。
11. 前記壁面洗浄モード時の前記供給タンクへの前記処理液の補充および前記供給タンクからの処理液の排出を設定された回数繰り返すステップをさらに含む、請求項１０記載の供給タンク洗浄方法。
12. 設定された実行タイミングで前記壁面洗浄モード時の制御を実行するステップをさらに含む、請求項８～１０のいずれか一項に記載の供給タンク洗浄方法。
13. 操作部が前記壁面洗浄モードの実行の指令を受け付けたときに前記壁面洗浄モードを実行するステップをさらに含む、請求項８～１２のいずれか一項に記載の供給タンク洗浄方法。
14. 報知部により前記壁面洗浄モード時の制御の実行中であることを報知するステップをさらに含む、請求項８～１３のいずれか一項に記載の供給タンク洗浄方法。

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