JP7489532B2 - Optical semiconductor element encapsulation sheet - Google Patents

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Description

本発明は、光半導体素子封止用シートに関する。より詳細には、本発明は、ミニ/マイクロLED等の自発光型表示装置の光半導体素子の封止に適するシートに関する。 The present invention relates to a sheet for sealing optical semiconductor elements. More specifically, the present invention relates to a sheet suitable for sealing optical semiconductor elements of self-luminous display devices such as mini/micro LEDs.

近年、次世代型の表示装置として、ミニ/マイクロLED表示装置(Mini/Micro Light Emitting Diode Display)に代表される自発光型表示装置が考案されている。ミニ/マイクロLED表示装置は、基本構成として、多数の微小な光半導体素子(LEDチップ)が高密度に配列された基板が表示パネルとして使用され、当該光半導体素子は封止材で封止され、最表層に樹脂フィルムやガラス板などのカバー部材が積層されるものである。 In recent years, self-emitting display devices, such as mini/micro LED display devices (Mini/Micro Light Emitting Diode Displays), have been devised as next-generation display devices. In the basic configuration of a mini/micro LED display device, a substrate on which numerous tiny optical semiconductor elements (LED chips) are densely arranged is used as the display panel, and the optical semiconductor elements are sealed with a sealant, with a cover member such as a resin film or glass plate laminated on the outermost layer.

バックライト等の自発光型表示装置を用いたディスプレイでは、光半導体素子の光源に起因して明るさにムラ(輝度ムラ)が生じるという問題があった。特許文献1には、輝度ムラを抑制することができる粘着シートとして、光拡散微粒子を含有する光拡散粘着剤層と、光拡散微粒子を含有しない透明粘着剤層とを備えた複合型粘着剤層を有しており、上記光拡散粘着剤層および上記透明粘着剤層の少なくとも一層が活性エネルギー線硬化性粘着剤からなる粘着シートが開示されている。 Displays using self-luminous display devices such as backlights have a problem of uneven brightness (brightness unevenness) caused by the light source of an optical semiconductor element. Patent Document 1 discloses an adhesive sheet that can suppress brightness unevenness, which has a composite adhesive layer that includes a light-diffusing adhesive layer containing light-diffusing microparticles and a transparent adhesive layer that does not contain light-diffusing microparticles, and at least one layer of the light-diffusing adhesive layer and the transparent adhesive layer is made of an active energy ray-curable adhesive.

特開2021-38365号公報JP 2021-38365 A

しかしながら、特許文献1に開示の粘着シートは光拡散粘着剤層により光拡散機能を発揮する一方、粘着シートに入射した光は光拡散粘着剤層内で反射することで層内に閉じ込められ、層から光が放出されにくく粘着シートの光取り出し効率が低い。このため、光半導体素子を封止する用途に上記粘着シートを使用した場合の輝度が不充分であるという問題があった。 However, while the adhesive sheet disclosed in Patent Document 1 exhibits a light diffusing function due to the light diffusing adhesive layer, the light incident on the adhesive sheet is reflected within the light diffusing adhesive layer and is trapped within the layer, making it difficult for the light to escape from the layer, and the light extraction efficiency of the adhesive sheet is low. For this reason, there is a problem in that the brightness is insufficient when the above adhesive sheet is used for sealing optical semiconductor elements.

本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、光拡散性に優れ、且つ光取り出し効率に優れる光半導体素子封止用シートを提供することにある。 The present invention was conceived under these circumstances, and its purpose is to provide a sheet for encapsulating optical semiconductor elements that has excellent light diffusion properties and excellent light extraction efficiency.

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、光拡散層を備える光半導体素子封止用シートの、機能層を積層した状態において両側から測定したL*(SCE)の差、a*(SCE)の差、およびb*(SCE)の差が±5よりも小さい光半導体素子封止用シートによれば、光拡散性に優れ、且つ光取り出し効率に優れることを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。 As a result of intensive research to achieve the above object, the present inventors have found that a sheet for encapsulating optical semiconductor elements having a light diffusion layer, in which the difference in L * (SCE), a * (SCE), and b * (SCE) measured from both sides in a state in which a functional layer is laminated thereon, is less than ±5, has excellent light diffusion properties and excellent light extraction efficiency. The present invention has been completed based on these findings.

すなわち、本発明は、基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止するためのシートであって、
上記シートは、光拡散層と反射防止層とを含む封止部を備え、
上記シートの片面に機能層を積層した状態において、上記機能層側から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL***(SCE)におけるL*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)をそれぞれL* 1、a* 1、b* 1とし、上記シート側から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL***(SCE)におけるL*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)をそれぞれL* 2、a* 2、b* 2としたとき、上記L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2、およびb* 2はそれぞれ下記式(1)~(3)を満たす値である、光半導体素子封止用シートを提供する。
-5<L* 1-L* 2<5 (1)
-5<a* 1-a* 2<5 (2)
-5<b* 1-b* 2<5 (3)
That is, the present invention provides a sheet for encapsulating one or more optical semiconductor elements disposed on a substrate, comprising:
The sheet includes a sealing portion including a light diffusing layer and an anti-reflection layer,
The present invention provides a sheet for encapsulating optical semiconductor elements, in which when a functional layer is laminated on one side of the sheet, L * (SCE), a * (SCE) and b * (SCE) in L*a * b * (SCE ) when measured at a 10° visual field from the functional layer side under light source D65 conditions are L * 1 , a * 1 and b * 1 , respectively, and L * (SCE), a * (SCE) and b * (SCE) in L * a * b * (SCE) when measured at a 10° visual field from the sheet side under light source D65 conditions are L * 2 , a * 2 and b * 2 , respectively, and L * 1 , a * 1 , b * 1 , L * 2 , a * 2 and b * 2 are values that respectively satisfy the following formulas (1) to (3).
−5<L * 1 −L * 2 <5 (1)
-5 < a * 1 - a * 2 < 5 (2)
-5 < b * 1 - b * 2 < 5 (3)

上記光半導体素子封止用シートは、封止部が光拡散層を備えることにより光拡散性に優れる。また、封止部が反射防止層を備えることにより、例えば消灯時において上記金属配線等による光の反射を抑制し、画面の見栄えが良く意匠性に優れる。また、上記光半導体素子封止用シートは機能層が積層されて使用されることが多い。このため、機能層を積層した光半導体素子封止用シートにおいて、上記L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2、およびb* 2がそれぞれ上記式(1)~(3)を満たす値であること、すなわち両側から測定したL*(SCE)の差、a*(SCE)の差、およびb*(SCE)の差が±5よりも小さいことにより、光半導体素子が発する光と視認者が光半導体素子封止用シートを介して視認する光との明るさや色調が同程度となるため、光半導体素子封止用シートの光取り出し効率および光拡散性が良好となる。 The optical semiconductor element encapsulation sheet has excellent light diffusion properties because the encapsulation portion has a light diffusion layer. In addition, the encapsulation portion has an anti-reflection layer, which suppresses light reflection by the metal wiring or the like when the light is turned off, and the screen looks good and has excellent design. In addition, the optical semiconductor element encapsulation sheet is often used with a functional layer laminated thereon. For this reason, in the optical semiconductor element encapsulation sheet having a functional layer laminated thereon, the L * 1 , a * 1 , b * 1 , L * 2 , a * 2 , and b * 2 are values that satisfy the above formulas (1) to (3), that is, the difference between L * (SCE), the difference between a * (SCE), and the difference between b * (SCE) measured from both sides are less than ±5, so that the brightness and color tone of the light emitted by the optical semiconductor element and the light visually recognized by the viewer through the optical semiconductor element encapsulation sheet are comparable, and the light extraction efficiency and light diffusion of the optical semiconductor element encapsulation sheet are good.

上記光半導体素子封止用シートは、その片面に上記機能層を積層した状態の上記機能層側から測定される全光線透過率が2~30%であることが好ましい。上記全光線透過率が2%以上であることにより、光取り出し効率に優れ、光半導体装置の輝度をより確保することができる。上記全光線透過率が30%以下であることにより、光半導体装置における金属配線などの反射防止機能、コントラストをより向上させることができる。 The optical semiconductor element encapsulation sheet preferably has a total light transmittance of 2 to 30% measured from the functional layer side with the functional layer laminated on one side of the sheet. When the total light transmittance is 2% or more, the light extraction efficiency is excellent and the brightness of the optical semiconductor device can be further ensured. When the total light transmittance is 30% or less, the anti-reflection function and contrast of metal wiring and the like in the optical semiconductor device can be further improved.

上記封止部は、上記光拡散層と、上記反射防止層と、上記光拡散層または光拡散機能を発揮することを目的としない無色透明層とをこの順に有することが好ましい。このような構成を有することにより、両側から測定したL*(SCE)の差、a*(SCE)の差、およびb*(SCE)の差をより小さくすることができ、光半導体装置の輝度をより高くすることができる。 The encapsulation part preferably has the light diffusion layer, the antireflection layer, and the light diffusion layer or a colorless transparent layer not intended to exhibit a light diffusion function, in this order. By having such a configuration, the difference in L * (SCE), the difference in a * (SCE), and the difference in b * (SCE) measured from both sides can be made smaller, and the brightness of the optical semiconductor device can be made higher.

上記光拡散層は屈折率1.4~1.7の光拡散剤を含むことが好ましい。このような構成を有することにより、両側から測定したL*(SCE)の差、a*(SCE)の差、およびb*(SCE)の差をより小さくすることができ、光半導体装置の輝度をより高くすることができる。また、光半導体素子封止用シートの光拡散性にも優れる。 The light diffusion layer preferably contains a light diffusing agent having a refractive index of 1.4 to 1.7. With such a configuration, the difference in L * (SCE), a * (SCE), and b * (SCE) measured from both sides can be made smaller, and the brightness of the optical semiconductor device can be made higher. In addition, the optical semiconductor element encapsulation sheet has excellent light diffusing properties.

上記光拡散剤はシリコーン樹脂で構成されることが好ましい。このような構成を有することにより、光拡散層の光取り出し効率をより高くし、光半導体装置の輝度をより高くすることができる。また、光半導体素子封止用シートの光拡散性にも優れる。 The light diffusing agent is preferably composed of a silicone resin. This composition can increase the light extraction efficiency of the light diffusing layer and increase the brightness of the optical semiconductor device. In addition, the sheet for sealing optical semiconductor elements has excellent light diffusing properties.

上記機能層は表面処理層を含むことが好ましい。このような構成を有することにより、表面処理層を含む機能層が積層された光半導体素子封止用シートの光拡散性に優れ、且つ光取り出し効率に優れる。 The functional layer preferably includes a surface treatment layer. With this configuration, the sheet for encapsulating optical semiconductor elements having the functional layer including the surface treatment layer laminated thereon has excellent light diffusion properties and excellent light extraction efficiency.

また、本発明は、基板と、上記基板上に配置された光半導体素子と、上記封止部により上記光半導体素子を封止する上記光半導体素子封止用シートと、を備える光半導体装置を提供する。このような光半導体装置は、意匠性に優れ、輝度が高く、且つ輝度ムラが起こりにくい。 The present invention also provides an optical semiconductor device comprising a substrate, an optical semiconductor element disposed on the substrate, and the sheet for sealing an optical semiconductor element, which seals the optical semiconductor element with the sealing portion. Such an optical semiconductor device has excellent design, high brightness, and is less prone to uneven brightness.

上記光半導体装置は自発光型表示装置であることが好ましい。 The optical semiconductor device is preferably a self-luminous display device.

また、本発明は、上記自発光型表示装置を備える画像表示装置を提供する。 The present invention also provides an image display device that includes the above-mentioned self-luminous display device.

本発明の光半導体素子封止用シートは、光拡散性に優れ、且つ光取り出し効率に優れる。このため、本発明の光半導体素子封止用シートによれば、光半導体素子を封止した状態において意匠性に優れ、輝度が高く、且つ輝度ムラが起こりにくい。そして、本発明の光半導体素子封止用シートを使用することで、光半導体素子の非点灯時において見栄えが良く、且つ、光半導体素子の点灯時において光半導体素子から発せられた光を効率的に拡散させた状態で通過させることができる光半導体装置を提供することができる。 The sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention has excellent light diffusion properties and excellent light extraction efficiency. Therefore, the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention has excellent design properties, high brightness, and is less likely to cause uneven brightness when the optical semiconductor elements are encapsulated. By using the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention, it is possible to provide an optical semiconductor device that looks good when the optical semiconductor elements are not lit, and that allows the light emitted from the optical semiconductor elements to pass through in an efficiently diffused state when the optical semiconductor elements are lit.

本発明の一実施形態に係る光半導体素子封止用シートの断面図である。1 is a cross-sectional view of a sheet for encapsulating an optical semiconductor element according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る光半導体素子封止用シートを用いた光半導体装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of an optical semiconductor device using a sheet for encapsulating an optical semiconductor element according to one embodiment of the present invention. 図2に示す光半導体装置がタイリングして作製された光半導体装置の一実施形態を示す外観図である。3 is an external view showing one embodiment of an optical semiconductor device produced by tiling the optical semiconductor device shown in FIG. 2. 光半導体装置の製造方法の一実施形態における封止工程の様子を示す断面図を表す。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a sealing step in one embodiment of a method for manufacturing an optical semiconductor device. 図4に示す封止工程後に得られる積層体を示す断面図を表す。5 shows a cross-sectional view of a laminate obtained after the sealing step shown in FIG. 4 . 図5に示す積層体のダイシング工程におけるダイシング位置を示す断面図を表す。6 is a cross-sectional view showing a dicing position in a dicing step of the stack shown in FIG. 5 .

[光半導体素子封止用シート]
本発明の光半導体素子封止用シートは、光拡散層と反射防止層とを含む封止部を少なくとも備える。上記光拡散層および上記反射防止層は互いに異なる層であり、上記封止部は光拡散層および反射防止層の少なくとも2層を含む。なお、本明細書において、光半導体素子封止用シートとは、基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止部により封止するためのシートをいうものとする。また、本明細書において、「光半導体素子を封止する」とは、光半導体素子の少なくとも一部を封止部内に埋め込むこと、または、上記封止部により追従し被覆することをいう。上記封止部は、光半導体素子の少なくとも一部を埋め込む、または、上記封止部により追従し被覆することが可能な柔軟性を有する。
[Optical semiconductor element encapsulation sheet]
The sheet for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention includes at least an encapsulation portion including a light diffusion layer and an antireflection layer. The light diffusion layer and the antireflection layer are different layers, and the encapsulation portion includes at least two layers, a light diffusion layer and an antireflection layer. In this specification, the sheet for encapsulating an optical semiconductor element refers to a sheet for encapsulating one or more optical semiconductor elements arranged on a substrate with an encapsulation portion. In this specification, "encapsulating an optical semiconductor element" refers to embedding at least a part of the optical semiconductor element in the encapsulation portion, or following and covering the optical semiconductor element with the encapsulation portion. The encapsulation portion has flexibility that allows embedding at least a part of the optical semiconductor element, or following and covering the optical semiconductor element with the encapsulation portion.

上記反射防止層は光半導体装置において光半導体素子が発する光の反射を抑制する機能を有する。上記反射防止層を備えることにより、例えば表示装置において消灯時に金属配線等による光の反射を抑制し画面の見栄えが良く意匠性に優れることとすることができる。上記反射防止層は上記封止部内において単層であってもよく複層であってもよい。 The anti-reflection layer has a function of suppressing reflection of light emitted by an optical semiconductor element in an optical semiconductor device. By providing the anti-reflection layer, for example, in a display device, reflection of light caused by metal wiring or the like can be suppressed when the light is turned off, resulting in a good-looking screen with excellent design. The anti-reflection layer may be a single layer or multiple layers within the sealing portion.

上記光拡散層は光を拡散する機能を発揮する。上記光拡散層を備えることにより、光半導体装置において輝度ムラを抑制することができる。上記光拡散層は上記封止部内において単層であってもよく複層であってもよい。 The light diffusion layer exhibits the function of diffusing light. By providing the light diffusion layer, it is possible to suppress uneven brightness in the optical semiconductor device. The light diffusion layer may be a single layer or multiple layers within the sealing portion.

上記封止部は、上記反射防止層および上記光拡散層以外のその他の層を備えていてもよい。上記その他の層としては、光拡散機能を発揮することを目的としない無色透明層(非光拡散層)が挙げられる。 The sealing portion may have layers other than the anti-reflection layer and the light diffusion layer. Examples of the other layers include a colorless transparent layer (non-light diffusion layer) that is not intended to exhibit a light diffusion function.

上記封止部は、上記光半導体素子に接触する第一封止層を少なくとも備える。上記封止部は、さらに、上記第一封止層に積層された第二封止層を備えることが好ましく、上記第二封止層に積層された第三封止層をさらに備えることがより好ましい。この場合、上記第一封止層、上記第二封止層、および上記第三封止層のうち、少なくとも一層が上記反射防止層であり、他の少なくとも一層が上記光拡散層である。中でも、上記第一封止層、上記第二封止層、および上記第三封止層のうち、一層が上記光拡散層、他の一層が上記反射防止層、残りの一層が上記光拡散層または上記非光拡散層であることが好ましい。上記封止部において、上記反射防止層および上記光拡散層の積層位置は特に限定されない。上記光半導体素子封止用シートにおいて、第一封止層および第二封止層、第二封止層および第三封止層は、それぞれ、直接積層していることが好ましい。 The sealing portion includes at least a first sealing layer that contacts the optical semiconductor element. The sealing portion preferably further includes a second sealing layer laminated on the first sealing layer, and more preferably includes a third sealing layer laminated on the second sealing layer. In this case, at least one layer of the first sealing layer, the second sealing layer, and the third sealing layer is the anti-reflection layer, and at least one other layer is the light diffusion layer. Among them, it is preferable that one layer of the first sealing layer, the second sealing layer, and the third sealing layer is the light diffusion layer, the other layer is the anti-reflection layer, and the remaining layer is the light diffusion layer or the non-light diffusion layer. In the sealing portion, the lamination positions of the anti-reflection layer and the light diffusion layer are not particularly limited. In the sheet for sealing an optical semiconductor element, it is preferable that the first sealing layer and the second sealing layer, and the second sealing layer and the third sealing layer are directly laminated, respectively.

第一封止層、第二封止層、および第三封止層の積層構造[第一封止層/第二封止層/第三封止層]としては、[光拡散層/反射防止層/非光拡散層]、[非光拡散層/反射防止層/光拡散層]、[光拡散層/反射防止層/光拡散層]、[非光拡散層/光拡散層/反射防止層]、[光拡散層/非光拡散層/反射防止層]、[光拡散層/光拡散層/反射防止層]、[光拡散層/反射防止層/反射防止層]、[反射防止層/光拡散層/非光拡散層]、[反射防止層/非光拡散層/光拡散層]、[反射防止層/光拡散層/光拡散層]、[反射防止層/光拡散層/反射防止層]、[反射防止層/反射防止層/光拡散層]などが挙げられる。 Examples of the laminated structure of the first sealing layer, second sealing layer, and third sealing layer [first sealing layer/second sealing layer/third sealing layer] include [light diffusion layer/anti-reflection layer/non-light diffusion layer], [non-light diffusion layer/anti-reflection layer/light diffusion layer], [light diffusion layer/anti-reflection layer/light diffusion layer], [non-light diffusion layer/light diffusion layer/anti-reflection layer], [light diffusion layer/non-light diffusion layer/anti-reflection layer], [light diffusion layer/light diffusion layer/anti-reflection layer], [light diffusion layer/anti-reflection layer/anti-reflection layer], [light diffusion layer/anti-reflection layer/anti-reflection layer], [anti-reflection layer/light diffusion layer/non-light diffusion layer], [anti-reflection layer/non-light diffusion layer/light diffusion layer], [anti-reflection layer/light diffusion layer/light diffusion layer], [anti-reflection layer/light diffusion layer/anti-reflection layer], and [anti-reflection layer/anti-reflection layer/light diffusion layer].

中でも、第二封止層および/または第三封止層が反射防止層であることが好ましく、第二封止層が反射防止層であることがより好ましい。第二封止層が反射防止層である場合、第三封止層は反射防止層、光拡散層、および非光拡散層のいずれであってもよいが、光拡散層または非光拡散層であることが好ましい。第三封止層が光拡散層または非光拡散層である場合、第一封止層および/または第三封止層は光拡散層であることが好ましい。中でも、第一封止層および第三封止層の一方が光拡散層であり他方が非光拡散層であることが好ましく、第一封止層が光拡散層であることがより好ましく、第一封止層が光拡散層であり第三封止層が非光拡散層であることがさらに好ましい。これらの場合、輝度ムラの抑制効果と意匠性とがより優れる傾向がある。 Among these, it is preferable that the second sealing layer and/or the third sealing layer is an anti-reflective layer, and it is more preferable that the second sealing layer is an anti-reflective layer. When the second sealing layer is an anti-reflective layer, the third sealing layer may be any of an anti-reflective layer, a light diffusion layer, and a non-light diffusion layer, but it is preferable that it is a light diffusion layer or a non-light diffusion layer. When the third sealing layer is a light diffusion layer or a non-light diffusion layer, it is preferable that the first sealing layer and/or the third sealing layer is a light diffusion layer. Among these, it is preferable that one of the first sealing layer and the third sealing layer is a light diffusion layer and the other is a non-light diffusion layer, it is more preferable that the first sealing layer is a light diffusion layer, and it is even more preferable that the first sealing layer is a light diffusion layer and the third sealing layer is a non-light diffusion layer. In these cases, the effect of suppressing uneven brightness and the design tend to be more excellent.

上記積層構造[第一封止層/第二封止層/第三封止層]としては、中でも、[光拡散層/反射防止層/非光拡散層]、[非光拡散層/反射防止層/光拡散層]、[光拡散層/反射防止層/光拡散層]、[非光拡散層/光拡散/反射防止層]、[光拡散層/非光拡散層/反射防止層]が好ましい。 As the above-mentioned laminated structure [first sealing layer/second sealing layer/third sealing layer], among others, [light diffusion layer/anti-reflection layer/non-light diffusion layer], [non-light diffusion layer/anti-reflection layer/light diffusion layer], [light diffusion layer/anti-reflection layer/light diffusion layer], [non-light diffusion layer/light diffusion/anti-reflection layer], and [light diffusion layer/non-light diffusion layer/anti-reflection layer] are preferable.

上記封止部は、特に、上記光拡散層と、上記反射防止層と、上記光拡散層または上記非光拡散層とをこの順に有することが好ましい。このような構成を有すると、両側から測定したL*(SCE)の差、a*(SCE)の差、およびb*(SCE)の差をより小さくすることができ、光半導体装置の輝度をより高くすることができる。このような積層構造[第一封止層/第二封止層/第三封止層]としては、[光拡散層/反射防止層/非光拡散層]、[非光拡散層/反射防止層/光拡散層]、[光拡散層/反射防止層/光拡散層]が挙げられる。 The sealing part preferably has the light diffusion layer, the antireflection layer, and the light diffusion layer or the non-light diffusion layer in this order. With such a configuration, the difference in L * (SCE), the difference in a * (SCE), and the difference in b * (SCE) measured from both sides can be made smaller, and the brightness of the optical semiconductor device can be made higher. Examples of such a laminated structure [first sealing layer/second sealing layer/third sealing layer] include [light diffusion layer/antireflection layer/non-light diffusion layer], [non-light diffusion layer/antireflection layer/light diffusion layer], and [light diffusion layer/antireflection layer/light diffusion layer].

第一封止層、第二封止層、および第三封止層は、それぞれ独立して、放射線照射により硬化する性質を有する樹脂層(放射線硬化性樹脂層)であってもよく、放射線照射により硬化する性質を有しない樹脂層(放射線非硬化性樹脂層)であってもよい。上記放射線としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはX線などが挙げられる。 The first sealing layer, the second sealing layer, and the third sealing layer may each independently be a resin layer that has the property of being cured by irradiation with radiation (radiation-curable resin layer), or a resin layer that does not have the property of being cured by irradiation with radiation (non-radiation-curable resin layer). Examples of the radiation include electron beams, ultraviolet rays, α rays, β rays, γ rays, and X-rays.

第一封止層は放射線非硬化性樹脂層であることが好ましい。このような構成を有すると、上記光半導体素子封止用シートの表面に位置する第一封止層が光半導体素子を封止した際の光半導体素子および基板に対する密着性が優れ、光半導体素子の追従性および埋め込み性に優れる。その結果、光半導体素子による段差が高い場合であっても意匠性に優れる。 The first encapsulating layer is preferably a non-radiation curable resin layer. With such a configuration, the first encapsulating layer located on the surface of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements has excellent adhesion to the optical semiconductor element and the substrate when encapsulating the optical semiconductor element, and has excellent conformability and embeddability of the optical semiconductor element. As a result, the design is excellent even when the step caused by the optical semiconductor element is high.

第二封止層および/または第三封止層は放射線硬化性樹脂層であることが好ましい。このような構成を有することにより、光半導体素子の封止後は放射線照射により第二封止層および/または第三封止層が硬化して、光半導体素子封止用シート側面の密着性が低下する。これにより、タイリング状態において隣接する光半導体装置におけるシート同士の密着性が低く、隣接した光半導体装置同士を引き離す際、シートの欠損や隣接する光半導体装置のシートの付着が起こりにくい。 The second sealing layer and/or the third sealing layer are preferably radiation-curable resin layers. With this configuration, after sealing the optical semiconductor element, the second sealing layer and/or the third sealing layer are cured by irradiation with radiation, and the adhesion of the side surface of the sheet for sealing the optical semiconductor element is reduced. As a result, the adhesion between the sheets of adjacent optical semiconductor devices in a tiling state is low, and when adjacent optical semiconductor devices are pulled apart, damage to the sheets and adhesion of the sheets of adjacent optical semiconductor devices are unlikely to occur.

第一封止層は光半導体素子を封止する際に光半導体素子に接触する側(すなわち光半導体素子を備える基板側)となる層である。第一封止層は、粘着性および/または接着性を有していてもよく、有していなくてもよい。中でも、第一封止層は、基板および光半導体素子に充分な密着力で密着して光半導体素子を充分に封止することを可能とするため、粘着性および/または接着性を有することが好ましい。 The first sealing layer is the layer that comes into contact with the optical semiconductor element when sealing the optical semiconductor element (i.e., the side of the substrate having the optical semiconductor element). The first sealing layer may or may not have adhesiveness and/or adhesion. In particular, it is preferable for the first sealing layer to have adhesiveness and/or adhesion so that it can adhere to the substrate and the optical semiconductor element with sufficient adhesion to adequately seal the optical semiconductor element.

第二封止層は、粘着性および/または接着性を有していてもよく、有していなくてもよい。中でも、粘着性および/または接着性を有することが好ましい。このような構成を有することにより、光半導体素子を封止する際、光半導体素子を容易に封止することができ、また、光半導体素子側表面に位置する第一封止層との密着性に優れ、光半導体素子の封止性により優れる。 The second sealing layer may or may not have tackiness and/or adhesiveness. In particular, it is preferable for the second sealing layer to have tackiness and/or adhesiveness. By having such a configuration, the optical semiconductor element can be easily sealed when sealing the optical semiconductor element, and the second sealing layer has excellent adhesion to the first sealing layer located on the surface of the optical semiconductor element, resulting in excellent sealing of the optical semiconductor element.

第三封止剤は粘着性および/または接着性を有していてもよく、有していなくてもよい。中でも、粘着性および/または接着性を有することが好ましい。このような構成を有することにより、第三封止層を基材部等の他の部材と積層した状態において界面の追従性に優れる。このため、上記光半導体素子封止用シートで光半導体素子を封止した状態において、第三封止層が密着あるいは接着する他の部材との隙間が生じにくく、光拡散性および光取り出し効率により優れる。また、光半導体素子を封止する際、光半導体素子を容易に封止することができ、さらに第二封止層との密着性に優れ、光半導体素子の封止性により優れる。 The third sealing agent may or may not have tackiness and/or adhesiveness. In particular, it is preferable that the third sealing agent has tackiness and/or adhesiveness. By having such a configuration, the third sealing layer has excellent interface conformity when laminated with other members such as a substrate. Therefore, when an optical semiconductor element is sealed with the above-mentioned sheet for sealing an optical semiconductor element, gaps between the third sealing layer and other members to which it is in close contact or adhered are unlikely to occur, and the light diffusion and light extraction efficiency are excellent. In addition, when sealing an optical semiconductor element, the optical semiconductor element can be easily sealed, and further, the sheet has excellent adhesion with the second sealing layer, resulting in excellent sealing of the optical semiconductor element.

本発明の光半導体素子封止用シートは、基材部の少なくとも一方の面に備えられていてもよく、はく離ライナー上のはく離処理面に形成されていてもよい。上記基材部を有しない場合は光半導体素子封止用シートの両面がはく離ライナーと接触していてもよい。はく離ライナーは上記光半導体素子封止用シートの保護材として用いられ、光半導体素子を封止する際に剥がされる。なお、基材部およびはく離ライナーは必ずしも設けられなくてもよい。 The optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention may be provided on at least one surface of a substrate, or may be formed on a release-treated surface of a release liner. When the substrate is not provided, both surfaces of the optical semiconductor element encapsulation sheet may be in contact with a release liner. The release liner is used as a protective material for the optical semiconductor element encapsulation sheet, and is peeled off when encapsulating the optical semiconductor element. The substrate and release liner are not necessarily provided.

以下、本発明の光半導体素子封止用シートの一実施形態について説明する。図1は、本発明の光半導体素子封止用シートの一実施形態を示す断面図である。図1に示すように、光半導体素子封止用シート1は、基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止するために使用することのできるものであり、基材部4と基材部4上に形成された封止部2とを備える。基材部4は、基材フィルム41および表面処理層である機能層42から構成されているが、機能層42を有さず基材フィルム41で構成されていてもよい。封止部2は、例えば、光拡散層である第一封止層21と、反射防止層である第二封止層22と、光拡散層または非光拡散層である第三封止層23との積層体から形成されている。第二封止層22は第一封止層21に直接積層しており、第三封止層23は第二封止層22に直接積層している。第一封止層21の片面にははく離ライナー3が貼付されており、第三封止層23には基材部4が貼付されている。 Hereinafter, an embodiment of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention. As shown in FIG. 1, the sheet for encapsulating optical semiconductor elements 1 can be used to encapsulate one or more optical semiconductor elements arranged on a substrate, and includes a substrate part 4 and an encapsulation part 2 formed on the substrate part 4. The substrate part 4 is composed of a substrate film 41 and a functional layer 42 which is a surface treatment layer, but may be composed of the substrate film 41 without the functional layer 42. The encapsulation part 2 is formed, for example, of a laminate of a first encapsulation layer 21 which is a light diffusion layer, a second encapsulation layer 22 which is an anti-reflection layer, and a third encapsulation layer 23 which is a light diffusion layer or a non-light diffusion layer. The second encapsulation layer 22 is directly laminated on the first encapsulation layer 21, and the third encapsulation layer 23 is directly laminated on the second encapsulation layer 22. A release liner 3 is attached to one side of the first encapsulation layer 21, and the substrate part 4 is attached to the third encapsulation layer 23.

本発明の光半導体素子封止用シートは、その片面に機能層を積層した状態において、上記機能層側から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL***(SCE)におけるL*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)をそれぞれL* 1、a* 1、b* 1とし、上記シート側から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL***(SCE)におけるL*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)をそれぞれL* 2、a* 2、b* 2としたとき、上記L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2、およびb* 2はそれぞれ下記式(1)~(3)を満たす値である。
-5<L* 1-L* 2<5 (1)
-5<a* 1-a* 2<5 (2)
-5<b* 1-b* 2<5 (3)
In the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention, when a functional layer is laminated on one side thereof, L*(SCE), a * (SCE), and b * (SCE) in L * a * b * (SCE) when measured under conditions of a 10° visual field from the functional layer side and light source D65 are defined as L * 1 , a * 1 , and b * 1 , respectively, and L*(SCE), a * (SCE), and b * (SCE) in L * a * b * (SCE) when measured under conditions of a 10° visual field from the sheet side and light source D65 are defined as L * 2 , a * 2 , and b * 2 , respectively, where L * 1 , a * 1 , b * 1 , L * 2 , a * 2 , and b * 2 are values that respectively satisfy the following formulas (1) to (3).
−5<L * 1 −L * 2 <5 (1)
-5 < a * 1 - a * 2 < 5 (2)
-5 < b * 1 - b * 2 < 5 (3)

上記L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2、およびb* 2がそれぞれ上記式(1)~(3)を満たす値であること、すなわち両側から測定したL*(SCE)の差、a*(SCE)の差、およびb*(SCE)の差が±5よりも小さいことにより、光半導体素子が発する光と視認者が光半導体素子封止用シートを介して視認する光との明るさや色調が同程度となるため、光半導体素子封止用シートの光取り出し効率および光拡散性が良好となる。 When the above L * 1 , a * 1 , b * 1 , L * 2 , a * 2 , and b * 2 are values that satisfy the above formulas (1) to (3), i.e., the difference in L * (SCE), the difference in a * (SCE), and the difference in b * (SCE) measured from both sides are less than ±5, the brightness and color tone of the light emitted by the optical semiconductor element and the light perceived by a viewer through the sheet for encapsulating optical semiconductor elements are approximately the same, and the light extraction efficiency and light diffusion properties of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements are excellent.

上記式(1)におけるL* 1-L* 2は、-5超であり、好ましくは-3超、より好ましくは-1超である。また、L* 1-L* 2は、5未満であり、好ましくは4未満、より好ましくは3未満である。 In the above formula (1), L * 1 - L* 2 is greater than -5, preferably greater than -3, and more preferably greater than -1. Also, L * 1 - L* 2 is less than 5, preferably less than 4, and more preferably less than 3.

上記式(2)におけるa* 1-a* 2は、-5超であり、好ましくは-3超、より好ましくは-1超である。また、a* 1-a* 2は、5未満であり、好ましくは3未満、より好ましくは1未満、さらに好ましくは0.5未満である。 In the above formula (2), a * 1 -a * 2 is greater than -5, preferably greater than -3, and more preferably greater than -1. Also, a * 1 -a * 2 is less than 5, preferably less than 3, more preferably less than 1, and even more preferably less than 0.5.

上記式(3)におけるb* 1-b* 2は、-5超であり、好ましくは-3超、より好ましくは-1.5超である。また、b* 1-b* 2は、5未満であり、好ましくは3未満、より好ましくは1未満、さらに好ましくは0.5未満である。 In the above formula (3), b * 1 -b * 2 is greater than -5, preferably greater than -3, and more preferably greater than -1.5. Also, b * 1 -b * 2 is less than 5, preferably less than 3, more preferably less than 1, and even more preferably less than 0.5.

なお、上記光半導体素子封止用シートの上記機能層を積層しない状態において、一方の面側から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL***(SCE)におけるL*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)をそれぞれL* 1、a* 1、b* 1とし、他方の面側から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL***(SCE)におけるL*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)をそれぞれL* 2、a* 2、b* 2としたとき、上記L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2、およびb* 2はそれぞれ上記式(1)~(3)を満たす値であることが好ましい。 In addition, when the functional layer of the optical semiconductor element encapsulation sheet is not laminated, L*(SCE), a * (SCE), and b * (SCE) in L * a * b * (SCE) measured from one side under a 10° field of view and light source D65 conditions are L * 1 , a * 1 , and b * 1 , respectively, and L *(SCE), a* ( SCE), and b * (SCE) in L * a * b * (SCE) measured from the other side under a 10 ° field of view and light source D65 conditions are L * 2 , a * 2 , and b * 2 , respectively. It is preferable that L * 1 , a * 1 , b * 1 , L * 2 , a * 2 , and b * 2 are values that satisfy the above formulas (1) to (3).

上記機能層は、上記封止部に含まれない層であり、本発明の光半導体素子封止用シートに各種機能を付与することができる層が挙げられる。上記機能層としては、例えば、表面処理層を含む層が挙げられる。このような構成を有することにより、表面処理層を含む機能層が積層された光半導体素子封止用シートの光拡散性に優れ、且つ光取り出し効率に優れる。上記表面処理層としては、アンチグレア処理層(防眩処理層)、反射防止処理層、ハードコート処理層などが挙げられる。上記機能層は、本発明の光半導体素子封止用シートにおける上記封止部に積層されてもよいし、上記基材部を備える場合は上記基材部に積層されてもよいが、上記基材部に積層されることが好ましく、上記基材部の上記封止部を備える側とは反対側に積層されることが好ましい。 The functional layer is a layer that is not included in the encapsulation portion, and can impart various functions to the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention. Examples of the functional layer include a layer including a surface treatment layer. By having such a configuration, the sheet for encapsulating optical semiconductor elements in which the functional layer including the surface treatment layer is laminated has excellent light diffusion properties and excellent light extraction efficiency. Examples of the surface treatment layer include an anti-glare treatment layer (anti-glare treatment layer), an anti-reflection treatment layer, a hard coat treatment layer, etc. The functional layer may be laminated on the encapsulation portion of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention, or may be laminated on the substrate portion if the substrate portion is provided, but it is preferably laminated on the substrate portion, and is preferably laminated on the side of the substrate portion opposite to the side of the substrate portion provided with the encapsulation portion.

本発明の光半導体素子封止用シートは上記機能層を備えていてもよい。上記機能層を備える場合、別途機能層を積層せずに上記L***(SCE)の測定を行うことができる。この場合、上記「シート側」とは、上記機能層を備えない側をいうものとする。本発明の光半導体素子封止用シートが上記機能層を備えない場合、別途機能層を積層して上記L***(SCE)の測定を行う。上記機能層は、後述の第一封止層側に対して、後述の第三封止層側に積層されることが好ましい。 The sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention may have the functional layer. When the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention has the functional layer, the L * a * b * (SCE) can be measured without laminating a separate functional layer. In this case, the "sheet side" refers to the side that does not have the functional layer. When the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention does not have the functional layer, a separate functional layer is laminated and the L * a * b * (SCE) is measured. The functional layer is preferably laminated on the third encapsulating layer side described below, relative to the first encapsulating layer side described below.

図1に示す光半導体素子封止用シート1において、基材部4における基材フィルム41表面には機能層42が積層している。例えば、光半導体素子封止用シート1において、L* 1、a* 1、およびb* 1は機能層42側(図1における上側)から測定される値であり、L* 2、a* 2、およびb* 2は、はく離ライナー3を剥離してまたは剥離せず、機能層4が積層された側とは反対側である第一封止層21側(図1における下側)から測定される値である。 In the sheet 1 for encapsulating optical semiconductor elements shown in Fig. 1, a functional layer 42 is laminated on the surface of a substrate film 41 in the substrate portion 4. For example, in the sheet 1 for encapsulating optical semiconductor elements, L * 1 , a * 1 , and b * 1 are values measured from the functional layer 42 side (upper side in Fig. 1), and L * 2 , a * 2 , and b * 2 are values measured from the first encapsulating layer 21 side (lower side in Fig. 1), which is the side opposite to the side on which the functional layer 4 is laminated, with or without peeling off the release liner 3.

(反射防止層)
上記反射防止層は着色剤を少なくとも含むことが好ましい。上記反射防止層は、樹脂で構成される樹脂層であることが好ましい。上記着色剤は、上記反射防止層に溶解または分散可能なものであれば、染料でも顔料でもよい。少量の添加でも低いヘイズが達成でき、顔料のように沈降性がなく均一に分布させやすいことから、染料が好ましい。また、少量の添加でも色発現性が高いことから、顔料も好ましい。着色剤として顔料を使用する場合は、導電性が低いか、ないものが好ましい。上記着色剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
(Anti-Reflection Layer)
The anti-reflection layer preferably contains at least a colorant. The anti-reflection layer is preferably a resin layer composed of a resin. The colorant may be a dye or a pigment as long as it is soluble or dispersible in the anti-reflection layer. Dyes are preferred because low haze can be achieved even with a small amount of addition, and they are not prone to settling like pigments and can be easily distributed uniformly. Pigments are also preferred because they have high color expression even with a small amount of addition. When a pigment is used as a colorant, it is preferable that the pigment has low or no electrical conductivity. The colorant may be used alone or in combination with two or more types.

上記着色剤としては、黒系着色剤が好ましい。上記黒系着色剤としては、公知乃至慣用の黒色を呈するための着色剤(顔料、染料等)を用いることができ、例えば、カーボンブラック(ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラック、松煙等)、グラファイト、酸化銅、二酸化マンガン、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト(非磁性フェライト、磁性フェライト等)、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、アントラキノン系着色剤、窒化ジルコニウムなどが挙げられる。また、黒色以外の色を呈する着色剤を組み合わせて配合して黒系着色剤として機能する着色剤を用いてもよい。 As the above-mentioned colorant, a black-based colorant is preferable. As the above-mentioned black-based colorant, a colorant (pigment, dye, etc.) for presenting a known or conventional black color can be used, for example, carbon black (furnace black, channel black, acetylene black, thermal black, lamp black, pine soot, etc.), graphite, copper oxide, manganese dioxide, aniline black, perylene black, titanium black, cyanine black, activated carbon, ferrite (non-magnetic ferrite, magnetic ferrite, etc.), magnetite, chromium oxide, iron oxide, molybdenum disulfide, chromium complex, anthraquinone-based colorant, zirconium nitride, etc. can be mentioned. In addition, a colorant that functions as a black-based colorant by combining and blending colorants that present a color other than black may be used.

上記着色剤としては、特に限定されないが、可視光を吸収し、かつ紫外線透過性を有するものが好ましい。すなわち、着色剤は、波長330~400nmの平均透過率が、波長400~700nmの平均透過率よりも大きいものが好ましい。また、着色剤は、波長330~400nmの透過率の最大値が、波長400~700nmの透過率の最大値よりも大きいものが好ましい。着色剤の透過率は、波長400nmにおける透過率が50~60%程度となるように、テトラヒドロフラン(THF)等の適宜の溶媒または分散媒(波長330~700nmの範囲の吸収が小さい有機溶媒)により希釈した溶液または分散液を用いて測定する。 The colorant is not particularly limited, but is preferably one that absorbs visible light and is UV-transmitting. In other words, it is preferable that the colorant has an average transmittance at wavelengths of 330 to 400 nm that is greater than the average transmittance at wavelengths of 400 to 700 nm. It is also preferable that the colorant has a maximum transmittance at wavelengths of 330 to 400 nm that is greater than the maximum transmittance at wavelengths of 400 to 700 nm. The transmittance of the colorant is measured using a solution or dispersion diluted with an appropriate solvent or dispersion medium (an organic solvent with low absorption in the wavelength range of 330 to 700 nm) such as tetrahydrofuran (THF) so that the transmittance at a wavelength of 400 nm is about 50 to 60%.

可視光の吸収よりも紫外線の吸収が小さい紫外線透過性の黒色顔料としては、商品名「9050BLACK」、商品名「UVBK-0001」(いずれも株式会社トクシキ製)などが挙げられる。紫外線透過性の黒色染料としては商品名「SOC-L-0123」(オリヱント化学工業株式会社製)などが挙げられる。 Examples of UV-transmitting black pigments that absorb less UV light than they absorb visible light include the product names "9050BLACK" and "UVBK-0001" (both manufactured by Tokushiki Co., Ltd.). Examples of UV-transmitting black dyes include the product name "SOC-L-0123" (manufactured by Orient Chemical Industries Co., Ltd.).

黒系着色剤として一般に用いられているカーボンブラックやチタンブラックは、可視光の吸収よりも紫外線の吸収が大きい(可視光透過率よりも紫外線透過率が小さい)。そのため、紫外線に感度を有する放射線硬化性樹脂にカーボンブラック等の着色剤を添加すると、光硬化のために照射した紫外線の多くが着色剤により吸収され、光重合開始剤が吸収する光量が小さく、光硬化に時間を要する(積算照射光量が多くなる)。また、積層する層の厚みが大きい場合は、光照射面の反対側の面に到達する紫外線が少ないため、長時間の光照射を行っても、光硬化が不充分となる傾向がある。これに対して、可視光に比べて紫外線の透過率が大きい着色剤を用いることにより、着色剤に起因する硬化阻害を抑制できる。 Carbon black and titanium black, which are commonly used as black colorants, absorb more ultraviolet light than visible light (their ultraviolet transmittance is smaller than their visible light transmittance). Therefore, when a colorant such as carbon black is added to a radiation-curable resin that is sensitive to ultraviolet light, most of the ultraviolet light irradiated for photocuring is absorbed by the colorant, and the amount of light absorbed by the photopolymerization initiator is small, so photocuring takes time (the cumulative amount of light irradiated becomes large). In addition, when the thickness of the laminated layers is large, there is little ultraviolet light that reaches the surface opposite the light-irradiated surface, so photocuring tends to be insufficient even with long-term light irradiation. In contrast, by using a colorant that has a higher ultraviolet transmittance than visible light, it is possible to suppress the inhibition of curing caused by the colorant.

上記反射防止層における着色剤の含有量は、適切な反射防止能を半導体素子封止用シートに付与する観点からは、反射防止層を構成する樹脂100質量部に対して、0.01~20質量部が好ましく、より好ましくは0.1~15質量部、さらに好ましくは1~10質量部であり、着色剤の種類や、半導体素子封止用シートの色調および光透過率等に応じて適宜設定すればよい。着色剤は、適宜の溶媒に溶解または分散させた溶液または分散液として、組成物に添加してもよい。 From the viewpoint of imparting an appropriate anti-reflection ability to the sheet for encapsulating semiconductor elements, the content of the colorant in the anti-reflection layer is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 15 parts by mass, and even more preferably 1 to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the resin constituting the anti-reflection layer, and may be appropriately set depending on the type of colorant, the color tone and light transmittance of the sheet for encapsulating semiconductor elements, etc. The colorant may be added to the composition as a solution or dispersion dissolved or dispersed in an appropriate solvent.

上記反射防止層のヘイズ値(初期ヘイズ値)は、特に限定されないが、光半導体装置の視認性を確保する観点から、30%以下が好ましく、より好ましくは25%以下、さらに好ましくは20%以下、特に好ましくは15%以下である。また、上記反射防止層のヘイズ値は、光半導体装置の輝度ムラを効率的に低減する観点から、1%以上が好ましく、より好ましくは3%以上、さらに好ましくは5%以上、特に好ましくは8%以上であり、10%以上であってもよい。上記反射防止層が放射線硬化性樹脂層である場合、上記ヘイズ値は硬化前の値であってもよく、硬化後の値であってもよい。 The haze value (initial haze value) of the antireflection layer is not particularly limited, but from the viewpoint of ensuring the visibility of the optical semiconductor device, it is preferably 30% or less, more preferably 25% or less, even more preferably 20% or less, and particularly preferably 15% or less. In addition, from the viewpoint of efficiently reducing the luminance unevenness of the optical semiconductor device, the haze value of the antireflection layer is preferably 1% or more, more preferably 3% or more, even more preferably 5% or more, and particularly preferably 8% or more, and may be 10% or more. When the antireflection layer is a radiation curable resin layer, the haze value may be the value before curing or the value after curing.

上記反射防止層の全光線透過率は、特に限定されないが、光半導体装置における金属配線などの反射防止機能、コントラストをより向上させるという観点から、30%以下が好ましく、より好ましくは25%以下、さらに好ましくは20%以下、特に好ましくは10%以下である。また、上記反射防止層の全光線透過率は、光半導体装置の輝度を確保するという観点から、0.5%以上であることが好ましく、より好ましくは1%以上、さらに好ましくは1.5%以上、特に好ましくは2%以上であり、2.5%以上、または3%以上であってもよい。上記反射防止層が放射線硬化性樹脂層である場合、上記全光線透過率は硬化前の値であってもよく、硬化後の値であってもよい。 The total light transmittance of the antireflection layer is not particularly limited, but from the viewpoint of further improving the antireflection function and contrast of metal wiring and the like in the optical semiconductor device, it is preferably 30% or less, more preferably 25% or less, even more preferably 20% or less, and particularly preferably 10% or less. In addition, from the viewpoint of ensuring the brightness of the optical semiconductor device, the total light transmittance of the antireflection layer is preferably 0.5% or more, more preferably 1% or more, even more preferably 1.5% or more, and particularly preferably 2% or more, and may be 2.5% or more, or 3% or more. When the antireflection layer is a radiation-curable resin layer, the total light transmittance may be the value before curing or the value after curing.

上記反射防止層のヘイズ値および全光線透過率は、それぞれ、JIS K7136、JIS K7361-1で定める方法により測定できるものであり、種類や厚さ、着色剤の種類や配合量などにより制御することができる。 The haze value and total light transmittance of the anti-reflection layer can be measured by the methods specified in JIS K7136 and JIS K7361-1, respectively, and can be controlled by the type and thickness, the type and amount of colorant, etc.

(光拡散層)
上記光拡散層は、光を拡散する機能を有する層であり、樹脂で構成される樹脂層であることが好ましい。上記光拡散層は、限定されないが、光拡散剤を含むことが好ましい。すなわち、上記光拡散層は、樹脂層中に分散した光拡散剤を含むことが好ましい。上記光拡散剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
(Light Diffusion Layer)
The light diffusion layer is a layer having a function of diffusing light, and is preferably a resin layer composed of a resin. The light diffusion layer is not limited, but preferably contains a light diffusion agent. That is, the light diffusion layer preferably contains a light diffusion agent dispersed in the resin layer. The light diffusion agent may be used alone or in combination of two or more kinds.

上記光拡散剤の屈折率は、1.4~1.7が好ましく、より好ましくは1.41~1.68、さらに好ましくは1.42~1.66である。上記屈折率が上記範囲内であると、両側から測定したL*(SCE)の差、a*(SCE)の差、およびb*(SCE)の差をより小さくすることができ、光半導体装置の輝度をより高くすることができる。また、光半導体素子封止用シートの光拡散性にも優れる。 The refractive index of the light diffusing agent is preferably 1.4 to 1.7, more preferably 1.41 to 1.68, and even more preferably 1.42 to 1.66. When the refractive index is within the above range, the difference in L * (SCE), the difference in a * (SCE), and the difference in b * (SCE) measured from both sides can be made smaller, and the brightness of the optical semiconductor device can be made higher. In addition, the light diffusing property of the sheet for encapsulating an optical semiconductor element is also excellent.

上記光拡散剤と光拡散層を構成する樹脂(光拡散層において光拡散剤を除いた樹脂層)との屈折率差の絶対値は、光半導体装置の輝度ムラをより効率的に低減する観点から、0.001以上が好ましく、より好ましくは0.01以上、さらに好ましくは0.02以上、特に好ましくは0.03以上であり、0.04以上、または0.05以上であってもよい。また、光拡散剤と樹脂との屈折率差の絶対値は、ヘイズ値が高くなり過ぎることを防止し、高精細な画像を表示する観点から、5以下が好ましく、より好ましくは4以下、さらに好ましくは3以下である。 The absolute value of the refractive index difference between the light diffusing agent and the resin constituting the light diffusing layer (the resin layer excluding the light diffusing agent in the light diffusing layer) is preferably 0.001 or more, more preferably 0.01 or more, even more preferably 0.02 or more, and particularly preferably 0.03 or more, and may be 0.04 or more, or 0.05 or more, from the viewpoint of more efficiently reducing the luminance unevenness of the optical semiconductor device. In addition, the absolute value of the refractive index difference between the light diffusing agent and the resin is preferably 5 or less, more preferably 4 or less, and even more preferably 3 or less, from the viewpoint of preventing the haze value from becoming too high and displaying a high-definition image.

上記光拡散剤は、光拡散層を構成する樹脂との適切な屈折率差を有し、光拡散層に拡散性能を付与するものである。光拡散剤を構成する材料としては、無機材料、高分子材料などが挙げられる。無機材料の材質としては、例えば、シリカ、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、クレー、タルク、金属酸化物などが挙げられる。高分子材料の材質としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル系樹脂(例えば、ポリメタクリル酸メチル等のポリメタクリレート樹脂を含む)、ポリスチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリエチレン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。 The light diffusing agent has an appropriate refractive index difference with the resin constituting the light diffusing layer, and imparts diffusion properties to the light diffusing layer. Examples of materials constituting the light diffusing agent include inorganic materials and polymeric materials. Examples of inorganic materials include silica, calcium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, clay, talc, and metal oxides. Examples of polymeric materials include silicone resins, acrylic resins (including polymethacrylate resins such as polymethyl methacrylate), polystyrene resins, polyurethane resins, melamine resins, polyethylene resins, and epoxy resins.

上記光拡散剤を構成する材料としては、高分子材料が好ましく、より好ましくはシリコーン樹脂である。これにより、光拡散層の光取り出し効率をより高くし、光半導体装置の輝度をより高くすることができる。また、光半導体素子封止用シートの光拡散性にも優れる。 The material constituting the light diffusing agent is preferably a polymeric material, more preferably a silicone resin. This increases the light extraction efficiency of the light diffusing layer and increases the brightness of the optical semiconductor device. In addition, the sheet for sealing optical semiconductor elements has excellent light diffusing properties.

上記光拡散剤の形状は、特に限定されず、例えば、真球状、扁平状、不定形状であってもよい。 The shape of the light diffusing agent is not particularly limited and may be, for example, spherical, flat, or irregular.

上記光拡散剤は光拡散性微粒子であることが好ましい。上記光拡散性微粒子の平均粒子径は、適切な光拡散性能を光半導体素子封止用シートに付与する観点からは、0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.15μm以上、さらに好ましくは0.2μm以上、特に好ましくは0.25μm以上である。また、上記光拡散性微粒子の平均粒子径は、ヘイズ値が高くなり過ぎることを防止し、高精細な画像を表示する観点から、12μm以下が好ましく、より好ましくは10μm以下、さらに好ましくは8μm以下である。平均粒子径は、例えば、コールターカウンターを用いて測定することができる。 The light diffusing agent is preferably a light diffusing fine particle. From the viewpoint of imparting appropriate light diffusing performance to the sheet for sealing optical semiconductor elements, the average particle diameter of the light diffusing fine particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.15 μm or more, even more preferably 0.2 μm or more, and particularly preferably 0.25 μm or more. In addition, from the viewpoint of preventing the haze value from becoming too high and displaying a high-definition image, the average particle diameter of the light diffusing fine particles is preferably 12 μm or less, more preferably 10 μm or less, and even more preferably 8 μm or less. The average particle diameter can be measured, for example, using a Coulter counter.

上記光拡散層中の上記光拡散剤の含有量は、適切な光拡散性能を光半導体素子封止用シートに付与する観点からは、光拡散層を構成する樹脂100質量部に対して、5質量部以上が好ましく、より好ましくは10質量部以上、さらに好ましくは20質量部以上、特に好ましくは30質量部以上である。また、光拡散剤の含有量は、ヘイズ値が高くなり過ぎることを防止し、高精細な画像を表示する観点から、光拡散層を構成する樹脂100質量部に対して、80質量部以下が好ましく、より好ましくは70質量部以下である。 From the viewpoint of imparting appropriate light diffusion performance to the sheet for encapsulating optical semiconductor elements, the content of the light diffusing agent in the light diffusion layer is preferably 5 parts by mass or more, more preferably 10 parts by mass or more, even more preferably 20 parts by mass or more, and particularly preferably 30 parts by mass or more, relative to 100 parts by mass of the resin constituting the light diffusion layer. In addition, from the viewpoint of preventing the haze value from becoming too high and displaying a high-definition image, the content of the light diffusing agent is preferably 80 parts by mass or less, more preferably 70 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the resin constituting the light diffusion layer.

上記光拡散層のヘイズ値(初期ヘイズ値)は、特に限定されないが、光拡散性により優れ、光半導体装置の輝度ムラを効率的に低減する観点から、30%以上が好ましく、より好ましくは40%以上、さらに好ましくは50%以上、特に好ましくは60%以上であり、70%以上、80%以上、90%以上、95%以上、97%以上であってもよい。なお、上記光拡散層のヘイズ値の上限は、特に限定されず、すなわち、100%であってもよく、99%であってもよい。上記光拡散層が放射線硬化性樹脂層である場合、上記ヘイズ値は硬化前の値であってもよく、硬化後の値であってもよい。 The haze value (initial haze value) of the light diffusion layer is not particularly limited, but from the viewpoint of excellent light diffusion and efficient reduction of luminance unevenness in the optical semiconductor device, it is preferably 30% or more, more preferably 40% or more, even more preferably 50% or more, and particularly preferably 60% or more, and may be 70% or more, 80% or more, 90% or more, 95% or more, or 97% or more. The upper limit of the haze value of the light diffusion layer is not particularly limited, that is, it may be 100% or 99%. When the light diffusion layer is a radiation curable resin layer, the haze value may be the value before curing or the value after curing.

上記光拡散層の全光線透過率は、特に限定されないが、光取り出し効率に優れ、光半導体装置の輝度を確保するという観点から、40%以上が好ましく、より好ましくは60%以上、さらに好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上である。また、上記光拡散層の全光線透過率の上限値は特に限定されないが、100%未満であってもよく、99.9%以下、または99%以下であってもよい。上記光拡散層が放射線硬化性樹脂層である場合、上記全光線透過率は硬化前の値であってもよく、硬化後の値であってもよい。 The total light transmittance of the light diffusion layer is not particularly limited, but from the viewpoint of excellent light extraction efficiency and ensuring the brightness of the optical semiconductor device, it is preferably 40% or more, more preferably 60% or more, even more preferably 70% or more, and even more preferably 80% or more. In addition, the upper limit of the total light transmittance of the light diffusion layer is not particularly limited, but it may be less than 100%, 99.9% or less, or 99% or less. When the light diffusion layer is a radiation curable resin layer, the total light transmittance may be the value before curing or the value after curing.

上記光拡散層のヘイズ値および全光線透過率は、それぞれ、JIS K7136、JIS K7361-1で定める方法により測定できるものであり、光拡散層の種類や厚さ、光拡散剤の種類や配合量などにより制御することができる。 The haze value and total light transmittance of the light diffusion layer can be measured by the methods specified in JIS K7136 and JIS K7361-1, respectively, and can be controlled by the type and thickness of the light diffusion layer, the type and amount of light diffusing agent, etc.

(非光拡散層)
上記非光拡散層は、光を拡散する機能を発揮することを目的しない無色透明の層であり、樹脂で構成される樹脂層であることが好ましい。
(Non-light-diffusing layer)
The non-light-diffusing layer is a colorless and transparent layer that is not intended to exhibit a function of diffusing light, and is preferably a resin layer made of a resin.

上記非光拡散層のヘイズ値(初期ヘイズ値)は、特に限定されないが、光取り出し効率に優れ、光半導体装置の輝度を優れたものとする観点から、30%未満が好ましく、より好ましくは10%以下、さらに好ましくは5%以下、特に好ましくは1%以下であり、0.5%以下であってもよい。なお、上記非光拡散層のヘイズ値の下限は特に限定されない。上記非光拡散層が放射線硬化性樹脂層である場合、上記ヘイズ値は硬化前の値であってもよく、硬化後の値であってもよい。 The haze value (initial haze value) of the non-light-diffusing layer is not particularly limited, but from the viewpoint of excellent light extraction efficiency and excellent brightness of the optical semiconductor device, it is preferably less than 30%, more preferably 10% or less, even more preferably 5% or less, particularly preferably 1% or less, and may be 0.5% or less. The lower limit of the haze value of the non-light-diffusing layer is not particularly limited. When the non-light-diffusing layer is a radiation-curable resin layer, the haze value may be the value before curing or the value after curing.

上記非光拡散層の全光線透過率は、特に限定されないが、光取り出し効率に優れ、光半導体装置の輝度を確保するという観点から、60%以上が好ましく、より好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上、特に好ましくは90%以上である。また、上記非光拡散層の全光線透過率の上限値は特に限定されないが、100%未満であってもよく、99.9%以下、または99%以下であってもよい。上記非光拡散層が放射線硬化性樹脂層である場合、上記全光線透過率は硬化前の値であってもよく、硬化後の値であってもよい。 The total light transmittance of the non-light-diffusing layer is not particularly limited, but from the viewpoint of excellent light extraction efficiency and ensuring the brightness of the optical semiconductor device, it is preferably 60% or more, more preferably 70% or more, even more preferably 80% or more, and particularly preferably 90% or more. In addition, the upper limit of the total light transmittance of the non-light-diffusing layer is not particularly limited, but it may be less than 100%, 99.9% or less, or 99% or less. When the non-light-diffusing layer is a radiation-curable resin layer, the total light transmittance may be the value before curing or the value after curing.

上記非光拡散層のヘイズ値および全光線透過率は、それぞれ、JIS K7136、JIS K7361-1で定める方法により測定できるものであり、非光拡散層の種類や厚さなどにより制御することができる。 The haze value and total light transmittance of the non-light-diffusing layer can be measured by the methods specified in JIS K7136 and JIS K7361-1, respectively, and can be controlled by the type and thickness of the non-light-diffusing layer.

上記非光拡散層中の着色剤および/または光拡散剤の含有量は、光取り出し効率に優れ、光半導体装置の輝度を優れたものとする観点から、非光拡散層を構成する樹脂100質量部に対して、0.01質量部未満が好ましく、より好ましくは0.005質量部以下である。 From the viewpoint of achieving excellent light extraction efficiency and excellent brightness of the optical semiconductor device, the content of the colorant and/or light diffusing agent in the non-light diffusing layer is preferably less than 0.01 parts by mass, and more preferably 0.005 parts by mass or less, per 100 parts by mass of the resin constituting the non-light diffusing layer.

<樹脂層>
上記反射防止層、上記光拡散層、および上記非光拡散層が上記樹脂層である場合、上記樹脂層を構成する樹脂としては、公知乃至慣用の樹脂が挙げられ、例えば、アクリル系樹脂、ウレタンアクリレート系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、エポキシ系樹脂、エポキシアクリレート系樹脂、オキセタン系樹脂、シリコーン樹脂、シリコーンアクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂(ポリビニルエーテル等)、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、酢酸ビニル/塩化ビニルコポリマー、変性ポリオレフィンなどが挙げられる。上記樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。上記反射防止層、上記光拡散層、および上記非光拡散層を構成する樹脂は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよい。
<Resin Layer>
When the antireflection layer, the light diffusion layer, and the non-light diffusion layer are the resin layers, the resin constituting the resin layer may be a known or commonly used resin, such as an acrylic resin, a urethane acrylate resin, a urethane resin, a rubber resin, an epoxy resin, an epoxy acrylate resin, an oxetane resin, a silicone resin, a silicone acrylic resin, a polyester resin, a polyether resin (polyvinyl ether, etc.), a polyamide resin, a fluorine resin, a vinyl acetate/vinyl chloride copolymer, a modified polyolefin, etc. The resin may be used alone or in combination of two or more. The resins constituting the antireflection layer, the light diffusion layer, and the non-light diffusion layer may be the same or different from each other.

上記樹脂層が粘着性を有する層(粘着層)である場合、上記樹脂として、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができる。上記粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤(天然ゴム系、合成ゴム系、これらの混合系等)、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエーテル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、フッ素系粘着剤などが挙げられる。上記粘着剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 When the resin layer is a layer having adhesive properties (adhesive layer), a known or commonly used pressure-sensitive adhesive can be used as the resin. Examples of the adhesive include acrylic adhesives, rubber adhesives (natural rubber, synthetic rubber, mixtures of these, etc.), silicone adhesives, polyester adhesives, urethane adhesives, polyether adhesives, polyamide adhesives, and fluorine adhesives. Only one type of adhesive may be used, or two or more types may be used.

上記アクリル系樹脂は、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー(分子中に(メタ)アクリロイル基を有するモノマー成分)に由来する構成単位を含むポリマーである。上記アクリル系樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 The acrylic resin is a polymer that contains a structural unit derived from an acrylic monomer (a monomer component having a (meth)acryloyl group in the molecule) as a structural unit of the polymer. Only one type of the acrylic resin may be used, or two or more types may be used.

上記アクリル系樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、本明細書において、「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」および/または「メタクリル」(「アクリル」および「メタクリル」のうち、いずれか一方または両方)を表し、他も同様である。 The acrylic resin is preferably a polymer that contains the largest amount of structural units derived from (meth)acrylic acid esters by mass. In this specification, "(meth)acrylic" refers to "acrylic" and/or "methacrylic" (either one or both of "acrylic" and "methacrylic"), and the same applies to other terms.

上記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル等の脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル等の芳香族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 The above (meth)acrylic acid esters include, for example, hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid esters. Examples of the above hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid esters include (meth)acrylic acid alkyl esters having a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, (meth)acrylic acid esters having an alicyclic hydrocarbon group such as (meth)acrylic acid cycloalkyl esters, and (meth)acrylic acid esters having an aromatic hydrocarbon group such as (meth)acrylic acid aryl esters. Only one type of the above hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid esters may be used, or two or more types may be used.

上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸s-ブチル、(メタ)アクリル酸t-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸イソペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリル)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル、(メタ)アクリル酸ノナデシル、(メタ)アクリル酸エイコシルなどが挙げられる。 Examples of the (meth)acrylic acid alkyl esters include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, s-butyl (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, isopentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, and ethyl (meth)acrylate. Examples of such acrylates include isooctyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, isodecyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate (lauryl (meth)acrylate), tridecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate, pentadecyl (meth)acrylate, hexadecyl (meth)acrylate, heptadecyl (meth)acrylate, octadecyl (meth)acrylate, nonadecyl (meth)acrylate, and eicosyl (meth)acrylate.

上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、中でも、炭素数が1~20(好ましくは1~14、より好ましくは2~10、さらに好ましくは2~6)の直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好ましい。上記炭素数が上記範囲内であると、上記アクリル系樹脂のガラス転移温度の調整が容易であり、樹脂層の粘着性をより適切なものとしやすい。 Among the above (meth)acrylic acid alkyl esters, (meth)acrylic acid alkyl esters having a linear or branched aliphatic hydrocarbon group with a carbon number of 1 to 20 (preferably 1 to 14, more preferably 2 to 10, and even more preferably 2 to 6) are preferred. When the carbon number is within the above range, it is easy to adjust the glass transition temperature of the acrylic resin, and it is easy to make the adhesiveness of the resin layer more appropriate.

上記脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘプチル、(メタ)アクリル酸シクロオクチル等の一環式の脂肪族炭化水素環を有する(メタ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリル酸イソボルニル等の二環式の脂肪族炭化水素環を有する(メタ)アクリル酸エステル;ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル(メタ)アクリレート、トリシクロペンタニル(メタ)アクリレート、1-アダマンチル(メタ)アクリレート、2-メチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレート、2-エチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレート等の三環以上の脂肪族炭化水素環を有する(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。中でも、一環式の脂肪族炭化水素環を有する(メタ)アクリル酸エステルが好ましく、より好ましくは(メタ)アクリル酸シクロヘキシルである。 Examples of (meth)acrylic acid esters having the above-mentioned alicyclic hydrocarbon group include (meth)acrylic acid esters having a monocyclic aliphatic hydrocarbon ring, such as cyclopentyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, cycloheptyl (meth)acrylate, and cyclooctyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid esters having a bicyclic aliphatic hydrocarbon ring, such as isobornyl (meth)acrylate; and (meth)acrylic acid esters having a tricyclic or higher aliphatic hydrocarbon ring, such as dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentanyloxyethyl (meth)acrylate, tricyclopentanyl (meth)acrylate, 1-adamantyl (meth)acrylate, 2-methyl-2-adamantyl (meth)acrylate, and 2-ethyl-2-adamantyl (meth)acrylate. Among these, (meth)acrylic acid esters having a monocyclic aliphatic hydrocarbon ring are preferred, and cyclohexyl (meth)acrylate is more preferred.

上記芳香族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルエステル、(メタ)アクリル酸ベンジルエステルなどが挙げられる。 Examples of the (meth)acrylic acid ester having an aromatic hydrocarbon group include (meth)acrylic acid phenyl ester and (meth)acrylic acid benzyl ester.

上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、中でも、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルを含むことが好ましく、さらに脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルを含むことがより好ましい。この場合、樹脂層の粘着性のバランスが良く、光半導体素子の封止性により優れる。 The above-mentioned hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester preferably contains a (meth)acrylic acid alkyl ester having a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and more preferably contains a (meth)acrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon group. In this case, the adhesiveness of the resin layer is well balanced, and the sealing property of the optical semiconductor element is excellent.

上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性や光半導体素子への密着性等の基本特性を上記樹脂層において適切に発現させるためには、上記アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分における上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルの割合は、上記全モノマー成分の総量(100質量%)に対して、40質量%以上が好ましく、より好ましくは50質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上である。また、上記割合は、他のモノマー成分を共重合可能とし当該他のモノマー成分の効果を得る観点から、95質量%以下が好ましく、より好ましくは80質量%以下である。 In order to adequately express the basic properties of the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic ester, such as adhesion to optical semiconductor elements, in the resin layer, the proportion of the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic ester in all monomer components constituting the acrylic resin is preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, and even more preferably 60% by mass or more, based on the total amount (100% by mass) of all monomer components. In addition, the proportion is preferably 95% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, from the viewpoint of copolymerizing other monomer components and obtaining the effects of the other monomer components.

上記アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分における直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルの割合は、上記全モノマー成分の総量(100質量%)に対して、30質量%以上が好ましく、より好ましくは40質量%以上である。また、上記割合は、90質量%以下が好ましく、より好ましくは70質量%以下である。 The proportion of (meth)acrylic acid alkyl esters having linear or branched aliphatic hydrocarbon groups in all monomer components constituting the acrylic resin is preferably 30% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, based on the total amount (100% by mass) of all monomer components. The proportion is preferably 90% by mass or less, more preferably 70% by mass or less.

上記アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分における脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルの割合は、上記全モノマー成分の総量(100質量%)に対して、1質量%以上が好ましく、より好ましくは5質量%以上である。また、上記割合は、30質量%以下が好ましく、より好ましくは20質量%以下である。 The proportion of the (meth)acrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon group in all monomer components constituting the acrylic resin is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, based on the total amount (100% by mass) of all monomer components. The proportion is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less.

上記アクリル系樹脂は、後述の第1の官能基を導入する目的や、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、窒素原子含有モノマー等の極性基含有モノマーなどが挙げられる。上記他のモノマー成分は、それぞれ、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 The acrylic resin may contain a structural unit derived from another monomer component copolymerizable with the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester for the purpose of introducing a first functional group described below or for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance, etc. Examples of the other monomer components include polar group-containing monomers such as carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, and nitrogen atom-containing monomers. Only one type of the other monomer components may be used, or two or more types may be used.

上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸などが挙げられる。 Examples of the carboxyl group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Examples of the acid anhydride monomer include maleic anhydride and itaconic anhydride.

上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル、(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。 Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth)acrylate, 10-hydroxydecyl (meth)acrylate, 12-hydroxylauryl (meth)acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate.

上記グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸メチルグリシジルなどが挙げられる。 Examples of the glycidyl group-containing monomer include glycidyl (meth)acrylate and methyl glycidyl (meth)acrylate.

上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などが挙げられる。 Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2-(meth)acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate, and (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid.

上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどが挙げられる。 Examples of the phosphate group-containing monomer include 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate.

上記窒素原子含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリロイルモルホリン等のモルホリノ基含有モノマー、(メタ)アクリロニトリル等のシアノ基含有モノマー、(メタ)アクリルアミド等のアミド基含有モノマーなどが挙げられる。 Examples of the nitrogen atom-containing monomer include morpholino group-containing monomers such as (meth)acryloylmorpholine, cyano group-containing monomers such as (meth)acrylonitrile, and amide group-containing monomers such as (meth)acrylamide.

上記アクリル系樹脂を構成する上記極性基含有モノマーとしてヒドロキシ基含有モノマーを含むことが好ましい。ヒドロキシ基含有モノマーを用いることで、後述の第1の官能基の導入が容易である。また、アクリル系樹脂および上記樹脂層の耐水性に優れ、光半導体素子封止用シートは高湿度となる環境下で使用された場合であっても曇りにくく耐白化性に優れる。 It is preferable that the polar group-containing monomer constituting the acrylic resin contains a hydroxy group-containing monomer. By using a hydroxy group-containing monomer, it is easy to introduce the first functional group described below. In addition, the acrylic resin and the resin layer have excellent water resistance, and the sheet for sealing optical semiconductor elements is less likely to cloud and has excellent whitening resistance even when used in a high humidity environment.

上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチルが好ましく、より好ましくは(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチルである。 The above hydroxy group-containing monomer is preferably 2-hydroxyethyl (meth)acrylate or 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, more preferably 2-hydroxyethyl (meth)acrylate.

上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性や光半導体素子への密着性等の基本特性を上記樹脂層において適切に発現させるためには、上記アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分(100質量%)における、上記極性基含有モノマーの割合は、5~50質量%が好ましく、より好ましくは10~40質量%である。特に、上記樹脂層の耐水性にもより優れる観点から、ヒドロキシ基含有モノマーの割合が上記範囲内であることが好ましい。 In order to adequately express the basic properties of the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic ester, such as adhesion to optical semiconductor elements, in the resin layer, the proportion of the polar group-containing monomer in the total monomer components (100% by mass) constituting the acrylic resin is preferably 5 to 50% by mass, and more preferably 10 to 40% by mass. In particular, from the viewpoint of achieving superior water resistance in the resin layer, it is preferable that the proportion of the hydroxyl group-containing monomer is within the above range.

上記他のモノマー成分としては、さらに、(メタ)アクリル酸のカプロラクトン付加物、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチレン、α-メチルスチレン等のビニル系モノマー;(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコール、(メタ)アクリル酸ポリプロピレングリコール、(メタ)アクリル酸メトキシエチレングリコール、(メタ)アクリル酸メトキシポリプロピレングリコール等のグリコール系アクリルエステルモノマー;(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素(メタ)アクリレート、シリコーン(メタ)アクリレート、アルコキシ基置換炭化水素基含有(メタ)アクリレート((メタ)アクリル酸2-メトキシエチル、3-フェノキシベンジル(メタ)アクリレート等)のアクリル酸エステル系モノマー等を含んでいてもよい。 The other monomer components may further include vinyl monomers such as caprolactone adducts of (meth)acrylic acid, vinyl acetate, vinyl propionate, styrene, and α-methylstyrene; glycol-based acrylic ester monomers such as polyethylene glycol (meth)acrylate, polypropylene glycol (meth)acrylate, methoxyethylene glycol (meth)acrylate, and methoxypolypropylene glycol (meth)acrylate; and acrylic ester monomers such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate, fluorine (meth)acrylate, silicone (meth)acrylate, and alkoxy-substituted hydrocarbon group-containing (meth)acrylate (2-methoxyethyl (meth)acrylate, 3-phenoxybenzyl (meth)acrylate, etc.).

上記アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分(100質量%)における、上記他のモノマー成分の割合は、例えば3~50質量%程度であり、5~40質量%または10~30質量%であってもよい。 The proportion of the other monomer components in the total monomer components (100% by mass) constituting the acrylic resin is, for example, about 3 to 50% by mass, and may be 5 to 40% by mass or 10 to 30% by mass.

上記アクリル系樹脂は、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、アクリル系樹脂を構成するモノマー成分と共重合可能な多官能(メタ)アクリレートに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記多官能(メタ)アクリレートとしては、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 The acrylic resin may contain a structural unit derived from a polyfunctional (meth)acrylate that is copolymerizable with the monomer components that constitute the acrylic resin in order to form a crosslinked structure in the polymer skeleton. Examples of the polyfunctional (meth)acrylate include hexanediol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate. Only one type of the polyfunctional monomer may be used, or two or more types may be used.

上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性や光半導体素子への密着性等の基本特性を上記樹脂層において適切に発現させるためには、上記アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分(100質量%)における上記多官能性モノマーの割合は、40質量%以下が好ましく、より好ましくは30質量%以下である。 In order to adequately express the basic properties of the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic ester, such as adhesion to optical semiconductor elements, in the resin layer, the proportion of the polyfunctional monomer in the total monomer components (100% by mass) constituting the acrylic resin is preferably 40% by mass or less, and more preferably 30% by mass or less.

上記樹脂層が放射線硬化性樹脂層である場合、上記樹脂層としては、例えば、ベースポリマーと放射線重合性の炭素-炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する層、放射線重合性官能基を有するポリマー(特に、アクリル系樹脂)をベースポリマーして含む層などが挙げられる。 When the resin layer is a radiation-curable resin layer, examples of the resin layer include a layer containing a base polymer and a radiation-polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond, and a layer containing a polymer having a radiation-polymerizable functional group (especially an acrylic resin) as a base polymer.

上記放射線重合性官能基としては、エチレン性不飽和基等の炭素-炭素不飽和結合を含む基等の放射線ラジカル重合性基や、放射線カチオン重合性基などが挙げられる。上記炭素-炭素不飽和結合を含む基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基などが挙げられる。上記放射線カチオン重合性基としては、エポキシ基、オキセタニル基、オキソラニル基などが挙げられる。中でも、炭素-炭素不飽和結合を含む基が好ましく、より好ましくはアクリロイル基、メタクリロイル基である。上記放射線重合性官能基は、一種のみであってもよいし、二種以上であってもよい。上記放射線重合性官能基の位置は、ポリマー側鎖、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端のいずれであってもよい。 The above-mentioned radiation-polymerizable functional group includes a radiation-radical polymerizable group such as a group containing a carbon-carbon unsaturated bond, such as an ethylenically unsaturated group, and a radiation-cationically polymerizable group. Examples of the above-mentioned group containing a carbon-carbon unsaturated bond include a vinyl group, a propenyl group, an isopropenyl group, an acryloyl group, and a methacryloyl group. Examples of the above-mentioned radiation-cationically polymerizable group include an epoxy group, an oxetanyl group, and an oxolanyl group. Among these, a group containing a carbon-carbon unsaturated bond is preferred, and an acryloyl group and a methacryloyl group are more preferred. The above-mentioned radiation-polymerizable functional group may be one type only or two or more types. The position of the above-mentioned radiation-polymerizable functional group may be any of the polymer side chains, the polymer main chain, and the polymer main chain terminals.

上記放射線重合性官能基を有するポリマーは、例えば、反応性官能基(第1の官能基)を有するポリマーと、上記第1の官能基との間で反応を生じて結合を形成し得る官能基(第2の官能基)および上記放射線重合性官能基を有する化合物とを、上記放射線重合性官能基の放射線重合性を維持したまま反応させて結合させる方法により作製することができる。このため、上記放射線重合性官能基を有するポリマーは、上記第1の官能基を有するポリマーに由来する構造部と、上記第2の官能基および放射線重合性官能基を有する化合物に由来する構造部とを含むことが好ましい。 The polymer having the radiation-polymerizable functional group can be prepared, for example, by reacting a polymer having a reactive functional group (first functional group) with a compound having a functional group (second functional group) capable of reacting with the first functional group to form a bond and the radiation-polymerizable functional group while maintaining the radiation polymerizability of the radiation-polymerizable functional group. For this reason, it is preferable that the polymer having the radiation-polymerizable functional group contains a structural part derived from the polymer having the first functional group and a structural part derived from the compound having the second functional group and the radiation-polymerizable functional group.

上記第1の官能基と上記第2の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基などが挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。上記組み合わせは、一種のみであってもよいし、二種以上であってもよい。 Examples of combinations of the first functional group and the second functional group include a carboxy group and an epoxy group, an epoxy group and a carboxy group, a carboxy group and an aziridyl group, an aziridyl group and a carboxy group, a hydroxy group and an isocyanate group, and an isocyanate group and a hydroxy group. Among these, from the viewpoint of ease of reaction tracking, a combination of a hydroxy group and an isocyanate group, and a combination of an isocyanate group and a hydroxy group are preferred. The above combinations may be one type only, or two or more types.

上記放射性重合性官能基およびイソシアネート基を有する化合物としては、メタクリロイルイソシアネート、2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)、m-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。上記化合物は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 Examples of compounds having the above-mentioned radiation-polymerizable functional group and isocyanate group include methacryloyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), m-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, etc. One or more of the above compounds may be used.

上記放射線重合性官能基を有するアクリル系樹脂中の、上記第2の官能基および放射線重合性官能基を有する化合物に由来する構造部の含有量は、放射線硬化性樹脂層の硬化をより進行させることができる観点から、上記第1の官能基を有するアクリル系樹脂に由来する構造部の総量100モルに対して、0.5モル以上が好ましく、より好ましくは1モル以上、さらに好ましくは3モル以上、さらに好ましくは10モル以上である。上記含有量は、例えば100モル以下である。 The content of the structural part derived from the compound having the second functional group and the radiation-polymerizable functional group in the acrylic resin having the radiation-polymerizable functional group is preferably 0.5 moles or more, more preferably 1 mole or more, even more preferably 3 moles or more, and even more preferably 10 moles or more, per 100 moles of the total amount of the structural part derived from the acrylic resin having the first functional group, from the viewpoint of being able to further proceed with the curing of the radiation-curable resin layer. The content is, for example, 100 moles or less.

上記放射線重合性官能基を有するアクリル系樹脂中の、上記第1の官能基に対する、上記第2の官能基のモル比[第2の官能基/第1の官能基]は、放射線硬化性樹脂層の硬化をより進行させることができる観点から、0.01以上が好ましく、より好ましくは0.05以上、さらに好ましくは0.2以上、特に好ましくは0.4以上である。また、上記モル比は、放射線硬化性樹脂層中の低分子量物質をより低減させる観点から、1.0未満が好ましく、より好ましくは0.9以下である。 The molar ratio of the second functional group to the first functional group in the acrylic resin having the radiation-polymerizable functional group [second functional group/first functional group] is preferably 0.01 or more, more preferably 0.05 or more, even more preferably 0.2 or more, and particularly preferably 0.4 or more, from the viewpoint of further promoting the curing of the radiation-curable resin layer. In addition, the molar ratio is preferably less than 1.0, more preferably 0.9 or less, from the viewpoint of further reducing low molecular weight substances in the radiation-curable resin layer.

上記アクリル系樹脂は、上述の各種モノマー成分を重合することにより得られる。この重合方法としては、特に限定されないが、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、活性エネルギー線照射による重合方法(活性エネルギー線重合方法)などが挙げられる。また、得られるアクリル系樹脂は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体などいずれであってもよい。 The acrylic resin is obtained by polymerizing the various monomer components described above. The polymerization method is not particularly limited, but examples include a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, and a polymerization method using active energy radiation (active energy radiation polymerization method). The obtained acrylic resin may be any of a random copolymer, a block copolymer, a graft copolymer, and the like.

上記放射線重合性官能基を有するアクリル系樹脂は、例えば、第1の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合(共重合)させて第1の官能基を有するアクリル系樹脂を得た後、上記第2の官能基および放射線重合性官能基を有する化合物を、放射線重合性官能基の放射線重合性を維持したままアクリル系樹脂に対して縮合反応または付加反応させる方法により作製することができる。 The acrylic resin having the radiation-polymerizable functional group can be prepared, for example, by polymerizing (copolymerizing) a raw material monomer containing a monomer component having a first functional group to obtain an acrylic resin having a first functional group, and then subjecting a compound having the second functional group and a radiation-polymerizable functional group to a condensation reaction or addition reaction with the acrylic resin while maintaining the radiation polymerizability of the radiation-polymerizable functional group.

モノマー成分の重合に際しては、各種の一般的な溶剤が用いられてもよい。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、酢酸n-ブチル等のエステル類;トルエン、ベンゼン等の芳香族炭化水素類;n-ヘキサン、n-ヘプタン等の脂肪族炭化水素類;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類などの有機溶剤が挙げられる。上記溶剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 When polymerizing the monomer components, various common solvents may be used. Examples of the solvent include organic solvents such as esters such as ethyl acetate and n-butyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and benzene; aliphatic hydrocarbons such as n-hexane and n-heptane; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane; and ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone. Only one of the above solvents may be used, or two or more of them may be used.

モノマー成分のラジカル重合に用いられる重合開始剤、連鎖移動剤、乳化剤などは特に限定されず適宜選択して使用することができる。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量は、重合開始剤、連鎖移動剤の使用量、反応条件により制御可能であり、これらの種類に応じて適宜のその使用量が調整される。 The polymerization initiator, chain transfer agent, emulsifier, etc. used in the radical polymerization of the monomer components are not particularly limited and can be selected as appropriate. The weight average molecular weight of the acrylic resin can be controlled by the amount of polymerization initiator and chain transfer agent used and the reaction conditions, and the amount used is adjusted appropriately depending on the type of these.

モノマー成分の重合に用いられる重合開始剤としては、重合反応の種類に応じて、熱重合開始剤や光重合開始剤(光開始剤)などが使用可能である。上記重合開始剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 As the polymerization initiator used for the polymerization of the monomer components, a thermal polymerization initiator or a photopolymerization initiator (photoinitiator) can be used depending on the type of polymerization reaction. Only one type of the above polymerization initiator may be used, or two or more types may be used.

上記熱重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、アゾ系重合開始剤、過酸化物系重合開始剤、レドックス系重合開始剤などが挙げられる。上記熱重合開始剤の使用量は、上記第1の官能基を有するアクリル系樹脂を構成する全モノマー成分の総量100質量部に対して、1質量部以下であることが好ましく、より好ましくは0.005~1質量部、さらに好ましくは0.02~0.5質量部である。 The thermal polymerization initiator is not particularly limited, but examples thereof include azo-based polymerization initiators, peroxide-based polymerization initiators, and redox-based polymerization initiators. The amount of the thermal polymerization initiator used is preferably 1 part by mass or less, more preferably 0.005 to 1 part by mass, and even more preferably 0.02 to 0.5 parts by mass, per 100 parts by mass of the total amount of all monomer components constituting the acrylic resin having the first functional group.

上記光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインエーテル系光重合開始剤、アセトフェノン系光重合開始剤、α-ケトール系光重合開始剤、芳香族スルホニルクロリド系光重合開始剤、光活性オキシム系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンジル系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、ケタール系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、チタノセン系光重合開始剤などが挙げられる。中でも、アセトフェノン系光重合開始剤が好ましい。 Examples of the photopolymerization initiator include benzoin ether-based photopolymerization initiators, acetophenone-based photopolymerization initiators, α-ketol-based photopolymerization initiators, aromatic sulfonyl chloride-based photopolymerization initiators, photoactive oxime-based photopolymerization initiators, benzoin-based photopolymerization initiators, benzyl-based photopolymerization initiators, benzophenone-based photopolymerization initiators, ketal-based photopolymerization initiators, thioxanthone-based photopolymerization initiators, acylphosphine oxide-based photopolymerization initiators, and titanocene-based photopolymerization initiators. Among these, acetophenone-based photopolymerization initiators are preferred.

上記アセトフェノン系光重合開始剤としては、例えば、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、4-フェノキシジクロロアセトフェノン、4-(t-ブチル)ジクロロアセトフェノン、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、メトキシアセトフェノンなどが挙げられる。 Examples of the acetophenone-based photopolymerization initiator include 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 4-phenoxydichloroacetophenone, 4-(t-butyl)dichloroacetophenone, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, and methoxyacetophenone.

上記光重合開始剤の使用量は、上記アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分の総量100質量部に対して、0.005~1質量部であることが好ましく、より好ましくは0.01~0.7質量部、さらに好ましくは0.18~0.5質量部である。上記使用量が0.005質量部以上(特に、0.18質量部以上)であると、アクリル系樹脂の分子量を小さく制御しやすく、樹脂層の残留応力が高くなり段差吸収性がより良好となる傾向がある。 The amount of the photopolymerization initiator used is preferably 0.005 to 1 part by mass, more preferably 0.01 to 0.7 parts by mass, and even more preferably 0.18 to 0.5 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total amount of all monomer components constituting the acrylic resin. When the amount used is 0.005 parts by mass or more (particularly, 0.18 parts by mass or more), it is easier to control the molecular weight of the acrylic resin to a small value, and the residual stress of the resin layer tends to increase, resulting in better step absorbency.

上記第1の官能基を有するアクリル系樹脂と上記第2の官能基および放射線重合性官能基を有する化合物の反応は、例えば、溶剤中で、触媒の存在下撹拌して行うことができる。上記溶剤としては上述のものが挙げられる。上記触媒は、第1の官能基および第2の官能基の組み合わせに応じて適宜選択される。上記反応における反応温度は例えば5~100℃、反応時間は例えば1~36時間である。 The reaction between the acrylic resin having the first functional group and the compound having the second functional group and the radiation-polymerizable functional group can be carried out, for example, in a solvent by stirring in the presence of a catalyst. Examples of the solvent include those mentioned above. The catalyst is appropriately selected depending on the combination of the first functional group and the second functional group. The reaction temperature in the reaction is, for example, 5 to 100°C, and the reaction time is, for example, 1 to 36 hours.

上記アクリル系樹脂は、架橋剤に由来する構造部を有していてもよい。例えば、上記アクリル系樹脂を架橋させ、上記脂層中の低分子量物質をより低減させることができる。また、アクリル系樹脂の重量平均分子量を高めることができる。なお、上記アクリル系樹脂が放射線重合性官能基を有する場合、上記架橋剤は、放射線重合性官能基以外の官能基同士(例えば、第1の官能基同士、第2の官能基同士、または第1の官能基と第2の官能基)を架橋するものである。上記架橋剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 The acrylic resin may have a structural portion derived from a crosslinking agent. For example, the acrylic resin may be crosslinked to further reduce low molecular weight substances in the fat layer. The weight average molecular weight of the acrylic resin may be increased. When the acrylic resin has a radiation polymerizable functional group, the crosslinking agent crosslinks functional groups other than the radiation polymerizable functional group (for example, between first functional groups, between second functional groups, or between a first functional group and a second functional group). Only one type of crosslinking agent may be used, or two or more types may be used.

上記架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤、シリコーン系架橋剤、シラン系架橋剤などが挙げられる。上記架橋剤としては、中でも、光半導体素子に対する密着性に優れる観点、不純物イオンが少ない観点から、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤が好ましく、より好ましくはイソシアネート系架橋剤である。 Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents, epoxy-based crosslinking agents, melamine-based crosslinking agents, peroxide-based crosslinking agents, urea-based crosslinking agents, metal alkoxide-based crosslinking agents, metal chelate-based crosslinking agents, metal salt-based crosslinking agents, carbodiimide-based crosslinking agents, oxazoline-based crosslinking agents, aziridine-based crosslinking agents, amine-based crosslinking agents, silicone-based crosslinking agents, and silane-based crosslinking agents. Among these crosslinking agents, isocyanate-based crosslinking agents and epoxy-based crosslinking agents are preferred, and isocyanate-based crosslinking agents are more preferred, from the viewpoints of excellent adhesion to optical semiconductor elements and low impurity ions.

上記イソシアネート系架橋剤(多官能イソシアネート化合物)としては、例えば、1,2-エチレンジイソシアネート、1,4-ブチレンジイソシアネート、1,6-ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類;シクロペンチレンジイソシアネート、シクロヘキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネート、水素添加キシレンジイソシアネートなどの脂環族ポリイソシアネート類;2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられる。また、上記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、トリメチロールプロパン/トリレンジイソシアネート付加物、トリメチロールプロパン/ヘキサメチレンジイソシアネート付加物、トリメチロールプロパン/キシリレンジイソシアネート付加物なども挙げられる。 Examples of the isocyanate-based crosslinking agent (polyfunctional isocyanate compound) include lower aliphatic polyisocyanates such as 1,2-ethylene diisocyanate, 1,4-butylene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate; alicyclic polyisocyanates such as cyclopentylene diisocyanate, cyclohexylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, hydrogenated tolylene diisocyanate, and hydrogenated xylene diisocyanate; and aromatic polyisocyanates such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, and xylylene diisocyanate. Examples of the isocyanate crosslinking agent include a trimethylolpropane/tolylene diisocyanate adduct, a trimethylolpropane/hexamethylene diisocyanate adduct, and a trimethylolpropane/xylylene diisocyanate adduct.

上記架橋剤に由来する構造部の含有量は、特に限定されないが、上記アクリル系樹脂の、上記架橋剤に由来する構造部を除く総量100質量部に対して、5質量部以下含有することが好ましく、より好ましくは0.001~5質量部、さらに好ましくは0.01~3質量部である。 The content of the structural part derived from the crosslinking agent is not particularly limited, but is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 0.001 to 5 parts by mass, and even more preferably 0.01 to 3 parts by mass, per 100 parts by mass of the total amount of the acrylic resin excluding the structural part derived from the crosslinking agent.

上記樹脂層は、反射防止層、光拡散層、および非光拡散層において本発明の効果を損なわない範囲で、上記各成分以外のその他の成分を含んでいてもよい。上記その他の成分としては、架橋促進剤、粘着付与樹脂(ロジン誘導体、ポリテルペン樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール等)、オリゴマー、老化防止剤、充填剤(金属粉、有機充填剤、無機充填剤等)、酸化防止剤、可塑剤、軟化剤、界面活性剤、帯電防止剤、表面潤滑剤、レベリング剤、光安定剤、紫外線吸収剤、重合禁止剤、粒状物、箔状物などが挙げられる。上記その他の成分は、それぞれ、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 The resin layer may contain other components in addition to the above components in the anti-reflection layer, light diffusion layer, and non-light diffusion layer, to the extent that the effects of the present invention are not impaired. Examples of the other components include crosslinking accelerators, tackifier resins (rosin derivatives, polyterpene resins, petroleum resins, oil-soluble phenols, etc.), oligomers, antioxidants, fillers (metal powders, organic fillers, inorganic fillers, etc.), antioxidants, plasticizers, softeners, surfactants, antistatic agents, surface lubricants, leveling agents, light stabilizers, ultraviolet absorbers, polymerization inhibitors, granular materials, foil-like materials, etc. Only one type of the other components may be used, or two or more types may be used.

第一封止層、第二封止層、および第三封止層の各層の厚さは、例えば5~480μmである。第一封止層の厚さは、5~100μmが好ましく、より好ましくは10~80μm、さらに好ましくは20~70μmである。第一封止層の厚さが5μm以上であると、半導体素子の封止性がより良好となる。第一封止層の厚さが100μm以下であると、光半導体素子の発光時の輝度をより確保しやすい。 The thickness of each of the first sealing layer, the second sealing layer, and the third sealing layer is, for example, 5 to 480 μm. The thickness of the first sealing layer is preferably 5 to 100 μm, more preferably 10 to 80 μm, and even more preferably 20 to 70 μm. If the thickness of the first sealing layer is 5 μm or more, the sealing property of the semiconductor element is better. If the thickness of the first sealing layer is 100 μm or less, it is easier to ensure the brightness when the optical semiconductor element emits light.

第二封止層の厚さは、5~100μmが好ましく、より好ましくは10~80μm、さらに好ましくは20~70μmである。第二封止層の厚さが5μm以上であると、半導体素子の封止性がより良好となる。第二封止層の厚さが100μm以下であると、光半導体素子の発光時の輝度をより確保しやすい。 The thickness of the second sealing layer is preferably 5 to 100 μm, more preferably 10 to 80 μm, and even more preferably 20 to 70 μm. If the thickness of the second sealing layer is 5 μm or more, the sealing property of the semiconductor element is better. If the thickness of the second sealing layer is 100 μm or less, it is easier to ensure the brightness when the optical semiconductor element emits light.

第三封止層の厚さは、30~480μmが好ましく、より好ましくは40~380μm、さらに好ましくは50~280μmである。第三封止層の厚さが30μm以上であると、半導体素子の封止性がより良好となる。第三封止層の厚さが480μm以下であると、タイリング状態において隣接する光半導体装置同士を引き離す際、光半導体素子封止用シートの欠損や隣接する光半導体装置のシートの付着がより起こりにくい。 The thickness of the third encapsulating layer is preferably 30 to 480 μm, more preferably 40 to 380 μm, and even more preferably 50 to 280 μm. When the thickness of the third encapsulating layer is 30 μm or more, the encapsulation of the semiconductor element is improved. When the thickness of the third encapsulating layer is 480 μm or less, damage to the sheet for encapsulating the optical semiconductor element and adhesion of the sheets of the adjacent optical semiconductor device are less likely to occur when adjacent optical semiconductor devices are separated from each other in a tiling state.

上記封止部(例えば、第一封止層および第三封止層を両端面とする積層体)の厚さは、例えば100~500μmであり、好ましくは120~400μm、さらに好ましくは150~300μmである。上記厚さが100μm以上であると、光半導体素子の封止性がより良好となる。上記厚さが500μm以下であると、シートとしてのハンドリング性およびタイリング工程におけるリワーク性がより良好となり、また側面のべたつきが起こりにくい。 The thickness of the sealing portion (e.g., a laminate having a first sealing layer and a third sealing layer at both end faces) is, for example, 100 to 500 μm, preferably 120 to 400 μm, and more preferably 150 to 300 μm. If the thickness is 100 μm or more, the sealing property of the optical semiconductor element is better. If the thickness is 500 μm or less, the handling property as a sheet and the reworkability in the tiling process are better, and the side surfaces are less likely to become sticky.

樹脂層である場合の、第一封止層、第二封止層、および第三封止層は、例えば、各層を形成する樹脂組成物をはく離ライナーの剥離処理面に塗布して樹脂組成物層を形成した後、加熱による脱溶媒や、活性エネルギー線を照射してモノマー成分を重合させ、必要に応じてさらに加熱して、該樹脂組成物層を固化させることによって作製することができる。 When the layers are resin layers, the first sealing layer, second sealing layer, and third sealing layer can be prepared, for example, by applying the resin composition that forms each layer to the release-treated surface of a release liner to form a resin composition layer, and then removing the solvent by heating or irradiating with active energy rays to polymerize the monomer components, and further heating as necessary to solidify the resin composition layer.

上記樹脂組成物は、いずれの形態であってもよい。例えば、上記樹脂層が粘着層である場合の樹脂組成物(粘着剤組成物)は、エマルジョン型、溶剤型(溶液型)、活性エネルギー線硬化型、熱溶融型(ホットメルト型)などであってもよい。中でも、生産性に優れる粘着層が得やすい点より、溶剤型、活性エネルギー線硬化型が好ましい。 The resin composition may be in any form. For example, when the resin layer is an adhesive layer, the resin composition (adhesive composition) may be an emulsion type, a solvent type (solution type), an active energy ray curing type, a hot melt type, or the like. Among these, the solvent type and the active energy ray curing type are preferred because they are easy to obtain an adhesive layer with excellent productivity.

上記樹脂組成物としては、例えば、樹脂を必須成分とする樹脂組成物、または、上記樹脂を構成する単量体(モノマー成分)の混合物(「モノマー混合物」と称する場合がある)若しくはその部分重合物を必須成分とする樹脂組成物などが挙げられる。前者としては、例えば、いわゆる溶剤型の樹脂組成物などが挙げられる。また。後者としては、例えば、いわゆる活性エネルギー線硬化型の樹脂組成物などが挙げられる。上記「モノマー混合物」とは、ポリマーを構成するモノマー成分を含む混合物を意味する。また、上記「部分重合物」とは、「プレポリマー」、「シロップ」などと称する場合もあり、上記モノマー混合物中のモノマー成分のうちの1または2以上のモノマー成分が部分的に重合している組成物を意味する。 The above resin composition may be, for example, a resin composition containing a resin as an essential component, or a resin composition containing a mixture of monomers (monomer components) constituting the above resin (sometimes referred to as a "monomer mixture") or a partial polymer thereof as an essential component. The former may be, for example, a so-called solvent-based resin composition. The latter may be, for example, a so-called active energy ray-curable resin composition. The above "monomer mixture" refers to a mixture containing monomer components constituting a polymer. The above "partial polymer" may also be referred to as a "prepolymer" or "syrup", and refers to a composition in which one or more of the monomer components in the above monomer mixture are partially polymerized.

上記樹脂組成物は、公知乃至慣用の方法で作製することができる。例えば、溶剤型の樹脂組成物は、上記樹脂を含有する溶液に、必要に応じて、着色剤や光拡散剤等の添加剤を混合することにより、作製することができる。例えば、活性エネルギー線硬化型の樹脂組成物は、上記樹脂を構成するモノマー成分の混合物またはその部分重合物に、必要に応じて、添加剤を混合することにより、作製することができる。 The resin composition can be prepared by a known or conventional method. For example, a solvent-based resin composition can be prepared by mixing additives such as a colorant or a light diffusing agent into a solution containing the resin, as necessary. For example, an active energy ray-curable resin composition can be prepared by mixing additives into a mixture of monomer components constituting the resin or a partial polymer thereof, as necessary.

なお、上記樹脂組成物の塗布(塗工)には、公知のコーティング法を利用してもよい。例えば、グラビヤロールコーター、リバースロールコーター、キスロールコーター、ディップロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、スプレーコーター、コンマコーター、ダイレクトコーターなどのコーターが用いられてもよい。 The resin composition may be applied (coated) using a known coating method. For example, a coater such as a gravure roll coater, reverse roll coater, kiss roll coater, dip roll coater, bar coater, knife coater, spray coater, comma coater, or direct coater may be used.

溶剤型の樹脂組成物の加熱乾燥温度は、40~200℃が好ましく、より好ましくは50~180℃、さらに好ましくは70~170℃である。乾燥時間は、適宜、適切な時間が採用され得るが、例えば5秒~20分であり、好ましくは5秒~10分、より好ましくは10秒~5分である。 The heating and drying temperature for the solvent-based resin composition is preferably 40 to 200°C, more preferably 50 to 180°C, and even more preferably 70 to 170°C. The drying time can be appropriately selected, but is, for example, 5 seconds to 20 minutes, preferably 5 seconds to 10 minutes, and more preferably 10 seconds to 5 minutes.

活性エネルギー線照射により樹脂層を形成する場合は、上記モノマー成分から上記樹脂を製造するとともに、樹脂層を形成することができる。上記モノマー成分は、活性エネルギー線照射にあたり、事前に一部を重合してシロップにしたものを用いることができる。紫外線照射には、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどを用いることができる。 When forming a resin layer by irradiation with active energy rays, the resin can be produced from the monomer components and the resin layer can be formed. The monomer components can be partially polymerized in advance to form a syrup before irradiation with active energy rays. For ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, or the like can be used.

(基材部)
上記基材部は、上記光半導体素子封止用シートにおいて上記封止部の支持体となり、上記基材部を備えることにより上記光半導体素子封止用シートの取り扱い性に優れる。上記基材部は、単層であってもよいし、同一または組成や厚さ等が異なる複層であってもよい。上記基材部が複層である場合、各層は粘着剤層などの他の層により貼り合わせられていてもよい。なお、基材部に使用される基材層は、光半導体素子封止用シートを用いて光半導体素子を封止する際には、封止部とともに光半導体素子を備える基板に貼付される部分であり、光半導体素子封止用シートの使用時(貼付時)に剥離されるはく離ライナーや、基材部表面を保護するに過ぎない表面保護フィルムは「基材部」には含まない。基材部は、例えば第三封止層に積層される。
(Base material)
The substrate serves as a support for the encapsulation portion in the sheet for encapsulating optical semiconductor elements, and the sheet for encapsulating optical semiconductor elements has excellent handleability due to the substrate. The substrate may be a single layer, or may be a multilayer having the same or different compositions, thicknesses, etc. When the substrate is a multilayer, each layer may be bonded to another layer such as a pressure-sensitive adhesive layer. The substrate layer used in the substrate is a portion that is attached to a substrate having an optical semiconductor element together with the encapsulation portion when the sheet for encapsulating optical semiconductor elements is used to encapsulate the optical semiconductor element, and the release liner that is peeled off when the sheet for encapsulating optical semiconductor elements is used (attached) and the surface protection film that merely protects the surface of the substrate are not included in the "substrate". The substrate is, for example, laminated to the third encapsulation layer.

上記基材部を構成する基材層としては、例えば、ガラスやプラスチック基材(特に、プラスチックフィルム)などが挙げられる。上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、アイオノマー、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン-プロピレン共重合体、環状オレフィン系ポリマー、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂;ポリウレタン;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等のポリエステル;ポリカーボネート;ポリイミド系樹脂;ポリエーテルエーテルケトン;ポリエーテルイミド;アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド;ポリフェニルスルフィド;フッ素樹脂;ポリ塩化ビニル;ポリ塩化ビニリデン;トリアセチルセルロース(TAC)等のセルロース樹脂;シリコーン樹脂;ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル系樹脂;ポリサルフォン;ポリアリレート;ポリ酢酸ビニルなどが挙げられる。上記樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。 Examples of substrate layers constituting the substrate portion include glass and plastic substrates (particularly plastic films). Examples of the resin constituting the plastic substrate include polyolefin resins such as low-density polyethylene, linear low-density polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, very low-density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, ionomers, ethylene-(meth)acrylic acid copolymers, ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers (EVA), ethylene-propylene copolymers, cyclic olefin polymers, ethylene-butene copolymers, and ethylene-hexene copolymers; polyurethanes; polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate (PBT); polycarbonates; polyimide resins; polyether ether ketones; polyetherimides; polyamides such as aramids and fully aromatic polyamides; polyphenyl sulfides; fluororesins; polyvinyl chloride; polyvinylidene chloride; cellulose resins such as triacetyl cellulose (TAC); silicone resins; acrylic resins such as polymethyl methacrylate (PMMA); polysulfones; polyarylates; and polyvinyl acetates. The above resins may be used alone or in combination of two or more.

上記基材層は、反射防止(AR)フィルム、偏光板、位相差板等の各種光学フィルムであってもよい。上記基材部が光学フィルムを有する場合、上記光半導体素子封止用シートは光学部材にそのまま適用することができる。 The substrate layer may be an anti-reflection (AR) film, a polarizing plate, a retardation plate, or any other optical film. When the substrate portion has an optical film, the optical semiconductor element encapsulation sheet can be applied directly to an optical member.

上記プラスチックフィルムの厚さは、20~200μmであることが好ましく、より好ましくは40~150μmである。上記厚さが20μm以上であると、光半導体素子封止用シートの支持性および取り扱い性がより向上する。上記厚さが200μm以下であると、光半導体素子封止用シートの厚さを薄くすることができ、光半導体装置をより薄くすることができる。 The thickness of the plastic film is preferably 20 to 200 μm, and more preferably 40 to 150 μm. If the thickness is 20 μm or more, the supportability and handleability of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements are further improved. If the thickness is 200 μm or less, the thickness of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements can be reduced, and the optical semiconductor device can be made thinner.

上記基材部の上記封止部を備える側の表面は、封止部との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理;クロム酸処理等の化学的処理;コーティング剤(下塗り剤)による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。密着性を高めるための表面処理は、基材部における封止部側の表面全体に施されていることが好ましい。 The surface of the substrate on the side having the sealing portion may be subjected to a surface treatment such as a physical treatment such as corona discharge treatment, plasma treatment, sand mat processing treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, high-voltage shock exposure treatment, or ionizing radiation treatment; a chemical treatment such as chromate treatment; or an easy-adhesion treatment using a coating agent (primer) in order to improve adhesion and retention with the sealing portion. It is preferable that the surface treatment for improving adhesion is applied to the entire surface of the substrate on the sealing portion side.

上記基材部の厚さは、支持体としての機能および表面の耐擦傷性に優れる観点から、5μm以上が好ましく、より好ましくは10μm以上である。上記基材部の厚さは、透明性により優れる観点から、300μm以下が好ましく、より好ましくは200μm以下である。 The thickness of the substrate is preferably 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, from the viewpoint of excellent support function and surface scratch resistance. The thickness of the substrate is preferably 300 μm or less, more preferably 200 μm or less, from the viewpoint of excellent transparency.

(光半導体素子封止用シート)
上記光半導体素子封止用シートは、上述のように、表面処理層(例えば、上記アンチグレア処理層、上記反射防止処理層、上記ハードコート処理層等)等の上記機能層を備えていてもよい。このような構成を有することにより、上記光半導体装置をディスプレイに適用した際において、ディスプレイの光沢や光の反射を抑制し、ディスプレイの見栄えをより良くしたり、ディスプレイ表面の耐傷性を向上させることができる。上記アンチグレア処理層、上記反射防止処理層、および上記ハードコート処理層は、これらのうちの2以上の機能を備える単一層であってもよいし、互いに異なる層であってもよい。上記機能層は上記基材部の表面(特に、上記封止部とは反対側の面)に備えられることが好ましい。上記アンチグレア処理層、反射防止処理層、およびハードコート処理層は、それぞれ、一層のみ有していてもよいし、二層以上を有していてもよい。
(Optical semiconductor element encapsulation sheet)
As described above, the optical semiconductor element encapsulation sheet may have the functional layer such as a surface treatment layer (for example, the anti-glare treatment layer, the anti-reflection treatment layer, the hard coat treatment layer, etc.). By having such a configuration, when the optical semiconductor device is applied to a display, the gloss of the display and the reflection of light can be suppressed, the appearance of the display can be improved, and the scratch resistance of the display surface can be improved. The anti-glare treatment layer, the anti-reflection treatment layer, and the hard coat treatment layer may be a single layer having two or more of these functions, or may be different layers from each other. The functional layer is preferably provided on the surface of the substrate part (particularly, the surface opposite to the sealing part). The anti-glare treatment layer, the anti-reflection treatment layer, and the hard coat treatment layer may each have only one layer, or two or more layers.

上記反射防止処理としては、公知の反射防止処理を特に制限なく適用することができ、具体的には、基材部上に厚さおよび屈折率を厳密に制御した光学薄膜若しくは上記光学薄膜を二層以上積層した反射防止処理層を形成することにより実施することができる。上記反射防止処理層は、光の干渉効果を利用して入射光と反射光の逆転した位相を互いに打ち消し合わせることで反射防止機能を発現する。反射防止機能を発現させる可視光線の波長領域は、例えば、380~780nmであり、特に視感度が高い波長領域は450~650nmの範囲であり、その中心波長である550nmの反射率を最小にするように反射防止処理層を設計することが好ましい。 As the antireflection treatment, any known antireflection treatment can be applied without any particular restrictions. Specifically, the antireflection treatment can be performed by forming an optical thin film with a strictly controlled thickness and refractive index on the substrate, or an antireflection treatment layer in which two or more of the optical thin films are laminated. The antireflection treatment layer exhibits an antireflection function by canceling out the inverted phases of incident light and reflected light using the optical interference effect. The wavelength region of visible light that exhibits the antireflection function is, for example, 380 to 780 nm, and the wavelength region with particularly high visibility is the range of 450 to 650 nm. It is preferable to design the antireflection treatment layer so as to minimize the reflectance at 550 nm, which is the central wavelength of the optical thin film.

上記反射防止処理層としては、一般的に、2~5層の光学薄層(厚さおよび屈折率を厳密に制御した薄膜)を積層した構造の多層反射防止処理層が挙げられる。屈折率の異なる成分を所定の厚さだけ複数層形成することで、反射防止処理層の光学設計の自由度が上がり、より反射防止効果を向上させることができ、分光反射特性も可視光領域で均一(フラット)にすることが可能になる。上記光学薄膜において、高い厚さ精度が要求されるため、一般的に、各層の形成は、ドライ方式である真空蒸着、スパッタリング、CVD等で実施される。 The above-mentioned anti-reflection treatment layer is generally a multi-layer anti-reflection treatment layer having a structure in which 2 to 5 optical thin layers (thin films with strictly controlled thickness and refractive index) are laminated. By forming multiple layers of components with different refractive indexes to a specified thickness, the degree of freedom in the optical design of the anti-reflection treatment layer is increased, the anti-reflection effect can be improved, and the spectral reflection characteristics can be made uniform (flat) in the visible light range. Since high thickness accuracy is required for the above-mentioned optical thin films, the formation of each layer is generally performed by dry methods such as vacuum deposition, sputtering, and CVD.

上記アンチグレア処理としては、公知のアンチグレア処理を特に制限なく適用することができ、例えば、基材部上にアンチグレア処理層を形成することにより実施することができる。上記アンチグレア処理層としては、公知のものを制限なく採用することができ、一般的に、樹脂中にアンチグレア剤として無機または有機の粒子を分散した層として形成される。 As the anti-glare treatment, any known anti-glare treatment can be applied without any particular restrictions, and for example, it can be performed by forming an anti-glare treatment layer on the substrate. As the anti-glare treatment layer, any known anti-glare treatment can be used without any restrictions, and it is generally formed as a layer in which inorganic or organic particles are dispersed as an anti-glare agent in a resin.

上記アンチグレア処理層は、例えば、樹脂、粒子、およびチキソトロピー付与剤を含むアンチグレア処理層形成材料を用いて形成される。上記粒子および上記チキソトロピー付与剤が凝集することによって、上記アンチグレア処理層の表面に凸状部が形成される。当該構成により、アンチグレア処理層は、アンチグレア性と、白ボケの防止とを両立した優れた表示特性を有するとともに、粒子の凝集を利用してアンチグレア処理層を形成しているにもかかわらず、外観欠点となるアンチグレア処理層表面の突起状物の発生を防止して製品の歩留まりを向上させることができる。 The anti-glare treatment layer is formed, for example, using an anti-glare treatment layer forming material including a resin, particles, and a thixotropy-imparting agent. The particles and the thixotropy-imparting agent aggregate to form convex portions on the surface of the anti-glare treatment layer. With this configuration, the anti-glare treatment layer has excellent display characteristics that combine anti-glare properties with prevention of white blur, and even though the anti-glare treatment layer is formed using particle aggregation, it is possible to prevent the occurrence of protrusions on the surface of the anti-glare treatment layer, which is an appearance defect, and improve product yield.

上記機能層を積層しない状態における上記光半導体素子封止用シートのヘイズ値(初期ヘイズ値)は、特に限定されないが、光拡散性がより向上し、輝度ムラの抑制効果と意匠性とがより優れたものとする観点から、80%以上が好ましく、より好ましくは85%以上、さらに好ましくは90%以上、特に好ましくは95%以上である。なお、上記ヘイズ値の上限は特に限定されない。上記ヘイズ値はどちらの面から測定された値であってもよい。上記光半導体素子封止用シートが放射線硬化性樹脂層を備える場合、上記ヘイズ値は上記放射線硬化性樹脂層の硬化前の値であってもよく、硬化後の値であってもよい。また、上記光半導体素子封止用シートは、その片面に機能層を積層した状態において、上記機能層側から測定されるヘイズ値(初期ヘイズ値)が上記範囲内であることが好ましい。 The haze value (initial haze value) of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements in a state where the functional layer is not laminated is not particularly limited, but from the viewpoint of improving light diffusion and achieving a better effect of suppressing uneven brightness and design, it is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, even more preferably 90% or more, and particularly preferably 95% or more. The upper limit of the haze value is not particularly limited. The haze value may be a value measured from either side. When the sheet for encapsulating optical semiconductor elements includes a radiation curable resin layer, the haze value may be a value before or after curing of the radiation curable resin layer. In addition, it is preferable that the haze value (initial haze value) measured from the functional layer side in a state where a functional layer is laminated on one side of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements is within the above range.

上記機能層を積層しない状態における上記光半導体素子封止用シートの全光線透過率は、特に限定されないが、光半導体装置における金属配線などの反射防止機能、コントラストをより向上させるという観点から、30%以下が好ましく、より好ましくは20%以下、さらに好ましくは5%以下である。また、上記全光線透過率は、光取り出し効率により優れ、光半導体装置の輝度を確保するという観点から、0.5%以上であることが好ましい。上記光半導体素子封止用シートが放射線硬化性樹脂層を備える場合、上記全光線透過率は上記放射線硬化性樹脂層の硬化前の値であってもよく、硬化後の値であってもよい。 The total light transmittance of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements without laminating the functional layer is not particularly limited, but is preferably 30% or less, more preferably 20% or less, and even more preferably 5% or less, from the viewpoint of further improving the anti-reflection function and contrast of metal wiring and the like in the optical semiconductor device. In addition, the total light transmittance is preferably 0.5% or more, from the viewpoint of achieving superior light extraction efficiency and ensuring the brightness of the optical semiconductor device. When the sheet for encapsulating optical semiconductor elements includes a radiation curable resin layer, the total light transmittance may be the value before or after curing of the radiation curable resin layer.

上記光半導体素子封止用シートは、その片面に機能層を積層した状態において、上記機能層側から測定される全光線透過率は、0.5~30%であることが好ましく、より好ましくは1~25%、さらに好ましくは2~20%、特に好ましくは3~15%である。上記全光線透過率が0.5%以上であると、光取り出し効率に優れ、光半導体装置の輝度をより確保することができる。上記全光線透過率が30%以下であると、光半導体装置における金属配線などの反射防止機能、コントラストをより向上させることができる。 When the sheet for encapsulating optical semiconductor elements has a functional layer laminated on one side thereof, the total light transmittance measured from the functional layer side is preferably 0.5 to 30%, more preferably 1 to 25%, even more preferably 2 to 20%, and particularly preferably 3 to 15%. If the total light transmittance is 0.5% or more, the light extraction efficiency is excellent and the brightness of the optical semiconductor device can be further ensured. If the total light transmittance is 30% or less, the anti-reflection function and contrast of metal wiring and the like in the optical semiconductor device can be further improved.

上記光半導体素子封止用シートのヘイズ値および全光線透過率は、それぞれ、JIS K7136、JIS K7361-1で定める方法により測定できるものであり、上記光半導体素子封止用シートを構成する各層の積層順や種類、厚さなどにより制御することができる。 The haze value and total light transmittance of the optical semiconductor element encapsulation sheet can be measured by the methods specified in JIS K7136 and JIS K7361-1, respectively, and can be controlled by the stacking order, type, thickness, etc. of each layer constituting the optical semiconductor element encapsulation sheet.

上記光半導体素子封止用シートは、その片面に機能層を積層した状態において、少なくとも一方の面側(好ましくは両面側)から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL*(SCE)は、5~60が好ましく、より好ましくは8~40、さらに好ましくは10~20である。物体が反射する光は正反射光および拡散反射光を含むところ、正反射光は肉眼で認識することが困難な光である。L*(SCE)は正反射光を含まない反射光を測定したものであり、L*(SCE)が60以下であると、肉眼で画像表示装置を視認した際の意匠性に優れる。L*(SCE)が5以上であると、光取り出し効率により優れ、光半導体装置の輝度をより確保することができる。また、上記光半導体素子封止用シートの上記機能層を積層しない状態における上記L*(SCE)は上記範囲内であることが好ましい。L*(SCE)は、具体的には実施例に記載の方法で測定することができる。 The optical semiconductor element encapsulation sheet has an L * (SCE) of 5 to 60, more preferably 8 to 40, and even more preferably 10 to 20, measured under conditions of a 10° field of view from at least one side (preferably both sides) and a light source D65, with a functional layer laminated on one side of the sheet. The light reflected by an object includes specular reflected light and diffuse reflected light, and specular reflected light is light that is difficult to recognize with the naked eye. L * (SCE) is a measurement of reflected light that does not include specular reflected light, and when L * (SCE) is 60 or less, the image display device has excellent design when viewed with the naked eye. When L * (SCE) is 5 or more, the light extraction efficiency is excellent and the brightness of the optical semiconductor device can be further ensured. In addition, the L * (SCE) of the optical semiconductor element encapsulation sheet in a state in which the functional layer is not laminated is preferably within the above range. Specifically, L * (SCE) can be measured by the method described in the Examples.

上記光半導体素子封止用シートは、その片面に機能層を積層した状態において、少なくとも一方の面側(好ましくは両面側)から10°視野、光源D65の条件で測定した際のa*(SCE)は、-5~5が好ましく、より好ましくは-3~3、さらに好ましくは-2~2である。a*(SCE)が上記範囲内であると、光半導体素子が発する光と視認者が光半導体素子封止用シートを介して視認する光との明るさや色調が同程度となり、見栄えが良い。また、上記光半導体素子封止用シートの上記機能層を積層しない状態における上記a*(SCE)は上記範囲内であることが好ましい。a*(SCE)は、具体的には実施例に記載の方法で測定することができる。 The optical semiconductor element encapsulation sheet has a * (SCE) of -5 to 5, more preferably -3 to 3, and even more preferably -2 to 2, when measured under conditions of a 10° field of view and light source D65 from at least one side (preferably both sides) in a state in which a functional layer is laminated on one side of the sheet. When a * (SCE) is within the above range, the brightness and color tone of the light emitted by the optical semiconductor element and the light visually recognized by the viewer through the optical semiconductor element encapsulation sheet are about the same, and the appearance is good. In addition, the a * (SCE) of the optical semiconductor element encapsulation sheet in a state in which the functional layer is not laminated is preferably within the above range. Specifically, a * (SCE) can be measured by the method described in the Examples.

上記光半導体素子封止用シートは、その片面に機能層を積層した状態において、少なくとも一方の面側(好ましくは両面側)から10°視野、光源D65の条件で測定した際のb*(SCE)は、-5~5が好ましく、より好ましくは-3~3、さらに好ましくは-2~2である。b*(SCE)が上記範囲内であると、光半導体素子が発する光と視認者が光半導体素子封止用シートを介して視認する光との明るさや色調が同程度となり、見栄えが良い。また、上記光半導体素子封止用シートの上記機能層を積層しない状態における上記b*(SCE)は上記範囲内であることが好ましい。b*(SCE)は、具体的には実施例に記載の方法で測定することができる。 The sheet for encapsulating optical semiconductor elements has a b * (SCE) of -5 to 5, more preferably -3 to 3, and even more preferably -2 to 2, when measured under conditions of a 10° visual field and a light source D65 from at least one side (preferably both sides) in a state in which a functional layer is laminated on one side of the sheet. When b * (SCE) is within the above range, the brightness and color tone of the light emitted by the optical semiconductor element and the light visually recognized by the viewer through the sheet for encapsulating optical semiconductor elements are about the same, and the appearance is good. In addition, the b * (SCE) of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements in a state in which the functional layer is not laminated is preferably within the above range. Specifically, b * (SCE) can be measured by the method described in the Examples.

*(SCE)は1に近いほど意匠性に優れる。本明細書において、L***(SCE)は公知乃至慣用の分光側色計を用いて測定することができる。上記L***(SCE)の測定は上記封止部に透明層を貼り合わせた状態で行ってもよい。例えば上記封止部が粘着性を有する場合などに測定時の取り扱い性が向上する。上記透明層としては、はく離ライナーやプラスチック基板などが挙げられる。上記透明層は、L***(SCE)への影響が小さい観点から、ヘイズ値が30%以下および/または全光線透過率が80%以上であることが好ましい。上記L***(SCE)は、具体的には、例えば、実施例に記載の方法で測定することができる。また、上記光半導体素子封止用シートが放射線硬化性樹脂層を備える場合、より使用時の状態に近い状態で測定することが望ましいため、上記放射線硬化性樹脂層の硬化後におけるそれぞれの値(L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2、b* 2、L* 1-L* 2、a* 1-a* 2、およびb* 1-b* 2)が上記範囲内であってもよく、上記放射線硬化性樹脂層の硬化前におけるそれぞれの値が上記範囲内であってもよい。 The closer L * (SCE) is to 1, the better the design. In this specification, L * a * b * (SCE) can be measured using a known or conventional spectrophotometer. The measurement of L * a * b * (SCE) may be performed with a transparent layer attached to the sealing part. For example, when the sealing part has adhesiveness, the handling during measurement is improved. Examples of the transparent layer include a release liner and a plastic substrate. From the viewpoint of small influence on L * a * b * (SCE), the transparent layer preferably has a haze value of 30% or less and/or a total light transmittance of 80% or more. Specifically, the L * a * b * (SCE) can be measured by the method described in the examples. Furthermore, when the sheet for encapsulating optical semiconductor elements comprises a radiation-curable resin layer, it is desirable to measure under conditions closer to the state during use, so each of the values after curing of the radiation-curable resin layer (L * 1 , a * 1 , b * 1 , L * 2 , a * 2 , b * 2 , L * 1 -L * 2 , a * 1 -a * 2 , and b * 1 -b * 2 ) may be within the above-mentioned ranges, and each of the values before curing of the radiation-curable resin layer may be within the above-mentioned ranges.

上記光半導体素子封止用シートの封止部(第一封止層)をガラス板に貼り合わせた測定サンプルを用いて下記光拡散効果確認試験により測定される円状の直径は、20mm以上であることが好ましく、より好ましくは25mm以上、さらに好ましくは26mm以上である。上記円状の直径が20mm以上であると、光拡散性により優れ、輝度ムラがよりいっそう抑制される。また、上記光半導体素子封止用シートは、その片面に機能層を積層した状態において、封止部(第一封止層)をガラス板に貼り合わせた測定サンプルを用いて下記光拡散効果確認試験により測定される円状の直径が上記範囲内であることが好ましい。
<光拡散効果確認試験>
スクリーン上にLEDランプを設置し、ガラス板をLEDランプに密着させてLEDランプからガラス板を介してスクリーン上に光照射した際、上記スクリーン上に直径が16mmとなる円状の光が現れる位置をLEDランプの位置とする。そして、上記光半導体素子封止用シートの封止部(第一封止層)をガラス板に貼り合わせた測定サンプルのガラス板側をLEDランプに密着させた状態で、LEDランプからガラス板および光半導体素子封止用シートを介してスクリーン上に光照射した際に現れる円状の光の直径を測定する。
The circular diameter measured by the following light diffusion effect confirmation test using a measurement sample obtained by laminating the sealing portion (first sealing layer) of the optical semiconductor element encapsulation sheet to a glass plate is preferably 20 mm or more, more preferably 25 mm or more, and even more preferably 26 mm or more. When the circular diameter is 20 mm or more, the light diffusion property is more excellent and the brightness unevenness is further suppressed. In addition, the optical semiconductor element encapsulation sheet, in a state in which a functional layer is laminated on one side thereof, preferably has a circular diameter measured by the following light diffusion effect confirmation test using a measurement sample obtained by laminating the sealing portion (first sealing layer) to a glass plate within the above range.
<Light diffusion effect confirmation test>
An LED lamp is placed on the screen, a glass plate is brought into close contact with the LED lamp, and light is irradiated onto the screen from the LED lamp through the glass plate. The position at which a circular light having a diameter of 16 mm appears on the screen is defined as the position of the LED lamp. Then, with the glass plate side of a measurement sample in which the encapsulation portion (first encapsulation layer) of the optical semiconductor element encapsulation sheet is attached to a glass plate in close contact with the LED lamp, the diameter of the circular light that appears when light is irradiated onto the screen from the LED lamp through the glass plate and the optical semiconductor element encapsulation sheet is measured.

本発明の光半導体素子封止用シートの厚さは、画像表示装置における金属配線などの反射防止機能、コントラストを向上させつつ、カラーキャストをより効率的に低減する観点から、10~600μmであることが好ましく、より好ましくは20~550μm、さらに好ましくは30~500μm、さらに好ましくは40~450μm、特に好ましくは50~400μmである。なお、本発明の光半導体素子封止用シートが基材部を含む場合、基材部は本発明の光半導体素子封止用シートの厚さに含まれるが、はく離ライナーは本発明の光半導体素子封止用シートの厚さには含まれないものとする。 The thickness of the optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention is preferably 10 to 600 μm, more preferably 20 to 550 μm, even more preferably 30 to 500 μm, even more preferably 40 to 450 μm, and particularly preferably 50 to 400 μm, from the viewpoint of more efficiently reducing color cast while improving the anti-reflection function and contrast of metal wiring and the like in an image display device. Note that when the optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention includes a substrate, the substrate is included in the thickness of the optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention, but the release liner is not included in the thickness of the optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention.

本発明の光半導体素子封止用シートは、光拡散性に優れ、且つ光取り出し効率に優れる。このため、本発明の光半導体素子封止用シートによれば、光半導体素子を封止した状態において意匠性に優れ、輝度が高く、且つ輝度ムラが起こりにくい。そして、本発明の光半導体素子封止用シートを使用することで、光半導体素子の非点灯時において見栄えが良く、且つ、光半導体素子の点灯時において光半導体素子から発せられた光を効率的に拡散させた状態で通過させることができる光半導体装置を提供することができる。 The sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention has excellent light diffusion properties and excellent light extraction efficiency. Therefore, the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention has excellent design properties, high brightness, and is less prone to uneven brightness when the optical semiconductor elements are encapsulated. By using the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention, it is possible to provide an optical semiconductor device that looks good when the optical semiconductor elements are not lit, and that allows the light emitted from the optical semiconductor elements to pass through in an efficiently diffused state when the optical semiconductor elements are lit.

[はく離ライナー]
上記はく離ライナーは、上記光半導体素子封止用シート表面を被覆して保護するための要素であり、光半導体素子が配置された基板に光半導体素子封止用シートを貼り合わせる際には当該シートから剥がされる。
[Release liner]
The release liner is an element for covering and protecting the surface of the optical semiconductor element encapsulation sheet, and is peeled off from the sheet when the optical semiconductor element encapsulation sheet is attached to a substrate on which an optical semiconductor element is disposed.

上記はく離ライナーとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類などが挙げられる。 Examples of the release liner include polyethylene terephthalate (PET) film, polyethylene film, polypropylene film, plastic films and papers whose surfaces are coated with a release agent such as a fluorine-based release agent or a long-chain alkyl acrylate-based release agent.

上記はく離ライナーの厚さは、例えば10~200μm、好ましくは15~150μm、より好ましくは20~100μmである。上記厚さが10μm以上であると、はく離ライナーの加工時に切り込みにより破断しにくい。上記厚さが200μm以下であると、使用時に上記光半導体素子封止用シートからはく離ライナーをより剥離しやすい。 The thickness of the release liner is, for example, 10 to 200 μm, preferably 15 to 150 μm, and more preferably 20 to 100 μm. If the thickness is 10 μm or more, the release liner is less likely to break due to cuts during processing. If the thickness is 200 μm or less, the release liner is more easily peeled off from the optical semiconductor element encapsulation sheet during use.

[光半導体素子封止用シートの製造方法]
本発明の光半導体素子封止用シートの製造方法の一実施形態について説明する。例えば、図1に示す光半導体素子封止用シート1は、例えば、上述のようにして、それぞれ2枚のはく離ライナーの剥離処理面に挟持された、第一封止層21、第二封止層22、および、第三封止層23を個別に作製する。第一封止層21に貼り合わせられた一方のはく離ライナーははく離ライナー3である。
[Method of manufacturing the sheet for encapsulating optical semiconductor elements]
An embodiment of the method for producing the optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention will be described. For example, the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 shown in Fig. 1 is prepared by, for example, separately preparing the first encapsulation layer 21, the second encapsulation layer 22, and the third encapsulation layer 23, which are sandwiched between the release-treated surfaces of two release liners, as described above. One of the release liners bonded to the first encapsulation layer 21 is the release liner 3.

次に、第三封止層23に貼付されたはく離ライナーの一方を剥離して第三封止層23表面を露出させ、露出面を基材部4に貼り合わせる。その後、第二封止層22に貼付されたはく離ライナーの一方を剥離し、第三封止層23表面のはく離ライナーを剥離して露出した第三封止層23表面に第二封止層22の露出面を貼り合わせる。 Next, one side of the release liner attached to the third sealing layer 23 is peeled off to expose the surface of the third sealing layer 23, and the exposed surface is bonded to the substrate 4. Thereafter, one side of the release liner attached to the second sealing layer 22 is peeled off, and the release liner on the surface of the third sealing layer 23 is peeled off to expose the surface of the third sealing layer 23, and the exposed surface of the second sealing layer 22 is bonded to the exposed surface of the third sealing layer 23.

次に、第一封止層21に貼付されたはく離ライナーの一方(はく離ライナー3ではないはく離ライナー)を剥離し、第二封止層22表面のはく離ライナーを剥離して露出した第二封止層22表面に第一封止層21の露出面を貼り合わせる。なお、各種層の積層は、公知のローラーやラミネーターを用いて行うことができる。このようにして、基材部4上に、第三封止層23、第二封止層22、第一封止層21、およびはく離ライナー3がこの順に積層した、図1に示す光半導体素子封止用シート1を作製することができる。 Next, one of the release liners attached to the first sealing layer 21 (a release liner other than release liner 3) is peeled off, and the release liner on the surface of the second sealing layer 22 is peeled off to expose the surface of the second sealing layer 22, and the exposed surface of the first sealing layer 21 is attached to the surface. Note that the lamination of the various layers can be performed using a known roller or laminator. In this manner, the sheet 1 for encapsulating optical semiconductor elements shown in FIG. 1 can be produced, in which the third sealing layer 23, the second sealing layer 22, the first sealing layer 21, and the release liner 3 are laminated in this order on the substrate portion 4.

本発明の光半導体装置封止用シートを用いて、光半導体素子が配置された基板上に第一封止層を貼り合わせて光半導体素子を封止することで、光半導体装置を得ることができる。具体的には、まず、本発明の光半導体素子封止用シートからはく離ライナーを剥離して第一封止層を露出させる。そして、基板と、上記基板上に配置された光半導体素子(好ましくは複数の光半導体素子)とを備える光学部材の、光半導体素子が配置された基板面に、本発明の光半導体素子封止用シートの露出面である第一封止層面を貼り合わせ、上記光学部材が複数の光半導体素子を備える場合はさらに複数の光半導体素子間の隙間を放射線第一封止層が充填するように配置し、複数の光半導体素子を一括して封止する。このようにして、本発明の光半導体装置封止用シートを用いて光半導体素子を封止することができる。また、本発明の光半導体装置封止用シートを用いて、減圧環境下あるいは加圧しつつ貼り合わせることにより光半導体素子を封止してもよい。このような方法としては、例えば、特開2016-29689号公報や特開平6-97268に開示の方法が挙げられる。 The optical semiconductor device can be obtained by laminating a first encapsulating layer on a substrate on which an optical semiconductor element is arranged using the optical semiconductor device encapsulation sheet of the present invention to encapsulate the optical semiconductor element. Specifically, first, the release liner is peeled off from the optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention to expose the first encapsulating layer. Then, the first encapsulating layer surface, which is the exposed surface of the optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention, is laminated to the substrate surface on which the optical semiconductor element is arranged of an optical member comprising a substrate and an optical semiconductor element (preferably a plurality of optical semiconductor elements) arranged on the substrate, and when the optical member comprises a plurality of optical semiconductor elements, the radiation first encapsulating layer is further arranged to fill the gaps between the plurality of optical semiconductor elements, and the plurality of optical semiconductor elements are encapsulated collectively. In this way, the optical semiconductor element can be encapsulated using the optical semiconductor device encapsulation sheet of the present invention. The optical semiconductor element may also be encapsulated by laminating the optical semiconductor element under a reduced pressure environment or while applying pressure using the optical semiconductor device encapsulation sheet of the present invention. Examples of such a method include the methods disclosed in JP-A-2016-29689 and JP-A-6-97268.

[光半導体装置]
本発明の光半導体素子封止用シートを用いて光半導体装置を作製することができる。本発明の光半導体素子封止用シートを用いて製造される光半導体装置は、基板と、上記基板上に配置された光半導体素子と、上記封止部により上記光半導体素子を封止する本発明の光半導体素子封止用シートまたは当該シートが硬化した硬化物と、を備える。上記硬化物は、本発明の光半導体素子封止用シートが放射線硬化性樹脂層を備える場合において上記放射線硬化性樹脂層が放射線照射により硬化した硬化物である。
[Optical semiconductor device]
An optical semiconductor device can be produced using the sheet for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention. The optical semiconductor device produced using the sheet for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention comprises a substrate, an optical semiconductor element disposed on the substrate, and the sheet for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention, which encapsulates the optical semiconductor element with the encapsulating portion, or a cured product of the sheet. The cured product is a cured product of the radiation-curable resin layer cured by irradiation when the sheet for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention comprises a radiation-curable resin layer.

上記光半導体素子としては、例えば、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、紫外線発光ダイオード等の発光ダイオード(LED)が挙げられる。 Examples of the optical semiconductor elements include light-emitting diodes (LEDs), such as blue light-emitting diodes, green light-emitting diodes, red light-emitting diodes, and ultraviolet light-emitting diodes.

上記光半導体装置において、本発明の光半導体素子封止用シートは、光半導体素子を凸部、複数の光半導体素子間の隙間を凹部としたときの凹凸への追従性に優れ光半導体素子の追従性および埋め込み性に優れるため、複数の光半導体素子を一括して封止していることが好ましい。 In the above optical semiconductor device, the optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention has excellent conformability to the unevenness when the optical semiconductor elements are convex portions and the gaps between multiple optical semiconductor elements are concave portions, and has excellent conformability and embeddability of the optical semiconductor elements, so it is preferable to encapsulate multiple optical semiconductor elements collectively.

図2に、図1に示す光半導体素子封止用シート1を用いた光半導体装置の一実施形態を示す。図2に示す光半導体装置10は、基板5と、基板5の一方の面に配置された複数の光半導体素子6と、光半導体素子6を封止する光半導体素子封止用シート1とを備える。光半導体素子封止用シート1は図1に示す光半導体素子封止用シート1からはく離ライナー3が剥離されたものである。複数の光半導体素子6は、一括して封止部に封止されている。第一封止層21は、複数の光半導体素子6で形成された凹凸形状に追従して光半導体素子6および基板5に密着し、光半導体素子6を埋め込んでいる。 Figure 2 shows one embodiment of an optical semiconductor device using the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 shown in Figure 1. The optical semiconductor device 10 shown in Figure 2 includes a substrate 5, a plurality of optical semiconductor elements 6 arranged on one side of the substrate 5, and an optical semiconductor element encapsulation sheet 1 that encapsulates the optical semiconductor elements 6. The optical semiconductor element encapsulation sheet 1 is obtained by peeling off the release liner 3 from the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 shown in Figure 1. The multiple optical semiconductor elements 6 are encapsulated together in the encapsulation section. The first encapsulation layer 21 adheres to the optical semiconductor elements 6 and the substrate 5 while following the uneven shape formed by the multiple optical semiconductor elements 6, and embeds the optical semiconductor elements 6.

なお、図2に示す光半導体装置10において、光半導体素子6は、第一封止層21内に完全に埋め込まれて封止されており、且つ、第二封止層22および第三封止層23により間接的に封止されている。すなわち、光半導体素子6は、第一封止層21、第二封止層22、および第三封止層23の積層体からなる封止部2により封止されている。上記光半導体装置は、このような態様に限定されず、光半導体素子6の一部が第一封止層21から突出しており、当該一部が第二封止層22、または、第二封止層22および第三封止層23内に埋め込まれており、第一封止層21および第二封止層22、または、第一封止層21、第二封止層22、および第三封止層23により光半導体素子6が完全に埋め込まれて封止されている態様であってもよい。 In the optical semiconductor device 10 shown in FIG. 2, the optical semiconductor element 6 is completely embedded and sealed in the first sealing layer 21, and is indirectly sealed by the second sealing layer 22 and the third sealing layer 23. That is, the optical semiconductor element 6 is sealed by the sealing part 2 consisting of a laminate of the first sealing layer 21, the second sealing layer 22, and the third sealing layer 23. The optical semiconductor device is not limited to this embodiment, and may be an embodiment in which a part of the optical semiconductor element 6 protrudes from the first sealing layer 21, and the part is embedded in the second sealing layer 22, or the second sealing layer 22 and the third sealing layer 23, and the optical semiconductor element 6 is completely embedded and sealed by the first sealing layer 21 and the second sealing layer 22, or the first sealing layer 21, the second sealing layer 22, and the third sealing layer 23.

上記光半導体装置は、個々の光半導体装置がタイリングされたものであってもよい。すなわち、上記光半導体装置は、複数の光半導体装置が平面方向にタイル状に配置されたものであってもよい。 The optical semiconductor device may be a tiled arrangement of individual optical semiconductor devices. In other words, the optical semiconductor device may be a tiled arrangement of multiple optical semiconductor devices in a planar direction.

図3に複数の光半導体装置が配置されて作製された光半導体装置の一実施形態を示す。図3に示す光半導体装置20は、複数の光半導体装置10が縦方向に4個、横方向に4個の計16個が平面方向にタイル状に配置(タイリング)されたものである。隣接する2つの光半導体装置10間の境界20aでは、光半導体装置10同士が隣接している。 Figure 3 shows one embodiment of an optical semiconductor device fabricated by arranging multiple optical semiconductor devices. The optical semiconductor device 20 shown in Figure 3 is a device in which multiple optical semiconductor devices 10 are arranged in a tiled pattern (tiling) in the planar direction, with four optical semiconductor devices 10 arranged vertically and four optical semiconductor devices 10 arranged horizontally, for a total of 16 optical semiconductor devices 10. At the boundary 20a between two adjacent optical semiconductor devices 10, the optical semiconductor devices 10 are adjacent to each other.

上記光半導体装置は、液晶画面のバックライトであることが好ましく、特に全面直下型のバックライトであることが好ましい。また、上記バックライトと表示パネルとを組み合わせることで画像表示装置とすることができる。上記光半導体装置が液晶画面のバックライトである場合の光半導体素子はLED素子である。例えば、上記バックライトにおいて、上記基板上には、各LED素子に発光制御信号を送るための金属配線層が積層されている。赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色の光を発する各LED素子は、表示パネルの基板上に金属配線層を介して交互に配列されている。金属配線層は、銅などの金属によって形成されており、各LED素子の発光を反射して、画像の視認性を低下させる。また、RGBの各色の各LED素子が発する光が混色し、コントラストが低下する。 The optical semiconductor device is preferably a backlight for a liquid crystal screen, and particularly preferably a full-surface direct-type backlight. In addition, the backlight can be combined with a display panel to form an image display device. When the optical semiconductor device is a backlight for a liquid crystal screen, the optical semiconductor element is an LED element. For example, in the backlight, a metal wiring layer for sending a light emission control signal to each LED element is laminated on the substrate. Each LED element emitting light of each color, red (R), green (G), and blue (B), is alternately arranged on the substrate of the display panel via a metal wiring layer. The metal wiring layer is formed of a metal such as copper, and reflects the light emitted by each LED element, thereby reducing the visibility of the image. In addition, the light emitted by each LED element of each color of RGB is mixed, reducing the contrast.

また、上記光半導体装置は、自発光型表示装置であることが好ましい。また、上記自発光型表示装置と、必要に応じて表示パネルとを組み合わせることで画像表示装置とすることができる。上記光半導体装置が自発光型表示装置である場合の光半導体素子はLED素子である。上記自発光型表示装置としては、有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)表示装置や上記バックライトなどが挙げられる。例えば、上記自発光型表示装置において、上記基板上には、各LED素子に発光制御信号を送るための金属配線層が積層されている。赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色の光を発する各LED素子は、基板上に金属配線層を介して交互に配列されている。金属配線層は、銅などの金属によって形成されており、各LED素子の発光度合いを調整して各色を表示させる。 The optical semiconductor device is preferably a self-luminous display device. The self-luminous display device can be combined with a display panel as necessary to form an image display device. When the optical semiconductor device is a self-luminous display device, the optical semiconductor element is an LED element. Examples of the self-luminous display device include an organic electroluminescence (organic EL) display device and the backlight. For example, in the self-luminous display device, a metal wiring layer for sending a light emission control signal to each LED element is laminated on the substrate. Each LED element emitting light of each color, red (R), green (G), and blue (B), is alternately arranged on the substrate via a metal wiring layer. The metal wiring layer is formed of a metal such as copper, and the light emission degree of each LED element is adjusted to display each color.

本発明の光半導体素子封止用シートは、折り曲げて使用される光半導体装置、例えば、折り曲げ可能な画像表示装置(フレキシブルディスプレイ)(特に、折り畳み可能な画像表示装置(フォルダブルディスプレイ))を有する光半導体装置に用いることができる。具体的には、折り畳み可能なバックライトおよび折り畳み可能な自発光型表示装置などに使用することができる。 The optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention can be used in optical semiconductor devices that are folded when used, such as optical semiconductor devices having a foldable image display device (flexible display) (particularly, a foldable image display device (foldable display)). Specifically, it can be used in foldable backlights and foldable self-luminous display devices.

本発明の光半導体素子封止用シートは、光半導体素子の追従性および埋め込み性に優れるため、上記光半導体装置がミニLED表示装置である場合およびマイクロLED表示装置である場合のいずれにも好ましく使用することができる。 The optical semiconductor element encapsulation sheet of the present invention has excellent conformability and embeddability for optical semiconductor elements, and can therefore be preferably used when the optical semiconductor device is a mini LED display device or a micro LED display device.

[光半導体装置の製造方法]
上記光半導体装置は、例えば、基板と、上記基板上に配置された光半導体素子と、上記光半導体素子を封止する、本発明の光半導体素子封止用シートまたは放射線硬化性樹脂層が硬化した硬化物と、を備える積層体をダイシングして光半導体装置を得るダイシング工程とを少なくとも備える製造方法により製造することができる。上記硬化物は、本発明の光半導体素子封止用シートが放射線照射により硬化した硬化物であり、具体的には、本発明の光半導体素子封止用シートが備え得る放射線硬化性樹脂層が放射線照射により硬化した硬化物を備える。
[Method of Manufacturing Optical Semiconductor Device]
The optical semiconductor device can be produced, for example, by a production method including at least a dicing step of dicing a laminate including a substrate, an optical semiconductor element disposed on the substrate, and the sheet for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention or a cured product of a cured radiation-curable resin layer for encapsulating the optical semiconductor element to obtain an optical semiconductor device. The cured product is a cured product obtained by curing the sheet for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention by irradiation with radiation, and specifically includes a cured product obtained by curing the radiation-curable resin layer that may be included in the sheet for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention by irradiation with radiation.

上記製造方法は、さらに、上記基板と、上記基板上に配置された光半導体素子と、上記光半導体素子を封止する上記光半導体素子封止用シートと、を備える積層体に放射線を照射して上記放射線硬化性樹脂層を硬化させて上記硬化物を得る放射線照射工程を備えていてもよい。 The manufacturing method may further include a radiation exposure step of irradiating radiation to a laminate including the substrate, an optical semiconductor element disposed on the substrate, and the optical semiconductor element encapsulation sheet that encapsulates the optical semiconductor element, thereby curing the radiation curable resin layer and obtaining the cured product.

上記製造方法は、上記放射線照射工程の前に、上記光半導体素子封止用シートを、上記基板上に設けられた上記光半導体素子に貼り合わせて上記光半導体素子を上記封止部により封止する封止工程を備えていてもよい。 The manufacturing method may include a sealing step of bonding the sheet for sealing an optical semiconductor element to the optical semiconductor element provided on the substrate and sealing the optical semiconductor element with the sealing portion before the radiation irradiation step.

また、上記製造方法は、さらに、上記ダイシング工程で得られた複数の光半導体装置を平面方向に接触するように並べるタイリング工程を備えていてもよい。以下、図2に示す光半導体装置10および図3に示す光半導体装置20の製造方法を適宜参酌して説明する。 The above manufacturing method may further include a tiling step in which multiple optical semiconductor devices obtained in the dicing step are arranged in contact with each other in a planar direction. The following description will be given with reference to the manufacturing methods of the optical semiconductor device 10 shown in FIG. 2 and the optical semiconductor device 20 shown in FIG. 3 as appropriate.

(封止工程)
上記封止工程では、本発明の光半導体素子封止用シートを、光半導体素子が配置された基板に貼り合わせ、封止部により光半導体素子を封止する。上記封止工程では、具体的には、図4に示すように、はく離ライナー3を剥離した光半導体素子封止用シート1の第一封止層21を、基板5の光半導体素子6が配置された面に対向するように配置し、光半導体素子封止用シート1を基板5の光半導体素子6が配置された面に貼り合わせ、図5に示すように光半導体素子6を封止部2に埋め込む。
(Sealing process)
In the encapsulation step, the sheet for encapsulating optical semiconductor elements of the present invention is attached to a substrate on which an optical semiconductor element is arranged, and the optical semiconductor element is encapsulated by the encapsulation portion. Specifically, in the encapsulation step, as shown in Fig. 4, the first encapsulation layer 21 of the sheet for encapsulating optical semiconductor elements 1 from which the release liner 3 has been peeled is disposed so as to face the surface of the substrate 5 on which the optical semiconductor element 6 is arranged, and the sheet for encapsulating optical semiconductor elements 1 is attached to the surface of the substrate 5 on which the optical semiconductor element 6 is arranged, and the optical semiconductor element 6 is embedded in the encapsulation portion 2 as shown in Fig. 5.

光半導体素子封止用シート1が放射線硬化性樹脂層を備える場合、図4に示すように、貼り合わせに使用される基板5は、図2に示す光半導体装置10における基板5よりも平面方向に広く延びており、基板5の端部付近には光半導体素子6が配置されていない。また、この場合、貼り合わせる光半導体素子封止用シート1は、貼り合わせに使用される基板5よりも平面方向に広く延びている。すなわち、封止工程において貼り合わせられる光半導体素子封止用シート1の基板5に対向する面の面積は、封止工程において貼り合わせられる基板5の光半導体素子封止用シート1に対向する面の面積よりも大きい。これは、光半導体素子封止用シート1および基板5の積層体において光半導体装置に使用される領域においては後の放射線照射工程において充分に硬化を進行させ、光半導体素子封止用シート1および基板5の、硬化が不充分である可能性のある端部付近は後のダイシング工程においてダイシングされて除去されるためである。 When the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 has a radiation curable resin layer, as shown in FIG. 4, the substrate 5 used for lamination extends wider in the planar direction than the substrate 5 in the optical semiconductor device 10 shown in FIG. 2, and the optical semiconductor element 6 is not disposed near the end of the substrate 5. In this case, the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 to be laminated extends wider in the planar direction than the substrate 5 used for lamination. That is, the area of the surface of the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 that faces the substrate 5 to be laminated in the encapsulation process is larger than the area of the surface of the substrate 5 that faces the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 to be laminated in the encapsulation process. This is because the area of the laminate of the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 and the substrate 5 that is used for the optical semiconductor device is sufficiently cured in the subsequent radiation irradiation process, and the edge areas of the optical semiconductor element encapsulation sheet 1 and the substrate 5 that may be insufficiently cured are diced and removed in the subsequent dicing process.

上記貼り合わせの際の温度は、例えば室温から110℃の範囲内である。また、上記貼り合わせの際、減圧または加圧してもよい。減圧や加圧により封止部と基板または光半導体素子との間に空隙が形成されるのを抑制することができる。また、上記封止工程では、減圧下で光半導体素子封止用シートを貼り合わせ、その後加圧することが好ましい。減圧する場合の圧力は例えば1~100Paであり、減圧時間は例えば5~600秒である。また、加圧する場合の圧力は例えば0.05~0.5MPaであり、減圧時間は例えば5~600秒である。 The temperature during the lamination is, for example, within the range of room temperature to 110°C. In addition, the pressure may be reduced or pressurized during the lamination. By reducing the pressure or applying pressure, it is possible to prevent the formation of voids between the sealing portion and the substrate or the optical semiconductor element. In the sealing step, it is preferable to laminate the optical semiconductor element sealing sheet under reduced pressure and then apply pressure. When reducing the pressure, the pressure is, for example, 1 to 100 Pa, and the depressurization time is, for example, 5 to 600 seconds. When applying pressure, the pressure is, for example, 0.05 to 0.5 MPa, and the depressurization time is, for example, 5 to 600 seconds.

(放射線照射工程)
上記放射線照射工程では、上記光半導体素子が配置された上記基板に上記光半導体素子封止用シートが貼り合わせられた積層体(例えば、上記封止工程で得られた積層体)に対し、放射線を照射して、上記放射線硬化性樹脂層を硬化させる。上記放射線としては上述のように、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、X線などが挙げられる。中でも、紫外線が好ましい。放射線照射時の温度は、例えば室温から100℃の範囲内であり、照射時間は例えば1分~1時間である。
(Radiation Irradiation Step)
In the radiation irradiation step, a laminate (e.g., a laminate obtained in the encapsulation step) in which the sheet for encapsulating an optical semiconductor element is attached to the substrate on which the optical semiconductor element is disposed is irradiated with radiation to cure the radiation curable resin layer. As described above, examples of the radiation include electron beams, ultraviolet rays, α rays, β rays, γ rays, and X-rays. Among these, ultraviolet rays are preferred. The temperature during radiation irradiation is, for example, within the range of room temperature to 100° C., and the irradiation time is, for example, 1 minute to 1 hour.

(ダイシング工程)
上記ダイシング工程では、基板と、上記基板上に配置された光半導体素子と、上記光半導体素子を封止する、本発明の光半導体素子封止用シートまたは放射線硬化性樹脂層が硬化した硬化物と、を備える積層体をダイシングする。ここで、上記積層体が上記硬化物を備える場合、ダイシング工程に付す積層体において、光半導体素子封止用シートの硬化物および基板5は、上述のように、最終的に得られる光半導体装置10よりも平面方向に広く延びている。そして、上記ダイシング工程では、光半導体素子封止用シートの硬化物および基板の側端部をダイシングして除去する。具体的には、図6に示す鎖線の位置でダイシングを行い、側端部を除去する。上記ダイシングは、公知乃至慣用の方法により行うことができ、例えば、ダイシングブレードを用いた方法や、レーザー照射により行うことができる。このようにして、例えば図2に示す光半導体装置10を製造することができる。
(Dicing process)
In the dicing step, a laminate including a substrate, an optical semiconductor element disposed on the substrate, and the optical semiconductor element encapsulating sheet of the present invention or the cured product of the radiation curable resin layer cured to encapsulate the optical semiconductor element is diced. Here, when the laminate includes the cured product, the cured product of the optical semiconductor element encapsulating sheet and the substrate 5 in the laminate subjected to the dicing step extend wider in the planar direction than the optical semiconductor device 10 finally obtained, as described above. In the dicing step, the side end portions of the cured product of the optical semiconductor element encapsulating sheet and the substrate are diced and removed. Specifically, dicing is performed at the position of the dashed line shown in FIG. 6 to remove the side end portions. The dicing can be performed by a known or conventional method, for example, a method using a dicing blade or laser irradiation. In this manner, for example, the optical semiconductor device 10 shown in FIG. 2 can be manufactured.

(タイリング工程)
上記タイリング工程では、上記ダイシング工程で得られた複数の光半導体装置を平面方向に接触するように並べてタイリングする。このようにして、例えば図3に示す光半導体装置20を製造することができる。
(Tiling process)
In the tiling step, the multiple optical semiconductor devices obtained in the dicing step are arranged in a tiled manner so as to be in contact with each other in a planar direction, thereby manufacturing an optical semiconductor device 20 as shown in FIG.

以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples in any way.

製造例1
(非光拡散層1の作製)
アクリル酸ブチルアクリレート(BA)67質量部、アクリル酸シクロヘキシル(CHA)14質量部、アクリル酸4-ヒドロキシブチル(4HBA)27質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)9質量部、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニル-1-オン(商品名「omnirad 651」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部、および1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(商品名「omnirad 184」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部を、4つ口フラスコに投入し、窒素雰囲気下で紫外線に曝露して部分的に光重合することによって、重合率10%の部分重合物(モノマーシロップ)を得た。この部分重合物100質量部に、イソシアネート化合物(商品名「タケネートD-101A」、三井化学株式会社製、固形分75質量%)を固形分換算で0.1質量部添加した後、これらを均一に混合して光重合性組成物を調製した。
Production Example 1
(Preparation of Non-Light Diffusing Layer 1)
67 parts by mass of butyl acrylate (BA), 14 parts by mass of cyclohexyl acrylate (CHA), 27 parts by mass of 4-hydroxybutyl acrylate (4HBA), 9 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 0.05 parts by mass of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl-1-one (trade name "omnirad 651", manufactured by IGM Resins Italia Srl), and 0.05 parts by mass of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (trade name "omnirad 184", manufactured by IGM Resins Italia Srl) were charged into a four-neck flask, and partially photopolymerized by exposure to ultraviolet light under a nitrogen atmosphere to obtain a partially polymerized product (monomer syrup) with a polymerization rate of 10%. To 100 parts by mass of this partial polymer, 0.1 parts by mass in terms of solid content of an isocyanate compound (product name "Takenate D-101A", manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., solid content 75% by mass) was added, and these were uniformly mixed to prepare a photopolymerizable composition.

上記光重合性組成物を、はく離ライナー(商品名「MRA50」、三菱ケミカル株式会社製、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に剥離処理が施されたもの、厚さ50μm)の剥離処理面上に塗布して樹脂組成物層を形成してから、当該樹脂組成物層上にもはく離ライナー(商品名「MRF38」、三菱ケミカル株式会社製)の剥離処理面を貼り合わせた。次に、ブラックライトにより、強度が5mW/cm2の紫外線を、積算光量が3600mJ/cm2となるまで照射して重合を行い、粘着層である非光拡散層1を作製した。 The photopolymerizable composition was applied onto the release-treated surface of a release liner (trade name "MRA50", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a polyethylene terephthalate film with one side subjected to release treatment, thickness 50 μm) to form a resin composition layer, and then the release-treated surface of a release liner (trade name "MRF38", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was also bonded onto the resin composition layer. Next, ultraviolet rays with an intensity of 5 mW/cm 2 were irradiated by a black light until the accumulated light amount reached 3600 mJ/cm 2 to perform polymerization, thereby producing a non-light-diffusing layer 1, which is an adhesive layer.

製造例2
(反射防止層1の作製)
アクリル酸ブチルアクリレート(BA)67質量部、アクリル酸シクロヘキシル(CHA)14質量部、アクリル酸4-ヒドロキシブチル(4HBA)27質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)9質量部、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニル-1-オン(商品名「omnirad 651」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部、および1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(商品名「omnirad 184」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部を、4つ口フラスコに投入し、窒素雰囲気下で紫外線に曝露して部分的に光重合することによって、重合率10%の部分重合物(モノマーシロップ)を得た。この部分重合物100質量部に、イソシアネート化合物(商品名「タケネートD-101A」、三井化学株式会社製、固形分75質量%)を固形分換算で0.1質量部および黒色顔料分散液(商品名「9050Black」、株式会社トクシキ製)9.2質量部添加した後、これらを均一に混合して光重合性組成物を調製した。
Production Example 2
(Preparation of Antireflection Layer 1)
67 parts by mass of butyl acrylate (BA), 14 parts by mass of cyclohexyl acrylate (CHA), 27 parts by mass of 4-hydroxybutyl acrylate (4HBA), 9 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 0.05 parts by mass of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl-1-one (trade name "omnirad 651", manufactured by IGM Resins Italia Srl), and 0.05 parts by mass of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (trade name "omnirad 184", manufactured by IGM Resins Italia Srl) were charged into a four-neck flask, and partially photopolymerized by exposure to ultraviolet light under a nitrogen atmosphere to obtain a partially polymerized product (monomer syrup) with a polymerization rate of 10%. To 100 parts by mass of this partial polymer, 0.1 parts by mass, calculated as solid content, of an isocyanate compound (product name "Takenate D-101A", manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., solid content 75% by mass) and 9.2 parts by mass of a black pigment dispersion (product name "9050Black", manufactured by Tokushiki Corporation) were added, and then these were mixed uniformly to prepare a photopolymerizable composition.

上記光重合性組成物を、はく離ライナー(商品名「MRA50」、三菱ケミカル株式会社製、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に剥離処理が施されたもの、厚さ50μm)の剥離処理面上に塗布して樹脂組成物層を形成してから、当該樹脂組成物層上にもはく離ライナー(商品名「MRF38」、三菱ケミカル株式会社製)の剥離処理面を貼り合わせた。次に、ブラックライトにより、強度が5mW/cm2の紫外線を、積算光量が3600mJ/cm2となるまで照射して重合を行い、粘着層である反射防止層1を作製した。 The photopolymerizable composition was applied onto the release-treated surface of a release liner (trade name "MRA50", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a polyethylene terephthalate film with one side subjected to release treatment, thickness 50 μm) to form a resin composition layer, and then the release-treated surface of a release liner (trade name "MRF38", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was also bonded onto the resin composition layer. Next, ultraviolet light with an intensity of 5 mW/ cm2 was irradiated by a black light until the accumulated light amount reached 3600 mJ/ cm2 to perform polymerization, thereby producing an antireflection layer 1, which is an adhesive layer.

製造例3
(光拡散層1の作製)
アクリル酸ブチルアクリレート(BA)67質量部、アクリル酸シクロヘキシル(CHA)14質量部、アクリル酸4-ヒドロキシブチル(4HBA)27質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)9質量部、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニル-1-オン(商品名「omnirad 651」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部、および1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(商品名「omnirad 184」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部を、4つ口フラスコに投入し、窒素雰囲気下で紫外線に曝露して部分的に光重合することによって、重合率10%の部分重合物(モノマーシロップ)を得た。この部分重合物83質量部に、イソシアネート化合物(商品名「タケネートD-101A」、三井化学株式会社製、固形分75質量%)を固形分換算で1.2質量部、シリコーン樹脂(商品名「トスパール145」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製、屈折率:1.42、平均粒径:4.5μm)を30質量部、3-フェノキシベンジルアクリレート(商品名「ライトアクリレートPOB-A」、共栄社化学株式会社製)を16質量部、および商品名「Omnirad651」を1質量部添加した後、これらを均一に混合して光重合性組成物を調製した。
Production Example 3
(Preparation of Light Diffusion Layer 1)
67 parts by mass of butyl acrylate (BA), 14 parts by mass of cyclohexyl acrylate (CHA), 27 parts by mass of 4-hydroxybutyl acrylate (4HBA), 9 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 0.05 parts by mass of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl-1-one (trade name "omnirad 651", manufactured by IGM Resins Italia Srl), and 0.05 parts by mass of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (trade name "omnirad 184", manufactured by IGM Resins Italia Srl) were charged into a four-neck flask, and partially photopolymerized by exposure to ultraviolet light under a nitrogen atmosphere to obtain a partially polymerized product (monomer syrup) with a polymerization rate of 10%. To 83 parts by mass of this partial polymer, 1.2 parts by mass, calculated as solid content, of an isocyanate compound (product name "Takenate D-101A", manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., solid content 75% by mass), 30 parts by mass of a silicone resin (product name "Tospearl 145", manufactured by Momentive Performance Materials Japan, Inc., refractive index: 1.42, average particle size: 4.5 μm), 16 parts by mass of 3-phenoxybenzyl acrylate (product name "Light Acrylate POB-A", manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), and 1 part by mass of "Omnirad 651" were added, and then these were uniformly mixed to prepare a photopolymerizable composition.

上記光重合性組成物を、はく離ライナー(商品名「MRA50」、三菱ケミカル株式会社製、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に剥離処理が施されたもの、厚さ50μm)の剥離処理面上に塗布して樹脂組成物層を形成してから、当該樹脂組成物層上にもはく離ライナー(商品名「MRF38」、三菱ケミカル株式会社製)の剥離処理面を貼り合わせた。次に、ブラックライトにより、強度が5mW/cm2の紫外線を、積算光量が3600mJ/cm2となるまで照射して重合を行い、粘着層である光拡散層1を作製した。 The photopolymerizable composition was applied onto the release-treated surface of a release liner (trade name "MRA50", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a polyethylene terephthalate film with one side subjected to release treatment, thickness 50 μm) to form a resin composition layer, and then the release-treated surface of a release liner (trade name "MRF38", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was also bonded onto the resin composition layer. Next, ultraviolet light with an intensity of 5 mW/cm 2 was irradiated by a black light until the accumulated light amount reached 3600 mJ/cm 2 to perform polymerization, thereby producing a light diffusion layer 1, which is an adhesive layer.

製造例4
(光拡散層2の作製)
アクリル酸ブチルアクリレート(BA)67質量部、アクリル酸シクロヘキシル(CHA)14質量部、アクリル酸4-ヒドロキシブチル(4HBA)27質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)9質量部、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニル-1-オン(商品名「omnirad 651」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部、および1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(商品名「omnirad 184」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部を、4つ口フラスコに投入し、窒素雰囲気下で紫外線に曝露して部分的に光重合することによって、重合率10%の部分重合物(モノマーシロップ)を得た。この部分重合物83質量部に、イソシアネート化合物(商品名「タケネートD-101A」、三井化学株式会社製、固形分75質量%)を固形分換算で0.08質量部、シリコーン樹脂(商品名「トスパール145」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製、屈折率:1.42、平均粒径:4.5μm)を30質量部、3-フェノキシベンジルアクリレート(商品名「ライトアクリレートPOB-A」、共栄社化学株式会社製)を16質量部、および商品名「Omnirad651」を1質量部添加した後、これらを均一に混合して光重合性組成物を調製した。
Production Example 4
(Preparation of light diffusion layer 2)
67 parts by mass of butyl acrylate (BA), 14 parts by mass of cyclohexyl acrylate (CHA), 27 parts by mass of 4-hydroxybutyl acrylate (4HBA), 9 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 0.05 parts by mass of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl-1-one (trade name "omnirad 651", manufactured by IGM Resins Italia Srl), and 0.05 parts by mass of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (trade name "omnirad 184", manufactured by IGM Resins Italia Srl) were charged into a four-neck flask, and partially photopolymerized by exposure to ultraviolet light under a nitrogen atmosphere to obtain a partially polymerized product (monomer syrup) with a polymerization rate of 10%. To 83 parts by mass of this partial polymer, 0.08 parts by mass, calculated as solid content, of an isocyanate compound (product name "Takenate D-101A", manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., solid content 75% by mass), 30 parts by mass of a silicone resin (product name "Tospearl 145", manufactured by Momentive Performance Materials Japan, Inc., refractive index: 1.42, average particle size: 4.5 μm), 16 parts by mass of 3-phenoxybenzyl acrylate (product name "Light Acrylate POB-A", manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), and 1 part by mass of "Omnirad 651" were added, and then these were uniformly mixed to prepare a photopolymerizable composition.

上記光重合性組成物を、はく離ライナー(商品名「MRA50」、三菱ケミカル株式会社製、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に剥離処理が施されたもの、厚さ50μm)の剥離処理面上に塗布して樹脂組成物層を形成してから、当該樹脂組成物層上にもはく離ライナー(商品名「MRF38」、三菱ケミカル株式会社製)の剥離処理面を貼り合わせた。次に、ブラックライトにより、強度が5mW/cm2の紫外線を、積算光量が3600mJ/cm2となるまで照射して重合を行い、粘着層である光拡散層2を作製した。 The photopolymerizable composition was applied onto the release-treated surface of a release liner (trade name "MRA50", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a polyethylene terephthalate film with one side subjected to release treatment, thickness 50 μm) to form a resin composition layer, and then the release-treated surface of a release liner (trade name "MRF38", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was also bonded onto the resin composition layer. Next, ultraviolet rays with an intensity of 5 mW/cm 2 were irradiated by a black light until the accumulated light amount reached 3600 mJ/cm 2 to perform polymerization, and a light diffusion layer 2, which is an adhesive layer, was produced.

製造例5
(非光拡散層2の作製)
アクリル酸ブチルアクリレート(BA)67質量部、アクリル酸シクロヘキシル(CHA)14質量部、アクリル酸4-ヒドロキシブチル(4HBA)27質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)9質量部、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニル-1-オン(商品名「omnirad 651」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部、および1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(商品名「omnirad 184」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部を、4つ口フラスコに投入し、窒素雰囲気下で紫外線に曝露して部分的に光重合することによって、重合率10%の部分重合物(モノマーシロップ)を得た。この部分重合物100質量部に、イソシアネート化合物(商品名「タケネートD-101A」、三井化学株式会社製、固形分75質量%)を固形分換算で1.5質量部添加した後、これらを均一に混合して光重合性組成物を調製した。
Production Example 5
(Preparation of Non-Light Diffusing Layer 2)
67 parts by mass of butyl acrylate (BA), 14 parts by mass of cyclohexyl acrylate (CHA), 27 parts by mass of 4-hydroxybutyl acrylate (4HBA), 9 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 0.05 parts by mass of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl-1-one (trade name "omnirad 651", manufactured by IGM Resins Italia Srl), and 0.05 parts by mass of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (trade name "omnirad 184", manufactured by IGM Resins Italia Srl) were charged into a four-neck flask, and partially photopolymerized by exposure to ultraviolet light under a nitrogen atmosphere to obtain a partially polymerized product (monomer syrup) with a polymerization rate of 10%. To 100 parts by mass of this partial polymer, 1.5 parts by mass of an isocyanate compound (product name "Takenate D-101A", manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., solid content 75% by mass) was added in terms of solid content, and these were then uniformly mixed to prepare a photopolymerizable composition.

上記光重合性組成物を、はく離ライナー(商品名「MRA50」、三菱ケミカル株式会社製、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に剥離処理が施されたもの、厚さ50μm)の剥離処理面上に塗布して樹脂組成物層を形成してから、当該樹脂組成物層上にもはく離ライナー(商品名「MRF38」、三菱ケミカル株式会社製)の剥離処理面を貼り合わせた。次に、ブラックライトにより、強度が5mW/cm2の紫外線を、積算光量が3600mJ/cm2となるまで照射して重合を行い、粘着層である非光拡散層2を作製した。 The photopolymerizable composition was applied onto the release-treated surface of a release liner (trade name "MRA50", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a polyethylene terephthalate film with one side subjected to release treatment, thickness 50 μm) to form a resin composition layer, and then the release-treated surface of a release liner (trade name "MRF38", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was also bonded onto the resin composition layer. Next, ultraviolet light with an intensity of 5 mW/cm 2 was irradiated by a black light until the accumulated light amount reached 3600 mJ/cm 2 to perform polymerization, thereby producing a non-light-diffusing layer 2, which is an adhesive layer.

製造例6
(光拡散層3の作製)
アクリル酸ブチルアクリレート(BA)67質量部、アクリル酸シクロヘキシル(CHA)14質量部、アクリル酸4-ヒドロキシブチル(4HBA)27質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)9質量部、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニル-1-オン(商品名「omnirad 651」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部、および1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(商品名「omnirad 184」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部を、4つ口フラスコに投入し、窒素雰囲気下で紫外線に曝露して部分的に光重合することによって、重合率10%の部分重合物(モノマーシロップ)を得た。この部分重合物100質量部に、イソシアネート化合物(商品名「タケネートD-101A」、三井化学株式会社製、固形分75質量%)を固形分換算で0.1質量部および酸化チタン(商品名「Tipure R706」、デュポン社製、屈折率:約2.5、平均粒径:0.36μm)3質量部添加した後、これらを均一に混合して光重合性組成物を調製した。
Production Example 6
(Preparation of light diffusion layer 3)
67 parts by mass of butyl acrylate (BA), 14 parts by mass of cyclohexyl acrylate (CHA), 27 parts by mass of 4-hydroxybutyl acrylate (4HBA), 9 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 0.05 parts by mass of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl-1-one (trade name "omnirad 651", manufactured by IGM Resins Italia Srl), and 0.05 parts by mass of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (trade name "omnirad 184", manufactured by IGM Resins Italia Srl) were charged into a four-neck flask, and partially photopolymerized by exposure to ultraviolet light under a nitrogen atmosphere to obtain a partially polymerized product (monomer syrup) with a polymerization rate of 10%. To 100 parts by mass of this partial polymer, 0.1 parts by mass, calculated as solid content, of an isocyanate compound (product name "Takenate D-101A", manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., solid content 75% by mass) and 3 parts by mass of titanium oxide (product name "Tipur R706", manufactured by DuPont, refractive index: about 2.5, average particle size: 0.36 μm) were added, and then these were uniformly mixed to prepare a photopolymerizable composition.

上記光重合性組成物を、はく離ライナー(商品名「MRA50」、三菱ケミカル株式会社製、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に剥離処理が施されたもの、厚さ50μm)の剥離処理面上に塗布して樹脂組成物層を形成してから、当該樹脂組成物層上にもはく離ライナー(商品名「MRF38」、三菱ケミカル株式会社製)の剥離処理面を貼り合わせた。次に、ブラックライトにより、強度が5mW/cm2の紫外線を、積算光量が3600mJ/cm2となるまで照射して重合を行い、粘着層である光拡散層3を作製した。 The photopolymerizable composition was applied onto the release-treated surface of a release liner (trade name "MRA50", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a polyethylene terephthalate film with one side subjected to release treatment, thickness 50 μm) to form a resin composition layer, and then the release-treated surface of a release liner (trade name "MRF38", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was also bonded onto the resin composition layer. Next, ultraviolet rays with an intensity of 5 mW/cm 2 were irradiated by a black light until the accumulated light amount reached 3600 mJ/cm 2 to perform polymerization, and a light diffusion layer 3, which is an adhesive layer, was produced.

製造例7
(光拡散層4の作製)
アクリル酸ブチルアクリレート(BA)67質量部、アクリル酸シクロヘキシル(CHA)14質量部、アクリル酸4-ヒドロキシブチル(4HBA)27質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)9質量部、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニル-1-オン(商品名「omnirad 651」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部、および1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(商品名「omnirad 184」、IGM Resins Italia Srl社製)0.05質量部を、4つ口フラスコに投入し、窒素雰囲気下で紫外線に曝露して部分的に光重合することによって、重合率10%の部分重合物(モノマーシロップ)を得た。この部分重合物100質量部に、イソシアネート化合物(商品名「タケネートD-101A」、三井化学株式会社製、固形分75質量%)を固形分換算で1.5質量部および酸化チタン(商品名「Tipure R706」、デュポン社製、屈折率:約2.5、平均粒径:0.36μm)3質量部添加した後、これらを均一に混合して光重合性組成物を調製した。
Production Example 7
(Preparation of Light Diffusing Layer 4)
67 parts by mass of butyl acrylate (BA), 14 parts by mass of cyclohexyl acrylate (CHA), 27 parts by mass of 4-hydroxybutyl acrylate (4HBA), 9 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 0.05 parts by mass of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl-1-one (trade name "omnirad 651", manufactured by IGM Resins Italia Srl), and 0.05 parts by mass of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (trade name "omnirad 184", manufactured by IGM Resins Italia Srl) were charged into a four-neck flask, and partially photopolymerized by exposure to ultraviolet light under a nitrogen atmosphere to obtain a partially polymerized product (monomer syrup) with a polymerization rate of 10%. To 100 parts by mass of this partial polymer, 1.5 parts by mass, calculated as solid content, of an isocyanate compound (product name "Takenate D-101A", manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., solid content 75% by mass) and 3 parts by mass of titanium oxide (product name "Tipur R706", manufactured by DuPont, refractive index: about 2.5, average particle size: 0.36 μm) were added, and then these were uniformly mixed to prepare a photopolymerizable composition.

上記光重合性組成物を、はく離ライナー(商品名「MRA50」、三菱ケミカル株式会社製、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に剥離処理が施されたもの、厚さ50μm)の剥離処理面上に塗布して樹脂組成物層を形成してから、当該樹脂組成物層上にもはく離ライナー(商品名「MRF38」、三菱ケミカル株式会社製)の剥離処理面を貼り合わせた。次に、ブラックライトにより、強度が5mW/cm2の紫外線を、積算光量が3600mJ/cm2となるまで照射して重合を行い、粘着層である光拡散層4を作製した。 The photopolymerizable composition was applied onto the release-treated surface of a release liner (trade name "MRA50", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a polyethylene terephthalate film with one side subjected to release treatment, thickness 50 μm) to form a resin composition layer, and then the release-treated surface of a release liner (trade name "MRF38", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was also bonded onto the resin composition layer. Next, ultraviolet light with an intensity of 5 mW/cm 2 was irradiated by a black light until the accumulated light amount reached 3600 mJ/cm 2 to perform polymerization, and a light diffusion layer 4, which is an adhesive layer, was prepared.

実施例1
(光半導体素子封止用シートの作製)
製造例1で得られた光拡散層1からはく離ライナー(商品名「MRF38」)を剥離し、粘着面を露出させた。上記光拡散層1の露出面を基材フィルム(商品名「ダイアホイル T912E75(UE80-)」、三菱ケミカル株式会社製、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に易接着処理が施されたもの、厚さ75μm)の易接着処理面に貼り合わせ、基材フィルム上に光拡散層1からなる第三封止層を形成した。
次に、第三封止層(光拡散層1)表面からはく離ライナー(商品名「MRA50」)を剥離し、粘着面を露出させた。製造例2で得られた反射防止層1からはく離ライナー(商品名「MRF38」)を剥離して露出させた粘着面を、第三封止層の露出面に貼り合わせ、第三封止層上に反射防止層1からなる第二封止層を形成した。
次に、第二封止層(反射防止層1)表面からはく離ライナー(商品名「MRA50」)を剥離し、粘着面を露出させた。製造例3で得られた非光拡散層1からはく離ライナー(商品名「MRF38」)を剥離して露出させた粘着面を、第二封止層の露出面に貼り合わせ、第二封止層上に非光拡散層1からなる第一封止層を形成した。
そして、室温(23℃)においてハンドローラーで気泡が入らないように貼り合わせ、遮光下で二日間放置した。このようにして、[はく離ライナー/非光拡散層1/反射防止層1/光拡散層1/基材フィルム]からなる光半導体素子封止用シートを得た。
Example 1
(Preparation of Sheet for Encapsulating Optical Semiconductor Elements)
The release liner (product name "MRF38") was peeled off from the light diffusion layer 1 obtained in Production Example 1 to expose the adhesive surface. The exposed surface of the light diffusion layer 1 was bonded to an easy-adhesion treated surface of a base film (product name "Diafoil T912E75 (UE80-)", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, a polyethylene terephthalate film with one side subjected to easy-adhesion treatment, thickness 75 μm), and a third sealing layer consisting of the light diffusion layer 1 was formed on the base film.
Next, the release liner (product name "MRA50") was peeled off from the surface of the third sealing layer (light diffusion layer 1) to expose the adhesive surface. The release liner (product name "MRF38") was peeled off from the antireflection layer 1 obtained in Production Example 2, and the exposed adhesive surface was attached to the exposed surface of the third sealing layer to form a second sealing layer made of the antireflection layer 1 on the third sealing layer.
Next, the release liner (product name "MRA50") was peeled off from the surface of the second sealing layer (anti-reflection layer 1) to expose the adhesive surface. The release liner (product name "MRF38") was peeled off from the non-light-diffusing layer 1 obtained in Production Example 3, and the exposed adhesive surface was attached to the exposed surface of the second sealing layer to form a first sealing layer made of the non-light-diffusing layer 1 on the second sealing layer.
The sheets were then laminated at room temperature (23° C.) using a hand roller while taking care not to introduce air bubbles, and left for two days in a dark place. In this way, a sheet for encapsulating an optical semiconductor element comprising [release liner/non-light-diffusing layer 1/antireflection layer 1/light-diffusing layer 1/substrate film] was obtained.

実施例2~3、比較例1~5
(光半導体素子封止用シートの作製)
第一封止層、第二封止層、および第三封止層として、表に示す層を形成したこと以外は実施例1と同様にして光半導体素子封止用シートを得た。
Examples 2 to 3, Comparative Examples 1 to 5
(Preparation of Sheet for Encapsulating Optical Semiconductor Elements)
An optical semiconductor element encapsulation sheet was obtained in the same manner as in Example 1, except that the layers shown in the table were formed as the first encapsulating layer, the second encapsulating layer, and the third encapsulating layer.

<評価>
実施例および比較例で得られた光半導体素子封止用シート、およびこれらの光半導体素子封止用シートの基材フィルム表面に機能層としての防眩処理層を設けたシートについて、以下の評価を行った。結果を表に示す。表中、「シート全体(防眩処理層なし)」は実施例および比較例で得られた光半導体素子封止用シートを示し、「シート全体(防眩処理層あり)」は基材フィルム表面に防眩処理が施された光半導体素子封止用シートを示す。
<Evaluation>
The following evaluations were carried out on the sheets for encapsulating optical semiconductor elements obtained in the Examples and Comparative Examples, and on the substrate film surface of these sheets for encapsulating optical semiconductor elements, an antiglare treated layer was provided as a functional layer. The results are shown in the table. In the table, "whole sheet (no antiglare treated layer)" indicates the sheets for encapsulating optical semiconductor elements obtained in the Examples and Comparative Examples, and "whole sheet (with antiglare treated layer)" indicates the sheets for encapsulating optical semiconductor elements in which antiglare treatment was applied to the substrate film surface.

なお、防眩処理層を備える光半導体素子封止用シートは、各実施例および比較例において、基材フィルムとして、あらかじめ上記基材フィルムの第三封止層と貼り合わせる側とは反対側に防眩処理層を設けたものを用いたこと以外は各実施例および比較例と同様にして作製した。防眩処理層を備える基材フィルムは、以下のようにして作製した。 The optical semiconductor element encapsulation sheet having an antiglare treatment layer was prepared in the same manner as in each of the examples and comparative examples, except that the base film used in each of the examples and comparative examples had an antiglare treatment layer already provided on the side opposite to the side to be bonded to the third encapsulation layer. The base film having an antiglare treatment layer was prepared as follows.

(防眩処理層付き基材フィルムの作製方法)
防眩処理層形成材料に含まれる樹脂として、紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂(商品名「UA-53H」、新中村化学工業株式会社製)40質量部、およびペンタエリスリトールトリアクリレートを主成分とする多官能アクリレート(商品名「ビスコート#300」大阪有機化学工業株式会社製)60質量部を準備した。上記樹脂の樹脂合計固形分100質量部あたり、防眩処理層形成粒子としてアクリルとスチレンの共重合粒子(商品名「テクポリマーSSX-103DXE」、積水化成品工業株式会社製)を7.0質量部、シリコーン樹脂(商品名「TOSPEARL130」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製)を3質量部、チキソトロピー付与剤として合成スメクタイト(商品名「スメクトンSAN」、クニミネ工業株式会社製)を2.5質量部、光重合開始剤(商品名「OMNIRAD907」、BASF社製)を3質量部、およびレベリング剤(商品名「GRANDIC PC4100」、DIC株式会社製)を0.15質量部混合した。この混合物を固形分濃度が40質量%となるように、トルエン/シクロペンタノン混合溶媒(質量比80/20)で希釈して、防眩処理層形成材料(塗工液)を調製した。
(Method of producing substrate film with antiglare treatment layer)
As the resins contained in the antiglare treatment layer forming material, 40 parts by mass of an ultraviolet-curable multifunctional acrylate resin (product name "UA-53H", manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) and 60 parts by mass of a multifunctional acrylate mainly composed of pentaerythritol triacrylate (product name "Viscoat #300", manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Ltd.) were prepared. Per 100 parts by mass of the total resin solid content of the above resin, 7.0 parts by mass of copolymer particles of acrylic and styrene (product name "Techpolymer SSX-103DXE", manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) as antiglare treatment layer-forming particles, 3 parts by mass of silicone resin (product name "TOSPEARL130", manufactured by Momentive Performance Materials Japan, Ltd.), 2.5 parts by mass of synthetic smectite (product name "Sumecton SAN", manufactured by Kunimine Industries Co., Ltd.) as a thixotropy-imparting agent, 3 parts by mass of a photopolymerization initiator (product name "OMNIRAD907", manufactured by BASF), and 0.15 parts by mass of a leveling agent (product name "GRANDIC PC4100", manufactured by DIC Corporation) were mixed. This mixture was diluted with a toluene/cyclopentanone mixed solvent (mass ratio 80/20) so that the solid content concentration was 40 mass %, to prepare an antiglare treatment layer forming material (coating liquid).

透光性基材として、透明プラスチックフィルム基材(商品名「KC4UY」、TAC、コニカミノルタ株式会社製)を準備した。上記透明プラスチックフィルム基材の片面に、上記防眩処理層形成材料(塗工液)を、バーコーターを用いて塗膜を形成した。そして、この塗膜が形成された透明プラスチックフィルム基材を乾燥工程へと搬送した。乾燥工程において、80℃で1分間加熱することにより上記塗膜を乾燥させた。その後、高圧水銀ランプにて積算光量300mJ/cm2の紫外線を照射し、上記塗膜を硬化処理して厚さ8.5μmの防眩処理層を形成し、ヘイズ25%となる防眩性フィルム(防眩処理層付き基材フィルム)を得た。 A transparent plastic film substrate (trade name "KC4UY", TAC, manufactured by Konica Minolta, Inc.) was prepared as a light-transmitting substrate. The antiglare treatment layer forming material (coating liquid) was used to form a coating film on one side of the transparent plastic film substrate using a bar coater. The transparent plastic film substrate on which the coating film was formed was then transported to a drying process. In the drying process, the coating film was dried by heating at 80°C for 1 minute. Thereafter, ultraviolet rays with an integrated light amount of 300 mJ/ cm2 were irradiated from a high-pressure mercury lamp to cure the coating film to form an antiglare treatment layer with a thickness of 8.5 μm, and an antiglare film (substrate film with antiglare treatment layer) with a haze of 25% was obtained.

(1)全光線透過率(各層)
実施例および比較例で使用した各粘着層(2枚のはく離ライナーの挟持された形態)から片側のはく離ライナーを剥離し、露出した各粘着層表面をガラス板(スライドグラス、品番「S-9112」、松浪硝子工業株式会社製)に貼り合わせた。そして、他方のはく離ライナーを剥がし[ガラス板/粘着層]の層構成を有する測定サンプルを作製した。上記測定サンプルについて、ヘーズメータ(装置名「HM-150」、株式会社村上色彩技術研究所製)により、全光線透過率を測定した。粘着層側から測定光を入射し、測定を行った。
(1) Total light transmittance (each layer)
One release liner was peeled off from each adhesive layer (sandwiched between two release liners) used in the Examples and Comparative Examples, and the exposed surface of each adhesive layer was attached to a glass plate (slide glass, product number "S-9112", manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd.). The other release liner was then peeled off to prepare a measurement sample having a layer structure of [glass plate/adhesive layer]. The total light transmittance of the above measurement sample was measured using a haze meter (device name "HM-150", manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd.). Measurement light was irradiated from the adhesive layer side, and measurements were performed.

(2)ヘイズ値(各層)
上記(1)全光線透過率を測定するために作製した測定サンプルについて、ヘーズメータ(装置名「HM-150」、株式会社村上色彩技術研究所製)により、全光線透過率および拡散透過率を測定した。そして、測定サンプルのヘイズ値を、「拡散透過率/全光線透過率×100」の式により求め、初期ヘイズ値とした。
(2) Haze value (each layer)
The measurement samples prepared for measuring the total light transmittance (1) above were measured for total light transmittance and diffuse transmittance using a haze meter (device name "HM-150", manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd.). The haze value of the measurement sample was calculated using the formula "diffuse transmittance/total light transmittance×100" and was used as the initial haze value.

(3)全光線透過率(光半導体素子封止用シート)
光半導体素子封止用シートからはく離ライナーを剥離し、露出した粘着層面をガラス板(スライドグラス、品番「S-9112」、松浪硝子工業株式会社製)に貼り合わせて測定サンプルを作製した。上記測定サンプルについて、ヘーズメータ(装置名「HM-150」、株式会社村上色彩技術研究所製)により、全光線透過率を測定した。基材フィルム側(第一面側)から測定光を入射し、測定を行った。
(3) Total light transmittance (sheet for encapsulating optical semiconductor elements)
The release liner was peeled off from the sheet for encapsulating optical semiconductor elements, and the exposed adhesive layer surface was attached to a glass plate (slide glass, product number "S-9112", manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd.) to prepare a measurement sample. The total light transmittance of the above measurement sample was measured using a haze meter (device name "HM-150", manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd.). Measurement light was applied from the substrate film side (first surface side) to perform the measurement.

(4)ヘイズ値(光半導体素子封止用シート)
上記(3)全光線透過率を測定するために作製した測定サンプルについて、ヘーズメータ(装置名「HM-150」、株式会社村上色彩技術研究所製)により、全光線透過率および拡散透過率を測定した。そして、測定サンプルのヘイズ値を、「拡散透過率/全光線透過率×100」の式により求め、ヘイズ値とした。基材フィルム側(第一面側)から測定光を入射し、測定を行った。
(4) Haze value (optical semiconductor element encapsulation sheet)
The measurement sample prepared for measuring the total light transmittance (3) above was used to measure the total light transmittance and the diffuse transmittance using a haze meter (device name "HM-150", manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd.). The haze value of the measurement sample was calculated using the formula "diffuse transmittance/total light transmittance×100" to obtain the haze value. Measurement was performed by irradiating measurement light from the base film side (first surface side).

(5)L***(SCE)(はく離ライナー付き)
光半導体素子封止用シートを基材フィルム側が表を向くように黒板(アクリル製、黒色、サイズ:45mm×50mm×1mm、水ノ上災害防具株式会社製)の平らな面に静置させた。そして、基材フィルム側(第一面側)から分光測色計(商品名「CM-26dG」、コニカミノルタ株式会社製)でL*(SCE)、a*(SCE)、およびb*(SCE)の測定を行った。また、光半導体素子封止用シートをはく離ライナー面が表を向くように黒板の平らな面に静置させた。そして、はく離ライナー面側(第二面側)から分光測色計(商品名「CM-26dG」、コニカミノルタ株式会社製)でL*(SCE)、a*(SCE)、およびb*(SCE)の測定を行った。なお、測色計の測定域が測定サンプルの中央に来るように設置し、下記条件で測定した。また、上記分光測色計で測定を行う前には、ゼロ点校正、白色校正、GROSS校正をメーカーマニュアルに従い実施した。なお、封止部に貼り合わせられているはく離ライナーのヘイズ値は10.2%、全光線透過率は91.2%である。
<測定条件>
測定方法:色&光沢
ジオメトリー: di:8°、de:8°
正反射光処理:SCI+SCE
観察光源:D65
観察条件:10°視野
測定径:MAV(8mm)
UV条件:100%Full
自動平均測定:3回
ゼロ校正スキップ:有効
(5) L * a * b * (SCE) (with release liner)
The optical semiconductor element encapsulation sheet was placed on a flat surface of a blackboard (acrylic, black, size: 45 mm x 50 mm x 1 mm, manufactured by Mizunoue Disaster Prevention Equipment Co., Ltd.) with the base film side facing up. Then, L * (SCE), a * (SCE), and b * (SCE) were measured from the base film side (first surface side) using a spectrophotometer (product name "CM-26dG", manufactured by Konica Minolta, Inc.). In addition, the optical semiconductor element encapsulation sheet was placed on a flat surface of a blackboard with the release liner surface facing up. Then, L * (SCE), a * (SCE), and b * (SCE) were measured from the release liner surface side (second surface side) using a spectrophotometer (product name "CM - 26dG", manufactured by Konica Minolta, Inc.). The measurement area of the colorimeter was set to be in the center of the measurement sample, and the measurements were performed under the following conditions. In addition, before the measurement with the spectrophotometer, zero-point calibration, white calibration, and GROSS calibration were performed according to the manufacturer's manual. The haze value of the release liner attached to the sealing part was 10.2%, and the total light transmittance was 91.2%.
<Measurement conditions>
Measurement method: Color & gloss Geometry: di: 8°, de: 8°
Regular reflection processing: SCI + SCE
Observation light source: D65
Observation conditions: 10° field of view Measurement diameter: MAV (8 mm)
UV conditions: 100% Full
Automatic average measurement: 3 times Zero calibration skip: Enabled

(6)L***(SCE)(はく離ライナーなし)
光半導体素子封止用シートから封止部に貼り合わせられたはく離ライナーを剥離し、黒板(アクリル製、黒色、サイズ:45mm×50mm×1mm、水ノ上災害防具株式会社製)に露出した封止部を貼り合わせ、ハンドローラーを用いて基材フィルム上を片道1回、気泡が入らないように加圧し、封止部を黒板に密着させた。そして、上記基材フィルム側が表を向くように黒板の平らな面に静置させた。そして、基材フィルム側(第一面側)から分光測色計(商品名「CM-26dG」、コニカミノルタ株式会社製)でL*(SCE)、a*(SCE)、およびb*(SCE)の測定を行った。また、光半導体素子封止用シートから封止部に貼り合わせられたはく離ライナーを剥離し、露出した封止部面側が表を向くように黒板の平らな面に静置させた。そして、封止部面側(第二面側)から分光測色計(商品名「CM-26dG」、コニカミノルタ株式会社製)でL*(SCE)、a*(SCE)、およびb*(SCE)の測定を行った。なお、測色計の測定域が測定サンプルの中央に来るように設置し、上記(5)の評価と同条件で測定した。また、上記分光測色計で測定を行う前には、ゼロ点校正、白色校正、GROSS校正をメーカーマニュアルに従い実施した。
(6) L * a * b * (SCE) (without release liner)
The release liner attached to the sealing portion was peeled off from the sheet for sealing optical semiconductor elements, and the exposed sealing portion was attached to a blackboard (acrylic, black, size: 45 mm x 50 mm x 1 mm, manufactured by Mizunoue Disaster Prevention Equipment Co., Ltd.), and the base film was pressed once in one direction using a hand roller so as not to introduce air bubbles, and the sealing portion was adhered to the blackboard. Then, the base film side was placed on a flat surface of the blackboard so that it faced the front. Then, L * (SCE), a * (SCE), and b * (SCE) were measured from the base film side (first surface side) using a spectrophotometer (product name "CM- 26dG ", manufactured by Konica Minolta, Inc.). In addition, the release liner attached to the sealing portion was peeled off from the sheet for sealing optical semiconductor elements, and the exposed sealing portion side was placed on a flat surface of the blackboard so that it faced the front. Then, L * (SCE), a * (SCE), and b * (SCE) were measured from the sealing surface side (second surface side) using a spectrophotometer (product name "CM-26dG", manufactured by Konica Minolta, Inc.). The measurement area of the colorimeter was set to be at the center of the measurement sample, and measurements were performed under the same conditions as in the evaluation of (5) above. Furthermore, before performing measurements using the spectrophotometer, zero-point calibration, white calibration, and GROSS calibration were performed according to the manufacturer's manual.

(7)光拡散効果確認試験
光半導体素子封止用シートのはく離ライナーを剥離し、ハンドローラーを用いて気泡が入らないようにガラス板(スライドガラス、品番「S-9112」、松浪硝子工業株式会社製、76mm×52mm×1.0~1.2mm)に貼り合わせた。貼り合わせた後、25℃で30分間遮光下で放置した。貼り付けた光半導体素子封止用シートのサイズはガラス板と同様のサイズとなるように適当にカットし、測定サンプルを作製した。スクリーンの上部に高さが2.4cmになるようにLEDランプ(商品名「LK-3PG」、株式会社イーケイジャパン製)を設置した。LEDランプに得られた測定サンプルのガラス板側を密着させた。LEDランプに電池ボックス(商品名「AP-180」、株式会社イーケイジャパン製)を繋いでLEDランプを点灯させ、スクリーンに映し出された円状の映像の直径を測定した。光半導体素子封止用シートなしでガラス板のみで測定した場合、スクリーンに映った光の直径は、16mmであった。光半導体素子封止用シートを介して測定した際、光径が20mm以上となった場合に、光拡散効果があると判断した。
(7) Light diffusion effect confirmation test The release liner of the optical semiconductor element encapsulation sheet was peeled off, and the sheet was attached to a glass plate (slide glass, product number "S-9112", manufactured by Matsunami Glass Industrial Co., Ltd., 76 mm x 52 mm x 1.0 to 1.2 mm) using a hand roller so as not to trap air bubbles. After attachment, the sheet was left in the dark at 25 ° C. for 30 minutes. The attached optical semiconductor element encapsulation sheet was appropriately cut to the same size as the glass plate to prepare a measurement sample. An LED lamp (product name "LK-3PG", manufactured by EK Japan Co., Ltd.) was installed on the top of the screen so that the height was 2.4 cm. The glass plate side of the obtained measurement sample was closely attached to the LED lamp. A battery box (product name "AP-180", manufactured by EK Japan Co., Ltd.) was connected to the LED lamp to turn on the LED lamp, and the diameter of the circular image projected on the screen was measured. When measured using only the glass plate without the optical semiconductor element encapsulation sheet, the diameter of the light projected on the screen was 16 mm. When the light diameter was measured through the sheet for encapsulating an optical semiconductor element, it was determined that there was a light diffusing effect when it was 20 mm or more.

(8)判定
上記評価(3)および(6)(防眩処理層あり)の結果に基づき、光取り出し効率および光拡散効果として、以下の基準に基づき判定した。そして、総合判定として、防眩処理層を備える光半導体封止用シートについて、光取り出し効率が○または△であり且つ光拡散効果が○の場合を○、1つでも×である場合を×とした。
光取り出し効率:全光線透過率が3%以上の場合を○、全光線透過率が2%以上3%未満の場合を△、全光線透過率が2%未満の場合を×とする。
光拡散効果:20mm以上の場合を○、20mm未満の場合を×とする。
(8) Judgment Based on the results of the above evaluations (3) and (6) (with antiglare treatment layer), the light extraction efficiency and light diffusion effect were judged based on the following criteria. As an overall judgment, for the optical semiconductor encapsulating sheet having the antiglare treatment layer, the light extraction efficiency was ◯ or △ and the light diffusion effect was ◯, and the light diffusion effect was ◯ at least in one case was ×.
Light extraction efficiency: A total light transmittance of 3% or more was evaluated as ◯, a total light transmittance of 2% or more but less than 3% was evaluated as △, and a total light transmittance of less than 2% was evaluated as x.
Light diffusion effect: ◯ when the thickness is 20 mm or more, and × when the thickness is less than 20 mm.

Figure 0007489532000001
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Figure 0007489532000002
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表1に示すように、本発明の光半導体素子封止用シート(実施例)は光取り出し効率および光拡散性に優れると評価された。一方、表2に示すように、L*(SCE)の差が大きい場合は光取り出し効率に劣ると評価された(比較例1,2)。特に、比較例2については、防眩処理層を備えない光半導体素子封止用シートは光拡散性に優れていたが、防眩処理層を備えた場合は光拡散性に劣っていた。また、光拡散層を有しない場合は光拡散性に劣っていた(比較例3)。また、L*(SCE)の差が大きい場合は光拡散性に劣ると評価された場合もあった(比較例4,5)。 As shown in Table 1, the optical semiconductor element encapsulation sheet (Example) of the present invention was evaluated to have excellent light extraction efficiency and light diffusion. On the other hand, as shown in Table 2, when the difference in L * (SCE) was large, it was evaluated to have poor light extraction efficiency (Comparative Examples 1 and 2). In particular, in Comparative Example 2, the optical semiconductor element encapsulation sheet without the antiglare treatment layer had excellent light diffusion, but when the antiglare treatment layer was provided, it had poor light diffusion. In addition, when there was no light diffusion layer, it had poor light diffusion (Comparative Example 3). In addition, when the difference in L * (SCE) was large, it was also evaluated to have poor light diffusion (Comparative Examples 4 and 5).

1 光半導体素子封止用シート
2 封止部
21 第一封止層
22 第二封止層
23 第三封止層
3 はく離ライナー
4 基材部
41 基材フィルム
42 機能層
5 基板
6 光半導体素子
10,20 光半導体装置
Reference Signs List 1 Optical semiconductor element encapsulation sheet 2 Encapsulating portion 21 First encapsulating layer 22 Second encapsulating layer 23 Third encapsulating layer 3 Release liner 4 Base material portion 41 Base material film 42 Functional layer 5 Substrate 6 Optical semiconductor element 10, 20 Optical semiconductor device

Claims (9)

基板上に配置された1以上の光半導体素子を封止するためのシートであって、
前記シートは、光拡散層と反射防止層とを有する封止部を備え、
前記封止部は、前記光半導体素子に接触する第一封止層と、前記第一封止層に積層された第二封止層と、前記第二封止層に積層された第三封止層とを備え、
前記第一封止層、前記第二封止層、および前記第三封止層のうち、少なくとも一層が前記反射防止層であり、他の少なくとも一層が前記光拡散層であり、
前記光拡散層は、高分子材料で構成される光拡散剤を含み、
前記反射防止層は粘着性および/または接着性を有しており、
前記シートの前記光半導体素子と接触する面とは反対側の表面に機能層を備えていてもよく、
前記シートが前記機能層を備えない場合は別途、前記シートの前記光半導体素子と接触する面とは反対側の表面に前記機能層を積層した状態において、前記機能層側から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL***(SCE)におけるL*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)をそれぞれL* 1、a* 1、b* 1とし、前記シート側から10°視野、光源D65の条件で測定した際のL***(SCE)におけるL*(SCE)、a*(SCE)、b*(SCE)をそれぞれL* 2、a* 2、b* 2としたとき、前記L* 1、a* 1、b* 1、L* 2、a* 2、およびb* 2はそれぞれ下記式(1)~(3)を満たす値である、光半導体素子封止用シート。
-5<L* 1-L* 2<5 (1)
-5<a* 1-a* 2<5 (2)
-5<b* 1-b* 2<5 (3)
A sheet for encapsulating one or more optical semiconductor elements disposed on a substrate, comprising:
the sheet includes a sealing portion having a light diffusing layer and an anti-reflection layer;
the encapsulating portion includes a first encapsulating layer in contact with the optical semiconductor element, a second encapsulating layer laminated on the first encapsulating layer, and a third encapsulating layer laminated on the second encapsulating layer,
At least one of the first sealing layer, the second sealing layer, and the third sealing layer is the antireflection layer, and at least another of the first sealing layer, the second sealing layer, and the third sealing layer is the light diffusion layer;
the light diffusion layer contains a light diffusing agent made of a polymer material;
the anti-reflection layer has adhesive and/or cohesive properties;
The sheet may have a functional layer on a surface opposite to a surface in contact with the optical semiconductor element,
When the sheet does not include the functional layer, a sheet for encapsulating optical semiconductor elements is provided in which, in a state in which the functional layer is laminated on the surface of the sheet opposite to the surface that comes into contact with the optical semiconductor element, L * (SCE), a * (SCE), and b * (SCE) in L * a*b*(SCE) when measured under conditions of a 10° visual field from the functional layer side and light source D65 are L * 1 , a * 1 , and b * 1 , respectively, and L * (SCE), a * (SCE), and b * (SCE) in L * a * b * (SCE) when measured under conditions of a 10° visual field from the sheet side and light source D65 are L * 2 , a * 2 , and b * 2 , respectively, and the L * 1 , a * 1 , b * 1 , L * 2 , a * 2 , and b * 2 are values that respectively satisfy the following formulas (1) to (3).
−5<L * 1 −L * 2 <5 (1)
-5 < a * 1 - a * 2 < 5 (2)
-5 < b * 1 - b * 2 < 5 (3)
前記シートの片面に前記機能層を積層した状態の前記機能層側から測定される全光線透過率は2~30%である、請求項1に記載の光半導体素子封止用シート。 The sheet for encapsulating optical semiconductor elements according to claim 1, wherein the total light transmittance measured from the functional layer side when the functional layer is laminated on one side of the sheet is 2 to 30%. 前記封止部は、前記光拡散層と、前記反射防止層と、前記光拡散層または光拡散機能を発揮することを目的としない無色透明層とをこの順に有する、請求項1または2に記載の光半導体素子封止用シート。 The sheet for sealing optical semiconductor elements according to claim 1 or 2, wherein the sealing portion has, in this order, the light diffusion layer, the antireflection layer, and the light diffusion layer or a colorless transparent layer that is not intended to exhibit a light diffusion function. 前記光拡散剤の屈折率は、1.4~1.7である、請求項1~3のいずれか1項に記載の光半導体素子封止用シート。 4. The sheet for encapsulating an optical semiconductor element according to claim 1, wherein the light diffusing agent has a refractive index of 1.4 to 1.7. 前記光拡散剤はシリコーン樹脂で構成される請求項4に記載の光半導体素子封止用シート。 The sheet for sealing optical semiconductor elements according to claim 4, wherein the light diffusing agent is composed of a silicone resin. 前記機能層は表面処理層を含む請求項1~5のいずれか1項に記載の光半導体素子封止用シート。 The sheet for encapsulating optical semiconductor elements according to any one of claims 1 to 5, wherein the functional layer includes a surface treatment layer. 基板と、前記基板上に配置された光半導体素子と、前記封止部により前記光半導体素子を封止する、請求項1~6のいずれか1項に記載の光半導体素子封止用シートと、を備える光半導体装置。 An optical semiconductor device comprising a substrate, an optical semiconductor element disposed on the substrate, and the sheet for sealing an optical semiconductor element according to any one of claims 1 to 6, which seals the optical semiconductor element with the sealing portion. 自発光型表示装置である請求項7に記載の光半導体装置。 The optical semiconductor device according to claim 7, which is a self-luminous display device. 請求項8に記載の自発光型表示装置を備える画像表示装置。 An image display device comprising the self-luminous display device according to claim 8.
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