JP7488880B2 - ホームポート、そして、これを含む基板処理装置 - Google Patents
ホームポート、そして、これを含む基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7488880B2 JP7488880B2 JP2022207705A JP2022207705A JP7488880B2 JP 7488880 B2 JP7488880 B2 JP 7488880B2 JP 2022207705 A JP2022207705 A JP 2022207705A JP 2022207705 A JP2022207705 A JP 2022207705A JP 7488880 B2 JP7488880 B2 JP 7488880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- space
- liquid
- substrate
- partition plate
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 158
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 74
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 185
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 53
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 29
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 10
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
前記第2空間に露出された前記ボディーと前記区画プレートの表面は伝導性物質でなされ、前記測定ユニットは前記液に含まれるイオンまたは電子を収容する収容部と、前記第2空間に露出された前記ボディーと前記区画プレートの表面それぞれに連結されて前記液の帯電量を測定する測定部を含むが、前記収容部は前記第2空間であることができる。
20 処理モジュール
70 インターフェースモジュール
80 露光装置
300 熱処理チャンバ
400 液処理チャンバ
440 液供給ユニット
441 第1ノズル
442 第2ノズル
441、442 ノズルら
500 ホームポート
510 ボディー
520 メインホール
530 区画プレート
532 開口
541 第1空間
542 第2空間
550 コーティング層
580 測定ユニット
581 収容部
582 測定部
Claims (20)
- 基板を処理する装置において、
基板を支持する支持ユニットと、
前記支持ユニットの外側をくるむ処理容器と、
前記支持ユニットに支持された基板に液を吐出するノズルを含む液供給ユニットと、及び
前記処理容器の外部に位置し、前記ノズルが待機するホームポートを含み、
前記ホームポートは、
内部に前記ノズルから吐出される前記液が排出される排出空間を有するボディーと、及び
前記ボディーに連結されて前記排出空間で排出される前記液の帯電量を測定する測定ユニットを含む基板処理装置。 - 前記ボディーの上部(upper portion)には前記ノズルから吐出される前記液が通過するメインホールが形成され、
前記ホームポートは、
前記排出空間を前記メインホールと連通する第1空間と、前記第1空間と連通する第2空間で区切る区画プレートをさらに含む請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記区画プレートは前記ノズルから吐出される前記液の落下方向に対して傾くように配置されたことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記区画プレートには前記第1空間と前記第2空間を連通させる開口が形成され、
前記開口は、
前記ノズルから吐出される前記液の落下支点より下に形成される請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記開口はスリット(Slit)形状で形成される請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記開口は前記区画プレートを貫通する少なくとも一つ以上のホールであることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記第1空間の下部(lower portion)には前記第1空間に流入された前記液を排出する第1排出ラインが連結され、
前記第2空間の下部には前記第1空間を通じて前記第2空間に流入された前記液を排出する第2排出ラインが連結される請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記測定ユニットは、
前記第1空間と前記第2空間のうちで前記第2空間に流入される前記液の帯電量を測定する請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記ボディーと前記区画プレートの材質はそれぞれ絶縁性物質を含み、
前記第2空間を定義する前記ボディーと前記区画プレートの表面は電気伝導性物質を含む請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記測定ユニットはファラデーカップ(Feraday Cup)であることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記測定ユニットは前記液に含まれるイオンまたは電子を収容する収容部と、前記第2空間に露出された前記ボディーと前記区画プレートの表面それぞれに連結されて前記液の帯電量を測定する測定部を含み、
前記収容部は前記第2空間であることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記液は減光液または現像液を含む請求項1乃至請求項11のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
- 液を吐出するノズルが待機するホームポートにおいて、
内部に前記ノズルから吐出される前記液が排出される排出空間を有するボディーと、
前記排出空間に位置し、前記排出空間を第1空間と第2空間で区切る区画プレートと、及び
前記ボディーに連結されて前記排出空間で排出される前記液の帯電量を測定する測定ユニットを含むホームポート。 - 前記区画プレートは、
前記ボディーの上部(upper portion)には前記ボディーの外部と前記第1空間を流体連通させるメインホールが形成され、
前記区画プレートには前記第1空間と前記第2空間を流体連通させる開口が形成されることを特徴とする請求項13に記載のホームポート。 - 前記測定ユニットは、
前記第2空間を定義する前記ボディーと前記区画プレートそれぞれに電気的に連結されて前記第2空間に流入される前記液の帯電量を測定する請求項14に記載のホームポート。 - 前記区画プレートは、
前記ノズルから吐出される前記液の落下方向に対して傾くように配置されたことを特徴とする請求項15に記載のホームポート。 - 前記測定ユニットはファラデーカップ(Feraday Cup)であり、
前記第2空間に露出された前記ボディーと前記区画プレートの表面は電気伝導性物質でなされて、
前記測定ユニットは、前記液に含まれるイオンまたは電子を収容する収容部と、前記第2空間に露出された前記ボディーと前記区画プレートの表面それぞれに連結されて前記液の帯電量を測定する測定部を含み、
前記収容部は前記第2空間であることを特徴とする請求項13乃至請求項16のうちで何れか一つに記載のホームポート。 - 前記第1空間の下部(lower portion)には前記第1空間に流入された前記液を排出する第1排出ラインが連結され、
前記第2空間の下部には前記第1空間を通じて前記第2空間に流入された前記液を排出する第2排出ラインが連結される請求項13に記載のホームポート。 - 基板を処理する装置において、
内部空間を有するハウジングと、
前記内部空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記支持ユニットを取り囲む処理容器と、
待機位置と工程位置との間に移動して基板に処理液を吐出するノズルを含む液供給ユニットと、及び
前記処理容器の外部に位置するホームポートを含み、
前記ノズルは工程位置で前記支持ユニットに支持された基板に前記処理液を吐出し、
前記ノズルは前記ホームポートの上側である待機位置で前記ホームポートに前記処理液を吐出し、
前記ホームポートは、
内部に前記ノズルから吐出される前記液が排出される排出空間を有して、上部(upper portion)に前記ノズルから吐出される前記液が通過するメインホールが形成されたボディーと、
前記排出空間を前記メインホールと連通する第1空間と、前記第1空間と連通する第2空間で区切って、前記第1空間と前記第2空間をお互いに流体連通させる開口が形成された区画プレートと、
前記第1空間の下部(lower portion)に連結されて前記第1空間に流入された前記液を排出する第1排出ラインと、
前記第2空間の下部に連結されて前記開口を通じて前記第2空間に流入された前記液を排出する第2排出ラインと、及び
前記第1空間と前記第2空間のうちで前記第2空間で排出される前記液の帯電量を測定する測定ユニットを含むホームポート。 - 前記測定ユニットはファラデーカップ(Feraday Cup)で提供され、
前記第2空間を定義する前記ボディーと前記区画プレートの表面は電気伝導性物質でなされて、
前記測定ユニットは、前記液に含まれるイオンまたは電子を収容する収容部と、前記第2空間に露出された前記ボディーと前記区画プレートの表面それぞれに連結されて前記液の帯電量を測定する測定部を含み、
前記収容部は前記第2空間であることを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0189017 | 2021-12-27 | ||
KR20210189017 | 2021-12-27 | ||
KR10-2022-0122345 | 2022-09-27 | ||
KR1020220122345A KR20230100586A (ko) | 2021-12-27 | 2022-09-27 | 홈 포트, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023097417A JP2023097417A (ja) | 2023-07-07 |
JP7488880B2 true JP7488880B2 (ja) | 2024-05-22 |
Family
ID=86897234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022207705A Active JP7488880B2 (ja) | 2021-12-27 | 2022-12-26 | ホームポート、そして、これを含む基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230207342A1 (ja) |
JP (1) | JP7488880B2 (ja) |
CN (1) | CN116364593A (ja) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074471A (ja) | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ポットおよびこのポットを備えた基板処理装置 |
JP2016027615A (ja) | 2014-07-02 | 2016-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2016152375A (ja) | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2017069552A (ja) | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体 |
JP2018107397A (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US20180334318A1 (en) | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical liquid supply apparatus and semiconductor processing apparatus having the same |
JP2019029492A (ja) | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム |
WO2020017376A1 (ja) | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
US20200168478A1 (en) | 2018-11-27 | 2020-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical liquid supply apparatus and semiconductor processing apparatus having the same |
JP2023097407A (ja) | 2021-12-27 | 2023-07-07 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び処理液帯電モニタリング方法 |
-
2022
- 2022-12-26 JP JP2022207705A patent/JP7488880B2/ja active Active
- 2022-12-27 CN CN202211691473.1A patent/CN116364593A/zh active Pending
- 2022-12-27 US US18/146,800 patent/US20230207342A1/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074471A (ja) | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ポットおよびこのポットを備えた基板処理装置 |
JP2016027615A (ja) | 2014-07-02 | 2016-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2016152375A (ja) | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2017069552A (ja) | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体 |
JP2018107397A (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US20180334318A1 (en) | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical liquid supply apparatus and semiconductor processing apparatus having the same |
JP2019029492A (ja) | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム |
WO2020017376A1 (ja) | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
US20200168478A1 (en) | 2018-11-27 | 2020-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical liquid supply apparatus and semiconductor processing apparatus having the same |
JP2023097407A (ja) | 2021-12-27 | 2023-07-07 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び処理液帯電モニタリング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023097417A (ja) | 2023-07-07 |
US20230207342A1 (en) | 2023-06-29 |
CN116364593A (zh) | 2023-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8001983B2 (en) | Cleaning apparatus, coating and developing apparatus, and cleaning method | |
US9256131B2 (en) | Developing method for developing apparatus | |
US7332055B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2009277870A (ja) | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 | |
US7690853B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US11971661B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3958572B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP7488880B2 (ja) | ホームポート、そして、これを含む基板処理装置 | |
JP7425172B2 (ja) | 基板処理装置及び処理液帯電モニタリング方法 | |
KR20200017027A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102353775B1 (ko) | 기판처리장치 | |
CN115642118A (zh) | 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备 | |
KR20230100586A (ko) | 홈 포트, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
JPH07283184A (ja) | 処理装置 | |
KR20180024703A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20210000355A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
US20240157391A1 (en) | Liquid supply unit and substrate treating apparatus including same | |
KR20200021681A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102628419B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP7324810B2 (ja) | 脱気装置、基板処理装置、及び処理液脱気方法 | |
KR102677969B1 (ko) | 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법 | |
US20240231232A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20230205088A1 (en) | Nozzle for supplying treatment liquid and substrate treating apparatus | |
US20220297167A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102243063B1 (ko) | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240430 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240510 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7488880 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |